JPH1063355A - 低飽和電源回路 - Google Patents

低飽和電源回路

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JPH1063355A
JPH1063355A JP8233715A JP23371596A JPH1063355A JP H1063355 A JPH1063355 A JP H1063355A JP 8233715 A JP8233715 A JP 8233715A JP 23371596 A JP23371596 A JP 23371596A JP H1063355 A JPH1063355 A JP H1063355A
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JP
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power supply
potential
transistor
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JP8233715A
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Hisashi Ito
壽 伊藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイポーラトランジスタを出力段に用いた低
飽和電源回路において、電源電圧が低下した場合に生ず
るベース電流の増大と寄生トランジスタ形成による無効
電流の増加を抑制する。 【解決手段】 出力電圧レギュレーションのための第1
の誤差増幅器に加えて、出力電圧と電源電圧から基準電
位差を差し引いた電圧との電位差により制御さる第2の
誤差増幅器を備え、この出力を第1の誤差増幅器より大
きな駆動能力で負帰還することにより、電源電圧が低下
した場合にも、出力電圧と電源電圧との差が一定に保た
れる様に出力段トランジスタのベース電流を制御し、ベ
ース電流の無効な増大と寄生トランジスタの形成を防止
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、機器の電源電圧の
レギュレーションに用いられる低飽和電源回路に関し、
特に出力段にバイポーラトランジスタを用いた低飽和電
源回路に関する。
【0002】
【従来の技術】 携帯電話等の電池駆動機器において
は、電源電圧のレギュレーションに用いられる低飽和電
源回路にあっても極力不要な電力消費を抑制することが
望まれる。図3は、バイポーラトランジスタを出力段に
用いた、従来のこの種低飽和電源回路の一例を示す回路
図である。
【0003】この従来例の低飽和電源回路は、電源端子
1にエミッタが接続されコレクタが帰還電圧を得るため
の抵抗値R1、R2を有する電圧分割抵抗7を介して接
地された出力PNPトランジスタ6と、この帰還電圧が
負の入力端子に入力され正の入力端子に基準電圧発生回
路3の発生する基準電圧Vrefが入力される誤差増幅
器4を備え、この誤差増幅器4の出力により駆動NPN
トランジスタ5を介して出力PNPトランジスタ6のベ
ース電流を制御することにより、出力PNPトランジス
タ6のコレクタに接続された出力端子2から出力される
定電圧源の電圧を安定化する。
【0004】また本従来例は、電源端子1に供給される
電源電圧Vccが、レギュレーション開始電圧Va以下
の場合に、出力PNPトランジスタ6のベースに流れる
無効電流を抑制するため、出力端子2にエミッタが接続
され、ベースが出力PNPトランジスタ6のベースに接
続されたPNPトランジスタ30と、このPNPトラン
ジスタ30のコレクタにベースが接続され、コレクタが
駆動NPNトランジスタ5のベースに接続され、エミッ
タが接地されたNPNトランジスタ31とを備えてい
る。
【0005】図4及び図5は、本従来例の、電源電圧V
ccと出力電圧Vo及び無効電流Iqの関係をそれぞれ
表したグラフ図である。以下これらのグラフ図を参照し
て、本従来例の動作を説明する。
【0006】図4に見られるように、出力電圧Voの値
は、電源電圧Vccがレギュレーション開始電圧Va以
下の場合及びレギュレーション開始電圧Va以上の場合
