JPH1064059A - 突起検出方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録媒体上の突起を全面にわたって精度
良く検出することができる突起検出方法及びその装置を
提供すること。 【解決手段】 磁気記録媒体１上を浮上する少なくとも
２個のスライダ１２４、１２５に突起検出センサ１２
７、１２８をそれぞれ搭載し、前記各スライダを並設
し、前記各スライダを並設方向に移動させ、前記各突起
検出センサにて前記突起を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、磁気によりデー
タやプログラム等の情報が記録再生される磁気記録媒体
上の突起を検出する方法及びその装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体としては、例えば磁気ディ
スクや磁気テープ等がある。磁気ディスクに情報を記録
し、磁気ディスクに記録された情報を再生する装置とし
ては、例えばハードディスク装置やフレキシブルディス
ク装置等がある。ハードディスク装置に内蔵されている
磁気ディスクの両表面には磁性膜が成膜されており、磁
気ディスクの表面上を浮上するヘッドスライダに搭載さ
れている磁気ヘッドにより、磁性膜に情報がトラック状
に記録され、また磁性膜にトラック状に記録された情報
が再生されるようになっている。

【０００３】磁気ディスクの両表面に成膜されている磁
性膜は、スパッタリング等により形成されるため、成膜
直後の磁性膜表面には突起が生じている場合がある。こ
の突起は、ヘッドスライダに搭載されている磁気ヘッド
による情報の記録再生時に悪影響を及ぼすおそれがある
ため、突起を除去する必要がある。そこで、磁気ディス
クの表面上に、やすりの機能を有するワッフルヘッドが
搭載されたヘッドスライダを配置し、磁気ディスクを回
転させつつワッフルヘッドを磁気ディスクの径方向に移
動させて、突起を削り取っている。

【０００４】そして、この突起除去が終了した後、図１
０に示すように、磁気ディスク１の表面上に、突起検出
センサが搭載されたスライダ２を配置し、磁気ディスク
１を回転させつつスライダ２を磁気ディスク１の径方向
に移動させて、除去できなかった突起の有無を突起検出
センサにより検出して磁気ディスク１を検査している。

【０００５】従来の突起検出センサには、圧電素子が用
いられている。そして、突起の検出方法は、この突起検
出センサが搭載されたスライダ２を磁気ディスク１上で
任意の浮上量で浮上させ、この浮上量よりも高い突起に
スライダ２が衝突した際に生じる振動を圧電素子で検出
し、この衝突の度合いに応じた圧電素子からの出力電圧
により突起を検出するようにしている。このときのスラ
イダ２の振動は、突起によるスライダ２の浮上安定性の
喪失により発生するものではなく、ほとんどの場合、ス
ライダ２に衝撃が加わることにより発生する固有振動で
ある。従って、圧電素子から観測される電圧の振動周波
数もスライダ２の固有振動数となる。

【０００６】ところが、上述した圧電素子を用いた突起
検出センサによる突起の検出方法には、以下の欠点があ
る。即ち、スライダ２の突起衝突時の振動が静定するま
では次の突起を検出することはできないが、この静定時
間が長いため、静定する間に出現した突起を検出できな
いという欠点である。さらに、圧電素子の検出感度に限
界があるため、問題となる微小突起を検出することがで
きないという欠点である。

【０００７】また、表面に形成された凹凸部によりデー
タ記録領域と制御信号記録領域に放射状に区分されてい
る磁気ディスクを検査する場合、突起でない箇所を突起
として検出してしまう場合があるという欠点である。即
ち、凹凸部が形成されている磁気ディスク上をスライダ
２が浮上走行する場合、データ記録領域から制御信号記
録領域に移行するときにスライダ２の浮上量に変動が生
じる。この浮上量の変動が起きるときに、スライダ２は
磁気ディスクから加速度を受けて振動するので、圧電素
子は電圧を出力してしまい、突起として検出してしま
う。

【０００８】そこで、圧電素子の代わりに抵抗体を用い
た突起検出センサによる突起の検出方法が考えられる。
この抵抗体を用いた突起検出センサは、抵抗体と突起と
が衝突することにより抵抗体が得るエネルギのうち、熱
に変換されるエネルギを利用するものである。即ち、熱
に変換されたエネルギは、抵抗体の温度を上昇させて抵
抗体の抵抗を上昇させるので、抵抗体の抵抗値の変化を
検出することにより、突起を検出することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した圧電素子を用
いた突起検出センサによる突起の検出方法では、突起が
圧電素子以外の部分に衝突しても、スライダ２は共振し
てその振動が圧電素子に伝搬するので、突起検出信号が
発生する。従って、この検出分解能は、図１１（Ａ）に
示すように、圧電素子３がスライダ２の後端面の一方の
側面近傍に搭載されていても、検出感度を示すグラフに
示すように、スライダ２の幅で決定される。

