JPH10509996A - ヘテロスピロ化合物およびそれらのエレクトロルミネセンス物質としての使用 - Google Patents

ヘテロスピロ化合物およびそれらのエレクトロルミネセンス物質としての使用

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JPH10509996A JP8518147A JP51814796A JPH10509996A JP H10509996 A JPH10509996 A JP H10509996A JP 8518147 A JP8518147 A JP 8518147A JP 51814796 A JP51814796 A JP 51814796A JP H10509996 A JPH10509996 A JP H10509996A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、式(I): [式中、Ψは、炭素を除外した周期律表の第4主要族の元素、好ましくは、Sn、GeまたはSi、特に好ましくは、GeまたはSiであり;K1およびK2は、相互に独立に、共役系である。]で表されるヘテロスピロ化合物のエレクトロルミネセンス装置における使用に係る。式(I)で表される化合物は、慣用的な有機溶剤に良好な溶解性を有し、フィルム形成性が改良され、結晶しやすさが著しく低下する。

Description

【発明の詳細な説明】 ヘテロスピロ化合物およびそれらの エレクトロルミネセンス物質としての使用 一連の用途、主としてデイスプレイ素子、VDU技術および照明技術の領域に おいて、大面積のソリッドステート光源に対する多大な工業的需要が存在する。 これら光源に対する需要は、いずれの既存の技術によっても、現在、完全に満た すことができない。 従来のデイスプレイ素子、例えば、白熱電球、ガス放電ランプおよび非自己発 光液晶デイスプレイ素子に対する別法として、長期にわたり、エレクトロルミネ センス(EL)物質および装置、例えば、発光ダイオード(LED)についての 知識が存在してきた。 エレクトロルミネセンス物質は、電場の印加によって光を発することができる 物質である。この効果を説明するための物理学的モデルは、電子と電子空隙(孔 )との放射再結合に基づく。発光ダイオードにおいては、電荷キャリヤーは、カ ソードまたはアノードを介して、エレクトロルミネセンス物質に注入される。エ レクトロルミネセンス装置は、発光層としてルミネセンス物質を含む。エレクト ロルミネセンス物質および装置は、例えば、Ullmannn's Encyclopedia of Indus trial Chemistry,Vol.A9,5th Ed.VCH Verlagおよびその中に引用されている 文献に概説されている。無機物質、例えば、ZnS/MnまたはGaAsとは別 に、有機化合物もまたEL物質として知られるようになった。低分子量のEL物 質を含むEL装置の説明は、例えば、US-A-4,539,507に示されている。 これら低分子量有機物質の欠点は、例えば、満足するフィルム形成性がなく、 著しく結晶化しやすいことである。 最近、ポリマー類も、また、EL物質として記載されている(例えば、WO=A 90 /13148参照)。しかし、これら物質の光収率(量子効率)は、低分子量化合物に ついてよりもかなり低い。 良好な光収率を有し、同時に、薄くて均一なフィルムに加工することができ、 結晶化しにくいEL物質を見いだすことが望ましかった。 さて、驚くべきことに、ヘテロスピロ化合物がEL物質としての優れた適合性 を有することが見いだされた。スピロ化合物は、2つのリングシステムを相互に 結合する少なくとも1個の4価のスピロ原子を有する。これは、Handbook of Ch emistry and Physics,62nd edition(1981-2),pp.C-23 to 25に詳細に説明さ れている。 このタイプの個々の化合物は、例えば、Us-A 5,026,894、J.M.Tour et al., J.Am.Chem.Soc.112(1990)5662およびJ.M.Tour et al.,Polym.Prepr .(1990)408に、高分子有機半導体についての結合素子として記載され、モレ キュラーエレクトロニクス用の物質として提案されている。しかし、EL物質と しての可能な使用は、それよりは導くことができない。 したがって、本発明は、式(I): [式中、Ψは、炭素を除外した周期律表の第4主族の元素、好ましくは、Sn 、GeまたはSiであり、特に、好ましくは、GeまたはSiであり; K1およびK2は、相互に独立に、共役系である。] で表されるヘテロスピロ化合物のエレクトロルミネセンス装置における使用を提 供する。 式(I)で表される化合物は、慣用的な有機溶剤に良好な溶解性を有し、フィ ルム形成性が改善され、結晶化しやすさが著しく低い。これは、エレクトロルミ ネセンス装置の製造をより容易にし、それらの寿命を延長する。本発明に従い使 用される化合物の発光性は、適当な置換基を選択することによって、可視スペク トルの全領域にわたって調整することができる。また、スピロ化合物の2つの部 分の共有結合配列は、分子の2半分で独立に一定の性質を設定することができる ような分子構造を可能とする。かくして、1半分は、例えば、電荷移動または電 荷注入性を有し、他方、他半分は、発光性を有することができる。共有結合によ って固定された2半分の空間的な近接は、ここでは、エネルギーの伝達のために 好ましい(例えば、B.Liphardt,W.Luttke,Liebigs Ann.Chem.1981,1118 参照)。 式(I)で表される好ましい化合物は、式(II): [式中、記号および指数は、以下の意味を有し: Ψは、Si、Ge、Snであり; D、E、F、Gは、同一または異なり、−CR12−、−O−、−S−、−N R3−または化学結合(直接結合)であり; U、Vは、同一または異なり、−CR12−、−O−、−S−、−NR3−、 −SiR12−、−SO2−、−CO−、−CR4=CR5−または化学結合であ るが、ただし、UまたはVのいずれかは、−CR1=CR2−または化学結合であ り; Tは、−O−、−S−、−NR3−、−CR12−、−CH=N−、CA5=C A6−,−CH=CA7−、好ましくは、−CH=CH−であり; K、L、M、Qは、同一または異なり、共役電子系を有し、かつ、ヘテロ原子 、例えば、酸素、窒素および/または硫黄を含有することもできる環式または非 環式炭化水素基であり; A1、A2、A3、A4は、同一であっても、異なっていてもよく、K、L、M、 Qと同一の意味を有するか、あるいは、水素、フッ素、または、ヘテロ原子、例 えば、酸素、窒素、ケイ素またはフッ素を含有してもよい1個〜22個、好まし くは、1個〜15個の炭素原子を有する炭化水素基、好ましくは、直鎖、分岐鎖 および/または環含有アルキル、アルコキシまたはアルキルオキシカルボニル基 