JPH1052636A - Ｘ線化学反応処理法 - Google Patents
Ｘ線化学反応処理法Info
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- JPH1052636A JPH1052636A JP16641397A JP16641397A JPH1052636A JP H1052636 A JPH1052636 A JP H1052636A JP 16641397 A JP16641397 A JP 16641397A JP 16641397 A JP16641397 A JP 16641397A JP H1052636 A JPH1052636 A JP H1052636A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 34
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低温で高速な固体表面のエッチングを可能とす
る新らしい装置を提供する。 【解決手段】容器及び蓋からなる反応容器と、前記反応
容器内に固体基板を設置する治具と、前記容器内に反応
性ガスを導入する反応ガス導入口と、反応済みのガスを
排気する排気口と、前記治具を加熱するヒーターと、前
記容器外あるいは内から前記固体基板表面及び反応性ガ
スにＸ線を照射し前記固体基板をエッチング処理するＸ
線レーザ源とから成るＸ線化学反応処理装置。
る新らしい装置を提供する。 【解決手段】容器及び蓋からなる反応容器と、前記反応
容器内に固体基板を設置する治具と、前記容器内に反応
性ガスを導入する反応ガス導入口と、反応済みのガスを
排気する排気口と、前記治具を加熱するヒーターと、前
記容器外あるいは内から前記固体基板表面及び反応性ガ
スにＸ線を照射し前記固体基板をエッチング処理するＸ
線レーザ源とから成るＸ線化学反応処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体表面の新しいエ
ッチング法あるいは固体表面への新しい膜形成法に関す
る。
ッチング法あるいは固体表面への新しい膜形成法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体基板表面を反応性ガスにさら
してエッチングしたり、あるいは固体基板表面に膜形成
する方法としては、紫外線照射による光化学反応処理法
があった。
してエッチングしたり、あるいは固体基板表面に膜形成
する方法としては、紫外線照射による光化学反応処理法
があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、紫外線は容器窓や反応ガスに吸収される為に
化学反応が充分に行われず、固体基板の加熱温度を高く
要したり、あるいは紫外線強度を極端に高く要したり、
又、波長がせいぜい１０００Å程度までであるので、量
子エネルギーが不足する為に反応が遅く、エッチング速
度や膜形成速度が遅い等の問題点等があった。
によると、紫外線は容器窓や反応ガスに吸収される為に
化学反応が充分に行われず、固体基板の加熱温度を高く
要したり、あるいは紫外線強度を極端に高く要したり、
又、波長がせいぜい１０００Å程度までであるので、量
子エネルギーが不足する為に反応が遅く、エッチング速
度や膜形成速度が遅い等の問題点等があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の問題点をなく
し、低温で高速な固体表面のエッチングや、固体表面へ
の膜形成を可能とする新らしい方法を提供する事を目的
とする。
し、低温で高速な固体表面のエッチングや、固体表面へ
の膜形成を可能とする新らしい方法を提供する事を目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、Ｘ線化学処理法に係り、容器内には固
体基板を設置し、前記容器内に反応性ガスを導入するこ
とにより、前記固体基板表面を前記反応性ガスにさらす
と共に、前記容器外又は内から前記固体基板表面及び反
応性ガスにＸ線を照射する手段をとる事により前記固体
基板表面をエッチングする事あるいは前記固体表面に膜
を形成する事である。
めに、本発明は、Ｘ線化学処理法に係り、容器内には固
体基板を設置し、前記容器内に反応性ガスを導入するこ
とにより、前記固体基板表面を前記反応性ガスにさらす
と共に、前記容器外又は内から前記固体基板表面及び反
応性ガスにＸ線を照射する手段をとる事により前記固体
