JPH1052939A - 光量制御装置および画像形成装置 - Google Patents
光量制御装置および画像形成装置Info
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- JPH1052939A JPH1052939A JP8210741A JP21074196A JPH1052939A JP H1052939 A JPH1052939 A JP H1052939A JP 8210741 A JP8210741 A JP 8210741A JP 21074196 A JP21074196 A JP 21074196A JP H1052939 A JPH1052939 A JP H1052939A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各発光部から発光される各光ビームの被露光
位置におけるそれぞれの光量を同一に調整することであ
る。 【解決手段】 発光部２，３の光量調整時に、変換部Ｃ
ＯＶにより変換された各出力電圧と各設定部ＳＥＴ１，
ＳＥＴ２により設定された各目標光量とが一致するよう
にＣＰＵ１０が独立して各発光部２，３に印加する駆動
電流を調整する構成を特徴とする。
位置におけるそれぞれの光量を同一に調整することであ
る。 【解決手段】 発光部２，３の光量調整時に、変換部Ｃ
ＯＶにより変換された各出力電圧と各設定部ＳＥＴ１，
ＳＥＴ２により設定された各目標光量とが一致するよう
にＣＰＵ１０が独立して各発光部２，３に印加する駆動
電流を調整する構成を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光量特性の異なる
複数の発光部の光量を調整する光量制御装置および画像
形成装置に関するものである。
複数の発光部の光量を調整する光量制御装置および画像
形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリンタ等の画像記録装置の露光
手段としてレーザ素子が利用されている。この場合にお
いて、露光手段の発光部は１つであり、この場合のレー
ザ光量制御は、該発光部と対をなす光量検出素子の出力
値が、ある一定の値となるようにレーザ電流を制御（Ａ
ＰＣ）すればよかった。
手段としてレーザ素子が利用されている。この場合にお
いて、露光手段の発光部は１つであり、この場合のレー
ザ光量制御は、該発光部と対をなす光量検出素子の出力
値が、ある一定の値となるようにレーザ電流を制御（Ａ
ＰＣ）すればよかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
発光部レーザ素子を露光手段として用いて、かつ光量検
出手段（たとえばピンフォトディテクタ）が共通である
場合、上記従来例のようにレーザ光量の制御をいずれの
発光部に対しても光量検出素子の出力が一定値となるよ
うに行った場合、各発光部のファーフィールドパターン
の違いにより、レーザ素子上での光量に対する、レーザ
ユニットのアパーチャ（しぼり）後の光量、すなわち感
光ドラム面上での光量比率（以下コリメータ効率と記
す）が異なるため、レーザ素子上での光量が各々の発光
部に対して一定値に制御されてしまう従来方式だと、発
光部によってドラム面上での光量に差を生じてしまう。
発光部レーザ素子を露光手段として用いて、かつ光量検
出手段（たとえばピンフォトディテクタ）が共通である
場合、上記従来例のようにレーザ光量の制御をいずれの
発光部に対しても光量検出素子の出力が一定値となるよ
うに行った場合、各発光部のファーフィールドパターン
の違いにより、レーザ素子上での光量に対する、レーザ
ユニットのアパーチャ（しぼり）後の光量、すなわち感
光ドラム面上での光量比率（以下コリメータ効率と記
す）が異なるため、レーザ素子上での光量が各々の発光
部に対して一定値に制御されてしまう従来方式だと、発
光部によってドラム面上での光量に差を生じてしまう。
【０００４】また、光量検出素子は受光部位毎にその内
部抵抗にバラツキがあり、各発光部からのビームの受光
場所の違いから同じ光量を受けても、光量検出素子の出
力にはバラツキが生じていた。
部抵抗にバラツキがあり、各発光部からのビームの受光
場所の違いから同じ光量を受けても、光量検出素子の出
力にはバラツキが生じていた。
【０００５】さらに、各発光部の偏波のバラツキにより
レンズを透過するときやミラーで反射するときに各ビー
ム毎の光量バラツキが生じていた。
レンズを透過するときやミラーで反射するときに各ビー
ム毎の光量バラツキが生じていた。
【０００６】本発明は、上記の問題点を解消するために
なされたもので、本発明に係る第１の発明〜第８の発明
の目的は、各発光部毎に光量特性に応じて各光量制御目
標値を個別設定して、発光部毎によるコリメータ効率
や、偏波，検出素子の感度ムラの違いから生じるドラム
面上での光量を一定に調整することにより、各発光部か
ら発光される各光ビームの被露光位置におけるそれぞれ
の光量を同一に調整できるとともに、画像むらのない画
像を形成できる光量制御装置および画像形成装置を提供
することである。
なされたもので、本発明に係る第１の発明〜第８の発明
の目的は、各発光部毎に光量特性に応じて各光量制御目
標値を個別設定して、発光部毎によるコリメータ効率
や、偏波，検出素子の感度ムラの違いから生じるドラム
面上での光量を一定に調整することにより、各発光部か
ら発光される各光ビームの被露光位置におけるそれぞれ
の光量を同一に調整できるとともに、画像むらのない画
像を形成できる光量制御装置および画像形成装置を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の発明
は、光ビームを発光する複数の発光部を有する露光手段
と、各発光部から発光される各光ビームの光量を検出す
る光量検出手段と、前記露光手段の光量調整時に、前記
光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた出力
電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段と、各発光
部に異なる目標光量を独立して設定する複数の設定手段
と、前記変換手段により変換された各出力電圧と各設定
手段により設定された各目標光量とが一致するように独
立して各発光部に印加する駆動電流を調整する第１の調
整手段とを有するものである。
は、光ビームを発光する複数の発光部を有する露光手段
と、各発光部から発光される各光ビームの光量を検出す
る光量検出手段と、前記露光手段の光量調整時に、前記
光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた出力
電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段と、各発光
部に異なる目標光量を独立して設定する複数の設定手段
と、前記変換手段により変換された各出力電圧と各設定
手段により設定された各目標光量とが一致するように独
立して各発光部に印加する駆動電流を調整する第１の調
