JPH1048806A - フォトマスク及びその製造方法、フォトマスクブランクス - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法、フォトマスクブランクスInfo
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- JPH1048806A JPH1048806A JP20367196A JP20367196A JPH1048806A JP H1048806 A JPH1048806 A JP H1048806A JP 20367196 A JP20367196 A JP 20367196A JP 20367196 A JP20367196 A JP 20367196A JP H1048806 A JPH1048806 A JP H1048806A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 作成が容易で通常のハーフトーン位相シフト
マスクより焦点深度向上効果の高くサイドロープの低い
フォトマスクを提供する。 【解決手段】 フォトマスク基板の表面が露出する開口
部１と、開口部１を取り囲み、透過する露光光の位相を
開口部１に対し反転しつつ振幅を減衰させる半透明位相
シフト部２と、半透明位相シフト部２を取り囲み、透過
する露光光の位相を開口部１と等しくしつつ振幅を減衰
させる半透明部３とを有する。
マスクより焦点深度向上効果の高くサイドロープの低い
フォトマスクを提供する。 【解決手段】 フォトマスク基板の表面が露出する開口
部１と、開口部１を取り囲み、透過する露光光の位相を
開口部１に対し反転しつつ振幅を減衰させる半透明位相
シフト部２と、半透明位相シフト部２を取り囲み、透過
する露光光の位相を開口部１と等しくしつつ振幅を減衰
させる半透明部３とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路や
液晶表示装置等の製造装置で使用されるフォトマスクに
関し、特に位相シフトマスク及びその製造方法，フォト
マスクブランクスに関するものである。
液晶表示装置等の製造装置で使用されるフォトマスクに
関し、特に位相シフトマスク及びその製造方法，フォト
マスクブランクスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴い、回路
パターンの微細化が急速に進展している。一方、投影露
光装置を用いたフォトリソグラフィ技術には、光源の波
長に起因する解像限界が存在する。近年、解像度を向上
させるためにフォトマスク上のパターンを位相部材で形
成する位相シフトマスクの開発が盛んに行われている。
パターンの微細化が急速に進展している。一方、投影露
光装置を用いたフォトリソグラフィ技術には、光源の波
長に起因する解像限界が存在する。近年、解像度を向上
させるためにフォトマスク上のパターンを位相部材で形
成する位相シフトマスクの開発が盛んに行われている。
【０００３】これまでに様々な種類の位相シフトマスク
が提案されているが、その中で特開平４−１３６８５４
号公報に記載されるハーフトーン位相シフトマスクは、
構造が簡単であることから、半導体集積回路生産への使
用が開始されている。
が提案されているが、その中で特開平４−１３６８５４
号公報に記載されるハーフトーン位相シフトマスクは、
構造が簡単であることから、半導体集積回路生産への使
用が開始されている。
【０００４】ハーフトーン位相シフトマスクは、特にホ
ールパターンに対して有効であることが知られている。
図１２は、ハーフトーン位相シフトマスクを示す平面図
である。図１２において、開口部は半透明位相シフト部
２で囲まれている。図１３（ａ）はフォトマスクを示す
断面図、（ｂ）はフォトマスクを透過する光の振幅透過
率を示す図である。図１３（ａ）に示すように、ガラス
基板４に半透明位相シフト部２をなす半透明位相シフト
膜５が形成され、半透明位相シフト膜５に開口部１が開
口されている。半透明位相シフト膜５を透過した光の振
幅は、減衰するとともに、位相が反転している。
ールパターンに対して有効であることが知られている。
図１２は、ハーフトーン位相シフトマスクを示す平面図
である。図１２において、開口部は半透明位相シフト部
２で囲まれている。図１３（ａ）はフォトマスクを示す
断面図、（ｂ）はフォトマスクを透過する光の振幅透過
率を示す図である。図１３（ａ）に示すように、ガラス
基板４に半透明位相シフト部２をなす半透明位相シフト
膜５が形成され、半透明位相シフト膜５に開口部１が開
口されている。半透明位相シフト膜５を透過した光の振
幅は、減衰するとともに、位相が反転している。
【０００５】ハーフトーン位相シフトマスクは、解像限
界付近での焦点深度が大きくなるため、実用的な解像度
が向上する。特開平７−２７１０１３号公報では、焦点
深度が最大となる理想的なハーフトーン位相シフトマス
クとして、図１４に示されるような振幅透過率が０次の
ベッセル関数Ｊ０（２πｘλ／ＮＡ）となるフォトマス
クを提案している。ここで、ｘは開口中心からの位置，
λは光源の波長，ＮＡは投影レンズの開口数であり、図
１４ではλ＝２４８ｎｍ，ＮＡ＝０．５として計算し
た。
界付近での焦点深度が大きくなるため、実用的な解像度
が向上する。特開平７−２７１０１３号公報では、焦点
深度が最大となる理想的なハーフトーン位相シフトマス
クとして、図１４に示されるような振幅透過率が０次の
ベッセル関数Ｊ０（２πｘλ／ＮＡ）となるフォトマス
クを提案している。ここで、ｘは開口中心からの位置，
λは光源の波長，ＮＡは投影レンズの開口数であり、図
１４ではλ＝２４８ｎｍ，ＮＡ＝０．５として計算し
た。
【０００６】光の振幅をベッセル関数形にすると、光の
回折が抑えられ、焦点深度が非常に深くなることは、光
学でも良く知られており、例えば１９８７年４月，ジャ
ーナル・オブ・オプティカル・ソサエティ・オブ・アメ
リカ，第４巻，第４号，６５１〜６５４頁（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆＡ
ｍｅｒｉｃａ，Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．４，ｐｐ．６５１−
６５４，Ａｐｒｉｌ，１９８７）に記述されている。
回折が抑えられ、焦点深度が非常に深くなることは、光
学でも良く知られており、例えば１９８７年４月，ジャ
ーナル・オブ・オプティカル・ソサエティ・オブ・アメ
リカ，第４巻，第４号，６５１〜６５４頁（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆＡ
ｍｅｒｉｃａ，Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．４，ｐｐ．６５１−
６５４，Ａｐｒｉｌ，１９８７）に記述されている。
【０００７】しかし、実際にはベッセル関数のような連
続的な振幅透過率分布をもつフォトマスクを実際に製造
するのは、現在の技術では不可能である。そこで、上記
公報では、この振幅透過率分布を近似的に実現する方法
として、図１５に示すような開口部１の周囲に補助開口
部８を形成する方法を提案している。このときのフォト
マスクの断面は図１６（ａ），振幅透過率は図１６
（ｂ）のようになる。
続的な振幅透過率分布をもつフォトマスクを実際に製造
するのは、現在の技術では不可能である。そこで、上記
公報では、この振幅透過率分布を近似的に実現する方法
として、図１５に示すような開口部１の周囲に補助開口
部８を形成する方法を提案している。このときのフォト
マスクの断面は図１６（ａ），振幅透過率は図１６
（ｂ）のようになる。
【０００８】通常のハーフトーン位相シフトマスクの光
強度分布３１と、補助開口部８を付加したハーフトーン
位相シフトマスクの光強度分布３２を図３に示す。露光
条件としては、λ＝２４８ｎｍ，ＮＡ＝０．５，コヒー
レンス因子σ＝０．３の投影露光装置でもって、ホール
径０．２５μｍ×０．２５μｍのパターンを持つ透過率
１０％のハーフトーン位相シフトマスクを露光するもの
とした。
強度分布３１と、補助開口部８を付加したハーフトーン
位相シフトマスクの光強度分布３２を図３に示す。露光
条件としては、λ＝２４８ｎｍ，ＮＡ＝０．５，コヒー
レンス因子σ＝０．３の投影露光装置でもって、ホール
径０．２５μｍ×０．２５μｍのパターンを持つ透過率
１０％のハーフトーン位相シフトマスクを露光するもの
とした。
【０００９】通常のハーフトーン位相シフトマスクを用
いると、開口部中心から離れた位置に大きな光強度を持
つサイドロープが発生する。露光量によっては、サイド
ロープがフォトレジストに転写されてしまうことがあ
る。補助開口部８を設けると、振幅透過率はベッセル関
数に近づき、サイドロープが抑制される。
いると、開口部中心から離れた位置に大きな光強度を持
つサイドロープが発生する。露光量によっては、サイド
ロープがフォトレジストに転写されてしまうことがあ
る。補助開口部８を設けると、振幅透過率はベッセル関
数に近づき、サイドロープが抑制される。
【００１０】通常のハーフトーン位相シフトマスクの焦
点深度特性４１と、補助開口部８を付加したハーフトー
ン位相シフトマスクの焦点深度特性４２を図４に示す。
開口部中心のピーク光強度はデフォーカスすると、像の
ボケにより減少する。補助開口部８を付加したハーフト
ーン位相シフトマスクの焦点深度特性４２は、通常のハ
ーフトーン位相シフトマスクの焦点深度特性４１に比
べ、デフォーカスしたときのピーク光強度の落ち方が緩
く、焦点深度が伸びている。
点深度特性４１と、補助開口部８を付加したハーフトー
ン位相シフトマスクの焦点深度特性４２を図４に示す。
開口部中心のピーク光強度はデフォーカスすると、像の
ボケにより減少する。補助開口部８を付加したハーフト
ーン位相シフトマスクの焦点深度特性４２は、通常のハ
ーフトーン位相シフトマスクの焦点深度特性４１に比
べ、デフォーカスしたときのピーク光強度の落ち方が緩
く、焦点深度が伸びている。
【００１１】補助開口部８の幅は、開口部１の径に比べ
狭くなる。ホール径０．２５μｍ×０．２５μｍの場合
には、補助開口部８の幅を０．１μｍ程度にする必要が
ある。これらの寸法は、ウェハ上の寸法であり、拡大マ
スクの上では、４倍あるいは５倍程度大きくなる。
狭くなる。ホール径０．２５μｍ×０．２５μｍの場合
には、補助開口部８の幅を０．１μｍ程度にする必要が
ある。これらの寸法は、ウェハ上の寸法であり、拡大マ
スクの上では、４倍あるいは５倍程度大きくなる。
【００１２】しかし、現在のフォトマスク作成技術で
は、フォトマスク上の寸法が１μｍ以下になると、寸法
制御が非常に困難になる。補助開口部８の幅は、フォト
マスク上で０．５μｍ程度であるため、その寸法を制御
することは難しい。
は、フォトマスク上の寸法が１μｍ以下になると、寸法
制御が非常に困難になる。補助開口部８の幅は、フォト
マスク上で０．５μｍ程度であるため、その寸法を制御
することは難しい。
【００１３】一方、光は補助開口部８を１００％透過す
るため、その影響は非常に大きく、補助開口部８の寸法
が僅かに小さいと、焦点深度向上効果が大幅に減退し、
逆に補助開口部８の寸法が僅かに大きいと、補助開口部
８自身がウェハ上のフォトレジストに転写されてしま
う。
るため、その影響は非常に大きく、補助開口部８の寸法
が僅かに小さいと、焦点深度向上効果が大幅に減退し、
逆に補助開口部８の寸法が僅かに大きいと、補助開口部
８自身がウェハ上のフォトレジストに転写されてしま
う。
【００１４】補助パターンとして開口部の代わりに遮光
部を用いる方法が特開平７−２８１４１３号公報に開示
されており、そのフォトマスクの平面図を図１７に、フ
ォトマスクの断面を図１８（ａ）に、振幅透過率を図１
８（ｂ）に示す。図に示すように、補助遮光部９は、半
透明位相シフト膜５の上層に不透明膜１０をパターニン
グすることにより実現される。
部を用いる方法が特開平７−２８１４１３号公報に開示
されており、そのフォトマスクの平面図を図１７に、フ
ォトマスクの断面を図１８（ａ）に、振幅透過率を図１
８（ｂ）に示す。図に示すように、補助遮光部９は、半
透明位相シフト膜５の上層に不透明膜１０をパターニン
グすることにより実現される。
【００１５】補助遮光部９を付加したハーフトーン位相
シフトマスクの光強度分布３３を図３に示す。補助遮光
部９を用いることにより、通常のハーフトーン位相シフ
トマスクに開口中心から離れた位置で発生するサイドロ
ープを抑制することができる。
シフトマスクの光強度分布３３を図３に示す。補助遮光
部９を用いることにより、通常のハーフトーン位相シフ
トマスクに開口中心から離れた位置で発生するサイドロ
ープを抑制することができる。
【００１６】補助遮光部９は、図１４のベッセル関数で
サイドロープでの振幅が正となる位置０．８８λ／ＮＡ
から１．３８λ／ＮＡの間に配置すれば良く、その幅は
０．２５μｍ程度と補助開口部８に比べ太くなる。補助
遮光部９を付加したハーフトーン位相シフトマスクの焦
点深度特性４３を図４に示す。焦点深度特性は、通常の
ハーフトーン位相シフトマスクとほぼ同じで、焦点深度
はほとんど伸びない。
