JPH1052071A - 反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ及びインクジェットプリンタヘッド - Google Patents
反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ及びインクジェットプリンタヘッドInfo
- Publication number
- JPH1052071A JPH1052071A JP8202315A JP20231596A JPH1052071A JP H1052071 A JPH1052071 A JP H1052071A JP 8202315 A JP8202315 A JP 8202315A JP 20231596 A JP20231596 A JP 20231596A JP H1052071 A JPH1052071 A JP H1052071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antiferroelectric
- ferroelectric phase
- phase change
- ferroelectric
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクチュエータに反強誘電−強誘電相転移材
料を用いることにより、製造性に優れ、低消費電力であ
り、歪み（変位量）と発生力が大きく、相転移特性の優
れたアクチュエータを提供し、また、このアクチュエー
タを使用して高密度化、高集積化を実現させたインクジ
ェットプリンタヘッドを提供する。 【解決手段】 セラミック基板３上に、第１の電極膜４
と反強誘電−強誘電相転移膜５と第２電極膜６の組み合
わせからなる駆動部を形成することにより、反強誘電−
強誘電相転移膜型アクチュエータを構成する。また、こ
のような反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータを
インクジェットプリンタヘッド（図示せず）に用いるこ
とにより、高密度化・高集積化が可能で高速な当該ヘッ
ドを提供する。
料を用いることにより、製造性に優れ、低消費電力であ
り、歪み（変位量）と発生力が大きく、相転移特性の優
れたアクチュエータを提供し、また、このアクチュエー
タを使用して高密度化、高集積化を実現させたインクジ
ェットプリンタヘッドを提供する。 【解決手段】 セラミック基板３上に、第１の電極膜４
と反強誘電−強誘電相転移膜５と第２電極膜６の組み合
わせからなる駆動部を形成することにより、反強誘電−
強誘電相転移膜型アクチュエータを構成する。また、こ
のような反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータを
インクジェットプリンタヘッド（図示せず）に用いるこ
とにより、高密度化・高集積化が可能で高速な当該ヘッ
ドを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、優れた体積変化率
を有すると共に、簡便な製造方法で提供できる構造を有
した反強誘電−強誘電相転移アクチュエータに関するも
のであり、例えば、インクジェットプリンタヘッドに適
用可能なものである。
を有すると共に、簡便な製造方法で提供できる構造を有
した反強誘電−強誘電相転移アクチュエータに関するも
のであり、例えば、インクジェットプリンタヘッドに適
用可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクチュエータの基体内部に設け
られた加圧室内の圧力を上昇させる機構の１つとして、
振動板如き作用板として機能する基板に設けた圧電／電
歪素子の変位によって、前記加圧室の体積を変化させる
ようにした前記基板と圧電／電歪素子からなる圧電／電
歪アクチュエータが知られていて、これは、例えば、特
開平３−１２８６８１号公報に圧電／電歪膜型アクチュ
エータとして開示されている。このような圧電／電歪膜
型アクチュエータは例えばインクジェットプリンタに使
用されるプリントヘッド等として利用されており、イン
クが供給され、充填された加圧室内の圧力を圧電／電歪
膜型アクチュエータの変位によって上昇させることによ
り、加圧室に連通するノズル孔からインク粒子（液滴）
を打ち出して、印字するようになっている。このような
圧電／電歪膜型アクチュエータは、接着剤で貼りつけた
構造を有することがないため、作動の信頼性が高く、ま
た相対的に低駆動電圧で大きな変位が得られ、応答速度
が速く、且つ発生力が大きいため、インクジェットの高
密度化、高集積化にとって好適である。
られた加圧室内の圧力を上昇させる機構の１つとして、
振動板如き作用板として機能する基板に設けた圧電／電
歪素子の変位によって、前記加圧室の体積を変化させる
ようにした前記基板と圧電／電歪素子からなる圧電／電
歪アクチュエータが知られていて、これは、例えば、特
開平３−１２８６８１号公報に圧電／電歪膜型アクチュ
エータとして開示されている。このような圧電／電歪膜
型アクチュエータは例えばインクジェットプリンタに使
用されるプリントヘッド等として利用されており、イン
クが供給され、充填された加圧室内の圧力を圧電／電歪
膜型アクチュエータの変位によって上昇させることによ
り、加圧室に連通するノズル孔からインク粒子（液滴）
を打ち出して、印字するようになっている。このような
圧電／電歪膜型アクチュエータは、接着剤で貼りつけた
構造を有することがないため、作動の信頼性が高く、ま
た相対的に低駆動電圧で大きな変位が得られ、応答速度
が速く、且つ発生力が大きいため、インクジェットの高
密度化、高集積化にとって好適である。
【０００３】しかしながら、プリンタヘッドのいっそう
の高密度化、高等積化を進めていくにあたって、インク
キャビティの幅がより狭くなっていくときに、必要なイ
ンク吐出性能を得るようにするために、より大きな変位
量と発生力を有するアクチュエータ構成材料が望まれて
きている。またこうした優れた性能を持つアクチュエー
タは、上記インクジェットヘッドのみならずマイクロポ
ンプ、スピーカ、センサ、振動子、フィルタ等への用途
に対しても有利である。
の高密度化、高等積化を進めていくにあたって、インク
キャビティの幅がより狭くなっていくときに、必要なイ
ンク吐出性能を得るようにするために、より大きな変位
量と発生力を有するアクチュエータ構成材料が望まれて
きている。またこうした優れた性能を持つアクチュエー
タは、上記インクジェットヘッドのみならずマイクロポ
ンプ、スピーカ、センサ、振動子、フィルタ等への用途
に対しても有利である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
