JPH1055761A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
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- JPH1055761A JPH1055761A JP20845496A JP20845496A JPH1055761A JP H1055761 A JPH1055761 A JP H1055761A JP 20845496 A JP20845496 A JP 20845496A JP 20845496 A JP20845496 A JP 20845496A JP H1055761 A JPH1055761 A JP H1055761A
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マグネトロンの真空度の低下を抑え、安定し
た発振を行うマグネトロンを提供する。 【解決手段】 陽極円筒1と、陽極円筒1の中心軸線上
に配置される陰極4と、陽極円筒1の内周面に放射状に
配置された複数枚のベイン2と、陽極円筒1の両開口端
部に配設された一対の磁極片5とを備え、陽極円筒1ま
たは磁極片5に中央に開口部を有するゲッタ19を配置
したマグネトロン。
た発振を行うマグネトロンを提供する。 【解決手段】 陽極円筒1と、陽極円筒1の中心軸線上
に配置される陰極4と、陽極円筒1の内周面に放射状に
配置された複数枚のベイン2と、陽極円筒1の両開口端
部に配設された一対の磁極片5とを備え、陽極円筒1ま
たは磁極片5に中央に開口部を有するゲッタ19を配置
したマグネトロン。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子レンジなど
のマイクロ波加熱器などに用いられるマグネトロンに関
する。
のマイクロ波加熱器などに用いられるマグネトロンに関
する。
【0002】
【従来の技術】図3に、従来の一般的なマグネトロンに
関する構造を示す。1は無酸素銅などからなり真空壁
(真空容器の壁面、以下同じ)の一部となる陽極円筒
で、その内周に複数個のベイン2が放射状に設けられて
いる。各ベイン2は1個おきに大径及び小径のストラッ
プリング3により接続され、πモード発振の安定化が図
られている。陽極円筒1の両端には、ベイン2の先端と
陽極円筒1の中心部に設けられる陰極4との間の作用空
間に磁界を集中させるための磁極片5がそれぞれ設けら
れている。
関する構造を示す。1は無酸素銅などからなり真空壁
(真空容器の壁面、以下同じ)の一部となる陽極円筒
で、その内周に複数個のベイン2が放射状に設けられて
いる。各ベイン2は1個おきに大径及び小径のストラッ
プリング3により接続され、πモード発振の安定化が図
られている。陽極円筒1の両端には、ベイン2の先端と
陽極円筒1の中心部に設けられる陰極4との間の作用空
間に磁界を集中させるための磁極片5がそれぞれ設けら
れている。
【0003】陰極4は、例えばトリウムタングステン線
などがコイル状に巻かれたフィラメント6からなり、各
ベイン2の先端で囲まれた空間で、陽極円筒1の中心部
に設けられている。そしてその両端にはトップハット7
及びエンドハット8が固着され、トップハット7及びエ
ンドハット8はそれぞれ陰極リード9に接続されてい
る。陰極リード9はセラミックなどの絶縁体からなる陰
極ステム10を経て外部リード11に接続され、これら
により陰極部が形成されている。陰極ステム10は陰極
側金属筒12を介して陽極円筒1に固定される。なお、
陰極側金属筒12及び陰極ステム10が入力側の真空壁
を構成している。
などがコイル状に巻かれたフィラメント6からなり、各
ベイン2の先端で囲まれた空間で、陽極円筒1の中心部
に設けられている。そしてその両端にはトップハット7
及びエンドハット8が固着され、トップハット7及びエ
ンドハット8はそれぞれ陰極リード9に接続されてい
る。陰極リード9はセラミックなどの絶縁体からなる陰
極ステム10を経て外部リード11に接続され、これら
により陰極部が形成されている。陰極ステム10は陰極