サイドロープでの振幅が正となる位置０．８８λ／ＮＡ
から１．３８λ／ＮＡの間に配置すれば良く、その幅は
０．２５μｍ程度と補助開口部８に比べ太くなる。補助
遮光部９を付加したハーフトーン位相シフトマスクの焦
点深度特性４３を図４に示す。焦点深度特性は、通常の
ハーフトーン位相シフトマスクとほぼ同じで、焦点深度
はほとんど伸びない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】通常のハーフトーン位
相シフトマスクの焦点深度向上効果をより高め、同じに
サイドロープを抑制するためには、ハーフトーン位相シ
フトマスクの振幅透過率をできるだけ０次のベッセル関
数に近づければ良い。これを補助開口部で実現しようと
すると、線幅制御の困難な幅の狭い開口を作成する必要
がある。あるいは補助遮光部で実現しようとすると、幅
は広くとれるが焦点深度は伸びない。
相シフトマスクの焦点深度向上効果をより高め、同じに
サイドロープを抑制するためには、ハーフトーン位相シ
フトマスクの振幅透過率をできるだけ０次のベッセル関
数に近づければ良い。これを補助開口部で実現しようと
すると、線幅制御の困難な幅の狭い開口を作成する必要
がある。あるいは補助遮光部で実現しようとすると、幅
は広くとれるが焦点深度は伸びない。
【００１８】本発明の目的は、作成が容易で通常のハー
フトーン位相シフトマスクより焦点深度向上効果の高
く、しかも通常のハーフトーン位相シフトマスクよりサ
イドロープの低いフォトマスク及びその製造方法、フォ
トマスクブランクスを提供することにある。
フトーン位相シフトマスクより焦点深度向上効果の高
く、しかも通常のハーフトーン位相シフトマスクよりサ
イドロープの低いフォトマスク及びその製造方法、フォ
トマスクブランクスを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るフォトマスクは、第１光透過部と、第
２光透過部と、第３光透過部とを有するフォトマスクで
あって、第１光透過部は、フォトマスク基板の表面を露
出させて形成されたものであり、第２光透過部は、前記
第１光透過部を取り囲み、透過する露光光の位相を第１
光透過部に対し反転しつつ振幅を減衰させるものであ
り、第３光透過部は、前記第２光透過部を取り囲み、透
過する露光光の位相を第１光透過部と等しくしつつ振幅
を減衰させるものである。
め、本発明に係るフォトマスクは、第１光透過部と、第
２光透過部と、第３光透過部とを有するフォトマスクで
あって、第１光透過部は、フォトマスク基板の表面を露
出させて形成されたものであり、第２光透過部は、前記
第１光透過部を取り囲み、透過する露光光の位相を第１
光透過部に対し反転しつつ振幅を減衰させるものであ
り、第３光透過部は、前記第２光透過部を取り囲み、透
過する露光光の位相を第１光透過部と等しくしつつ振幅
を減衰させるものである。
【００２０】また前記第３光透過部は、投影露光装置の
光源の波長をλ，投影レンズの開口数をＮＡとして、前
記第１光透過部の中心から測って０．８８λ／ＮＡから
１．８λ／ＮＡの間に配置されているものである。
光源の波長をλ，投影レンズの開口数をＮＡとして、前
記第１光透過部の中心から測って０．８８λ／ＮＡから
１．８λ／ＮＡの間に配置されているものである。
【００２１】また前記第３光透過部は、投影露光装置の
光源の波長をλ，投影レンズの開口数をＮＡとして、前
記第１光透過部の中心から測って０．８８λ／ＮＡより
外側に配置されているものである。
光源の波長をλ，投影レンズの開口数をＮＡとして、前
記第１光透過部の中心から測って０．８８λ／ＮＡより
外側に配置されているものである。
【００２２】また反転膜と、再反転膜とを有するフォト
マスクであって、反転膜は、フォトマスク基板上に表面
の露出する開口部を有する第１の露光光に対し半透明か
つ位相を反転させる膜であり、再反転膜は、反転膜上に
設けられ、前記開口部を取り囲む第２の露光光に対し透
明あるいは半透明かつ位相を再反転させる膜である。
マスクであって、反転膜は、フォトマスク基板上に表面
の露出する開口部を有する第１の露光光に対し半透明か
つ位相を反転させる膜であり、再反転膜は、反転膜上に
設けられ、前記開口部を取り囲む第２の露光光に対し透
明あるいは半透明かつ位相を再反転させる膜である。
【００２３】また本発明に係るフォトマスクブランクス
は、反転膜と、再反転膜とを有するフォトマスクブラン
クスであって、反転膜は、フォトマスク基板上に露光光
に対し半透明かつ位相を反転させる膜であり、再反転膜
は、反転膜上に設けられ、第２の露光光に対し透明ある
いは半透明かつ位相を再反転させる膜である。
は、反転膜と、再反転膜とを有するフォトマスクブラン
クスであって、反転膜は、フォトマスク基板上に露光光
に対し半透明かつ位相を反転させる膜であり、再反転膜
は、反転膜上に設けられ、第２の露光光に対し透明ある
いは半透明かつ位相を再反転させる膜である。
【００２４】また本発明に係るフォトマスクは、半透明
膜と、反転膜とを有するフォトマスクであって、半透明
膜は、フォトマスク基板上に表面の露出する開口部を有
する第１の露光光に対し半透明な膜であり、反転膜は、
半透明膜の開口部を取り囲み第２の露光光に対し透明あ
るいは半透明かつ位相を反転させる膜である。
膜と、反転膜とを有するフォトマスクであって、半透明
膜は、フォトマスク基板上に表面の露出する開口部を有
する第１の露光光に対し半透明な膜であり、反転膜は、
半透明膜の開口部を取り囲み第２の露光光に対し透明あ
るいは半透明かつ位相を反転させる膜である。
【００２５】また本発明に係るフォトマスクの製造方法
は、膜形成工程と、第１のパターン工程と、第２のパタ
ーン工程とを有するフォトマスクの製造方法であって、
膜形成工程は、フォトマスク基板上に、第１の露光光に
対し半透明かつ位相を反転させる反転膜と、前記反転膜
上に第２の露光光に対し透明あるいは半透明かつ位相を
再反転させる再反転膜を形成する処理であり、第１のパ
ターン工程は、前記再反転膜の所望の部分を除去し所望
のパタンとする処理であり、第２のパターン工程は、前
記反転膜の所望の部分を除去し所望のパタンとする処理
である。
は、膜形成工程と、第１のパターン工程と、第２のパタ
ーン工程とを有するフォトマスクの製造方法であって、
膜形成工程は、フォトマスク基板上に、第１の露光光に
対し半透明かつ位相を反転させる反転膜と、前記反転膜
上に第２の露光光に対し透明あるいは半透明かつ位相を
再反転させる再反転膜を形成する処理であり、第１のパ
ターン工程は、前記再反転膜の所望の部分を除去し所望