き実情に鑑みてなされたもので、アクチュエータに反強
誘電−強誘電相転移材料を用いることにより、製造性に
優れ、低消費電力であり、歪み（変位量）と発生力が大
きく、相転移特性の優れたアクチュエータと、このアク
チュエータを使用して高密度化、高集積化を実現させた
インクジェットプリンタヘッドを提供することをその解
決すべき課題とする。
き実情に鑑みてなされたもので、アクチュエータに反強
誘電−強誘電相転移材料を用いることにより、製造性に
優れ、低消費電力であり、歪み（変位量）と発生力が大
きく、相転移特性の優れたアクチュエータと、このアク
チュエータを使用して高密度化、高集積化を実現させた
インクジェットプリンタヘッドを提供することをその解
決すべき課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、セラ
ミック基板の少なくとも一方の面上に、第１の電極膜と
反強誘電−強誘電相転移膜と第２電極膜の組み合わせか
らなる反強誘電−強誘電相転移駆動部の少なくとも１つ
が、それら膜が順次層状に積層せしめられて、形成され
てなる構造を有することを特徴とする反強誘電−強誘電
相転移膜型アクチュエータを用いることにより、反強誘
電−強誘電相転移膜が膜形成法によって容易にかつ優れ
た量産性をもって形成され、また圧電／歪電膜よりも最
大応力が大きく、さらに体積変化率は１桁以上大きいこ
とから、アクチュエータの小型化と高集積化、および低
電力消費化が実現できるようにしたものである。
ミック基板の少なくとも一方の面上に、第１の電極膜と
反強誘電−強誘電相転移膜と第２電極膜の組み合わせか
らなる反強誘電−強誘電相転移駆動部の少なくとも１つ
が、それら膜が順次層状に積層せしめられて、形成され
てなる構造を有することを特徴とする反強誘電−強誘電
相転移膜型アクチュエータを用いることにより、反強誘
電−強誘電相転移膜が膜形成法によって容易にかつ優れ
た量産性をもって形成され、また圧電／歪電膜よりも最
大応力が大きく、さらに体積変化率は１桁以上大きいこ
とから、アクチュエータの小型化と高集積化、および低
電力消費化が実現できるようにしたものである。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１において、前
記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ［(ＺｒxＳｎ1-x)
1-yＴｉy］Ｏ3（式中、ｘ,ｙは、０.３≦ｘ≦１，０≦
ｙ≦０.２の範囲から採用される）で表される組成物で
あることを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型アク
チュエータを用いることにより、室温で反強誘電性を示
すため、使用時の加熱が不要になり低電力消費化を図る
ことができるようにしたものである。
記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ［(ＺｒxＳｎ1-x)
1-yＴｉy］Ｏ3（式中、ｘ,ｙは、０.３≦ｘ≦１，０≦
ｙ≦０.２の範囲から採用される）で表される組成物で
あることを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型アク
チュエータを用いることにより、室温で反強誘電性を示
すため、使用時の加熱が不要になり低電力消費化を図る
ことができるようにしたものである。
【０００７】請求項３の発明は、請求項１において、前
記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ1-zＬａz［(ＺｒxＳ
ｎ1-x)1-yＴｉy］1-1/4zＯ3（式中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３
≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.２，０≦ｚ≦０.０４の範囲から
採用される）で表される組成物であることを特徴とする
請求項１記載の反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエ
ータを用いることにより、室温で反強誘電性を示し、使
用時の加熱が不要になり低電力消費化を図ることができ
るとともに、前記反強誘電−強誘電相転移膜の焼結特性
を向上させることができるようにしたものである。
記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ1-zＬａz［(ＺｒxＳ
ｎ1-x)1-yＴｉy］1-1/4zＯ3（式中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３
≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.２，０≦ｚ≦０.０４の範囲から
採用される）で表される組成物であることを特徴とする
請求項１記載の反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエ
ータを用いることにより、室温で反強誘電性を示し、使
用時の加熱が不要になり低電力消費化を図ることができ
るとともに、前記反強誘電−強誘電相転移膜の焼結特性
を向上させることができるようにしたものである。
【０００８】請求項４の発明は、請求項１において、前
記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ1-1/2zＮｂz［(Ｚｒ
xＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-zＯ3（式中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３
≦ｘ≦０.８，０.０４≦ｙ≦０.２，０≦ｚ≦０.０４の
範囲から採用される）で表される組成物であることを特
徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータを
用いることにより、上記室温で反強誘電性を示し、使用
時の加熱が不要になり低電力消費化を図ることができる
とともに、前記反強誘電−強誘電相転移膜の焼結特性を
向上させることができるようにしたものである。
記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ1-1/2zＮｂz［(Ｚｒ
xＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-zＯ3（式中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３
