JPH1056044A

JPH1056044A - ウェハｉｄ読み取り装置およびそれを用いる半導体集積回路装置の製造方法

Info

Publication number: JPH1056044A
Application number: JP8210164A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Yoshitake; 康裕吉武; Hiroshi Nagaishi; 博永石; Kenji Watanabe; 健二渡辺
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-08-08
Filing date: 1996-08-08
Publication date: 1998-02-24

Abstract

(57)【要約】【課題】高速かつ高精度にウェハＩＤを読み取る。【解決手段】半導体ウェハ１の側面１ａにウェハＩＤ
が形成された半導体ウェハ１を収容するウェハカセット
２と、ウェハカセット２に収容された半導体ウェハ１を
ウェハカセット２から取り出さずにそのウェハＩＤを読
み取るＩＤ検出部３と、ＩＤ検出部３の検出結果に基づ
いて検査などの処理が行われる半導体ウェハ１を認識す
る認識部４と、ウェハカセット２を支持するカセットエ
レベータ５と、カセットエレベータ５を昇降させるエレ
ベータ駆動モータ６と、エレベータ駆動モータ６の駆動
を制御する制御部７とからなり、ウェハカセット２に収
容された半導体ウェハ１のウェハＩＤをウェハカセット
２から取り出さずに読み取る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、半導体ウェハの側面に形成されたウェハＩ
Ｄを検出するウェハＩＤ読み取り装置およびそれを用い
る半導体集積回路装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】半導体製造工程においては、不良原因を早
期発見し、プロセスおよび半導体製造装置にフィードバ
ックしていくことが歩留りを維持または向上させるため
に必須である。

【０００４】これには、半導体検査装置による不良発見
とその検査データの分析が重要である。例えば、プロセ
スで発生する電気的ショートや断線などの欠陥あるいは
異物は、画像処理を応用した外観検査装置またはレーザ
光による暗視野照明を用いた異物検査装置によって自動
的に検査されている。

【０００５】なお、検査は、主要工程終了ごとに行わ
れ、これらの工程中、例えば、どの工程で異物が多いか
を判定するためには、各工程での異物数の増加分を比較
すればよい。ただし、この判定を行うためには各工程検
査において常に同一の半導体ウェハをモニタ用ウェハと
して検査する必要がある。

【０００６】このためには、検査前に半導体ウェハがモ
ニタ用ウェハであるかを認識し、その半導体ウェハを選
択的に検査することになる。ここで、半導体ウェハの認
識は、そのウェハ表面に描かれたウェハＩＤを用い、目
視または画像処理によるＩＤ認識装置によって行う。

【０００７】その後、ウェハＩＤは手動または自動によ
って半導体検査装置に入力され、欠陥・異物の座標や大
きさのデータと共に不良原因を解析する解析システムに
送られる。

【０００８】ここで、ウェハ表面に描かれたウェハＩＤ
を認識する半導体検査装置の一例について説明する。

【０００９】まず、半導体ウェハを支持するウェハ支持
部であるウェハカセットをその昇降用のエレベータに搭
載し、エレベータ駆動モータによってエレベータを上下
方向に駆動させる。さらに、搬送アームが左右、上下方
向に移動または回転し、半導体ウェハをウェハカセット
内から取り出し、プリアライメントステージに移動させ
る。

【００１０】その後、プリアライメントステージが回転
し、半導体ウェハのオリエンテーションフラット（以
降、オリフラと略す）をオリフラ検出器によって検出す
る。さらに、プリアライメントステージはオリフラの近
傍またはオリフラと反対側のウェハ周辺部に描かれたウ
ェハＩＤが撮像カメラの視野内に入る位置でその回転を
止める。

【００１１】これにより、撮像カメラがウェハＩＤの画
像を取り込み、認識部によってウェハＩＤを認識する。
さらに、認識したウェハＩＤの情報を半導体検査装置に
送る。半導体検査装置では、半導体製造における各工程
での半導体ウェハの外観検査や異物検査を行い、欠陥の
数やその位置情報をウェハＩＤの情報と共に解析装置に
転送する。

【００１２】続いて、前記解析装置における解析方法に
ついて説明する。

【００１３】まず、解析装置は、ウェハＩＤによって同
一の半導体ウェハにおける所定の工程Ａの欠陥座標デー
タと所定の工程Ｂの欠陥座標データとを検索し（ここで
は、工程Ｂが工程Ａの後の工程）、例えば、特開平３−
４４０５４号公報に開示されているように、各工程間に
おいて欠陥座標が所定の許容範囲内で一致する欠陥を求
め、さらに、それらの欠陥を削除することにより、工程
Ｂで新たに発生した欠陥の欠陥座標データを求めること
ができる。

【００１４】この処理によって、解析装置は、工程Ｂで
新たに発生した欠陥の欠陥座標データを示すマップ、お
よび各工程で新たに発生した欠陥の欠陥数と前工程にお
ける欠陥の欠陥数との内訳を示す棒グラフなどを表示す
る。

【００１５】その結果、半導体製造に携わる作業者は、
これらの表示を見て、迅速に欠陥の多い工程を特定し、
プロセスに対してフィードバックを行う。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術において、検査対象となる半導体ウェハのウェハＩＤ
を識別するためには、ウェハカセットから半導体ウェハ
を取り出してウェハＩＤが撮像カメラの視野内に入るよ
うに半導体ウェハの位置出しを行わなければならない。

【００１７】例えば、工程間の欠陥数推移追跡用に同一
の半導体ウェハだけを選んで検査する場合に、ウェハカ
セットから半導体ウェハを取り出し、認識処理を行った
結果、ウェハＩＤが異なる場合にはウェハカセットに半
導体ウェハを再び戻すといった作業を、検査対象となる
ウェハＩＤを有する半導体ウェハを取り出すまで繰り返
さなければならない。

【００１８】なお、ウェハカセット内における半導体ウ
ェハの位置は、半導体製造装置によって処理される度に
順番が変わるため、このようなウェハＩＤの確認作業を
必ず行わなければならない。

【００１９】しかし、前記したウェハＩＤの確認作業は
時間が掛かるとともに、撮像カメラによってウェハＩＤ
が確認可能な位置まで半導体ウェハを移動させるための
機構やその駆動制御部が必要になる。

【００２０】その結果、検査のスループットが低下する
ことが問題とされ、かつ、ウェハＩＤ認識専用の装置を
用いて認識を行う場合には、装置コストおよび装置床面
積の増大が問題とされる。

