JPH1062242A - 赤外線検出素子とその製造方法 - Google Patents
赤外線検出素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH1062242A JPH1062242A JP21710596A JP21710596A JPH1062242A JP H1062242 A JPH1062242 A JP H1062242A JP 21710596 A JP21710596 A JP 21710596A JP 21710596 A JP21710596 A JP 21710596A JP H1062242 A JPH1062242 A JP H1062242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detecting element
- infrared detecting
- lead
- main body
- element main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微小化、集積化が容易な赤外線検出素子とそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 面状の赤外線検出素子本体と、該赤外線
検出素子本体に一端が接続されるリードとを具備する赤
外線検出素子において、前記赤外線検出素子本体の面に
直交し断面直径に対して長さの長い柱状体からなるリー
ドを具備したことを特徴とする赤外線検出素子である。
の製造方法を提供する。 【解決手段】 面状の赤外線検出素子本体と、該赤外線
検出素子本体に一端が接続されるリードとを具備する赤
外線検出素子において、前記赤外線検出素子本体の面に
直交し断面直径に対して長さの長い柱状体からなるリー
ドを具備したことを特徴とする赤外線検出素子である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小化、集積化が
容易な赤外線検出素子とその製造方法に関するものであ
る。
容易な赤外線検出素子とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来より一般に使用されてい
る従来例の構成説明図で、例えば、特開昭６４−３５３
５２号に示されている。
る従来例の構成説明図で、例えば、特開昭６４−３５３
５２号に示されている。
【０００３】図において，１は凹部１１を有するシリコ
ンウエハである。２は、シリコンウエハ１の両面に設け
られた熱酸化膜である。３は、熱酸化膜２の表面に設け
られ凹部１１を跨ぐ梁部１２を有するスパッタ膜であ
る。
ンウエハである。２は、シリコンウエハ１の両面に設け
られた熱酸化膜である。３は、熱酸化膜２の表面に設け
られ凹部１１を跨ぐ梁部１２を有するスパッタ膜であ
る。
【０００４】４は梁部１２に設けられた赤外線検出素子
本体で、この場合は、薄膜赤外線検出素子が使用されて
いる。５は電極で、６はセンサ膜４と電極５とを結ぶリ
ードである。このような赤外線検出素子では、赤外線照
射時の赤外線検出素子本体４の温度変化量を改善するた
めに、赤外線検出素子本体４を梁部１２で支え、空中に
浮かし、熱がシリコンウエハ１に逃げないように工夫さ
れている。
本体で、この場合は、薄膜赤外線検出素子が使用されて
いる。５は電極で、６はセンサ膜４と電極５とを結ぶリ
ードである。このような赤外線検出素子では、赤外線照
射時の赤外線検出素子本体４の温度変化量を改善するた
めに、赤外線検出素子本体４を梁部１２で支え、空中に
浮かし、熱がシリコンウエハ１に逃げないように工夫さ
れている。
【０００５】この際の熱コンダクタンスは、熱流が流れ
る面積に比例し、長さに反比例する。この場合、熱コン
ダクタンスのみに着目すると、梁部１２を長く、細くす
れば、感度が改善されることになる。
る面積に比例し、長さに反比例する。この場合、熱コン
ダクタンスのみに着目すると、梁部１２を長く、細くす
れば、感度が改善されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な赤外線検出素子においては、梁部１２を長くすると、
場所を長く取り、集積度が悪くなり、加えるに、細くす
ると、リード６部分の抵抗値が増加し、測定が困難にな
る。
な赤外線検出素子においては、梁部１２を長くすると、
場所を長く取り、集積度が悪くなり、加えるに、細くす
ると、リード６部分の抵抗値が増加し、測定が困難にな
る。
【０００７】本発明は、この問題点を、解決するもので
ある。本発明の目的は、微小化、集積化が容易な赤外線
検出素子とその製造方法を提供するにある。
ある。本発明の目的は、微小化、集積化が容易な赤外線
検出素子とその製造方法を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）面状の赤外線検出素子本体と、該赤外線検出素子
本体に一端が接続されるリードとを具備する赤外線検出
素子において、前記赤外線検出素子本体の面に直交し断
面直径に対して長さの長い柱状体からなるリードを具備
したことを特徴とする赤外線検出素子。 （２）半導体基板に設けられた犠牲層に設けられた縦孔
を利用して形成され断面直径に対して長さの長い柱状体
からなるリードを具備したことを特徴とする請求項１記
載の赤外線検出素子。 （３）四端子法を利用可能なように電流印加用の一対の
電流リード線と、電流印加時の赤外線検出素子本体の電
圧を測定するための一対の電圧リード線とを具備したこ
