JPH1050682A - 半導体装置の製造方法及び製造装置及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH1050682A JPH1050682A JP20399896A JP20399896A JPH1050682A JP H1050682 A JPH1050682 A JP H1050682A JP 20399896 A JP20399896 A JP 20399896A JP 20399896 A JP20399896 A JP 20399896A JP H1050682 A JPH1050682 A JP H1050682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphoric acid
- hydrogen fluoride
- semiconductor device
- hot phosphoric
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 abstract description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】半導体装置のＳｉ窒化膜を熱燐酸でエッチ
ング除去する工程において、熱燐酸に弗化水素を添加す
る。Ｓｉ基板１０１を熱燐酸中に浸すと、Ｓｉ成分の溶
解が進行する。Ｓｉ成分の溶解した熱燐酸は、燐酸槽２
０１よりポンプ２０２にて吸引され、フィルター２０３
でフィルタリングされた後、石英製加熱ヒーター２０４
で所定の液温となるよう加熱され、沸騰状態のまま再び
燐酸槽２０１に戻り循環している。弗化水素は石英製加
熱ヒーター２０４出口で、弗化水素供給装置２０５を用
いて弗化水素酸又は弗化水素ガスとして添加される。添
加された弗化水素は循環中に熱燐酸中に溶解しているＳ
ｉ成分と反応してヘキサフルオロケイ酸となり、燐酸槽
液面より沸騰時の水蒸気と共に除去される。 【効果】Ｓｉ成分が析出しにくくなるか又は析出しなく
なる。よって熱燐酸の液寿命が延長されたことにより液
使用量が削減され、コストダウンが可能となる。
ング除去する工程において、熱燐酸に弗化水素を添加す
る。Ｓｉ基板１０１を熱燐酸中に浸すと、Ｓｉ成分の溶
解が進行する。Ｓｉ成分の溶解した熱燐酸は、燐酸槽２
０１よりポンプ２０２にて吸引され、フィルター２０３
でフィルタリングされた後、石英製加熱ヒーター２０４
で所定の液温となるよう加熱され、沸騰状態のまま再び
燐酸槽２０１に戻り循環している。弗化水素は石英製加
熱ヒーター２０４出口で、弗化水素供給装置２０５を用
いて弗化水素酸又は弗化水素ガスとして添加される。添
加された弗化水素は循環中に熱燐酸中に溶解しているＳ
ｉ成分と反応してヘキサフルオロケイ酸となり、燐酸槽
液面より沸騰時の水蒸気と共に除去される。 【効果】Ｓｉ成分が析出しにくくなるか又は析出しなく
なる。よって熱燐酸の液寿命が延長されたことにより液
使用量が削減され、コストダウンが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造プロ
セスにおけるＳｉ窒化膜（以下窒化膜）の除去方法及び
製造装置及び半導体装置に関する。
セスにおけるＳｉ窒化膜（以下窒化膜）の除去方法及び
製造装置及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の窒化膜除去は、加熱して循環され
ている燐酸（以下熱燐酸）中に窒化膜とＳｉ酸化膜がパ
ターニングされているＳｉ基板を浸漬させて窒化膜のみ
を溶解除去するものである。
ている燐酸（以下熱燐酸）中に窒化膜とＳｉ酸化膜がパ
ターニングされているＳｉ基板を浸漬させて窒化膜のみ
を溶解除去するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では次のような問題を有していた。
技術では次のような問題を有していた。
【０００４】まず熱燐酸による窒化膜のエッチングメカ
ニズムであるが、以下の反応式に従っていると考えられ
ている。
ニズムであるが、以下の反応式に従っていると考えられ
ている。
【０００５】 ここでエッチングされたＳｉ3Ｎ4中のＳｉはポリシロキ
サン（（−Ｓｉ−Ｏ−）n）として熱燐酸中に溶解す
る。一方熱燐酸は循環ポンプで循環されフィルタリング
された後、加熱ヒーターで所定の温度になるよう制御さ
れている。このポリシロキサンは低濃度では熱燐酸中に
溶解したままだが、多数のＳｉ基板の窒化膜除去処理に
伴いその濃度は次第に高くなり、飽和濃度（Ｓｉ濃度に
換算して約１２０ｍｇ／ｌ）に達した以降は循環系配管
内壁やフィルターに析出して最期には配管・フィルター
を詰まらせてしまう。従って、熱燐酸中のＳｉ濃度が飽
和濃度に達する時点（いわば熱燐酸の液寿命）毎に頻繁
に液交換するか、ある程度析出させた上で定期的に循環
系内をＨＦ洗浄してＳｉ析出物除去及びフィルター交換