基板表面をエッチングする事あるいは前記固体表面に膜
を形成する事である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下。実施例により本発明を詳述
する。
する。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示すＸ線化学反
応膜形成法を示す。すなわち、石英や金属性の容器１及
び蓋２から成る反応容器内に治具５及びその上にＳｉ単
結晶等の固体基板４を置き、前記反応容器内にＳｉＨ
４ 等の反応性ガス５を導入すると共に反応ずみのガス
を排ガス５のごとく排ガスし、前記治具５及び固体基板
４をヒーター７にて加熱しながら前記固体基板４の表面
からＸ線８を照射し、Ｓｉ単結晶膜等の成長膜９を形成
することとなる。容器１はＸ線８の通過する窓部は石英
やアルミニウム等の軽金属等で形成し、その他の部分を
鉄や鉛等の重金属や鉛ガラス等Ｘ線の透過し難い材料で
構成するか被覆する事に安全性の向上を計ることができ
る。本例の場合のごとくＳｉ単結晶膜のエピタキシャル
成長を行った場合には、従来の紫外線による光化学反応
処理では少なくとも４００℃の基板加熱が必要であった
のに対し本法によると２００℃でも同等のＳｉ単結晶膜
厚が得られる事が出来。４００℃ではより高速の成長が
可能となる。
応膜形成法を示す。すなわち、石英や金属性の容器１及
び蓋２から成る反応容器内に治具５及びその上にＳｉ単
結晶等の固体基板４を置き、前記反応容器内にＳｉＨ
４ 等の反応性ガス５を導入すると共に反応ずみのガス
を排ガス５のごとく排ガスし、前記治具５及び固体基板
４をヒーター７にて加熱しながら前記固体基板４の表面
からＸ線８を照射し、Ｓｉ単結晶膜等の成長膜９を形成
することとなる。容器１はＸ線８の通過する窓部は石英
やアルミニウム等の軽金属等で形成し、その他の部分を
鉄や鉛等の重金属や鉛ガラス等Ｘ線の透過し難い材料で
構成するか被覆する事に安全性の向上を計ることができ
る。本例の場合のごとくＳｉ単結晶膜のエピタキシャル
成長を行った場合には、従来の紫外線による光化学反応
処理では少なくとも４００℃の基板加熱が必要であった
のに対し本法によると２００℃でも同等のＳｉ単結晶膜
厚が得られる事が出来。４００℃ではより高速の成長が
可能となる。
【０００８】図２は本発明の他の実施例を示すＸ線レー
ザーによる化学反応エッチング法を示す。すなわち、石
英や金属等から成る容器１１及び蓋１２から成る反応容
器内に治具１５と該治具１５上にのせたセラミック超電
導体等から成る固体基板１４を入れ、前記反応容器内に
塩素ガス等の反応性ガス１５を入れると共に、該反応容
器内に発生する反応ずみのガスを排ガス１６のごとく排
ガスすると共に、前記沿具１３及びその上に固体基板１
４をヒーター１７にて加熱しながら前記固体基板１４の
表面にＸ線レーザー１８をビーム状にして走査させる等
し、エッチング溝１９を極めて細く図形状に形成する事
ができる。本例の場合、Ｘ線は固体基板１４の表面にレ
ジスト膜を図形状に形成した表面から全面に照射しても
良いが、いずれの場合はＸ線の波長の短いところから解
像力の高い、極めて細い溝が形成できる。
ザーによる化学反応エッチング法を示す。すなわち、石
英や金属等から成る容器１１及び蓋１２から成る反応容
器内に治具１５と該治具１５上にのせたセラミック超電
導体等から成る固体基板１４を入れ、前記反応容器内に
塩素ガス等の反応性ガス１５を入れると共に、該反応容
器内に発生する反応ずみのガスを排ガス１６のごとく排
ガスすると共に、前記沿具１３及びその上に固体基板１
４をヒーター１７にて加熱しながら前記固体基板１４の
表面にＸ線レーザー１８をビーム状にして走査させる等
し、エッチング溝１９を極めて細く図形状に形成する事
ができる。本例の場合、Ｘ線は固体基板１４の表面にレ
ジスト膜を図形状に形成した表面から全面に照射しても
良いが、いずれの場合はＸ線の波長の短いところから解
像力の高い、極めて細い溝が形成できる。
【０００９】
【発明の効果】本発明のごとく、Ｘ線化学反応処理法に
より、固体表面のエッチング処理や固体表面への膜形成
処理が低温で高速に出来る効果があると共に、図形状に
これらの処理を行なう場合には解像力が高くなるという
効果もある。
より、固体表面のエッチング処理や固体表面への膜形成
処理が低温で高速に出来る効果があると共に、図形状に
これらの処理を行なう場合には解像力が高くなるという
効果もある。
【図１】本発明の一実施例を示すＸ線化学反応膜形成法
を示す図であり。