とを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。 （４）面状の赤外線検出素子本体と、該赤外線検出素子
本体に一端が接続されるリードとを具備する赤外線検出
素子の製造方法において、以下の工程を有することを特
徴とする赤外線検出素子の製造方法。 （ａ）所定の配線が設けられた基板に犠牲層を形成する
犠牲層形成工程。 （ｂ）前記犠牲層の所定個所に一端が前記配線に接し断
面直径に対して長さの長いリード用の縦孔をエッチング
により形成する縦孔形成工程。 （ｃ）前記縦孔に導電性材料を充填して前記リードを形
成するリード形成工程。 （ｄ）前記リードの他端に接続され該リードと面が直交
する前記面状の赤外線検出素子本体を形成する赤外線検
出素子本体形成工程。 （ｅ）前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程。を採用し
た。
に、本発明は、 （１）面状の赤外線検出素子本体と、該赤外線検出素子
本体に一端が接続されるリードとを具備する赤外線検出
素子において、前記赤外線検出素子本体の面に直交し断
面直径に対して長さの長い柱状体からなるリードを具備
したことを特徴とする赤外線検出素子。 （２）半導体基板に設けられた犠牲層に設けられた縦孔
を利用して形成され断面直径に対して長さの長い柱状体
からなるリードを具備したことを特徴とする請求項１記
載の赤外線検出素子。 （３）四端子法を利用可能なように電流印加用の一対の
電流リード線と、電流印加時の赤外線検出素子本体の電
圧を測定するための一対の電圧リード線とを具備したこ
とを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。 （４）面状の赤外線検出素子本体と、該赤外線検出素子
本体に一端が接続されるリードとを具備する赤外線検出
素子の製造方法において、以下の工程を有することを特
徴とする赤外線検出素子の製造方法。 （ａ）所定の配線が設けられた基板に犠牲層を形成する
犠牲層形成工程。 （ｂ）前記犠牲層の所定個所に一端が前記配線に接し断
面直径に対して長さの長いリード用の縦孔をエッチング
により形成する縦孔形成工程。 （ｃ）前記縦孔に導電性材料を充填して前記リードを形
成するリード形成工程。 （ｄ）前記リードの他端に接続され該リードと面が直交
する前記面状の赤外線検出素子本体を形成する赤外線検
出素子本体形成工程。 （ｅ）前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程。を採用し
た。
【０００９】
【作用】以上の構成において、本発明の赤外線検出素子
は、以下の如くして作る。所定の配線が設けられた基板
に犠牲層を形成する。犠牲層の所定個所に一端が配線に
接し断面直径に対して長さの長いリード用の縦孔をエッ
チングにより形成する。縦孔に導電性材料を充填してリ
ードを形成する。リードの他端に接続されリードと面が
直交する面状の赤外線検出素子本体を形成する。犠牲層
を除去する。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
は、以下の如くして作る。所定の配線が設けられた基板
に犠牲層を形成する。犠牲層の所定個所に一端が配線に
接し断面直径に対して長さの長いリード用の縦孔をエッ
チングにより形成する。縦孔に導電性材料を充填してリ
ードを形成する。リードの他端に接続されリードと面が
直交する面状の赤外線検出素子本体を形成する。犠牲層
を除去する。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例の要部構
成説明図で、図２は図１の側面図である。図において、
図１０と同一記号の構成は同一機能を表わす。以下、図
１０と相違部分のみ説明する。
成説明図で、図２は図１の側面図である。図において、
図１０と同一記号の構成は同一機能を表わす。以下、図
１０と相違部分のみ説明する。
【００１１】２１は、赤外線検出素子本体２２の面に直
交し、断面直径Ｄに対して長さＬの長い柱状体からなる
リードである。リード２１の直径Ｄは、実際は、赤外線
検出素子本体２２を支持できるギリギリの限界まで細く
されているが、図１０においては、分かり易くするため
に実際より直径Ｄが大きく示されている。
交し、断面直径Ｄに対して長さＬの長い柱状体からなる
リードである。リード２１の直径Ｄは、実際は、赤外線
検出素子本体２２を支持できるギリギリの限界まで細く
されているが、図１０においては、分かり易くするため
に実際より直径Ｄが大きく示されている。
【００１２】この場合は、四端子法を利用可能なよう
に、電流印加用の一対の電流リード線２１１，２１２
と、電流印加時の赤外線検出素子本体２２の電圧を測定
するための一対の電圧リード線２１３，２１４とが設け
られている。３１は、リード２１が取付られる配線パタ
ーン、３２は配線パターン３１が配置されている基板で
ある。
に、電流印加用の一対の電流リード線２１１，２１２
と、電流印加時の赤外線検出素子本体２２の電圧を測定
するための一対の電圧リード線２１３，２１４とが設け
られている。３１は、リード２１が取付られる配線パタ
ーン、３２は配線パターン３１が配置されている基板で
ある。
【００１３】以上の構成において、本発明の赤外線検出
素子は、以下の如くして作る。 （ａ）図３に示す如く、所定の配線１０２が設けられた
基板１０１に犠牲層１０３を形成する。 （ｂ）図４に示す如く、犠牲層１０３の表面に、機械的
