JPH1053641A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH1053641A JPH1053641A JP22766996A JP22766996A JPH1053641A JP H1053641 A JPH1053641 A JP H1053641A JP 22766996 A JP22766996 A JP 22766996A JP 22766996 A JP22766996 A JP 22766996A JP H1053641 A JPH1053641 A JP H1053641A
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Abstract
機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、硬
化促進剤として無水トリメリット酸と、1,8−ジアザ
ビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7とを反応させる
ことにより得られる下記式(1)で示される無水トリメ
リット酸変性アミン化合物を配合したことを特徴とする
硬化性エポキシ樹脂組成物。 【化1】 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、保存安定性
及び流動性が良好であり、速硬化性、耐湿性等の特性に
優れた硬化物を得ることができ、IC、LSI、トラン
ジスター、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置の封
止用に有用である。
Description
動性が良好で、成形性、耐湿性、接着性等の特性に優れ
た硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及びこの硬化物で
封止された半導体装置に関する。
半導体産業の中では樹脂封止型のダイオード、トランジ
スター、IC、LSI、超LSIが主流となっており、
中でもエポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配
合した硬化性エポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化
性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐
湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物の硬化物
で半導体装置を封止することが多く行われている。しか
し、最近においては、これらの半導体装置は集積度が益
々大きくなり、それに応じてチップ寸法も大きくなりつ
つある。一方、これに対してパッケージ外形寸法は電子
機器の小型化、軽量化の要求に伴い、小型化、薄型化が
進んでいる。更に、半導体部品を回路基板へ取り付ける
方法も、基板上の部品の高密度化のため半導体部品の表
面実装が幅広く行われるようになってきた。
場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が
溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的である
が、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生
したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に
剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、表
面実装時の熱衝撃以前に半導体装置の封止樹脂層が吸湿
していると更に顕著なものとなるが、実際の作業工程に
おいては、封止樹脂層の吸湿は避けられず、このため実
装後のエポキシ樹脂組成物で封止した半導体装置の信頼
性が大きく損なわれる場合がある。
して、これまでフィラーを高充填することにより低吸湿
化する方法が行われてきた。また、薄型パッケージの成
形性を向上させるためにエポキシ樹脂組成物の低粘度
化、更に生産性を向上させるために成形サイクルの改善
を目的として速硬化性触媒の使用が検討されてきた。
触媒、例えば三級アミン化合物、三級ホスフィン化合物
やこれらの誘導体を用いた場合、混練時に組成物の粘度
が高くなってしまうという問題点があった。
体を使用する提案もあり、特開昭58−76420号、
同58−103525号、同57−100128号公
報、特公平6−18853号公報には、2−メチルイミ
ダゾールと無水ピロメリット酸及び無水トリメリット酸
の反応により得られるエポキシ樹脂用硬化剤を用いるこ
とにより、保存安定性が良好で、耐湿性に優れた硬化物
を与えるエポキシ樹脂組成物が得られることが記載され
ている。しかし、このイミダゾール系誘導体は、電気特
性が悪く、信頼性テストで不良率が多くなる傾向にあ
り、また組成物の保存安定性が低下してしまうという欠
点があった。
れに硬化促進剤を単に併用しただけでは、保存安定性、
流動性が良好で、かつ耐湿性、接着性等の特性に優れた
硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることは困難で
あった。
で、保存安定性及び流動性が良好で、成形性、耐湿性、
接着性等の特性に優れた硬化物を与える硬化性エポキシ
樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止さ