【００２１】さらに、ウェハＩＤはウェハ表面に描かれ
ているため、成膜、エッチングなどの処理を経るにつれ
て、下地におけるウェハＩＤのコントラストが低くなり
誤認識を引き起こすことも問題とされる。

【００２２】また、シリコン（Ｓｉ）によって形成され
る半導体ウェハの特定領域を半導体化するためには、リ
ン、ボロンなどの元素をイオンとして半導体ウェハに打
ち込む処理を行うが、この時の打ち込み角度は、シリコ
ンの結晶方向に対して予め定められた角度であり、その
結果、イオン打込み時には、半導体ウェハを所定の角度
に載置する必要がある。

【００２３】したがって、半導体ウェハの結晶方向を知
らしめるため、円形の半導体ウェハの結晶方向に対応す
る方向の円弧を切り欠いて形成したオリフラを設けてい
る。

【００２４】なお、このオリフラは、露光装置でショッ
トの並び方向を決めるためのものであり、露光に先立ち
半導体ウェハを回転させ、オリフラを検出することによ
り、露光時の半導体ウェハの支持方向を決定する。

【００２５】ところが、このような切り欠き部（オリフ
ラ）の近傍においては、絶縁膜や配線膜の膜厚が仕様通
りに形成できず、半導体チップを形成した際に不良にな
る確率が高いことが問題とされる。

【００２６】本発明の目的は、高速、かつ高精度にウェ
ハＩＤを読み取るウェハＩＤ読み取り装置およびそれを
用いる半導体集積回路装置の製造方法を提供することに
ある。

【００２７】また、本発明の他の目的は、半導体チップ
の歩留りを向上させるウェハＩＤ読み取り装置およびそ
れを用いる半導体集積回路装置の製造方法を提供するこ
とにある。

【００２８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００３０】すなわち、本発明によるウェハＩＤ読み取
り装置は、半導体ウェハの側面にウェハＩＤが形成され
た前記半導体ウェハを支持するウェハ支持部と、前記ウ
ェハ支持部によって支持された半導体ウェハを前記ウェ
ハ支持部から移動させずにそのウェハＩＤを読み取るＩ
Ｄ検出部と、前記ＩＤ検出部の検出結果に基づいて検査
などの所定の処理が行われる半導体ウェハを認識する認
識部とを有するものである。

【００３１】また、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、半導体ウェハの側面にウェハＩＤを形成す
る工程、側面にウェハＩＤが形成された半導体ウェハの
前記ウェハＩＤを読み取る工程、前記ウェハＩＤを読み
取ることにより、所定の処理を行う半導体ウェハを認識
する工程を含むものである。

【００３２】これにより、ウェハカセットなどのウェハ
支持部によって支持された半導体ウェハのウェハＩＤを
読み取る際に、ウェハ支持部から半導体ウェハを移動さ
せることなくそのままの状態でウェハＩＤを読み取るこ
とができる。

【００３３】すなわち、所定の処理を行う半導体ウェハ
を見つけ出す際に、ウェハカセットなどのウェハ支持部
から一度半導体ウェハを取り出して、ウェハＩＤを読み
取った後半導体ウェハをウェハ支持部に戻し、処理対象
となる半導体ウェハが見つかるまでこれを繰り返すとい
うこの繰り返し作業を行う必要がなくなる。

【００３４】その結果、ウェハ支持部によって支持され
た半導体ウェハのウェハＩＤの読み取り・認識を高速化
することができ、これにより、半導体ウェハに検査など
の処理を行う際には、その処理のスループットを向上さ
せることができる。

【００３５】なお、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、複数の前記ウェハＩＤからなる複数のウェ
ハＩＤ群を前記半導体ウェハの側面に分散させて形成す
るものである。

【００３６】また、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、前記ウェハＩＤとして、前記半導体ウェハ
の番号を表すウェハ番号ＩＤと、複数の前記ウェハＩＤ
からなる複数のウェハＩＤ群をそのウェハＩＤ群毎に区
切る区画ＩＤと、前記半導体ウェハの結晶方向を表す結
晶方向ＩＤとの３種類のウェハＩＤを設けるものであ
る。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００３８】図１は本発明によるウェハＩＤ読み取り装
置の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図２は
本発明のウェハＩＤ読み取り装置によって読み取るウェ
ハＩＤが形成された半導体ウェハの構造の実施の形態の
一例を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面
図、（ｃ）は拡大部分側面図、図３は本発明によるウェ
ハＩＤ読み取り装置の構造の実施の形態の一例を示す拡
大部分斜視図、図４は図２に示す半導体ウェハにウェハ
ＩＤを形成するＩＤ形成装置の構造の実施の形態の一例
を示す構成概念図、図５は図２に示す半導体ウェハにお
けるオリフラの形成方法の実施の形態の一例を示す斜視
図、図６は本発明によるウェハＩＤ読み取り装置が用い
られる半導体製造工程の実施の形態の一例を示すフロー
チャート、図７は本発明の半導体集積回路装置の製造方
法における欠陥データの実施の形態の一例を示す図であ
り、（ａ）は欠陥データ座標マップ、（ｂ）は欠陥デー
タ棒グラフである。

【００３９】なお、本実施の形態のウェハＩＤ読み取り
装置（図１および図３参照）は、図２に示すような半導
体ウェハ１の側面１ａに形成されたウェハＩＤをウェハ
カセット２（ウェハ支持部）に収容された状態のまま読
み取るものである。

【００４０】また、本実施の形態においては、前記ウェ
ハＩＤが回折格子によって表されている場合を説明す
る。

【００４１】前記ウェハＩＤ読み取り装置の構成は、半
導体ウェハ１の側面１ａにウェハＩＤが形成された半導
体ウェハ１を収容して支持するウェハ支持部であるウェ
ハカセット２と、ウェハカセット２に収容されかつ支持
された半導体ウェハ１をウェハカセット２から取り出さ
ず（移動させず）にそのウェハＩＤを読み取るＩＤ検出
部３と、ＩＤ検出部３の検出結果に基づいて検査などの
所定の処理を行う半導体ウェハ１を認識する認識部４
と、ウェハカセット２を支持するカセットエレベータ５
と、カセットエレベータ５を昇降させるエレベータ駆動
モータ６と、エレベータ駆動モータ６の駆動を制御する
制御部７とからなる。