【００１０】一方、抵抗体を用いた突起検出センサによ
る突起の検出方法では、突起がスライダ２に衝突しても
突起検出信号は発生せず、突起が抵抗体に衝突したとき
のみ、突起検出信号が発生する。従って、この検出分解
能は、図１１（Ｂ）に示すように、抵抗体４がスライダ
２の後端面の一方の側面近傍に搭載されていると、検出
感度を示すグラフに示すように、抵抗体４の幅で決定さ
れる。

【００１１】ここで、スライダ２の磁気ディスク１にお
ける浮上範囲は、スライダ２の内周側の側面が磁気ディ
スク１の情報記録領域を画する内周縁に接するところか
ら、スライダ２の外周側の側面が磁気ディスク１の情報
記録領域を画する外周縁に接するところまでである。圧
電素子３を用いた突起検出センサの場合は、上記理由か
ら、圧電素子３がスライダ２のどこに配置されようと
も、磁気ディスク１の情報記録領域全面にわたって突起
を検出することができる。

【００１２】ところが、抵抗体４を用いた突起検出セン
サの場合は、例えば抵抗体４がスライダ２の中央に配置
されているときは、磁気ディスク１の情報記録領域を画
する内周縁よりスライダ２の幅の半分だけ外周側にずれ
たところから、磁気ディスク１の情報記録領域を画する
外周縁よりスライダ２の幅の半分だけ内周側にずれたと
ころまでの領域上しか抵抗体は通過できないので、上記
理由から、磁気ディスク１の情報記録領域全面にわたっ
て突起を検出することができない。

【００１３】また、例えば抵抗体４がスライダ２の一方
の側に配置されているときは、磁気ディスク１の情報記
録領域を画する内周縁よりスライダ２の幅分だけ外周側
にずれたところから、磁気ディスク１の情報記録領域を
画する外周縁までの領域上、又は磁気ディスク１の情報
記録領域を画する内周縁から、磁気ディスク１の情報記
録領域を画する外周縁よりスライダ２の幅分だけ内周側
にずれたところまでの領域上しか抵抗体４は通過できな
いので、同様に磁気ディスク１の情報記録領域全面にわ
たって突起を検出することができない。

【００１４】このような場合、スライダ２を浮上範囲を
越えて移動させれば、磁気ディスク１の情報記録領域全
面にわたって突起を検出することができるが、スライダ
２が浮上せずに墜落する場合もあり、突起の検出そのも
のが不可能になるという問題があった。

【００１５】この発明は、以上の点に鑑み、磁気記録媒
体上の突起を全面にわたって精度良く検出することがで
きる突起検出方法及びその装置を提供することを目的と
している。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
よれば、磁気により情報が記録再生される磁気記録媒体
上の突起を検出する方法において、前記磁気記録媒体上
を浮上する少なくとも２個のスライダに突起検出センサ
をそれぞれ搭載し、前記各スライダを並設し、前記各ス
ライダを並設方向に移動させ、前記各突起検出センサに
て前記突起を検出することにより達成される。

【００１７】上記構成によれば、並設された複数の突起
検出センサにより突起を検出するようにしているので、
突起検出不能領域が生じることはなく、磁気記録媒体上
の突起を全面にわたって精度良く検出することができ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
べる実施の形態は、この発明の好適な具体例であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、こ
の発明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限
定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるも
のではない。

【００１９】図１は、この発明の突起検出装置の実施形
態を示す構成図である。この突起検出装置１００は、回
転部１１０に装着されている磁気ディスク１の突起を突
起検出部１２０により検出し、回転部１１０及び突起検
出部１２０からの信号を信号処理回路１３０により処理
して外部に出力するようになっている。回転部１１０
は、スピンドルモータ１１１に接続されている回転盤１
１２上に磁気ディスク１を載置固定して、回転コントロ
ーラ１１３の制御により回転させるようになっている。

【００２０】突起検出部１２０は、回転部１１０近傍に
配置された移動ステージ１２１に装着されている２台の
サスペンション１２２、１２３及び各サスペンション１
２２、１２３に取り付けられているスライダ１２４、１
２５を、ステージコントローラ１２６の制御により磁気
ディスク１の径方向に移動させ、各スライダ１２４、１
２５に搭載されている突起検出センサ１２７、１２８に
より磁気ディスク１上の突起を検出するようになってい
る。

