JPH10510095A - プラズマ発生方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 半導体製造に使用するためのプラズマ発生装置は、第一の位相及び第一の振幅を有する第一の励起電流を出力するための第一の高周波励起源を含む。その装置は更に、第二の位相及び第二の振幅を有する第二の励起電流を出力するための第二の高周波励起源と、第一の励起電流及び第二の励起電流をそれぞれ受け取るための第一端及び第二端を有するプラズマ発生要素とを含む。その装置は、第一の位相と第二の位相との間の所望の位相差を示すユーザ可変信号を受け取るための制御入力を有する制御回路を含む。制御回路は、制御入力に応答して第一の高周波励起源及び第二の高周波励起源のいずれか一方に、第一の位相及び第二の位相のいずれか一方をそれぞれ制御するための制御信号を出力する。それにより、第一の位相と第二の位相との間に実際の位相差を生じさせて、所望の位相差に実質的に近似させる。その際、第一の位相と第二の位相とが逆位相にあるとき、装置は本質的に誘導結合装置になる。第一の位相と第二の位相とが同位相にあるとき、装置は本質的に容量結合装置になる。最後に、第一の位相と第二の位相とが同位相と逆位相との間においてある角度だけ異なるとき、装置は誘導結合と容量結合との組み合わせ装置になる。

Description

【発明の詳細な説明】 プラズマ発生方法及び装置 背景技術 本発明は、半導体の製造に通常使用される低圧プラズマ装置においてプラズマ を誘発するための方法及び装置に関する。より具体的には、本発明は、誘導結合 及び／又は容量結合の組み合わせを達成するために、プラズマ発生要素を可変制 御するための方法及び装置に関する。 エッチング、酸化、陽極酸化、化学蒸着（ＣＶＤ）などのためのプラズマ強化 半導体プロセスが公知である。 図１は、プラズマ発生用の誘導コイルを用いたプラズマ発生装置である化学エ ッチ反応器１００の例を示す。反応器１００はコイル装置１０２及びチャンバ１ ２４を含む。コイル装置１０２は、高周波発生器１１０のバイアスにより電極と して働くコイル素子１０６を含む。コイル素子１０６は、コイル素子１０６のイ ンピーダンスを高周波発生器１１０のインピーダンスに整合させるための整合回 路１０８とに結合されている。インピーダンスが整合されることにより、高周波 発生器１１０が電力を効率的にコイル素子１０６に送ることができる。グランド への経路を提供するため、チャンバ１２４のチャンバ壁は通常、接地される。あ るいはまた、プラズマを閉じ込めるとき、接地経路は、下側の電極、例えば図１ のチャック１２８を介して設けてもよい。 通常、チャンバ１２４の中は真空である。シャワーヘッド１２６が、チャック １２８及びチャック１２８によって支持されるウェハ１３４の上方に設けられて いる。チャック１２８は第二の電極として働き、好ましくは、整合ネットワーク １２２を介して、その独立した高周波回路１２０によってバイアスされている。 図１及び本明細書の他の図面に記す部品は、例示及び説明を容易にするために、 代表的に示すだけであることを覚えておくべきである。実際には、コイル素子１ ０６及び整合回路１０８は通常チャンバ１２４の付近に配置されるが、ＲＦ発生 器１１０は、いずれか適当な場所に配置することができる。 シャワーヘッド１２６は、蒸着物質をウェハ１３４上に分配するための装置で ある。シャワーヘッド１２６は、好ましくは、動作中、それ自体とウェハ１３４ との間にあるＲＦ誘発プラズマ領域に気体原料を放出するための複数の孔（通常 はシャワーヘッド１２６の周縁にある）を含む。一つの実施態様では、シャワー ヘッド１２６は水晶からなるが、他の適当な物質から形成されてもよく、電気的 に浮かせたままでもよいし、接地されたままでもよい。 従来技術には、容量結合プラズマ装置がある。誘導結合プラズマは、低圧プロ セスにより好適な高プラズマ密度を発生させる。従来技術では、コイル装置１０ ２の第一のコイル端１３０と第二のコイル端１３２の相対位相は、コイルの電気 的長さと動作周波数との関数であり、その結果、相対的に固定である。 しかし、そのプラズマを誘導的又は容量的に結合するように予め設定されたプ ラズマ発生装置には、本来、限界がある。最新の製造プロセスは、半導体回路を 製造するのに使用される装置側に融通性のあることが要求される。その結果、誘 導装置、容量装置又は誘導結合と容量結合との組み合わせを提供する装置のいず れとしても構成することができるプラズマ発生装置を融通性のある方法で提供す る試みがなされてきた。 一例として、従来技術には、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマを生成す るためにコンデンサ４個を使用する制御回路がある。本質的にアナログ方式であ るこの従来技術の制御回路は、１個以上のコンデンサのキャパシタンスを変える ことによってコイルの結合を制御する。 前述の制御方式にはいくつか利点はあるが、その方式は、付随する多くの問題 を生じさせる電気機械的手法である。