整手段とを有するものである。
【０００８】本発明に係る第２の発明は、光ビームを発
光する複数の発光部を有する露光手段と、各発光部から
発光される各光ビームの光量を検出する光量検出手段
と、前記露光手段の光量調整時に、前記光量検出手段が
検出する各光ビームの光量に応じた出力電流をそれぞれ
出力電圧に変換する変換手段と、いずれかの発光部に異
なる目標光量を設定する設定手段と、前記変換手段によ
り変換された各出力電圧が前記設定手段により設定され
た目標光量または記憶される参照光量に一致するように
独立して各発光部に印加する駆動電流を調整する第２の
調整手段とを有するものである。
光する複数の発光部を有する露光手段と、各発光部から
発光される各光ビームの光量を検出する光量検出手段
と、前記露光手段の光量調整時に、前記光量検出手段が
検出する各光ビームの光量に応じた出力電流をそれぞれ
出力電圧に変換する変換手段と、いずれかの発光部に異
なる目標光量を設定する設定手段と、前記変換手段によ
り変換された各出力電圧が前記設定手段により設定され
た目標光量または記憶される参照光量に一致するように
独立して各発光部に印加する駆動電流を調整する第２の
調整手段とを有するものである。
【０００９】本発明に係る第３の発明は、前記変換手段
は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧
変換率を変更設定するものである。
は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧
変換率を変更設定するものである。
【００１０】本発明に係る第４の発明は、前記変換手段
は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧
増幅率を変更設定するものである。
は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧
増幅率を変更設定するものである。
【００１１】本発明に係る第５の発明は、光ビームを発
光する複数の発光部を有する露光手段と、各発光部から
発光される各光ビームの光量を検出する光量検出手段
と、前記露光手段の光量調整時に、前記光量検出手段が
検出する各光ビームの光量に応じた出力電流を出力電圧
に変換する複数の変換手段と、各変換手段が変換した各
出力電圧と記憶される異なる各参照値とに基づいて各光
ビームの光量が各参照値となるように独立して各発光部
に印加する駆動電流を調整する第３の調整手段とを有す
るものである。
光する複数の発光部を有する露光手段と、各発光部から
発光される各光ビームの光量を検出する光量検出手段
と、前記露光手段の光量調整時に、前記光量検出手段が
検出する各光ビームの光量に応じた出力電流を出力電圧
に変換する複数の変換手段と、各変換手段が変換した各
出力電圧と記憶される異なる各参照値とに基づいて各光
ビームの光量が各参照値となるように独立して各発光部
に印加する駆動電流を調整する第３の調整手段とを有す
るものである。
【００１２】本発明に係る第６の発明は、いずれか一方
の変換手段が電流／電圧増幅率を変更設定するものであ
る。
の変換手段が電流／電圧増幅率を変更設定するものであ
る。
【００１３】本発明に係る第７の発明は、各変換手段
は、電流／電圧変換率を変更設定するものである。
は、電流／電圧変換率を変更設定するものである。
【００１４】本発明に係る第８の発明は、第１，第２，
第５の発明のいずれかの光量制御装置を備えた画像形成
装置にかかるものである。
第５の発明のいずれかの光量制御装置を備えた画像形成
装置にかかるものである。
【００１５】
〔第１実施形態〕以下、本発明の一実施形態を図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１６】図１は、本発明の第１実施形態を示す光量
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、該光
量制御装置は、レーザユニットＬＵと制御ユニットＣＵ
から構成されている。
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、該光
量制御装置は、レーザユニットＬＵと制御ユニットＣＵ
から構成されている。
【００１７】図において、１はマルチビーム半導体レー
ザで、内部には二つの発光部２，３と、該発光部２，３
の光量を検出するための光量検出手段たるピンフォトデ
ィテクタ４を内蔵している。該ピンフォトディテクタ４
は発光部の光量に応じた電流（出力電流Ｉｐｄ）を出力
する。
ザで、内部には二つの発光部２，３と、該発光部２，３
の光量を検出するための光量検出手段たるピンフォトデ
ィテクタ４を内蔵している。該ピンフォトディテクタ４
は発光部の光量に応じた電流（出力電流Ｉｐｄ）を出力
する。
【００１８】ピンフォトディテクタ４からの出力電流Ｉ
ｐｄは抵抗器５によって電流・電圧変換し、オペアンプ
６，入力抵抗器７，８，出力保護抵抗器９からなるボル
テージフォロア回路（変換部ＣＯＶ）を介して、レーザ
光量調整手段たるＣＰＵ１０に光量検出信号ＰＤＩＮと
して伝えられる。
ｐｄは抵抗器５によって電流・電圧変換し、オペアンプ
６，入力抵抗器７，８，出力保護抵抗器９からなるボル
テージフォロア回路（変換部ＣＯＶ）を介して、レーザ
光量調整手段たるＣＰＵ１０に光量検出信号ＰＤＩＮと
して伝えられる。
【００１９】該ＣＰＵ１０の内部には光量検出信号ＰＤ
ＩＮを取り込むためのアナログ・ディジタル変換入力ポ
ート（以下Ａ／Ｄポートと記す）１１を有しており、該
Ａ／Ｄポート１１には、レーザ光量調整時における光量
検出信号ＰＤＩＮの目標電圧も各発光部２，３毎に入力
されている（目標電圧Ｖｐｄ１，目標電圧Ｖｐｄ２）。
目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐｄ２はそれぞれレーザユニット
ＬＵ内の抵抗器１２，１３と可変抵抗器１４，１５によ
る抵抗分圧によって作られていて、各レーザ光のアパー
チャ（しぼり）後の感光ドラム面上光量が所望の値に制
御されるように目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐｄ２の値が可変
抵抗器１４，１５によって調整可能となっている。な
お、抵抗器１２，可変抵抗器１４または抵抗器１３，可
変抵抗器１５により設定部ＳＥＴ１，ＳＥＴ２が構成さ
れる。
ＩＮを取り込むためのアナログ・ディジタル変換入力ポ
ート（以下Ａ／Ｄポートと記す）１１を有しており、該
Ａ／Ｄポート１１には、レーザ光量調整時における光量
検出信号ＰＤＩＮの目標電圧も各発光部２，３毎に入力
されている（目標電圧Ｖｐｄ１，目標電圧Ｖｐｄ２）。
目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐｄ２はそれぞれレーザユニット
ＬＵ内の抵抗器１２，１３と可変抵抗器１４，１５によ
る抵抗分圧によって作られていて、各レーザ光のアパー
チャ（しぼり）後の感光ドラム面上光量が所望の値に制
