JPH1056301A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチInfo
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- JPH1056301A JPH1056301A JP8210039A JP21003996A JPH1056301A JP H1056301 A JPH1056301 A JP H1056301A JP 8210039 A JP8210039 A JP 8210039A JP 21003996 A JP21003996 A JP 21003996A JP H1056301 A JPH1056301 A JP H1056301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 送受信時の挿入損失を低減できる高周波スイ
ッチを提供する。 【解決手段】 高周波スイッチ１０は、アンテナＡＮ
Ｔ、送信回路Ｔｘ及び受信回路Ｒｘに接続される。送信
回路Ｔｘは、コンデンサ１１ａを介して第１のダイオー
ド１２のアノードに接続される。また、第１のダイオー
ド１２のアノードは、チョークコイル１３及びコンデン
サ１１ｂを介して接地される。さらに、チョークコイル
１３とコンデンサ１１ｂとの間には、抵抗１４を介して
制御端子１５が接続される。また、第１のダイオード１
２のカソードは、コンデンサ１１ｃを介して、アンテナ
ＡＮＴに接続される。さらに、アンテナＡＮＴは、マイ
クロストリップライン１６及びコンデンサ１１ｄを介し
て、受信回路Ｒｘに接続される。また、マイクロストリ
ップライン１６とコンデンサ１１ｄとの間は、第２のダ
イオード１７を介して接地される。
ッチを提供する。 【解決手段】 高周波スイッチ１０は、アンテナＡＮ
Ｔ、送信回路Ｔｘ及び受信回路Ｒｘに接続される。送信
回路Ｔｘは、コンデンサ１１ａを介して第１のダイオー
ド１２のアノードに接続される。また、第１のダイオー
ド１２のアノードは、チョークコイル１３及びコンデン
サ１１ｂを介して接地される。さらに、チョークコイル
１３とコンデンサ１１ｂとの間には、抵抗１４を介して
制御端子１５が接続される。また、第１のダイオード１
２のカソードは、コンデンサ１１ｃを介して、アンテナ
ＡＮＴに接続される。さらに、アンテナＡＮＴは、マイ
クロストリップライン１６及びコンデンサ１１ｄを介し
て、受信回路Ｒｘに接続される。また、マイクロストリ
ップライン１６とコンデンサ１１ｄとの間は、第２のダ
イオード１７を介して接地される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波スイッチに
関し、特にデジタル携帯電話などの高周波回路において
信号の経路の切り換えを行うための高周波スイッチに関
する。
関し、特にデジタル携帯電話などの高周波回路において
信号の経路の切り換えを行うための高周波スイッチに関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高周波スイッチ１は、図３に示
すように、デジタル携帯電話などにおいて、送信回路Ｔ
ｘとアンテナＡＮＴとの接続及び受信回路Ｒｘとアンテ
ナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられもので、
図４に示すように、アンテナＡＮＴ、送信回路Ｔｘ及び
受信回路Ｒｘに接続される。そして、送信回路Ｔｘに
は、コンデンサ２ａを介して第１のダイオード３のアノ
ードが接続される。また、第１のダイオード３のアノー
ドは、第１の位相器、例えば第１のストリップライン４
及びコンデンサ２ｂの直列回路を介して接地される。さ
らに、第１のストリップライン４とコンデンサ２ｂとの
間には、抵抗５を介して、制御端子６が接続される。ま
た、制御端子６には、高周波スイッチ１の切り換えを行
うための制御回路（図示せず）が接続される。さらに、
第１のダイオード３のカソードは、コンデンサ２ｃを介
して、アンテナＡＮＴに接続される。
すように、デジタル携帯電話などにおいて、送信回路Ｔ
ｘとアンテナＡＮＴとの接続及び受信回路Ｒｘとアンテ
ナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられもので、
図４に示すように、アンテナＡＮＴ、送信回路Ｔｘ及び
受信回路Ｒｘに接続される。そして、送信回路Ｔｘに
は、コンデンサ２ａを介して第１のダイオード３のアノ
ードが接続される。また、第１のダイオード３のアノー
ドは、第１の位相器、例えば第１のストリップライン４
及びコンデンサ２ｂの直列回路を介して接地される。さ
らに、第１のストリップライン４とコンデンサ２ｂとの
間には、抵抗５を介して、制御端子６が接続される。ま
た、制御端子６には、高周波スイッチ１の切り換えを行
うための制御回路（図示せず）が接続される。さらに、
第１のダイオード３のカソードは、コンデンサ２ｃを介
して、アンテナＡＮＴに接続される。