を行っていくこと等が必要である。そのため、頻繁な液
交換により燐酸を多量に使用せねばならずこれがコスト
アップという問題点につながり、また定期的に装置の運
転停止を行わなければならないことから、装置の連続運
転ができないという問題点を有していた。
サン（（−Ｓｉ−Ｏ−）n）として熱燐酸中に溶解す
る。一方熱燐酸は循環ポンプで循環されフィルタリング
された後、加熱ヒーターで所定の温度になるよう制御さ
れている。このポリシロキサンは低濃度では熱燐酸中に
溶解したままだが、多数のＳｉ基板の窒化膜除去処理に
伴いその濃度は次第に高くなり、飽和濃度（Ｓｉ濃度に
換算して約１２０ｍｇ／ｌ）に達した以降は循環系配管
内壁やフィルターに析出して最期には配管・フィルター
を詰まらせてしまう。従って、熱燐酸中のＳｉ濃度が飽
和濃度に達する時点（いわば熱燐酸の液寿命）毎に頻繁
に液交換するか、ある程度析出させた上で定期的に循環
系内をＨＦ洗浄してＳｉ析出物除去及びフィルター交換
を行っていくこと等が必要である。そのため、頻繁な液
交換により燐酸を多量に使用せねばならずこれがコスト
アップという問題点につながり、また定期的に装置の運
転停止を行わなければならないことから、装置の連続運
転ができないという問題点を有していた。
【０００６】しかるに本発明は係る問題点を解決するも
ので、熱燐酸の液寿命延長により使用量を削減してコス
トダウンを可能とし、また定期的なＨＦ洗浄及びフィル
ター交換を必要としないか、又はそれらの頻度を減少さ
せたことで従来以上に装置の連続運転を可能とする窒化
膜のエッチング除去方法を得て、その方法を実施する製
造装置及びその方法を用いた半導体装置を提供すること
を目的とする。
ので、熱燐酸の液寿命延長により使用量を削減してコス
トダウンを可能とし、また定期的なＨＦ洗浄及びフィル
ター交換を必要としないか、又はそれらの頻度を減少さ
せたことで従来以上に装置の連続運転を可能とする窒化
膜のエッチング除去方法を得て、その方法を実施する製
造装置及びその方法を用いた半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導体
装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエッチング除去する工程にお
いて、燐酸に弗化水素を添加することを特徴とする。
造方法は、Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導体
装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエッチング除去する工程にお
いて、燐酸に弗化水素を添加することを特徴とする。
【０００８】また弗化水素は、弗化水素酸や弗化水素ガ
スを用いることが好ましい。
スを用いることが好ましい。
【０００９】また弗化水素添加条件は、ＳｉＯ2のエッ
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。
【００１０】また弗化水素を添加する場所は、循環ライ
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。
【００１１】本発明の半導体装置の製造装置は、Ｓｉ基
板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導体装置のＳｉ窒化膜
を燐酸でエッチング除去する工程において、燐酸に弗化
水素を添加する半導体装置の製造方法を用いたことを特
徴とする。
板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導体装置のＳｉ窒化膜
を燐酸でエッチング除去する工程において、燐酸に弗化
水素を添加する半導体装置の製造方法を用いたことを特
徴とする。
【００１２】また弗化水素は、弗化水素酸や弗化水素ガ
スを用いることが好ましい。
スを用いることが好ましい。
【００１３】また弗化水素添加条件は、ＳｉＯ2のエッ
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。
【００１４】また弗化水素を添加する場所は、循環ライ
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。
【００１５】本発明の半導体装置は、Ｓｉ基板又はＳｉ
薄膜を主体構成する半導体装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエ
ッチング除去する工程において、燐酸に弗化水素を添加
する半導体装置の製造方法を用いたことを特徴とする。
薄膜を主体構成する半導体装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエ
ッチング除去する工程において、燐酸に弗化水素を添加
する半導体装置の製造方法を用いたことを特徴とする。
【００１６】また弗化水素は、弗化水素酸や弗化水素ガ