のパタンとする処理であり、第２のパターン工程は、前
記反転膜の所望の部分を除去し所望のパタンとする処理
である。
【００２６】また膜形成工程と、第１のパターン工程
と、第２のパターン工程とを有するフォトマスクの製造
方法であって、膜形成工程は、フォトマスク基板上に、
第１の露光光に対し半透明な膜と、前記第１の露光光に
対し半透明な膜の上に第２の露光光に対し透明あるいは
半透明かつ位相を反転させる膜を形成する処理であり、
第１のパターン工程は、反転膜の所望の部分を除去し所
望のパタンとする処理であり、第２のパターン工程は、
前記半透明膜の所望の部分を除去し所望のパタンとする
処理である。
と、第２のパターン工程とを有するフォトマスクの製造
方法であって、膜形成工程は、フォトマスク基板上に、
第１の露光光に対し半透明な膜と、前記第１の露光光に
対し半透明な膜の上に第２の露光光に対し透明あるいは
半透明かつ位相を反転させる膜を形成する処理であり、
第１のパターン工程は、反転膜の所望の部分を除去し所
望のパタンとする処理であり、第２のパターン工程は、
前記半透明膜の所望の部分を除去し所望のパタンとする
処理である。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照にして詳細に説明する。
図面を参照にして詳細に説明する。
【００２８】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１を示す平面図である。
１を示す平面図である。
【００２９】図１において、本発明の実施形態１に係る
フォトマスクは、開口部１と半透明位相シフト部２と半
透明部３とを含んでいる。半透明位相シフト部２を透過
した光は、振幅が減衰するとともに、開口部１に対し位
相が反転している。一方、半透明部３を透過した光は、
振幅が減衰するが、開口部１と同じ位相を持っている。
フォトマスクは、開口部１と半透明位相シフト部２と半
透明部３とを含んでいる。半透明位相シフト部２を透過
した光は、振幅が減衰するとともに、開口部１に対し位
相が反転している。一方、半透明部３を透過した光は、
振幅が減衰するが、開口部１と同じ位相を持っている。
【００３０】図２（ａ）に本発明の実施形態１に係るフ
ォトマスクの断面図を示す。ガラス基板４上に半透明位
相シフト膜５が堆積され、半透明位相シフト膜５の一部
が開口部１の形にパターニングされている。
ォトマスクの断面図を示す。ガラス基板４上に半透明位
相シフト膜５が堆積され、半透明位相シフト膜５の一部
が開口部１の形にパターニングされている。
【００３１】半透明位相シフト膜５は、クロム，クロム
の酸化物，クロムの酸化窒化物，クロムのフッ化物，モ
リブデンシリサイド，モリブデンシリサイドの酸化物，
モリブデンシリサイドの酸化窒化物，モリブデンシリサ
イドのフッ化物などから構成される単層あるいは多層膜
である。なお、このとき半透明位相シフト膜５に要求さ
れる条件としては、露光光の透過率が５〜２０％であ
り、透過する露光光の位相を１８０度変換させることが
必要である。
の酸化物，クロムの酸化窒化物，クロムのフッ化物，モ
リブデンシリサイド，モリブデンシリサイドの酸化物，
モリブデンシリサイドの酸化窒化物，モリブデンシリサ
イドのフッ化物などから構成される単層あるいは多層膜
である。なお、このとき半透明位相シフト膜５に要求さ
れる条件としては、露光光の透過率が５〜２０％であ
り、透過する露光光の位相を１８０度変換させることが
必要である。
【００３２】半透明位相シフト膜５の上に位相シフト膜
６を形成し半透明部３の形にパターニングしている。位
相シフト膜６の材料には、酸化珪素，窒化珪素，酸化室
化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒化物，クロム
のフッ化物，モリブデンシリサイド，モリブデンシリサ
イドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸化窒化物，モ
リブデンシリサイドのフッ化物などを用いる。
６を形成し半透明部３の形にパターニングしている。位
相シフト膜６の材料には、酸化珪素，窒化珪素，酸化室
化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒化物，クロム
のフッ化物，モリブデンシリサイド，モリブデンシリサ
イドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸化窒化物，モ
リブデンシリサイドのフッ化物などを用いる。
【００３３】位相シフト膜６の材料には、露光光の透過
率が１０％以上あるものが望ましい。酸化珪素を用いる
と、１００％近い透過率を得ることができる。位相シフ
ト膜６においても位相が１８０度変換されるため、半透
明部３を透過する光の位相は開口部１を透過する光の位
相と等しくなる。
率が１０％以上あるものが望ましい。酸化珪素を用いる
と、１００％近い透過率を得ることができる。位相シフ
ト膜６においても位相が１８０度変換されるため、半透
明部３を透過する光の位相は開口部１を透過する光の位
相と等しくなる。
【００３４】このときのフォトマスクの振幅透過率を図
２（ｂ）に示す。振幅透過率分布は図１４の理想的なベ
ッセル関数の形に近づいている。半透明部３はベッセル
関数で、サイドロープでの振幅が正となる位置０．８８
λ／ＮＡから１．３８λ／ＮＡの間に配置している。そ
の幅は補助開口部８に比べ太く、開口部１の幅とほぼ等
しくなるため作成は容易である。
２（ｂ）に示す。振幅透過率分布は図１４の理想的なベ
ッセル関数の形に近づいている。半透明部３はベッセル
関数で、サイドロープでの振幅が正となる位置０．８８
λ／ＮＡから１．３８λ／ＮＡの間に配置している。そ
の幅は補助開口部８に比べ太く、開口部１の幅とほぼ等
しくなるため作成は容易である。
【００３５】図３及び図４を参照にして本発明の実施形
態１に係るフォトマスクの効果を説明する。図３は各種
位相シフトマスクによるウェハ上の光強度分布を示した
ものである。通常のハーフトーン位相シフトマスクの光
強度分布３１は、開口部中心から離れた位置に大きなサ
イドロープが発生している。半透明部３を付加したハー
フトーン位相シフトマスクの光強度分布３４は、サイド
ロープが抑制され、サイドロープのレジストへの転写を
防ぐことができる。
態１に係るフォトマスクの効果を説明する。図３は各種
位相シフトマスクによるウェハ上の光強度分布を示した
ものである。通常のハーフトーン位相シフトマスクの光
強度分布３１は、開口部中心から離れた位置に大きなサ
イドロープが発生している。半透明部３を付加したハー