【０００３】アンテナＡＮＴに接続されたコンデンサ２
ｃには、第２の位相器、例えば第２のストリップライン
７及びコンデンサ２ｄの直列回路を介して、受信回路Ｒ
ｘが接続される。また、第２のストリップライン７とコ
ンデンサ２ｄとの間には、第２のダイオード８のアノー
ドが接続される。さらに、第２のダイオード８のカソー
ドは接地される。
ｃには、第２の位相器、例えば第２のストリップライン
７及びコンデンサ２ｄの直列回路を介して、受信回路Ｒ
ｘが接続される。また、第２のストリップライン７とコ
ンデンサ２ｄとの間には、第２のダイオード８のアノー
ドが接続される。さらに、第２のダイオード８のカソー
ドは接地される。
【０００４】この高周波スイッチ１を用いて送信する場
合、制御端子６に正の電圧が与えられる。この電圧によ
って、第１のダイオード３及び第２のダイオード８がオ
ンとなる。このとき、コンデンサ２ａ〜２ｄによって直
流分がカットされ、第１及び第２のダイオード３、８を
含む回路にのみ制御端子６に加えられた電圧が印加され
るようにしている。第１及び第２のダイオード３、８が
オンとなることにより、送信回路Ｔｘからの信号がアン
テナＡＮＴに送られ、信号がアンテナＡＮＴから送信さ
れる。なお、第１及び第２のストリップライン４、７の
線路長は、送信回路Ｔｘからの送信信号の波長をλとし
たとき、λ／４になるように設定されるため、第２のス
トリップライン７が第２のダイオード８により接地され
ることにより共振する。従って、アンテナＡＮＴと第２
のストリップライン７との接続点からみた受信回路Ｒｘ
側のインピーダンスは無限大になるため、送信回路Ｔｘ
からの送信信号は、受信回路Ｒｘには伝達されない。ま
た、受信時には、制御端子６に電圧を印加しないことに
よって、第１及び第２のダイオード３、８がオフとな
る。従って、受信信号は受信回路Ｒｘに伝達され、送信
回路Ｔｘ側には伝達されない。このように、制御端子６
に印加される電圧を制御することによって、送受信を切
り換えることができる。
合、制御端子６に正の電圧が与えられる。この電圧によ
って、第１のダイオード３及び第２のダイオード８がオ
ンとなる。このとき、コンデンサ２ａ〜２ｄによって直
流分がカットされ、第１及び第２のダイオード３、８を
含む回路にのみ制御端子６に加えられた電圧が印加され
るようにしている。第１及び第２のダイオード３、８が
オンとなることにより、送信回路Ｔｘからの信号がアン
テナＡＮＴに送られ、信号がアンテナＡＮＴから送信さ
れる。なお、第１及び第２のストリップライン４、７の
線路長は、送信回路Ｔｘからの送信信号の波長をλとし
たとき、λ／４になるように設定されるため、第２のス
トリップライン７が第２のダイオード８により接地され
ることにより共振する。従って、アンテナＡＮＴと第２
のストリップライン７との接続点からみた受信回路Ｒｘ
側のインピーダンスは無限大になるため、送信回路Ｔｘ
からの送信信号は、受信回路Ｒｘには伝達されない。ま
た、受信時には、制御端子６に電圧を印加しないことに
よって、第１及び第２のダイオード３、８がオフとな
る。従って、受信信号は受信回路Ｒｘに伝達され、送信
回路Ｔｘ側には伝達されない。このように、制御端子６
に印加される電圧を制御することによって、送受信を切
り換えることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の高周波スイッチにおいては、小形化を図るためには第
２のストリップラインを細くする必要がある。しかしな
がら、第２のストリップラインの伝送損失が、受信時の
挿入損失を悪化させるという問題点がある。
の高周波スイッチにおいては、小形化を図るためには第
２のストリップラインを細くする必要がある。しかしな
がら、第２のストリップラインの伝送損失が、受信時の
挿入損失を悪化させるという問題点がある。
【０００６】また、第１のストリップラインのインピー
ダンス値と第２のストリップラインのインピーダンス値
とが近くなった場合には、第１のストリップラインを通
じて信号の漏れが生じ、その信号の漏れが、送信時の挿
入損失を悪化させるいう問題点もある。
ダンス値と第２のストリップラインのインピーダンス値
とが近くなった場合には、第１のストリップラインを通
じて信号の漏れが生じ、その信号の漏れが、送信時の挿
入損失を悪化させるいう問題点もある。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、送受信時の挿入損失を低減で
きる高周波スイッチを提供することを目的とする。
めになされたものであり、送受信時の挿入損失を低減で
きる高周波スイッチを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、送信回路、受信回路及びアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続及び前記
受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための高
