JPH1050184A - Chip fuse element - Google Patents
Chip fuse elementInfo
- Publication number
- JPH1050184A JPH1050184A JP20081296A JP20081296A JPH1050184A JP H1050184 A JPH1050184 A JP H1050184A JP 20081296 A JP20081296 A JP 20081296A JP 20081296 A JP20081296 A JP 20081296A JP H1050184 A JPH1050184 A JP H1050184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fusing
- conductor
- fuse element
- conductor film
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異常電流に対しては安定的に溶断動作すると
ともに、同時に、突入電流に対して感度を低下させて、
突入電流で溶断することがないチップヒューズ素子を提
供するものである。
【解決手段】端子電極2、2間に、異常電流の入力によ
って発熱する発熱導体膜3と、該発熱導体膜3の融点よ
りも低い融点の金属材料から成り、該発熱導体膜3の発
熱によって溶断する溶断導体4とが接続配置されている
とともに、該溶断導体4が発熱導体膜3上に架設されて
いるチップヒューズ素子である。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To stably operate a fusing operation for an abnormal current and at the same time reduce sensitivity to an inrush current.
An object of the present invention is to provide a chip fuse element that is not blown by an inrush current. A heating conductor film (3) that generates heat due to an abnormal current input between a terminal electrode (2) and a metal material having a melting point lower than the melting point of the heating conductor film (3). This is a chip fuse element in which a fusing conductor 4 to be blown is connected and arranged, and the fusing conductor 4 is bridged on the heating conductor film 3.
Description
【0001】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、所定回路の異常電
流に対して回路を保護するためのチップヒューズ素子に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip fuse element for protecting a circuit against abnormal current of a predetermined circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】チップヒューズ素子は、絶縁基板の主面
にグレーズ層を形成し、同時に、絶縁基板の対向する両
端部に端子電極を形成し、端子電極間の前記グレーズ層
上に、アルミニウムなどの金属材料からなる溶断導体膜
を被着し、さらに、溶断導体膜上に保護ガラス膜を形成
していた。2. Description of the Related Art In a chip fuse element, a glaze layer is formed on a main surface of an insulating substrate, and terminal electrodes are formed at opposite ends of the insulating substrate at the same time. And a protective glass film is formed on the fusing conductor film.
【0003】チップヒューズ素子は、端子電極間に印加
される異常電流によって、溶断導体膜が発熱する。この
時、グレーズ層は、発熱された熱が過度に絶縁基板側に
逃げないように、熱伝導率が適宜設定されていた。そし
て、この発熱によって、溶断導体膜自体が断線し、ヒュ
ーズとしての作用をする。さらに、溶断部分に発熱によ
って軟化した保護ガラス膜が充填され、溶断後の高い絶
縁性を維持していた。In a chip fuse element, an abnormal current applied between terminal electrodes causes a fusing conductor film to generate heat. At this time, the thermal conductivity of the glaze layer was appropriately set so that the generated heat did not excessively escape to the insulating substrate side. Then, due to this heat generation, the fusing conductor film itself is disconnected, and acts as a fuse. Further, the fusing portion was filled with a protective glass film softened by heat generation to maintain high insulation after fusing.
【0004】このため、溶断導体膜の発熱量を材料及び
導体パターンから適宜制御するとともに、グレーズ層、
保護ガラス膜の特性を適宜制御する必要があった。For this reason, the calorific value of the fusing conductor film is appropriately controlled from the material and the conductor pattern, and the glaze layer,
It was necessary to appropriately control the properties of the protective glass film.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のチップ
ヒューズ素子においては、端子電極間の導体が、発熱作
用を行い、且つ溶断作用を行うものであり、例えば、異
常電流に対して正常に溶断動作し、且つ所定回路のスイ
ッチングのON時に発生する突入電流には溶断動作する
ことがない安定したヒューズ素子を、溶断導体膜の金属
材料、導体厚み、導体パターンの制御のみで形成するこ
とは非常に困難であった。However, in the conventional chip fuse element, the conductor between the terminal electrodes performs a heating action and a fusing action. It is very difficult to form a stable fuse element that operates and does not blow under the inrush current generated when the switching of the predetermined circuit is turned ON only by controlling the metal material, the conductor thickness, and the conductor pattern of the blown conductor film. Was difficult.