、−CF3、−CN、−NO2、−NR67、−Arまたは−O−Arであり; R1、R2、R3は、同一または異なり、Hであるか、または、1個〜12個の 炭素原子を有する炭化水素基であり、R1およびR2は、合わさって、非置換また は置換された環を形成してもよく; R4、R5は、同一または異なり、R1、R2、R3と同一の意味を有するか、ま たは、フッ素もしくは−CF3であり; R6、R7は、同一または異なり、Hであるか、または、脂肪族または芳香族の 直鎖または分岐鎖であってもよく、また、脂環式の元素を含有してもよい、1個 〜22個の炭素原子を有する炭化水素基、好ましくは、メチル、エチル、t−ブ チル、シクロヘキシル、3−メチルフェニルであるか、あるいは、R6およびR7 は、合わさって、環、好ましくは、 を形成し; Arは、22個以下の炭素原子を有する芳香族基、好ましくは、フェニル、ビ フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、2−チエニル、2−フラニルであり、 これら芳香族基の各々は、1個または2個の基R4、R5で置換されていてもよく ; QおよびA1、KおよびA2、LおよびA4、MおよびA3は、相互に独立であっ てもよく、また、各々が、互いに結合して、飽和もしくは一部不飽和であっても よいか、または、最大不飽和度を有し、縮合芳香族環システムが、好ましくは、 存在する、環を形成することもできる。] で表されるヘテロスピロ化合物である。 式(III): [式中、記号および指数は、以下の意味を有し: Ψは、SiまたはGeであり; K、L、M、Q、Aは、同一または異なり、基: であり、Aは、同一であっても、異なっていてもよく、Rと同一の意味を有し; Rは、同一であっても、異なっていてもよく、K、L、M、Qと同一の意味を 有するか、あるいは、−H、または、1個〜22個、好ましくは、1個〜15個 、特に好ましくは、1個〜12個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖アルキル 、アルコキシまたはエステル基、−CN、−NO2、−NR23、−Arあるい は−O−Arであり; Arは、フェニル、ビフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、2−チエニル 、2−フラニルであり、これら基の各々は、1個または2個の基Rを有してもよ く; m、n、pは、相互に独立に、同一または異なり、0、1、2または3であり ; X、Yは、同一または異なり、CR、Nであり; Zは、−O−、−S−、−NR1−、−CR14−、−CH=CH−、−CH =N−であり; R1、R4は、同一であっても、異なっていてもよく、Rと同一の意味を有し; R2、R3は、同一または異なり、H、あるいは、1個〜22個の炭素原子を有 する直鎖または分岐鎖アルキル基、−Ar、3−メチルフェニルである。] で表されるヘテロスピロビフルオレン誘導体が特に好ましい。 式(III)で表される好ましい化合物は、式(IIIa)〜式(IIIg) : (IIIa)K=L=M=Qであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択される; (IIIb)K=M=HおよびQ=Lであり、基: からなる群より選択される; (IIIc)K=Mであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択され、 および、Q=Lであり、基: からなる群より選択される; (IIId)K=Mであり、基: からなる群より選択され、 および、Q=Lであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択される; (IIIe)K=L=HおよびM=Qであり、基: からなる群より選択される; (IIIf)K=Mであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択され、 および、M=Qであり、基: からなる群より選択される; (IIIg)K=Lであり、基: からなる群より選択され、 および、M=Qであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択される; で表されるものである。 式(III)で表される特に好ましい化合物は、式(IIIaa)〜式(II Ibd)で表されるものである: (IIIaa)K=L=M=Qであり、基: からなる群より選択されるもの; (IIIab)K=M=HおよびQ=Lであり、基: からなる群より選択されるもの; (IIIac)K=Mであり、基: より選択されるもの; および、Q=Lであり、基: であるもの; (IIIad)K=Mであり、基: からなる群より選択されるもの; (IIIba)K=L=M=Qであり、基: からなる群より選択されるもの; (IIIbb)K=L=HおよびM=Qであり、基: からなる群より選択されるもの; (IIIbc)K=Lであり、基: からなる群より選択されるもの; および、M=Qであり、基: であるもの; (IIIbd)K=Lであり、基: からなる群より選択されるもの; および、M=Qであり、基: であるもの; および、Q=Lであり、基: であるもの;である。 式(III)で表される特に非常に好ましいヘテロスピロ化合物は、スピロビ −9−シラフルオレン類、例えば、2,2’,4,4’,7,7’−ヘキサキス (ビフェニリル)−9,9’−スピロビ−9−シラフルオレン、2,2’,4, 4’,7,7’−ヘキサキス(ターフェニル)−9,9’−スピロビ−9−シラ フルオレンおよび表1に示した化合物である。表1において、略号G1〜G14 は、以下の構造を有する基を示す: 本発明に従い使用されるヘテロスピロ化合物のあるものは、公知であり、ある ものは、新規である。 したがって、本発明は、式(IV): [式中、記号は、以下の意味を有し: Ψは、Si、GeまたはSnであり; A、B、K、L、M、Qは、同一または異なり、基: であり、A、Bは、また、同一であっても、異なっていてもよく、各々は、1個 〜22個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖アルキル、アルコキシまたはエス テル基、−CN、−NO2、−Arまたは−O−Arであり; Rは、−H、あるいは、1個〜22個、好ましくは、1個〜15個、特に好ま しくは、1個〜12個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖アルキル、アルコキ シまたはエステル基、−CN、−NO2、−NR23、−Arあるいは−O−A rであり; Arは、フェニル、ビフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、2−チエニル 、2−フラニルであり、これら基の各々は、1個または2個の基Rを有してもよ く; m、n、pは、相互に独立に、同一または異なり、0、1、2または3であり ; X、Yは、同一または異なり、CR、窒素であり; Zは、−O−、−S−、−NR1−、−CR14−、−CH=CH−、−CH =N−であり; R1、R4は、同一であっても、異なっていてもよく、Rと同一の意味を有し; R2、R3は、同一または異なり、H、または、1個〜22個の炭素原子を有す る直鎖または分岐鎖アルキル基、−Ar、あるいは、3−メチルフェニルである 。] で表されるスピロ化合物を提供する。 