JPS6129156Y2 - - Google Patents
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- JPS6129156Y2 JPS6129156Y2 JP12748582U JP12748582U JPS6129156Y2 JP S6129156 Y2 JPS6129156 Y2 JP S6129156Y2 JP 12748582 U JP12748582 U JP 12748582U JP 12748582 U JP12748582 U JP 12748582U JP S6129156 Y2 JPS6129156 Y2 JP S6129156Y2
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- side insulator
- output side
- anode
- metal
- output
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- Expired
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はマグネトロンとくにマグネトロンの出
力部に関するものである。
力部に関するものである。
第１図は従来のマグネトロンを示す一部断面図
である。図において１は円筒形のアノードで、ア
ノード１の内側にはアノード１の中心に向つて突
出した板枚のベイン２が設けられ、アノード１と
ベイン２とで共振空胴を形成している。３はアノ
ード１の内部中央に位置するカソードで、カソー
ド３とベイン２とは作用空間を形成している。
４，５はアノード１の両端にろう付け、アーク付
けなどにより気密に固着された磁極片で、磁極片
４，５は上記作用空間に外部磁石（図示せず）の
磁束を集中させる働きをする。６は磁極片４に封
着金属７を介して気密に固着されたステムで、ス
テム６はカソード３を支持している。８は磁極片
５にコバールなどからなる報着用金属９を介して
気窓に固着された円筒形の出力側絶縁物で、出力
側絶縁物８はセラミツクあるいはガラスなどから
なる。１０は出力側絶縁物８の上端に気密に固着
された銅からなる排気管で、排気管１０は出力放
射アンテナとしての働きをもする。１１は一端が
ベイン２のうちの一枚と接続され、磁極片５に設
けらげた孔１２を貫通しかつ他端が排気管１０に
固着されたすなわちチツプオフの際に排気管１０
に圧接溶着されたアンテナ導線、１３は排気管１
０と嵌合した有底円筒形の金属カバーで、金属カ
バー１３は排気管１０とアンテナ導線１１とを圧
接して溶着した部分を保護し、上記溶着部に電界
が集中してスパークが発生するのを防止するとと
もに、高周波アンテナの役割をも果たしている。
である。図において１は円筒形のアノードで、ア
ノード１の内側にはアノード１の中心に向つて突
出した板枚のベイン２が設けられ、アノード１と
ベイン２とで共振空胴を形成している。３はアノ
ード１の内部中央に位置するカソードで、カソー
ド３とベイン２とは作用空間を形成している。
４，５はアノード１の両端にろう付け、アーク付
けなどにより気密に固着された磁極片で、磁極片
４，５は上記作用空間に外部磁石（図示せず）の
磁束を集中させる働きをする。６は磁極片４に封
着金属７を介して気密に固着されたステムで、ス
テム６はカソード３を支持している。８は磁極片
５にコバールなどからなる報着用金属９を介して
気窓に固着された円筒形の出力側絶縁物で、出力
側絶縁物８はセラミツクあるいはガラスなどから
なる。１０は出力側絶縁物８の上端に気密に固着
された銅からなる排気管で、排気管１０は出力放
射アンテナとしての働きをもする。１１は一端が
ベイン２のうちの一枚と接続され、磁極片５に設
けらげた孔１２を貫通しかつ他端が排気管１０に
固着されたすなわちチツプオフの際に排気管１０
に圧接溶着されたアンテナ導線、１３は排気管１
０と嵌合した有底円筒形の金属カバーで、金属カ
バー１３は排気管１０とアンテナ導線１１とを圧
接して溶着した部分を保護し、上記溶着部に電界
が集中してスパークが発生するのを防止するとと
もに、高周波アンテナの役割をも果たしている。
第２図は第１図に示した従来のマグネトロンの
封着用金属９に出力側絶縁物８を固着した部分の
詳細を示す図である。図に示すように、封着用金
属９に出力側絶縁物８を固着するには、まず出力
側絶縁物８の下部端面にMoを焼結しさらにNiメ
ツキをしてメタライズ層１４を形成し、このメタ
ライズ層１４を介して封着用金属８をAg−Cu合
金、Au−Cu合金などのろう材１５でろう付けし
ている。この場合において、出力側絶縁物８の下
部端面にメタライズ層１４を形成する際に、出力