に強く、比熱の低い赤外線検出素子本体の支持層１０４
を形成する。
素子は、以下の如くして作る。 （ａ）図３に示す如く、所定の配線１０２が設けられた
基板１０１に犠牲層１０３を形成する。 （ｂ）図４に示す如く、犠牲層１０３の表面に、機械的
に強く、比熱の低い赤外線検出素子本体の支持層１０４
を形成する。
【００１４】（ｃ）図５に示す如く、犠牲層１０３の所
定個所に、一端が配線１０２に接し、断面直径に対して
長さの長いリード用の縦孔１０５をエッチングにより形
成する。 （ｄ）図６に示す如く、縦孔１０５に、導電性材料を充
填して、リード１０６を形成する。
定個所に、一端が配線１０２に接し、断面直径に対して
長さの長いリード用の縦孔１０５をエッチングにより形
成する。 （ｄ）図６に示す如く、縦孔１０５に、導電性材料を充
填して、リード１０６を形成する。
【００１５】（ｅ）図７に示す如く、リード１０６の他
端に接続され、リード１０６と面が直交する、板面状の
赤外線検出素子本体１０７を形成する。 （ｆ）図８に示す如く、犠牲層１０３と支持層１０４の
一部を除去する。而して、真空中の場合、赤外線照射に
より赤外線検出素子本体２２が受けた熱は、赤外線検出
素子本体２２を支えるリード２１のみを流れる。
端に接続され、リード１０６と面が直交する、板面状の
赤外線検出素子本体１０７を形成する。 （ｆ）図８に示す如く、犠牲層１０３と支持層１０４の
一部を除去する。而して、真空中の場合、赤外線照射に
より赤外線検出素子本体２２が受けた熱は、赤外線検出
素子本体２２を支えるリード２１のみを流れる。
【００１６】従って、１０図従来例の梁部１２でつられ
たセンサ膜４と同じ（熱流通過断面積）／（熱流通過流
さ）が得る事が出来れば、同様の感度が得られ、しか
も、リード２１は赤外線検出素子本体２２の面に直交し
て配置されているので、赤外線検出素子本体２２の面積
≒素子の大きさとなり、素子の占める面積が小さくな
り、微小化、集積化が容易となる。
たセンサ膜４と同じ（熱流通過断面積）／（熱流通過流
さ）が得る事が出来れば、同様の感度が得られ、しか
も、リード２１は赤外線検出素子本体２２の面に直交し
て配置されているので、赤外線検出素子本体２２の面積
≒素子の大きさとなり、素子の占める面積が小さくな
り、微小化、集積化が容易となる。
【００１７】次に、熱伝導度は、材質が同じであれば、
（熱流通過断面積）／（熱流通過流さ）に比例する。熱
伝導度を小さくするためには、その比を小さくすればよ
い。たとえば、１０図従来例では、一例として、 （熱流通過断面積）／（熱流通過流さ） ＝（厚さｔ；０．５μｍ×幅ｗ；５．０μｍ）／（長さｌ；５０μｍ） ＝１／（２０）である。
（熱流通過断面積）／（熱流通過流さ）に比例する。熱
伝導度を小さくするためには、その比を小さくすればよ
い。たとえば、１０図従来例では、一例として、 （熱流通過断面積）／（熱流通過流さ） ＝（厚さｔ；０．５μｍ×幅ｗ；５．０μｍ）／（長さｌ；５０μｍ） ＝１／（２０）である。
【００１８】これに対して、本発明においては、上述の
如く、マイクロマシン技術を利用して、直径；０．１μ
ｍ、長さ；１μｍのリード２１が得られた。したがっ
て、 （熱流通過断面積）／（熱流通過流さ） ＝（（０．１／２）2）×π／（１．０） ≒１／１００ となり、熱伝導度が改善され、赤外線検出素子の感度が
向上できる。
如く、マイクロマシン技術を利用して、直径；０．１μ
ｍ、長さ；１μｍのリード２１が得られた。したがっ
て、 （熱流通過断面積）／（熱流通過流さ） ＝（（０．１／２）2）×π／（１．０） ≒１／１００ となり、熱伝導度が改善され、赤外線検出素子の感度が
向上できる。
【００１９】次に、図９に示す如く、リード２１１，２
１２間に定電流Ｉを流す。リード２１３，２１４間に電
圧計４１を接続する。電圧を測る回路には、電圧計の抵
抗値が十分高ければ、電流が流れないために、リードに
よる抵抗ＲLによる電圧効果は無視できる。また、電圧
回路に電流が流れないために、赤外線検出素子本体２２
を流れる電流ＩBは電流Ｉに等しい。
１２間に定電流Ｉを流す。リード２１３，２１４間に電
圧計４１を接続する。電圧を測る回路には、電圧計の抵
抗値が十分高ければ、電流が流れないために、リードに
よる抵抗ＲLによる電圧効果は無視できる。また、電圧
回路に電流が流れないために、赤外線検出素子本体２２
を流れる電流ＩBは電流Ｉに等しい。
【００２０】この時の出力電圧感度はΔＶ／Ｖ＝ΔＲ／
Ｒとなり、リード抵抗に依存しない。従って、上記の四
端子法によれば、リード２１を細くして、リード２１の
部分の抵抗値が増加しても、赤外線検出素子の測定は出
来る。
Ｒとなり、リード抵抗に依存しない。従って、上記の四
端子法によれば、リード２１を細くして、リード２１の
部分の抵抗値が増加しても、赤外線検出素子の測定は出
来る。
【００２１】なお、図４において、支持層１０４を形成
すると説明したが、支持層１０４はなくても良いことは
勿論である。
すると説明したが、支持層１０４はなくても良いことは
勿論である。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の請
求項１によれば、 （１）リードは、赤外線検出素子本体の面に直交して配
置されているので、赤外線検出素子本体の面積≒素子の
大きさとなり、素子の占める面積が小さくなり、微小
化、集積化が容易な赤外線検出素子が得られる。
求項１によれば、 （１）リードは、赤外線検出素子本体の面に直交して配