スを用いることが好ましい。
スを用いることが好ましい。
【００１７】また弗化水素添加条件は、ＳｉＯ2のエッ
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。
【００１８】また弗化水素を添加する場所は、循環ライ
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。
【００１９】
【作用】熱燐酸中に弗化水素を添加することにより、熱
燐酸中に溶解しているＳｉ成分（＝ポリシロキサン）と
弗化水素とを反応させる。これは反応式では次のように
表わせられる。ただし、Ｓｉ成分はＳｉＯ2として示
す。
燐酸中に溶解しているＳｉ成分（＝ポリシロキサン）と
弗化水素とを反応させる。これは反応式では次のように
表わせられる。ただし、Ｓｉ成分はＳｉＯ2として示
す。
【００２０】 ＳｉＯ2＋６ＨＦ → Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ これらの反応によって生成したＨ2ＳｉＦ6（ヘキサフル
オロケイ酸）は水蒸気と共に熱燐酸中から除去される。
オロケイ酸）は水蒸気と共に熱燐酸中から除去される。
【００２１】従って、窒化膜のエッチング除去に伴って
熱燐酸中に溶解してくるＳｉ成分に対し、適当な量の弗
化水素を添加すれば溶解したＳｉ成分の一部又は全部が
ヘキサフルオロケイ酸となって除去され、Ｓｉ濃度の増
加速度は未添加時に比べ減少するか又は０（ゼロ）とな
る。この時、Ｓｉ濃度が飽和濃度以下に維持されていれ
ば循環系配管内壁やフィルターに析出することはなく、
また飽和濃度に達してきても弗化水素によって除去され
ている分Ｓｉの析出は減少する。
熱燐酸中に溶解してくるＳｉ成分に対し、適当な量の弗
化水素を添加すれば溶解したＳｉ成分の一部又は全部が
ヘキサフルオロケイ酸となって除去され、Ｓｉ濃度の増
加速度は未添加時に比べ減少するか又は０（ゼロ）とな
る。この時、Ｓｉ濃度が飽和濃度以下に維持されていれ
ば循環系配管内壁やフィルターに析出することはなく、
また飽和濃度に達してきても弗化水素によって除去され
ている分Ｓｉの析出は減少する。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明の半導体装
置の製造方法の一実施例を示す図である。
置の製造方法の一実施例を示す図である。
【００２３】熱燐酸中に浸漬されるＳｉ基板１０１に
は、パターニングされた窒化膜１０２とＳｉ酸化膜１０
３が形成されている。窒化膜１０２は熱燐酸との反応に
よりＳｉ成分の溶解が進行する。なおＳｉ酸化膜１０３
も、熱燐酸によりわずかにエッチングされる。Ｓｉ成分
の溶解した熱燐酸は燐酸槽２０１よりポンプ２０２にて
吸引されフィルター２０３でフィルタリングされた後、
石英製加熱ヒーター２０４で所定の液温となるよう加熱
され沸騰状態のまま再び燐酸槽２０１に戻り循環してい
る。弗化水素は石英製加熱ヒーター２０４出口で、弗化
水素供給装置２０５を用いて弗化水素酸又は弗化水素ガ
スとして添加される。添加された弗化水素は循環中に熱
燐酸中に溶解しているＳｉ成分と反応してヘキサフルオ
ロケイ酸となり、燐酸槽液面より沸騰時の水蒸気と共に
除去される。ここで弗化水素の供給源として弗化水素酸
や弗化水素ガスを用いることが好ましいのは、定量ポン
プやマスフローコントローラー等により熱燐酸中への添
加量の制御が容易なためである。また弗化水素添加条件
がＳｉＯ2のエッチングレートで２Å／ｍｉｎ以下を満
足する条件であると好ましいのは、後述の理由による。
は、パターニングされた窒化膜１０２とＳｉ酸化膜１０
３が形成されている。窒化膜１０２は熱燐酸との反応に
よりＳｉ成分の溶解が進行する。なおＳｉ酸化膜１０３
も、熱燐酸によりわずかにエッチングされる。Ｓｉ成分
の溶解した熱燐酸は燐酸槽２０１よりポンプ２０２にて
吸引されフィルター２０３でフィルタリングされた後、
石英製加熱ヒーター２０４で所定の液温となるよう加熱
され沸騰状態のまま再び燐酸槽２０１に戻り循環してい
る。弗化水素は石英製加熱ヒーター２０４出口で、弗化
水素供給装置２０５を用いて弗化水素酸又は弗化水素ガ
スとして添加される。添加された弗化水素は循環中に熱
燐酸中に溶解しているＳｉ成分と反応してヘキサフルオ
ロケイ酸となり、燐酸槽液面より沸騰時の水蒸気と共に
除去される。ここで弗化水素の供給源として弗化水素酸
や弗化水素ガスを用いることが好ましいのは、定量ポン
プやマスフローコントローラー等により熱燐酸中への添
加量の制御が容易なためである。また弗化水素添加条件
がＳｉＯ2のエッチングレートで２Å／ｍｉｎ以下を満
足する条件であると好ましいのは、後述の理由による。
【００２４】図３は、１６０℃の熱燐酸中のＳｉ濃度と
それに対応するＳｉＯ2のエッチングレートの関係、及
び１５５℃の熱燐酸中に一定量の弗化水素酸を連続して
添加し続けた時の熱燐酸中のＳｉ濃度とそれに対応する
ＳｉＯ2のエッチングレートの関係を示したものであ
