JPH1051034A - 面実装型電子部品、その製造方法、これを回路基板上に実装する方法、およびこれを実装した回路基板 - Google Patents

面実装型電子部品、その製造方法、これを回路基板上に実装する方法、およびこれを実装した回路基板

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JPH1051034A
JPH1051034A JP8203576A JP20357696A JPH1051034A JP H1051034 A JPH1051034 A JP H1051034A JP 8203576 A JP8203576 A JP 8203576A JP 20357696 A JP20357696 A JP 20357696A JP H1051034 A JPH1051034 A JP H1051034A
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Masahiro Ariga
雅博 有家
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Rohm Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハンダリフローの手法によって電子部品を回
路基板上に実装する場合において、電子部品の製品性能
の劣化を起こすことなく回路基板上に面実装することの
できる面実装型電子部品、その製造方法、これを回路基
板上に実装する方法、およびこれが実装された回路基板
を提供する。 【解決手段】 発光素子チップ５０または受光素子チッ
プが透明樹脂パッケージ１０内に封止され、この透明樹
脂パッケージ１０の内部において上記発光素子チップ５
０または受光素子チップに導通させられているリード
３，４が水平部３１，４１を有するように外部に延出さ
せられている面実装型電子部品１であって、上記透明樹
脂パッケージ１０の少なくとも側面または底面を上記透
明樹脂パッケージ１０よりも熱伝導率の低い樹脂２によ
って被覆した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、回路基板に実装
される光学系の面実装型電子部品、その製造方法、これ
を回路基板上に実装する方法、およびこれを実装した回
路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、光学系の面実装型電子部品と
しては、図８に示すようなＬＥＤ発光装置１などがあ
る。このＬＥＤ発光装置１は、透明樹脂パッケージ１０
内に封止された内部リード３０，４０と、この内部リー
ド３０，４０につながり、上記透明樹脂パッケージ１０
の側面から延出する外部リード３１，４１とを備えた第
１および第２のリード３，４を有している。上記外部リ
ード３１，４１の先端部には水平部３１ａ，４１ａがそ
れぞれ形成されている。そして、第２のリード４の内部
リード４０の先端部にはＬＥＤチップ５がボンディング
されており、上記ＬＥＤチップ５は、第１のリード３の
内部リード３０の先端部とワイヤ６を用いて結線されて
いる。このようなＬＥＤ発光装置１は、配線パターンが
形成された回路基板上に実装して使用される。
【０００３】一般に、電子部品の回路基板上への実装
は、ハンダ付けにより行われている。特に、上記ＬＥＤ
発光装置１のように上記外部リード３１，４１の先端部
に水平部３１ａ，４１ａがそれぞれ形成された、いわゆ
る面実装型の電子部品におけるハンダ付けには、ハンダ
リフローの手法が採用されている。上記ハンダリフロー
の手法による電子部品の実装は、回路基板上に予めクリ
ームハンダを印刷しておき、この印刷部に対応するよう
に上記電子部品の外部リードの水平部３１ａ，４１ａを
載置し、加熱炉（リフロー炉）の熱によって溶解させら
れたハンダによってリード３，４と回路基板の配線パタ
ーンとの間を導通状態で接続することにより行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】通常、上記ハンダリフ
ローの手法で用いられる炉の温度は、２６０℃程度の高
温であるので、エポキシ樹脂などにより形成された上記
樹脂パッケージや上記樹脂パッケージの内部に導通して
いるリードには、相当の熱量が加えられることになる。
このため、上記樹脂パッケージおよび上記リードが熱収
縮を起こし、この熱収縮に起因して上記樹脂パッケージ
と上記リードとの接触面や上記樹脂パッケージと上記リ
ードにボンディングされた発光素子チップまたは受光素
子チップなどのチップとの接触面が剥離してしまうこと
がある。
【０００５】さらに、上記した樹脂パッケージの熱収縮