置されているので、赤外線検出素子本体の面積≒素子の
大きさとなり、素子の占める面積が小さくなり、微小
化、集積化が容易な赤外線検出素子が得られる。
【００２３】（２）マイクロマシン技術を利用して、断
面直径に対して長さの長い柱状体からなるリードを構成
したので、熱伝導度が改善され、赤外線検出素子の感度
が向上された赤外線検出素子が得られる。
面直径に対して長さの長い柱状体からなるリードを構成
したので、熱伝導度が改善され、赤外線検出素子の感度
が向上された赤外線検出素子が得られる。
【００２４】本発明の請求項２によれば、マイクロマシ
ン技術を利用して、断面直径に対して長さの長い柱状体
からなるリードを具体的に容易に実現できる赤外線検出
素子が得られる。
ン技術を利用して、断面直径に対して長さの長い柱状体
からなるリードを具体的に容易に実現できる赤外線検出
素子が得られる。
【００２５】本発明の請求項３によれば、リード２１を
細くして、リード２１の部分の抵抗値が増加しても、赤
外線検出素子の測定が容易な赤外線検出素子が得られ
る。
細くして、リード２１の部分の抵抗値が増加しても、赤
外線検出素子の測定が容易な赤外線検出素子が得られ
る。
【００２６】本発明の請求項４によれば、マイクロマシ
ン技術を利用して、従来からある半導体プロセス技術を
使用出来るので、安価で、信頼性が高い赤外線検出素子
が得られる。
ン技術を利用して、従来からある半導体プロセス技術を
使用出来るので、安価で、信頼性が高い赤外線検出素子
が得られる。
【００２７】従って、本発明によれば、微小化、集積化
が容易な赤外線検出素子とその製造方法を実現すること
が出来る。
が容易な赤外線検出素子とその製造方法を実現すること
が出来る。
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】図１の犠牲層形成工程説明図である。
【図４】図１の支持層形成工程説明図である。
【図５】図１の縦孔形成工程説明図である。
【図６】図１のリード形成工程説明図である。
【図７】図１の赤外線検出素子本体形成工程説明図であ
る。
る。
【図８】図１の犠牲層除去工程説明図である。
【図９】図１の動作説明図である。
【図１０】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。
説明図である。
【図１１】図１０の平面図である。
２１ リード ２１１ リード ２１２ リード ２１３ リード ２１４ リード ２２ 赤外線検出素子本体 ３１ 配線パターン ３２ 基板 ４１ 電圧計 １０１ 基板 １０２ 配線 １０３ 犠牲層 １０４ 支持層 １０５ 縦孔 １０６ リード １０７ 赤外線検出素子本体 Ｄ 直径 Ｌ 長さ
Claims (4)
- 【請求項１】面状の赤外線検出素子本体と、 該赤外線検出素子本体に一端が接続されるリードとを具
備する赤外線検出素子において、 前記赤外線検出素子本体の面に直交し断面直径に対して
長さの長い柱状体からなるリードを具備したことを特徴
とする赤外線検出素子。 - 【請求項２】半導体基板に設けられた犠牲層に設けられ
た縦孔を利用して形成され断面直径に対して長さの長い
柱状体からなるリードを具備したことを特徴とする請求
項１記載の赤外線検出素子。 - 【請求項３】四端子法を利用可能なように電流印加用の
一対の電流リード線と、 電流印加時の赤外線検出素子本体の電圧を測定するため
の一対の電圧リード線とを具備したことを特徴とする請
求項１記載の赤外線検出素子。 - 【請求項４】面状の赤外線検出素子本体と、 該赤外線検出素子本体に一端が接続されるリードとを具
備する赤外線検出素子の製造方法において、 以下の工程を有することを特徴とする赤外線検出素子の
製造方法。 （ａ）所定の配線が設けられた基板に犠牲層を形成する
犠牲層形成工程。 （ｂ）前記犠牲層の所定個所に一端が前記配線に接し断
面直径に対して長さの長いリード用の縦孔をエッチング
により形成する縦孔形成工程。 （ｃ）前記縦孔に導電性材料を充填して前記リードを形
成するリード形成工程。 （ｄ）前記リードの他端に接続され該リードと面が直交
する前記面状の赤外線検出素子本体を形成する赤外線検
出素子本体形成工程。 （ｅ）前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21710596A JPH1062242A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 赤外線検出素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21710596A JPH1062242A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 赤外線検出素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062242A true JPH1062242A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16698937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21710596A Pending JPH1062242A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 赤外線検出素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1062242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343282A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線検出素子、赤外線２次元イメージセンサおよびその製造方法 |