【００２１】信号処理回路１３０は、突起検出センサ１
２７、１２８からの突起検出信号を信号増幅回路１３１
を介して信号比較回路１３２に入力すると共に、スライ
スレベル信号記憶回路１３３に予め記憶されているスラ
イスレベル信号を信号比較回路１３２に入力して突起検
出信号と比較する。そして、信号比較回路１３２からの
比較結果をデータ出力回路１３４に入力し、その比較結
果に従って回転コントローラ１１３から入力したディス
ク角度情報及びステージコントローラ１２４から入力し
たディスク半径位置情報を、記録媒体１４１等に出力す
ると共に表示装置１４２に表示するようになっている。

【００２２】２台のサスペンション１２２、１２３の一
端は磁気ディスク１の径方向に並設されて移動ステージ
１２１に固定されており、他端にはスライダ１２４、１
２５が固定されている。そして、図２に示すように、磁
気ディスク１の外周側に配置されているスライダ１２４
の後端面の外周側近傍に、突起検出センサ１２７が搭載
され、磁気ディスク１の内周側に配置されているスライ
ダ１２５の後端面の内周側近傍に、突起検出センサ１２
８が搭載されている。

【００２３】この突起検出装置１００により、磁気ディ
スク１の情報記録領域全面にわたって突起を検出するた
めの配置例を図２及び図３で説明する。磁気ディスク１
の半径方向における突起検出センサ１２７、１２８の中
心からスライダ１２４、１２５の中心までの距離をｓと
し、スライダ１２４、１２５の中心間距離をｄとし、磁
気ディスク１の情報記録領域を画する内周縁から外周縁
までの距離をｌとすると、ｄ＝ｌ／２−２ｓの関係を満
たすように突起検出センサ１２７、１２８等を配置すれ
ば、磁気ディスク１の情報記録領域全面にわたって突起
を検出することができる。

【００２４】即ち、磁気ディスク１の情報記録領域を画
する内周縁から外周縁までのうち、内周側の半分の領域
は、突起検出センサ１２８により検査することができ、
外周側の半分の領域は、突起検出センサ１２７により検
査することができる。このときの移動ステージ１２１の
移動距離はｌ／２で良く、このｌ／２の１回の移動中に
突起検出センサ１２７及び１２８による検査は同時に行
われる。従って、磁気ディスク１の情報記録領域を全面
にわたって検査することができると共に、その検査時間
を従来のほぼ半分に短縮させることができる。

【００２５】ここで、突起検出センサ１２７、１２８
は、図４に示すように、リード線１２７ａ、１２８ａ、
１２７ｂ、１２８ｂが両端に接続された抵抗体１２７
ｃ、１２８ｃで構成されている。抵抗体１２７ｃ、１２
８ｃの材料としては、熱伝導率が６０Ｗ／ｍＫ〜８０Ｗ
／ｍＫ、抵抗値が２７Ωのパーマロイや比熱が０．１３
９Ｊ／ｇＫ、密度が１６．６ｇ／ｃｍ３、温度感度が
０．１％／℃のタンタル等を用いることができる。リー
ド線１２７ａ、１２８ａ、１２７ｂ、１２８ｂの材料と
しては、銅を用いることができる。また、スライダ１２
４、１２５としては、一般的なナノスライダの大きさの
ものを用いることができ、このスライダ１２４、１２５
に荷重を与えるサスペンション１２２、１２３として
は、いわゆるタイプ１９のものを用いることができる。

【００２６】このような突起検出センサ１２７、１２８
を作成するには、先ず、スライダ１２４、１２５の後端
面に、パーマロイを蒸着法により、あるいはタンタルを
スパッタにより成膜する。次に、このパーマロイ膜ある
いはタンタル膜をドライエッチング法によりエッチング
して抵抗体１２７ｃ、１２８ｃを形成する。そして、こ
のパーマロイ膜あるいはタンタル膜の両端に銅によりリ
ード線１２７ａ、１２８ａ、１２７ｂ、１２８ｂを形成
して突起検出センサ１２７、１２８とする。