る。いずれの場合もＳｉ濃度が高い時ほどＳｉＯ2のエ
ッチングレートは低い。また従来から用いている熱燐酸
だけでもＳｉＯ2を最大で約２Å／ｍｉｎのエッチング
レートでエッチングし、弗化水素酸を添加した場合は液
温が５℃低くても熱燐酸だけの時より全体的にエッチン
グレートが高い値を示していることが分かる。
それに対応するＳｉＯ2のエッチングレートの関係、及
び１５５℃の熱燐酸中に一定量の弗化水素酸を連続して
添加し続けた時の熱燐酸中のＳｉ濃度とそれに対応する
ＳｉＯ2のエッチングレートの関係を示したものであ
る。いずれの場合もＳｉ濃度が高い時ほどＳｉＯ2のエ
ッチングレートは低い。また従来から用いている熱燐酸
だけでもＳｉＯ2を最大で約２Å／ｍｉｎのエッチング
レートでエッチングし、弗化水素酸を添加した場合は液
温が５℃低くても熱燐酸だけの時より全体的にエッチン
グレートが高い値を示していることが分かる。
【００２５】図４は、Ｓｉ初期濃度が約７０ｍｇ／ｌ以
上である１６０℃の熱燐酸に対し、一定量のＳｉ成分を
溶解させながら一定量の弗化水素を添加していった時
に、添加量をそれぞれ変えていった時のＳｉ濃度の増加
速度の変化を示したものである。弗化水素未添加（つま
り添加量＝０）の時がＳｉ成分の溶解に伴うＳｉ濃度の
本来の増加速度であり、この時には約１７．３ｍｇ／ｌ
・ｈｒづつ濃度が増加していくことを示している。添加
量を増やすにつれＳｉ濃度の増加速度は減少し、ある量
で０となり、それ以上添加すると逆にＳｉ濃度は減少し
ていく。
上である１６０℃の熱燐酸に対し、一定量のＳｉ成分を
溶解させながら一定量の弗化水素を添加していった時
に、添加量をそれぞれ変えていった時のＳｉ濃度の増加
速度の変化を示したものである。弗化水素未添加（つま
り添加量＝０）の時がＳｉ成分の溶解に伴うＳｉ濃度の
本来の増加速度であり、この時には約１７．３ｍｇ／ｌ
・ｈｒづつ濃度が増加していくことを示している。添加
量を増やすにつれＳｉ濃度の増加速度は減少し、ある量
で０となり、それ以上添加すると逆にＳｉ濃度は減少し
ていく。
【００２６】図５はこの時のＳｉＯ2のエッチングレー
トの変化、また図６はＳｉ3Ｎ4のエッチングレートの変
化を示したものだが、いずれも添加と共に増加する傾向
を示している。
トの変化、また図６はＳｉ3Ｎ4のエッチングレートの変
化を示したものだが、いずれも添加と共に増加する傾向
を示している。
【００２７】ここで弗化水素を添加した時にＳｉＯ2の
エッチングレートが２Å／ｍｉｎを超える様になると、
弗化水素は石英製加熱ヒーター２０４のＳｉＯ2（石
英）部やウェハ表面に形成されているＳｉ酸化膜１０３
のＳｉＯ2を従来以上にエッチングしてしまう。これは
石英に穴が開いて液漏れを起こすまでのヒーター寿命が
従来よりも短くなることを意味する。またＳｉ基板表面
に半導体装置を形成する上で必要な酸化膜が削られれ
ば、電気特性の変化による不良発生にもつながる。
エッチングレートが２Å／ｍｉｎを超える様になると、
弗化水素は石英製加熱ヒーター２０４のＳｉＯ2（石
英）部やウェハ表面に形成されているＳｉ酸化膜１０３
のＳｉＯ2を従来以上にエッチングしてしまう。これは
石英に穴が開いて液漏れを起こすまでのヒーター寿命が
従来よりも短くなることを意味する。またＳｉ基板表面
に半導体装置を形成する上で必要な酸化膜が削られれ
ば、電気特性の変化による不良発生にもつながる。
【００２８】従ってＳｉＯ2のエッチングレートは低い
方が望ましく、それには添加時に熱燐酸中にある濃度以
上のＳｉ成分が溶解していなければならず、また添加す
る量は熱燐酸中のＳｉ濃度だけでなく、窒化膜除去に伴
って新たに溶解してくるＳｉ成分の量とのバランスをと
ることも必要である。これらのＳｉ濃度、弗化水素添加
量、Ｓｉ溶解量等の条件がＳｉＯ2のエッチングレート
で２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件であれば、従来と同
様の頻度でヒーター交換すればよくまた半導体装置の電
気特性への影響もないと考えられるからである。ただ
し、ヒーター交換を頻繁に行い半導体装置の電気特性へ
の影響がなければこの限りではない。
方が望ましく、それには添加時に熱燐酸中にある濃度以
上のＳｉ成分が溶解していなければならず、また添加す
る量は熱燐酸中のＳｉ濃度だけでなく、窒化膜除去に伴
って新たに溶解してくるＳｉ成分の量とのバランスをと
ることも必要である。これらのＳｉ濃度、弗化水素添加
量、Ｓｉ溶解量等の条件がＳｉＯ2のエッチングレート
で２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件であれば、従来と同
様の頻度でヒーター交換すればよくまた半導体装置の電
気特性への影響もないと考えられるからである。ただ
し、ヒーター交換を頻繁に行い半導体装置の電気特性へ
の影響がなければこの限りではない。
【００２９】なお弗化水素を添加する場所として循環ラ