周波スイッチであって、前記送信回路側にアノードが接
続され、前記アンテナ側にカソードが接続される第１の
ダイオードと、該第１のダイオードのアノードとグラン
ドとの間に接続される第１の位相器と、前記アンテナと
前記受信回路との間に接続される第２の位相器と、前記
受信回路側にアノードが接続され、グランド側にカソー
ドが接続される第２のダイオードと、を含み、前記第２
の位相器の厚みを、前記第１の位相器の厚みの１．５倍
より大きく設定したことを特徴とする。
るため本発明は、送信回路、受信回路及びアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続及び前記
受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための高
周波スイッチであって、前記送信回路側にアノードが接
続され、前記アンテナ側にカソードが接続される第１の
ダイオードと、該第１のダイオードのアノードとグラン
ドとの間に接続される第１の位相器と、前記アンテナと
前記受信回路との間に接続される第２の位相器と、前記
受信回路側にアノードが接続され、グランド側にカソー
ドが接続される第２のダイオードと、を含み、前記第２
の位相器の厚みを、前記第１の位相器の厚みの１．５倍
より大きく設定したことを特徴とする。
【０００９】また、前記第１及び第２の位相器に伝送線
路を用いたことを特徴とする。
路を用いたことを特徴とする。
【００１０】本発明の高周波スイッチによれば、第２の
位相器の厚みを、第１の位相器の厚みの１．５倍より大
きく設定しているため、第２の位相器のインピーダンス
値に比較して第１の位相器のインピーダンス値が高くな
る。
位相器の厚みを、第１の位相器の厚みの１．５倍より大
きく設定しているため、第２の位相器のインピーダンス
値に比較して第１の位相器のインピーダンス値が高くな
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波スイッチ
の第１の実施例の回路図を示す。高周波スイッチ１０
は、デジタル携帯電話などの送受信の切り換えのために
用いられるもので、アンテナＡＮＴ、送信回路Ｔｘ及び
受信回路Ｒｘに接続される。そして、送信回路Ｔｘに
は、コンデンサ１１ａを介して第１のダイオード１２の
アノードに接続される。また、第１のダイオード１２の
アノードは、第１の位相器、例えばチョークコイル１３
及びコンデンサ１１ｂを介して接地される。
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波スイッチ
の第１の実施例の回路図を示す。高周波スイッチ１０
は、デジタル携帯電話などの送受信の切り換えのために
用いられるもので、アンテナＡＮＴ、送信回路Ｔｘ及び
受信回路Ｒｘに接続される。そして、送信回路Ｔｘに
は、コンデンサ１１ａを介して第１のダイオード１２の
アノードに接続される。また、第１のダイオード１２の
アノードは、第１の位相器、例えばチョークコイル１３
及びコンデンサ１１ｂを介して接地される。
【００１２】さらに、チョークコイル１３とコンデンサ
１１ｂとの間には、抵抗１４を介して制御端子１５が接
続される。また、制御端子１５には、高周波スイッチ１
０の切り換えを行うための制御回路（図示せず）が接続
される。さらに、第１のダイオード１２のカソードは、
コンデンサ１１ｃを介して、アンテナＡＮＴに接続され
る。
１１ｂとの間には、抵抗１４を介して制御端子１５が接
続される。また、制御端子１５には、高周波スイッチ１
０の切り換えを行うための制御回路（図示せず）が接続
される。さらに、第１のダイオード１２のカソードは、
コンデンサ１１ｃを介して、アンテナＡＮＴに接続され
る。
【００１３】また、アンテナＡＮＴに接続されたコンデ
ンサ１１ｃには、第２の位相器、例えばマイクロストリ
ップライン１６が接続される。さらに、マイクロストリ
ップライン１６には、コンデンサ１１ｄを介して、受信
回路Ｒｘが接続される。また、マイクロストリップライ
ン１６とコンデンサ１１ｄとの間は、第２のダイオード
１７のアノードが接続され、第２のダイオード１７のカ
ソードは接地される。
ンサ１１ｃには、第２の位相器、例えばマイクロストリ
ップライン１６が接続される。さらに、マイクロストリ
ップライン１６には、コンデンサ１１ｄを介して、受信
回路Ｒｘが接続される。また、マイクロストリップライ
ン１６とコンデンサ１１ｄとの間は、第２のダイオード
１７のアノードが接続され、第２のダイオード１７のカ
ソードは接地される。
【００１４】この高周波スイッチ１０を用いて送信する
場合は、制御端子１５に正の電圧が印加される。この
際、制御端子１５とグランドとの間に、抵抗１４、チョ
ークコイル１３、第１のダイオード１２、マイクロスト
リップライン１６及び第２のダイオード１７を直列接続
した回路が形成される。
場合は、制御端子１５に正の電圧が印加される。この
際、制御端子１５とグランドとの間に、抵抗１４、チョ
ークコイル１３、第１のダイオード１２、マイクロスト