例えば、従来技術のアナログ制御回路では 、設定パラメータが個々の反応器に関連する特定の測定値に依存するため、コン デンサを設定することは困難である。 更に、誘導結合／容量結合の所望の組み合わせを提供する従来技術の電気機械 的手法は固定である。従って、誘導結合及び／又は容量結合の異なる組み合わせ が要求されるような用途が融通性のある簡単な方法で受け入れるように変更を加 えることは困難である。最も重大なこととしては、従来技術の電気機械的手法を 使用して、誘導結合と容量結合との組み合わせを時間の関数として変化させるこ とは困難である。 上記の点で、ある一つのプラズマ発生装置で誘導結合及び／又は容量結合の可 変的な組み合わせを融通性のある簡単な方法で達成する新規な装置及び方法が望 まれる。 発明の概要 本発明は、一つの実施態様において、第一の位相及び第一の振幅を有する第一 の励起電流を出力するための第一の高周波励起源を含む、半導体製造に使用する ためのプラズマ発生装置に関する。本発明の装置は更に、第二の位相及び第二の 振幅を有する第二の励起電流を出力するための第二の高周波励起源と、第一の励 起電流及び第二の励起電流をそれぞれ入力するための第一端及び第二端を有する プラズマ発生要素とを含む。 本発明の装置は、更に第一の位相と第二の位相との所望の位相差を示すユーザ 可変信号を入力するための制御入力を有する制御回路を含む。制御回路は、制御 入力に応答して、第一の位相及び第二の位相のいずれか一方をそれぞれ制御する ための制御信号を第一の高周波励起源及び第二の高周波励起源のいずれか一方に 出力する。それにより、第一の位相と第二の位相との間の実際の位相差を生じさ せて、所望の位相差に実質的に近似させる。その際、第一の位相と第二の位相と が逆位相であるとき、装置は本質的に誘導結合装置となる。第一の位相と第二の 位相とが同位相であるとき、装置は本質的に容量結合装置となる。最後に、第一 の位相と第二の位相とが同位相と逆位相との間においてある角度だけ異なるとき 、装置は誘導結合と容量結合との組み合わせ装置となる。 別の実施態様では、本発明は、第一の高周波励起源を使用して第一の励起電流 を発生させる工程を含む、プラズマ強化半導体プロセスに使用するためのプラズ マ発生方法に関する。第一の励起電流は、第一の位相及び第一の振幅を有してい る。更に、本発明は、第二の高周波励起源を使用して、第二の位相及び第二の振 幅を有する第二の励起電流を発生させる工程を含む。 本発明の方法は、更に第一の励起電流及び第二の励起電流を、第一の励起電流 及び第二の励起電流をそれぞれ入力するための第一端及び第二端を有するプラズ マ発生要素に供給する工程を含む。付加的に、制御回路を使用して、第一の励起 電流及び第二の励起電流のいずれか一方を制御する工程が設けられている。制御 回路は、第一の位相と第二の位相との間の所望の位相差を示す信号を入力するた めの制御入力を有する。 制御回路は、制御入力に応答して、第一の高周波励起源及び第二の高周波励起 源のいずれか一方に、第一の位相及び第二の位相のいずれか一方をそれぞれ制御 するための制御信号を出力し、それにより、第一の位相と第二の位相との間に実 際の位相差を生じさせて、所望の位相差に実質的に近似させる。その際、第一の 位相と第二の位相とが逆位相にあるとき、その方法では本質的に誘導結合プラズ マが発生する。第一の位相と第二の位相とが同位相にあるとき、その方法では本 質的に容量結合プラズマが発生する。最後に、第一の位相と第二の位相とが同相 と逆相との間においてある角度だけ異なるとき、その方法では誘導結合プラズマ と容量結合プラズマとの組み合わせが発生する。 本発明のこれら及びその他の利点は、以下の詳細な説明を考察し、各図面を参 照することによって明白になるであろう。 図面の簡単な説明 図１は、プラズマ発生用の誘導コイルを用いるプラズマ発生装置である化学エ ッチ反応器を例示する。 図２は、本発明の一つの実施態様のプラズマ発生装置の図である。 図３は、３個の可変コンデンサをＴ字形配置で使用する整合回路の一つの実施 態様の例を示す。 図４は、二つの信号ＲＦ１及びＲＦ２を、それらの位相を含めて示すグラフで ある。 図５Ａ〜５Ｃは、ＲＦ励起源によって種々の位相角で出力される励起電流を、 その結果としての結合（記号形式）とともに示す。 図６は、プラズマ発生要素の一端の電位レベルを測定するための電圧プローブ の一つの実施態様を示す。 図７は、導体を通過する電流を測定するための電流プローブの一つの実施態様 を示す。 図８は、本プラズマ発生装置のもう一つの実施態様を示す。 図９は、直交位相検出を用いる位相検出方式を示す。 図１０は、直交位相検出に伴う利点を説明するための、２個のベクトルが示さ れている回転フェーザー図を示す。 好ましい実施態様の詳細な説明 図１は、プラズマ発生用の誘導コイルを用いるプラズマ発生装置である化学エ ッチ反応器１００を例示する。 図２は、本発明の一つの実施態様のプラズマ発生装置の図である。