イン内石英製加熱ヒーター出口が好ましいのは、出口で
添加された弗化水素が循環中に熱燐酸と混合・希釈さ
れ、またＳｉ成分と反応した上でヒーターに戻る循環ラ
イン構造であれば、添加直後の弗化水素が濃く溶解した
熱燐酸によりヒーター石英部がエッチングされることは
なく、石英へのエッチングは最小限に抑えられると考え
られるからである。
イン内石英製加熱ヒーター出口が好ましいのは、出口で
添加された弗化水素が循環中に熱燐酸と混合・希釈さ
れ、またＳｉ成分と反応した上でヒーターに戻る循環ラ
イン構造であれば、添加直後の弗化水素が濃く溶解した
熱燐酸によりヒーター石英部がエッチングされることは
なく、石英へのエッチングは最小限に抑えられると考え
られるからである。
【００３０】本実施例では熱燐酸中のＳｉ濃度が７０ｍ
ｇ／ｌ以上の時に、窒化膜除去に伴うＳｉ溶解量＝約１
７．３ｍｇ／ｌ・ｈｒに対し、弗化水素添加量＝約３１
５ｍｇ／ｌ・ｈｒとすれば、ＳｉＯ2のエッチングレー
トは２Å／ｍｉｎ以下を満足し、かつ熱燐酸中のＳｉ濃
度増加速度はほぼ０となった。またＳｉ3Ｎ4のエッチン
グレートは未添加時の約６０Å／ｍｉｎに対し約１４０
Å／ｍｉｎまで向上した。
ｇ／ｌ以上の時に、窒化膜除去に伴うＳｉ溶解量＝約１
７．３ｍｇ／ｌ・ｈｒに対し、弗化水素添加量＝約３１
５ｍｇ／ｌ・ｈｒとすれば、ＳｉＯ2のエッチングレー
トは２Å／ｍｉｎ以下を満足し、かつ熱燐酸中のＳｉ濃
度増加速度はほぼ０となった。またＳｉ3Ｎ4のエッチン
グレートは未添加時の約６０Å／ｍｉｎに対し約１４０
Å／ｍｉｎまで向上した。
【００３１】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、熱燐酸中に
弗化水素を添加して熱燐酸中のＳｉ成分を除去すること
により、Ｓｉ成分が析出しにくくなるか又は析出しなく
なる。よって熱燐酸の液寿命が延長されたことにより液
使用量が削減され、コストダウンが可能となる。
弗化水素を添加して熱燐酸中のＳｉ成分を除去すること
により、Ｓｉ成分が析出しにくくなるか又は析出しなく
なる。よって熱燐酸の液寿命が延長されたことにより液
使用量が削減され、コストダウンが可能となる。
【００３２】さらに循環系内の定期的なＨＦ洗浄及びフ
ィルター交換の頻度は減少するか又は必要としなくなっ
て、装置の連続運転が可能となる。
ィルター交換の頻度は減少するか又は必要としなくなっ
て、装置の連続運転が可能となる。
【００３３】また本発明においては、弗化水素が添加さ
れたことで窒化膜のエッチングレート自体も倍以上に向
上するため、処理時間の短縮により装置の処理能力を倍
以上に向上させるもことも可能となる。
れたことで窒化膜のエッチングレート自体も倍以上に向
上するため、処理時間の短縮により装置の処理能力を倍
以上に向上させるもことも可能となる。
【図１】本発明の実施例に係わる半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例に係わる半導体装置の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係わる熱燐酸中のＳｉ濃度と
ＳｉＯ2のエッチングレートの関係を示す図である。
ＳｉＯ2のエッチングレートの関係を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係わる熱燐酸中にＳｉ成分の
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉ濃度の
増加速度との関係を示す図である。
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉ濃度の
増加速度との関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係わる熱燐酸中にＳｉ成分の
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉＯ2の
エッチングレートとの関係を示す図である。
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉＯ2の
エッチングレートとの関係を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係わる熱燐酸中にＳｉ成分の
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉ3Ｎ4の
エッチングレートとの関係を示す図である。
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉ3Ｎ4の
エッチングレートとの関係を示す図である。
１０１ Ｓｉ基板 １０２ 窒化膜 １０３ Ｓｉ酸化膜 ２０１ 燐酸槽 ２０２ ポンプ ２０３ フィルター ２０４ 石英製加熱ヒーター ２０５ 弗化水素供給装置
Claims (7)