御されるように目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐｄ２の値が可変
抵抗器１４，１５によって調整可能となっている。な
お、抵抗器１２，可変抵抗器１４または抵抗器１３，可
変抵抗器１５により設定部ＳＥＴ１，ＳＥＴ２が構成さ
れる。
【００２０】１６はディジタル・アナログ変換出力ポー
ト（以下Ｄ／Ａポートと記す）であり、８ビットの出力
が加算回路１７、加算回路１８にそれぞれ２組ずつ入力
されている。加算回路１７，１８内では２入力に対して
重み付けを変えて、粗調と微調とし、加算結果を半導体
レーザの定電流電源１９，２０に入力しており、定電流
電源１９，２０では各加算回路１７，１８からの入力電
圧に応じた電流値を差動スイッチング回路２１，２２を
介して各発光部２，３に供給している。
ト（以下Ｄ／Ａポートと記す）であり、８ビットの出力
が加算回路１７、加算回路１８にそれぞれ２組ずつ入力
されている。加算回路１７，１８内では２入力に対して
重み付けを変えて、粗調と微調とし、加算結果を半導体
レーザの定電流電源１９，２０に入力しており、定電流
電源１９，２０では各加算回路１７，１８からの入力電
圧に応じた電流値を差動スイッチング回路２１，２２を
介して各発光部２，３に供給している。
【００２１】これらにより、ＣＰＵ１０では光量検出信
号ＰＤＩＮが目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐｄ２と等しくなる
ようにＤ／Ａポート１６の各出力を変化させ、レーザ電
流を制御する。
号ＰＤＩＮが目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐｄ２と等しくなる
ようにＤ／Ａポート１６の各出力を変化させ、レーザ電
流を制御する。
【００２２】２３は強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２を
出力するための入出力ポート（以下Ｉ／Ｏポートと記
す）で、強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２は画像信号Ｖ
ＤＯ１，ＶＤＯ２とともにＡＮＤ回路２４，２５に入力
されている。強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２か画像信
号ＶＤＯ１，ＶＤＯ２のいずれかがＬＯＷレベルになる
と、ＬＯＷ出力が前記差動スイッチング回路２１，２２
に入力され、定電流電源１９，２０からの電流を半導体
レーザ側に供給し、半導体レーザを発光させる。レーザ
光量調整時には前記強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２を
ＬＯＷにして半導体レーザを発光させる。ＣＰＵ１０内
部にはその他に、演算装置（以下ＡＬＵと記す）２６、
記憶手段たるＲＯＭ２７，ＲＡＭ２８，ならびにタイマ
２９等が配設されている。
出力するための入出力ポート（以下Ｉ／Ｏポートと記
す）で、強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２は画像信号Ｖ
ＤＯ１，ＶＤＯ２とともにＡＮＤ回路２４，２５に入力
されている。強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２か画像信
号ＶＤＯ１，ＶＤＯ２のいずれかがＬＯＷレベルになる
と、ＬＯＷ出力が前記差動スイッチング回路２１，２２
に入力され、定電流電源１９，２０からの電流を半導体
レーザ側に供給し、半導体レーザを発光させる。レーザ
光量調整時には前記強制発光信号ＵＢＬ１，ＵＢＬ２を
ＬＯＷにして半導体レーザを発光させる。ＣＰＵ１０内
部にはその他に、演算装置（以下ＡＬＵと記す）２６、
記憶手段たるＲＯＭ２７，ＲＡＭ２８，ならびにタイマ
２９等が配設されている。
【００２３】図２は、図１に示した各発光部２，３の光
量制御特性を説明する図であり、第１，第２象限縦軸は
ピンフォトディテクタ出力電流Ｉｐｄを示し、第１，第
４象限横軸は光量検出信号ＰＤＩＮを示し、第２，第３
象限横軸はレーザ素子の出力光量を示し、第３，第４象
限縦軸は図示しない感光ドラム上の光量を示す。
量制御特性を説明する図であり、第１，第２象限縦軸は
ピンフォトディテクタ出力電流Ｉｐｄを示し、第１，第
４象限横軸は光量検出信号ＰＤＩＮを示し、第２，第３
象限横軸はレーザ素子の出力光量を示し、第３，第４象
限縦軸は図示しない感光ドラム上の光量を示す。
【００２４】この図に示すように、各発光部２，３の感
光ドラム面上での光量を所望の値（Ｌｄ）にするには、
各発光部２，３のコリメータ効率の差からレーザ素子上
での出力光量Ｌ１，Ｌ２は異なり、ピンフォトディテク
タ４の出力電流も異なるために、各発光部２，３の光量
調整時にはピンフォトディテクタ４の出力電流目標値を
独立させて持たせている。そのため、電流・電圧変換し
た後の光量検出信号ＰＤＩＮの目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐ
ｄ２も各発光部２，３毎に独立した値となる。
光ドラム面上での光量を所望の値（Ｌｄ）にするには、
各発光部２，３のコリメータ効率の差からレーザ素子上
での出力光量Ｌ１，Ｌ２は異なり、ピンフォトディテク
タ４の出力電流も異なるために、各発光部２，３の光量
調整時にはピンフォトディテクタ４の出力電流目標値を
独立させて持たせている。そのため、電流・電圧変換し
た後の光量検出信号ＰＤＩＮの目標電圧Ｖｐｄ１，Ｖｐ
ｄ２も各発光部２，３毎に独立した値となる。
【００２５】このように、複数の発光部２，３を有する
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部２，３の感光ドラム面光量を一定
（Ｌｄ）に制御することができる。
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部２，３の感光ドラム面光量を一定
（Ｌｄ）に制御することができる。
【００２６】以下、本実施形態と第１の発明の各手段と
の対応及びその作用について図１等を参照して説明す
る。
の対応及びその作用について図１等を参照して説明す
る。
【００２７】第１の発明は、光ビームを発光する複数の
発光部２，３を有する露光手段と、各発光部から発光さ
れる各光ビームの光量を検出する光量検出手段（ピンフ
ォトディテクタ４）と、前記露光手段の光量調整時に、
前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた
出力電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段（変換
部ＣＯＶ）と、各発光部に異なる目標光量を独立して設
定する複数の設定手段（設定部ＳＥＴ１，ＳＥＴ２）
と、前記変換手段により変換された各出力電圧と各設定
手段により設定された各目標光量とが一致するように独
立して各発光部に印加する駆動電流を調整する第１の調
整手段（ＣＰＵ１０がＲＯＭ２７に記憶される制御プロ