≦ｘ≦０.８，０.０４≦ｙ≦０.２，０≦ｚ≦０.０４の
範囲から採用される）で表される組成物であることを特
徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータを
用いることにより、上記室温で反強誘電性を示し、使用
時の加熱が不要になり低電力消費化を図ることができる
とともに、前記反強誘電−強誘電相転移膜の焼結特性を
向上させることができるようにしたものである。
【０００９】請求項５の発明は、反強誘電−強誘電相転
移膜型アクチュエータを有することを特徴とするインク
ジェットプリンタヘッドによって、高密度化・高集積化
が可能で高速なインクジェットプリンタヘッドを提供す
ることができるようにしたものである。
移膜型アクチュエータを有することを特徴とするインク
ジェットプリンタヘッドによって、高密度化・高集積化
が可能で高速なインクジェットプリンタヘッドを提供す
ることができるようにしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】まず本発明の理解を容易にするた
めに、前記従来技術の例として記載した圧電／電歪素子
に使用される圧電材料、電歪材料と本発明に係る反強誘
電−強誘電相転移材料との違いを添付された図面を参照
して説明する。図１は、圧電材料の特性を説明するため
の電界−分極の関係を示す図である。図２は、圧電材料
の特性を説明するための電界−歪み（変位量）の関係を
示す図である。図３は、電歪材料の特性を説明するため
の電界−分極の関係を示す図である。図４は、電歪材料
の特性を説明するための電界−歪み（変位量）の関係を
示す図である。図５は、反強誘電−強誘電相転移材料の
特性を説明するための電界−分極の関係を示す図であ
る。図６は、反強誘電−強誘電相転移材料の特性を説明
するための電界−歪み（変位量）の関係を示す図であ
る。
めに、前記従来技術の例として記載した圧電／電歪素子
に使用される圧電材料、電歪材料と本発明に係る反強誘
電−強誘電相転移材料との違いを添付された図面を参照
して説明する。図１は、圧電材料の特性を説明するため
の電界−分極の関係を示す図である。図２は、圧電材料
の特性を説明するための電界−歪み（変位量）の関係を
示す図である。図３は、電歪材料の特性を説明するため
の電界−分極の関係を示す図である。図４は、電歪材料
の特性を説明するための電界−歪み（変位量）の関係を
示す図である。図５は、反強誘電−強誘電相転移材料の
特性を説明するための電界−分極の関係を示す図であ
る。図６は、反強誘電−強誘電相転移材料の特性を説明
するための電界−歪み（変位量）の関係を示す図であ
る。
【００１１】電界印加により弾性体的変形（歪み）を生
じる材料には逆圧電効果を利用する圧電材料、電歪効果
を利用する電歪材料、そして、反強誘電体材料の電界誘
起強制相転移（以下、単に相転移と記す）を利用する相
転移材料がある。
じる材料には逆圧電効果を利用する圧電材料、電歪効果
を利用する電歪材料、そして、反強誘電体材料の電界誘
起強制相転移（以下、単に相転移と記す）を利用する相
転移材料がある。
【００１２】具体的には、圧電材料には、ジルコン酸チ
タン酸鉛（ＰＺＴ）系を主成分とする材料、ニッケルニ
オブ酸鉛（ＰＮＮ）系を主成分とする材料、マンガンニ
オブ酸鉛を主成分とする材料、アンチモンスズ酸鉛を主
成分とする材料、チタン酸鉛を主成分とする材料、及び
これらの材料にランタン、バリウム、ニオブ、亜鉛、セ
リウム、カドミウム、クロム、コバルト、ストロンチウ
ム、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、タング
ステン、ニッケル、マンガン等の酸化物やそれらの他の
化合物を添加物として含有せしめた材料、例えば、ジル
コン酸チタン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）系となるよう
に、前記ＰＺＴ系を主成分とする材料に上記の如き所定
の添加物を適宜に加えたものがあり、これら圧電材料の
逆圧電効果は、図１に示すように電界（Ｅ）−分極
（Ｐ）関係においてヒステリシス曲線を示し、また図２
に示すように分極反転をともなわない低電界強度又は片
電界（分極と同方向の印加電界）駆動においては、歪み
（△ｌ／ｌ）が印加電圧に比例するものである。
タン酸鉛（ＰＺＴ）系を主成分とする材料、ニッケルニ
オブ酸鉛（ＰＮＮ）系を主成分とする材料、マンガンニ
オブ酸鉛を主成分とする材料、アンチモンスズ酸鉛を主
成分とする材料、チタン酸鉛を主成分とする材料、及び
これらの材料にランタン、バリウム、ニオブ、亜鉛、セ
リウム、カドミウム、クロム、コバルト、ストロンチウ
ム、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、タング
ステン、ニッケル、マンガン等の酸化物やそれらの他の
化合物を添加物として含有せしめた材料、例えば、ジル
コン酸チタン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）系となるよう
に、前記ＰＺＴ系を主成分とする材料に上記の如き所定
の添加物を適宜に加えたものがあり、これら圧電材料の
逆圧電効果は、図１に示すように電界（Ｅ）−分極
（Ｐ）関係においてヒステリシス曲線を示し、また図２
に示すように分極反転をともなわない低電界強度又は片
電界（分極と同方向の印加電界）駆動においては、歪み
（△ｌ／ｌ）が印加電圧に比例するものである。
【００１３】また電歪材料には、マグネシウムニオブ酸
鉛（ＰＭＮ）系を主成分とする材料、亜鉛ニオブ酸鉛を
主成分とする材料、及びこれらの材料にランタン、バリ
ウム、ニオブ、亜鉛、セリウム、カドニウム、クロム、
コバルト、ストロンチウム、アンチモン、鉄、イットリ
ウム、タンタル、タングステン、ニッケル、マンガン等
の酸化物やそれらの他の化合物を添加物として含有せし
めた材料、例えば、ＰＬＺＴ系となるように、ＰＺＴ系
を主成分とする材料に上記の如き所定の添加物を適宜に
加えたものがあり、この電歪効果は、図３に示すように
電界（Ｅ）−分極（Ｐ）関係において、ヒステリシス曲
線を示さず、また、図４に示すように電界（Ｅ）−歪み
（△ｌ／ｌ）特性において、歪みは印加電圧の自乗に比
例する。
鉛（ＰＭＮ）系を主成分とする材料、亜鉛ニオブ酸鉛を
主成分とする材料、及びこれらの材料にランタン、バリ
ウム、ニオブ、亜鉛、セリウム、カドニウム、クロム、
コバルト、ストロンチウム、アンチモン、鉄、イットリ
ウム、タンタル、タングステン、ニッケル、マンガン等
の酸化物やそれらの他の化合物を添加物として含有せし
めた材料、例えば、ＰＬＺＴ系となるように、ＰＺＴ系
を主成分とする材料に上記の如き所定の添加物を適宜に
加えたものがあり、この電歪効果は、図３に示すように