フトーン位相シフトマスクの光強度分布３４は、サイド
ロープが抑制され、サイドロープのレジストへの転写を
防ぐことができる。
【００３６】図４は各種位相シフトマスクの焦点深度特
性を示したものである。半透明部３を付加したハーフト
ーン位相シフトマスクの焦点深度特性４４は、通常のハ
ーフトーン位相シフトマスクの焦点深度特性４１に比べ
デフォーカスしたときのピーク光強度の落ち方が緩く、
焦点深度が伸びている。
性を示したものである。半透明部３を付加したハーフト
ーン位相シフトマスクの焦点深度特性４４は、通常のハ
ーフトーン位相シフトマスクの焦点深度特性４１に比べ
デフォーカスしたときのピーク光強度の落ち方が緩く、
焦点深度が伸びている。
【００３７】（実施形態２）図５に本発明の実施形態２
に係るフォトマスクを示す。図５（ａ）に示すようにガ
ラス基板４上に半透明膜７が堆積され、開口部１の形に
パターニングされている。半透明膜７は、クロム，クロ
ムの酸化物，クロムの酸化窒化物，モリブデンシリサイ
ド，モリブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシリサ
イドの酸化窒化物などから構成される単層あるいは多層
膜である。
に係るフォトマスクを示す。図５（ａ）に示すようにガ
ラス基板４上に半透明膜７が堆積され、開口部１の形に
パターニングされている。半透明膜７は、クロム，クロ
ムの酸化物，クロムの酸化窒化物，モリブデンシリサイ
ド，モリブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシリサ
イドの酸化窒化物などから構成される単層あるいは多層
膜である。
【００３８】なお、半透明膜７に要求される条件として
は、露光光の透過率が５〜２０％であり、透過する露光
光の位相の変化は１０度以内である必要がある。
は、露光光の透過率が５〜２０％であり、透過する露光
光の位相の変化は１０度以内である必要がある。
【００３９】さらに半透明膜７上に位相シフト膜６を形
成し開口部１及び半透明部３の形にパターニングされて
いる。位相シフト膜６の材料には酸化珪素，窒化珪素，
酸化室化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒化物，
クロムのフッ化物，モリブデンシリサイド，モリブデン
シリサイドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸化窒化
物，モリブデンシリサイドのフッ化物などを用いる。
成し開口部１及び半透明部３の形にパターニングされて
いる。位相シフト膜６の材料には酸化珪素，窒化珪素，
酸化室化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒化物，
クロムのフッ化物，モリブデンシリサイド，モリブデン
シリサイドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸化窒化
物，モリブデンシリサイドのフッ化物などを用いる。
【００４０】位相シフト膜６に要求される条件としては
露光光の透過率が１０％以上あり、透過する露光光の位
相を１８０度変換させることが必要である。酸化珪素を
用いると、１００％近い透過率を得ることができる。フ
ォトマスクの振幅透過率を図５（ｂ）に示す。振幅透過
率分布は図１４の理想的なベッセル関数の形に近づいて
いる。本発明の実施形態２も本発明の実施形態１と同様
な効果を持つ。
露光光の透過率が１０％以上あり、透過する露光光の位
相を１８０度変換させることが必要である。酸化珪素を
用いると、１００％近い透過率を得ることができる。フ
ォトマスクの振幅透過率を図５（ｂ）に示す。振幅透過
率分布は図１４の理想的なベッセル関数の形に近づいて
いる。本発明の実施形態２も本発明の実施形態１と同様
な効果を持つ。
【００４１】（実施形態３）図６及び図７に本発明の実
施形態３に係るフォトマスクを示す。実施形態３では、
半透明部３はベッセル関数でサイドロープでの振幅が正
となる位置０．８８λ／ＮＡから外の全てを被ってい
る。位相シフト膜６の透過率を１０％から５０％の間で
比較的低くすると、半透明部３の透過光は半透明位相シ
フト部より強度が低くなる。
施形態３に係るフォトマスクを示す。実施形態３では、
半透明部３はベッセル関数でサイドロープでの振幅が正
となる位置０．８８λ／ＮＡから外の全てを被ってい
る。位相シフト膜６の透過率を１０％から５０％の間で
比較的低くすると、半透明部３の透過光は半透明位相シ
フト部より強度が低くなる。
【００４２】これにより、フォトマスク周縁部やアライ
メントマーク周辺で生じる不要なパターンの発生を防ぐ
ことができる。図３の３５は図７（ｂ）の振幅透過率分
布を持つフォトマスクを露光したときのウェハ上の光強
度分布を表し、図４の４５は図７のフォトマスクの焦点
深度特性を表す。
メントマーク周辺で生じる不要なパターンの発生を防ぐ
ことができる。図３の３５は図７（ｂ）の振幅透過率分
布を持つフォトマスクを露光したときのウェハ上の光強
度分布を表し、図４の４５は図７のフォトマスクの焦点
深度特性を表す。
【００４３】図２のフォトマスクの焦点深度特性４４に
比べると若干劣るが、通常のハーフトーン位相シフトマ
スクの焦点深度特性４１に比べ図７のフォトマスクの焦
点深度特性４５はデフォーカスしたときのピーク光強度
の落ち方が緩く、焦点深度が伸びている。
比べると若干劣るが、通常のハーフトーン位相シフトマ
スクの焦点深度特性４１に比べ図７のフォトマスクの焦
点深度特性４５はデフォーカスしたときのピーク光強度
の落ち方が緩く、焦点深度が伸びている。
【００４４】（実施形態４）図８に本発明の実施形態４
に係るフォトマスクを示す。開口部１が接近して複数個
配置された場合の半透明部３の配置方法を示している。
フォトマスク透過光の振幅をベッセル関数型に近づける
ためには、半透明部３を全ての開口部の中心から測って
０．８８λ／ＮＡから１．３８λ／ＮＡの間あるいは
０．８８λ／ＮＡより外側に配置する必要がある。元に
なる開口部１の配置が決まっていれば、半透明部３を自
動的に配置することが可能である。図９に本発明の実施
形態４の変形例を示す。この場合には、複数の開口部１
がさらに接近しているため、半透明部３の面積が小さく
なっている。
に係るフォトマスクを示す。開口部１が接近して複数個
配置された場合の半透明部３の配置方法を示している。
フォトマスク透過光の振幅をベッセル関数型に近づける
ためには、半透明部３を全ての開口部の中心から測って
０．８８λ／ＮＡから１．３８λ／ＮＡの間あるいは