側金属筒12を介して陽極円筒1に固定される。なお、
陰極側金属筒12及び陰極ステム10が入力側の真空壁
を構成している。
【0004】ベイン2の1つには出力アンテナリード1
3の一端が電気的に接続され、その他端は磁極片5の貫
通孔14、出力側金属筒15及びセラミック円筒などか
らなる絶縁筒16の中心部を貫通して排気管17の封止
部で固定されている。この封止部には図示しないキャッ
プが被せられる。出力側金属筒15は陽極円筒1と直接
電気的に接続されており、陽極部で発振したマイクロ波
電力は、出力側金属筒15の中心軸上を延びる出力アン
テナリード13を同軸線路として進み、その先端から放
射される。この出力側金属筒15、絶縁筒16、及び排
気管17が出力側の真空壁を構成している。
3の一端が電気的に接続され、その他端は磁極片5の貫
通孔14、出力側金属筒15及びセラミック円筒などか
らなる絶縁筒16の中心部を貫通して排気管17の封止
部で固定されている。この封止部には図示しないキャッ
プが被せられる。出力側金属筒15は陽極円筒1と直接
電気的に接続されており、陽極部で発振したマイクロ波
電力は、出力側金属筒15の中心軸上を延びる出力アン
テナリード13を同軸線路として進み、その先端から放
射される。この出力側金属筒15、絶縁筒16、及び排
気管17が出力側の真空壁を構成している。
【0005】フィラメント6のトップハット7の上面に
はゲッタ18が接合されており、管内に発生する微量気
体を吸着する。ゲッタ18はチタンやジルコニウムなど
によって構成されている。このゲッタ18によって、マ
グネトロンの発振部を高真空にし、安定した発振を維持
させてる。
はゲッタ18が接合されており、管内に発生する微量気
体を吸着する。ゲッタ18はチタンやジルコニウムなど
によって構成されている。このゲッタ18によって、マ
グネトロンの発振部を高真空にし、安定した発振を維持
させてる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マグネ
トロンの動作時はフィラメントが高温になり、それにと
もないトップハットやエンドハットも高温になる。この
ときフェラメントは約1700℃になり、トップハット
に接合されるゲッタも加熱され約1100℃の高温にな
る。このようにゲッタは高温で動作するので、長期間使
用するとゲッタが塑性変形する問題があった。
トロンの動作時はフィラメントが高温になり、それにと
もないトップハットやエンドハットも高温になる。この
ときフェラメントは約1700℃になり、トップハット
に接合されるゲッタも加熱され約1100℃の高温にな
る。このようにゲッタは高温で動作するので、長期間使
用するとゲッタが塑性変形する問題があった。
【0007】そこで、ゲッタをトップハットの代わりに
低温で動作する磁極片や陽極円筒に配設する構成が考え
られる。しかし、磁極片や陽極円筒は主に伝導熱によっ
て加熱されるため、実際に家庭で使用される動作時間で
は、余り温度が上がらない問題がある。このためゲッタ
がよくガスを吸収する温度まで加熱されず、マグネトロ
ン内のガスを吸収しきれない場合がある。そしてマグネ
トロン内の真空度が下がると発振効率が低下し、更に真
空度が下がると発振停止になる恐れがあった。
低温で動作する磁極片や陽極円筒に配設する構成が考え
られる。しかし、磁極片や陽極円筒は主に伝導熱によっ
て加熱されるため、実際に家庭で使用される動作時間で
は、余り温度が上がらない問題がある。このためゲッタ
がよくガスを吸収する温度まで加熱されず、マグネトロ
ン内のガスを吸収しきれない場合がある。そしてマグネ
トロン内の真空度が下がると発振効率が低下し、更に真
空度が下がると発振停止になる恐れがあった。
【0008】そこで本発明は、真空度の低下を抑え、安
定した発振を行うマグネトロンを提供する。
定した発振を行うマグネトロンを提供する。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1の発明は、陽極円筒と、陽極円筒の中心軸線
上に配置される陰極と、陽極円筒の内周面に放射状に配
置された複数枚のベインと、陽極円筒の両開口端部に配