【0006】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、異常電流に対しては安定的に溶
断動作するともに、同時に、突入電流に対して感度を低
下させて、突入電流で溶断するすることがないチップヒ
ューズ素子を提供するものである。The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has as its object to stably operate a fusing operation for an abnormal current and at the same time reduce the sensitivity to an inrush current. Another object of the present invention is to provide a chip fuse element that is not blown by an inrush current.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、2つの
端子電極間に、異常電流の入力によって発熱する発熱導
体膜と、該発熱導体膜の融点よりも低い融点の金属材料
で形成され、前記発熱導体膜の発熱によって溶断する溶
断導体とを直列接続させるとともに、前記溶断導体を前
記発熱導体膜上に架設させたチップヒューズ素子であ
る。According to the present invention, a heat-generating conductor film that generates heat by the input of an abnormal current and a metal material having a melting point lower than the melting point of the heat-generating conductor film are provided between two terminal electrodes. A chip fuse element in which a fusing conductor that is blown by the heat of the heat generating conductor film is connected in series, and the fusing conductor is laid on the heat generating conductor film.
【0008】[0008]
【作用】本発明のチップヒューズ素子では、発熱作用が
発生する導体膜(発熱導体膜)と、溶断作用が発生する
導体(溶断導体)とを夫々別々に設けることによって、
異常電流、突入電流に対する発熱特性を簡単に制御で
き、また、この発熱によって溶断する溶断導体の溶断特
性も簡単に制御することができるため、例えば、突入電
流に対しては溶断せず、異常電流に対しては溶断するチ
ップヒューズ素子を構成することが簡単にできる。In the chip fuse element of the present invention, a conductor film generating heat (heat generating conductor film) and a conductor generating fusing (fused conductor) are separately provided.
The heat generation characteristics with respect to the abnormal current and the inrush current can be easily controlled, and the fusing characteristics of the fusing conductor that is melted by the heat can be easily controlled. , It is possible to easily configure a chip fuse element that blows.
【0009】一般的に、突入電流は急峻な電流特性であ
り、その電流の流れる時間は瞬時である。例えば、50
μsec程度である。これに比較して、異常電流は、電
流が流れる時間は長い電流となる。Generally, an inrush current has a steep current characteristic, and the time during which the current flows is instantaneous. For example, 50
It is about μsec. In comparison, the abnormal current is a current that flows for a longer time.
【0010】従って、許容できる突入電流(非常に短い
時間の電流)の時間を考慮して、発熱導体膜の抵抗値
(発熱)を、溶断導体を溶断しないように設定すれば、
突入電流に対しては発熱導体で発熱は発生するものの、
溶断導体を溶断する発熱にまで達成させないようにする
ことができる。Therefore, if the resistance value (heat generation) of the heating conductor film is set so as not to blow the fusing conductor in consideration of the allowable rush current (current of a very short time),
Although heat is generated by the heating conductor against inrush current,
It is possible to prevent the heat generated by fusing the fusing conductor from being achieved.
【0011】逆に、異常電流(比較的長い時間の電流)
では、発熱導体膜で発熱は発生し、溶断導体を溶断させ
るせることができる。Conversely, abnormal current (current for a relatively long time)
Then, heat is generated in the heating conductor film, and the fusing conductor can be blown.
【0012】この時、発熱導体膜の融点を、溶断導体の
融点以上にしておけば、上述の制御が非常に簡単とな
り、突入電流に対する感度を低下させて、異常電流のみ
に動作する安定したチップヒューズ素子が達成できる。At this time, if the melting point of the heat-generating conductor film is set to be higher than the melting point of the fusing conductor, the above-described control becomes very simple, the sensitivity to the inrush current is reduced, and a stable chip that operates only with the abnormal current is used. A fuse element can be achieved.
【0013】[0013]
【発明の実施の態様】以下、本発明のチップヒューズ素
子を図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a chip fuse element of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0014】図1は、本発明の保護カバーを省略した状
態の斜視図であり、図2は、断面構造図である。FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a protective cover of the present invention is omitted, and FIG. 2 is a sectional structural view.
【0015】図において、1は絶縁基板、2は端子電
極、3は発熱導体膜、4は溶断導体、5は保護カバーで
ある。In the figure, 1 is an insulating substrate, 2 is a terminal electrode, 3 is a heating conductor film, 4 is a fusing conductor, and 5 is a protective cover.