| US20110180711A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-07-28 | Seiko Epson Corporation | Thermal detector, thermal detection device and electronic instrument, and method for manufacturing thermal detector |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP21710596A patent/JPH1062242A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343282A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線検出素子、赤外線２次元イメージセンサおよびその製造方法 |
| US20110180711A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-07-28 | Seiko Epson Corporation | Thermal detector, thermal detection device and electronic instrument, and method for manufacturing thermal detector |
| US9000372B2 (en) * | 2010-01-26 | 2015-04-07 | Seiko Epson Corporation | Thermal detector, thermal detection device and electronic instrument, and method for manufacturing thermal detector |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101093612B1 (ko) | 정전용량형 습도센서 및 그 제조방법 | |
| JP5000204B2 (ja) | 熱感知 | |
| US6861276B2 (en) | Method for fabricating a single chip multiple range pressure transducer device | |
| US5347226A (en) | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction | |
| US5231878A (en) | Mass air flow sensor | |
| KR20090064693A (ko) | 마이크로 가스 센서 및 그 제작 방법 | |
| CN103969296A (zh) | 基于膜的传感器设备及其制造方法 | |
| US6906392B2 (en) | Micromechanical component | |
| JPH05273053A (ja) | 温度センサおよび該温度センサの製造方法 | |
| US6589433B2 (en) | Accelerometer without proof mass | |
| JP2992848B2 (ja) | 熱伝導率検出器 | |
| US4930347A (en) | Solid state microanemometer with improved sensitivity and response time | |
| US8007169B2 (en) | Sensor | |
| US6579740B2 (en) | Method of making a thin film sensor | |
| CN113511626B (zh) | 多参量气体传感微芯片及其制备方法、气体传感器 | |
| JPH10116996A (ja) | 複合デバイス製造方法、及び複合デバイス | |
| JPH1062242A (ja) | 赤外線検出素子とその製造方法 | |
| JP2001264188A (ja) | 半導体歪ゲージおよび半導体歪ゲージの製造方法 | |
| JP2004325142A (ja) | ガスセンサ | |
| JP3345695B2 (ja) | 加速度センサ | |
| KR200197336Y1 (ko) | 기판 매입형 박막온도센서 | |
| JPH10221144A (ja) | マイクロヒータ及びその製造方法 | |
| KR100329807B1 (ko) | 반도체식 가스 센서의 전극 구조 | |
| JP2019070557A (ja) | カロリメトリックセンサ、その製造方法、それを用いた検査装置 | |
| WO2026062046A1 (en) | Method and contact layer for measuring a voltage induced by a temperature difference between different positions along a sample |