本発明のスピロ化合物または本発明に従い使用されるスピロ化合物は、有機合 成についての標準作業に記載されているようなそれ自体公知の文献記載の方法、 例えば、Houben-Weyl,Methoden der Organischen Chemie,Georg-Thieme-Verld g,Stuttgart、特に、Volume 13/5,pp.30-87およびA.Weissberger and E.C.T ailor(editors)による一連の“The Chemistry of Heterocyclic Compounds”の 適当な巻に記載の方法によって製造される。 製造は、特定の反応に対して、公知であり、適用である反応条件下で行われる 。使用は、それ自体公知である変種にあってもなされるので、ここでは、さらに 記載しない。式(III)で表される化合物は、例えば、ビス(ビフェニル−2 , 2’−ジイル)シラン{=9,9’−スピロビ(9H−)シラフルオレン](V )より出発し得られ、その合成は、例えば、H.Gilman,R.D.Gorsich,J.Am .Chem.Soc 1958,80,3243によって記載されている。 式(IIIa)で表される化合物は、例えば、9,9’−スピロビ−9−シラ フルオレンの2,2’,7および7’位のテトラハロゲン化より出発して、続い て、類縁のC−スピロ化合物より公知の置換反応によって製造することができる (例えば、US-A-5,026,894参照)。これは、例えば、対応するシアノ化合物を介 してアルデヒドまたはカルボン酸官能基に導かれ、これは、例えば、ヘテロ環を 構成するために使用される。 式(IIIb)で表される化合物は、例えば、式(IIIa)で表される化合 物に対すると類似の方法によって製造することができ、その反応の化学量論比は 、2,2’または7,7’位が官能化されるように選択される(例えば、J.H. Weisburger,E.K.Weisburger,F.E.Ray,J.Am.Chem.Soc.1959,72,425 3; F.K.Sutcliffe,H.M.Shahidi,Dpaterson,J.Soc.Dyers Colour 1978 ,94,306およびG.Haas,V.Prelog,Helv.Chim.Acta 1969,52,1202参照) 。 式(IIIc)および式(IIId)で表される化合物は、例えば、2,2’ −ジシアノ−9,9’−スピロビ−9−シラフルオレンの7および7’位のジブ ロモ化を介して製造され、これは、式(IIIa)と同様に合成され、続いて、 化合物(IIIa)に対すると同様に反応させられる。 式(IIIe)〜式(IIIg)で表される化合物は、例えば、スピロシラビ フルオレンを構成するのに適当な置換された出発化合物を選択することによって 、例えば: および、例えば、: によって製造することができる。 また、合成順序は、当業者になじみの深い、例えば、ニトロ化、還元、ジアゾ 化およびサンドマイヤー反応が使用される。基K、L、M、Qの合成について、 1,4−フェニレン基を含有する化合物に対しては、例えば、DE-A 23 44 732、 24 50 088、24 29 093、25 02 904、26 36 684、27 01 591および27 52 975が引 用され;ピリミジン−2,5−ジイル基を含有する化合物に対しては、DE-A- 26 41 724が引用され;ピリジン−2,5−ジイル基を含有する化合物に対しては 、DE-A- 40 26 223およびEP-A 0 391 203が引用され;ピリダジン−3,6−ジ イル基を含有する化合物に対しては、DE-A 32 31 462が引用され;芳香族化合物 およびヘテロ芳香族化合物の直接結合に対しては、N.Miyaura,T.Yanagi and A. Suzuki in Synthetic Communications 11(1981)513 to 519,DE-A-39 30 663 , M.J.Sharp,W.Cheng,V.Suieckus in Tetrahedron Letters 1987,28,50 93; G.W.Gray in J.Chem.Soc.Perkin Trans II,1989,2041 and Mol.Cry st.Liq.Cryst.1989,172,165,Mol.Cryst.Liq.Cryst.1991,204,43 an d 91; EP-A 0 449 015; WO 89/12039; WO 89/03821; EP-A 0 354 434が引用され る。 二置換ピリジン類、二置換ピラジン類、二置換ピリミジン類および二置換ピリ ダジン類の製造方法は、例えば、一連の“The Chemistry of Heterocyclic Comp ounds”by A.Weisberger and E.C.Taylor(editors)の適当な刊に見ることが できる。 本発明に従えば、記載した式(I)、式(II)および式(III)で表され るスピロ化合物は、エレクトロルミネセンス物質として使用され、すなわち、そ れらは、エレクトロルミネセンス装置の活性層として働く。したがって、本発明 は、また、式(I)、式(II)および/または式(III)で表される1種以 上の化合物を含むエレクトロルミネセンス物質を提供する。本発明の目的に対し 、活性層は、電場の印加で発光することのできるエレクトロルミネセンス物質( 発光層)、および、また、正および/または負の電荷の注入および/または移動 を改善する物質(電荷注入層および電荷移動層)である。 したがって、本発明は、また、式(I)、式(II)および/または式(II I)で表される1種以上の化合物を含む1つ以上の活性層を有するエレクトロル ミネセンス装置を提供する。活性層は、例えば、発光層および/または移動層お よび/または電荷注入層であってもよい。本発明の物質の優れた孔(hole)伝達性 が特に重要であり、これは、例えば、ホトコピーおよびレーザープリンターにお いて、孔伝達層として使用することができる。このようなエレクトロルミネセン ス装置の一般的な構造は、例えば、US-A-4,539,507およびUS-A-5,151,629に記載 されている。 これらは、電極の少なくとも1つが透明であるカソードとアノードとの間にエ レクトロルミネセンス層を含む。