【００２７】突起検出センサ１２７、１２８は、抵抗体
１２７ｃ、１２８ｃと磁気ディスク１上の突起とが衝突
することにより抵抗体１２７ｃ、１２８ｃが得るエネル
ギのうち、熱に変換されるエネルギを利用するものであ
る。即ち、熱に変換されたエネルギは、抵抗体１２７
ｃ、１２８ｃの温度を上昇させて抵抗を上昇させるの
で、抵抗体１２７ｃ、１２８ｃの抵抗値の変化を検出す
ることにより、突起を検出することができる。

【００２８】抵抗体１２７ｃ、１２８ｃは薄膜で形成さ
れているが、このようにすることにより、抵抗体１２７
ｃ、１２８ｃの熱容量が小さくなるので、微小突起に衝
突した際の小さなエネルギでも抵抗体１２７ｃ、１２８
ｃの抵抗値の変化は大きくなり、また、抵抗体１２７
ｃ、１２８ｃの熱拡散度が大きくなるので、突起検出時
間、即ち抵抗体１２７ｃ、１２８ｃが突起と衝突してか
ら抵抗体１２７ｃ、１２８ｃが静定するまでの時間は短
くなる。

【００２９】また、抵抗体１２７ｃ、１２８ｃはスライ
ダ１２４、１２５の表面で剥き出しとなっているが、こ
のようにすることにより、抵抗体１２７ｃ、１２８ｃと
突起とが衝突した際のエネルギは、何も介在することな
く、抵抗体１２７ｃ、１２８ｃそのもので熱に直接変換
されるので、突起検出センサ１２７、１２８の検出感度
を高めて微小突起でも検出することが可能となる。尚、
抵抗体１２７ｃ、１２８ｃの両端にはリード線１２７
ａ、１２８ａ、１２７ｂ、１２８ｂが接続されているの
で、このリード線１２７ａ、１２８ａ、１２７ｂ、１２
８ｂに定電流源を接続して定電流を抵抗体１２７ｃ、１
２８ｃに供給することにより、抵抗体１２７ｃ、１２８
ｃの抵抗値の変化を電圧の変化として検出することがで
きる。

【００３０】このような突起検出センサ１２７（１２
８）による表面が平坦な一般的な磁気ディスク１上の突
起の検出について説明する。用いた磁気ディスク１は、
直径３０μｍ、高さ４０ｎｍの円筒形のバンプが、磁気
ディスク１の半径２０ｍｍ、２４ｍｍ、２８ｍｍの各位
置に径方向に一直線状に配置されたバンプディスクであ
る。スライダ１２４（１２５）を各バンプの位置に配置
し、スライダ１２４（１２５）とバンプディスクの相対
速度を変化させることにより、スライダ１２４（１２
５）の浮上量を変化させた。即ち、スライダ１２４（１
２５）とバンプディスクの相対速度が大きい程、スライ
ダ１２４（１２５）の浮上量も大きくなる。

【００３１】図５は、突起検出センサ１２７（１２８）
の出力電圧とスライダ１２４（１２５）の浮上量との関
係を示す図である。突起検出センサ１２７（１２８）の
出力電圧は、同図からも明らかなように、スライダ１２
４（１２５）の浮上量がバンプの高さよりも大きいとき
は小さくなり、スライダ１２４（１２５）の浮上量がバ
ンプの高さよりも小さいときは極端に大きくなる。ま
た、突起検出センサ１２７（１２８）の出力電圧の波形
は、図６（Ａ）に示すように、スライダ１２４（１２
５）の浮上量がバンプの高さよりも大きいときは下に凸
の波形となり、同図（Ｂ）に示すように、スライダ１２
４（１２５）の浮上量がバンプの高さよりも小さいとき
は上に凸の波形となる。これは以下の理由による。

【００３２】スライダ１２４（１２５）の浮上量がバン
プの高さよりも大きい場合は、抵抗体１２７ｃ（１２８
ｃ）はバンプに衝突しないが、抵抗体１２７ｃ（１２８
ｃ）がバンプ上を通過する際に、抵抗体１２７ｃ（１２
８ｃ）とバンプディスク面との距離がバンプの高さ分だ
け小さくなる。これにより、抵抗体１２７ｃ（１２８
ｃ）とバンプディスクの間の熱抵抗が小さくなるので、
抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の熱がバンプディスク側に
放出され、抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の抵抗値が小さ
くなるからである。従って、定電流が流れている抵抗体
１２７ｃ（１２８ｃ）の出力電圧は小さくなる。