に、それぞれ下式で表される。 Vcc<Va: Vo=Vcc−Vx ・・・(1) Vcc>Va: Vo=Vref・(1+R1/R2) ・・・(2) ここで、Vxは出力PNPトランジスタ6のベース・エ
ミッタ間電圧Vbe6とPNPトランジスタ30のベー
ス・エミッタ間電圧Vbe30との差でVx=Vbe6
−Vbe30である。また、レギュレーション開始電圧
は、Va=Vref・(1+R1/R2)+Vxとな
る。
【0007】すなわち、誤差増幅器4の負の入力端子に
入力される帰還電圧が正の入力端子に入力される基準電
圧Vrefより低い場合は、誤差増幅器4は駆動NPN
トランジスタ5を介して出力PNPトランジスタ6のベ
ース電流を増大し、帰還電圧が基準電圧Vrefより高
い場合は、出力PNPトランジスタ6のベース電流を減
少させる。従って、電源電圧Vccが十分に高い場合に
は、出力PNPトランジスタ6のコレクタ電流が、帰還
電圧Vo・R2/(R1+R2)と基準電圧Vrefと
が等しくなるよう制御され、出力電圧Voは、設定電圧
Vref・(1+R1/R2)に維持される。
【0008】しかしながら、電源電圧Vccがレギュレ
ーション開始電圧Vaより低い場合は、PNPトランジ
スタ30、NPNトランジスタ31がないと仮定する
と、帰還電圧が基準電圧Vrefより低いため、誤差増
幅器4は上述のように出力PNPトランジスタ6のベー
ス電流を増大させるが、コレクタ電圧、従って帰還電圧
がこれに追随できないため、誤差増幅器4と駆動NPN
トランジスタ5は開放利得となり、ベース電流が増加し
たままとなる。
【0009】PNPトランジスタ30とNPNトランジ
スタ31は、このベースを通して流れる無効電流を抑制
するために設けられており、出力PNPトランジスタ6
が飽和領域に入ると、このPNPトランジスタ30のベ
ース・エミッタ間電圧が順方向にバイアスされ、NPN
トランジスタ31を介して駆動NPNトランジスタ5の
ベース電位を下げることにより負帰還を掛け、出力PN
Pトランジスタ6のベース電流を減少させる。本従来例
では、このようにして電源電位Vccがレギュレーショ
ン開始電圧Vaより低い場合に出力PNPトランジスタ
6のベースを通して流れる無効電流を抑制している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このP
NPトランジスタ30による負帰還は、上述のように出
力PNPトランジスタ6が飽和領域にあるときにはじめ
て有効となる。このため、図3の先行技術では、無効電
流のもう一つの要素である、出力PNPトランジスタ6
が飽和状態にあるときに形成される寄生トランジスタを
通して流れる無効電流を抑制することができない問題点
があった。
【0011】寄生トランジスタは、図7のラテラルPN
Pトランジスタの構造略図に例示するように、通常動作
領域ではコレクタとなるp領域が、ベースである+n領
域より高電位となるため、エミッタとして動作し、基盤
のp層をコレクタとして形成されるトランジスタで、電
源端子1に接続された出力PNPトランジスタ6のコレ
クタから、基盤に向けて流れる寄生電流を発生させる。
【0012】図5の例に見られるとおり、従来技術で
は、電源VccがVa以下の場合に、ベースを通して流
れる無効電流を抑制しても、この出力バイポーラトラン
ジスタ6に形成される寄生トランジスタにより、かなり
の無効電流が発生している。このため例えば携帯電話等
の電池駆動機器では、この無効電流のため、電源のオン
・オフ時にラッシュ電流が生じ電池の消耗による使用時
間の低下を招くばかりでなく、電圧が低下してきた場合
に電池が急激に消耗することにより機器のシャットダウ
ンを生ずる可能性がある等の問題点があった。
【0013】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、電源電圧低下時の無効電流を極力抑
制したバイポーラトランジスタによる低飽和電源回路を
提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願発明の実施形態に係る低飽和電源回路は、エミ
ッタが電源に接続され、コレクタが出力端子に接続され
るとともに帰還電圧を得るための電圧分割抵抗を介して