また、電子注入および/または電子移動層は、 エレクトロルミネセンス層とカソードとの間に導入され、および/または、孔注 入および/または孔移動層は、エレクトロルミネセンス層とアノードとの間に導 入することができる。適当なカソードは、例えば、Ca、Mg、Al、In、M g/Agである。適当なアノードは、例えば、AuまたはITO(透明基板、例 えば、ガラスまたは透明ポリマー上の酸化インジウム/酸化錫)である。 動作において、カソードは、アノードと比較して、負の電位に置かれ、カソー ドよりの電極は、かくして、電子注入層/電子移動層に注入されるか、または、 直接、発光層に注入される。それと同時に、アノードよりの孔は、孔注入層/孔 移動層に注入されるか、または、直接、発光層に注入される。 注入された電荷キャリヤーは、印加される電位の作用の下、活性層を介して、 相互に移動する。これは、電荷移動層と発光層との界面または発光層内部で、電 子/孔対を生じ、これらは、発光して再結合する。 発光される光の色は、発光層として使用する化合物によって変化させることが でき、明らかに、本発明の物質の相互の混合物およびまたその他物質、例えば、 対応するカルボスピロ化合物との混合物もまた参考とされる。 使用されるエレクトロルミネセンス装置は、例えば、自己照明デイスプレイ素 子、例えば、コントロールランプ、英数字デイスプレイ、標識としておよび光電 子カプラーにおいて使用される。 実施例によって本発明を例示するが、本発明を実施例に限定するものではない 。実施例 実施例 1: 2,2’−ジリチオビフェニル 28mmolのn−BuLiの無水ジエチルエーテル(エーテル)26ml溶液を5 分間かけて、氷冷し、激しく撹拌する4.0g(12.9mmol)の2,2’−ジ ブロモビフェニルの40mlエーテル溶液に滴下し、続いて、混合物を室温で5時 間撹拌した。実施例 2: ビス(ビフェニル−2,2’−ジイル)シラン(9,9’−スピロビ−9−シラ フルオレン) 実施例1に記載したようにして製造した、24mmolの2,2’−ジリチオビフ ェニルの70mlエーテル溶液を激しく撹拌する1.87g(11mmol)のシリコ ンテトラクロライドの30mlエーテル溶液に1時間かけて滴下した。混合物を室 温でさらに1.5時間撹拌し、3時間還流した。続いて、50mlのベンゼンを加 え、混合物をさらに2時間還流した。100mlの水で振盪した後、有機相を硫酸 マグネシウム上で乾燥し、濾過し、ロータリーエバポレータで、エーテルの大部 分を留去した。冷却した溶液より、融点222〜225℃を有する粗製の生成物 1.45gを単離した。蒸発後、濾液は、さらに0.6gの生成物を与えた(合計 収率56%)。エタノールより結晶化すると、融点227℃を示した。元素分析: この化合物の著しく高い安定性は、沸点460℃によって示され、見かけ上、 分解することなく沸点に達する。実施例 3: ビス(ビフェニル−2,2’−ジイル)ゲルマン(9,9’−スピロビ−9−ゲ ルマ−フルオレン 実施例1に記載したように、140mlのエーテル中で製造した50mmolの2, 2’−ジリチオビフェニル溶液を、実施例2に記載したように、5.35g(2 5mmol)のゲルマニウムテトラクロライドと反応させた。ワークアップおよび酢 酸エチルよりの再結晶後、2.77g(29%)の生成物を得た。白色プリズム 、融点245℃、沸点470℃(分解なし)。元素分析: % Ge 計算値: 19.23 測定値: 18.88実施例 4: ビフェニル−2,2’−ジイルシリコンジクロライド 実施例1に記載したように、230mlのエーテル中で製造した78mmolの2, 2’−ジリチオビフェニルを、実施例2に記載したように、252g(1.48mo l、すなわち、18倍過剰)のシリコンテトラクロライドと反応させた。過剰のS iCl4を留去し、ワークアップ後、3.5gの固体生成物を得、酢酸エチルより 再結晶すると、これは、実施例2に記載したようなビス(ビフェニル−2,2’ −ジイル)シラン2.89g(22%)を与えた。合わせた母液を蒸発させ、残 るオイルを0.01ミリバールで蒸留すると、初期画分として、少量のビフェニ ルが得られ、108〜110℃の主要画分としてビフェニル−2,2’−ジイル シリコンジクロライド7.41g(38%)が得られた。元素分析: 実施例 5: 10,10−ビフェニル−2,2’−ジイルフェノキサシリン H.Gilman,W.J.Trepka,J.Org.Chem.27,1418(1962)によって記載され ているようにして製造した、120mmolの2,2’−ジリチオジフェニルエーテ ルの180mlTHF溶液を、実施例4に記載したようにして製造した、37.7 g(150mmol)のビフェニル−2,2’−ジイル−シリコンジクロライドの2 00mlTHF溶液に加えた。混合物を20℃で12時間撹拌し、氷と硫酸との混 合物を用いて加水分解し、水相をエーテルで抽出した。≦0.05mmで蒸留ワー クアップ後、150℃で得られる主要画分をエタノールより再結晶した:12. 5g(30%)。実施例 6: ビス(ビベンジル−2,2’−ジイル)シラン 15g(40mmol)の2,2’−ジブロモビベンジルと97mmolのn−ブチル リチウムの1.7モルヘキサン画分溶液とより予め製造した2,2’−ジリチオ ビベンジルの溶液に、2.1ml(20mmol)のシリコンテトラクロライドの50 mlTHF溶液を滴下した。混合物を1時間還流し、実施例5におけるようにワー クアップした。圧力0.05mm、125℃〜210℃で、5.0gの固化するオ イルが得られ、2回再結晶した後、これは、融点175℃を有する1.0g(1 3%)のビス(ビベンジル−2,2’−ジイル)シランを与えた。元素分析: 実施例 7: ビス(α,α’(β’)−ジブロモビベンジル−2,2’−ジイル)シランより のビス(スチルベン−2,2’−ジイル)シラン 実施例6に記載したようにして製造した1,94g(5mmol)のビス(ビベン ジル−2,2’−ジイル)シランと、N−ブロモコハク酸イミド1.78g(1 0mmol)との100mlテトラクロロメタンスラリーを、300ワットの白熱タン グステン電球照射下、加熱沸騰させた。形成されるコハク酸イミドを吸引濾去し 、ロータリーエバポレータで、濾液を蒸発乾固させ、残渣を15mlのトルエンに 取り、2mlの2−ジメチルアミノエタノールと混合した。混合物を48時間撹拌 し、ついで、6時間加熱沸騰させた。減圧で、トルエンを除去し、残渣を5重量 %強の水酸化ナトリウム溶液50mlと混合し、エーテルで振盪した。硫酸マグネ シウム上で乾燥した後、エーテルを蒸発させ、残渣を30gのシリカゲル上、ト ルエン/シクロヘキサンでクロマトグラフィーにより精製した。実施例 8: テトラキス(ビフェニリル−4)−シランよりの3,3’,5,5’−テトラフ ェニル−9,9’−スピロ−9H−ビ−9−シラフルオレン 10.8g(46.3mmol)の4−ブロモビフェニルと1.95g(11.6mm ol)のシリコンテトラクロライドとを100mlの絶対エーテルに溶解し、続いて 、2.5g(110mmol)のナトリウムで処理した。