まず図２を 参照すると、プラズマ発生要素２０２を含むプラズマ発生装置２００が示されて いる。プラズマ発生要素２０２は、一つの実施態様では、誘導コイル、例えばＴ ＣＰ^TM（変成器結合プラズマ）コイルとして知られるものであるが、本発明のプ ラズマ発生装置は、いかなるタイプの誘導プラズマ発生要素をも含むように拡充 することができる。コイルそのものは、アルキメデスらせん形状を含むあらゆる 形状を有するものでもよい。更には、プラズマ発生要素２０２は、平面状である ことが好ましいが、非平面プラズマ発生要素であってもよい。 プラズマ発生要素２０２の第一端２０４には、測定装置２０６が結合されてい る。測定装置２０６は、第一端２０４の電圧を測定する。しかし、一つの実施態 様では、測定装置２０６は、電流、位相、ベクトルインピーダンスなど他の電気 的パラメータを測定するように構成してもよい。同様に、プラズマ発生要素２０ ２の第二端２０８には、第二の測定装置２１０が結合されている。測定装置２０ ６と同様に、測定装置２１０は、電圧を測定するのに使用される。しかし、第二 端２０８における電流、位相、ベクトルインピーダンスならびに他の所望の電気 的パラメータの測定値も必要に応じて得ることもできる。 一つの具体例では、測定装置２０６及び２１０は、プラズマ発生要素２０２の 両端の電圧を測定するための電圧プローブである。これらの電圧測定値は、測定 電流の表示であることが好ましい。（本明細書中「電流」は、測定可能な電圧レ ベルで起こる電気エネルギーの流れを指す場合にも使用される）。従って、電流 は、プラズマ発生装置２０２の両端に存在する励起電流と同じ波形を有している ことが好ましい。電圧測定値は、本実施態様では、制御回路２２０によりこれら ２端の励起電流間の位相差を確かめるためのフィードバック信号として使用され る。確認された位相差に応じて、制御回路２２０が制御信号をＲＦ励起源２２３ 及び２２５のいずれか一方又は両方に供給して、電流出力の位相を変化させる。 それにより、コイル端において所望の位相差を達成することができる。その際、 誘導結合及び／又は容量結合の所望の組み合わせが得られる。 従来技術の電気機械的手法とは異なり、制御回路２２０は、電子制御装置、例 えば半導体で具体化される。制御回路２２０が電子的に具体化されることにより 、本発明のプラズマ発生装置は、従来技術を上回る多数の利点を有している。例 えば、プラズマ発生要素によって提供される誘導結合及び／又は容量結合の種々 の組み合わせをより精細に得ることが可能である。所望により、これらの組み合 わせを時間的に変化させる、すなわち、組み合わせ又は結合モードの間でパルス 動を起こさせることも可能である。論じたように、これらの性能は、従来技術の 電気機械的制御方法にはないものであった。 励起電流は、高周波（ＲＦ）励起源２２３及び２２５によってプラズマ発生要 素２０２にそれぞれ提供される。ＲＦ励起源２２３は、ソース電流を供給するた めのＲＦ発生器２２２を設えている。このソース電流は、整合回路２２６を通過 したのち、励起電流の一方としてプラズマ発生要素２０２の一端に入力される。 同様に、ＲＦ励起源２２５は、もう一方の励起電流のソースであるＲＦ発生器２ ２４を含む。ＲＦ発生器２２４によって出力された電流は、整合回路２２８を通 過して、もう一方の励起電流をプラズマ発生要素２０２の他端に供給する。 ＲＦ発生器２２２及び２２４は、市販の高周波発生器であってもよいが、好ま しくは、位相入力を有するもの、例えば米国コロラド州 フォートコリンズ(For t Collins)のアドバンスド エナジー インダストリー(Advanced Energy Indus tries)社から市販されているＡＥモデルＲＦＧ１２５０であることが好ましい。 以下更に詳細に説明するように、本発明のプラズマ発生装置は、ＲＦ発生器位相 入力を使用して、そのプラズマ用の容量結合及び／又は誘導結合の組み合わせを 適用性をもちつつ達成する。 固定容量結合／誘導結合の組み合わせを発生するために１個の発生器及び１個 の整合ネットワークのみを使用する従来技術のプラズマ発生装置とは異なり、本 発明が、プラズマ発生要素の２端に対して２個の高周波発生器及び２個の整合ネ ットワークを使用するということに注目されたし。このため、これらの２端での 相対位相の制御における融通性が実質的に高められる。プラズマ発生要素の２端 が異なる位相であるように、プラズマ発生要素そのものに対するエネルギーが制 御されるため、必要に応じてプロセス実行中であっても、プラズマ発生要素にお いて発生可能な波形のタイプは実質的に制限されない。プラズマに対する付随の 制御を用いて、プラズマ用の容量結合／誘導結合の種々の組み合わせを得る能力 が実質的に有効的に高められる。 上記したように、整合回路の機能は、本質的には、ＲＦ発生器の出力インピー ダンスをプラズマ発生要素の入力インピーダンスに整合させることである。一例 として、プラズマ発生要素２０２は、例えば約２〜３Ωの入力インピーダンスを 有する。しかし、最新の発生器は通常、約５０Ωで動作する。