を示す図であり。
【図２】本発明の他の実施例を示すＸ線レーザー化学反
応エッチング法を示す図である。
応エッチング法を示す図である。
１，１１……容器 ２，１２……蓋 ５，１５……冶具 ４，１４……固体基板 ５，１５……反応性ガス ６，１６……排ガス ７，１７……ヒーター ８…………Ｘ線 １８………Ｘ線レーザー ９…………成長膜 １９………エッチング溝
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年７月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体表面の新しいエ
ッチング法、固体表面への新しい膜形成法及びそれに使
用される装置に関する。
ッチング法、固体表面への新しい膜形成法及びそれに使
用される装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】本発明は、かかる従来技術の問題点をなく
し、低温で高速な固体表面のエッチングや、固体表面へ
の膜形成を可能とする新らしい方法を提供する事及びそ
れに使用される装置を提供する事を目的とする。
し、低温で高速な固体表面のエッチングや、固体表面へ
の膜形成を可能とする新らしい方法を提供する事及びそ
れに使用される装置を提供する事を目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、Ｘ線化学処理法及びそれに使用される
装置に係り、容器内には固体基板を設置し、前記容器内
に反応性ガスを導入することにより、前記固体基板表面
を前記反応性ガスにさらすと共に、前記容器外又は内か
ら前記固体基板表面及び反応性ガスにＸ線を照射する手
段をとる事により前記固体基板表面をエッチングする事
あるいは前記固体表面に膜を形成する事である。また、
本発明のＸ線化学反応処理装置は、容器及び蓋からなる
反応容器と、前記反応容器内に固体基板を設置する治具
と、前記容器内に反応性ガスを導入する反応ガス導入口
と、反応済みのガスを排気する排気口と、前記治具を加
熱するヒーターと、前記容器外あるいは内から前記固体
基板表面及び反応性ガスにＸ線を照射し前記固体基板を
エッチング処理するＸ線レーザ源とから成ることを特徴
とする。
めに、本発明は、Ｘ線化学処理法及びそれに使用される
装置に係り、容器内には固体基板を設置し、前記容器内
に反応性ガスを導入することにより、前記固体基板表面
を前記反応性ガスにさらすと共に、前記容器外又は内か
ら前記固体基板表面及び反応性ガスにＸ線を照射する手
段をとる事により前記固体基板表面をエッチングする事
あるいは前記固体表面に膜を形成する事である。また、
本発明のＸ線化学反応処理装置は、容器及び蓋からなる
反応容器と、前記反応容器内に固体基板を設置する治具
と、前記容器内に反応性ガスを導入する反応ガス導入口
と、反応済みのガスを排気する排気口と、前記治具を加
熱するヒーターと、前記容器外あるいは内から前記固体
基板表面及び反応性ガスにＸ線を照射し前記固体基板を
エッチング処理するＸ線レーザ源とから成ることを特徴
とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】図２は本発明の他の実施例を示すＸ線レー
ザーによる化学反応エッチング法及びＸ線化学反応処理
装置を示す。Ｘ線化学反応処理装置は、容器１１及び蓋
１２からなる反応容器と、前記反応容器内に固体基板１
４を設置する治具１５と、前記容器内に反応性ガスを導
入する反応ガス導入口と、反応済みのガスを排気する排
気口と、前記治具を加熱するヒーター１７と、前記容器
外あるいは内から前記固体基板表面及び反応性ガスにＸ
線を照射し前記固体基板をエッチング処理するＸ線レー
ザ源とから成る。このＸ線化学反応処理装置により、エ
ッチング溝１９を極めて細く図形状に形成する事ができ
る。すなわち、石英や金属等から成る容器１１及び蓋１
２から成る反応容器内に治具１５と該治具１５上にのせ
たセラミック超電導体等から成る固体基板１４を入れ、
前記反応容器内に塩素ガス等の反応性ガス１５を入れる
と共に、該反応容器内に発生する反応ずみのガスを排ガ
ス１６のごとく排ガスすると共に、前記沿具１３及びそ
の上に固体基板１４をヒーター１７にて加熱しながら前
記固体基板１４の表面にＸ線レーザー１８をビーム状に
して走査させる等し、エッチング溝１９を極めて細く図
形状に形成する事ができる。本例の場合、Ｘ線は固体基
板１４の表面にレジスト膜を図形状に形成した表面から