リップライン１６及び第２のダイオード１７を直列接続
した回路が形成される。
【００１５】制御端子１５に印加された電圧は、第１の
ダイオード１２及び第２のダイオード１７に順方向のバ
イアス電圧として印加され、第１及び第２のダイオード
１２、１７がオン状態となる。従って、送信回路Ｔｘか
らの信号は、アンテナＡＮＴに送られる。
ダイオード１２及び第２のダイオード１７に順方向のバ
イアス電圧として印加され、第１及び第２のダイオード
１２、１７がオン状態となる。従って、送信回路Ｔｘか
らの信号は、アンテナＡＮＴに送られる。
【００１６】なお、送信時においては、第１及び第２の
ダイオード１２、１７がオン状態となるが、第１及び第
２のダイオード１２、１７にはインダクタンス分が存在
する。そこで、第２のダイオード１７のインダクタンス
分とコンデンサ１１ｄとで直列共振回路を構成すること
によって、アンテナＡＮＴとマイクロストリップライン
１６との接続点から受信回路Ｒｘ側をみたときのインピ
ーダンスを無限大にすることがてきる。
ダイオード１２、１７がオン状態となるが、第１及び第
２のダイオード１２、１７にはインダクタンス分が存在
する。そこで、第２のダイオード１７のインダクタンス
分とコンデンサ１１ｄとで直列共振回路を構成すること
によって、アンテナＡＮＴとマイクロストリップライン
１６との接続点から受信回路Ｒｘ側をみたときのインピ
ーダンスを無限大にすることがてきる。
【００１７】また、制御端子１５に電圧を印加すると、
直流電流はコンデンサ１１ａ〜１１ｄでカットされて、
第１及び第２のダイオード１２、１７を含む回路にのみ
流れることになって、他の部分に影響を及ぼさない。
直流電流はコンデンサ１１ａ〜１１ｄでカットされて、
第１及び第２のダイオード１２、１７を含む回路にのみ
流れることになって、他の部分に影響を及ぼさない。
【００１８】一方、この高周波スイッチ１０を用いて受
信する場合には、制御端子１５の電圧印加が停止され
る。それによって、第１及び第２のダイオード１２、１
７がオフとなり、アンテナＡＮＴからの受信信号は受信
回路Ｒｘに伝達される。
信する場合には、制御端子１５の電圧印加が停止され
る。それによって、第１及び第２のダイオード１２、１
７がオフとなり、アンテナＡＮＴからの受信信号は受信
回路Ｒｘに伝達される。
【００１９】具体的に、１．９ＧＨｚ帯ＰＨＳ用（Pers
onal Handy-phone System)として、プリント基板上に、
図１に示す回路の高周波スイッチ１０を作製した。この
際、チョークコイル１３の線幅及び厚みはそれぞれ２０
０μｍ、３０μｍで、マイクロストリップライン１６の
線幅及び厚みは、それぞれ２００μｍ、６０μｍであ
る。すなわち、チョークコイル１３の厚みとマイクロス
トリップライン１６の厚みの比は１：２となっている。
onal Handy-phone System)として、プリント基板上に、
図１に示す回路の高周波スイッチ１０を作製した。この
際、チョークコイル１３の線幅及び厚みはそれぞれ２０
０μｍ、３０μｍで、マイクロストリップライン１６の
線幅及び厚みは、それぞれ２００μｍ、６０μｍであ
る。すなわち、チョークコイル１３の厚みとマイクロス
トリップライン１６の厚みの比は１：２となっている。
【００２０】表１に、この高周波スイッチ１０の送受信
時の挿入損失を示す。また、比較として、チョークコイ
ル１３及びマイクロストリップライン１６の厚みをそれ
ぞれ３０μｍ、すなわちチョークコイル１３の厚みとマ
イクロストリップライン１６の厚みの比を１：１とした
場合を示す。
時の挿入損失を示す。また、比較として、チョークコイ
ル１３及びマイクロストリップライン１６の厚みをそれ
ぞれ３０μｍ、すなわちチョークコイル１３の厚みとマ
イクロストリップライン１６の厚みの比を１：１とした
場合を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】上記の結果から、本実施例が比較例と比べ
て、送受信時ともに挿入損失が０．２ｄＢ程度低減して
いることが理解される。
て、送受信時ともに挿入損失が０．２ｄＢ程度低減して
いることが理解される。
【００２３】次に、第１及び第２の位相器に、伝送線路
であるストリップラインを用いた場合を示す。９００Ｍ
Ｈｚ帯ＧＳＭ用（Group Special Mobile) として、比誘
電率６の誘電体基板内に、図１に示す回路の高周波スイ
ッチ１０を作製した。この際、第１の位相器であるスト
リップラインの線幅及び厚みはそれぞれ１５０μｍ、８
μｍで、第２の位相器であるストリップラインの線幅及
び厚みは、それぞれ１５０μｍ、１２μｍである。すな
わち、第１のストリップラインの厚みと第１のストリッ
プラインの厚みの比は１：１．５となっている。
であるストリップラインを用いた場合を示す。９００Ｍ
Ｈｚ帯ＧＳＭ用（Group Special Mobile) として、比誘
電率６の誘電体基板内に、図１に示す回路の高周波スイ
ッチ１０を作製した。この際、第１の位相器であるスト