電界（Ｅ）−分極（Ｐ）関係において、ヒステリシス曲
線を示さず、また、図４に示すように電界（Ｅ）−歪み
（△ｌ／ｌ）特性において、歪みは印加電圧の自乗に比
例する。
【００１４】一方、相転移材料は、例えば、ジルコン酸
鉛（ＰｂＺｒＯ3）を主体とした反強誘電体材料、すな
わち、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）、ジルコン酸スズ
酸鉛（ＰＺＳ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、ジ
ルコン酸ハフニウム酸鉛、ジルコン酸チタン酸ランタン
鉛（ＰＬＺＴ）等の他にドーパントとして、ニオブ、ラ
ンタン、ビスマス、チタン、タンタル等を組成とするセ
ラミックスが挙げられ、これら材料の電界誘起強制相転
移現象における電界（Ｅ）−分極（Ｐ）関係は、図５に
示すように二重ヒステリシス曲線を示し、また、電界
（Ｅ）−歪み（△ｌ／ｌ）特性は、先の圧電材料や電歪
材料が電圧に対し連続的に歪みを生じるのに対し、図６
に示すように非連続的に歪みを発生することを特徴とす
る。
鉛（ＰｂＺｒＯ3）を主体とした反強誘電体材料、すな
わち、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）、ジルコン酸スズ
酸鉛（ＰＺＳ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、ジ
ルコン酸ハフニウム酸鉛、ジルコン酸チタン酸ランタン
鉛（ＰＬＺＴ）等の他にドーパントとして、ニオブ、ラ
ンタン、ビスマス、チタン、タンタル等を組成とするセ
ラミックスが挙げられ、これら材料の電界誘起強制相転
移現象における電界（Ｅ）−分極（Ｐ）関係は、図５に
示すように二重ヒステリシス曲線を示し、また、電界
（Ｅ）−歪み（△ｌ／ｌ）特性は、先の圧電材料や電歪
材料が電圧に対し連続的に歪みを生じるのに対し、図６
に示すように非連続的に歪みを発生することを特徴とす
る。
【００１５】このような相転移材料の歪みは圧電材料と
比較すると、表１に示すように、縦，横の歪みとも３倍
ないし４倍程大きい。また、現在まで報告された電歪材
料の歪みは圧電体材料の１／３程であり、単純に相転移
材料と比較すると電歪材料の９倍から１２倍程の巨大歪
みを発生することになる。一方、圧縮応力下における変
位量から類推される相転移材料の最大発生応力は圧電体
材料や電歪材料の１.８倍〜２.３倍にも達する。このよ
うな発生応力が大きいこと、及び巨大歪みを生じること
はアクチュエータとして力のある電圧−圧力変換素子を
実現するのに好適であり、特に、この素子をインクジェ
ットプリンタヘッドに用いる時、インク吐出力がかせげ
るという利点を有する。
比較すると、表１に示すように、縦，横の歪みとも３倍
ないし４倍程大きい。また、現在まで報告された電歪材
料の歪みは圧電体材料の１／３程であり、単純に相転移
材料と比較すると電歪材料の９倍から１２倍程の巨大歪
みを発生することになる。一方、圧縮応力下における変
位量から類推される相転移材料の最大発生応力は圧電体
材料や電歪材料の１.８倍〜２.３倍にも達する。このよ
うな発生応力が大きいこと、及び巨大歪みを生じること
はアクチュエータとして力のある電圧−圧力変換素子を
実現するのに好適であり、特に、この素子をインクジェ
ットプリンタヘッドに用いる時、インク吐出力がかせげ
るという利点を有する。
【００１６】換言すれば、プリンタヘッドの高集積化に
より、インクキャビティの幅が減少し、電圧−圧力変換
素子に力が要求される場合において十分有効なアクチュ
エータが提供できる。
より、インクキャビティの幅が減少し、電圧−圧力変換
素子に力が要求される場合において十分有効なアクチュ
エータが提供できる。
【００１７】
【表１】
【００１８】また、圧電材料の比誘電率は３０００〜５
０００、電歪材料のそれは１００００〜２００００と大
きいのに対し相転移材料は２５０〜５００であり、１桁
以上低い。このことは素子駆動の際の電荷の充電、放電
に関係する電力エネルギー（単に消費電力）が少なくて
済むことを意味する。
０００、電歪材料のそれは１００００〜２００００と大
きいのに対し相転移材料は２５０〜５００であり、１桁
以上低い。このことは素子駆動の際の電荷の充電、放電
に関係する電力エネルギー（単に消費電力）が少なくて
済むことを意味する。
【００１９】以下に、本発明による反強誘電−強誘電相
転移アクチュエータの実施例を添付された図面に従って
説明する。 （実施例１）図７は、本発明に従う反強誘電−強誘電相
転移アクチュエータの一実施例の構造を説明するための
断面図で、図中、１はスペーサプレート、２は加圧室、
３はセラミック基板、４は下部電極膜、５は反強誘電−
強誘電相転移膜、６は上部電極膜、４′，６′はリード
部である。セラミック基板３上に下部電極膜４と反強誘
電相−強誘電相転移膜５と上部電極膜６が順次積層さ
れ、セラミック基板３の下にはスペーサプレート１と加
圧室２が形成されている。前記各電極膜からはリード部
４′，６′が引き出されており、これらを通じて、それ
ぞれの電極膜に通電が行われるようになっている。
転移アクチュエータの実施例を添付された図面に従って
説明する。 （実施例１）図７は、本発明に従う反強誘電−強誘電相
転移アクチュエータの一実施例の構造を説明するための
断面図で、図中、１はスペーサプレート、２は加圧室、
３はセラミック基板、４は下部電極膜、５は反強誘電−
強誘電相転移膜、６は上部電極膜、４′，６′はリード
部である。セラミック基板３上に下部電極膜４と反強誘
電相−強誘電相転移膜５と上部電極膜６が順次積層さ
れ、セラミック基板３の下にはスペーサプレート１と加
圧室２が形成されている。前記各電極膜からはリード部
４′，６′が引き出されており、これらを通じて、それ
ぞれの電極膜に通電が行われるようになっている。
【００２０】本発明に従う反強誘電−強誘電相転移アク
チュエータは、上記のように、振動板の如き作用板とな
るセラミック基板３上に、電極材料、反強誘電−強誘電
相転移材料とが、それぞれ多層に形成されたものであっ
て、熱処理によって、セラミック基板３と振動部（下部
電極膜４＋反強誘電−強誘電相転移膜５＋上部電極膜
６）とが一体構造を形成する。前記各膜４，５，６をセ
ラミック基板３に形成する手段は、スパッタリング、真
空蒸着、スクリーン印刷等の手法から選択される。各電
極膜４，６の材料としては、熱処理温度並びに焼成温度
程度の高温酸化雰囲気に耐えられる導体であれば、特に
規制されるものではなく、例えば、金属単体であって
も、合金であっても良く、また絶縁性セラミックスやガ
ラス等と金属や合金との混合物であっても、導電性セラ
ミックスであっても、何等差し支えない。もっとも、好
