JPH1055949A5 - - Google Patents
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- JPH1055949A5 JPH1055949A5 JP1996212434A JP21243496A JPH1055949A5 JP H1055949 A5 JPH1055949 A5 JP H1055949A5 JP 1996212434 A JP1996212434 A JP 1996212434A JP 21243496 A JP21243496 A JP 21243496A JP H1055949 A5 JPH1055949 A5 JP H1055949A5
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【0014】
さらに上記目的は、上記位置合わせ方法において、第2の「判定基準」と新たな実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第7のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
また上記目的は、複数のパターン領域が形成されたN枚の基板の各々について、パターン領域の位置に関する設計値と複数の誤差パラメータとに基づいて、パターン領域の各々に対して現実に露光すべきショット位置を決定して位置合わせする位置合わせ方法において、1枚目からm(m<N)枚目までの各基板に対しては、所定のMmax個のパターン領域の位置を計測して得られた第1の実測値に基づいて複数の誤差パラメータを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定する第1のステップと、推定された複数の誤差パラメータのうち、1又は2以上の所定の誤差パラメータを選択し、m枚の基板の各々から求められた選択された誤差パラメータの各値をそれぞれ平均化処理して、判定基準項目に格納する第2のステップと、m+1枚目以降の基板の各々に対しては、計測点数がMmin(<Mmax)個のパターン領域の位置を計測して得られた第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち選択された誤差パラメータの値が判定基準項目に格納された各値に対して所定の範囲内にあれば、判定基準項目に格納されている誤差パラメータと当該実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第3のステップと、第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち選択された誤差パラメータの値が前記所定の範囲内になければ、選択された誤差パラメータの値が所定の範囲内に入るまで計測点数を追加して再計測を行う第4のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
さらに上記目的は、上記位置合わせ方法において、第2の「判定基準」と新たな実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第7のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
また上記目的は、複数のパターン領域が形成されたN枚の基板の各々について、パターン領域の位置に関する設計値と複数の誤差パラメータとに基づいて、パターン領域の各々に対して現実に露光すべきショット位置を決定して位置合わせする位置合わせ方法において、1枚目からm(m<N)枚目までの各基板に対しては、所定のMmax個のパターン領域の位置を計測して得られた第1の実測値に基づいて複数の誤差パラメータを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定する第1のステップと、推定された複数の誤差パラメータのうち、1又は2以上の所定の誤差パラメータを選択し、m枚の基板の各々から求められた選択された誤差パラメータの各値をそれぞれ平均化処理して、判定基準項目に格納する第2のステップと、m+1枚目以降の基板の各々に対しては、計測点数がMmin(<Mmax)個のパターン領域の位置を計測して得られた第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち選択された誤差パラメータの値が判定基準項目に格納された各値に対して所定の範囲内にあれば、判定基準項目に格納されている誤差パラメータと当該実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第3のステップと、第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち選択された誤差パラメータの値が前記所定の範囲内になければ、選択された誤差パラメータの値が所定の範囲内に入るまで計測点数を追加して再計測を行う第4のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
Claims (7)
- 複数のパターン領域が形成されたN枚の基板の各々について、前記パターン領域の位置に関する設計値と複数の誤差パラメータとに基づいて、前記パターン領域の各々に対して現実に露光すべきショット位置を決定して位置合わせする位置合わせ方法において、
1枚目からm(m<N)枚目までの前記各基板に対しては、Mmax個の前記パターン領域の位置を計測して得られた第1の実測値に基づいて前記複数の誤差パラメータの全てを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定する第1のステップと、
推定された前記複数の誤差パラメータのうち、1又は2以上の所定の誤差パラメータを選択し、前記m枚の基板の各々から求められた前記選択された誤差パラメータの各値をそれぞれ平均化処理して、登録された第1の「判定基準」内の各判定基準項目に格納する第2のステップと、
m+1枚目以降の前記基板の各々に対しては、計測点数がMmin(<Mmax)個のパターン領域の位置を計測して得られた第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータの全てのうち前記選択された誤差パラメータの値が前記第1の「判定基準」に対して所定の範囲内にあれば、前記第1の「判定基準」内の各判定基準項目に格納されている誤差パラメータと当該実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第3のステップと、
前記第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち前記選択された誤差パラメータの値が前記所定の範囲内になければ、前記選択された誤差パラメータの値が前記所定の範囲内に入るまで計測点数を追加して再計測を行う第4のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法。 - 請求項1記載の位置合わせ方法において、