側絶縁物８の内周面下部も出力側絶縁物８の表面
状態などによりMoが焼結されてメタライズされ
ることがある。この場合には、側面に形成された
メタライズ層１４の比較的大きな凸部１４ａとア
ンテナ導線１１との間に大きなマイクロ波電圧差
が生じたときにマイクロ波電界の集中が起こるか
ら、凸部１４ａ周辺が局部加熱される。このた
め、ガスが放出されてマグネトロン内部の真空が
不良となつたり、凸部１４ａに流れたろう材１５
がスパツタしたり、出力側絶縁物８が割れたりす
るという問題点があつた。
封着用金属９に出力側絶縁物８を固着した部分の
詳細を示す図である。図に示すように、封着用金
属９に出力側絶縁物８を固着するには、まず出力
側絶縁物８の下部端面にMoを焼結しさらにNiメ
ツキをしてメタライズ層１４を形成し、このメタ
ライズ層１４を介して封着用金属８をAg−Cu合
金、Au−Cu合金などのろう材１５でろう付けし
ている。この場合において、出力側絶縁物８の下
部端面にメタライズ層１４を形成する際に、出力
側絶縁物８の内周面下部も出力側絶縁物８の表面
状態などによりMoが焼結されてメタライズされ
ることがある。この場合には、側面に形成された
メタライズ層１４の比較的大きな凸部１４ａとア
ンテナ導線１１との間に大きなマイクロ波電圧差
が生じたときにマイクロ波電界の集中が起こるか
ら、凸部１４ａ周辺が局部加熱される。このた
め、ガスが放出されてマグネトロン内部の真空が
不良となつたり、凸部１４ａに流れたろう材１５
がスパツタしたり、出力側絶縁物８が割れたりす
るという問題点があつた。
第３図は本考案に係るマグネトロンの出力部を
示す断面図である。同図において、封着用金属９
が出力側絶縁物８の内径よりもさらに内側方向に
突出した突出部９ａを有して構成されている。
示す断面図である。同図において、封着用金属９
が出力側絶縁物８の内径よりもさらに内側方向に
突出した突出部９ａを有して構成されている。
このように構成されたマグネトロンにおいて、
封着用金属９の突出部９ａは出力側絶縁物８の内
経よりもさらに内側に突出しているため、アンテ
ナ導線１１に近接して電界の集中個所となるの
で、出力側絶縁物８のメタライズ層１４およびそ
の凸部１４ａは電気的に遮蔽されて電界の集中が
大幅に緩和されることになる。したがつて、メタ
ライズ層１４とアンテナ導線１１との間に大きな
マイクロ波電圧差が生じても出力側絶縁物８の一
部が局部加熱されることはない。なお、この場
合、封着用金属９の突出部９ａはアンテナ導線に
近傍するので、マイクロ波電界が集中しやすくな
るが、突出部９ａの表面をタンブリング、酸洗
い、電解研磨あるいはサンドプラストなどによ
り、滑なかにすれば電界集中の程度が軽減される
ので、突出部９ａが局部加熱されることはない。
また、排気工程中や使用中にスパツタが生じて
も、封着用金属９の突出部９ａがあるから、出力
側絶縁物８にスパツタが付着することが少ないた
め、出力側絶縁物８が著しく加熱されることはな
い。また、封着用金属９の突出部９ａの突出し長
さは、メタライズ層１４の凸部１４ａ（第２図参
照）の軸方向の長さが例えば約0.2mm程度である
場合、その数倍が望ましく、実験では約１mm程度
で上述のような効果が得られた。従つてメタライ
ズ層の凸部の軸方向長さに応じて封着用金属の突
出長さを設定すればよい。
封着用金属９の突出部９ａは出力側絶縁物８の内
経よりもさらに内側に突出しているため、アンテ
ナ導線１１に近接して電界の集中個所となるの
で、出力側絶縁物８のメタライズ層１４およびそ
の凸部１４ａは電気的に遮蔽されて電界の集中が
大幅に緩和されることになる。したがつて、メタ
ライズ層１４とアンテナ導線１１との間に大きな
マイクロ波電圧差が生じても出力側絶縁物８の一
部が局部加熱されることはない。なお、この場
合、封着用金属９の突出部９ａはアンテナ導線に
近傍するので、マイクロ波電界が集中しやすくな
るが、突出部９ａの表面をタンブリング、酸洗
い、電解研磨あるいはサンドプラストなどによ
り、滑なかにすれば電界集中の程度が軽減される
ので、突出部９ａが局部加熱されることはない。
また、排気工程中や使用中にスパツタが生じて
も、封着用金属９の突出部９ａがあるから、出力
側絶縁物８にスパツタが付着することが少ないた
め、出力側絶縁物８が著しく加熱されることはな
い。また、封着用金属９の突出部９ａの突出し長
さは、メタライズ層１４の凸部１４ａ（第２図参
照）の軸方向の長さが例えば約0.2mm程度である
場合、その数倍が望ましく、実験では約１mm程度
で上述のような効果が得られた。従つてメタライ
ズ層の凸部の軸方向長さに応じて封着用金属の突
出長さを設定すればよい。
以上説明したように、本考案に係るマグネトロ
ンにおいては、メタライズ層１４とアンテナ導線
