JPH1062281A - 成膜装置の圧力検出器 - Google Patents

成膜装置の圧力検出器

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Publication number
JPH1062281A
JPH1062281A JP8231352A JP23135296A JPH1062281A JP H1062281 A JPH1062281 A JP H1062281A JP 8231352 A JP8231352 A JP 8231352A JP 23135296 A JP23135296 A JP 23135296A JP H1062281 A JPH1062281 A JP H1062281A
Authority
JP
Japan
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pressure
temperature
pipe
sensor
extraction pipe
Prior art date
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Pending
Application number
JP8231352A
Other languages
English (en)
Inventor
Taketoshi Sato
武敏 佐藤
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
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Publication of JPH1062281A publication Critical patent/JPH1062281A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 CVD装置の圧力検出に用いても副生成物が
付着することが無く、かつ、高精度な圧力検出が可能な
圧力検出器を提供する。 【解決手段】 被検知部である反応ガス供給管1に圧力
取出配管11を接続し、この圧力取出配管11の先端に
ダイアフラムセンサ12を取り付けて構成される圧力検
出器であって、圧力取出配管11の温度を検出する配管
温度センサ14と、圧力取出配管11を加熱する配管加
熱ヒータ13と、ダイアフラムセンサ12の温度を検出
する検知部温度センサ19と、ダイアフラムセンサ12
を加熱する内蔵ヒータと、配管温度センサ14の検知出
力に基づき配管加熱ヒータ13を、検知部温度センサ1
9の検知出力に基づきダイアフラムセンサ12内蔵のヒ
ータをそれぞれ別個に駆動して圧力取出配管11とダイ
アフラムセンサ12の温度差が所定の温度差以下になる
ように制御する温度調節器20とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はCVD装置等の成
膜装置に用いる圧力検出器、特に、被検知部の圧力を圧
力取出管により取り出してダイアフラムセンサ等の圧力
検知部により検出する圧力検出器であって、圧力取出管
やダイアフラムセンサ等を加熱して副生成物の付着の防
止を図る圧力検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】成膜装置、例えば、CVD装置にあって
は、処理炉内を所定の真空度に維持して反応ガスを導入
し、基板等のワーク表面にポリシリコン等の薄膜を形成
する。このようなCVD装置は、温度や濃度とともに圧
力が重要な制御要素であり、炉内部の圧力や炉内に導入
する反応ガスの圧力等を圧力検出器により検出して適正
値に制御することが行われている。
【0003】従来、上述した圧力検出器としては、図2
に示すようなものが知られる。図2中、1は図示しない
処理炉に接続された反応ガス供給管(被検知部)であ
り、この反応ガス供給管1には、メインバルブ2が介設
され、また、この発明の対象である圧力検出器10が設
けられる。圧力検出器10は、反応ガス供給管1の途中
に圧力取出配管11を接続し、この圧力取出配管11の
先端にダイアフラムセンサ(圧力検知部)12を取り付
けて構成される。なお、18は圧力取出配管11に設け
られたエアバルブである。
【0004】圧力取出配管11には、配管11を加熱す
る配管加熱ヒータ13と、配管11の温度を検出する配
管温度センサ14が設けられる。これら配管加熱ヒータ
13と配管温度センサ14は温度調節器20に接続さ
れ、配管温度センサ14が配管11の温度検知信号を温