設された一対の磁極片とを備えたマグネトロンである。
そして陽極円筒または磁極片に、中央に開口部を有する
ゲッタを配設している。マグネトロンが動作すると、陽
極円筒及び磁極片の表面を表皮効果によりマイクロ波が
伝搬する。ゲッタは閉ループ状であるので、マイクロ波
の伝搬方向に亘ってゲッタが存在し、マイクロ波がゲッ
タを通過する。そのためゲッタは自己発熱し、ゲッタの
動作温度が高くなる。
に請求項1の発明は、陽極円筒と、陽極円筒の中心軸線
上に配置される陰極と、陽極円筒の内周面に放射状に配
置された複数枚のベインと、陽極円筒の両開口端部に配
設された一対の磁極片とを備えたマグネトロンである。
そして陽極円筒または磁極片に、中央に開口部を有する
ゲッタを配設している。マグネトロンが動作すると、陽
極円筒及び磁極片の表面を表皮効果によりマイクロ波が
伝搬する。ゲッタは閉ループ状であるので、マイクロ波
の伝搬方向に亘ってゲッタが存在し、マイクロ波がゲッ
タを通過する。そのためゲッタは自己発熱し、ゲッタの
動作温度が高くなる。
【0010】また請求項2の発明は、陽極円筒と、陽極
円筒の中心軸線上に配置される陰極と、陽極円筒の内周
面に放射状に配置された複数枚のベインと、陽極円筒の
両開口端部に配設された一対の磁極片とを備えたマグネ
トロンである。そして磁極片に環状のゲッタを配設して
いる。マグネトロンが動作すると、磁極片には表皮効果
によりマイクロ波が伝搬し、ゲッタ内を通過してゲッタ
が自己発熱する。
円筒の中心軸線上に配置される陰極と、陽極円筒の内周
面に放射状に配置された複数枚のベインと、陽極円筒の
両開口端部に配設された一対の磁極片とを備えたマグネ
トロンである。そして磁極片に環状のゲッタを配設して
いる。マグネトロンが動作すると、磁極片には表皮効果
によりマイクロ波が伝搬し、ゲッタ内を通過してゲッタ
が自己発熱する。
【0011】また請求項3の発明は、陽極円筒と、陽極
円筒の中心軸線上に配置される陰極と、陽極円筒の内周
面に放射状に配置された複数枚のベインと、陽極円筒の
両開口端部に配設された一対の磁極片とを備えたマグネ
トロンである。そして陽極円筒の内面に環状のゲッタを
配設している。マグネトロンが動作すると、陽極円筒に
は表皮効果によりマイクロ波が伝搬し、ゲッタ内を通過
してゲッタが自己発熱する。
円筒の中心軸線上に配置される陰極と、陽極円筒の内周
面に放射状に配置された複数枚のベインと、陽極円筒の
両開口端部に配設された一対の磁極片とを備えたマグネ
トロンである。そして陽極円筒の内面に環状のゲッタを
配設している。マグネトロンが動作すると、陽極円筒に
は表皮効果によりマイクロ波が伝搬し、ゲッタ内を通過
してゲッタが自己発熱する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1に基づ
き説明する。なお、従来技術と同一の部品は同一符号を
付して説明を省略する。
き説明する。なお、従来技術と同一の部品は同一符号を
付して説明を省略する。
【0013】図1において、19は磁極片5に配設され
たゲッタであり、チタンやジルコニウムなどから構成さ
れている。ゲッタ19は環状に形成されており、その大
きさは磁極片5の中央に形成された開口部よりも大きく
なっている。そしてゲッタ19は磁極片5の中央の開口
部の周辺に沿って取り付けられる。
たゲッタであり、チタンやジルコニウムなどから構成さ
れている。ゲッタ19は環状に形成されており、その大
きさは磁極片5の中央に形成された開口部よりも大きく
なっている。そしてゲッタ19は磁極片5の中央の開口
部の周辺に沿って取り付けられる。
【0014】マグネトロンが動作するとき、フェラメン
ト6が発熱して約1700℃になり、磁極片5は伝導熱
で加熱されて約300℃になる。このときゲッタ19は
磁極片5によって加熱され約300℃になる。そして動
作中は作用空間でマイクロ波が発生し、表皮効果より磁
極片5の表面をマイクロ波が伝搬する。磁極片5の表面
は銅またはニッケルでメッキされており、その抵抗率は
ゲッタ19の約1割である。一般に、マイクロ波の伝搬
方向にゲッタ19がない部分があると、その部分にマイ