１１との間に大きなマイクロ波電圧差が生じても
局部加熱されることがなく、また出力側絶縁物８
が著しく加熱されることがないから、過負荷動作
をさせてもガス放出、スパーク，スパツタが生じ
ることがなく、また出力側絶縁物が割れたりする
ことがなく、さらに長寿命であるなどの効果があ
る。
ンにおいては、メタライズ層１４とアンテナ導線
１１との間に大きなマイクロ波電圧差が生じても
局部加熱されることがなく、また出力側絶縁物８
が著しく加熱されることがないから、過負荷動作
をさせてもガス放出、スパーク，スパツタが生じ
ることがなく、また出力側絶縁物が割れたりする
ことがなく、さらに長寿命であるなどの効果があ
る。
なお、上述実施例においては出力側絶縁物８の
上端に排気管１０を設けたが、出力側絶縁物８の
上端に排気管１０を設けけずに単に気密を保つた
めの、あるいはアンテナ導線１１を支持するため
の金属材を設け、排気管の他の任意の個所に設け
たマグネトロンに本考案を適用できることはいう
までもない。また、アンテナ導線１１を曲げて出
力側絶縁物８の上端に直接固定したマグネトロン
に本考案を適用できることは当然である。この場
合、出力側絶縁物８をドーム形としてもよい。
上端に排気管１０を設けたが、出力側絶縁物８の
上端に排気管１０を設けけずに単に気密を保つた
めの、あるいはアンテナ導線１１を支持するため
の金属材を設け、排気管の他の任意の個所に設け
たマグネトロンに本考案を適用できることはいう
までもない。また、アンテナ導線１１を曲げて出
力側絶縁物８の上端に直接固定したマグネトロン
に本考案を適用できることは当然である。この場
合、出力側絶縁物８をドーム形としてもよい。
第１図は従来のマグネトロンを示す一部断面
図、第２図は同じく圧着用金属に出力側絶縁物を
固着した部分を示す図、第３図は本考案に係るマ
グネトロンの出力部を示す断面図である。 １……アノード、２……ベイン、３……カソー
ド、４，５……磁極片、６……ステム、７，９…
…封着用金属、８……出力側絶縁物、１０……排
気管、１１……アンテナ導線、１３……金属カバ
ー、１４……メタライズ層、１５……ろう材。
図、第２図は同じく圧着用金属に出力側絶縁物を
固着した部分を示す図、第３図は本考案に係るマ
グネトロンの出力部を示す断面図である。 １……アノード、２……ベイン、３……カソー
ド、４，５……磁極片、６……ステム、７，９…
…封着用金属、８……出力側絶縁物、１０……排
気管、１１……アンテナ導線、１３……金属カバ
ー、１４……メタライズ層、１５……ろう材。
Claims (1)
- アノードと、前記アノードに設けられた共振空
間を形成するための複数枚のベインと、一端が上
記ベインに接続されたアンテナ導線と、前記アノ
ードに溶接固定された封着用金具と、該着用金属
にメタライズ層を介してろう付けにより気密に封
着されかつ上記アンテナ導線の一部を円筒状に取
囲んでいる出力側絶縁物とを有するマグネトロン
において、上記出力側絶縁物と上記封着用金属と
のろう付け部における前記封着用金属の内周端縁
自体を上記出力側絶縁物の内周端縁よりも半径方
向側に突出させてなることを特徴とするマグネト
ロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12748582U JPS58162554U (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12748582U JPS58162554U (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162554U JPS58162554U (ja) | 1983-10-29 |
| JPS6129156Y2 true JPS6129156Y2 (ja) | 1986-08-28 |
Family
ID=30101404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12748582U Granted JPS58162554U (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162554U (ja) |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP12748582U patent/JPS58162554U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58162554U (ja) | 1983-10-29 |
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