に起因して、上記リードにボンディングされた発光素子
チップまたは受光素子チップなどのチップに応力がかか
り、チップの出力が低下してしまうなどの不具合を生じ
ることもある。したがって、たとえばＬＥＤチップなど
の発光素子チップをその内部に封止したＬＥＤ発光装置
などの電子部品においては、このＬＥＤ発光装置に電圧
が印加された場合に、所望の輝度をもって上記ＬＥＤ発
光装置が発光しないといった事態が生じることがある。
【０００６】そこで、透明のエポキシ樹脂などにフィラ
を入れ、樹脂の熱伝導度を低下させることにより熱収縮
を抑え、上記発光素子チップまたは上記受光チップを樹
脂パッケージする方法が考えられる。しかし、フィラを
入れることにより樹脂の光に対する屈折率が変化するの
で、光学系の電子部品、たとえば発光素子チップや受光
素子チップがその内部に封止された電子部品において
は、適当な手段とは言い難い。
【０００７】すなわち、従来の技術においては、リフロ
ー炉内の高温においても製品性能が維持でき、面実装が
可能な光系の電子部品、たとえば発光素子チップや受光
素子チップがその内部に封止された電子部品を提供する
ことは困難であった。
【０００８】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、ハンダリフローの手法によって電
子部品を回路基板上に実装する場合において、電子部品
の製品性能の劣化を起こすことなく回路基板上に面実装
することのできる光学系の面実装型電子部品、その製造
方法、これを回路基板上に実装する方法、およびこれが
実装された回路基板を提供することをその課題とする。
【０００９】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【００１０】すなわち、本願発明の第１の側面によれ
ば、発光素子チップまたは受光素子チップが透明樹脂パ
ッケージ内に封止され、この透明樹脂パッケージの内部
において上記発光素子チップまたは受光素子チップに導
通させられているリードが水平部を有するように外部に
延出させられている面実装型電子部品であって、上記透
明樹脂パッケージの少なくとも側面または底面が上記透
明樹脂パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂によって被
覆されていることを特徴とする、面実装型電子部品が提
供される。
【００１１】好ましい実施形態においては、上記透明樹
脂パッケージの少なくとも側面または底面を被覆してい
る樹脂は、フィラ入りのエポキシ樹脂、またはポリフェ
ニレンサルファイドである。
【００１２】このような面実装型電子部品は、上記透明
樹脂パッケージの少なくとも側面または底面が上記透明
樹脂パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂、たとえばフ
ィラ入りのエポキシ樹脂、またはポリフェニレンサルフ
ァイドによって被覆され、上記透明樹脂パッケージの表
面に被覆層が形成されている。すなわち、上記リードを
上記透明樹脂パッケージよりも熱伝導率の低い被覆層を
介して面実装型電子部品の外部に延出させることができ
る。
【００１３】したがって、ハンダリフローの手法により
上記面実装型電子部品を回路基板上に実装する場合に、
リフロー炉の熱によって上記リードの面実装型電子部品
の外部に延出した部位が加熱されたとしても、上記面実
装型電子部品の表面を被覆するように形成された被覆層
の熱伝導率が上記透明樹脂パッケージよりも低いため
に、上記透明樹脂パッケージ内に封止された上記リード
の部位、およびこの部位にボンディングされた発光素子
チップまたは受光素子チップなどのチップに上記リード
を介して伝わる熱量を低減することができる。さらに、
上記透明樹脂パッケージの被覆層が形成された部分は、
上記透明樹脂パッケージに直接熱が加えられることもな
く、その上、上記透明樹脂パッケージよりも熱伝導率の
低い樹脂を介して熱が加えられるので、従来に比べて上
記透明樹脂パッケージに加えられる熱量を低減すること
ができる。
【００１４】このように、本願発明に係る面実装型電子
部品は、上記透明樹脂パッケージおよび上記リードの透
明樹脂パッケージ内に封止された部位に加えられる熱を
低減することができるので、上記透明樹脂パッケージお
よび上記リードの熱収縮を従来に比べて抑制するこがで
きる。したがって、上記透明樹脂パッケージおよび上記
リードの熱収縮に起因して上記透明樹脂パッケージと上
記リードとの接触面や上記透明樹脂パッケージと発光素
子チップや受光素子チップなどのチップとの接触面が剥
離してしまうといった事態を回避することができる。