ましくは白金、パラジウム、ロジウムなどの高温融点貴
金属類、あるいは銀−パラジウム、銀−白金、白金−パ
ラジウム等の合金を主成分とする電極材料が用いられる
が、なかでも安定性の点から白金が好適に採用される。
チュエータは、上記のように、振動板の如き作用板とな
るセラミック基板３上に、電極材料、反強誘電−強誘電
相転移材料とが、それぞれ多層に形成されたものであっ
て、熱処理によって、セラミック基板３と振動部（下部
電極膜４＋反強誘電−強誘電相転移膜５＋上部電極膜
６）とが一体構造を形成する。前記各膜４，５，６をセ
ラミック基板３に形成する手段は、スパッタリング、真
空蒸着、スクリーン印刷等の手法から選択される。各電
極膜４，６の材料としては、熱処理温度並びに焼成温度
程度の高温酸化雰囲気に耐えられる導体であれば、特に
規制されるものではなく、例えば、金属単体であって
も、合金であっても良く、また絶縁性セラミックスやガ
ラス等と金属や合金との混合物であっても、導電性セラ
ミックスであっても、何等差し支えない。もっとも、好
ましくは白金、パラジウム、ロジウムなどの高温融点貴
金属類、あるいは銀−パラジウム、銀−白金、白金−パ
ラジウム等の合金を主成分とする電極材料が用いられる
が、なかでも安定性の点から白金が好適に採用される。
【００２１】セラミックス基板３およびスペーサプレー
ト１は、同一材料から形成されていて、ここではセラミ
ックスの一体焼成品として形成される。まずセラミック
ス原料とバインダー並びに溶媒等から調整されるセラミ
ックスのスラリーから、ドクターブレード装置やリバー
スロールコーター装置等の一般的な装置を用いて、前駆
体であるグリーンシートを成形するが、この後必要に応
じて、かかるグリーンシートに切断・切削・打ち抜き等
の加工を施すことも出来る。このような前駆体を積層
し、焼成することによって、一体的なセラミックス基体
部（セラミックス基板３＋スペーサプレート１）が得ら
れるのである。なお、かかるセラミックス基体部を形成
するセラミックスの材質は、特に限定されるものではな
いが、成形性等の点からアルミナ、ジルコニア等が好適
に採用され、特に所定の化合物で部分安定化された酸化
ジルコニウムを主成分とするセラミック基板３が好適で
ある。また、セラミック基板３の厚さは好ましくは５０
μｍ以下、またスペーサプレート１の厚さは好ましくは
１００μｍ以上である。
ト１は、同一材料から形成されていて、ここではセラミ
ックスの一体焼成品として形成される。まずセラミック
ス原料とバインダー並びに溶媒等から調整されるセラミ
ックスのスラリーから、ドクターブレード装置やリバー
スロールコーター装置等の一般的な装置を用いて、前駆
体であるグリーンシートを成形するが、この後必要に応
じて、かかるグリーンシートに切断・切削・打ち抜き等
の加工を施すことも出来る。このような前駆体を積層
し、焼成することによって、一体的なセラミックス基体
部（セラミックス基板３＋スペーサプレート１）が得ら
れるのである。なお、かかるセラミックス基体部を形成
するセラミックスの材質は、特に限定されるものではな
いが、成形性等の点からアルミナ、ジルコニア等が好適
に採用され、特に所定の化合物で部分安定化された酸化
ジルコニウムを主成分とするセラミック基板３が好適で
ある。また、セラミック基板３の厚さは好ましくは５０
μｍ以下、またスペーサプレート１の厚さは好ましくは
１００μｍ以上である。
【００２２】（実施例２）次に本発明に係る反強誘電−
強誘電相転移膜の相転移の温存特性を改善した一実施例
について説明する。相転移により巨大歪みを発生させる
材料は反強誘電体であることが必須である。この反強誘
電体とは前記述べたように電界−分極の関係において二
重ヒステリシス曲線を示すものであり、一般に反強誘電
体や強誘電体は熱振動による構造二次相転移を示し、そ
の特性が消失する温度（いわゆるキュリー点）が存在す
る。すなわち、これら特性は温度の関数であると換言で
きる。
強誘電相転移膜の相転移の温存特性を改善した一実施例
について説明する。相転移により巨大歪みを発生させる
材料は反強誘電体であることが必須である。この反強誘
電体とは前記述べたように電界−分極の関係において二
重ヒステリシス曲線を示すものであり、一般に反強誘電
体や強誘電体は熱振動による構造二次相転移を示し、そ
の特性が消失する温度（いわゆるキュリー点）が存在す
る。すなわち、これら特性は温度の関数であると換言で
きる。
【００２３】このような反強誘電体には、ジルコン酸
鉛、ハフニウム酸鉛などが知られており、これら材料は
反強誘電体ではあるが、実用にあたいする転移現象は、
２００℃以上でのみしか観測されず、このような材料を
用いることはアクチュエータ部近傍にヒータ等の外部加
熱機構を具備させる必要があり、きわめて好ましくな
い。
鉛、ハフニウム酸鉛などが知られており、これら材料は
反強誘電体ではあるが、実用にあたいする転移現象は、
２００℃以上でのみしか観測されず、このような材料を
用いることはアクチュエータ部近傍にヒータ等の外部加
熱機構を具備させる必要があり、きわめて好ましくな
い。
【００２４】ジルコン酸チタン酸鉛系派生系セラミック
スであるジルコン酸チタン酸スズ酸鉛（ＰＺＳＴ）は、
０℃以下では斜方晶強誘電相を、０℃−１８０℃の温度
範囲では、擬正方晶反強誘電相を、そして、１８０℃以
上では正方晶常誘電相を示すことから、アクチュエータ
として使用する際、室温における十分安定な反強誘電性
を示すため、前述の如き問題を、解決できうる材料であ
るといえる。このような材料における詳細な組成探索の
結果、室温における駆動を想定したとき、 Ｐｂ［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］Ｏ3 （式中、ｘ，ｙの範囲は、０.３≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.
２の範囲から採用される）が前記の室温における駆動に
関して適応できる組成であった。
スであるジルコン酸チタン酸スズ酸鉛（ＰＺＳＴ）は、
０℃以下では斜方晶強誘電相を、０℃−１８０℃の温度
範囲では、擬正方晶反強誘電相を、そして、１８０℃以
上では正方晶常誘電相を示すことから、アクチュエータ
として使用する際、室温における十分安定な反強誘電性
を示すため、前述の如き問題を、解決できうる材料であ
るといえる。このような材料における詳細な組成探索の
結果、室温における駆動を想定したとき、 Ｐｂ［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］Ｏ3 （式中、ｘ，ｙの範囲は、０.３≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.