混合物を加熱還流し、つい で、金属が溶解するまで、室温でさらに4時間撹拌した。エーテルの除去後、残 渣をソックスレーの装置内で、トルエンで抽出した:6.7g(90%)、mp .281℃(キシレンより)。 5.4g(10mmol)のテトラキス(ビフェニリル−4)シランを、溶液に窒 素を通しつつ、200mlの1,2−ジクロロベンゼンに溶解し、6.5g(40m mol)の塩化第2鉄を少量ずつ添加した。混合物を3時間かけて加熱沸騰させた 。オフガス中にNH4Clとして、HClがもはや検知されなくなった時、ロー タリーエバポレータで、混合物を蒸発させ、残渣を数回5重量%強の塩酸で蒸解 し、1gのシリカゲルを加えてキシレンより残渣を再結晶した:2.7g(51% )。実施例 9: 2,2’−ジニトロ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン 20mlの無水酢酸を使用して、3.16g(13mmol)のCu(NO32・3 H2Oを室温で取り、撹拌する。数分後、内部温度が約40〜45℃に上昇し、 青色の懸濁液が濁る。2g(6mmol)の9−シラ−9,9’−スピロビフルオレ ンを、続いて、加え、撹拌を40℃で継続する。40℃で4時間後、反応は、完 了する。反応の間、懸濁液の色は、青緑色に変化する。それを注意深く撹拌しつ つ、約100mlの水に入れ、クロロホルムで振盪する。ロータリーエバポレータ で有機相を蒸発させ、残渣を少量のクロロホルムに溶解させた後、溶液は、10 0mlのヘキサンで沈殿させる:2gの無色の生成物(79%)。 2,2’,7,7’−テトラニトロ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレ ンは、種々の化学量論量を使用する同一のルートによって主要生成物として得る ことができる。実施例 10: 2,2’−ジアミノ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン 4.0gのジニトロスピロ−9−シラビフルオレンおよび4.0gの鉄粉末の混 合物を、100mlのエタノール中で還流し、その間、15mlの濃塩酸を30分間 かけて滴下した。さらに30分間還流後、過剰の鉄を濾去した。緑色の濾液を4 00mlの水、15mlの濃NH4OH溶液および20gの酒石酸ナトリウムカリウム の溶液に加えた。鉄錯体の暗緑色の溶液より白色のジアミンを濾去した。このジ アミンは、それを希塩酸に溶解し、室温で撹拌し、活性炭(Darco)および濾過に よって精製した。濾過した溶液は、(正確なガラス撹拌機で)機械的に撹拌しつ つ、NH4OH溶液で滴下中和し、沈殿した生成物は、吸引濾去した。これは、 3.3gの白色2,2’−ジアミノ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン を与え、それをエタノールより再結晶した。 2,2’,7,7’−テトラアミノ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレ ンは、種々の化学量論量を使用する同一の方法によって主要生成物として得るこ とができる。実施例 11: 2,2’−ジブロモ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン 2.0g(5.5mmol)の2,2’−ジアミノ−9,9’−スピロ−9−シラ ビフルオレンを20mlの水と5mlの濃臭化水素酸に溶解し、約0℃に冷却し、こ の温度に維持しつつ、0.8gのNaNO2の約5mlの水溶液と緩やかに混合する 。混合物をこの温度で約30分間撹拌し、得られたビスジアゾニウム塩の溶液を 1 gのCuBrの10mlHBr氷冷溶液に注ぐ。得られた溶液は、100℃で撹拌 すると、ガス発生が生じ、形成される生成物は、白色の析出物として沈殿する。 ガス発生が終了後、生成物は、吸引濾去し、溶液が中性になるまで、NaHCO3 で洗浄し、塩類がなくなるまで、水で洗浄する。生成物は、続いて、クロロホ ルム/ヘキサンより再沈殿させる:1.8gの無色の粉末(66%)。 2.2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレ ンは、種々の化学量論量を使用する同一のルートによって、2,2’,7,7’ −テトラアミノ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレンより主生成物として 得ることができる。実施例 12: 2,2’−ジブロモ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレンより2,2’− ジシアノ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレンを介しての9,9’−スピ ロ−9−シラビフルオレン−2,2’−ジカルボン酸 実施例11に記載したような、1.18g(2.4mmol)の2,2’−ジブロ モ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレンと、0.54gのCuCNとを5m lのDMF中で6時間還流した。3gのFeCl3(水和されている)と1.5ml の濃塩酸との20ml水混合物に、得られた褐色の混合物を注いだ。Cu錯体を破 壊するために、混合物を60〜70℃に30分間維持した。 高温の水溶液をトルエンで2回抽出した。ついで、有機相を、希塩酸、水およ び10重量%強のNaOH水溶液で洗浄した。有機相を濾過し、蒸発させた。得 られた黄色の残渣をメタノールより再結晶した。これは、0.64g(70%) の2,2’−ジシアノ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレンを幾分黄色が かった結晶(溶融範囲:230〜260℃)として与えた。 3.82g(10mmol)の2,2’−ジシアノ−9,9’−スピロ−9−シラ ビフルオレンを30重量%強のNaOHと40mlのエタノールとで6時間還流し た。スピロシラビフルオレンジカルボン酸のジナトリウム塩が黄色の固体として 沈殿し、それを濾去し、25重量%強のHCl水溶液と加熱し、遊離の酸を単離 した。スピロシラビフルオレンジカルボン酸は、氷酢酸より再結晶した。これは 、 2.52g(60%)の白色結晶(mp.>360℃、1685cm-1にC=Oの IRバンド)を与えた。実施例 13: 9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン−2,2’,7,7’−テトラカルボ ン酸を2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’−スピロ−9−シラビフル オレンより同様に製造した。 