れた半導体装置を提供することを目的とする。
発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤
を含有するエポキシ樹脂組成物に、無水トリメリット酸
と、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン
−7とを反応させることにより得られる下記式(1)で
示される無水トリメリット酸変性アミン化合物を硬化促
進剤として配合することにより、保存安定性及び流動性
が良好で、成形性、耐湿性、接着性等の特性に優れた硬
化物を与えるエポキシ樹脂組成物が得られることを知見
し、本発明をなすに至った。
剤、硬化促進剤、無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂
組成物において、硬化促進剤として無水トリメリット酸
と、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン
−7とを反応させることにより得られる上記式(1)で
示される無水トリメリット酸変性アミン化合物を配合す
ることを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物とこのエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提
供する。
と、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、無機質充填剤を配合してなるもので
ある。ここで、第一必須成分のエポキシ樹脂としては、
公知のエポキシ樹脂を用いることができ、1分子中にエ
ポキシ基を少なくとも2個有するものであれば特に制限
されるものではない。例えば、ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ
樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、シクロペンタ
ジエン含有エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂等を挙
げることができ、これらは1種を単独で又は2種以上を
組み合わせて使用することができる。特に、後述する無
機質充填剤を高充填する場合はビフェニル型エポキシ樹
脂やナフタレン環含有エポキシ樹脂の使用が、難燃化を
向上させるためにはブロム化エポキシ樹脂の使用が好ま
しい。また、これらエポキシ樹脂は軟化点が50〜10
0℃であるもの、またエポキシ当量が100〜400で
あるものを使用することが好ましい。
し得、例えば、フェノールノボラック樹脂、トリフェノ
ールメタン樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフタレ
ン環含有フェノール樹脂、シクロペンタジエン含有フェ
ノール樹脂、テルペン環含有フェノール樹脂等のフェノ
ール性水酸基を2個以上有するフェノール樹脂を挙げる
ことができる。この場合、フェノール樹脂は軟化点が6
0〜120℃であるもの、また水酸基当量が90〜15
0のものを使用することが好ましい。
例えばフェノール樹脂を用いた場合、フェノール樹脂の
使用量はエポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール樹脂の
水酸基との当量比が0.5〜2の範囲である量に適宜調
製して使用することが好ましく、通常、エポキシ樹脂1
00重量部に対し、30〜100重量部、好ましくは4
0〜70重量部になるように使用することが推奨され
る。フェノール樹脂が30重量部未満であると、十分な
強度が得られない場合があり、一方、100重量部を超
えると、未反応のフェノール樹脂が大量に発生し、耐湿
性を低下させる原因になることがある。
剤として、下記式(1)で示される無水トリメリット酸
変性アミン化合物を配合する。
ト酸変性アミン化合物は、無水トリメリット酸と、1,
8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7とを
反応させて得られるもので、通常、1,8−ジアザビシ
クロ(5.4.0)ウンデセン−7を152重量部(1
モル)に対して、無水トリメリット酸を173〜230
重量部(0.9〜1.2倍モル)、好ましくは192重
量部(1倍モル)使用して反応させるようにする。
ザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7とを反応させ
るには、反応溶剤の存在下で行うことが好ましい。反応
溶剤として具体的には、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ、ジメ
チルスルホキシド、ジメチルフォルムアミド、ジエチレ
ングリコール、ピリジン等を挙げることができ、これら
は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用するこ
とができる。特に、好ましい溶剤は、アセトンである
が、アセトンと共にその他の溶剤を併用することも可能
である。反応溶剤としてアセトンを使用する場合、その
使用量は1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデ
セン−7を152重量部(1モル)に対して、100〜
2000重量部、特に1300重量部が好適である。使