【００１５】また、発光または受光に直接関与しない上
記透明樹脂パッケージの全ての表面部分に上記透明樹脂
パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂によって被覆層を
形成させることにより、リフロー炉で加えられる熱から
上記透明樹脂パッケージを保護することができる。この
ことにより、従来に比べて上記透明樹脂パッケージに加
えられる熱を低減することができるので、上記透明樹脂
パッケージの熱収縮を低減させることができる。したが
って、上記透明樹脂パッケージの熱収縮に起因して、上
記リードにボンディングされた発光素子などのチップに
応力がかかり、チップの出力が低下してしまうなどの不
具合を回避することができる。すなわち、発光素子チッ
プまたは受光素子チップをその内部に封止した面実装型
電子部品においては、この電子部品に電圧が印加された
場合に、所望の輝度をもって上記電子部品を発光させる
ことができる。
【００１６】結果的に、本願発明に係る面実装型電子部
品は、リフロー炉内の高温においても製品性能が維持で
き、しかも回路基板上に面実装することができる。
【００１７】本願発明の第２の側面によれば、発光素子
チップまたは受光素子チップが透明樹脂パッケージ内に
封止され、この透明樹脂パッケージの内部において上記
発光素子チップまたは受光素子チップに導通させられて
いるリードが水平部を有するように外部に延出させられ
ている面実装型電子部品を上記リードを含むように形成
された製造要フレームを用いて製造するための方法であ
って、上記発光素子チップまたは受光素子チップを上記
製造要フレームに形成されたリードにボンディングする
チップボンディング工程と、上記発光素子チップまたは
受光素子チップと上記発光素子チップまたは受光素子チ
ップがボンディングされたリード以外のリードとを結線
する工程と、上記発光素子チップまたは上記受光素子チ
ップを透明樹脂内に封止する工程と、上記透明樹脂パッ
ケージの少なくとも側面または底面を、上記透明樹脂パ
ッケージよりも熱伝導率の低い樹脂により被覆する被覆
工程と、上記リードの端部に水平部を形成するフォーミ
ング工程と、を含むことを特徴とする、面実装型電子部
品の製造方法が提供される。
【００１８】このような製造方法において製造される面
実装型電子部品は、上述した面実装型電子部品の効果を
享受できるのはいうまでもない。
【００１９】本願発明の第３の側面によれば、発光素子
チップまたは受光素子チップが透明樹脂パッケージ内に
封止され、この透明樹脂パッケージの内部において上記
発光素子チップまたは受光素子チップに導通させられて
いるリードが水平部を有するように外部に延出させられ
ているとともに、上記透明樹脂パッケージの少なくとも
側面または底面には上記透明樹脂パッケージよりも熱伝
導率の低い樹脂が被覆されている面実装型電子部品を回
路基板上に実装するための方法であって、上記回路基板
上にクリームハンダを塗布する工程と、上記水平部を上
記回路基板上のクリームハンダを塗布した領域に載置す
る工程と、上記回路基板に上記樹脂パッケージを載置し
た状態において、上記クリームハンダを加熱して溶解さ
せる工程と、を備えることを特徴とする、面実装型電子
部品の実装方法が提供される。
【００２０】本願発明の第４に側面によれば、発光素子
チップまたは受光素子チップが透明樹脂パッケージ内に
封止され、この透明樹脂パッケージの内部において上記
発光素子チップまたは受光素子チップに導通させられて
いるリードが水平部を有するように外部に延出させられ
ているとともに、上記透明樹脂パッケージの少なくとも
側面または底面には上記透明樹脂パッケージよりも熱伝
導率の低い樹脂が被覆されている面実装型電子部品が実
装されていることを特徴とする、面実装型電子部品が実
装された回路基板が提供される。
【００２１】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００２３】図１は、本願発明の第１の実施形態に係る
面実装型電子部品としてのＬＥＤ発光装置１の斜視図で
あって、図２は、図１のII−II線に沿う断面図である。
上記ＬＥＤ発光装置１は、エポキシ樹脂などによって成
形された透明樹脂パッケージ１０内に封止された内部リ
ード３０，４０と、この内部リード３０，４０につなが
り、上記透明樹脂パッケージ１０の側面から延出する外
部リード３１，４１とを備えた第１および第２のリード
３，４を有している。上記外部リード３１，４１の先端
部には、回路基板６上に形成された配線パターンに上記
ＬＥＤ発光装置１を面実装するための水平部３１ａ，４
１ａが形成されており、第２のリード４の内部リード４