【００４２】さらに、ＩＤ検出部３の基本構成は、前記
ウェハＩＤにレーザ光３ｄ（照明光）を照射する光源で
ある半導体レーザ３ａと、レーザ光３ｄを前記ウェハＩ
Ｄに照射して形成された反射光である回折光３ｅを検出
する番号ＩＤ検出器３ｂ（回折光検出手段）および区画
ＩＤ検出器３ｃ（回折光検出手段）とからなる。

【００４３】なお、半導体レーザ３ａは、発光ダイオー
ドなどであってもよい。

【００４４】また、本実施の形態においては、図２
（ｃ）に示すように、ウェハＩＤとして、半導体ウェハ
１の番号を表すウェハ番号ＩＤ１０と、複数の前記ウェ
ハＩＤからなる複数のウェハＩＤ群１２をそのウェハＩ
Ｄ群１２毎に区切る区画ＩＤ１１との２種類のウェハＩ
Ｄを設けた場合を説明する。

【００４５】ここで、ウェハ番号ＩＤ１０（ウェハＩ
Ｄ）は、半導体ウェハ１に付けられた「名前」のような
ものであり、例えば、その製品やロット番号などを表す
ものである。

【００４６】なお、ウェハ番号ＩＤ１０は、半導体ウェ
ハ１の側面１ａの全周に渡って複数個形成されている。

【００４７】また、区画ＩＤ１１（ウェハＩＤ）は、複
数のウェハ番号ＩＤ１０からなるウェハＩＤ群１２の最
前部もしくは最後部に形成されるものである。

【００４８】すなわち、ウェハＩＤ群１２は、ウェハ番
号ＩＤ１０と区画ＩＤ１１とから構成される。

【００４９】ここで、図２（ｃ）に示す半導体ウェハ１
においては、１つのウェハＩＤ群１２が１つの区画ＩＤ
１１と“１”を表す７つのウェハ番号ＩＤ１０および
“０”を表す６つのウェハ番号ＩＤ１０ａとから構成さ
れている。

【００５０】また、本実施の形態においては、複数のウ
ェハＩＤ群１２を半導体ウェハ１の側面１ａに分散させ
て形成している。

【００５１】すなわち、本実施の形態においては、図２
（ｂ）に示すように、１枚の半導体ウェハ１の側面１ａ
に対して１６個のウェハＩＤ群１２が分散されて形成さ
れている。

【００５２】なお、２種類の異なるウェハＩＤ（本実施
の形態においては、ウェハ番号ＩＤ１０と区画ＩＤ１
１）に対してはその種類毎に前記回折格子のピッチを変
えてウェハＩＤを形成している。

【００５３】つまり、本実施の形態においては、図２
（ｃ）に示すように、区画ＩＤ１１の回折格子の方がウ
ェハ番号ＩＤ１０の回折格子よりも狭いピッチで形成さ
れ、これにより、ウェハＩＤの種類分けを行っている。

【００５４】ここで、図４および図５を用いて、図２に
示す半導体ウェハ１の形成方法および半導体ウェハ１の
側面１ａへのウェハＩＤの形成方法について説明する。

【００５５】なお、本実施の形態においては、半導体ウ
ェハ１に図５に示すオリフラ１ｂが形成されない場合
（オリフラ１ｂの代わりとなる結晶方向ＩＤ１７（図９
参照）が形成されている）を説明するが、半導体ウェハ
１の形成方法としては、オリフラ１ｂを形成する場合も
含めて説明する。

【００５６】まず、図６に示す半導体製造工程におい
て、シリコン（Ｓｉ）の単結晶成長３０を行って、図５
（ａ）に示すようなシリコンのインゴット１ｃを形成す
る。

【００５７】ここで、図５（ａ）に示すように、シリコ
ン（Ｓｉ）のインゴット１ｃを図４に示すＩＤ形成装置
８の回転ステージ８ａ上に載置し、インゴット１ｃの表
面にＸ線９を照射する。

【００５８】これにより、Ｘ線回折を用いてシリコンの
結晶方向を調べる。

【００５９】なお、オリフラ１ｂを形成する場合は、イ
ンゴット１ｃの状態において所定方向に、かつ所定箇所
を切断して図５（ｂ）に示すようにオリフラ１ｂを形成
する。

【００６０】さらに、図５（ｃ）に示すインゴット１ｃ
において、図６に示す結晶切断３１を行い、その後、研
磨３２を行って１枚１枚のシリコンの半導体ウェハ１を
形成するウェハ形成３３を行う。

【００６１】続いて、図４に示すＩＤ形成装置８を用い
て半導体ウェハ１の側面１ａに所定の回折格子を形成す
る。

【００６２】なお、ＩＤ形成装置８は、例えば、ヤグ
（ＹＡＧ）レーザなどによって半導体ウェハ１の側面１
ａにレーザビーム８ｂを照射して前記回折格子を形成す
るものであるが、前記回折格子は、例えば、ダイヤモン
ド針などを用いて機械加工によって形成してもよい。ま
た、レーザビーム８ｂの代わりにイオンビームを用いて
もよい。

【００６３】ここで、ＩＤ形成装置８の構成について説
明すると、半導体ウェハ１を支持する回転ステージ８ａ
と、回転ステージ８ａを回転駆動させる回転ステージ駆
動モータ８ｃと、回転ステージ駆動モータ８ｃを昇降さ
せる回転ステージ昇降モータ８ｄと、レーザビーム８ｂ
を発するレーザビーム源を有するレーザビーム光学系８
ｅと、レーザビーム光学系８ｅ、回転ステージ駆動モー
タ８ｃおよび回転ステージ昇降モータ８ｄを制御する制
御部８ｆとからなる。

【００６４】まず、半導体ウェハ１を回転ステージ８ａ
に載置する。

【００６５】さらに、制御部８ｆによって、レーザビー
ム光学系８ｅのＯＮ／ＯＦＦ、および回転ステージ駆動
モータ８ｃと回転ステージ昇降モータ８ｄとの駆動制御
を行う。

【００６６】その後、制御部８ｆによって、レーザビー
ム光学系８ｅからレーザビーム８ｂを出射させ、半導体
ウェハ１の側面１ａの所定箇所に入射させる。

【００６７】この時、制御部８ｆによって、回転ステー
ジ８ａを回転もしくは昇降移動させるとともに、回折格
子の書き込み位置（形成位置）および回折格子のピッチ
を制御しながら半導体ウェハ１の側面１ａに回折格子を
書き込む（形成する）。

