JPH1055964A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH1055964A JPH1055964A JP21126096A JP21126096A JPH1055964A JP H1055964 A JPH1055964 A JP H1055964A JP 21126096 A JP21126096 A JP 21126096A JP 21126096 A JP21126096 A JP 21126096A JP H1055964 A JPH1055964 A JP H1055964A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas introduction
- reaction tube
- gas
- introduction part
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハを汚染することはなく、ウェーハ成
膜の歩留り、品質を向上し、又、ガス導入部及び排気部
のメンテナンスを簡略化する。 【解決手段】 反応管１内のウェーハ２を加熱すると共
にガス導入部４から反応ガスを反応管１内に導入し、排
気部５より排気してウェーハ２に膜を生成する半導体製
造装置において、前記ガス導入部４及び排気部５の内面
に石英部材７を被覆することを特徴とする。
膜の歩留り、品質を向上し、又、ガス導入部及び排気部
のメンテナンスを簡略化する。 【解決手段】 反応管１内のウェーハ２を加熱すると共
にガス導入部４から反応ガスを反応管１内に導入し、排
気部５より排気してウェーハ２に膜を生成する半導体製
造装置において、前記ガス導入部４及び排気部５の内面
に石英部材７を被覆することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーティクルの発
生を防止した半導体製造装置に関するものである。
生を防止した半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来装置の１例を示す断面図であ
る。この従来装置は、反応管１内の載置台３上にウェー
ハ２を載せ、ヒータ６によりウェーハ２を加熱すると共
にガス導入部４から反応ガスを反応管１内に導入し、排
気部５より排気してウェーハ２に膜を生成するものであ
る。８はゲートバルブである。
る。この従来装置は、反応管１内の載置台３上にウェー
ハ２を載せ、ヒータ６によりウェーハ２を加熱すると共
にガス導入部４から反応ガスを反応管１内に導入し、排
気部５より排気してウェーハ２に膜を生成するものであ
る。８はゲートバルブである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、成膜時、ガス導入部４及び排気部５の内面に生成膜
が推積し、それが剥離することによりパーティクルとな
りウェーハを汚染するという課題がある。
は、成膜時、ガス導入部４及び排気部５の内面に生成膜
が推積し、それが剥離することによりパーティクルとな
りウェーハを汚染するという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記従来
技術の課題である成膜時のパーティクルによるウェーハ
汚染を解決するため、図１に示すように反応管１内のウ
ェーハ２を加熱すると共にガス導入部４から反応ガスを
反応管１内に導入し、排気部５より排気してウェーハ２
に膜を生成する半導体製造装置において、前記ガス導入
部４及び排気部５の内面に石英部材７を被覆することを
特徴とする。
技術の課題である成膜時のパーティクルによるウェーハ
汚染を解決するため、図１に示すように反応管１内のウ
ェーハ２を加熱すると共にガス導入部４から反応ガスを
反応管１内に導入し、排気部５より排気してウェーハ２
に膜を生成する半導体製造装置において、前記ガス導入
部４及び排気部５の内面に石英部材７を被覆することを
特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は本発明装置の実施形態の１
例を示す断面図である。この形態は、反応管１内の載置
台３上にウェーハ２を載せ、ヒータ６によりウェーハ２
を加熱すると共にガス導入部４から反応ガスを反応管１
内に導入し、排気部５より排気してウェーハ２に膜を生
成する装置において、ガス導入部４及び排気部５の金属
内面に石英カバー７を被覆せしめる。このようにガス導
入部４及び排気部５の金属内面に石英カバー７を被覆す
ることにより金属表面に膜が推積し剥れて、反応管１内
のパーティクルとなることがなく、ウェーハ２が汚染さ
れることはない。
例を示す断面図である。この形態は、反応管１内の載置
台３上にウェーハ２を載せ、ヒータ６によりウェーハ２
を加熱すると共にガス導入部４から反応ガスを反応管１
内に導入し、排気部５より排気してウェーハ２に膜を生
成する装置において、ガス導入部４及び排気部５の金属
内面に石英カバー７を被覆せしめる。このようにガス導
入部４及び排気部５の金属内面に石英カバー７を被覆す
ることにより金属表面に膜が推積し剥れて、反応管１内
のパーティクルとなることがなく、ウェーハ２が汚染さ
れることはない。
【０００６】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ウェーハ
を汚染することはなく、ウェーハ成膜の歩留り、品質を
向上することができ、又、ガス導入部及び排気部のメン
テナンスを簡略化することができる。
を汚染することはなく、ウェーハ成膜の歩留り、品質を
向上することができ、又、ガス導入部及び排気部のメン
テナンスを簡略化することができる。
【図１】本発明装置の実施形態の１例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】従来装置の１例を示す断面図である。
１ 反応管 ２ ウェーハ ３ 載置台 ４ ガス導入部 ５ 排気部 ６ ヒータ ７ 石英部材（カバー）
Claims (1)
- 【請求項１】 反応管内のウェーハを加熱すると共にガ
ス導入部から反応ガスを反応管内に導入し、排気部より
排気してウェーハに膜を生成する半導体製造装置におい
て、前記ガス導入部及び排気部の内面に石英部材を被覆
することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126096A JPH1055964A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126096A JPH1055964A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055964A true JPH1055964A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16602973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21126096A Pending JPH1055964A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023563A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sumco Corp | シリコンウェーハの処理装置 |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21126096A patent/JPH1055964A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023563A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sumco Corp | シリコンウェーハの処理装置 |
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