０の先端部には他の部位よりも幅太で、ＬＥＤチップ５
がボンディングされるチップボンディング部４２が形成
されている。
【００２４】上記チップボンディング部４２には、ＬＥ
Ｄチップ５がボンディングされており、このＬＥＤチッ
プ５の上面に形成された上面電極５０が第１のリード３
の内部リード３０の先端部とワイヤ６を用いて結線され
ている。このようにして、上記ＬＥＤチップ５は、上記
ＬＥＤチップ５の外部と電気的に導通するように構成さ
れている。また、上記透明樹脂パッケージ１０の上面に
は、ＬＥＤチップ５に電圧が印加され、上記ＬＥＤチッ
プ５が発光したときに、その光を有効に利用できるよう
に凸球面状のレンズ部１１が形成されている。
【００２５】さらに、上記透明樹脂パッケージ１０の底
面には、上記透明樹脂パッケージ１０よりも熱伝導率の
低い樹脂、たとえばフィラ入りエポキシ樹脂やポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）などの樹脂によって被覆
され、被覆層２が形成されている。
【００２６】次に、図３を参照しながら上述のように構
成されたＬＥＤ発光装置１の製造方法を説明する。
【００２７】図３には、上述したＬＥＤ発光装置１を製
造するための製造用フレーム７が示されている。第１の
リード３には、第１のリード端子３ａが下方に向けて一
体延出し、一方のサイドフレーム部７ａにつなげられて
おり、サポートフレーム３ｂが上方に向けて一体延出し
て他方のサイドフレーム部７ｂにつなげられている。第
１のリード３と略平行な第２のリード４には、第２のリ
ード端子４ａが下方に向けて一体延出し、一方のサイド
フレーム部７ａにつなげられており、サポートフレーム
４ｂが上方に向けて一体延出して他方のサイドフレーム
部７ｂにつなげられている。そして、図３に示される単
位が左右方向に連続している。なお、上記製造用フレー
ム７は、導体金属板を打ち抜くことによって得ることが
できる。
【００２８】先ず、上記第２のリード４の形成されたチ
ップボンディング部４２にＬＥＤチップ５をボンディン
グする。そして、上記ＬＥＤチップ５の上面に形成され
た上面電極５０と上記第１のリードの先端部を導電性を
有するワイヤ６によって結線する。
【００２９】続いて、図３に示された仮想線で囲まれた
領域を包み込むようにして、上記透明樹脂パッケージ１
０を金型成形装置を用いて形成する。具体的には、所定
の型に形成された下金型の所定位置に上記製造用フレー
ム７を設置し、上金型を下金型に合わせて型締めし、樹
脂注入操作を行うことにより透明樹脂パッケージ１０が
形成される。上記透明樹脂パッケージ１０の材質として
は、エポキシ樹脂などが採用される。
【００３０】次に、上記透明樹脂パッケージ１０の底面
を上記透明樹脂パッケージ１０に用いた樹脂よりも熱伝
導性の低い樹脂により被覆し、被覆層２を形成する。こ
の工程もまた、上記透明樹脂パッケージ１０の成形と同
様にして金型成形装置を用いることにより行われる。
【００３１】そして、上記サポートフレーム３ｂ，４ｂ
を上記透明樹脂パッケージ１０の外面に沿って切断する
とともに、上記端子リード３ａ，３ｂを図３に符号Ａで
示すラインに沿って切断する。さらに、上記透明樹脂パ
ッケージ１０の側面から外部に延出した外部リード３
１，４１の先端部に水平部３１ａ，４１ａを形成するよ
うにフォーミング加工を施すことにより、図１に示すよ
うなＬＥＤ発光装置１が形成される。
【００３２】このようにして形成されたＬＥＤ発光装置
１は、ハンダリフロー法により回路基板６上に面実装さ
れる。具体的には、回路基板６上に予めクリームハンダ
を印刷しておき、この印刷部に対応するように上記ＬＥ
Ｄ発光装置１の外部リードの水平部３１ａ，４１ａを載
置し、加熱炉（リフロー炉）の熱によって溶解させられ
たハンダによって第１および第２リード３，４と回路基
板６の配線パターンとの間を導通状態で接続する。
【００３３】本実施形態に係るＬＥＤ発光装置１は、透
明樹脂パッケージ１０の底面に透明樹脂パッケージ１０
よりも熱伝導率の低い樹脂により被覆されているので、
上記透明樹脂パッケージ１０の底面が熱的に保護されて
おり、上記ＬＥＤ発光装置１を上記回路基板６上に面実
装するために上記リフロー炉内で加熱した場合に、上記
透明樹脂パッケージ１０の底面から加えられる熱量を従
来に比べて低減することができる。したがって、加熱に
よる上記透明樹脂パッケージ１０の熱収縮を低減するこ
とができる。このことにより、上記透明樹脂パッケージ
１０の熱収縮に起因して、上記第１および第２リード
３，４にボンディングされたＬＥＤチップ５に応力がか
かり、ＬＥＤチップ５の出力が低下してしまうなどの不
具合を回避することができる。すなわち、上記のように