【００６８】ここで、半導体ウェハ１に書き込むウェハ
ＩＤである回折格子は、本実施の形態においては、ウェ
ハＩＤを英数字の“１”と“０”との情報に置き換え、
例えば、“１”を回折格子有り、“０”を回折格子無し
として半導体ウェハ１の側面１ａに書き込む（形成す
る）。

【００６９】続いて、図１〜図４を用いて、本実施の形
態における半導体ウェハ１の側面１ａに形成されたウェ
ハＩＤの読み取り原理について説明する。

【００７０】まず、ウェハＩＤは、例えば、半導体レー
ザ３ａのように指向性の高い光源によって照明される。

【００７１】ここで、半導体レーザ３ａから回折格子に
よって表されるウェハＩＤへの入射角をθinとすると、
１次の回折光３ｅの回折角θout は、 θout ＝ｓｉｎ^-1（λ／ｐ＋ｓｉｎθin）・・・（１）式によって求められる。ただし、ｐは回折格子ピッチ、λ
は半導体レーザ３ａの波長を示す。

【００７２】なお、回折光３ｅを検出する回折光検出手
段である番号ＩＤ検出器３ｂは、前記回折角θout の延
長線上で、かつ、ウェハＩＤを表す回折格子の並びの方
向（半導体ウェハ１の周方向）に対して複数個設置す
る。ここで、番号ＩＤ検出器３ｂ、区画ＩＤ検出器３ｃ
には、例えば、複数の画素で構成される１次元ＣＣＤ
（Charge Coupled Device)などを用いても良い。

【００７３】また、半導体レーザ３ａについても、ウェ
ハＩＤである回折格子の並びの方向（半導体ウェハ１の
周方向）に複数個の半導体レーザ３ａを配置させても良
いし、１つの半導体ウェハ１から出射したレーザ光３ｄ
を図３に示すような球面レンズ３ｆとシリンドリカルレ
ンズ３ｇとにより、半導体ウェハ１の周方向にスリット
状にして複数の回折格子からなるウェハＩＤに入射させ
ても良い。

【００７４】これにより、半導体ウェハ１の側面１ａに
おいて回折格子が形成された回折格子形成箇所１ｄ（図
２（ｃ）参照）に対応する番号ＩＤ検出器３ｂと区画Ｉ
Ｄ検出器３ｃとは、回折光３ｅを検出し、回折格子が形
成されていない回折格子非形成箇所１ｅ（図２（ｃ）参
照）に対応する番号ＩＤ検出器３ｂと区画ＩＤ検出器３
ｃとは、回折光３ｅを検出しない。

【００７５】さらに、認識部４は、番号ＩＤ検出器３ｂ
または区画ＩＤ検出器３ｃの検出する光強度に所定のし
きい値を設け、このしきい値を越えた光強度を検出した
場合には、回折格子有り、すなわち、“１”の情報とし
て認識し、それ以外の場合には“０”の情報として読み
取る。このように、複数の番号ＩＤ検出器３ｂまたは区
画ＩＤ検出器３ｃが検出する“１”または“０”情報の
並びによって認識部４はウェハＩＤを認識する。

【００７６】なお、複数のウェハＩＤ群１２において、
ウェハ番号ＩＤ１０の開始箇所は、区画ＩＤ１１を検出
することによって認識することができる。

【００７７】例えば、区画ＩＤ１１の回折格子のピッチ
がウェハ番号ＩＤ１０の回折格子のピッチよりも狭くな
るように、区画ＩＤ１１の回折格子の数をウェハ番号Ｉ
Ｄ１０の回折格子の数の整数倍でない１.5倍にすると、
（１）式により回折角θoutも約１.5倍となるので、こ
の回折角θout の延長線上に区画ＩＤ検出器３ｃを配置
し、認識部４によって光強度がしきい値を越えたか否か
を判定することにより、ウェハ番号ＩＤ１０の開始箇所
であるか否かの認識を行うことができる。

【００７８】また、ウェハＩＤ群１２を半導体ウェハ１
の外周３６０度に、例えば、２２.5度間隔で複数個（１
６個）形成しておく（図２（ｂ）参照）ことにより、半
導体ウェハ１をウェハカセット２に収容した状態のまま
で、半導体ウェハ１を回転させなくても少なくとも１つ
のウェハＩＤ群１２がウェハカセット２の搬入出口２ａ
に現れるようにすることができる。

【００７９】これにより、半導体ウェハ１をウェハカセ
ット２に収容したままでウェハＩＤを認識することがで
きる。

【００８０】次に、図１〜図７を用いて、本実施の形態
による半導体集積回路装置の製造方法について説明す
る。

【００８１】なお、前記半導体集積回路装置の製造方法
は、図２（ａ）に示す半導体ウェハ１に図６に示すよう
な種々の処理（工程）、例えば、膜形成３４、イオン注
入３５、露光３６、エッチング３７およびウェハ検査３
９を繰り返して行って形成した半導体集積回路装置１３
（図７参照）の製造方法であり、前記ウェハＩＤ読み取
り装置を用いるものである。

【００８２】ここで、本実施の形態においては、図６に
示す半導体製造工程の主要工程の中で、ウェハ検査３９
において前記ウェハＩＤ読み取り装置を用いる場合につ
いて説明する。

【００８３】まず、図４に示すＩＤ形成装置８を用い
て、図２に示すように、半導体ウェハ１の側面１ａ全周
に回折格子からなるウェハ番号ＩＤ１０（ウェハＩＤ）
や区画ＩＤ１１（ウェハＩＤ）を形成する。

【００８４】なお、本実施の形態においては、半導体ウ
ェハ１の外周を、例えば、２２.5度で分割し、複数のウ
ェハ番号ＩＤ１０と１つの区画ＩＤ１１とからなる１６
個のウェハＩＤ群１２を形成する。

【００８５】その結果、半導体ウェハ１の側面１ａは、
回折格子形成箇所１ｄと回折格子非形成箇所１ｅとに分
けられる。

【００８６】ここで、図２に示すようなウェハ番号ＩＤ
１０や区画ＩＤ１１などのウェハＩＤが形成された回折
格子形成箇所１ｄは、例えば、“１”の情報を表し、ウ
ェハＩＤが形成されていない回折格子非形成箇所１ｅ
は、“０”の情報を表す。

【００８７】その後、種々の工程を経て、ウェハ検査３
９を行う。

【００８８】ここで、側面１ａにウェハ番号ＩＤ１０お
よび区画ＩＤ１１が形成された複数の半導体ウェハ１を
ウェハ支持部であるウェハカセット２によって支持する
（ウェハカセット２に収容する）。