実施例 14: V.Prelog,D.Bedekovicc,Helv.Chim.Acta 1979,62,2285の方法と同様 の方法を使用して、9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン2,2’−ジカル ボン酸より、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−9,9’−スピロ−9−シラ ビフルオレンを介しての2,2’−ビス(ブロモメチル)−9,9’−スピロ− 9−シラビフルオレン 室温で、70重量%強のナトリウムジヒドロビス(2−メトキシエトキシ)ア ルミネート(Fluka)の10gトルエン溶液を2,08g(5mmol)の2,2’−ジ カルボキシ−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン−2,2’−ジカルボン 酸の20ml懸濁液に緩やかに滴下した。2時間還流の間にカルボン酸は溶解する が、この2時間の還流後、過剰の還元剤を、水を使用し、10℃で分解し、混合 物を濃塩酸で酸性とし、クロロホルムで振盪した。 有機相は、水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、蒸発させ、残渣をベン ゼンより再結晶した。これは、1.7gの9,9’−スピロ−9−シラビフルオ レン−2,2’−ジメタノール(mp.>250℃)を与えた。33重量%強の 臭化水素の氷酢酸水溶液92gを14gの9,9’−スピロ−9−シラビフルオレ ン−2,2’−ジメタノールの400mlトルエン溶液に滴下し、混合物を7時間 還流した。ついで、それを200mlの水と混合し、有機相を水で洗浄し、硫酸マ グネシウム上で乾燥し、蒸発させた。トルエンを使用するシリカゲル上でのクロ マトグラフィーは、11gの2,2’−ビス(ブロモメチル)−9,9’−スピ ロ−9−シラビフルオレンを無色の小板状物質(platelet)として与えた。実施例 15: 実施例14に記載したような、0.4gの9,9’−スピロ−9−シラビフル オレン−2,2’−ジメタノールの15mlトルエン溶液を5gの酸化クロム(V I)担持グラファイト(Seloxcette,Alpha Inorganic)と混合し、窒素下、48 時間還流した。ついで、焼結ガラスフィルターを介して、混合物を濾過し、濾液 を蒸発させた。クロロホルムを用いるシリカゲル上でのクロマトグラフィーおよ び塩化メチレン/エーテルよりの結晶化は、150mgの9,9’−スピロ−9− シラビフルオレン−2,2’−ジカルボアルデヒド(mp.>300℃)と、2 00mgの2’−ヒドロキシメチル−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン− 2−カルボアルデヒド(mp.>260℃)とを与えた。実施例 16: 同一の方法を使用しての、2,2’−ビス(ベンゾフラン−2−イル)−9,9 ’−スピロ−9−シラビフルオレン 実施例14に記載したような、2.7g(22mmol)のサリチルアルデヒドお よび5.4g(10mmol)の2,2’−ビス(ブロモメチル)−9,9’−スピ ロ−9−シラビフルオレンを室温で15mlのDMFに溶解し、0.9g(22. 5mmol)の微粉砕したNaOHとスパチュラの先端程度のKIとを添加した。混 合物を加熱沸騰し、沸騰温度で1時間撹拌した。冷却後、反応溶液を0.5mlの 濃塩酸、7mlの水および7mlのメタノール混合物と混合した。室温で、撹拌を1 時間継続し、結晶質の反応生成物を吸引濾去し、最初に、冷メタノールで、つい で、水で洗浄し、60℃で減圧乾燥した。これは、4.6g(79%)のビスベ ンジルフェニルエーテルを与えた。 6.0g(10mmol)のビスベンジルフェニルエーテルを10mlのトルエン中 新たに蒸留したアニリン2.1g(22.5mmol)と混合した。スパチュラの先 程の量のp−トルエンスルホン酸を加え、水分離器に結合し、水がもはや分離さ れなくなるまで(約3〜5時間)沸騰させた。反応混合物を冷却すると、対応す るビスベンジリデンフェニルアミンが結晶した。それを吸引濾去し、メタノール で洗浄し、60℃で減圧乾燥した。それは、DMFよりの再結晶によってさらに 精製することができる。7.5g(10mmol)のビスベンジリデンフェニルアミ ンと0.62g(11mmol)のKOHとを、窒素下、30mlのDMFに導入する 。続いて、混合物を、撹拌しつつ、100℃に4時間加熱する。室温まで冷却後 、沈殿を濾去し、少量のDMFと水とで洗浄した。減圧乾燥オーブン中60℃で 乾燥後、2,2’−ビス(ベンゾフラン−2−イル)−9,9’−スピロ−9− シラビフルオレンは、メチルベンンゾエートよりの再結晶によって精製した。実施例 17: 2,2’,7,7’−テトラキス(ベンゾフラン−2−イル)−9,9’−スピ ロ−9−シラビフルオレンは、適当に化学量論量を変化させ、実施例1と同様の 方法を使用して製造した。実施例 18: 2,2’,7,7’−テトラフェニル−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレ ン 5.1g(7.9mmol)の2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’−ス ピロ−9−シラビフルオレン、3.86g(31.6mmol)のフェニルホウ素酸(ph enylboronic acid)、331.5mg(1.264mmol)のトリフェニルホスフィ ンおよび70.9mg(0.316mmol)のパラジウムアセテートを65mlのトル エンと40mlの炭酸ナトリウム水溶液(2M)との混合物中でスラリー化した。 混合物を、激しく撹拌しつつ、24時間還流した。室温まで冷却後、それを吸引 濾過し、固体を水で洗浄し、減圧、50℃で乾燥した。これは、2.4gの生成 物を与えた。濾液を50mlのトルエンで抽出し、乾燥した有機相を蒸発乾固させ た。これは、さらに、1.42gの生成物を与えた。 合計収率:3.82g(76%)。実施例 19: 2,2’,7,7’−テトラキス(ビフェニル−4−イル)−9,9’−スピロ −9−シラビフルオレン 5.1g(7.9mmol)の2,2’,7,7’−テトラブロモスピロ−9−シ ラビフルオレン、6.57g(33.2mmol)のビフェニリルホウ素酸(biphenyl boronic acid)、331.5mg(1.264mmol)のトリフェニルホスフィンお よび70.9mg(0.316mmol)のパラジウムアセテートを65mlのトルエン と40mlの炭酸ナトリウム水溶液(2M)との混合物中でスラリー化した。混合 物を、激しく撹拌しつつ、24時間還流した。室温まで冷却後、それを吸引濾過 し、固体を水で洗浄し、減圧、50℃で乾燥した。 収率:5.87g(79%)。