構成されたＬＥＤ発光装置１に電圧が印加された場合
に、所望の輝度をもって上記ＬＥＤ発光装置１を発光さ
せることができる。
【００３４】図４は、本願発明の第２の実施形態に係る
面実装型電子部品としてのＬＥＤ発光装置１の斜視図で
あって、図５は、図４のV −V 線に沿う断面図である。
本実施形態においては、基本的な構成は上述した第１の
実施形態と同様であるが、上記透明樹脂パッケージ１０
の底面ばかりでなく側面も上記透明樹脂パッケージ１０
よりも熱伝導率の低い樹脂によって被覆した点が第１の
実施形態と相違する。このようなＬＥＤ発光装置１は、
上記した第１の実施形態の製造方法と略同様の工程を経
て製造することができる。
【００３５】本実施形態におけるＬＥＤ発光装置１は、
上記透明樹脂パッケージ１０の底面が上記透明樹脂パッ
ケージ１０よりも熱伝導率の低い樹脂によって被覆され
ているので、上記した第１の実施形態と同様の効果を享
受できる。さらに、本実施形態においては、上記樹脂パ
ッケージ１０の側面も上記透明樹脂パッケージ１０より
も熱伝導率の低い樹脂によって被覆されているので、上
記透明樹脂パッケージ１０の被覆層２が形成された部分
は、上記透明樹脂パッケージ１０に直接熱が加えられる
こともなく、その上、上記透明樹脂パッケージ１０より
も熱伝導率の低い樹脂を介して熱が加えられるので、従
来に比べて上記透明樹脂パッケージ１０に加えられる熱
量を低減することができる。また、本実施形態のように
外部リード３１，４１がＬＥＤ発光装置１の側面から延
出しているようなＬＥＤ発光装置１においては、リフロ
ー炉の熱によって上記外部リード３１，４１が加熱され
たとしても、上記被覆層２の熱伝導率が上記透明樹脂パ
ッケージ１０よりも低いために、上記透明樹脂パッケー
ジ１０内に封止された内部リード３０，４０、および第
２のリードの内部リード４０のチップボンディング部４
２にボンディングされたＬＥＤチップ５に上記第２のリ
ード４を介して伝わる熱量を低減することができる。
【００３６】このように、本実施形態におけるＬＥＤ発
光装置１は、上記透明樹脂パッケージ１０および上記内
部リード３０，４０に加えられる熱量を低減することが
できるので、上記透明樹脂パッケージ１０および上記内
部リード３０，４０の熱収縮を従来に比べて抑制するこ
ができる。したがって、上記透明樹脂パッケージ１０お
よび上記内部リード３０，４０の熱収縮に起因して上記
透明樹脂パッケージ１０と上記内部リード３０，４０と
の接触面や上記透明樹脂パッケージ１０と上記ＬＥＤチ
ップ５との接触面が剥離してしまうといった事態を回避
することができるとともに、上記第１の実施形態の効果
をより一層高めることができる。
【００３７】図６は、本願発明の第３の実施形態に係る
面実装型電子部品としてのＬＥＤ発光装置１の斜視図で
あって、図７は、図６のVII −VI線に沿う断面図であ
る。本実施形態においては、基本的な構成は上述した第
２の実施形態と同様であるが、上記透明樹脂パッケージ
１０の底面および側面ばかりでなく、上記樹脂パッケー
ジ１０の上面も上記透明樹脂パッケージ１０よりも熱伝
導率の低い樹脂によって凸球面状の上記レンズ部１１が
露出するように被覆した点が第２の実施形態と相違す
る。このようなＬＥＤ発光装置１は、上記した第１およ
び第２の実施形態の製造方法と略同様の工程を経て製造
することができる。
【００３８】このようなＬＥＤ発光装置１においては、
上記樹脂パッケージ１０の上面も上記透明樹脂パッケー
ジ１０よりも熱伝導率の低い樹脂によって被覆されてい
るので、上記透明樹脂パッケージ１０の上面から加えら
れる熱量を従来に比べて低減することができるので、上
記第２の実施形態の効果をより一層高めることができ
る。
【００３９】なお、本実施形態においては、第１および
第２のリードは、ＬＥＤ発光装置の１つ側面から両方と
も延出していたが、上記第１および第２のリードが底面
から延出したもの、あるいは各々対向する側面から延出
したものなどに対しても本願発明は適用可能である。
【００４０】また、本実施形態のようにＬＥＤ発光装置
からリードが２つ延出したものばかりでなく、上記ＬＥ
Ｄ発光装置から多数のリードが延出したようなものにも
本願発明は適応可能である。
【００４１】その他、上記第２のリードのチップボンデ
ィング部にボンディングされる発光素子チップはＬＥＤ
チップには限定されない。また、チップとして受光素子
チップを上記第２のリードのチップボンディング部にボ
ンディングしたような面実装型電子部品も本願発明の適
応範囲である。また、上記第２のリードに形成されたチ
ップボンディング部は選択的事項であり、必ずしも必要
なものではない。