【００８９】つまり、図１に示すウェハＩＤ読み取り装
置において、側面１ａに回折格子からなるウェハＩＤ群
１２が形成された半導体ウェハ１を収容したウェハカセ
ット２をカセットエレベータ５に載置する。

【００９０】続いて、制御部７によってエレベータ駆動
モータ６を駆動させ、各々の半導体ウェハ１の側面１ａ
が半導体レーザ３ａからのレーザ光３ｄによって照射さ
れるような位置にカセットエレベータ５を昇降させる。

【００９１】その後、ウェハ支持部であるウェハカセッ
ト２に収容されて支持された各々の半導体ウェハ１をウ
ェハカセット２から取り出さず（移動させず）にそのウ
ェハＩＤを読み取る。

【００９２】すなわち、ウェハＩＤ読み取り装置のＩＤ
検出部３における半導体レーザ３ａから半導体ウェハ１
の側面１ａに対してレーザ光３ｄを照射してウェハＩＤ
群１２におけるウェハ番号ＩＤ１０と区画ＩＤ１１とを
読み取る。

【００９３】なお、半導体ウェハ１の外周に対して、ウ
ェハＩＤ群１２が２２.5度おきに形成されているため、
少なくとも１つのウェハＩＤ群１２は、ウェハカセット
２の搬入出口２ａにおいてレーザ光３ｄによって照明さ
れる。

【００９４】したがって、半導体ウェハ１がウェハカセ
ット２内でどのような向きで収容されていても、半導体
ウェハ１を回転させることなく、すなわち、半導体ウェ
ハ１をウェハカセット２内に搭載したままの状態でレー
ザ光３ｄをウェハＩＤ群１２に照射できる。

【００９５】ここで、レーザ光３ｄは、ウェハＩＤ群１
２を構成するウェハ番号ＩＤ１０または区画ＩＤ１１に
角度θinで入射すると、（１）式によって回折角θout
で回折する。

【００９６】すなわち、図３に示すように、半導体レー
ザ３ａから出射したレーザ光３ｄは球面レンズ３ｆによ
って平行光束３ｈに変換され、さらに、シリンドリカル
レンズ３ｇによりスリット状に絞られたレーザ光３ｄ
は、複数のウェハ番号ＩＤ１０や区画ＩＤ１１などのウ
ェハＩＤを同時に照明する。

【００９７】なお、半導体レーザ３ａは、半導体ウェハ
１の外周全体に渡って複数個設けられていてもよい。

【００９８】また、区画ＩＤ１１の回折格子のピッチｐ
ｉがウェハ番号ＩＤ１０の回折格子のピッチｐよりも狭
くなるように、区画ＩＤ１１の回折格子の数をウェハ番
号ＩＤ１０の回折格子の数の整数倍でない１.5倍もしく
は２.5倍にする。

【００９９】この時の回折角θoutiは、 θouti＝ｓｉｎ^-1（λ／ｐｉ＋ｓｉｎθin）・・・（２）式によって求められる。ただし、ｐｉは区画ＩＤ１１の回
折格子のピッチ、λは半導体レーザ３ａの波長を示す。

【０１００】つまり、この回折角θoutiの方向に区画Ｉ
Ｄ検出器３ｃを設置しておく。

【０１０１】なお、区画ＩＤ１１の回折格子のピッチｐ
ｉをウェハ番号ＩＤ１０の回折格子のピッチｐの整数倍
とすると、ウェハ番号ＩＤ１０の回折格子によって発生
する２次以上の高次の回折角θout の角度が区画ＩＤ１
１の回折格子によって発生する回折角θoutiとほぼ等し
くなるため、区画ＩＤ検出器３ｃにおいて、区画ＩＤ１
１の回折格子とウェハ番号ＩＤ１０の回折格子との判別
が難しくなる。

【０１０２】したがって、区画ＩＤ１１の回折格子のピ
ッチｐｉをウェハ番号ＩＤ１０の回折格子のピッチｐの
整数倍でない、例えば、１.5倍もしくは２.5倍とする。

【０１０３】その後、区画ＩＤ検出器３ｃおよび番号Ｉ
Ｄ検出器３ｂによって検出した光強度を認識部４に送
る。

【０１０４】さらに、認識部４においては、検出値と予
め設定したしきい値とを比較し、前記検出値がしきい値
を越えた場合には、回折格子有り、すなわち“１”の情
報として認識し、ウェハ番号ＩＤ１０である場合には半
導体ウェハ１の番号を読み取り、また、区画ＩＤ１１で
ある場合には、ウェハ番号ＩＤ１０の開始を読み取る。

【０１０５】これにより、認識部４において、区画ＩＤ
検出器３ｃおよび番号ＩＤ検出器３ｂによって検出した
半導体ウェハ１が、所定の検査を行うべき半導体ウェハ
１であるか否かを認識する。

【０１０６】さらに、検査対象であると認識した半導体
ウェハ１については、前記所定の検査を行う。

【０１０７】なお、認識した各半導体ウェハ１における
ウェハＩＤの情報は、図１に示す半導体検査装置１４に
送る。

【０１０８】これにより、半導体検査装置１４によっ
て、半導体製造における各工程での半導体ウェハ１の外
観検査や異物の有無などの検査を行う。

【０１０９】さらに、半導体検査装置１４による検査結
果、例えば、図７（ａ）に示す欠陥１６の数、欠陥１６
の位置情報などを半導体ウェハ１のウェハＩＤの情報と
ともに図１に示す解析装置１５に転送する。

【０１１０】なお、解析装置１５においては、ウェハＩ
Ｄによって同一の半導体ウェハ１における所定の工程Ａ
の欠陥座標データ１５ａと所定の工程Ｂの欠陥座標デー
タ１５ｂとを検索し（ここでは、工程Ｂが工程Ａの後の
工程）、各工程間において欠陥座標が所定の許容範囲内
で一致する欠陥１６を求め、さらに、それらの欠陥１６
を削除することにより、工程Ｂで新たに発生した欠陥１
６の欠陥座標データ１５ｃを求める。

【０１１１】この処理によって、解析装置１５は、工程
Ｂで新たに発生した欠陥１６の欠陥座標データ１５ｃを
示すマップ、および各工程で新たに発生した欠陥１６の
数と前工程における欠陥１６の数との内訳を示す棒グラ
フ１５ｄ（図７（ｂ）参照）などを表示する。