リップラインの線幅及び厚みはそれぞれ１５０μｍ、８
μｍで、第２の位相器であるストリップラインの線幅及
び厚みは、それぞれ１５０μｍ、１２μｍである。すな
わち、第１のストリップラインの厚みと第１のストリッ
プラインの厚みの比は１：１．５となっている。
【００２４】表２に、この高周波スイッチ１０の送受信
時の挿入損失を示す。また、比較として、第１及び第２
の位相器であるストリップラインの厚みをそれぞれ８μ
ｍ、すなわちそれぞれのストリップラインの厚みの比を
１：１とした場合を示す。
時の挿入損失を示す。また、比較として、第１及び第２
の位相器であるストリップラインの厚みをそれぞれ８μ
ｍ、すなわちそれぞれのストリップラインの厚みの比を
１：１とした場合を示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】上記の結果から、本実施例が比較例と比べ
て、送受信時ともに挿入損失が０．２ｄＢ程度低減して
いることが理解される。また、第１及び第２の位相器に
伝送線路であるストリップラインを用いた場合には、誘
電体基板に伝送線路であるストリップラインを内蔵する
ことができるため、高周波スイッチの小形化が可能とな
る。
て、送受信時ともに挿入損失が０．２ｄＢ程度低減して
いることが理解される。また、第１及び第２の位相器に
伝送線路であるストリップラインを用いた場合には、誘
電体基板に伝送線路であるストリップラインを内蔵する
ことができるため、高周波スイッチの小形化が可能とな
る。
【００２７】なお、伝送線路としてストリップラインを
示したが、マイクロストリップライン、コプレーナーラ
イン等でもよい。
示したが、マイクロストリップライン、コプレーナーラ
イン等でもよい。
【００２８】図２に、第１の位相器の厚みと第２の位相
器の厚みの比に対する挿入損失を示す。図２において、
縦軸は第１の位相器の厚みと第２の位相器の厚みの比が
１：１のときの挿入損失を１とした場合における各比の
挿入損失である。また、実線が送信の場合、破線が受信
の場合を示す。この図から、第１の位相器の厚みと第２
の位相器の厚みの比を１：１．５以上にすると、１：１
の場合に比べ、送受信時の挿入損失が低減することが理
解できる。
器の厚みの比に対する挿入損失を示す。図２において、
縦軸は第１の位相器の厚みと第２の位相器の厚みの比が
１：１のときの挿入損失を１とした場合における各比の
挿入損失である。また、実線が送信の場合、破線が受信
の場合を示す。この図から、第１の位相器の厚みと第２
の位相器の厚みの比を１：１．５以上にすると、１：１
の場合に比べ、送受信時の挿入損失が低減することが理
解できる。
【００２９】以上のように、本実施例では、第１の位相
器の厚みと第２の位相器の厚みの比を１：１．５以上と
なるように設定しているため、第２の位相器のインピー
ダンス値に比較して第１の位相器のインピーダンス値が
高くなる。従って、送信時に第１の位相器への送信信号
の漏れが低減し、送信時の挿入損失が低減できる。
器の厚みと第２の位相器の厚みの比を１：１．５以上と
なるように設定しているため、第２の位相器のインピー
ダンス値に比較して第１の位相器のインピーダンス値が
高くなる。従って、送信時に第１の位相器への送信信号
の漏れが低減し、送信時の挿入損失が低減できる。
【００３０】また、逆に、第１の位相器のインピーダン
ス値に比較して第２の位相器のインピーダンス値が低く
なるため、受信時の挿入損失が低減できる。
ス値に比較して第２の位相器のインピーダンス値が低く
なるため、受信時の挿入損失が低減できる。
【００３１】
【発明の効果】請求項１の高周波スイッチによれば、第
２の位相器の厚みを、第１の位相器の厚みの１．５倍よ
り大きく設定しているため、第２の位相器のインピーダ
ンス値に比較して第１の位相器のインピーダンス値が高
くなる。従って、送信時に第１の位相器への送信信号の
漏れが低減し、送信時の挿入損失が低減できる。
２の位相器の厚みを、第１の位相器の厚みの１．５倍よ
り大きく設定しているため、第２の位相器のインピーダ
ンス値に比較して第１の位相器のインピーダンス値が高
くなる。従って、送信時に第１の位相器への送信信号の
漏れが低減し、送信時の挿入損失が低減できる。
【００３２】また、逆に、第１の位相器のインピーダン
ス値に比較して第２の位相器のインピーダンス値が低く
なるため、受信時の挿入損失が低減できる。
ス値に比較して第２の位相器のインピーダンス値が低く
なるため、受信時の挿入損失が低減できる。
【００３３】請求項２の高周波スイッチによれば、第１
及び第２の位相器に伝送線路を用いるため、誘電体基板
に伝送線路を内蔵することができ、高周波スイッチの小
形化が可能となる。
及び第２の位相器に伝送線路を用いるため、誘電体基板
に伝送線路を内蔵することができ、高周波スイッチの小
形化が可能となる。
【図１】本発明の高周波スイッチに係る一実施例の回路
図である。
図である。
【図２】第１の位相器の厚みと第２の位相器の厚みの比
に対する挿入損失を示す図である。
に対する挿入損失を示す図である。