クロ波が集中し、ゲッタ19の表面にマイクロ波がほと
んど流れない。しかしこの実施の形態では、環状のゲッ
タ19を磁極片5の中央の開口部に沿って配設している
ので、マイクロ波の伝搬方向に亘ってゲッタ19が存在
し、磁極片5表面を伝搬するマイクロ波はゲッタ19を
通過する。そしてゲッタ19が自己発熱を起こすので、
ゲッタ19は300℃より高温になり、ガス吸収速度が
早くなる。
ト6が発熱して約1700℃になり、磁極片5は伝導熱
で加熱されて約300℃になる。このときゲッタ19は
磁極片5によって加熱され約300℃になる。そして動
作中は作用空間でマイクロ波が発生し、表皮効果より磁
極片5の表面をマイクロ波が伝搬する。磁極片5の表面
は銅またはニッケルでメッキされており、その抵抗率は
ゲッタ19の約1割である。一般に、マイクロ波の伝搬
方向にゲッタ19がない部分があると、その部分にマイ
クロ波が集中し、ゲッタ19の表面にマイクロ波がほと
んど流れない。しかしこの実施の形態では、環状のゲッ
タ19を磁極片5の中央の開口部に沿って配設している
ので、マイクロ波の伝搬方向に亘ってゲッタ19が存在
し、磁極片5表面を伝搬するマイクロ波はゲッタ19を
通過する。そしてゲッタ19が自己発熱を起こすので、
ゲッタ19は300℃より高温になり、ガス吸収速度が
早くなる。
【0015】自己発熱したゲッタ19は、マグネトロン
の真空管構成部品より発生するガスを吸収するので、マ
グネトロン内の真空状態を維持する。したがってマグネ
トロンは長期に亘って安定した発振をすることができ
る。
の真空管構成部品より発生するガスを吸収するので、マ
グネトロン内の真空状態を維持する。したがってマグネ
トロンは長期に亘って安定した発振をすることができ
る。
【0016】図2は、他の実施の形態である。なお、図
1の実施の形態と同一の部分は同一符号を付して、説明
を省略する。
1の実施の形態と同一の部分は同一符号を付して、説明
を省略する。
【0017】20はゲッタであり、陽極円筒1に配設さ
れている。ゲッタ20は図1のゲッタ19と同様に、チ
タンやジルコニウム等から構成されている。ゲッタ20
は環状になっており、陽極円筒1の内面にはまる大きさ
である。このゲッタは陽極円筒1の内面に隙間なく当接
する大きさであり、従来のようにトップハット7に配設
するゲッタ18よりも大きなゲッタ20を配設でき、マ
グネトロン内のガスを多く吸収することができる。
れている。ゲッタ20は図1のゲッタ19と同様に、チ
タンやジルコニウム等から構成されている。ゲッタ20
は環状になっており、陽極円筒1の内面にはまる大きさ
である。このゲッタは陽極円筒1の内面に隙間なく当接
する大きさであり、従来のようにトップハット7に配設
するゲッタ18よりも大きなゲッタ20を配設でき、マ
グネトロン内のガスを多く吸収することができる。
【0018】マグネトロンが動作するときフェラメント
6が発熱し、その伝導熱によって陽極円筒1は約300
℃になる。ゲッタ20は陽極円筒1に加熱され約300
℃になる。また、作用空間からマイクロ波が発生する
と、マイクロ波は表面効果によって陽極円筒1の表面を
伝搬する。ゲッタ20は陽極円筒1の内面にわたって配
設されているので、陽極円筒1上を伝搬するマイクロ波
がゲッタ20を通過し、ゲッタ20が自己発熱する。こ
のときゲッタ20は300℃よりも高温になり、効率よ
くガスを吸収するようになる。
6が発熱し、その伝導熱によって陽極円筒1は約300
℃になる。ゲッタ20は陽極円筒1に加熱され約300
℃になる。また、作用空間からマイクロ波が発生する
と、マイクロ波は表面効果によって陽極円筒1の表面を
伝搬する。ゲッタ20は陽極円筒1の内面にわたって配
設されているので、陽極円筒1上を伝搬するマイクロ波
がゲッタ20を通過し、ゲッタ20が自己発熱する。こ
のときゲッタ20は300℃よりも高温になり、効率よ
くガスを吸収するようになる。
【0019】マグネトロンが動作して真空部内が高温に
なると、真空部内の構成部品からガスが発生する。この
ガスはゲッタ20によって吸収され、真空部内は真空状
態に保持される。このゲッタ20は300℃よりも高温