【0016】絶縁基板1は、アルミナなどのセラミック
基板であり、必要に応じて発熱導体膜3が形成される部
分には、熱伝導率の低いガラスグレーズ層11が形成さ
れている。また、絶縁基板1の対向する両端部には、端
子電極2が形成されている。The insulating substrate 1 is a ceramic substrate such as alumina. A glass glaze layer 11 having a low thermal conductivity is formed on a portion where the heat generating conductor film 3 is formed as required. Further, terminal electrodes 2 are formed at opposite ends of the insulating substrate 1.
【0017】端子電極2は、絶縁基板1にAg系導体か
らなる下地金属導体膜21が焼きつけ処理されて形成さ
れ、その下地導体膜21上にNiメッキ、半田メッキな
どの表面メッキ層22が被着されている。そして、一方
の端子電極2には、発熱導体膜3の一端部が接続され、
他方の端子電極2には、溶断導体4の一端部が接続され
ている。The terminal electrode 2 is formed by baking a base metal conductor film 21 made of an Ag-based conductor on the insulating substrate 1, and is coated with a surface plating layer 22 such as Ni plating or solder plating on the base conductor film 21. Is being worn. One end of the heating conductor film 3 is connected to one terminal electrode 2,
One end of the fusing conductor 4 is connected to the other terminal electrode 2.
【0018】発熱導体膜3は、溶断導体4の融点よりも
高い融点をもつ材料で構成されるとともに、突入電流の
電流特性(電流値・入力時間)による発熱量を考慮し
て、その金属材料、導体膜のパターンが決定されてい
る。例えば、Ag材料で、フォトリソグラフィー技術
(Ag薄膜の被着、フォトレジスト膜の塗布、選択的な
露光、フォトレジスト膜の選択的な現像、Ag薄膜の選
択的なエッチング、フォトレジスト膜の剥離)によっ
て、所定形状にパターンに形成される。The heat-generating conductor film 3 is made of a material having a melting point higher than the melting point of the fusing conductor 4 and, in consideration of the amount of heat generated by the current characteristics of the rush current (current value / input time), its metal material is used. The pattern of the conductor film is determined. For example, using an Ag material, photolithography technology (deposition of an Ag thin film, application of a photoresist film, selective exposure, selective development of a photoresist film, selective etching of an Ag thin film, peeling of a photoresist film) Thereby, a pattern is formed in a predetermined shape.
【0019】上述したように、発熱導体膜3の一端は一
方の端子電極2に接続され、発熱導体膜3の他端は、溶
断導体4の他端と接続されている。As described above, one end of the heating conductor film 3 is connected to one terminal electrode 2, and the other end of the heating conductor film 3 is connected to the other end of the fusing conductor 4.
【0020】溶断導体4は、少なくとも発熱導体膜3の
融点(Agの場合約960°)よりも融点が低い金属材
料によって、例えばアルミニウム(融点、例えば600
℃)によって構成されてる。しかも、発熱導体膜3の熱
が直接影響しえ、溶断後に完全な絶縁特性が得られるよ
うに、ワイヤボンディングなどで多用されているアルミ
ニウム細線を用いることが好ましい。The fusing conductor 4 is made of a metal material having a melting point lower than at least the melting point (about 960 ° in the case of Ag) of the heat generating conductor film 3, for example, aluminum (melting point, eg, 600
° C). In addition, it is preferable to use an aluminum thin wire that is frequently used in wire bonding or the like so that the heat of the heat generating conductor film 3 can directly influence and complete insulation characteristics can be obtained after fusing.
【0021】そして、溶断導体4の一端は、他方の端子
電極2に接続され、その他端は、上述の発熱導体膜3の
他端に接続されている。One end of the fusing conductor 4 is connected to the other terminal electrode 2, and the other end is connected to the other end of the heating conductor film 3.
【0022】これにより、端子電極2、2間には、発熱
導体膜3と溶断導体4とが直列に接続した導体部分が存
在することになる。しかも、溶断導体4は、ワイヤ形状
であり、発熱導体膜3の上部を架設するように配置され
ていることになる。As a result, between the terminal electrodes 2 and 2, there is a conductor portion in which the heating conductor film 3 and the fusing conductor 4 are connected in series. In addition, the fusing conductor 4 has a wire shape and is arranged so as to bridge the upper portion of the heating conductor film 3.