０．８８λ／ＮＡより外側に配置する必要がある。元に
なる開口部１の配置が決まっていれば、半透明部３を自
動的に配置することが可能である。図９に本発明の実施
形態４の変形例を示す。この場合には、複数の開口部１
がさらに接近しているため、半透明部３の面積が小さく
なっている。
【００４５】（実施形態５）図１０に本発明の実施形態
５に係るフォトマスクの製造方法を示す。図１０（ａ）
に示すようにガラス基板４の上に半透明位相シフト膜５
を堆積し、さらにその上に位相シフト膜６を堆積する。
半透明位相シフト膜５は、クロム，クロムの酸化物，ク
ロムの酸化窒化物，クロムのフッ化物，モリブデンシリ
サイド，モリブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシ
リサイドの酸化窒化物，モリブデンシリサイドのフッ化
物などから構成される単層あるいは多層膜である。
５に係るフォトマスクの製造方法を示す。図１０（ａ）
に示すようにガラス基板４の上に半透明位相シフト膜５
を堆積し、さらにその上に位相シフト膜６を堆積する。
半透明位相シフト膜５は、クロム，クロムの酸化物，ク
ロムの酸化窒化物，クロムのフッ化物，モリブデンシリ
サイド，モリブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシ
リサイドの酸化窒化物，モリブデンシリサイドのフッ化
物などから構成される単層あるいは多層膜である。
【００４６】これらの材料はスパッタやＣＶＤにより堆
積される。なお、このとき半透明位相シフト膜５に要求
される条件としては、露光光の透過率が５〜２０％であ
り、透過する露光光の位相を１８０度変換させることが
必要である。
積される。なお、このとき半透明位相シフト膜５に要求
される条件としては、露光光の透過率が５〜２０％であ
り、透過する露光光の位相を１８０度変換させることが
必要である。
【００４７】位相シフト膜６の材料には酸化珪素，窒化
珪素，酸化室化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒
化物，クロムのフッ化物，モリブデンシリサイド，モリ
ブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸
化窒化物，モリブデンシリサイドのフッ化物などを用い
る。これらの材料はスパッタやＣＶＤにより堆積可能で
ある。酸化珪素の場合は塗布ガラスを用いることもでき
る。位相シフト膜６に要求される条件としては露光光の
透過率が１０％以上あり、透過する露光光の位相を１８
０度変換させることが必要である。
珪素，酸化室化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒
化物，クロムのフッ化物，モリブデンシリサイド，モリ
ブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸
化窒化物，モリブデンシリサイドのフッ化物などを用い
る。これらの材料はスパッタやＣＶＤにより堆積可能で
ある。酸化珪素の場合は塗布ガラスを用いることもでき
る。位相シフト膜６に要求される条件としては露光光の
透過率が１０％以上あり、透過する露光光の位相を１８
０度変換させることが必要である。
【００４８】図１０（ｂ）に示すようにレジスト１１の
塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置を
用いて露光を行い、その後現像を行うことにより半透明
部３の残ったレジストパターンを得る。
塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置を
用いて露光を行い、その後現像を行うことにより半透明
部３の残ったレジストパターンを得る。
【００４９】次に図１０（ｃ）に示すように、レジスト
１１をマスクとしてエッチングを行う。エッチングが半
透明位相シフト膜５の上層で停止するために位相シフト
膜６と半透明位相シフト膜５とはエッチング選択比の大
きな材料を選ぶ必要がある。例えば、位相シフト膜６と
して酸化珪素を選び、半透明位相シフト膜５としてフッ
化クロムを選ぶと四フッ化炭素ガスを用いて大きな選択
比でドライエッチングすることができる。
１１をマスクとしてエッチングを行う。エッチングが半
透明位相シフト膜５の上層で停止するために位相シフト
膜６と半透明位相シフト膜５とはエッチング選択比の大
きな材料を選ぶ必要がある。例えば、位相シフト膜６と
して酸化珪素を選び、半透明位相シフト膜５としてフッ
化クロムを選ぶと四フッ化炭素ガスを用いて大きな選択
比でドライエッチングすることができる。
【００５０】図１０（ｄ）に示すようにレジスト１１の
再塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置
を用いて露光を行い、その後現像を行うことにより開口
部１の開いたレジストパターンを得る。次に図１０
（ｅ）に示すようにレジスト１１をマスクとしてエッチ
ングを行う。位相シフト膜６として酸化珪素を選び、半
透明位相シフト膜としてフッ化クロムを選ぶと四塩化炭
素ガスを用いて位相シフト膜６やガラス基板４を損傷す
ることなくドライエッチングができる。
再塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置
を用いて露光を行い、その後現像を行うことにより開口
部１の開いたレジストパターンを得る。次に図１０
（ｅ）に示すようにレジスト１１をマスクとしてエッチ
ングを行う。位相シフト膜６として酸化珪素を選び、半
透明位相シフト膜としてフッ化クロムを選ぶと四塩化炭
素ガスを用いて位相シフト膜６やガラス基板４を損傷す
ることなくドライエッチングができる。
【００５１】（実施形態６）図１１に本発明の実施形態
６に係るフォトマスクの製造方法を示す。図１１（ａ）
に示すようにガラス基板４の上に半透明膜７を堆積し、
さらにその上に位相シフト膜６を堆積する。半透明膜７
は、クロム，クロムの酸化物，クロムの酸化窒化物，モ
リブデンシリサイド，モリブデンシリサイドの酸化物，
モリブデンシリサイドの酸化窒化物などから構成される
単層あるいは多層膜である。これらの材料はスパッタや
ＣＶＤにより堆積される。半透明膜７に要求される条件
としては、露光光の透過率が５〜２０％であり、透過す
る露光光の位相の変化は１０度以内である必要がある。
６に係るフォトマスクの製造方法を示す。図１１（ａ）
に示すようにガラス基板４の上に半透明膜７を堆積し、
さらにその上に位相シフト膜６を堆積する。半透明膜７