これらのインピー ダンスを整合させることにより、整合回路は、ＲＦ発生器、例えばＲＦ発生器２ ２２又は２２４がそのプラズマ発生要素に効率的に電力を送ることを可能にする 。 一つの実施態様では、整合回路２２６及び２２８は、変成器ネットワークによ って具体化される。もう一つの実施態様では、整合回路２２６及び２２８は、固 定非同調式整合ネットワークであり、そのネットワークは、プラズマ状態に要求 される電流及び電圧ヘッドルームを提供する発生器を有している。しかし、本発 明の範囲及び真髄を逸することなく、連続同調性式はスイッチ同調式の要素を整 合回路２２６及び２２８に用いることももし適切であるならば考慮される。 制御回路２２０は更に、所望の位相差を示す信号を入力する制御入力である位 相入力端子２３２を含む。一つの実施態様ではまた、振幅制御信号をＲＦ発生器 ２２２及びＲＦ発生器２２４に発生させるために所望の振幅が制御回路２２０に 入力される。振幅が変化すると、コイル中の電力の中心−エッジ間分布が対応的 に変化する。コイル中の電力の中心−エッジ分布を動的に制御する能力によって 、例えば密度などのプラズマパラメータが動作時に適応的かつ正確に制御される ので、プラズマプロセスに対してより大きな制御が提供される。 動作中、測定装置２０６及び２１０によって得られた電気的測定値は、制御回 路２２０により、第一端２０４の位相と第二端２０８の位相との差を確かめるの に使用される。そして、制御回路２２０は、プラズマ発生要素の端部の確認され た位相差と、位相入力端子２３２における所望の位相差とに応じて、ＲＦ発生器 ２２２及び２２４のいずれか一方又は両方に制御信号を出力する。この制御信号 は、ＲＦ発生器の位相入力に入力されて、ＲＦ発生器出力の位相が変化する。 一つの実施態様では、ＲＦ発生器２２２は、固定位相基準を整合ネットワーク ２２６を通過し、かつ、プラズマ発生装置２００が動作する周波数を経て提供す る。プラズマ発生装置２００中の他のＲＦ発生装置、例えばＲＦ発生器２２４も また、同じ周波数で動作する。しかし、ＲＦ発生器２２４の位相及び振幅は、そ の位相入力によって変化させることができる。この実施態様では、プラズマ発生 要素２０２の２端の位相差を変化させるには、制御回路２２０からの制御信号を 、ＲＦ発生器の一方、例えばＲＦ発生器２２４に入力するだけでよい。 しかし、他の実施態様では、ＲＦ発生器２２２及び２２４の両方が、それらの 位相入力に応じて、可変性の出力位相及び振幅を有するように構成されてもよい 。この場合、制御回路２２０は、複数の制御信号を生成して、プラズマ発生装置 ２００中の多数のＲＦ発生器を個々に制御することが好ましい。 第一端２０４と第二端２０８とが同位相、すなわち同じ相にあるようにＲＦ発 生器２２２及びＲＦ発生器２２４が制御されると、プラズマ発生要素２０２には 電流は流れなく、結合は純粋に容量結合になる。他方、ＲＦ発生器２２２及びＲ Ｆ発生器２２４が、それぞれの位相が逆位相、すなわち１８０°ずれた位相にあ るように制御されると、結合は純粋に誘導結合になり、容量結合はほとんどなく なる。同位相と逆位相との間の状況では、誘導結合／容量結合の組み合わせを得 ることができる。正確な組み合わせは、本実施態様では、位相入力端子２３２に 存在する所望の位相差を表す入力信号に依存する。 図３は、３個の可変コンデンサ３０２、３０４及び３０６をＴ字形配置で使用 する整合回路３００の一つの実施態様の例を示す。整合回路３００は、例えば、 図２のプラズマ発生装置２００の整合回路２２６又は整合回路２２８を具体化す るのに使用することができる。図３に示すように、Ｔ字形のコンデンサネットワ ークの一端がＲＦ発生器に結合され、他端がプラズマ発生要素に接続されている 。これらの２個のコンデンサの間に、第三のコンデンサがグランドに接続されて いる。ＲＦ発生器の出力インピーダンスとプラズマ発生要素の入力インピーダン スとの間で正しい整合が達成されるように、可変コンデンサ３０２、３０４及び ３０６が個々に調節される。図３Ａは例としてのみ示されており、当該技術に知 られる他の整合ネットワーク設計を本発明のプラズマ発生装置に用いてもよいこ とを留意すべきである。 更に、図４は、２つの信号ＲＦ１及びＲＦ２を、それらの位相を含めて示すグ ラフである。信号ＲＦ１は、例えば、プラズマ発生要素２０２の一端に供給され る励起電流の位相を表し、信号ＲＦ２は、プラズマ発生要素の他端に供給される 励起電流の位相を表す。図４に示すように、信号ＲＦ１及びＲＦ２は、実質的に 同じ周波数を有するが、位相においては角度Ａだけ異なる。先に述べたように、 位相におけるこの差が、プラズマ発生要素２０２によって提供される結合が、純 粋に誘導結合になるのか、純粋に容量結合になるのか、又はそれらの組み合わせ になるかを決定する。 説明しやすくするため、信号ＲＦ１及びＲＦ２の振幅は実質的に同じものとし て示すが、その必要はないことを留意すべきである。実際には、ＲＦ発生器によ って出力される信号の振幅に対するユーザ制御が本発明の一つの重要な側面であ るものと考えられる。