用量が100重量部未満であると、反応が均一に進ま
ず、反応生成物の収率が悪くなる場合があり、また20
00重量部を超えるとアセトン除去の作業性が低下する
場合がある。
℃が好適である。また、反応時間は通常1〜2時間であ
る。
水分が吸収しないように操作することが重要である。水
分を吸収すると、上記式(1)で示される反応生成物が
開環して、ジカルボン酸誘導体になるが、ジカルボン酸
誘導体をエポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として使用し
た場合、この開環したジカルボン酸誘導体が組成物中の
他の成分と相溶性がないため使用困難になる場合があ
る。そこで、溶剤除去は、通常、90〜130℃、特に
100〜120℃で行うことが推奨される。90℃未満
であると、反応生成物を溶融状態で取り出すことができ
ない場合があり、また130℃を超えると、作業性及び
作業環境が劣化するおそれがある。
ては、再結晶が有効であり、得られた反応生成物を少量
のアセトンに溶解し、次いで大過剰のトルエン、キシレ
ン、n−ヘキサン等の溶剤に析出させて精製することが
可能である。
性アミン化合物を確認するには、融点の測定が有効で、
融点は、通常、90〜110℃の範囲、好ましくは95
〜100℃の範囲である。融点が90℃未満のものは、
未反応のアミン成分が残存している場合があり、融点が
110℃を超えたものは、反応生成物が更に他の構造に
変化した場合が考えられる。
を配合する場合は、予め微粉末状にして使用する方法、
あるいはフェノール樹脂に分散させて使用する方法など
を採用することができる。
合物の配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量10
0重量部に対して0.1〜10重量部、特に0.3〜5
重量部が好ましい。0.1重量部未満では短時間で硬化
させることができない場合があり、10重量部を超える
と硬化速度が速すぎて良好な成形品が得られないばかり
か、保存安定性が低下してしまう場合がある上、硬化物
の抽出水塩素が多くなり、電気特性が低下する場合があ
る。
物に加えて、更に他の硬化促進剤を併用してもよく、例
えば、イミダゾール又はその誘導体、トリフェニルホス
フィン、トリス−p−メトキシフェニルホスフィン、ト
リシクロヘキシルホスフィン等のホスフィン誘導体、
1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
(DBU)等のシクロアミジン誘導体等を併用すること
ができる。
充填剤を配合する。無機質充填剤の配合は、封止材の膨
脹係数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下させ
る上で有効である。この無機質充填剤として具体的に
は、破砕状、球状の形状をもった溶融シリカ、結晶性シ
リカを挙げることができる。この他にアルミナ、窒化珪
素、窒化アルミ等も使用可能である。
に制限されないが、平均粒径が5〜40μm、特に10
〜30μmであるものが好ましく、また高充填化やチッ
プ表面に対する応力を小さくするためには球状のものが
好ましく使用される。なお、無機質充填剤は樹脂とその
表面の結合強度を強くするため、予めシランカップリン
グ剤等で表面処理したものを使用することが好ましい。
も2種以上を併用してもよく、その配合量は特に制限さ
れないが、樹脂成分の合計量に対して200〜900重
量部の範囲とすることが好ましく、200重量部に満た
ないと膨脹係数が大きくなって半導体素子に加わる応力
が増大し、素子特性の劣化を招く場合があり、900重
量部を超えると成形時の粘度が高くなって成形性が悪く
なる場合がある。
めにシリコーン系の可撓性付与剤として、例えばシリコ
ーンゴムパウダー、シリコーンゲル、有機樹脂とシリコ
ーンポリマーとのブロックポリマー(例えば、アルケニ
ル基含有エポキシ樹脂又はフェノール樹脂とオルガノハ
イドロジェンポリシロキサンとのヒドロシリル化反応に
よる共重合体等)などを配合することができる。なお、
このような可撓性付与剤を添加する代わりに二液タイプ
のシリコーンゴムやシリコーンゲルで無機質充填剤表面
を処理してもよい。
物全体の0.5〜10重量%、特に1〜5重量%とする
ことが好ましく、使用量が0.5重量%未満では十分な
耐衝撃性を与えない場合があり、10重量%を超えると
機械的強度が不十分になる場合がある。
明の効果を妨げない範囲で配合することができる。この
ような任意成分としては、例えばカルナバワックス、高
級脂肪酸、合成ワックス類等の離型剤、MBS樹脂等の
熱可塑性樹脂、シランカップリング剤、酸化アンチモ
ン、リン化合物等が挙げられる。
特に制限されるものではなく、上述した成分の所定量を
均一に撹拌、混合し、予め70〜95℃に加熱してある
ニーダー、ロール、エクストルーダー等により混練、冷
却し、粉砕する等の方法で得ることができる。ここで、
成分の配合順序に特に制限はない。
樹脂組成物は、IC、LSI、トランジスター、サイリ
スタ、ダイオード等の半導体装置の封止用に有効に使用
でき、この場合、成形は従来より採用されている成形
法、例えばトランスファー成形、インジェクション成
形、注型法などを採用して行うことができる。なお、本
発明のエポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜180
℃で、30〜180秒、ポストキュアーは150〜18
0℃で2〜16時間行うことが好ましい。
定性及び流動性が良好であり、速硬化性、耐湿性等の特