【0023】このような発熱導体膜3、溶断導体4は、
保護カバー5によって被覆されている。この保護カバー
5は、溶断導体4の周囲に空間を維持する一面が開口し
た筺体形状であり、保護カバーの材料、構造などは適宜
設定すればよい。The heating conductor film 3 and the fusing conductor 4 are
It is covered by a protective cover 5. The protective cover 5 has a housing shape with one side open to maintain a space around the fusing conductor 4, and the material and structure of the protective cover may be appropriately set.
【0024】本発明においては、回路の異常電流には、
ヒューズ素子として安定して動作し、回路のスイッチO
N時に発生する突入電流には、動作しないように設定す
る必要がある。尚、突入電流の特性は、異常電流に比較
して非常に短い時間に急峻的に発生する電流である。例
えば、チップヒューズ素子の定格電流決定時間が通常1
秒であるのに対して、突入電流は、50μsec程度で
ある。In the present invention, the abnormal current of the circuit includes:
It operates stably as a fuse element, and the circuit switch O
The inrush current generated at the time of N needs to be set so as not to operate. Note that the characteristic of the inrush current is a current that sharply occurs in a very short time as compared with the abnormal current. For example, the time for determining the rated current of the chip fuse element is usually 1
In seconds, the inrush current is about 50 μsec.
【0025】この両電流の特性の差を考慮して、発熱導
体膜3の発熱が、突入電流の印加時には少なくとも溶断
導体4の融点に達しないように設定すればよい。具体的
には、ガラスグレーズ層11の熱伝導率(蓄熱特性)と
発熱導体膜3の抵抗値、パターンとの関係を適宜制御し
て、発熱導体膜3でのジュール熱を所定値に設定すれば
よい。Considering the difference between the characteristics of the two currents, the heat generation of the heat-generating conductor film 3 may be set so as not to reach at least the melting point of the fusing conductor 4 when an inrush current is applied. More specifically, the relationship between the thermal conductivity (heat storage characteristics) of the glass glaze layer 11 and the resistance value and pattern of the heating conductor film 3 is appropriately controlled to set the Joule heat in the heating conductor film 3 to a predetermined value. I just need.
【0026】具体的には、ガラスグレーズ層11に、熱
伝導率0.836W/m・Kのホウ珪酸系のガラスグレ
ーズ層11を20μmの厚みで形成するとともに、発熱
導体膜3をAgで、厚み1.0μmで形成し、その導体
の幅を0.3mm、長さ2.5mmに設定するととも
に、溶断導体4をアルミニウム細線で、その長さ1.5
mm、細線径30μm、発熱導体膜4上に0.5mmの
最大空間となるように設定すればよい。Specifically, a borosilicate glass glaze layer 11 having a thermal conductivity of 0.836 W / m · K and a thickness of 20 μm is formed on the glass glaze layer 11, and the heating conductor film 3 is made of Ag. The conductor was set to have a thickness of 1.0 μm, the width of the conductor was set to 0.3 mm and the length of 2.5 mm.
mm, a fine wire diameter of 30 μm, and a maximum space of 0.5 mm on the heating conductor film 4.
【0027】これは、一つの組み合わせであるが、チッ
プヒューズ素子の許容できる(溶断することのない)突
入電流の設定、異常電流の定格電流、定格溶断決定時間
によって、ガラスグレーズ層11の蓄熱特性、発熱導体
膜3の発熱特性、溶断導体4の溶断特性を夫々適宜設計
すればよい。Although this is one combination, the heat storage characteristics of the glass glaze layer 11 depend on the allowable rush current setting (without fusing) of the chip fuse element, the rated current of the abnormal current, and the rated fusing determination time. The heat-generating characteristics of the heat-generating conductor film 3 and the fusing characteristics of the fusing conductor 4 may be appropriately designed.
【0028】このようにして、異常電流のみによって溶
断された溶断導体4は、ワイヤ状であるため、一度溶断
した後は、非常に高い絶縁性を維持することができる。In this way, the blown conductor 4 blown only by the abnormal current is in the form of a wire, so that once blown, it is possible to maintain very high insulation properties.