度調節器20に出力し、また、配管加熱ヒータ13が配
管11の温度に基づき温度調節器20により制御され
る。
【0005】ダイアフラムセンサ12は、圧力取出配管
11により導入された圧力により弾性変形するダイアフ
ラムを有し、また、加熱ヒータを内蔵する。このダイア
フラムセンサ12は、上述した温度調節器20に接続さ
れ、ダイアフラムの変形を電気信号に変換して温度調節
器20に出力し、また、加熱ヒータが上述した配管11
の温度に基づき温度調節器20により制御されてダイア
フラム等を加熱する。
【0006】この圧力検出器10は、圧力取出配管11
を配管加熱ヒータ13により、また、ダイアフラムセン
サ12が内蔵ヒータによりダイアフラム等を加熱し、配
管11やダイアフラムなどに副生成物が付着することを
防止している。そして、ダイアフラムセンサ12の検知
精度がダイアフラムの温度等により影響を受けるため、
温度調節器20においてダイアフラムの検知信号を配管
温度センサ14の検知出力等に基づき補正している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の圧力検出器10にあっては、配管温度センサ1
4により検出された圧力取出配管11の温度に基づき配
管加熱ヒータ13とダイアフラムセンサ12内蔵の加熱
ヒータとの双方を制御するため、ダイアフラムセンサ1
2の温度が圧力取出配管の温度と一致せず制御目標値か
ら変動することがあり、この温度変動に起因した検知誤
差が生じるという問題があった。この発明は、上記問題
に鑑みなされたもので、ダイアフラムセンサの温度変動
に起因した誤差の発生を防止でき、高精度な圧力検出が
可能な圧力検出器を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、成膜装置の被検知部に圧力取出配管を
接続し、該圧力取出配管に圧力検知部を取り付けるとと
もに、前記圧力取出配管を加熱する配管加熱ヒータと前
記圧力検知部を加熱する検知部加熱ヒータとを設けた成
膜装置の圧力検出器において、前記圧力取出配管の温度
を検出する配管温度センサと、前記圧力検知部の温度を
検出する検知部温度センサと、前記検知部温度センサお
よび配管温度センサの検知出力に基づき前記配管加熱ヒ
ータと前記検知部加熱ヒータとを制御して前記圧力取出
配管の温度と前記圧力検知部の温度との温度差を所定値
以下に保持する温度調節器とを設けた。
【0009】この発明にかかる圧力検出器の適用対象で
ある成膜装置は、CVD装置に代表されるが、その他の
成膜装置、例えば、エピタキシャル成長装置等に適用す
ることも可能である。また、成膜装置の被検知部として
は、処理炉、処理炉へ反応ガスを供給する反応ガス供給
配管あるいは処理炉からガスを排出する排出管等が挙げ
られるが、被検知部は任意に選択される。
【0010】圧力検知部はダイアフラムセンサ等の圧力
センサが用いられるが、特に、この発明は、圧力を部材
の変形に置換して検出する圧力検知部に有効である。配
管加熱ヒータおよび検知部加熱ヒータはジュール熱を生
じる電気ヒータ等で代表されるが、赤外線ランプ等の他
の加熱手段を用いることも可能である。配管温度センサ
および検知部温度センサは、周知の熱伝対等が用いら
れ、それぞれが別個独立に温度調節器に接続される。
【0011】温度調節器は、CVD装置等のマシンコン
トローラ、あるいは、圧力検出装置に専用のコントロー
ラが用いられる。この温度調節器は、圧力取出配管の温
度と圧力検知部の温度との温度差が所定値以下になるよ
うに、望ましくは、温度が一致するように各ヒータを制
御する。
【0012】この発明にかかる成膜装置の圧力検出器
は、圧力取出配管が配管温度センサの検知出力に基づき
制御される配管加熱ヒータにより加熱され、また、圧力
検知部が検知部温度センサの検知出力に基づき制御され
る検知部加熱ヒータにより加熱され、圧力取出配管と圧
力検知部の温度差が所定値以下に維持される。このた
め、圧力取出配管のみならず圧力検知部の温度を正確に
管理でき、温度変動に起因した誤差の発生が防止でき、
圧力を高い精度で検出できる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図1はこの発明の一の実施の形
態にかかる成膜装置の圧力検出器を示す模式構成図であ
る。なお、前述した図2の従来の圧力検出器と同一の部
分には同一の番号を付して説明を省略する。
【0014】図1に示すように、ダイアフラムセンサ1
2にはダイアフラム等の温度を検出する検知部温度セン