一つの実施態様では、ＲＦ発生器の出力信号の所望の振幅 は、振幅制御信号を生成するのに使用するため、制御回路２２０に入力すること ができる。この振幅制御信号は逆に、一方又は両方のＲＦ発生器から所望の振幅 を有する信号を出力させるのに使用することができる。 ＲＦ励起源、例えば図２の励起源２２３及び２２５によって種々の位相で出力 される励起電流を図５Ａ〜５Ｃに示す。それらに対応して、出力位相によって生 じた結合をも示す（記号形式）。図５Ａでは、プラズマ発生要素の両端への励起 電流は、逆位相、すなわち相が１８０°ずれた状態にある。従って、図５Ａに記 号で示すように、結合は純粋に誘導結合である。 図５Ｂでは、励起電流は、それらの位相が０°〜１８０°の角度だけずれてい る。その結果、得られる結合は、図５Ｂに記号で示すように、誘導結合かつ容量 結合である。図５Ｃでは、励起電流は同位相にある。すなわち、０°ずれている 。従って、図５Ｃに記号で示すように、結合は純粋に容量結合である。 図６は、プラズマ発生要素の端部の電位レベルを測定するための電圧プローブ ３９０の一つの実施態様を示す。電圧プローブ３９０は、例えば、図２の測定装 置２０６又は測定装置２１０である。ここで図６を参照すると、電圧プローブ３ ９０は、地面と点３９２との間に直列に配された２個のコンデンサ４００及び４ ０２を含む。点３９２は、測定すべき電位を有する点、例えばプラズマ発生要素 の端部である。コンデンサ４００及び４０２は、測定される信号と同じ波形を有 する測定信号を出力するためのコンデンサ分周器ネットワークとして機能するこ とは明らかである。 一つの実施態様では、コンデンサ４００及び４０２は、好ましくは、小さなコ ンデンサ、例えばコンデンサ４００の場合には１０pf、コンデンサ４０２の場合 には約９９０pfが選択される。これらのコンデンサは、測定される信号の電気的 特性に対して不必要に影響を与えるのを避けるために小さいことが好ましい。こ の例では、導体４０２の測定信号は、ノード３９２の振幅のわずか１％しかない にもかかわらず、ノード３９２と同じ波形を有している。図５は、導体の電圧を 測定するための一つの方式を表すだけであり、本明細書に記載する目的に適する 公知の方式が他にもあることに留意すべきである。 図７は、導体を通過する電流を測定するための電流プローブ４９０を一つの実 施態様で示す。電流プローブ４９０は、例えば、測定装置２０６又は測定装置２ １０を具体化するのに使用することができる。最高の精度を得るためには、測定 装置、例えば電流プローブ４９０は、コイルの端に近付けることが好ましいが、 これは絶対的な要件ではない。ここで図７を参照すると、測定すべき電流を伝搬 するための導体５００が示されている。測定すべき電流は、例えば、プラズマ発 生要素の一端に提供される励起電流である。好ましくはフェライトからなるトロ イド５０４が導体５００を包囲している。トロイド５０４には、指定された回数 だけ導体５０２が巻かれている。説明しやすくするため、５０回の巻きが任意に 選択されている。そのとき、導体５０２の中の電流は、導体５００を流れる電流 を、導体５０２がトロイド５０４に巻かれた回数あるいは巻線の回数で割ったも の、すなわち導体５００を通過する電流の１／５０である。導体５０２中のこの 電流は更に、導体５００中の電流と実質的に同じ波形を有している。 導体５０２中を流れる電流は、例えば図２の制御回路２２０により、制御を目 的として、ＲＦ発生器の一方又は両方への出力用の適切な振幅及び位相制御信号 を生成するのに使用される。図７の電流プローブは例を示すためのものであり、 信号の電流の測定を行うための、同様に適当である他の公知の方式が存在するこ とに留意すべきである。 図８は、本発明のプラズマ発生装置２００の別の実施態様を示す。図８では、 制御回路６０６が位相比較回路６０８及び位相誤差増幅器６１０によって具体化 されている。プラズマ発生要素２０２、測定装置２０６及び２１０ならびに整合 回路２２６及び２２８は、図２に示すものと実質的に同様である。しかし、高周 波（ＲＦ）発生器６０２は、図８の例では固定位相発生器として具体化されてい るが、ＲＦ発生器６０４は、可変位相発生器として具体化されている。そのため 、可変位相ＲＦ発生器６０４は、導体６１２上の位相入力信号を入力することが でき、その位相が導体６１２上の位相入力信号によって示される位相値に反映さ れた電流を発生させる。 位相比較回路６０８は、二つの信号の位相を比較するための公知の回路である 。一例として、図９は、直交位相検出を用いる位相検出方式を表す。図８の具体 例では、位相比較回路は、ミキサ回路６２０及び低域フィルタ回路６２２を含む 。ミキサ回路６２０は、公知のミキサ回路技術によって具体化されてもよい。ミ キサ回路６２０は、測定装置２０６及び２１０から測定信号を入力し、その測定 信号の位相を比較して、位相角を表すミキサ出力信号を出力する。図８の具体例 では、測定装置２０６及び２１０は、プラズマ発生要素２０２の端部の電圧を測 定するための電圧プローブである。