グラムを実行して加算回路１７，１８，定電流電源１
９，２０，差動スイッチング回路２１，２２を介して調
整する）とを有し、発光部２，３の光量調整時に、変換
部ＣＯＶにより変換された各出力電圧と各設定部ＳＥＴ
１，ＳＥＴ２により設定された各目標光量とが一致する
ようにＣＰＵ１０が独立して各発光部２，３に印加する
駆動電流を調整するので、光量特性のばらつきに応じて
光量制御のための目標値を個別に設定しながら、各発光
部から発光される各光ビームの露光部近傍（例えば感光
ドラムの露光位置）における光量を一致させることがで
きる。
発光部２，３を有する露光手段と、各発光部から発光さ
れる各光ビームの光量を検出する光量検出手段（ピンフ
ォトディテクタ４）と、前記露光手段の光量調整時に、
前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた
出力電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段（変換
部ＣＯＶ）と、各発光部に異なる目標光量を独立して設
定する複数の設定手段（設定部ＳＥＴ１，ＳＥＴ２）
と、前記変換手段により変換された各出力電圧と各設定
手段により設定された各目標光量とが一致するように独
立して各発光部に印加する駆動電流を調整する第１の調
整手段（ＣＰＵ１０がＲＯＭ２７に記憶される制御プロ
グラムを実行して加算回路１７，１８，定電流電源１
９，２０，差動スイッチング回路２１，２２を介して調
整する）とを有し、発光部２，３の光量調整時に、変換
部ＣＯＶにより変換された各出力電圧と各設定部ＳＥＴ
１，ＳＥＴ２により設定された各目標光量とが一致する
ようにＣＰＵ１０が独立して各発光部２，３に印加する
駆動電流を調整するので、光量特性のばらつきに応じて
光量制御のための目標値を個別に設定しながら、各発光
部から発光される各光ビームの露光部近傍（例えば感光
ドラムの露光位置）における光量を一致させることがで
きる。
【００２８】〔第２実施形態〕以下、本発明の第２実施
形態を図面に基づいて説明する。
形態を図面に基づいて説明する。
【００２９】図３は、本発明の第２実施形態を示す光量
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、図１
と同一のものには同一の符号を付してある。なお、第１
実施形態と異なる点はピンフォトディテクタ４からの出
力電流を電圧変換させる抵抗器５と直列に、可変抵抗器
３０が追加され、電流・電圧変換効率が調整可能になっ
ている点である。
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、図１
と同一のものには同一の符号を付してある。なお、第１
実施形態と異なる点はピンフォトディテクタ４からの出
力電流を電圧変換させる抵抗器５と直列に、可変抵抗器
３０が追加され、電流・電圧変換効率が調整可能になっ
ている点である。
【００３０】このために２つある発光部２，３の一方
（本実施形態では発光部２）は、感光ドラム面上での光
量が所望の値の時に光量検出信号ＰＤＩＮ出力がＣＰＵ
１０のＲＯＭ２７内部に設定された値Ｖｐｄ１と等しく
なるように可変抵抗器３０を調整すれば、レーザユニッ
ト側から目標電圧を伝える必要がなく、第１実施形態に
おけるＶｐｄ１信号が削除でき、Ａ／Ｄポート１１の入
力数も１つ少なくて済む。また、出力の関係は第１実施
形態における図２の特性と同様である。
（本実施形態では発光部２）は、感光ドラム面上での光
量が所望の値の時に光量検出信号ＰＤＩＮ出力がＣＰＵ
１０のＲＯＭ２７内部に設定された値Ｖｐｄ１と等しく
なるように可変抵抗器３０を調整すれば、レーザユニッ
ト側から目標電圧を伝える必要がなく、第１実施形態に
おけるＶｐｄ１信号が削除でき、Ａ／Ｄポート１１の入
力数も１つ少なくて済む。また、出力の関係は第１実施
形態における図２の特性と同様である。
【００３１】このように、複数の発光部２，３を有する
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部の感光ドラム面光量を一定に制御す
ることが可能となる。
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部の感光ドラム面光量を一定に制御す
ることが可能となる。
【００３２】また、検出出力（電流値）から電圧への電
流・電圧変換効率を可変にさせることにより、より安価
に実施可能となる。
流・電圧変換効率を可変にさせることにより、より安価
に実施可能となる。
【００３３】以下、本実施形態と第２，第３の発明の各
手段との対応及びその作用について図３等を参照して説
明する。
手段との対応及びその作用について図３等を参照して説
明する。
【００３４】第２の発明は、光ビームを発光する複数の
発光部２，３を有する露光手段と、各発光部から発光さ
れる各光ビームの光量を検出する光量検出手段（ピンフ
ォトディテクタ４）と、前記露光手段の光量調整時に、
前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた
出力電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段（変換
部ＣＯＶ１１）と、いずれかの発光部に異なる目標光量
を設定する設定手段（設定部ＳＥＴ１１）と、前記変換
手段により変換された各出力電圧が前記設定手段により
設定された目標光量または記憶される参照光量に一致す
るように独立して各発光部に印加する駆動電流を調整す
る第２の調整手段（ＣＰＵ１０がＲＯＭ２７に記憶され
る制御プログラムを実行して加算回路１７，１８，定電
流電源１９，２０，差動スイッチング回路２１，２２を
介して調整する）とを有し、発光部２，３の光量調整時
に、変換部ＣＯＶ１１により変換された各出力電圧が設
定部ＳＥＴ１１により設定された目標光量または記憶さ
れる参照光量に一致するようにＣＰＵ１０が独立して各
発光部２，３に印加する駆動電流を調整するので、簡単
な回路構成で、光量特性のばらつきに応じて光量制御の
ための目標値を個別に設定しながら、各発光部から発光
される各光ビームの露光部近傍における光量を一致させ
ることができる。
発光部２，３を有する露光手段と、各発光部から発光さ
れる各光ビームの光量を検出する光量検出手段（ピンフ
ォトディテクタ４）と、前記露光手段の光量調整時に、
前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた
出力電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段（変換
部ＣＯＶ１１）と、いずれかの発光部に異なる目標光量
を設定する設定手段（設定部ＳＥＴ１１）と、前記変換
手段により変換された各出力電圧が前記設定手段により
設定された目標光量または記憶される参照光量に一致す
るように独立して各発光部に印加する駆動電流を調整す
る第２の調整手段（ＣＰＵ１０がＲＯＭ２７に記憶され
る制御プログラムを実行して加算回路１７，１８，定電
流電源１９，２０，差動スイッチング回路２１，２２を