になるが、従来のようにトップハット7に配設されるゲ
ッタ18(約1100℃)よりも低温になる。したがっ
てゲッタ20の劣化が遅く、長期に亘ってガスを吸収す
ることができる。さらに、トップハット7上に配設する
よりも大きなゲッタ20を配設することができるので、
多くのガスを吸収することができ、長期間マグネトロン
内を真空状態に保持することができる。
なると、真空部内の構成部品からガスが発生する。この
ガスはゲッタ20によって吸収され、真空部内は真空状
態に保持される。このゲッタ20は300℃よりも高温
になるが、従来のようにトップハット7に配設されるゲ
ッタ18(約1100℃)よりも低温になる。したがっ
てゲッタ20の劣化が遅く、長期に亘ってガスを吸収す
ることができる。さらに、トップハット7上に配設する
よりも大きなゲッタ20を配設することができるので、
多くのガスを吸収することができ、長期間マグネトロン
内を真空状態に保持することができる。
【0020】なお、本発明のゲッタはマイクロ波が通過
する構成であればよく、マイクロ波の伝搬方向に亘って
ゲッタが存在していればよい。したがって、中央に開口
部を有する閉ループ状のゲッタであればよく、その形状
は長方形や三角形等でも良い。このゲッタをその底面全
体が陽極円筒1の内面に接するように配設すると、この
ゲッタの開口部及び外周部に陽極円筒1が存在する。し
たがって、マグネトロンが動作したときに、マイクロ波
がゲッタを通過してゲッタが自己発熱する。
する構成であればよく、マイクロ波の伝搬方向に亘って
ゲッタが存在していればよい。したがって、中央に開口
部を有する閉ループ状のゲッタであればよく、その形状
は長方形や三角形等でも良い。このゲッタをその底面全
体が陽極円筒1の内面に接するように配設すると、この
ゲッタの開口部及び外周部に陽極円筒1が存在する。し
たがって、マグネトロンが動作したときに、マイクロ波
がゲッタを通過してゲッタが自己発熱する。
【0021】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、陽極円筒また
は磁極片に中央に開口部を有するゲッタを配設してる。
したがって、マイクロ波の伝搬方向にゲッタが存在する
ので、マグネトロンの動作中はマイクロ波がゲッタを通
過する。ゲッタは自己発熱して動作温度が高くなるので
ガスをよく吸収し、マグネトロン内を真空状態に維持で
きる。
は磁極片に中央に開口部を有するゲッタを配設してる。
したがって、マイクロ波の伝搬方向にゲッタが存在する
ので、マグネトロンの動作中はマイクロ波がゲッタを通
過する。ゲッタは自己発熱して動作温度が高くなるので
ガスをよく吸収し、マグネトロン内を真空状態に維持で
きる。
【0022】請求項2の発明によれば、磁極片に環状の
ゲッタを配設した構成である。そしてマグネトロンの動
作中は、磁極片の表面を伝搬するマイクロ波がゲッタを
通過し、ゲッタが自己発熱してガスをよく吸収する。ま
た、ゲッタをマグネトロンの作用領域付近に配設するの
で、作用領域のガスを効率よく吸収することができる。
そのためマグネトロン内を真空状態に維持することがで
き、長期に亘って安定した発振を行うことができる。
ゲッタを配設した構成である。そしてマグネトロンの動
作中は、磁極片の表面を伝搬するマイクロ波がゲッタを
通過し、ゲッタが自己発熱してガスをよく吸収する。ま
た、ゲッタをマグネトロンの作用領域付近に配設するの
で、作用領域のガスを効率よく吸収することができる。
そのためマグネトロン内を真空状態に維持することがで
き、長期に亘って安定した発振を行うことができる。
【0023】請求項3の発明によれば、陽極円筒の内面
に環状のゲッタを配設した構成である。そしてマグネト
ロンの動作中は、陽極円筒の表面を伝搬するマイクロ波
がゲッタを通過し、ゲッタが自己発熱してガスをよく吸
収する。また、陽極円筒にはゲッタを配設する場所が多
いので、大きなゲッタを配設することができ、多くのガ
スを吸収することができる。そのためマグネトロン内を
真空状態に維持することができ、長期に亘って安定した
発振を行うことができる。
に環状のゲッタを配設した構成である。そしてマグネト