しかし、先に述べたように、測定装置２０６ 及び２１０は、他の電気的パラメータ（特に電流）を測定するように構成するこ ともできる。 そして、ミキサ出力信号が低域フィルタ回路６２２に入力される。ミキサ回路 ６２０と同様に、低域フィルタ回路６２２もまた、公知の低域ろ波技術を用いて 具体化することができる。その場合、低域フィルタ回路６２２は位相差信号を出 力し、この信号が位相誤差増幅回路６１０に入力される。 ＲＦ発生器６０２及び６０４によって生じる電流間の所望の位相差が端子６１ ４に入力される。そして、この所望の位相差信号と、位相比較回路６０８の低域 フィルタ回路６２２から出力される位相差信号とに応じて、位相誤差増幅器回路 ６１０は、制御信号を導体６１２に出力し、この信号が、位相入力信号として、 可変位相ＲＦ発生器６０４に入力される。多様な公知の制御及び増幅回路によっ て具体化することができる位相誤差増幅器回路６１０は、ＲＦ発生器６０２によ る電流出力の位相と所望の位相差値（端子６１４の入力）に等しい量だけ異なる 位相を有する出力電流を可変位相ＲＦ発生器６０４において発生させる制御信号 を生成する回路である。 このようにして、所望の位相差値に実質的に近似する位相差が生じるように、 可変位相発生器６０４の位相が変化する間、ＲＦ発生器６０２の出力電流の位相 が固定される。端子６１４の所望の位相差値の入力信号が変化するとき、ＲＦ発 生器６０２及び６０４によって出力される電流の位相間の実際の位相差が対応的 に変化して、プラズマ励起用の誘導結合及び容量結合の種々の組み合わせを生じ させる。 図９は、二つの測定信号の間の位相差を確認するために直交位相検出を用いる 別の制御回路を示す。ここで図９を参照すると、例えば図２の測定装置２０６及 び２１０の二つの測定信号が加算回路９０２及び９０４に入力される。加算回路 ９０２及び９０４のそれぞれは、入力信号を二つの信号に分割して直交位相比較 が容易となるように構成されている。例えば加算回路９０２を参照すると、二つ の実質的に同一の信号９０６及び９０８が生成される。予想されるとおり、信号 ９０６及び９０８それぞれの振幅は、加算回路９０２に入力される測定信号より も約３dB低い（一つの実施態様では約０．５dBである加算回路での損失は無視す る）。理由は、加算回路の各出力信号の電力は、その入力信号の電力の約半分で あるからである。そして、信号９０８が移相器回路９１０に入力され、この移相 器回路が、一つの実施態様では、信号９０８の位相を約９０°遅延させる。移相 器回路９１０は、図示するように、移相信号９１１を出力する。 加算回路９０４は、実質的に互いに同一である二つの信号９１２及び９１４を 出力する。信号９１４は、加算回路９０２からの信号９０６とともにミキサ回路 ９２０によって処理される。信号９１２は、移相信号９１１とともにミキサ回路 ９２２によって処理される。ミキサ回路９２０及び９２２は、その入力信号間の 位相差を検出するようにそれぞれ機能し、ミキサ出力信号を出力する。そして、 ミキサ回路９２０及び９２２からのミキサ出力信号は、それぞれ低域フィルタ９ ３０及び９３２によってろ波されて、ミキサ出力信号のＤＣ成分が導出される。 次に、低域フィルタ９３０及び９３２によって出力された信号は信号処理回路 ９５０によって処理されて、可変ＲＦ発生器、例えば図２の可変ＲＦ発生器２２ ４を制御するための制御信号が導出される。一つの実施態様では、信号処理回路 は、位相誤差検出回路を含む。信号処理回路９５０への制御入力は、図８に記し た制御入力と実質的に同一であり、所望の位相差を示すのに使用される。 図９の制御回路は、二つの測定信号の入力振幅における差が実質的に正規化さ れるため、改善された位相微分を容易にするのに有効である。説明のため、図１ ０は、２個のベクトルＡ及びＢが示されている回転フェーザー(Phasor)の図を示 す。ベクトルＡは、低域フィルタ９３０が出力する信号の位相を表す。他方、ベ クトルＢは、低域フィルタ９３２が出力する信号の位相を表す。任意の時点で、 ベクトルＡは、例えば固定位相ＲＦ発生器によって発生することができる基準位 相からφ１°だけ離れている。ベクトルＢは、ベクトルＡよりも９０°遅延（又 は先行）し、基準位相からφ２°だけ離れている。φ１とφ２とは、式 ｃｏｓ²φ１＋ｓｉｎ²φ２＝１ に従って互いに関連しているため、任意の時点で二つの位相の間の実際の位相の 関係を、図１０のフェーザー図上におけるそれらの入力振幅及びそれらの絶対位 置における差にかかわらず、より正確に決定することができる。 図８及び９の部品は回路及び信号の点で説明するが、そのような部品は、実際 には、特定の手段では、デジタルデータで動作するデジタル回路でもよいことに 留意すべきである。デジタル回路による信号処理を容易にするためのＡ／Ｄ変換 器の使用は公知であり、図８及び９の回路の全部又は一部を具体化するのに用い ることができる。 いくつかの好ましい実施態様の点で本発明を説明したが、本発明の範囲に該当 する変形、変更及び同等物が存在する。本発明の方法及び装置を実現するには数 多くの代替方法があることに留意すべきである。従って、以下に添付の請求の範 囲は、本発明の真髄及び範囲に該当するような変形、変更及び同等物をすべて包 含するとして解釈されることが意図される。