２の範囲から採用される）が前記の室温における駆動に
関して適応できる組成であった。
【００２５】（実施例３）次に本発明に係る反強誘電−
強誘電転移膜の成形時にセラミックの焼結容易性を増し
た一実施例について説明する。グリーンシートからセラ
ミック焼結体を得るために、焼結容易性を増すことを想
定し、実施例２記載のＰＺＳＴにＬａを微量添加させ、
以下に示す２つの組成シリーズに従って組成の最適化の
ための評価を行った。 シリーズＡ；Ｐｂ0.98Ｌａ0.02(Ｚｒ0.66Ｔｉ0.11-xＳ
ｎ0.23+x)0.98Ｏ3 （式中、ｘは０〜０.０４の範囲で変更） シリーズＢ；Ｐｂ0.98Ｌａ0.02(Ｚｒ0.60+yＴｉ0.10Ｓ
ｎ0.30-y)0.98Ｏ3 （式中、ｙは０〜０.２０の範囲で変更） 図８は、このときの組成比を概念的に示した図である。
この結果、これら組成で、すべて良好な相転移を示し、
特に、 Ｐｂ0.98Ｌａ0.02（Ｚｒ0.66Ｔｉ0.10Ｓｎ0.24)0.98Ｏ3 において、縦歪みが＋０.５０％、横歪みが＋０.０８％
に至る巨大歪みを得た。
強誘電転移膜の成形時にセラミックの焼結容易性を増し
た一実施例について説明する。グリーンシートからセラ
ミック焼結体を得るために、焼結容易性を増すことを想
定し、実施例２記載のＰＺＳＴにＬａを微量添加させ、
以下に示す２つの組成シリーズに従って組成の最適化の
ための評価を行った。 シリーズＡ；Ｐｂ0.98Ｌａ0.02(Ｚｒ0.66Ｔｉ0.11-xＳ
ｎ0.23+x)0.98Ｏ3 （式中、ｘは０〜０.０４の範囲で変更） シリーズＢ；Ｐｂ0.98Ｌａ0.02(Ｚｒ0.60+yＴｉ0.10Ｓ
ｎ0.30-y)0.98Ｏ3 （式中、ｙは０〜０.２０の範囲で変更） 図８は、このときの組成比を概念的に示した図である。
この結果、これら組成で、すべて良好な相転移を示し、
特に、 Ｐｂ0.98Ｌａ0.02（Ｚｒ0.66Ｔｉ0.10Ｓｎ0.24)0.98Ｏ3 において、縦歪みが＋０.５０％、横歪みが＋０.０８％
に至る巨大歪みを得た。
【００２６】（実施例４）次に本発明に係る反強誘電−
強誘電転移膜の成形時にセラミックの焼結容易性を増し
た他の実施例について説明する。ここでは実施例２記載
のＰＺＳＴにＮｂを微量添加させ、以下に示すシリーズ
に従って組成の最適化のための評価を行った。シリーズ
Ｃ；Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02[(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy]0.98Ｏ
3 上式において、Ｃ１： ｘ＝０.５５ ｙ＝０.
０６５、 Ｃ２： ｘ＝０.６０ ｙ＝０.０５５、 Ｃ３： ｘ＝０.６５ ｙ＝０.０５０、 Ｃ４： ｘ＝０.７０ ｙ＝０.０４５、の４点
で評価を行った。図９は、このときの組成比を概念的に
示した図である。この結果、以上４点の組成で、すべて
良好な相転移を示し、特に、 Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02[(Ｚｒ0.70Ｓｎ0.30)0.955Ｔｉ0.045]
0.98Ｏ3 において、縦歪みが＋０.３４％、横歪みが＋０.０８５
％に至る巨大歪みを得た。
強誘電転移膜の成形時にセラミックの焼結容易性を増し
た他の実施例について説明する。ここでは実施例２記載
のＰＺＳＴにＮｂを微量添加させ、以下に示すシリーズ
に従って組成の最適化のための評価を行った。シリーズ
Ｃ；Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02[(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy]0.98Ｏ
3 上式において、Ｃ１： ｘ＝０.５５ ｙ＝０.
０６５、 Ｃ２： ｘ＝０.６０ ｙ＝０.０５５、 Ｃ３： ｘ＝０.６５ ｙ＝０.０５０、 Ｃ４： ｘ＝０.７０ ｙ＝０.０４５、の４点
で評価を行った。図９は、このときの組成比を概念的に
示した図である。この結果、以上４点の組成で、すべて
良好な相転移を示し、特に、 Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02[(Ｚｒ0.70Ｓｎ0.30)0.955Ｔｉ0.045]
0.98Ｏ3 において、縦歪みが＋０.３４％、横歪みが＋０.０８５
％に至る巨大歪みを得た。
【００２７】（実施例５）次に本発明に係る相転移アク
チュエータを使用したインクジェットプリンタヘッドの
構成を説明する。図１０は、本発明によるインクジェッ
トヘッドの一実施例の構成を説明するための断面図で、
図中、７はノズル補強板、８はノズルプレート、９はノ
ズル孔で、その他図７と同じ作用をする部分には図７と
同じ符号が付してある。このインクジェットヘッドは、
白金による下部電極膜４，ジルコン酸スズ酸チタン酸ニ
オブ鉛（ＰＮＺＳＴ）の反強誘電−強誘電相転移膜５，
白金による上部電極膜６を、酸化ジルコニアからなるセ
ラミック基板３上に順次積層し、さらにセラミック基板
３の逆の面にインク液室２を形成する酸化ジルコニアか
らなるスペーサプレート１，ノズル補強板７，ノズル孔
９の空いたノズルプレート８を設けてなる構成を有して
いる。かかるノズルプレート８の材質は、特に限定され
るものではないが、ノズル孔９を高い寸法精度で形成す
る上で、一般にプラスチックや、またはニッケルないし
ステンレスといった金属が好適に採用される。本構成例
にて、幅ａ、奥行き２.５ｍｍのインク液室２を想定し
て吐出試験を行なった。以下表２にこのときのインク吐
出の有無を示す。
チュエータを使用したインクジェットプリンタヘッドの
構成を説明する。図１０は、本発明によるインクジェッ
トヘッドの一実施例の構成を説明するための断面図で、
図中、７はノズル補強板、８はノズルプレート、９はノ
ズル孔で、その他図７と同じ作用をする部分には図７と
同じ符号が付してある。このインクジェットヘッドは、
白金による下部電極膜４，ジルコン酸スズ酸チタン酸ニ
オブ鉛（ＰＮＺＳＴ）の反強誘電−強誘電相転移膜５，
白金による上部電極膜６を、酸化ジルコニアからなるセ
ラミック基板３上に順次積層し、さらにセラミック基板
３の逆の面にインク液室２を形成する酸化ジルコニアか
らなるスペーサプレート１，ノズル補強板７，ノズル孔
９の空いたノズルプレート８を設けてなる構成を有して
いる。かかるノズルプレート８の材質は、特に限定され
るものではないが、ノズル孔９を高い寸法精度で形成す
る上で、一般にプラスチックや、またはニッケルないし
ステンレスといった金属が好適に採用される。本構成例
にて、幅ａ、奥行き２.５ｍｍのインク液室２を想定し
て吐出試験を行なった。以下表２にこのときのインク吐
出の有無を示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２に示すごとく相転移材料では幅ａが２
００μｍ以下になってもインク吐出可能であった。よっ
て、相転移材料を用いることにより、より高集積化した
インクジェットプリンタヘッドが実現できた。
００μｍ以下になってもインク吐出可能であった。よっ
て、相転移材料を用いることにより、より高集積化した
インクジェットプリンタヘッドが実現できた。
【００３０】本発明による相転移アクチュエータは前記
の構造を有するインクジェットプリンタヘッド以外に
も、各種構造のインクジェットプリントヘッドのインク
ポンプとして利用されるほか、マイクロポンプ、スピー
カ、センサ、振動子、フィルタ等として用いることが出
来る。
の構造を有するインクジェットプリンタヘッド以外に
も、各種構造のインクジェットプリントヘッドのインク
ポンプとして利用されるほか、マイクロポンプ、スピー
カ、センサ、振動子、フィルタ等として用いることが出
来る。
【００３１】
【発明の効果】請求項１の発明の効果：セラミック基板
の少なくとも一方の面上に、第１の電極膜と反強誘電−
強誘電相転移膜と第２電極膜の組み合わせからなる反強
誘電−強誘電相転移駆動部の少なくとも１つが、それら
膜が順次層状に積層せしめられて、形成されてなる構造
を有することを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型
アクチュエータを用いることにより、反強誘電−強誘電
相転移膜が膜形成法によって容易にかつ優れた量産性を
もって形成され、また圧電／電歪膜よりも最大応力が大