介して調整する）とを有し、発光部２，３の光量調整時
に、変換部ＣＯＶ１１により変換された各出力電圧が設
定部ＳＥＴ１１により設定された目標光量または記憶さ
れる参照光量に一致するようにＣＰＵ１０が独立して各
発光部２，３に印加する駆動電流を調整するので、簡単
な回路構成で、光量特性のばらつきに応じて光量制御の
ための目標値を個別に設定しながら、各発光部から発光
される各光ビームの露光部近傍における光量を一致させ
ることができる。
【００３５】第３の発明は、前記変換手段（変換部ＣＯ
Ｖ１１）は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電
流／電圧変換率を可変抵抗器３０により変更設定するの
で、変換部ＣＯＶ１１側でいずれか１つの発光部に対す
る目標値を容易に設定することができる。
Ｖ１１）は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電
流／電圧変換率を可変抵抗器３０により変更設定するの
で、変換部ＣＯＶ１１側でいずれか１つの発光部に対す
る目標値を容易に設定することができる。
【００３６】〔第３実施形態〕以下、本発明の第３実施
形態を図面に基づいて説明する。
形態を図面に基づいて説明する。
【００３７】図４は、本発明の第３実施形態を示す光量
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、図１
と同一のものには同一の符号を付してある。なお、第２
実施形態と異なる点はピンフォトディテクタ４からの光
量検出電流（Ｉｐｄ）を光量検出信号（ＰＤＩＮ）へ電
流・電圧変換するその効率の可変を、抵抗器５の後に増
幅回路を設け、その増幅率を可変にすることにより行っ
ている点である。回路的には、第２実施形態の回路に対
して可変抵抗器３０が削除されたのと、可変抵抗器３１
がボルテージフォロア回路に追加されることにより、増
幅率が可変な増幅回路を形成されていることである。ま
た、出力の関係は第１実施形態における図２の特性と同
様である。
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、図１
と同一のものには同一の符号を付してある。なお、第２
実施形態と異なる点はピンフォトディテクタ４からの光
量検出電流（Ｉｐｄ）を光量検出信号（ＰＤＩＮ）へ電
流・電圧変換するその効率の可変を、抵抗器５の後に増
幅回路を設け、その増幅率を可変にすることにより行っ
ている点である。回路的には、第２実施形態の回路に対
して可変抵抗器３０が削除されたのと、可変抵抗器３１
がボルテージフォロア回路に追加されることにより、増
幅率が可変な増幅回路を形成されていることである。ま
た、出力の関係は第１実施形態における図２の特性と同
様である。
【００３８】このように、複数の発光部２，３を有する
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部２，３の感光ドラム面光量を一定に
制御することが可能となる。
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部２，３の感光ドラム面光量を一定に
制御することが可能となる。
【００３９】また、検出出力（電流値）から電圧への電
流・電圧変換効率を可変にさせることにより、より安価
に実施可能となる。
流・電圧変換効率を可変にさせることにより、より安価
に実施可能となる。
【００４０】以下、本実施形態と第４の発明の各手段と
の対応及びその作用について図４等を参照して説明す
る。
の対応及びその作用について図４等を参照して説明す
る。
【００４１】第４の発明は、前記変換手段（変換部ＣＯ
Ｖ１２）は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電
流／電圧変換率を可変抵抗器３１で電流／電圧増幅率を
変更設定することにより変更設定するので、変換部１２
側でいずれか１つの発光部ＣＯＶに対する目標値を容易
に設定しながら、各発光部２，３から発光される各光ビ
ームの露光部近傍における光量を一致させることができ
る。
Ｖ１２）は、いずれか一方の発光部の光量調整時に、電
流／電圧変換率を可変抵抗器３１で電流／電圧増幅率を
変更設定することにより変更設定するので、変換部１２
側でいずれか１つの発光部ＣＯＶに対する目標値を容易
に設定しながら、各発光部２，３から発光される各光ビ
ームの露光部近傍における光量を一致させることができ
る。
【００４２】〔第４実施形態〕以下、本発明の第４実施
形態を図面に基づいて説明する。
形態を図面に基づいて説明する。
【００４３】図５は、本発明の第４実施形態を示す光量
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、該光
量制御装置は、レーザユニットＬＵと制御ユニットＣＵ
から構成されている。図１と同一のものには同一の符号
を付してある。なお、第２実施形態と異なる点はピンフ
ォトディテクタ４からの光量検出電流（Ｉｐｄ）を抵抗
５と可変抵抗器３０によって電流・電圧変換した後に、
オペアンプ６，３３、入力抵抗器７，３４、出力保護抵
抗器９，３６、帰還抵抗器８，３２，３５，３７からな
る２つの増幅回路を設け、各増幅回路出力の一方を発光
部２の光量検出信号（ＰＤＩＮ１）とし、もう一方を発
光部３の光量検出信号ＰＤＩＮ２としている。そして、
光量検出信号ＰＤＩＮ２側の増幅回路の増幅率を可変に
している点である。
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、該光
量制御装置は、レーザユニットＬＵと制御ユニットＣＵ
から構成されている。図１と同一のものには同一の符号
を付してある。なお、第２実施形態と異なる点はピンフ
ォトディテクタ４からの光量検出電流（Ｉｐｄ）を抵抗
５と可変抵抗器３０によって電流・電圧変換した後に、
オペアンプ６，３３、入力抵抗器７，３４、出力保護抵
抗器９，３６、帰還抵抗器８，３２，３５，３７からな
る２つの増幅回路を設け、各増幅回路出力の一方を発光
部２の光量検出信号（ＰＤＩＮ１）とし、もう一方を発
光部３の光量検出信号ＰＤＩＮ２としている。そして、
光量検出信号ＰＤＩＮ２側の増幅回路の増幅率を可変に
している点である。
【００４４】これにより、光量検出信号ＰＤＩＮ１は電
流・電圧変換の可変抵抗器３０を調整することにより、
また光量検出信号ＰＤＩＮ２は増幅回路の増幅率を調整
することにより、各発光部２，３の感光ドラム面上での
光量が所望の値の時に各光量検出信号出力がＣＰＵ１０
のＲＯＭ２７内部に設定された値（Ｖｐｄ）と等しくな
るように調整すれば、レーザユニット側から目標電圧を
伝える必要がなく、さらに、いずれの発光部に対しても
光量検出信号出力が一定の値（Ｖｐｄ）と等しくなるよ
うに制御すればよいことになり制御が簡単になる。
流・電圧変換の可変抵抗器３０を調整することにより、
また光量検出信号ＰＤＩＮ２は増幅回路の増幅率を調整
することにより、各発光部２，３の感光ドラム面上での
光量が所望の値の時に各光量検出信号出力がＣＰＵ１０