───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 相との間においてある角度だけ異なるとき、装置は誘導 結合と容量結合との組み合わせ装置になる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．半導体製造に使用するためのプラズマ発生装置であって、 第一の位相及び第一の振幅を有する第一の励起電流を出力するための第一の高 周波励起源と、 第二の位相及び第二の振幅を有する第二の励起電流を出力するための第二の高 周波励起源と、 前記第一の励起電流及び前記第二の励起電流をそれぞれ受け取るための第一端 及び第二端を有するプラズマ発生要素と、 前記第一の位相と前記第二の位相との間の所望の位相差を示すユーザ可変信号 を受け取る制御入力を有する制御回路と、前記制御回路は、前記制御入力に応答 して、前記第一の高周波励起源及び前記第二の高周波励起源のいずれか一方に、 前記第一の位相及び前記第二の位相のいずれか一方をそれぞれ制御するための制 御信号を出力して、それにより、前記第一の位相と前記第二の位相との間に実際 の位相差を生じさせて、前記所望の位相差に実質的に近似させ、それにより、前 記第一の位相と前記第二の位相とが逆位相にあるとき、前記装置が本質的に誘導 結合装置となり、前記第一の位相と前記第二の位相とが同位相にあるとき、前記 装置が本質的に容量結合装置となり、前記第一の位相と前記第二の位相とが同位 相と逆位相との間においてある角度だけ異なるとき、前記装置が誘導結合と容量 結合との組み合わせ装置となることと、を備えるプラズマ発生装置。 ２．前記第一の高周波励起電流及び前記第二の高周波励起電流のそれぞれが、 高周波発生器と、 前記高周波発生器に接続され、前記高周波発生器の出力インピーダンスを前記 プラズマ発生要素の入力インピーダンスと整合させて、前記高周波発生器による 電力供給を最適化するための整合回路とを含む請求項１に記載のプラズマ発生装 置。 ３．前記第一端及び前記制御回路と接続され、前記第一の位相を示す第一の測 定信号を前記制御回路に出力する第一の測定装置と、 前記第二端及び前記制御回路と接続され、前記第二の位相を示す第二の測定信 号を前記制御回路に出力する第二の測定装置と、それにより、前記第一の測定信 号及び前記第二の測定信号が、前記制御回路による前記制御信号の導出に利用さ れることと、を更に備える請求項２記載のプラズマ発生装置。 ４．前記第一の位相が固定であり、前記第二の位相が前記制御信号に応じて可 変性である請求項３に記載のプラズマ発生装置。 ５．前記プラズマ発生要素が平面コイルである請求項３に記載のプラズマ発生 装置。 ６．前記プラズマ発生要素が非平面コイルである請求項３に記載のプラズマ発 生装置。 ７．前記第一の測定装置が電圧プローブである請求項３に記載のプラズマ発生 装置。 ８．前記第一の測定装置が電流プローブである請求項３に記載のプラズマ発生 装置。 ９．前記制御回路は、 前記第一の測定装置及び前記第二の測定装置に接続され、位相差信号を生成す るための位相比較回路と、 前記位相比較回路、前記制御入力並びに前記第一の高周波励起源及び前記第二 の高周波励起源のいずれか一方に接続され、前記位相差信号及び前記制御入力に 応答して前記制御信号を生成する位相誤差増幅器とを含む請求項３に記載のプラ ズマ発生装置。 １０．前記位相比較回路は、 前記第一の測定信号及び前記第二の測定信号に接続され、ミキサ出力信号を生 成するためのミキサ回路と、 前記ミキサ回路に接続され、前記ミキサ出力信号に応答して前記位相差信号を 生成するための低域フィルタとを含む請求項９に記載のプラズマ発生装置。 １１．前記位相比較回路が直交位相検出を用いる請求項９に記載のプラズマ発 生装置。 １２．プラズマ強化半導体プロセスに使用するためのプラズマ発生方法であっ て、 第一の高周波励起源を使用して、第一の位相及び第一の振幅を有する第一の励 起電流を生成する工程と、 第二の高周波励起源を使用して、第二の位相及び第二の振幅を有する第二の励 起電流を生成する工程と、 前記第一の励起電流及び前記第二の励起電流をプラズマ発生要素に提供する工 程と、前記プラズマ発生要素は、前記第一の励起電流及び前記第二の励起電流を それぞれ受け取るための第一端及び第二端を有していることと、 制御回路を使用して前記第一の励起電流及び前記第二の励起電流のいずれか一 方を制御する工程と、前記制御回路は、前記第一の位相と前記第二の位相との間 の所望の位相差を示す信号を受け取るための制御入力を有し、前記制御入力に応 答して前記第一の高周波励起源及び前記第二の高周波励起源のいずれか一方に、 前記第一の位相及び前記第二の位相のいずれか一方をそれぞれ制御するための制 御信号を出力し、それにより、前記第一の位相と前記第二の位相との間に実際の 位相差を生じさせて、前記所望の位相差に実質的に近似させることと、 それにより、前記第一の位相と前記第二の位相とが逆位相にあるとき、前記方 法は本質的に誘導結合プラズマを発生させ、前記第一の位相と前記第二の位相と が同位相にあるとき、前記方法は本質的に容量結合プラズマを発生させ、前記第 一の位相と前記第二の位相とが同位相と逆位相との間においてある角度だけ異な るとき、前記方法は誘導結合プラズマと容量結合プラズマとの組み合わせを発生 させることと、を備えるプラズマ発生方法。 １３．前記第一の高周波励起源は第一の高周波発生器を含み、前記第二の高周 波励起源は第二の高周波発生器を含む請求項１２に記載のプラズマ発生方法。 １４．前記第一の高周波励起源は、前記第一の高周波発生器に接続され、前記 第一の高周波発生器の出力インピーダンスを前記プラズマ発生要素の入力インピ ーダンスと整合させて、前記第一の高周波発生器による電力供給を最適化するた めの第一の整合回路を更に含み、前記第二の高周波励起源は、前記第二の高周波 発生器に接続され、前記第二の高周波発生器の出力インピーダンスを前記プラズ マ発生要素の前記第一端の入力インピーダンスと整合させて、前記第一の高周波 発生器による電力供給を最適化するための第二の整合回路を更に含む請求項１３ に記載のプラズマ発生方法。 １５．前記第一の位相を導出可能なパラメータである、前記第一の励起電流の 電気的パラメータを測定する工程と、 前記電気的パラメータを第一の測定信号として前記制御回路に提供する工程と 、それにより、前記第一の測定信号が、前記制御回路による前記制御信号の導出 のためにに前記制御入力と併用されることと、を更に備える請求項１３に記載の プラズマ発生方法。 １６．前記測定工程は電圧プローブを使用して実施され、前記電気的パラメー タは電圧である請求項１５に記載のプラズマ発生方法。 １７．前記第一の高周波発生器が固定位相式高周波発生器であり、前記第二の 高周波発生器が可変位相式高周波発生器である請求項１３に記載のプラズマ発生 方法。 １８．前記プラズマ発生要素が平面コイルである請求項１３に記載のプラズマ 発生方法。 １９．前記プラズマ発生要素が非平面コイルである請求項１３に記載のプラズ マ発生方法。 ２０．プラズマ強化半導体プロセスに用いるためのプラズマ発生装置であって 、 第一の位相及び第一の振幅を有する第一の高周波励起電流を生成するための第 一の手段と、 第二の位相及び第二の振幅を有する第二の高周波励起電流を生成するための第 二の手段と、 前記第一の高周波励起電流及び前記第二の高周波励起電流によって供給される エネルギーを使用して、前記プラズマを発生させるための手段と、 前記第一の高周波励起電流及び前記第二の高周波励起電流のいずれか一方を制 御するための手段と、前記制御手段は、前記第一の位相と前記第二の位相との間 の所望の位相差を示す信号を受け取るための制御入力を有することと、 前記制御手段は、前記制御入力に応答して、前記第一の高周波励起電流を生成 するための前記第一の手段及び前記第二の高周波励起電流を生成するための前記 第二の手段のいずれか一方に、前記第一の位相及び前記第二の位相のいずれか一 方をそれぞれ制御するための制御信号を出力し、それにより、前記第一の位相と 前記第二の位相との間に実際の位相差を生じさせて、前記所望の位相差に実質的 に近似させ、それにより、前記第一の位相と前記第二の位相とが逆位相にあると き、前記装置は本質的に誘導結合プラズマを発生させ、前記第一の位相と前記第 二の位相とが同位相にあるとき、前記装置は本質的に容量結合プラズマを発生さ せ、前記第一の位相と前記第二の位相とが同位相と逆位相との間においてある角 度だけ異なるとき、前記装置は本質的に誘導結合プラズマと容量結合プラズマと の組み合わせを発生させることと、を備えるプラズマ発生装置。 ２１．前記第一の高周波励起電流を発生させるための前記第一の手段は第一の 高周波発生器を含み、前記第二の高周波励起電流を発生させるための前記第二の 手段は第二の高周波発生器を含む請求項２０に記載のプラズマ発生装置。 ２２．前記第一の高周波励起源は、前記第一の高周波発生器に接続され、前記 第一の高周波発生器の出力インピーダンスを前記プラズマ発生要素の入力インピ ーダンスと整合させて、前記第一の高周波発生器による電力供給を最適化するた めの第一の整合回路を更に含み、前記第二の高周波励起源は、前記第二の高周波 発生器と接続され、前記第二の高周波発生器の出力インピーダンスを前記プラズ マ発生要素の前記第一端の入力インピーダンスと整合させて、前記第一の高周波 発生器による電力供給を最適化するための第二の整合回路を更に含む請求項２１ に記載のプラズマ発生装置。 ２３．前記第一の位相を導出可能なパラメータである、前記第一の励起電流の 電気的パラメータを測定するための手段を更に備え、それにより、前記第一の測 定信号が、前記制御回路による前記制御信号の導出のために前記制御入力と併用 される請求項に２２に記載のプラズマ発生装置。