【００３３】また、スライダ１２４（１２５）の浮上量
がバンプの高さよりも小さい場合は、抵抗体１２７ｃ
（１２８ｃ）はバンプに衝突し、抵抗体１２７ｃ（１２
８ｃ）に熱が発生して抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の抵
抗値が大きくなるからである。従って、定電流が流れて
いる抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の出力電圧は大きくな
る。尚、スライダ１２４（１２５）の浮上量とバンプの
高さが略同じ場合は、バンプへ近づく際の放熱の効果と
バンプと衝突する際の吸熱の効果が混在していると考え
る。以上より、抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）を用いるこ
とにより一般的な表面が平坦な磁気ディスク上の突起の
検出が可能である。

【００３４】次に、上述した突起検出センサ１２７（１
２８）による表面に凹凸部が形成されている磁気ディス
ク上の突起の検出について説明する。用いた磁気ディス
クは、図７（Ａ）の全体形状を示す平面図及び同図
（Ｂ）の表面の部分形状を示す平面図のように、凹凸部
（図７（Ｂ）の黒部が凸部、白部が凹部を示す）で成る
データ記録領域（データゾーン）と制御信号記録領域
（サーボゾーン）とがそれぞれ放射状に形成された磁気
ディスク１１である。

【００３５】サーボゾーンは、磁気ヘッドのスキュー角
度に対応した磁気ディスク１１の内周から外周にかけて
の円弧状であって、６４個／周で凹部の深さが２００ｎ
ｍとなるように形成されている。また、データゾーンに
は、同心円状であって、データ等を記録するためのデー
タトラックがトラックピッチ４．８μｍ、トラック幅
３．８μｍとなるように形成されている。スライダ１２
４（１２５）を磁気ディスク１１上の高さ１００ｎｍの
突起箇所に配置し、スライダ１２４（１２５）を５０ｎ
ｍ浮上させた。

【００３６】図８は、このときの突起検出センサ１２７
（１２８）の出力電圧の波形を示す図である。同図の両
端に表れた小さな波形が、突起検出センサ１２７（１２
８）のサーボゾーン通過時の出力電圧の波形であり、そ
れらの中央に表れた大きな波形が、突起検出センサ１２
７（１２８）の磁気ディスク１１上の突起衝突時の出力
電圧の波形である。このように、突起検出センサ１２７
（１２８）の出力電圧の大きさは、サーボゾーン通過時
と突起衝突時とで異なり、サーボゾーン通過時より突起
衝突時の方が大きくなる。また、突起検出センサ１２７
（１２８）の出力電圧の波形は、サーボゾーン通過時と
突起衝突時とで異なる。以上より、抵抗体１２７ｃ（１
２８ｃ）を用いることにより表面に凹凸部が形成されて
いる磁気ディスク１１上の突起の検出が可能である。

【００３７】ここで、突起検出センサ１２７（１２８）
のサーボゾーン通過時にも電圧が出力される理由を述べ
る。抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）と磁気ディスク１１の
隙間はスライダ１２４、１２５の浮上量に等しく、５０
ｎｍ程度である。抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）のディメ
ンションと上記隙間のディメンションを考慮すると、抵
抗体１２７ｃ（１２８ｃ）はこの隙間を介して磁気ディ
スク１１上に熱を常に放出していると考えられる。

【００３８】サーボゾーンとデータゾーンでは、スライ
ダ１２４、１２５下の磁気ディスク１１面の凹凸部の比
率が異なる。このことは、抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）
と磁気ディスク１１との熱抵抗が異なることを示してい
る。一般的に、凹凸部の比率はデータゾーンの方が大き
い。よって、データゾーンの方が熱抵抗が小さいことに
なる。このことより、突起検出センサ１２７（１２８）
がサーボゾーンを通過するときは、抵抗体１２７ｃ（１
２８ｃ）の抵抗値は若干大きくなり、電圧が出力される
ことになる。

【００３９】尚、突起検出センサ１２７（１２８）のサ
ーボゾーン通過時の抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の抵抗
値の上昇は、突起検出センサ１２７（１２８）の突起衝
突時の抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の抵抗値の上昇に比
べて非常に小さい。なぜならば、抵抗体１２７ｃ（１２
８ｃ）が磁気ディスク１１に面している面は超薄膜抵抗
の厚さ方向の面である。抵抗体１２７ｃ（１２８ｃ）の
厚さはナノメートルオーダであることを考慮すると、凹
凸部の比率の違いによる熱抵抗の違いの出力電圧は、突
起検出センサ１２７（１２８）の突起衝突時の出力電圧
に比べて小さいのは明らかである。