【図３】高周波スイッチの働きを示す概念図である。
【図４】従来の高周波スイッチを示す回路図である。
１０ 高周波スイッチ １２ 第１のダイオード １３ 第１の位相器 １６ 第２の位相器 １７ 第２のダイオード Ｒｘ 受信回路 Ｔｘ 送信回路 ＡＮＴ アンテナ
Claims (2)
- 【請求項１】 送信回路、受信回路及びアンテナに接続
され、前記送信回路と前記アンテナとの接続及び前記受
信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための高周
波スイッチであって、 前記送信回路側にアノードが接続され、前記アンテナ側
にカソードが接続される第１のダイオードと、 該第１のダイオードのアノードとグランドとの間に接続
される第１の位相器と、 前記アンテナと前記受信回路との間に接続される第２の
位相器と、 前記受信回路側にアノードが接続され、グランド側にカ
ソードが接続される第２のダイオードと、を含み、 前記第２の位相器の厚みを、前記第１の位相器の厚みの
１．５倍より大きく設定したことを特徴とする高周波ス
イッチ。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の位相器に伝送線路を
用いたことを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8210039A JPH1056301A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 高周波スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8210039A JPH1056301A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 高周波スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056301A true JPH1056301A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16582800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8210039A Pending JPH1056301A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 高周波スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056301A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4794607A (en) * | 1985-06-04 | 1988-12-27 | British Telecommunications Public Limited Company | Opto-electronic devices |
| US6442376B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| JP2002280802A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Hitachi Metals Ltd | スイッチ回路 |
| SG92665A1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-11-19 | Murata Manufacturing Co | High-frequency switch |
| US6633748B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| EP1119105A3 (en) * | 2000-01-20 | 2004-02-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency switch and communication apparatus |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP8210039A patent/JPH1056301A/ja active Pending
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| EP1024605A3 (en) * | 1999-01-27 | 2003-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US6897738B2 (en) | 1999-01-27 | 2005-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
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