- 【請求項１】Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導
体装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエッチング除去する工程に
おいて、燐酸に弗化水素を添加することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法で、
弗化水素を弗化水素酸で添加することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体装置の製造方法で、
弗化水素を弗化水素ガスで添加することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】請求項１又は請求項２又は請求項３記載の
半導体装置の製造方法で、ＳｉＯ2のエッチングレート
が２Å／ｍｉｎ以下を満足する弗化水素添加条件とする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】請求項１又は請求項２又は請求項３又は請
求項４記載の半導体装置の製造方法で、循環ライン内石
英製加熱ヒーター出口で添加することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】Ｓｉ窒化膜を有するＳｉ基板又はＳｉ薄膜
を構成要素とする半導体装置を浸漬する燐酸溶液を貯留
した洗浄槽と前記燐酸溶液を循環させる循環手段と前記
燐酸を加熱する加熱手段と前記洗浄槽に弗化水素を添加
する供給手段とを有することを特徴とする半導体装置の
製造装置。 - 【請求項７】Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜を構成要素とする半
導体装置において、前記Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜上に設け
られたＳｉ窒化膜を弗化水素を添加した燐酸により除去
してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20399896A JPH1050682A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体装置の製造方法及び製造装置及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20399896A JPH1050682A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体装置の製造方法及び製造装置及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050682A true JPH1050682A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16483091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20399896A Withdrawn JPH1050682A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体装置の製造方法及び製造装置及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050682A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001023952A (ja) * | 1999-03-30 | 2001-01-26 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
| WO2014077199A1 (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP2018182228A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2020100558A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN112687576A (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和装置清洗方法 |
| JP2022521267A (ja) * | 2019-02-20 | 2022-04-06 | リ， ウェイミン | 湿式化学によるＳｉ３Ｎ４選択的除去の必要性 |