【００４２】さらにその他、上記透明樹脂パッケージを
被覆する樹脂として、熱膨張率の低い樹脂を用いてもよ
い。この場合も、上記透明樹脂パッケージの表面に伝わ
る熱、および上記リードを介して上記透明樹脂パッケー
ジの内部および発光素子チップや受光素子チップなどの
チップに伝わる熱を低減することができる。すなわち、
上記透明樹脂パッケージの熱膨張を低減することがで
き、上記した各実施形態の効果と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１の実施形態に係る面実装型電子
部品としてのＬＥＤ発光装置の斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】製造用フレームの正面図である。
【図４】本願発明の第２の実施形態に係る面実装型電子
部品としてのＬＥＤ発光装置の斜視図である。
【図５】図４のV −V 線に沿う断面図である。
【図６】本願発明の第３の実施形態に係る面実装型電子
部品としてのＬＥＤ発光装置の斜視図である。
【図７】図６のVII −VII 線に沿う断面図である。
【図８】従来例の説明図である。
【符号の説明】
１ ＬＥＤ発光装置（面実装型電子部品） ２ 被覆層 ３ 第１のリード ４ 第２のリード ５ ＬＥＤチップ（発光素子チップ） ６ ワイヤ １０ 透明樹脂パッケージ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ 31/02

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光素子チップまたは受光素子チップが
    透明樹脂パッケージ内に封止され、この透明樹脂パッケ
    ージの内部において上記発光素子チップまたは受光素子
    チップに導通させられているリードが水平部を有するよ
    うに外部に延出させられている面実装型電子部品であっ
    て、 上記透明樹脂パッケージの少なくとも側面または底面が
    上記透明樹脂パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂によ
    って被覆されていることを特徴とする、面実装型電子部
    品。
  2. 【請求項２】 上記透明樹脂パッケージの少なくとも側
    面または底面を被覆している樹脂は、フィラ入りのエポ
    キシ樹脂、またはポリフェニレンサルファイドである、
    請求項１に記載の面実装型電子部品。
  3. 【請求項３】 発光素子チップまたは受光素子チップが
    透明樹脂パッケージ内に封止され、この透明樹脂パッケ
    ージの内部において上記発光素子チップまたは受光素子
    チップに導通させられているリードが水平部を有するよ
    うに外部に延出させられている面実装型電子部品を上記
    リードを含むように形成された製造用フレームを用いて
    製造するための方法であって、 上記発光素子チップまたは受光素子チップを上記製造用
    フレームに形成されたリードにボンディングするチップ
    ボンディング工程と、 上記発光素子チップまたは受光素子チップと上記発光素
    子チップまたは受光素子チップがボンディングされたリ
    ード以外のリードとを結線する工程と、 上記発光素子チップまたは上記受光素子チップを透明樹
    脂内に封止する工程と、 上記透明樹脂パッケージの少なくとも側面または底面
    を、上記透明樹脂パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂
    により被覆する被覆工程と、 上記リードの端部に水平部を形成するフォーミング工程
    と、 を含むことを特徴とする、面実装型電子部品の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 発光素子チップまたは受光素子チップが
    透明樹脂パッケージ内に封止され、この透明樹脂パッケ
    ージの内部において上記発光素子チップまたは受光素子
    チップに導通させられているリードが水平部を有するよ
    うに外部に延出させられているとともに、上記透明樹脂
    パッケージの少なくとも側面または底面には上記透明樹
    脂パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂が被覆されてい
    る面実装型電子部品を回路基板上に実装するための方法
    であって、 上記回路基板上にクリームハンダを塗布する工程と、 上記水平部を上記回路基板上のクリームハンダを塗布し
    た領域に載置する工程と、 上記回路基板に上記樹脂パッケージを載置した状態にお