接地されるバイポーラトランジスタ、第1の基準電圧を
発生する第1の基準電圧発生回路、前記電圧分割抵抗の
分割点から得られる帰還電圧とこの第1の基準電圧とを
比較し、該帰還電圧がこの第1の基準電圧に比べて電源
電位側にあるときは前記バイポーラトランジスタのベー
ス電流を減少させ、該帰還電圧がこの第1の基準電圧に
くらべ、接地電位側にあるときは前記バイポーラトラン
ジスタのベース電流を増加させることにより、前記バイ
ポーラトランジスタに負帰還をかけ、前記出力端子から
出力される定電圧源の電圧を一定値に制御する第1の負
帰還回路、前記電源に接続され、第2の基準電圧を発生
することにより前記電源の電位よりこの第2の基準電圧
だけ接地側の電位を出力する第2の基準電圧発生回路、
及び、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電位とこ
の第2の基準電圧発生回路の出力電位を比較し、該コレ
クタ電位がこの第2の基準電圧発生回路の出力電位より
電源側にあるときは、前記第1の負帰還回路より低イン
ピーダンスの出力により前記バイポーラトランジスタの
ベース電位を電源電位に近づけてベース電流を減少さ
せ、該コレクタ電位がこの第2の基準電圧発生回路の出
力電位より接地側にあるときは、高インピーダンスとな
り該ベース電位を前記第1の負帰還回路の制御に任せる
ことにより、前記バイポーラトランジスタのコレクタ・
エミッタ間の電位差を前記第2の基準電圧以上に制御す
る第2の負帰還回路を備えたことを特徴とする。
【0015】また、前記第2の基準電圧は、前記バイポ
ーラトランジスタのコレクタ飽和電圧より大きく、か
つ、前記電源の電圧と前記出力端子から出力される定電
圧源の電圧とのそれぞれの設定値の差より小さいことを
特徴とする。
【0016】さらにまた、前記第1の負帰還回路は、前
記第1の基準電圧が正の入力端子に入力され、前記帰還
電圧が負の入力端子に入力される第1の誤差増幅器と、
コレクタを前記バイポーラトランジスタのベースに接続
し、この第1の誤差増幅器の出力により制御される第1
のエミッタ接地トランジスタとを備え、前記第2の負帰
還回路は、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電位
が正の入力端子に入力され、前記第2の基準電圧発生回
路の出力電位が負の入力端子に入力される第2の誤差増
幅器と、コレクタを前記第1のエミッタ接地トランジス
タのベースに接続し、この第2の誤差増幅器の出力によ
り制御される第2のエミッタ接地トランジスタを備えて
いることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は、本発明に係る低飽
和電源回路の一実施形態の基本構成を示す回路図であ
り、その具体的回路例を図2に示す。なお図1、図2ま
た図3において同一符号は同一又は相当部分を示す。
【0018】図1に示すように、本実施形態の低飽和電
源回路は、図3の先行例と同様に、電源端子1にエミッ
タが接続されコレクタが帰還電圧を得るための抵抗値R
1、R2を有する電圧分割抵抗7を介して接地された出
力PNPトランジスタ6と、この帰還電圧が負の入力端
子に入力され正の入力端子に第1の基準電圧発生回路3
の発生する基準電圧Vrefが入力される第1の誤差増
幅器4を備え、この第1の誤差増幅器4の出力により駆
動NPNトランジスタ5を介して出力PNPトランジス
タ6のベース電流を制御することにより、出力PNPト
ランジスタ6のコレクタに接続された出力端子2から供
給される定電圧源の電圧を安定化する。
【0019】また本実施形態では、図3の先行例におい
て、出力PNPトランジスタ6が飽和領域にある場合に
負帰還をかけるために設けられていたPNPトランジス
タ30に替えて、電源電圧Vccから基準電位差Vyだ
け低い電圧を発生する第2の基準電圧発生回路8と、正
の入力端子に出力電圧Voが入力され、負の入力端子に
この第2の基準電圧発生回路8により得られるVcc−
Vyの電圧が入力される第2の誤差増幅器9を備え、こ
の第2の誤差増幅器9の出力により、図3の先行例と同
様、コレクタが駆動NPNトランジスタ5のベースに接
続されエミッタが接地されたNPNトランジスタ31を
介して、第1の誤差増幅器4より低い出力インピーダン