は、クロム，クロムの酸化物，クロムの酸化窒化物，モ
リブデンシリサイド，モリブデンシリサイドの酸化物，
モリブデンシリサイドの酸化窒化物などから構成される
単層あるいは多層膜である。これらの材料はスパッタや
ＣＶＤにより堆積される。半透明膜７に要求される条件
としては、露光光の透過率が５〜２０％であり、透過す
る露光光の位相の変化は１０度以内である必要がある。
【００５２】位相シフト膜６の材料には酸化珪素，窒化
珪素，酸化室化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒
化物，クロムのフッ化物，モリブデンシリサイド，モリ
ブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸
化窒化物，モリブデンシリサイドのフッ化物などを用い
る。これらの材料はスパッタやＣＶＤにより堆積可能で
ある。酸化珪素の場合は塗布ガラスを用いることもでき
る。位相シフト膜６に要求される条件としては露光光の
透過率が１０％以上あり、透過する露光光の位相を１８
０度変換させることが必要である。
珪素，酸化室化珪素，クロムの酸化物，クロムの酸化窒
化物，クロムのフッ化物，モリブデンシリサイド，モリ
ブデンシリサイドの酸化物，モリブデンシリサイドの酸
化窒化物，モリブデンシリサイドのフッ化物などを用い
る。これらの材料はスパッタやＣＶＤにより堆積可能で
ある。酸化珪素の場合は塗布ガラスを用いることもでき
る。位相シフト膜６に要求される条件としては露光光の
透過率が１０％以上あり、透過する露光光の位相を１８
０度変換させることが必要である。
【００５３】図１１（ｂ）に示すようにレジスト１１の
塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置を
用いて露光を行い、その後現像を行うことにより開口部
１および半透明部３の開いたレジストパターンを得る。
次に図１１（ｃ）に示すようにレジスト１１をマスクと
してエッチングを行う。例えば、位相シフト膜６として
酸化珪素を選び、半透明膜７としてクロムを選ぶと、四
フッ化炭素ガスを用いて大きな選択比でドライエッチン
グすることができる。
塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置を
用いて露光を行い、その後現像を行うことにより開口部
１および半透明部３の開いたレジストパターンを得る。
次に図１１（ｃ）に示すようにレジスト１１をマスクと
してエッチングを行う。例えば、位相シフト膜６として
酸化珪素を選び、半透明膜７としてクロムを選ぶと、四
フッ化炭素ガスを用いて大きな選択比でドライエッチン
グすることができる。
【００５４】図１１（ｄ）に示すようにレジスト１１の
再塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置
を用いて露光を行い、その後現像を行うことにより開口
部１の開いたレジストパターンを得る。次に図１１
（ｅ）に示すようにレジスト１１をマスクとしてエッチ
ングを行う。位相シフト膜６として酸化珪素を選び、半
透明膜７としてクロムを選ぶと四塩化炭素ガスを用いて
位相シフト膜６やガラス基板４を損傷することなくドラ
イエッチングができる。
再塗布後、電子ビーム描画装置あるいはレーザ描画装置
を用いて露光を行い、その後現像を行うことにより開口
部１の開いたレジストパターンを得る。次に図１１
（ｅ）に示すようにレジスト１１をマスクとしてエッチ
ングを行う。位相シフト膜６として酸化珪素を選び、半
透明膜７としてクロムを選ぶと四塩化炭素ガスを用いて
位相シフト膜６やガラス基板４を損傷することなくドラ
イエッチングができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、通
常のハーフトーン位相シフトマスクより焦点深度向上効
果の高いフォトマスクが容易に作成できるため、フォト
リソグラフィ工程での焦点マージンを拡大することがで
きる。
常のハーフトーン位相シフトマスクより焦点深度向上効
果の高いフォトマスクが容易に作成できるため、フォト
リソグラフィ工程での焦点マージンを拡大することがで
きる。
【００５６】また通常のハーフトーン位相シフトマスク
よりサイドロープの低いフォトマスクが容易に作成で
き、フォトリソグラフィ工程での露光量マージンを拡大
することができる。
よりサイドロープの低いフォトマスクが容易に作成で
き、フォトリソグラフィ工程での露光量マージンを拡大
することができる。
【００５７】さらに焦点マージンや露光量マージンが広
がることにより、実効的なより微細なパターンが形成可
能になり、集積度のより高い半導体集積回路が製造可能
になる。
がることにより、実効的なより微細なパターンが形成可
能になり、集積度のより高い半導体集積回路が製造可能
になる。
【図１】本発明の実施形態１に係るフォトマスクを示す
平面図である。
平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施形態１に係るフォトマス
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
【図３】各種フォトマスクを用いたときのウェハ上での
光強度分布を示す図である。
光強度分布を示す図である。
【図４】各種フォトマスクを用いたときの焦点深度特性
を示す図である。
を示す図である。
【図５】（ａ）は本発明の実施形態２に係るフォトマス
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
【図６】本発明の実施形態３に係るフォトマスクを示す
平面図である。
平面図である。
【図７】（ａ）は本発明の実施形態３に係るフォトマス
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
【図８】本発明の実施形態４に係るフォトマスクを示す
平面図である。
平面図である。
【図９】本発明の実施形態４の変形例のフォトマスクを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図１０】本発明の実施形態５に係るフォトマスクの製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態６に係るフォトマスクの製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図１２】従来のハーフトーン位相シフトマスクを示す
平面図である。
平面図である。
【図１３】（ａ）は従来のハーフトーン位相シフトマス