きく、さらに体積変化率は１桁以上大きいことから、ア
クチュエータの小型化と高集積化、および低消費電力化
が実現できる。
の少なくとも一方の面上に、第１の電極膜と反強誘電−
強誘電相転移膜と第２電極膜の組み合わせからなる反強
誘電−強誘電相転移駆動部の少なくとも１つが、それら
膜が順次層状に積層せしめられて、形成されてなる構造
を有することを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型
アクチュエータを用いることにより、反強誘電−強誘電
相転移膜が膜形成法によって容易にかつ優れた量産性を
もって形成され、また圧電／電歪膜よりも最大応力が大
きく、さらに体積変化率は１桁以上大きいことから、ア
クチュエータの小型化と高集積化、および低消費電力化
が実現できる。
【００３２】請求項２の発明の効果：請求項１におい
て、前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ［(ＺｒxＳｎ
1-x)1-yＴｉy］Ｏ3（式中、ｘ,ｙは、０.３≦ｘ≦１，
０≦ｙ≦０.２の範囲から採用される）で表される組成
物であることを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜ア
クチュエータを用いることにより、室温で反強誘電性を
示すため、使用時の加熱が不要になり低消費電力化を図
ることができる。
て、前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ［(ＺｒxＳｎ
1-x)1-yＴｉy］Ｏ3（式中、ｘ,ｙは、０.３≦ｘ≦１，
０≦ｙ≦０.２の範囲から採用される）で表される組成
物であることを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜ア
クチュエータを用いることにより、室温で反強誘電性を
示すため、使用時の加熱が不要になり低消費電力化を図
ることができる。
【００３３】請求項３の発明の効果：請求項１におい
て、請求項１において、前記反強誘電−強誘電相転移膜
がＰｂ1-zＬａz［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-1/4zＯ3
（式中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.２，
０≦ｚ≦０.０４の範囲から採用される）で表される組
成物であることを特徴とするＰＬＺＳＴを主成分とする
反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータを用いるこ
とにより、室温で反強誘電性を示し、使用時の加熱が不
要になり低消費電力化を図ることができるとともに、前
記反強誘電−強誘電相転移膜の焼結特性を向上させるこ
とができる優れた特性を得ることができる。
て、請求項１において、前記反強誘電−強誘電相転移膜
がＰｂ1-zＬａz［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-1/4zＯ3
（式中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.２，
０≦ｚ≦０.０４の範囲から採用される）で表される組
成物であることを特徴とするＰＬＺＳＴを主成分とする
反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータを用いるこ
とにより、室温で反強誘電性を示し、使用時の加熱が不
要になり低消費電力化を図ることができるとともに、前
記反強誘電−強誘電相転移膜の焼結特性を向上させるこ
とができる優れた特性を得ることができる。
【００３４】請求項４の発明の効果：請求項１におい
て、前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ1-1/2zＮｂz
［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-zＯ3（式中、ｘ,ｙ,ｚ
は、０.３≦ｘ≦０.８，０.０４≦ｙ≦０.２，０≦ｚ≦
０.０４の範囲から採用される）で表される組成物であ
ることを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型アクチ
ュエータを用いることにより、上記室温で反強誘電性を
示し、使用時の加熱が不要になり低消費電力化を図るこ
とができるとともに、前記反強誘電−強誘電相転移膜の
焼結特性を向上させることができる優れた特性を得るこ
とができる。
て、前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ1-1/2zＮｂz
［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-zＯ3（式中、ｘ,ｙ,ｚ
は、０.３≦ｘ≦０.８，０.０４≦ｙ≦０.２，０≦ｚ≦
０.０４の範囲から採用される）で表される組成物であ
ることを特徴とする反強誘電−強誘電相転移膜型アクチ
ュエータを用いることにより、上記室温で反強誘電性を
示し、使用時の加熱が不要になり低消費電力化を図るこ
とができるとともに、前記反強誘電−強誘電相転移膜の
焼結特性を向上させることができる優れた特性を得るこ
とができる。
【００３５】請求項５の発明の効果：反強誘電−強誘電
相転移膜型アクチュエータを有することを特徴とするイ
ンクジェットプリンタによって、高密度化・高集積化が
可能で、高速なインクジェットプリンタヘッドを提供す
ることができる。
相転移膜型アクチュエータを有することを特徴とするイ
ンクジェットプリンタによって、高密度化・高集積化が
可能で、高速なインクジェットプリンタヘッドを提供す
ることができる。
【図１】 圧電材料の特性を説明するための電界−分極
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図２】 圧電材料の特性を説明するための電界−歪み
（変位量）の関係を示す図である。
（変位量）の関係を示す図である。
【図３】 電歪材料の特性を説明するための電界−分極
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図４】 電歪材料の特性を説明するための電界−歪み
（変位量）の関係を示す図である。
（変位量）の関係を示す図である。
【図５】 反強誘電−強誘電相転移材料の特性を説明す
るための電界−分極の関係を示す図である。
るための電界−分極の関係を示す図である。
【図６】 反強誘電−強誘電相転移材料の特性を説明す
るための電界−歪み（変位量）の関係を示す図である。
るための電界−歪み（変位量）の関係を示す図である。
【図７】 本発明に従う反強誘電−強誘電相転移アクチ
ュエータの一実施例の構造を説明するための断面図であ
る。
ュエータの一実施例の構造を説明するための断面図であ
る。
【図８】 ＰＬＺＳＴの検討組成比を概念的に示した図
である。
である。
【図９】 ＰＮＺＳＴの検討組成比を概念的に示した図
である。
である。
【図１０】 本発明によるインクジェットヘッドの一実
施例の構成を説明するための断面図である。
施例の構成を説明するための断面図である。
１…スペーサプレート、２…加圧室、３…セラミック基
板、４…下部電極膜、５…反強誘電−強誘電相転移膜、
６…上部電極膜、４′，６′…リード部、７…ノズル補
強板、８…ノズルプレート、９…ノズル孔。
板、４…下部電極膜、５…反強誘電−強誘電相転移膜、
６…上部電極膜、４′，６′…リード部、７…ノズル補
強板、８…ノズルプレート、９…ノズル孔。
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミック基板の少なくとも一方の面上
に、第１の電極膜と反強誘電−強誘電相転移膜と第２電
極膜の組み合わせからなる反強誘電−強誘電相転移駆動
部の少なくとも１つが、それら膜が順次層状に積層せし
められて、形成されてなる構造を有することを特徴とす
る反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ。 - 【請求項２】 前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ
［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］Ｏ3（式中、ｘ,ｙは、０.
３≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.２の範囲から採用される）で
表される組成物であることを特徴とする請求項１記載の
反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ。 - 【請求項３】 前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ
1-zＬａz［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］１-1/4zＯ3（式
中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０.２，０≦
ｚ≦０.０４の範囲から採用される）で表される組成物
であることを特徴とする請求項１記載の反強誘電−強誘
電相転移膜型アクチュエータ。 - 【請求項４】 前記反強誘電−強誘電相転移膜がＰｂ
1-1/2zＮｂz［(ＺｒxＳｎ1-x)1-yＴｉy］1-zＯ3（式
中、ｘ,ｙ,ｚは、０.３≦ｘ≦０.８，０.０４≦ｙ≦０.
２，０≦ｚ≦０.０４の範囲から採用される）で表され
る組成物であることを特徴とする請求項１記載の反強誘
電−強誘電相転移膜型アクチュエータ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１記載の反強誘
電−強誘電相転移膜型アクチュエータを有することを特
徴とするインクジェットプリンタヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8202315A JPH1052071A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ及びインクジェットプリンタヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8202315A JPH1052071A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ及びインクジェットプリンタヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1052071A true JPH1052071A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16455517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8202315A Pending JPH1052071A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ及びインクジェットプリンタヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1052071A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265811B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-07-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic element, method for producing ceramic element, display device, relay device and capacitor |
| JP2003098559A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Fujitsu Ltd | 光偏向素子及び光スイッチ |
| CN102120385A (zh) * | 2009-11-02 | 2011-07-13 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷射装置 |
| US8668310B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-03-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric material |
| US8678560B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-03-25 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric material |
| CN112209711A (zh) * | 2020-09-02 | 2021-01-12 | 广东工业大学 | 一种锆钛锡铌酸铅厚膜陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP8202315A patent/JPH1052071A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265811B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-07-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic element, method for producing ceramic element, display device, relay device and capacitor |
| US6476540B2 (en) | 1996-11-29 | 2002-11-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic element, method for producing ceramic element, display device, relay device, and capacitor |
| JP2003098559A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Fujitsu Ltd | 光偏向素子及び光スイッチ |
| CN102120385A (zh) * | 2009-11-02 | 2011-07-13 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷射装置 |
| CN103252996A (zh) * | 2009-11-02 | 2013-08-21 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷射装置 |
| US8668310B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-03-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric material |
| US8678560B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-03-25 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric material |
| US8998386B2 (en) | 2009-11-02 | 2015-04-07 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting apparatus |
| US9144976B2 (en) | 2009-11-02 | 2015-09-29 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting apparatus |
| US9673378B2 (en) | 2009-11-02 | 2017-06-06 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric material |
| US9799820B2 (en) | 2009-11-02 | 2017-10-24 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric material |
| CN112209711A (zh) * | 2020-09-02 | 2021-01-12 | 广东工业大学 | 一种锆钛锡铌酸铅厚膜陶瓷及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3162584B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子及びその製造方法 | |
| JP3501860B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子及びその製造方法 | |
| US5691594A (en) | Piezoelectric/electrostricitve element having ceramic substrate formed essentially of stabilized zirconia | |
| US6396196B1 (en) | Piezoelectric device | |
| EP0408306B1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive actuator having at least one piezoelectric/electrostrictive film | |
| HK1003608B (en) | Piezoelectric/electrostrictive element having ceramic substrate formed essentially of stabilized zirconia | |
| JPH06350155A (ja) | 圧電／電歪膜型素子 | |
| US20060202170A1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive porcelain composition and method of manufacturing the same | |
| JP2693291B2 (ja) | 圧電／電歪アクチュエータ | |
| US6993813B2 (en) | Method for manufacturing a piezoelectric/electrostrictive film-type actuator | |
| JP2004146774A (ja) | 積層圧電体、アクチュエータ及び印刷ヘッド | |
| JP3313531B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子及びその製造方法 | |
| JP4812244B2 (ja) | 印刷ヘッド | |
| JPH1052071A (ja) | 反強誘電−強誘電相転移膜型アクチュエータ及びインクジェットプリンタヘッド | |
| JP3009945B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子 | |
| JP5260900B2 (ja) | 液体吐出ヘッド | |
| JP4911907B2 (ja) | 圧電アクチュエータ及び液体吐出装置 | |
| JP2006269916A5 (ja) | ||
| JPH11191645A (ja) | 圧電／電歪膜型アクチュエータ | |
| JP3272004B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子 | |
| JP2005041053A (ja) | 液体吐出装置 | |
| JP2003008096A (ja) | 圧電／電歪膜素子 | |
| CN101070005B (zh) | 促动器及其制造方法以及打印头 | |
| JP2007013096A (ja) | 圧電アクチュエータおよびその駆動方法、並びに印刷ヘッド | |
| EP1365457A2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive film type actuator and method for manufacturing the same |