【０１１２】その結果、半導体製造に携わる作業者は、
これらの表示を見て、迅速に欠陥１６の多い工程を特定
し、各プロセスに対してフィードバックを行う。

【０１１３】本実施の形態のウェハＩＤ読み取り装置お
よびそれを用いる半導体集積回路装置の製造方法によれ
ば、以下のような作用効果が得られる。

【０１１４】すなわち、半導体ウェハ１の側面１ａにウ
ェハＩＤであるウェハ番号ＩＤ１０および区画ＩＤ１１
を形成することにより、ウェハカセット２によって収容
かつ支持された半導体ウェハ１のウェハＩＤを読み取る
際に、ウェハカセット２から半導体ウェハ１を取り出す
（移動させる）ことなくそのままの状態でウェハＩＤを
読み取ることができる。

【０１１５】つまり、処理を行うべき半導体ウェハ１を
見つけ出す際に、ウェハカセット２から一度半導体ウェ
ハ１を取り出してウェハＩＤを読み取った後半導体ウェ
ハ１をウェハカセット２に戻し、処理対象となる半導体
ウェハ１が見つかるまでこれを繰り返すというこの繰り
返し作業を行う必要がなくなる。

【０１１６】その結果、ウェハカセット２に収容かつ支
持された半導体ウェハ１のウェハＩＤの読み取り・認識
を高速化することができ、これにより、半導体ウェハ１
に検査を行う際には、その検査のスループットを向上さ
せることができる。

【０１１７】また、複数のウェハ番号ＩＤ１０と１つの
区画ＩＤ１１とからなる複数のウェハＩＤ群１２を半導
体ウェハ１の側面１ａに分散（例えば、２２.5度おき）
させて形成することにより、ウェハＩＤを半導体ウェハ
１の外周部のどの位置からでも読み取ることができる。

【０１１８】したがって、ウェハカセット２から半導体
ウェハ１を取り出さないだけでなく、ウェハカセット２
の方向を変える（例えば、回転させる）必要もないた
め、半導体ウェハ１のウェハＩＤの読み取り・認識を高
速化することができる。

【０１１９】さらに、ウェハＩＤが半導体ウェハ１の側
面１ａに形成されているため、半導体ウェハ１が膜形成
３４やエッチング３７などの処理を経ても、下地の変化
に無関係に半導体ウェハ１の側面１ａに形成されたウェ
ハＩＤを検出することができる。

【０１２０】これにより、半導体ウェハ１に対しての処
理が進行してもウェハＩＤのコントラストは変化しない
ため、ウェハＩＤの誤認識を防止できる。

【０１２１】その結果、ウェハＩＤの認識を高精度に行
うことができる。

【０１２２】なお、ウェハＩＤ読み取り装置が、ウェハ
カセット２に収容かつ支持された半導体ウェハ１の側面
１ａのウェハＩＤを検出するＩＤ検出部３を有すること
により、半導体ウェハ１を撮像カメラによってウェハＩ
Ｄが確認可能な位置まで移動させるための機構やそれを
駆動させる駆動制御部が不要となり、前記ウェハＩＤ読
み取り装置の構造を簡略化することができる。

【０１２３】これにより、前記ウェハＩＤ読み取り装置
を小形化することが可能になる。

【０１２４】その結果、前記ウェハＩＤ読み取り装置に
かかる装置コストおよび装置床面積の増大を防ぐことが
できる。

【０１２５】さらに、ウェハＩＤを回折格子によって表
し、種類の異なるウェハＩＤに対してはその種類毎に回
折格子のピッチを変えることにより、複数種類のウェハ
ＩＤを比較的容易に形成することができる。

【０１２６】また、半導体ウェハ１の側面１ａにレーザ
ビーム８ｂを照射して回折格子を形成することにより、
半導体ウェハ１の側面１ａであっても、迅速にウェハＩ
Ｄを形成することができる。

【０１２７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【０１２８】例えば、前記実施の形態においては、半導
体ウェハ１の側面１ａに形成されるウェハＩＤの種類が
２種類の場合について説明したが、ウェハＩＤの種類数
は２種類以外であってもよい。

【０１２９】ここで、図８および図９に示す他の実施の
形態のウェハＩＤ読み取り装置は、３種類のウェハＩＤ
が形成された場合のウェハＩＤを読み取るものである。

【０１３０】なお、図９に示す半導体ウェハ１には、そ
のウェハＩＤとして、半導体ウェハ１の番号を表すウェ
ハ番号ＩＤ１０と、複数の前記ウェハＩＤからなる複数
のウェハＩＤ群１２をそのウェハＩＤ群１２毎に区切る
区画ＩＤ１１と、半導体ウェハ１の結晶方向を表す結晶
方向ＩＤ１７との３種類のウェハＩＤを設けており、結
晶方向ＩＤ１７は、オリフラ１ｂ（図５参照）の代わり
となるものである。

【０１３１】つまり、前記実施の形態で説明して半導体
ウェハ１（図２（ａ）〜（ｃ）参照）においても、その
結晶方向を表す結晶方向ＩＤ１７を形成しておくことに
より、オリフラ１ｂを形成しなくて済む。

【０１３２】また、結晶方向ＩＤ１７は、オリフラ１ｂ
の代わりとなるものであるため、１枚の半導体ウェハ１
の側面１ａに対して１つだけ形成されている。

【０１３３】ここで、図８および図９を用いて、結晶方
向ＩＤ１７の認識方法について説明する。

【０１３４】なお、結晶方向ＩＤ１７を認識する際に
は、図８に示すウェハＩＤ読み取り装置を用いてその認
識を行う。

【０１３５】まず、シリコンからなる半導体ウェハ１の
側面１ａの結晶方向に対応する箇所に、ウェハ番号ＩＤ
１０および区画ＩＤ１１の回折格子とは異なるピッチ、
例えば２.5倍のピッチで、結晶方向ＩＤ１７の回折格子
を形成する。

【０１３６】さらに、ウェハ支持部である回転テーブル
１８上に、側面１ａにウェハ番号ＩＤ１０と区画ＩＤ１
１と結晶方向ＩＤ１７とが形成された半導体ウェハ１を
載置する。

【０１３７】続いて、前記実施の形態で説明した（１）
式によって求められるこのピッチに対応する回折角θou
t の方向に結晶方向ＩＤ検出器３ｉを配置する。

【０１３８】その後、回転テーブル１８を制御部７によ
って回転させるとともに、半導体レーザ３ａからレーザ
光３ｄを出射させる。レーザ光３ｄはコリメータレンズ
３ｊによって平行光束３ｈに変換され、さらに、集光レ
ンズ３ｋによりスポット状に絞られてウェハＩＤである
結晶方向ＩＤ１７の回折格子を照射する。