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
クを示す断面図、（ｂ）はフォトマスク振幅透過率分布
を示す図である。
【図１４】理想的なハーフトーン位相シフトマスクの振
幅透過率分布を示す図である。
幅透過率分布を示す図である。
【図１５】従来の補助開口部を用いたハーフトーン位相
シフトマスクを示す平面図である。
シフトマスクを示す平面図である。
【図１６】（ａ）は従来の補助開口部を用いたハーフト
ーン位相シフトマスクを示す平面図、（ｂ）はフォトマ
スク振幅透過率分布を示す図である。
ーン位相シフトマスクを示す平面図、（ｂ）はフォトマ
スク振幅透過率分布を示す図である。
【図１７】従来の補助遮光部を用いたハーフトーン位相
シフトマスクを示す平面図である。
シフトマスクを示す平面図である。
【図１８】（ａ）は従来の補助遮光部を用いたハーフト
ーン位相シフトマスクを示す平面図、（ｂ）はフォトマ
スク振幅透過率分布を示す図である。
ーン位相シフトマスクを示す平面図、（ｂ）はフォトマ
スク振幅透過率分布を示す図である。
１ 開口部 ２ 半透明位相シフト部 ３ 半透明部 ４ ガラス基板 ５ 半透明位相シフト膜 ６ 位相シフト膜 ７ 半透明膜
Claims (8)
- 【請求項１】 第１光透過部と、第２光透過部と、第３
光透過部とを有するフォトマスクであって、 第１光透過部は、フォトマスク基板の表面を露出させて
形成されたものであり、 第２光透過部は、前記第１光透過部を取り囲み、透過す
る露光光の位相を第１光透過部に対し反転しつつ振幅を
減衰させるものであり、 第３光透過部は、前記第２光透過部を取り囲み、透過す
る露光光の位相を第１光透過部と等しくしつつ振幅を減
衰させるものであることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記第３光透過部は、投影露光装置の光
源の波長をλ，投影レンズの開口数をＮＡとして、前記
第１光透過部の中心から測って０．８８λ／ＮＡから
１．８λ／ＮＡの間に配置されていることを特徴とする
請求項１に記載のフォトマスク。 - 【請求項３】 前記第３光透過部は、投影露光装置の光
源の波長をλ，投影レンズの開口数をＮＡとして、前記
第１光透過部の中心から測って０．８８λ／ＮＡより外
側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の
フォトマスク。 - 【請求項４】 反転膜と、再反転膜とを有するフォトマ
スクであって、 反転膜は、フォトマスク基板上に表面の露出する開口部
を有する第１の露光光に対し半透明かつ位相を反転させ
る膜であり、 再反転膜は、反転膜上に設けられ、前記開口部を取り囲
む第２の露光光に対し透明あるいは半透明かつ位相を再
反転させる膜であることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項５】 反転膜と、再反転膜とを有するフォトマ
スクブランクスであって、 反転膜は、フォトマスク基板上に露光光に対し半透明か
つ位相を反転させる膜であり、 再反転膜は、反転膜上に設けられ、第２の露光光に対し
透明あるいは半透明かつ位相を再反転させる膜であるこ
とを特徴とするフォトマスクブランクス。 - 【請求項６】 半透明膜と、反転膜とを有するフォトマ
スクであって、 半透明膜は、フォトマスク基板上に表面の露出する開口
部を有する第１の露光光に対し半透明な膜であり、 反転膜は、半透明膜の開口部を取り囲み第２の露光光に
対し透明あるいは半透明かつ位相を反転させる膜である
ことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項７】 膜形成工程と、第１のパターン工程と、
第２のパターン工程とを有するフォトマスクの製造方法
であって、 膜形成工程は、フォトマスク基板上に、第１の露光光に
対し半透明かつ位相を反転させる反転膜と、前記反転膜
上に第２の露光光に対し透明あるいは半透明かつ位相を
再反転させる再反転膜を形成する処理であり、 第１のパターン工程は、前記再反転膜の所望の部分を除
去し所望のパタンとする処理であり、 第２のパターン工程は、前記反転膜の所望の部分を除去
し所望のパタンとする処理であることを特徴とするフォ
トマスクの製造方法。 - 【請求項８】 膜形成工程と、第１のパターン工程と、
第２のパターン工程とを有するフォトマスクの製造方法
であって、 膜形成工程は、フォトマスク基板上に、第１の露光光に
対し半透明な膜と、前記第１の露光光に対し半透明な膜
の上に第２の露光光に対し透明あるいは半透明かつ位相
を反転させる膜を形成する処理であり、 第１のパターン工程は、反転膜の所望の部分を除去し所
望のパタンとする処理であり、 第２のパターン工程は、前記半透明膜の所望の部分を除
去し所望のパタンとする処理であることを特徴とするフ
ォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367196A JP2924804B2 (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | フォトマスク及びその製造方法、フォトマスクブランクス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367196A JP2924804B2 (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | フォトマスク及びその製造方法、フォトマスクブランクス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048806A true JPH1048806A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2924804B2 JP2924804B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=16477931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20367196A Expired - Fee Related JP2924804B2 (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | フォトマスク及びその製造方法、フォトマスクブランクス |
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