ス、すなわち高い駆動能力で、駆動NPNトランジスタ
5のベースに帰還を掛ける。
【0020】ここで、この基準電位差Vyの値は、出力
電圧の設定値をVs=Vref・(1+R1/R2)と
し電源電圧Vccの通常動作範囲の最低値をVcc(m
in)とするとき、Vy<Vcc(min)−Vsの範
囲内で、かつ出力PNPトランジスタ6のコレクタ飽和
電圧、すなわち、出力PNPトランジスタ6のコレクタ
・ベース間電圧が順方向にバイアスされ寄生トランジス
タが形成されるコレクタ・エミッタ間電圧より大きく設
定されている。
【0021】また、第2の誤差増幅器9は、電源電圧V
ccと出力電圧Voの差が、この基準電位差Vy以上の
場合は、NPNトランジスタ31のベース電位を下げ、
これを遮断状態すなわち高インピーダンスとし、基準電
位差Vy以下の場合には、NPNトランジスタ31を介
して、第1の誤差増幅器4より十分に低い出力インピー
ダンスで駆動NPNトランジスタ5を制御し、そのベー
ス電位を下げることにより、出力PNPトランジスタ6
のベース電流を減少させる。
【0022】以下、本実施形態の動作について説明す
る。電源電圧Vccが低く出力電圧Voが設定電圧Vs
に達しない場合は、第1の誤差増幅器4は、図3の先行
例と同様出力PNPトランジスタ6のベース電流を増加
し出力電圧Voを上昇すべく動作する。しかし、出力電
圧VoがVcc−Vyに達した点で、NPNトランジス
タ31がアクティブとなり駆動NPNトランジスタ5の
ベース電位を抑制するので、それ以上出力PNPトラン
ジスタ6のベース電流は増加しない。従って、電源電圧
がVcc<Vs+Vyの範囲では、出力電圧Voは、常
に基準電位差Vyと等しい電位差でVccを追随するよ
う制御され、出力PNPトランジスタ6の飽和と寄生ト
ランジスタの発生が共に防止され、無効電流の発生が抑
制される。
【0023】電源電圧が上昇しVcc=Vs+Vyに達
すると、出力電圧Voが設定電圧Vsに達し、さらに電
源電圧Vccが上昇すると図3の先行例と同様、第1の
誤差増幅器4の負帰還出力により駆動NPNトランジス
タ5を介して出力PNPトランジスタ6ベース電流が抑
制され、出力電圧Voは設定電圧Vsに維持される。な
お、この範囲では電源電圧Vccと出力電圧Voの電位
差は基準電位差Vy以上となるため、第2の誤差増幅器
9によりNPNトランジスタ31は遮断状態に制御さ
れ、駆動NPNトランジスタ5は専ら第1の誤差増幅器
4により、制御される。
【0024】以上述べたように、本実施形態の低飽和電
源回路によれば、電源電圧Vccの値如何にかかわら
ず、電源電圧Vccと出力電圧Voの電位差すなわち出
力PNPトランジスタ6のエミッタ・コレクタ間電圧
は、第2の誤差増幅器9または第1の誤差増幅器4によ
り負帰還制御され、少なくとも基準電位差Vy以上に維
持されるので、図6に例示するように、出力PNPトラ
ンジスタ6のベース電流による無効電流の増大と寄生ト
ランジスタによる無効電流の増大を共に抑制することが
できる。
【0025】なお、本実施例では、電源電圧Vccは接
地電位に対して高電位であり、出力バイポーラトランジ
スタ6は、PNPトランジスタであり、このベースを駆
動する駆動バイポーラトランジスタ5及び31はNPN
トランジスタであるとして、本発明の実施形態について
説明したが、電源電圧vccが接地電位に対して低電位
の場合には、出力バイポーラトランジスタ6にNPNト
ランジスタを用い、駆動バイポーラトランジスタ5およ
び31にPNPトランジスタを用いることにより、本実
施例と同様に、ベース電流による無効電流と寄生トラン
ジスタによる無効電流を共に抑制することができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る低飽
和電源回路によれば、電源電圧の如何にかかわらず無効
電流を極力抑制することが可能となり、使用時間が長
く、また電池電圧が下がってきた場合にも急激にシャッ
トアウトすることのない電池駆動機器を低コストで提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す回路図である。
【図2】図1の実施形態の具体的回路例を示す回路図で
ある。