全面に照射しても良いが、いずれの場合はＸ線の波長の
短いところから解像力の高い、極めて細い溝が形成でき
る。
ザーによる化学反応エッチング法及びＸ線化学反応処理
装置を示す。Ｘ線化学反応処理装置は、容器１１及び蓋
１２からなる反応容器と、前記反応容器内に固体基板１
４を設置する治具１５と、前記容器内に反応性ガスを導
入する反応ガス導入口と、反応済みのガスを排気する排
気口と、前記治具を加熱するヒーター１７と、前記容器
外あるいは内から前記固体基板表面及び反応性ガスにＸ
線を照射し前記固体基板をエッチング処理するＸ線レー
ザ源とから成る。このＸ線化学反応処理装置により、エ
ッチング溝１９を極めて細く図形状に形成する事ができ
る。すなわち、石英や金属等から成る容器１１及び蓋１
２から成る反応容器内に治具１５と該治具１５上にのせ
たセラミック超電導体等から成る固体基板１４を入れ、
前記反応容器内に塩素ガス等の反応性ガス１５を入れる
と共に、該反応容器内に発生する反応ずみのガスを排ガ
ス１６のごとく排ガスすると共に、前記沿具１３及びそ
の上に固体基板１４をヒーター１７にて加熱しながら前
記固体基板１４の表面にＸ線レーザー１８をビーム状に
して走査させる等し、エッチング溝１９を極めて細く図
形状に形成する事ができる。本例の場合、Ｘ線は固体基
板１４の表面にレジスト膜を図形状に形成した表面から
全面に照射しても良いが、いずれの場合はＸ線の波長の
短いところから解像力の高い、極めて細い溝が形成でき
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【発明の効果】本発明のごとく、Ｘ線化学反応処理法に
より、固体表面のエッチング処理や固体表面への膜形成
処理が低温で高速に出来る効果があると共に、図形状に
これらの処理を行なう場合には解像力が高くなるという
効果もある。
より、固体表面のエッチング処理や固体表面への膜形成
処理が低温で高速に出来る効果があると共に、図形状に
これらの処理を行なう場合には解像力が高くなるという
効果もある。
Claims (1)
- 【請求項１】 容器内には固体基板を設置し、前記容器
内に反応性ガスを導入することにより、前記固体基板表
面を前記反応性ガスにさらすと共に前記容器外あるいは
内から前記固体基板表面及び反応性ガスにＸ線を照射す
ることにより前記固体基板表面をエッチング処理する
事、あるいは前記固体基板表面に膜形成処理する事を特
徴とするＸ線化学反応処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16641397A JPH1052636A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｘ線化学反応処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16641397A JPH1052636A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｘ線化学反応処理法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5440288A Division JPH01228540A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | Ｘ線化学反応処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1052636A true JPH1052636A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=15830974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16641397A Pending JPH1052636A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｘ線化学反応処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1052636A (ja) |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP16641397A patent/JPH1052636A/ja active Pending
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