前記第4のステップ中に推定された前記選択された誤差パラメータの値が前記第1の「判定基準」とは異なる傾向を示し、且つ追加する計測点数を増加させても前記選択された誤差パラメータの値の変化が減少して所定の収束傾向を示したら、前記第1の「判定基準」の各判定基準項目に選択された誤差パラメータの値を更新した新たな第2の「判定基準」を創設し、追加登録する第5のステップと、
前記第2の「判定基準」内の各判定基準項目に格納されている誤差パラメータと前記第5のステップ中で計測された前記第2の実測値及び前記追加した計測点数による実測値から得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第6のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法。 - 請求項2記載の位置合わせ方法において、
前記第2の「判定基準」と新たな実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第7のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の位置合わせ方法において、
前記Mmaxの値は、4乃至10であることを特徴とする位置合わせ方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の位置合わせ方法において、
前記Mminの値は、3であることを特徴とする位置合わせ方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の位置合わせ方法において、
前記複数の誤差パラメータは、前記基板の倍率誤差M及び、前記基板のシフト量S、前記パターン領域の配列座標系の回転誤差Θ、前記パターン領域の配列の直交度ωであり、
前記判定基準項目には、前記倍率誤差M及び直交度ωが選択されていることを特徴とする位置合わせ方法。 - 複数のパターン領域が形成されたN枚の基板の各々について、前記パターン領域の位置に関する設計値と複数の誤差パラメータとに基づいて、前記パターン領域の各々に対して現実に露光すべきショット位置を決定して位置合わせする位置合わせ方法において、
1枚目からm(m<N)枚目までの前記各基板に対しては、所定のMmax個の前記パタ ーン領域の位置を計測して得られた第1の実測値に基づいて前記複数の誤差パラメータを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定する第1のステップと、
推定された前記複数の誤差パラメータのうち、1又は2以上の所定の誤差パラメータを選択し、前記m枚の基板の各々から求められた前記選択された誤差パラメータの各値をそれぞれ平均化処理して、判定基準項目に格納する第2のステップと、
m+1枚目以降の前記基板の各々に対しては、計測点数がMmin(<Mmax)個のパターン領域の位置を計測して得られた第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち前記選択された誤差パラメータの値が前記判定基準項目に格納された各値に対して所定の範囲内にあれば、前記判定基準項目に格納されている誤差パラメータと当該実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第3のステップと、
前記第2の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち前記選択された誤差パラメータの値が前記所定の範囲内になければ、前記選択された誤差パラメータの値が前記所定の範囲内に入るまで計測点数を追加して再計測を行う第4のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212434A JPH1055949A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212434A JPH1055949A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055949A JPH1055949A (ja) | 1998-02-24 |
| JPH1055949A5 true JPH1055949A5 (ja) | 2004-08-19 |
Family
ID=16622546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8212434A Withdrawn JPH1055949A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055949A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI225665B (en) | 2001-10-17 | 2004-12-21 | Canon Kk | Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006140204A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 計測条件の最適化方法、該最適化方法を使用した位置計測方法、該位置計測方法を使用した位置合わせ方法、該位置合わせ方法を使用したデバイス製造方法、計測条件の最適化システム、該最適化システムを使用した位置計測装置及び該位置計測装置を使用した露光装置 |
| US7126669B2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for automated process correction using model parameters, and lithographic apparatus using such method and system |
| JP5006761B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、位置合わせ装置、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
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| CN115867925B (zh) | 2020-07-06 | 2024-08-13 | 诺威有限公司 | 用于控制样本参数的测量的系统和方法 |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP8212434A patent/JPH1055949A/ja not_active Withdrawn
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