のＲＯＭ２７内部に設定された値（Ｖｐｄ）と等しくな
るように調整すれば、レーザユニット側から目標電圧を
伝える必要がなく、さらに、いずれの発光部に対しても
光量検出信号出力が一定の値（Ｖｐｄ）と等しくなるよ
うに制御すればよいことになり制御が簡単になる。
【００４５】図６は、図５に示した各発光部２，３の光
量制御特性を説明する図であり、第１，第２象限縦軸は
ピンフォトディテクタ出力電流Ｉｐｄを示し、第１，第
４象限横軸は光量検出信号ＰＤＩＮを示し、第２，第３
象限横軸はレーザ素子の出力光量を示し、第３，第４象
限縦軸は図示しない感光ドラム上の光量を示す。
量制御特性を説明する図であり、第１，第２象限縦軸は
ピンフォトディテクタ出力電流Ｉｐｄを示し、第１，第
４象限横軸は光量検出信号ＰＤＩＮを示し、第２，第３
象限横軸はレーザ素子の出力光量を示し、第３，第４象
限縦軸は図示しない感光ドラム上の光量を示す。
【００４６】この図に示すように、各発光部２，３の光
量調整時のピンフォトディテクタ４の出力電流目標値は
独立させて持たせているが、電流・電圧変換した後の光
量検出信号ＰＤＩＮ１，ＰＤＩＮ２の目標電圧Ｖｐｄは
調整によって１つの値となっている。
量調整時のピンフォトディテクタ４の出力電流目標値は
独立させて持たせているが、電流・電圧変換した後の光
量検出信号ＰＤＩＮ１，ＰＤＩＮ２の目標電圧Ｖｐｄは
調整によって１つの値となっている。
【００４７】このように、複数の発光部２，３を有する
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部の感光ドラム面光量を一定に制御す
ることが可能となる。
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部２，３毎に検出出力に対する目標値
を独立させて調整可能としたことにより、コリメータ効
率の異なる各発光部の感光ドラム面光量を一定に制御す
ることが可能となる。
【００４８】また、検出出力（電流値）から電圧への電
流・電圧変換効率を各発光部２，３によって独立に可変
にさせることにより、より安価に実施可能となり、さら
に制御も簡単になる。
流・電圧変換効率を各発光部２，３によって独立に可変
にさせることにより、より安価に実施可能となり、さら
に制御も簡単になる。
【００４９】以下、本実施形態と第５，第６の発明の各
手段との対応及びその作用について図５等を参照して説
明する。
手段との対応及びその作用について図５等を参照して説
明する。
【００５０】第５の発明は、光ビームを発光する複数の
発光部２，３を有する露光手段と、各発光部から発光さ
れる各光ビームの光量を検出する光量検出手段（ピンフ
ォトディテクタ４）と、前記露光手段の光量調整時に、
前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた
出力電流を出力電圧に変換する複数の変換手段（変換部
ＣＯＶ２１，２２）と、各変換手段が変換した各出力電
圧と記憶される異なる各参照値とに基づいて各光ビーム
の光量が各参照値となるように独立して各発光部に印加
する駆動電流を調整する第３の調整手段（ＣＰＵ１０が
ＲＯＭ２７に記憶される制御プログラムを実行して加算
回路１７，１８，定電流電源１９，２０，差動スイッチ
ング回路２１，２２を介して調整する）とを有し、発光
部２，３の光量調整時に、各変換部ＣＯＶ２１，２２が
変換した各出力電圧と記憶される異なる各参照値とに基
づいて各光ビームの光量が各参照値となるようにＣＰＵ
１０が独立して各発光部２，３に印加する駆動電流を調
整するので、各変換手段側でそれぞれの発光部に対する
目標値を容易に設定しながら、各発光部から発光される
各光ビームの露光部近傍における光量を一致させること
ができる。
発光部２，３を有する露光手段と、各発光部から発光さ
れる各光ビームの光量を検出する光量検出手段（ピンフ
ォトディテクタ４）と、前記露光手段の光量調整時に、
前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に応じた
出力電流を出力電圧に変換する複数の変換手段（変換部
ＣＯＶ２１，２２）と、各変換手段が変換した各出力電
圧と記憶される異なる各参照値とに基づいて各光ビーム
の光量が各参照値となるように独立して各発光部に印加
する駆動電流を調整する第３の調整手段（ＣＰＵ１０が
ＲＯＭ２７に記憶される制御プログラムを実行して加算
回路１７，１８，定電流電源１９，２０，差動スイッチ
ング回路２１，２２を介して調整する）とを有し、発光
部２，３の光量調整時に、各変換部ＣＯＶ２１，２２が
変換した各出力電圧と記憶される異なる各参照値とに基
づいて各光ビームの光量が各参照値となるようにＣＰＵ
１０が独立して各発光部２，３に印加する駆動電流を調
整するので、各変換手段側でそれぞれの発光部に対する
目標値を容易に設定しながら、各発光部から発光される
各光ビームの露光部近傍における光量を一致させること
ができる。
【００５１】第６の発明は、いずれか一方の変換手段
（本実施形態では変換部ＣＯＶ２１）が電流／電圧増幅
率を可変抵抗器３０を介して変更設定するので、変換手
段側でいずれか１つの発光部に対する目標値を容易に設
定することができる。
（本実施形態では変換部ＣＯＶ２１）が電流／電圧増幅
率を可変抵抗器３０を介して変更設定するので、変換手
段側でいずれか１つの発光部に対する目標値を容易に設
定することができる。
【００５２】〔第５実施形態〕以下、本発明の第５実施
形態を図面に基づいて説明する。
形態を図面に基づいて説明する。
【００５３】図７は、本発明の第５実施形態を示す光量
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、該光
量制御装置は、レーザユニットＬＵと制御ユニットＣＵ
から構成されている。図１と同一のものには同一の符号
を付してある。なお、第４実施形態と異なる点はピンフ
ォトディテクタ４からの光量検出電流Ｉｐｄを電圧変換
する電流・電圧変換効率の調整手段をすべて増幅回路側
に設けたことである。このことにより、調整方法が各発
光部２，３とも等しくなるために、調整が行い易くな
る。また、出力の関係は第４実施形態における図６の特
性と同様である。
制御装置の構成を説明する回路ブロック図であり、該光
量制御装置は、レーザユニットＬＵと制御ユニットＣＵ
から構成されている。図１と同一のものには同一の符号
を付してある。なお、第４実施形態と異なる点はピンフ
ォトディテクタ４からの光量検出電流Ｉｐｄを電圧変換
する電流・電圧変換効率の調整手段をすべて増幅回路側
に設けたことである。このことにより、調整方法が各発
光部２，３とも等しくなるために、調整が行い易くな
る。また、出力の関係は第４実施形態における図６の特
性と同様である。
【００５４】このように、複数の発光部２，３を有する
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部ごとに検出出力に対する目標値を独
立させて調整可能としたことにより、コリメータ効率の