【図3】従来の低飽和電源回路の回路例を示す回路図で
ある。
【図4】図3の従来例の電源電圧Vccと出力電圧Vo
の関係を示すグラフ図である。
【図5】図3の従来例の電源電圧Vccと無効電流Iq
の関係を示すグラフ図である。
【図6】図1の本発明の実施形態の電源電圧Vccと無
効電流Iqの関係を示すグラフ図である。
【図7】ラテラルPNPトランジスタに形成される寄生
トランジスタを説明する構造図である。
【符号の説明】
1 電源端子 2 出力端子 3 基準電圧発生回路 4、9 誤差増幅器 5 駆動NPNトランジスタ 6 出力PNPトランジスタ 7、84 分割抵抗 8 基準電位差発生回路 30、41、42、81、93、94 PNPトランジ
スタ 31、43、44、82、83、91、92、95、9
6 NPNトランジスタ 33、51 コンデンサ 45、61、85 定電流発生回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エミッタが電源に接続され、コレクタが
    出力端子に接続されるとともに帰還電圧を得るための電
    圧分割抵抗を介して接地されるバイポーラトランジス
    タ、 第1の基準電圧を発生する第1の基準電圧発生回路、 前記電圧分割抵抗の分割点から得られる帰還電圧とこの
    第1の基準電圧とを比較し、該帰還電圧がこの第1の基
    準電圧に比べて電源電位側にあるときは前記バイポーラ
    トランジスタのベース電流を減少させ、該帰還電圧がこ
    の第1の基準電圧にくらべ、接地電位側にあるときは前
    記バイポーラトランジスタのベース電流を増加させるこ
    とにより、前記バイポーラトランジスタに負帰還をか
    け、前記出力端子から出力される定電圧源の電圧を一定
    値に制御する第1の負帰還回路、 前記電源に接続され、第2の基準電圧を発生することに
    より前記電源の電位よりこの第2の基準電圧だけ接地側
    の電位を出力する第2の基準電圧発生回路、及び、 前記バイポーラトランジスタのコレクタ電位とこの第2
    の基準電圧発生回路の出力電位を比較し、該コレクタ電
    位がこの第2の基準電圧発生回路の出力電位より電源側
    にあるときは、前記第1の負帰還回路より低インピーダ
    ンスの出力により前記バイポーラトランジスタのベース
    電位を電源電位に近づけてベース電流を減少させ、該コ
    レクタ電位がこの第2の基準電圧発生回路の出力電位よ
    り接地側にあるときは、高インピーダンスとなり該ベー
    ス電位を前記第1の負帰還回路の制御に任せることによ
    り、前記バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ
    間の電位差を前記第2の基準電圧以上に制御する第2の
    負帰還回路を備えた低飽和電源回路。
  2. 【請求項2】 前記第2の基準電圧は、前記バイポーラ
    トランジスタのコレクタ飽和電圧より大きく、かつ、前
    記電源の電圧と前記出力端子から出力される定電圧源の
    電圧とのそれぞれの設定値の差より小さいことを特徴と
    する請求項1に記載の低飽和電源回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の負帰還回路は、前記第1の基
    準電圧が正の入力端子に入力され、前記帰還電圧が負の
    入力端子に入力される第1の誤差増幅器と、コレクタを
    前記バイポーラトランジスタのベースに接続し、この第
    1の誤差増幅器の出力により制御される第1のエミッタ
    接地トランジスタとを備え、 前記第2の負帰還回路は、前記バイポーラトランジスタ
    のコレクタ電位が正の入力端子に入力され、前記第2の
    基準電圧発生回路の出力電位が負の入力端子に入力され
    る第2の誤差増幅器と、コレクタを前記第1のエミッタ
    接地トランジスタのベースに接続し、この第2の誤差増
    幅器の出力により制御される第2のエミッタ接地トラン
    ジスタを備えていることを特徴とする請求項1に記載の
    低飽和電源回路。
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