【０１３９】なお、回転テーブル１８は、回転テーブル
駆動モータ１９の駆動によって回転する。ここで、結晶
方向ＩＤ１７の回折格子がレーザ光３ｄを通過すると
き、回折光３ｅが発生し、結晶方向ＩＤ検出器３ｉがこ
の回折光３ｅを検出する。

【０１４０】さらに、認識部４は、例えば、回転テーブ
ル１８の原点からの結晶方向の角度を測定し、この角度
から露光装置２１などの半導体製造装置のステージ（支
持台）上に半導体ウェハ１を載置する際の角度を決定す
る。

【０１４１】ここで、制御部７は、その角度となるよう
搬送アーム２０を制御し、露光装置２１の前記ステージ
に半導体ウェハ１を搬送する。

【０１４２】また、結晶方向ＩＤ１７の検出に際して
は、必ずしも回転テーブル１８を備えたウェハＩＤ読み
取り装置である必要はなく、回転テーブル１８の周囲に
多数の結晶方向ＩＤ検出器３ｉと多数の半導体レーザ３
ａとを設置すれば、回転テーブル１８を回転させること
なく、かつ、ウェハ支持部である回転テーブル１８から
半導体ウェハ１を移動させずに結晶方向ＩＤ１７を認識
することもできる。

【０１４３】さらに、前記実施の形態で説明したウェハ
ＩＤ読み取り装置（図１参照）を用いて結晶方向ＩＤ１
７を読み取ることも可能である。

【０１４４】ここで、図８に示すウェハＩＤ読み取り装
置は、結晶方向を検出する必要がある半導体製造装置
（例えば、露光装置２１など）に組み込まれていてもよ
い。

【０１４５】なお、図９に示すように、半導体ウェハ１
にウェハＩＤとして、結晶方向を表す結晶方向ＩＤ１７
を設けることにより、オリフラ１ｂ（図５参照）を設け
る必要がなくなるため、半導体ウェハ１の表面全体に渡
って絶縁膜や配線膜の膜厚を均一に形成することができ
る。

【０１４６】その結果、半導体集積回路装置１３（図７
参照）を構成する半導体チップを形成した際に不良にな
る確率を低くすることができ、前記半導体チップの歩留
りを向上させることができる。

【０１４７】また、前記実施の形態においては、半導体
ウェハ１に行う所定の処理としてウェハ検査３９の場合
について説明したが、前記処理は、検査に限定されるこ
とはなく、露光３６などの他の処理であってもよい。

【０１４８】その場合の半導体集積回路装置１３の製造
方法は、半導体ウェハ１の側面１ａにウェハＩＤを形成
する工程、側面１ａにウェハＩＤが形成された半導体ウ
ェハ１の前記ウェハＩＤを読み取る工程、前記ウェハＩ
Ｄを読み取ることにより、所定の処理を行う半導体ウェ
ハ１を認識する工程を含むものである。

【０１４９】また、前記実施の形態で説明したウェハＩ
Ｄ読み取り装置は、ウェハカセット２（図１参照）に、
複数個の回折光検出手段と複数の光源とを設けたもので
あってもよい。

【０１５０】これによれば、図１に示したカセットエレ
ベータ５、エレベータ駆動モータ６および制御部７など
を取り除くことができ、前記ウェハＩＤ読み取り装置の
構造を簡略化することができる。

【０１５１】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、ウェハＩＤが回折格子によって表さ
れている場合を説明したが、前記ウェハＩＤは回折格子
に限らず、バーコードなどによって表されていてもよ
い。

【０１５２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０１５３】（１）．半導体ウェハの側面にウェハＩＤ
を形成することにより、ウェハ支持部によって支持され
た半導体ウェハのウェハＩＤを読み取る際に、ウェハ支
持部から半導体ウェハを移動させることなくそのままの
状態でウェハＩＤを読み取ることができる。これによ
り、ウェハ支持部によって支持された半導体ウェハのウ
ェハＩＤの読み取り・認識を高速化でき、その結果、半
導体ウェハに検査などの処理を行う際には、その処理の
スループットを向上させることができる。

【０１５４】（２）．複数のウェハＩＤ群を半導体ウェ
ハの側面に分散させて形成することにより、ウェハＩＤ
を半導体ウェハの外周部のどの位置からでも読み取るこ
とができる。したがって、ウェハ支持部から半導体ウェ
ハを取り出さないだけでなく、ウェハ支持部を回転させ
る必要もないため、半導体ウェハのウェハＩＤの読み取
り・認識を高速化することができる。

【０１５５】（３）．ウェハＩＤが半導体ウェハの側面
に形成されているため、半導体ウェハが成膜やエッチン
グなどの処理を経ても、下地の変化に無関係に半導体ウ
ェハの側面に形成されたウェハＩＤを検出することがで
きる。これにより、半導体ウェハに対しての処理が進行
してもウェハＩＤのコントラストは変化しないため、ウ
ェハＩＤの誤認識を防止できる。その結果、ウェハＩＤ
の認識を高精度に行うことができる。

【０１５６】（４）．ウェハＩＤ読み取り装置が、ウェ
ハ支持部によって支持された半導体ウェハの側面のウェ
ハＩＤを検出するＩＤ検出部を有することにより、半導
体ウェハを撮像カメラによってウェハＩＤが確認可能な
位置まで移動させるための機構や駆動制御部が不要とな
り、ウェハＩＤ読み取り装置の構造を簡略化することが
できる。これにより、ウェハＩＤ読み取り装置を小形化
することが可能になる。その結果、ウェハＩＤ読み取り
装置にかかる装置コストおよび装置床面積の増大を防ぐ
ことができる。

【０１５７】（５）．ウェハＩＤとして、半導体ウェハ
の結晶方向を表す結晶方向ＩＤを設けることにより、オ
リフラを設ける必要がなくなるため、半導体ウェハの表
面全体に渡って絶縁膜や配線膜の膜厚を均一に形成する
ことができる。その結果、半導体チップを形成した際に
不良になる確率を低くすることができ、半導体チップの
歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるウェハＩＤ読み取り装置の構造の
実施の形態の一例を示す構成概念図である。

【図２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は、本発明のウェハＩＤ読
み取り装置によって読み取るウェハＩＤが形成された半
導体ウェハの構造の実施の形態の一例を示す図であり、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は拡大部分側
面図である。