ことなる各発光部の感光ドラム面光量を一定に制御する
ことが可能となる。
半導体レーザ素子の光量調整を一つの光量検出素子で行
う場合に、各発光部ごとに検出出力に対する目標値を独
立させて調整可能としたことにより、コリメータ効率の
ことなる各発光部の感光ドラム面光量を一定に制御する
ことが可能となる。
【００５５】また、検出出力（電流値）から電圧への電
流・電圧変換効率を各発光部によって独立に可変にさせ
ることにより、より安価に実施可能となり、さらに調
整，制御とも簡単になる。
流・電圧変換効率を各発光部によって独立に可変にさせ
ることにより、より安価に実施可能となり、さらに調
整，制御とも簡単になる。
【００５６】これにより、各光量特性がばらつく複数の
発光部を備えるレーザユニットの光量を一定に制御でき
るため、鮮明な画像を記録できるようになる。
発光部を備えるレーザユニットの光量を一定に制御でき
るため、鮮明な画像を記録できるようになる。
【００５７】以下、本実施形態と第７の発明の各手段と
の対応及びその作用について図７等を参照して説明す
る。
の対応及びその作用について図７等を参照して説明す
る。
【００５８】第７の発明は、各変換手段（変換部ＣＯＶ
２１Ａ，２２Ａ）は、電流／電圧変換率を各可変抵抗器
３７，３８により変更設定するので、変換手段側でいず
れか１つの発光部に対する目標値を容易に設定すること
ができる。
２１Ａ，２２Ａ）は、電流／電圧変換率を各可変抵抗器
３７，３８により変更設定するので、変換手段側でいず
れか１つの発光部に対する目標値を容易に設定すること
ができる。
【００５９】なお、入力される画像信号に基づいて感光
ドラム上に静電潜像を記録可能な画像形成装置（レーザ
ビームプリンタ，ディジタル複写装置のプリンタ等を含
む）に対して、上記第１〜第５実施形態に示した光量制
御装置を備える構成としてもよい（第８の発明）。
ドラム上に静電潜像を記録可能な画像形成装置（レーザ
ビームプリンタ，ディジタル複写装置のプリンタ等を含
む）に対して、上記第１〜第５実施形態に示した光量制
御装置を備える構成としてもよい（第８の発明）。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る第１
の発明によれば、前記露光手段の光量調整時に、前記変
換手段により変換された各出力電圧と各設定手段により
設定された各目標光量とが一致するように第１の調整手
段が独立して各発光部に印加する駆動電流を調整するの
で、光量特性のばらつきに応じて光量制御のための目標
値を個別に設定しながら、各発光部から発光される各光
ビームの露光部近傍における光量を一致させることがで
きる。
の発明によれば、前記露光手段の光量調整時に、前記変
換手段により変換された各出力電圧と各設定手段により
設定された各目標光量とが一致するように第１の調整手
段が独立して各発光部に印加する駆動電流を調整するの
で、光量特性のばらつきに応じて光量制御のための目標
値を個別に設定しながら、各発光部から発光される各光
ビームの露光部近傍における光量を一致させることがで
きる。
【００６１】第２の発明によれば、前記露光手段の光量
調整時に、前記変換手段により変換された各出力電圧が
前記設定手段により設定された目標光量または記憶され
る参照光量に一致するように第２の調整手段が独立して
各発光部に印加する駆動電流を調整するので、簡単な回
路構成で、光量特性のばらつきに応じて光量制御のため
の目標値を個別に設定しながら、各発光部から発光され
る各光ビームの露光部近傍における光量を一致させるこ
とができる。
調整時に、前記変換手段により変換された各出力電圧が
前記設定手段により設定された目標光量または記憶され
る参照光量に一致するように第２の調整手段が独立して
各発光部に印加する駆動電流を調整するので、簡単な回
路構成で、光量特性のばらつきに応じて光量制御のため
の目標値を個別に設定しながら、各発光部から発光され
る各光ビームの露光部近傍における光量を一致させるこ
とができる。
【００６２】第３の発明によれば、前記変換手段は、い
ずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧変換率
を変更設定するので、変換手段側でいずれか１つの発光
部に対する目標値を容易に設定することができる。
ずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧変換率
を変更設定するので、変換手段側でいずれか１つの発光
部に対する目標値を容易に設定することができる。
【００６３】第４の発明によれば、前記変換手段は、い
ずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧増幅率
を変更設定することにより、電流／電圧変換率を変更設
定するので、変換手段側でいずれか１つの発光部に対す
る目標値を容易に設定しながら、各発光部から発光され
る各光ビームの露光部近傍における光量を一致させるこ
とができる。
ずれか一方の発光部の光量調整時に、電流／電圧増幅率
を変更設定することにより、電流／電圧変換率を変更設
定するので、変換手段側でいずれか１つの発光部に対す
る目標値を容易に設定しながら、各発光部から発光され
る各光ビームの露光部近傍における光量を一致させるこ
とができる。
【００６４】第５の発明によれば、前記露光手段の光量
調整時に、各変換手段が変換した各出力電圧と記憶され
る異なる各参照値とに基づいて各光ビームの光量が各参
照値となるように第３の調整手段が独立して各発光部に
印加する駆動電流を調整するので、各変換手段側でそれ
ぞれの発光部に対する目標値を容易に設定しながら、各
発光部から発光される各光ビームの露光部近傍における
光量を一致させることができる。
調整時に、各変換手段が変換した各出力電圧と記憶され
る異なる各参照値とに基づいて各光ビームの光量が各参
照値となるように第３の調整手段が独立して各発光部に
印加する駆動電流を調整するので、各変換手段側でそれ
ぞれの発光部に対する目標値を容易に設定しながら、各
発光部から発光される各光ビームの露光部近傍における
光量を一致させることができる。
【００６５】第６の発明によれば、いずれか一方の変換
手段が電流／電圧増幅率を変更設定するので、変換手段
側でいずれか１つの発光部に対する目標値を容易に設定
することができる。
手段が電流／電圧増幅率を変更設定するので、変換手段
側でいずれか１つの発光部に対する目標値を容易に設定
することができる。
【００６６】第７の発明によれば、各変換手段は、電流
／電圧変換率を変更設定するので、変換手段側でいずれ
か１つの発光部に対する目標値を容易に設定することが
できる。
／電圧変換率を変更設定するので、変換手段側でいずれ
か１つの発光部に対する目標値を容易に設定することが
できる。
【００６７】第８の発明は、光量制御装置が各発光部か
ら発光される各光ビームの露光部分近傍における光量を
一致させるので、画像むらのない画像を形成できる。
ら発光される各光ビームの露光部分近傍における光量を
一致させるので、画像むらのない画像を形成できる。
【００６８】従って、各発光部から発光される各光ビー