サ19が設けられる。この検知部温度センサ19は、熱
伝対等からなり、温度調節器20に接続される。
【0015】この実施の形態にあっては、圧力取出配管
11の温度を配管温度センサ14により検出し、また、
ダイアフラムセンサ12の温度を検知部温度センサ19
により検出する。そして、温度調節器20が配管温度セ
ンサ14の検知出力に基づき配管加熱ヒータ13を駆動
制御し、また、検知部温度センサ19の検知出力に基づ
きダイアフラムセンサ12の内蔵ヒータを駆動制御し、
圧力取出配管11とダイアフラムセンサ12を加熱す
る。このため、これら圧力取出配管11やダイアフラム
センサ12に副生成物が付着することが防止できる。
【0016】そして、温度調節器20は、圧力取出配管
11とダイアフラム12の温度差が所定値、例えば、5
°C以下になるように配管加熱ヒータ13とダイアフラ
ムセンサ12内蔵のヒータを制御する。このため、圧力
取出配管11とダイアフラムセンサ12をほぼ同一の温
度に維持でき、また、ダイアフラムセンサ12の温度を
正確に管理できその温度が変動することが無い。このた
め、温度変動に起因した誤差の発生も無く、高い精度で
圧力を検出できる。
【0017】すなわち、ダイアフラムセンサ12は圧力
取出配管11を経て導入された圧力でダイアフラムが変
形し、このダイアフラムの変形を圧力値として出力する
ため、ダイアフラムに熱変形を生じさせる温度の影響を
受けやすいが、温度が正確に管理されるため、温度調節
器20における補正も正確に行え、圧力を高精度で検出
できる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
成膜装置の圧力検出器によれば、圧力検知部および該圧
力検知部に圧力を導く圧力取出配管にそれぞれ温度セン
サと加熱ヒータを個別に設け、これら圧力検知部と圧力
取出配管とをそれぞれのセンサに基づき加熱ヒータで別
個独立に加熱し、かつ、圧力検知部と圧力取出配管の温
度差が所定値以下になるように制御するため、圧力検知
部や圧力取出配管に副生成物が付着することを防止で
き、また、圧力検知部の温度変動に起因した圧力検知誤
差の発生も防止でき、圧力を高精度で検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一の実施の形態にかかる成膜装置の
圧力検出器を示す模式構成図である。
【図2】従来の成膜装置の圧力検出器を示す模式構成図
である。
【符号の説明】
1 反応ガス供給管(被検知部) 10 圧力検出器 11 圧力取出配管 12 ダイアフラムセンサ(圧力検知部、検知部加熱ヒ
ータ) 13 配管加熱ヒータ 14 配管温度センサ 19 検知部温度センサ 20 温度調節器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成膜装置の被検知部に圧力取出配管を接
    続し、該圧力取出配管に圧力検知部を取り付けるととも
    に、前記圧力取出配管を加熱する配管加熱ヒータと前記
    圧力検知部を加熱する検知部加熱ヒータとを設けた成膜
    装置の圧力検出器において、 前記圧力取出配管の温度を検出する配管温度センサと、
    前記圧力検知部の温度を検出する検知部温度センサと、
    前記検知部温度センサおよび配管温度センサの検知出力
    に基づき前記配管加熱ヒータと前記検知部加熱ヒータと
    を制御して前記圧力取出配管の温度と前記圧力検知部の
    温度との温度差を所定値以下に保持する温度調節器とを
    備えることを特徴とする成膜装置の圧力検出器。
JP8231352A 1996-08-13 1996-08-13 成膜装置の圧力検出器 Pending JPH1062281A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005530141A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 マイクロリス コーポレイション 圧力センサとともに使用するための温度調整器
JP2009510626A (ja) * 2005-09-29 2009-03-12 ローズマウント インコーポレイテッド プロセスフィールド装置の温度制御
KR101252925B1 (ko) 2010-10-18 2013-04-09 주식회사 엘지실트론 단결정 성장장치의 배관 시스템 및 이를 포함하는 단결정 성장장치

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