【図３】本発明によるウェハＩＤ読み取り装置の構造の
実施の形態の一例を示す拡大部分斜視図である。

【図４】図２に示す半導体ウェハにウェハＩＤを形成す
るＩＤ形成装置の構造の実施の形態の一例を示す構成概
念図である。

【図５】（ａ),（ｂ),（ｃ）は、図２に示す半導体ウェ
ハにおけるオリフラの形成方法の実施の形態の一例を示
す斜視図である。

【図６】本発明によるウェハＩＤ読み取り装置が用いら
れる半導体製造工程の実施の形態の一例を示すフローチ
ャートである。

【図７】（ａ),（ｂ）は、本発明の半導体集積回路装置
の製造方法における欠陥データの実施の形態の一例を示
す図であり、（ａ）は欠陥データ座標マップ、（ｂ）は
欠陥データ棒グラフである。

【図８】本発明の他の実施の形態であるウェハＩＤ読み
取り装置の構造を示す構成概念図である。

【図９】本発明の他の実施の形態であるウェハＩＤ読み
取り装置の構造を示す拡大部分斜視図である。

【符号の説明】

１半導体ウェハ１ａ側面１ｂオリフラ１ｃインゴット１ｄ回折格子形成箇所１ｅ回折格子非形成箇所２ウェハカセット（ウェハ支持部）２ａ搬入出口３ＩＤ検出部３ａ半導体レーザ（光源）３ｂ番号ＩＤ検出器（回折光検出手段）３ｃ区画ＩＤ検出器（回折光検出手段）３ｄレーザ光（照明光）３ｅ回折光３ｆ球面レンズ３ｇシリンドリカルレンズ３ｈ平行光束３ｉ結晶方向ＩＤ検出器（回折光検出手段）３ｊコリメータレンズ３ｋ集光レンズ４認識部５カセットエレベータ６エレベータ駆動モータ７制御部８ＩＤ形成装置８ａ回転ステージ８ｂレーザビーム８ｃ回転ステージ駆動モータ８ｄ回転ステージ昇降モータ８ｅレーザビーム光学系８ｆ制御部９Ｘ線１０ウェハ番号ＩＤ（ウェハＩＤ）１０ａウェハ番号ＩＤ（ウェハＩＤ）１１区画ＩＤ（ウェハＩＤ）１２ウェハＩＤ群１３半導体集積回路装置１４半導体検査装置１５解析装置１５ａ欠陥座標データ１５ｂ欠陥座標データ１５ｃ欠陥座標データ１５ｄ棒グラフ１６欠陥１７結晶方向ＩＤ（ウェハＩＤ）１８回転テーブル（ウェハ支持部）１９回転テーブル駆動モータ２０搬送アーム２１露光装置（半導体製造装置）３０単結晶成長３１結晶切断３２研磨３３ウェハ形成３４膜形成３５イオン注入３６露光３７エッチング３９ウェハ検査

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウェハの側面にウェハＩＤが形成
された前記半導体ウェハを支持するウェハ支持部と、前記ウェハ支持部によって支持された半導体ウェハを前
記ウェハ支持部から移動させずにそのウェハＩＤを読み
取るＩＤ検出部と、前記ＩＤ検出部の検出結果に基づいて検査などの所定の
処理が行われる半導体ウェハを認識する認識部とを有す
ることを特徴とするウェハＩＤ読み取り装置。
【請求項２】請求項１記載のウェハＩＤ読み取り装置
であって、前記ウェハＩＤが回折格子によって表され、
かつ、前記ＩＤ検出部は、前記ウェハＩＤに照明光を照
射する光源と、前記照明光を前記ウェハＩＤに照射して
形成された反射光である回折光を検出する回折光検出手
段とを有することを特徴とするウェハＩＤ読み取り装
置。
【請求項３】請求項１または２記載のウェハＩＤ読み
取り装置を用いる半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、半導体ウェハの側面にウェハＩＤを形成する工程、側面にウェハＩＤが形成された半導体ウェハの前記ウェ
ハＩＤを読み取る工程、前記ウェハＩＤを読み取ることにより、所定の処理を行
う半導体ウェハを認識する工程、を含むことを特徴とす
る半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】請求項１または２記載のウェハＩＤ読み
取り装置を用いる半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、半導体ウェハの側面にウェハＩＤを形成する工程、側面にウェハＩＤが形成された半導体ウェハをウェハ支
持部によって支持する工程、前記ウェハ支持部によって支持された半導体ウェハを前
記ウェハ支持部から移動させずにそのウェハＩＤを読み
取る工程、前記ウェハＩＤを読み取ることにより、所定の検査を行
う半導体ウェハを認識する工程、検査対象であると認識した半導体ウェハに前記所定の検
査を行う工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
【請求項５】請求項３または４記載の半導体集積回路
装置の製造方法であって、複数の前記ウェハＩＤからな
る複数のウェハＩＤ群を前記半導体ウェハの側面に分散
させて形成することを特徴とする半導体集積回路装置の
製造方法。
【請求項６】請求項３，４または５記載の半導体集積
回路装置の製造方法であって、前記ウェハＩＤとして、
前記半導体ウェハの番号を表すウェハ番号ＩＤと、複数
の前記ウェハＩＤからなる複数のウェハＩＤ群をそのウ
ェハＩＤ群毎に区切る区画ＩＤとの２種類のウェハＩＤ
を設けることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【請求項７】請求項３，４，５または６記載の半導体
集積回路装置の製造方法であって、前記ウェハＩＤとし
て、前記半導体ウェハの番号を表すウェハ番号ＩＤと、
複数の前記ウェハＩＤからなる複数のウェハＩＤ群をそ
のウェハＩＤ群毎に区切る区画ＩＤと、前記半導体ウェ
ハの結晶方向を表す結晶方向ＩＤとの３種類のウェハＩ
Ｄを設けることを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。
【請求項８】請求項３，４，５，６または７記載の半
導体集積回路装置の製造方法であって、前記ウェハＩＤ
を回折格子によって表し、種類の異なるウェハＩＤに対
してはその種類毎に前記回折格子のピッチを変えてウェ
ハＩＤを形成することを特徴とする半導体集積回路装置
の製造方法。
【請求項９】請求項３，４，５，６，７または８記載
の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記ウェハ
ＩＤを回折格子によって表し、前記半導体ウェハの側面
にレーザビームを照射して前記回折格子を形成すること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。