ムの被露光位置におけるそれぞれの光量を同一に調整で
きるとともに、画像むらのない画像を形成できる等の効
果を奏する。
ムの被露光位置におけるそれぞれの光量を同一に調整で
きるとともに、画像むらのない画像を形成できる等の効
果を奏する。
【図１】本発明の第１実施形態を示す光量制御装置の構
成を説明する回路ブロック図である。
成を説明する回路ブロック図である。
【図２】図１に示した各発光部の光量制御特性を説明す
る図である。
る図である。
【図３】本発明の第２実施形態を示す光量制御装置の構
成を説明する回路ブロック図である。
成を説明する回路ブロック図である。
【図４】本発明の第３実施形態を示す光量制御装置の構
成を説明する回路ブロック図である。
成を説明する回路ブロック図である。
【図５】本発明の第４実施形態を示す光量制御装置の構
成を説明する回路ブロック図である。
成を説明する回路ブロック図である。
【図６】図５に示した各発光部の光量制御特性を説明す
る図である。
る図である。
【図７】本発明の第５実施形態を示す光量制御装置の構
成を説明する回路ブロック図である。
成を説明する回路ブロック図である。
１ マルチビーム半導体レーザ ２，３ 発光部 ４ ピンフォトディテクタ １０ ＣＰＵ
Claims (8)
- 【請求項１】 光ビームを発光する複数の発光部を有す
る露光手段と、各発光部から発光される各光ビームの光
量を検出する光量検出手段と、前記露光手段の光量調整
時に、前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に
応じた出力電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段
と、各発光部に異なる目標光量を独立して設定する複数
の設定手段と、前記変換手段により変換された各出力電
圧と各設定手段により設定された各目標光量とが一致す
るように独立して各発光部に印加する駆動電流を調整す
る第１の調整手段とを有することを特徴とする光量制御
装置。 - 【請求項２】 光ビームを発光する複数の発光部を有す
る露光手段と、各発光部から発光される各光ビームの光
量を検出する光量検出手段と、前記露光手段の光量調整
時に、前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に
応じた出力電流をそれぞれ出力電圧に変換する変換手段
と、いずれかの発光部に異なる目標光量を設定する設定
手段と、前記変換手段により変換された各出力電圧が前
記設定手段により設定された目標光量または記憶される
参照光量に一致するように独立して各発光部に印加する
駆動電流を調整する第２の調整手段とを有することを特
徴とする光量制御装置。 - 【請求項３】 前記変換手段は、いずれか一方の発光部
の光量調整時に、電流／電圧変換率を変更設定すること
を特徴とする請求項１記載の光量制御装置。 - 【請求項４】 前記変換手段は、いずれか一方の発光部
の光量調整時に、電流／電圧増幅率を変更設定すること
を特徴とする請求項１記載の光量制御装置。 - 【請求項５】 光ビームを発光する複数の発光部を有す
る露光手段と、各発光部から発光される各光ビームの光
量を検出する光量検出手段と、前記露光手段の光量調整
時に、前記光量検出手段が検出する各光ビームの光量に
応じた出力電流を出力電圧に変換する複数の変換手段
と、各変換手段が変換した各出力電圧と記憶される異な
る各参照値とに基づいて各光ビームの光量が各参照値と
なるように独立して各発光部に印加する駆動電流を調整
する第３の調整手段とを有することを特徴とする光量制
御装置。 - 【請求項６】 いずれか一方の変換手段が電流／電圧増
幅率を変更設定することを特徴とする請求項５記載の光
量制御装置。 - 【請求項７】 各変換手段は、電流／電圧変換率を変更
設定することを特徴とする請求項５記載の光量制御装
置。 - 【請求項８】 上記請求項１，２，５のいずれかに記載
の光量制御装置を備えることを特徴とする画像形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8210741A JPH1052939A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 光量制御装置および画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8210741A JPH1052939A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 光量制御装置および画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1052939A true JPH1052939A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16594352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8210741A Pending JPH1052939A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 光量制御装置および画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1052939A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6377381B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light beam deflection scanner |
| US7508856B2 (en) | 2006-08-29 | 2009-03-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Laser light output control apparatus and image forming apparatus |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP8210741A patent/JPH1052939A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6377381B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light beam deflection scanner |
| US7508856B2 (en) | 2006-08-29 | 2009-03-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Laser light output control apparatus and image forming apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050301 |