    いて、上記クリームハンダを加熱して溶解させる工程
    と、 を備えることを特徴とする、面実装型電子部品の実装方
    法。
  5. 【請求項５】 発光素子チップまたは受光素子チップが
    透明樹脂パッケージ内に封止され、この透明樹脂パッケ
    ージの内部において上記発光素子チップまたは受光素子
    チップに導通させられているリードが水平部を有するよ
    うに外部に延出させられているとともに、上記透明樹脂
    パッケージの少なくとも側面または底面には上記透明樹
    脂パッケージよりも熱伝導率の低い樹脂が被覆されてい
    る面実装型電子部品が実装されていることを特徴とす
    る、回路基板。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6486543B1 (en) 1998-05-20 2002-11-26 Rohm Co., Ltd. Packaged semiconductor device having bent leads
KR20030056070A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 주식회사 대한전광 표면실장 ｌｅｄ 램프를 갖는 발광다이오드 모듈
JP2004510457A (ja) * 1999-12-29 2004-04-08 キーメッド（メディカル　アンド　インダストリアル　イクイプメント）　リミテッド ボアスコープおよび内視鏡の光源
DE102004003928B4 (de) * 2004-01-26 2012-02-23 Tay Kheng Chiong Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements
KR101163850B1 (ko) 2009-11-23 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN111983758A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 富士通光器件株式会社 光学模块
JP2021015867A (ja) * 2019-07-11 2021-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュール
WO2026083634A1 (ja) * 2024-10-17 2026-04-23 信越化学工業株式会社 光学系装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6486543B1 (en) 1998-05-20 2002-11-26 Rohm Co., Ltd. Packaged semiconductor device having bent leads
JP2004510457A (ja) * 1999-12-29 2004-04-08 キーメッド（メディカル　アンド　インダストリアル　イクイプメント）　リミテッド ボアスコープおよび内視鏡の光源
KR20030056070A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 주식회사 대한전광 표면실장 ｌｅｄ 램프를 갖는 발광다이오드 모듈
DE102004003928B4 (de) * 2004-01-26 2012-02-23 Tay Kheng Chiong Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements
KR101163850B1 (ko) 2009-11-23 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8791482B2 (en) 2009-11-23 2014-07-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
CN111983758A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 富士通光器件株式会社 光学模块
JP2021015867A (ja) * 2019-07-11 2021-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュール
WO2026083634A1 (ja) * 2024-10-17 2026-04-23 信越化学工業株式会社 光学系装置

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