ロンの動作中は、陽極円筒の表面を伝搬するマイクロ波
がゲッタを通過し、ゲッタが自己発熱してガスをよく吸
収する。また、陽極円筒にはゲッタを配設する場所が多
いので、大きなゲッタを配設することができ、多くのガ
スを吸収することができる。そのためマグネトロン内を
真空状態に維持することができ、長期に亘って安定した
発振を行うことができる。
【図1】 本発明の実施の形態を示す本体部の断面図で
ある。
ある。
【図2】 本発明の他の実施の形態を示す本体部の断面
図である。
図である。
【図3】 従来のマグネトロンの本体部の断面図であ
る。
る。
1 陽極円筒 2 ベイン 4 陰極 5 磁極片 7 トップハット 8 エンドハット 19 ゲッタ 20 ゲッタ
Claims (3)
- 【請求項1】 陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記陽極円筒ま
たは前記磁極片に中央に開口部を有するゲッタを配設し
たことを特徴とするマグネトロン。 - 【請求項2】 陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記磁極片に環
状のゲッタを配設したことを特徴とするマグネトロン。 - 【請求項3】 陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記陽極円筒の
内面に環状のゲッタを配設したことを特徴とするマグネ
トロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20845496A JPH1055761A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20845496A JPH1055761A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055761A true JPH1055761A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16556468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20845496A Pending JPH1055761A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7092239B2 (en) | 2001-02-06 | 2006-08-15 | Nec Tokin Corporation | Electric double layer capacitor with improved activated carbon electrodes |
| EP2104130A3 (en) * | 2008-03-19 | 2010-04-14 | Panasonic Corporation | Magnetron |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20845496A patent/JPH1055761A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7092239B2 (en) | 2001-02-06 | 2006-08-15 | Nec Tokin Corporation | Electric double layer capacitor with improved activated carbon electrodes |
| EP2104130A3 (en) * | 2008-03-19 | 2010-04-14 | Panasonic Corporation | Magnetron |
| US8314556B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-20 | Panasonic Corporation | Magnetron |
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