実施例 20: 2,2’,7,7’−テトラキス(ビフェニル−4−イル)−9,9’−スピロ −9−シラビフルオレンの合成 還流冷却器と正確なガラス撹拌機とを備えた250mlの2径フラスコに、5. 5gの2,2’,7,7’−テトラブロモスピロ−9−シラビフルオレン、7. 2gの4−ビフェニリルホウ素酸および400mgのテトラキス(トリフェニルホ スフィン)パラジウム(0)を100mlのトルエンと50mlの炭酸カリウム溶液 の混合物中でスラリー化した。正確なガラス撹拌機で撹拌しつつ、保護ガスのガ スシール下で、混合物を8時間還流した。冷却後、生成物を吸引濾去し、沈殿を 水で洗浄し、乾燥した。濾液において、トルエン相を分離し、水相をクロロホル ムで1回振盪した。合わせた有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、蒸発させ、か くして、生成物の第2の画分を与えた。2つの生成物画分は、合わせ(8g)、 クロロホルムに溶解した。クロロホルム溶液を活性炭で沸騰させ、シリカゲルを 入れた短いカラムを介して濾過した。蒸発およびクロロホルム/ペンタンよりの 再結晶は、無色の結晶を与え、これは、UV照明下、青色に蛍光した。融点:4 08℃(DSC)1 HNMR(CDCl3,ppm):7.14(d,J=1.53Hz,4H); 7.75(dd,J=7.93,1.53 Hz,4H); 8.01(d,J=7.93Hz,4H); 7.34(dd,J=7.32,1.37Hz,4H); 7.42(t,J= 7.32Hz,8H); 7.58(24H)。実施例 21: 9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン−2,2’−ジカルボン酸クロライド と5−(4−t−ブチルフェニル)テトラゾールとよりの2,2’−ビス[{5 (p−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾリ−2−イル]−9, 9’−スピロ−9−ジラビフルオレンの合成 (21a)5−(4−t−ブチルフェニル)テトラゾールの合成 還流冷却器を備えた250mlの丸底フラスコに、4.9gのp−t−ブチルベ ンゾニトリル、3.82gの塩化リチウムおよび5.85gのナトリウムアジドな らびに8.2gのトリエチルアンモニウムブロマイドを100mlのDMF中12 0℃に8時間加熱した。室温まで冷却後、100mlの水を加え、混合物を、氷浴 で、希塩酸と、もはや沈殿が形成されなくなるまで、混合した。混合物を吸引濾 過し、沈殿を水で洗浄し、乾燥した。エタノール/水よりの再結晶は、4.4g の無色の結晶を与えた。 (21b)9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン−2,2’−ジカルボン 酸クロライド 還流冷却器と乾燥チューブとを備えた100mlの丸底フラスコで、実施例12 に記載したような、2.1g(5mmol)の9,9’−スピロ−9−シラビフルオ レン−2,2’−ジカルボン酸を20mlの(新たに蒸留した)チオニルクロライ ドおよび3滴のDMFと4時間還流した。冷却後、還流冷却器を蒸留ブリッジと 交換し、過剰のチオニルクロライドを減圧で留去した。40mlの石油エーテル( 沸点:30〜60℃)を残渣に加え、留去し、結晶酸クロライドを残した。 (21c)2,2’−ビス[(5−(p−t−ブチルフェニル)−1,3,4 −オキサジアゾリ−2−イル]−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレン 20mlの無水ピリジンに溶解した2.0g(11mmol)の5−(4−t−ブチ ルフェニル)テトラゾールを、実施例21.bに記載したように、酸クロライド に加え、保護ガス下、混合物を2時間還流した。冷却後、混合物を200mlの水 に注ぎ、2時間放置した。沈殿したオキシジアゾール誘導体を吸引濾去し、水で 洗浄し、減圧で乾燥した。続いて、クロロホルム/酢酸エチル(99:1)を使 用し、それをシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけ、クロロホルム/ペンタ ンより再結晶した。これは、2.3gの無色の結晶を与えた。実施例 22: 実施例19に記載したような、2,2’,7,7’−テトラキス(ビフェニル −4−イル)−9,9’−スピロ−9−シラビフルオレンをクロロホルムに溶解 し(30mg/ml)、スピンコーチング(1,000rpm)により、インジウム、/ 酸化錫(ITO)で被覆されたガラス支持体に適用し、均一で透明なフィルムを 形成した。Mg/Ag(80/20)の電極を、真空蒸着によって、このフィル ムに適用した。ITO電極と金属電極との間に電位を印加すると、金属電極は、 ITO電極と比較して、負の電位を有し、青色のエレクトロルミネセンスが観測 された。実施例 23: 実施例22に記載したように、ITO層(30オーム)上に、真空蒸着によっ て、さらなる試験標品を製造し、以下のパラメータが得られた: 2,2’,7,7’−テトラキス(ビフェニル−4−イル)−9,9’−スピロ −9−シラビフルオレン層の厚さa1=60nm、 アルミニウムトリス(8−−オキシキノリン)層の厚さ:b1=20nm、 Al+Mg(3%)層の厚さ:c1=135nm、 類似の試験標品:a2=60nm、b2=0nm、 a3=41nm,b3=150nm。 3つの試験標品全てが青色のエレクトロルミネセンスを示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ザルベック,ヨーゼフ ドイツ連邦共和国デー−65779 ケルクハ イム,アム・フラックスラント 56 (72)発明者 シェンク,ヘルマン ドイツ連邦共和国デー−65719 ホフハイ ム,ブレッケンハイマー・シュトラーセ 32 (72)発明者 シュテーリン,トマス ドイツ連邦共和国デー−65830 クリフテ ル,フランクフルター・シュトラーセ 14