【0029】従来のチップヒューズ素子においては、ヒ
ューズエレメトが発熱動作を行うとともに、同時にこの
熱が融点を越えた時に溶断する、即ち、1つの導体で、
発熱及び溶断の両作用を行っていたため、突入電流には
感度が鈍く、異常電流に対しては安定して溶断特性が得
られるように、ヒューズエレメトを設定することが非常
に困難であったのに対して、本発明では、上述したよう
に、発熱作用と溶断作用の導体膜(導体)を夫々別個を
設けたたため、突入電流や異常電流に対する発熱特性、
溶断特性の制御が非常に簡単となり、その結果、非常に
安定した特性を示すチップヒューズ素子を得ることがで
きる。In the conventional chip fuse element, the fuse element performs a heating operation and, at the same time, blows when the heat exceeds the melting point, that is, with one conductor,
Since both heat generation and fusing were performed, the sensitivity to inrush current was low, and it was very difficult to set the fuse element so that fusing characteristics could be stably obtained for abnormal current. On the other hand, in the present invention, as described above, since the conductor films (conductors) for the heat generation action and the fusing action are separately provided, the heat generation characteristic with respect to an inrush current or an abnormal current,
The control of the fusing characteristics becomes very simple, and as a result, a chip fuse element exhibiting extremely stable characteristics can be obtained.
【0030】図3、図4に従来のチップヒューズ素子と
本発明のチップヒューズ素子との特性の改善の傾向を示
す。FIGS. 3 and 4 show the tendency of the characteristics of the conventional chip fuse element and the chip fuse element of the present invention to be improved.
【0031】図3、図4から明らかなように、通電電流
が大きい時には、溶断時間が従来よりも時間を要するこ
とを示し(図3)、比較的溶断時間が短い領域では、ジ
ュールインテグラル(電流の二乗と電流の入力時間の
積)を大きくなることを示し(図4)ている。これは、
比較的溶断時間が短い領域で、感度を鈍くなることを示
し、突入電流に対して許容できることを示している。As is clear from FIGS. 3 and 4, when the energizing current is large, the fusing time is longer than in the conventional case (FIG. 3). In the region where the fusing time is relatively short, the Joule integral ( (The product of the square of the current and the input time of the current) (FIG. 4). this is,
It shows that the sensitivity becomes dull in a region where the fusing time is relatively short, which indicates that the inrush current can be tolerated.
【0032】尚、溶断導体4をワイヤボンディング細線
技術を用いて形成するため、このワイヤボンディング接
合性を向上させるため、発熱導体膜3の他端部分に、溶
断導体接続パッド31を形成し、溶断導体4の安定的な
接続を達成するようにすることが重要である。Since the fusing conductor 4 is formed by using the wire bonding fine wire technique, a fusing conductor connection pad 31 is formed on the other end of the heating conductor film 3 to improve the wire bonding bonding property. It is important to achieve a stable connection of the conductor 4.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上のように、本発明のチップヒューズ
素子においては、ヒューズ動作、即ち、発熱動作、発熱
による溶断動作を夫々別々の導体膜または導体で構成し
たため、突入電流に対して感度が低く、異常電流に対し
てヒューズとして安定に動作することができるチップヒ
ューズ素子を簡単に構成することができる。As described above, in the chip fuse element of the present invention, the fuse operation, that is, the heating operation and the fusing operation due to the heating are configured by separate conductor films or conductors, respectively, so that the sensitivity to the inrush current is reduced. A chip fuse element that is low and can operate stably as a fuse against an abnormal current can be easily configured.
【図1】本発明のチップヒューズ素子の保護カバーを省
略した状態の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a chip fuse element of the present invention in a state where a protective cover is omitted.
【図2】本発明のチップヒューズ素子の断面構造図であ
る。FIG. 2 is a sectional structural view of a chip fuse element of the present invention.
【図3】本発明のチップヒューズ素子と従来のチップヒ
ューズ素子の通電電流と溶断時間との関係を示す特性図
である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a flowing current and a fusing time of a chip fuse element of the present invention and a conventional chip fuse element.
【図4】本発明のチップヒューズ素子と従来のチップヒ
ューズ素子の溶断時間とジュールインテグラルとの関係
を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between a blow time and a Joule integral of a chip fuse element of the present invention and a conventional chip fuse element.