| JP2024129545A (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-27 | 下関三井化学株式会社 | リン酸の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP20399896A patent/JPH1050682A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001023952A (ja) * | 1999-03-30 | 2001-01-26 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
| WO2014077199A1 (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP2018182228A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2020100558A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2020087985A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2022521267A (ja) * | 2019-02-20 | 2022-04-06 | リ， ウェイミン | 湿式化学によるＳｉ３Ｎ４選択的除去の必要性 |
| CN112687576A (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和装置清洗方法 |
| JP2024129545A (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-27 | 下関三井化学株式会社 | リン酸の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2731750B2 (ja) | エッチング残留物除去方法 | |
| JP2760418B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| US20080093343A1 (en) | Method for treating the etching solution | |
| JP2000058500A (ja) | エッチング液，その製造方法及びエッチング方法 | |
| CN108885989A (zh) | 用于处理氮化物结构而没有二氧化硅沉积的方法和装置 | |
| WO1997018582A1 (en) | Wafer-cleaning solution and process for the production thereof | |
| CN113632199B (zh) | 通过湿化学法选择性去除Si3N4 | |
| CN100399518C (zh) | 蚀刻系统及其蚀刻液处理方法 | |
| CN100539035C (zh) | 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法 | |
| JPH06349808A (ja) | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 | |
| CN108690984B (zh) | 蚀刻液组合物及蚀刻方法 | |
| JP3430611B2 (ja) | エッチング装置と濃燐酸溶液の処理方法 | |
| JP2000331982A (ja) | エッチング装置 | |
| WO2010134185A1 (ja) | 洗浄液及び洗浄方法 | |
| JPH05166776A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JP2007123330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4237762B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN119626985B (zh) | 一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法及装置 | |
| CN119340247B (zh) | 一种器件结构的制作和有效刻蚀方法及装置 | |
| CN112908847A (zh) | Bpsg膜层处理方法及半导体中间产品 | |
| JP3307370B2 (ja) | 半導体製造装置用治具及びその使用方法 | |
| KR100220952B1 (ko) | 반도체소자의 세정 방법 | |
| KR940007065B1 (ko) | 반도체 기판의 과식각 방법 | |
| JP2000040685A (ja) | 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法 | |
| JP2003115479A (ja) | 半導体装置の製造方法およびウエット処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040329 |