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 式(I): [式中、Ψは、炭素を除外した周期律表の第4主族の元素であり; K1およびK2は、相互に独立に、共役系である。] で表されるヘテロスピロ化合物のエレクトロルミネセンス装置における使用。 2. 使用されるヘテロスピロ化合物が、式(II): [式中、記号および指数は、以下の意味を有し: Ψは、Si、Ge、Snであり; D、E、F、Gは、同一または異なり、−CR12−、−O−、−S−、−N R3−または化学結合であり; U、Vは、同一または異なり、−CR12−、−O−、−S−、−NR3−、 −SiR12−、−SO2−、−CO−、−CR4=CR5−または化学結合であ るが、ただし、UまたはVのいずれかは、−CR1=CR2−または化学結合であ る; Tは、−O−、−S−、−NR3−、−CR12−、−CH=N−、CA5=C A6−,−CH=CA7−であり; K、L、M、Qは、同一または異なり、共役電子系を有し、ヘテロ原子を含有 することもできる環式または非環式炭化水素基であり; A1、A2、A3、A4は、同一であっても、異なっていてもよく、K、L、M、 Qと同一の意味を有するか、あるいは、水素、フッ素、または、ヘテロ原子を含 有してもよい1個〜22個の炭素原子を有する炭化水素基であり; R1、R2、R3は、同一または異なり、Hであるか、または、1個〜12個の 炭素原子を有する炭化水素基であり、R1およびR2は、合わさって、非置換また は置換された環を形成してもよく; R4、R5は、同一または異なり、R1、R2、R3と同一の意味を有するか、ま たは、フッ素もしくは−CF3であり; R6、R7は、同一または異なり、Hであるか、または、脂肪族または芳香族の 直鎖または分岐鎖であってもよく、また、脂環式元素を含有してもよい、1個〜 22個の炭素原子を有する炭化水素基であるか、あるいは、R6およびR7は、合 わさって、環を形成し; Arは、22個以下の炭素原子を有する芳香族基であり、これら芳香族基の各 々は、1個または2個の基R4、R5で置換されていてもよく; QおよびA1、KおよびA2、LおよびA4、MおよびA3は、また、各々互いに 結合して、飽和もしくは一部不飽和であってもよいか、または、最大不飽和度を 有する環を形成することもできる。] を有する、請求の範囲第1項に記載の使用。 3. 使用されるヘテロスピロ化合物が、式(III): [式中、記号および指数は、以下の意味を有し: Ψは、SiまたはGeであり; K、L、M、Q、Aは、同一または異なり、基: であり、Aは、同一であっても、異なっていてもよく、Rと同一の意味を有し; Rは、同一であっても、異なっていてもよく、K、L、M、Qと同一の意味を 有するか、あるいは、−H、または、1個〜22個の炭素原子を有する直鎖また は分岐鎖アルキル、アルコキシまたはエステル基、−CN、−NO2、−NR23 、−Arあるいは−O−Arであり; Arは、フェニル、ビフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、2−チエニル 、 2−フラニルであり、これら基の各々は、1個または2個の基Rを有してもよく ; m、n、pは、相互に独立に、同一または異なり、0、1、2または3であり ; X、Yは、同一または異なり、CR、Nであり; Zは、−O−、−S−、−NR1−、−CR14−、−CH=CH−、−CH =N−であり; R1、R4は、同一であってもよく、異なっていてもよく、Rと同一の意味を有 し; R2、R3は、同一または異なり、H、あるいは、1個〜22個の炭素原子を有 する直鎖または分岐鎖アルキル基、−Ar、3−メチルフェニルである。] を有する、請求の範囲第1項または第2項に記載の使用。 4. 使用されるヘテロスピロ化合物が、式(IIIa)〜式(IIIg): (IIIa)K=L=M=Qであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択される; (IIIb)K=M=HおよびQ=Lであり、基: からなる群より選択される; (IIIc)K=Mであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2)x−SO3 -(式中、x=2、3または4 )}からなる群より選択され、 および、Q=Lであり、基: からなる群より選択される; (IIId)K=Mであり、基: からなる群より選択され、 および、Q=Lであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択される; (IIIe)K=L=HおよびM=Qであり、基: からなる群より選択される; (IIIf)K=Mであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択され、 および、M=Qであり、基: からなる群より選択される; (IIIg)K=Lであり、基: からなる群より選択され、 および、M=Qであり、基: {式中、R=C1〜C22アルキル、(CH2x−SO3 -(式中、x=2、3また は4)}からなる群より選択される; で表されるヘテロスピロビフルオレン誘導体である、請求の範囲第1項〜第3項 の1項以上に記載の使用。 5. 式(IV): [式中、記号は、以下の意味を有し: Ψは、Si、GeまたはSnであり; A、B、K、L、M、Qは、同一または異なり、基: であり、A、Bは、また、同一であっても、異なっていてもよく、各々は、1個 〜22個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖アルキル、アルコキシまたはエス テル基、−CN、−NO2、−Arまたは−O−Arであり; Rは、−H、あるいは、1個〜22個の炭素原子を有する直鎖、分岐鎖アルキ ル、アルコキシまたはエステル、−CN、−N〇2、−NR23、−Arあるい は−O−Arであり; Arは、フェニル、ビフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、2−チエニル 、2−フラニルであり、これら基の各々は、1個または2個の基Rを有してもよ く; m、n、pは、相互に独立に、同一または異なり、0、1、2または3であり ; X、Yは、同一または異なり、CR、窒素であり; Zは、−O−、−S−、−NR1−、−CR14−、−CH=CH−、−CH =N−であり; R1、R4は、同一であっても、異なっていてもよく、Rと同一の意味を有し; R2、R3は、同一または異なり、H、または、1個〜22個の炭素原子を有す る直鎖または分岐鎖アルキル基、−Ar、あるいは、3−メチルフェニルである 。]で表されるヘテロスピロ化合物。 6. ヘテロスピロ化合物が、発光層として働く、請求の範囲第1項〜第4項の 1項以上に記載の使用。 7. ヘテロスピロ化合物が、移動層として働く、請求の範囲第1項〜第4項の 1項以上に記載の使用。 8. ヘテロスピロ化合物が、電荷注入のために働く、請求の範囲第1項〜第4 項の1項以上に記載の使用。 9. 請求の範囲第1項〜第4項の式(I)〜式(III)で表される1種以上 のヘテロスピロ化合物を含むエレクトロルミネセンス物質。 10. 請求の範囲第1項〜第4項の1項以上に記載した式(I)〜式(III )で表される1種以上のヘテロスピロ化合物を含む活性層を含むエレクトロルミ ネセンス装置。 11. 活性層が、発光層である、請求の範囲第9項に記載のエレクトロルミネ センス装置。 12. 活性層が、移動層である、請求の範囲第9項に記載のエレクトロルミネ センス装置。 13. 活性層が、電荷注入層である、請求の範囲第9項に記載のエレクトロル ミネセンス装置。
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