性に優れた硬化物を得ることができ、IC、LSI、ト
ランジスター、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置
の封止用に有用である。
発明を具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に制
限されるものではない。なお、各例中の部はいずれも重
量部である。
還流冷却装置つき四つ口フラスコに1,8−ジアザビシ
クロ(5.4.0)ウンデセン−7(以下、DBUとい
う)152部、アセトン400部を入れ、DBUをアセ
トンに溶解させた。加熱溶解後、アセトン900部に無
水トリメリット酸(東京化成(株)製)192部を溶解
させた溶液を滴下ロートより滴下した。滴下終了後、2
0℃で1時間反応させ、その後アセトンを減圧下でスト
リップし、90〜120℃に加熱しながら溶融状態の反
応物をタップし、茶褐色固体を得た。得られた茶褐色固
体100部をアセトン50部に溶解した後、更にトルエ
ン1000部を加えて塩を析出させ、この塩を濾別し、
乾燥して反応物Aを得た(収率92%)。得られた反応
物Aの融点は94〜95℃であった。
示すように、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、上記合成
例で得られた反応物Aを使用し、かつワックスE1.5
部、カーボンブラック1部、ブロム化エポキシ樹脂6
部、三酸化アンチモン7部、溶融石英粉末500部及び
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン2部を熱
2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕してエポ
キシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組成
物及び硬化物の物性を下記方法で試験した。結果を表1
に示す。 (イ)スパイラルフロー EMMI規格に準じた金型を使用して175℃、70k
g/cm2の条件で測定した。 (ロ)熱時硬度 175℃、70kg/cm2、成形時間90秒間の条件
で10×4×100mmの抗折棒を形成した時の熱時硬
度をバーコール硬度計で測定した。 (ハ)保存安定性 各々の材料を25℃に放置した時にスパイラルフロー値
がそれぞれの初期値の80%になったときの日数を示し
た。 (ニ)ゲル化時間 組成物のゲル化時間を175℃で測定した。 (ホ)溶融温度 高化式フローテスター(島津製作所社製)を用いて17
5℃で測定した。 (ヘ)接着性 銅板及びニッケル板に直径15mm、高さ5mmの円筒
成形品を175℃、70kg/cm2、成形時間2分の
条件下で成形し、180℃で4時間ポストキュアーした
後、プシュプルゲージで成形物と銅板及びニッケル板と
の剥離量を測定した。
ボラック樹脂(軟化点55℃、エポキシ当量200、日
本化薬社製ECON1020−55) エポキシ樹脂B:ビフェニル型エポキシ樹脂(軟化点1
05℃、エポキシ当量190、油化シェルエポキシ社製
YX4000H) エポキシ樹脂C:エポキシ化トリフェノールメタン(軟
化点60℃、エポキシ当量172、日本化薬社製EPP
N501H) フェノール樹脂A:フェノールノボラック樹脂(軟化点
80℃、水酸基当量110、大日本インキ社製TD21
31) フェノール樹脂B:フェノールアラルキル樹脂(軟化点
70℃、水酸基当量170、三井東圧社製ミレックスX
L−225−3L)
1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
とを反応させて得られた反応物Aを硬化促進剤として配
合してなるエポキシ樹脂組成物(実施例)は、未反応の
1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
を配合してなるエポキシ樹脂組成物(比較例)に比べ
て、混練時の粘度上昇が少なく、流動性、保存安定性が
良好であり、接着性等に優れた硬化物を与えることが確
認された。
Claims (2)
- 【請求項1】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無
機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、硬
化促進剤として無水トリメリット酸と、1,8−ジアザ
ビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7とを反応させる
ことにより得られる下記式(1)で示される無水トリメ
リット酸変性アミン化合物を配合したことを特徴とする
硬化性エポキシ樹脂組成物。 【化1】 - 【請求項2】 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP22766996A JP3582552B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Cited By (4)
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-
1996
- 1996-08-09 JP JP22766996A patent/JP3582552B2/ja not_active Expired - Fee Related
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