【符号の説明】 1・・・・・・・絶縁基板 11・・・・・・グレーズ層 2・・・・・・・端子電極 3・・・・・・・発熱導体膜 31・・・・・・接続用パッド 4・・・・・・・溶断導体 5・・・・・・・保護カバー[Description of Signs] 1 ... Insulating substrate 11 ... Glaze layer 2 ... Terminal electrode 3 ... Heating conductor film 31 ... ..Connection pads 4... Fusing conductors 5... Protective cover
Claims (1)
って発熱する発熱導体膜と、該発熱導体膜の融点よりも
低い融点の金属材料で形成され、前記発熱導体膜の発熱
によって溶断する溶断導体とを直列接続させるととも
に、前記溶断導体を前記発熱導体膜上に架設させたこと
を特徴とするチップヒューズ素子。1. A heating conductor film which generates heat by the input of an abnormal current between two terminal electrodes and a metal material having a melting point lower than the melting point of the heating conductor film, and is cut off by the heat generation of the heating conductor film. A chip fuse element comprising: a fusing conductor connected in series; and the fusing conductor being laid on the heating conductor film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20081296A JPH1050184A (en) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Chip fuse element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20081296A JPH1050184A (en) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Chip fuse element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050184A true JPH1050184A (en) | 1998-02-20 |
Family
ID=16430614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20081296A Pending JPH1050184A (en) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Chip fuse element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050184A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011126091A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | Protection element, battery control device, and battery pack |
| WO2012118153A1 (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Protective element |
| CN104584176A (en) * | 2012-08-31 | 2015-04-29 | 泰科电子日本合同会社 | protection element |
| JP2017053236A (en) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 株式会社デンソー | Injection control device |
| KR20170072946A (en) * | 2014-12-18 | 2017-06-27 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | Switch element |
| JP2021077817A (en) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| WO2022209696A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Fuse element |
| US12362123B2 (en) | 2021-03-30 | 2025-07-15 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Fuse element |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20081296A patent/JPH1050184A/en active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222264A (en) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Sony Chemical & Information Device Corp | Protection element, battery controller, and battery pack |
| US9184609B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-11-10 | Dexerials Corporation | Overcurrent and overvoltage protecting fuse for battery pack with electrodes on either side of an insulated substrate connected by through-holes |
| WO2011126091A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | Protection element, battery control device, and battery pack |
| WO2012118153A1 (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Protective element |
| JPWO2012118153A1 (en) * | 2011-03-03 | 2014-07-07 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Protective element |
| CN104584176A (en) * | 2012-08-31 | 2015-04-29 | 泰科电子日本合同会社 | protection element |
| KR20170072946A (en) * | 2014-12-18 | 2017-06-27 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | Switch element |
| JP2017053236A (en) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 株式会社デンソー | Injection control device |
| DE102016216394B4 (en) * | 2015-09-07 | 2021-06-02 | Denso Corporation | INJECTION CONTROL DEVICE |
| JP2021077817A (en) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| WO2022209696A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Fuse element |
| US12354822B2 (en) | 2021-03-30 | 2025-07-08 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Fuse element |
| US12362123B2 (en) | 2021-03-30 | 2025-07-15 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Fuse element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6344633B1 (en) | Stacked protective device lacking an insulating layer between the heating element and the low-melting element | |
| JPH0750128A (en) | Microminiature fuse | |
| JP2001509945A (en) | Electric fuse | |
| JPH0547293A (en) | Fuse with thin-film fuse-element supported on substrate | |
| JPH1050184A (en) | Chip fuse element | |
| JP3768621B2 (en) | How to use the protective element | |
| US5652562A (en) | Thermally fused resistor having a portion of a solder loop thermally connected to an electrically insulated portion of an outer surface of the resistor | |
| JPH10116549A (en) | Protective element and its application method | |
| US20050062577A1 (en) | Method for producing a protective component using an adjusted time response of the thermal transmission from a heating element to a fusible element | |
| JPH10162715A (en) | Chip fuse | |
| JPH087731A (en) | Resistance/temperature fuse for board | |
| US4171519A (en) | Circuit breaker with parallel shorting element | |
| JPH10162714A (en) | Chip fuse element | |
| JP3889855B2 (en) | Substrate type temperature fuse | |
| US20060138588A1 (en) | Self-configuring component by means of arcing | |
| JP2608031B2 (en) | Chip type fuse resistor | |
| JPH02305409A (en) | Overload fusing type resistor | |
| JP3770408B2 (en) | Substrate type resistance / temperature fuse and protection method for equipment | |
| JP2799996B2 (en) | Temperature sensor | |
| JP2688921B2 (en) | fuse | |
| JPH0436021Y2 (en) | ||
| JP3434897B2 (en) | Substrate type resistance / temperature fuse | |
| JP3696635B2 (en) | How the temperature protector works | |
| JPH11339615A (en) | Substrate type resistor thermal fuse | |
| JP4234818B2 (en) | Resistance thermal fuse and manufacturing method thereof |