【００４０】従って、突起検出センサ１２７（１２８）
のサーボゾーン通過時の出力電圧と、突起検出センサ１
２７（１２８）の突起衝突時の出力電圧との間にスライ
スレベルを設けることにより、突起検出センサ１２７
（１２８）の突起衝突時の出力電圧のみを判別すること
は可能である。よって、スライスレベルを、サーボゾー
ン通過時の突起検出センサ１２７（１２８）の出力電圧
以上、突起衝突時の突起検出センサ１２７（１２８）の
出力電圧以下に設定することにより、抵抗体１２７ｃ
（１２８ｃ）が磁気ディスク１１上の突起に衝突した場
合にのみ出力を得ることができるようになる。

【００４１】また、突起検出センサ１２７（１２８）の
サーボゾーン通過時の出力電圧と、突起検出センサ１２
７（１２８）の突起衝突時の出力電圧とでは波形が異な
っているので、これらの出力電圧を信号処理回路に通す
ことにより、突起検出センサ１２７（１２８）の突起衝
突時の出力電圧のみを判別することは可能である。

【００４２】上述した突起検出装置１００の動作例を図
９のフローチャートで説明する。先ず、磁気ディスク１
を回転盤１１２上にセットする（ステップＳＴＰ１）。
回転コントローラ１１３は、回転盤１１２が所定の回転
数で回転するようにスピンドルモータ１１１の回転を制
御する（ステップＳＴＰ２）。ステージコントローラ１
２６は、例えば内周側のスライダ１２５に搭載されてい
る突起検出センサ１２８が磁気ディスク１の情報記録領
域を画する内周縁に位置するように移動ステージ１２１
の移動を制御する（ステップＳＴＰ３）。

【００４３】突起検出センサ１２８が磁気ディスク１の
情報記録領域を画する内周縁に位置したら（ステップＳ
ＴＰ４）、ステージコントローラ１２６は、移動ステー
ジ１２１が外周方向へ所定の速度で移動するように制御
する（ステップＳＴＰ５）。信号増幅回路１３１は、突
起検出センサ１２７、１２８から突起検出信号を入力し
たら増幅して信号比較回路１３２に出力する。信号比較
回路１３２は、信号増幅回路１３１から突起検出信号を
入力したらスライスレベル信号記憶回路１３３からスラ
イスレベル信号を読み込み、突起検出信号とスライスレ
ベル信号の大きさを比較する（ステップＳＴＰ６）。

【００４４】信号比較回路１３２は、突起検出信号がス
ライスレベル信号より小さいときはステップＳＴＰ５に
戻って上述した動作を繰り返し、突起検出信号がスライ
スレベル信号以上のときは、その突起検出信号をデータ
出力回路１３４へ出力する。そして、データ出力回路１
３４は、信号比較回路１３２から入力した突起検出信号
に対応する、回転コントローラ１１３から入力したディ
スク角度情報及びステージコントローラ１２６から入力
した突起検出センサ１２７、１２８のディスク半径位置
情報を、記録媒体１４１等に記録すると共に表示装置１
４２に表示する（ステップＳＴＰ７）。

【００４５】そして、ステージコントローラ１２６は、
外周側のスライダ１２４に搭載されている突起検出セン
サ１２７が磁気ディスク１の情報記録領域を画する外周
縁に位置したか否かを確認し（ステップＳＴＰ８）、突
起検出センサ１２７が磁気ディスク１の情報記録領域を
画する外周縁にまだ位置していないときは、ステップＳ
ＴＰ５に戻って上述した動作を繰り返す。一方、突起検
出センサ１２７が磁気ディスク１の情報記録領域を画す
る外周縁に位置したときは、検査処理を終了する。

【００４６】尚、上述した実施形態における突起検出セ
ンサ等の配置は限定されるものではなく、磁気ディスク
の情報記録領域を全面にわたって検査することができる
ような配置であれば良い。また、スライダを２個並設す
る場合を説明したが、３個以上のスライダを並設しても
良く、その分だけ検査時間を短縮させることができる。
さらに、移動ステージを各スライダ毎に設けて、各スラ
イダ毎に移動を制御するようにしても良い。

【００４７】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
磁気記録媒体上の突起を全面にわたって精度良く検出す
ることができるので、情報の記録再生の精度を向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の突起検出装置の実施形態を示す構成
図。

【図２】図１に示す突起検出装置の主要部の詳細例を示
す斜視図。

【図３】図１に示す突起検出装置の主要部の配置例を示
す平面図。

【図４】図１に示す突起検出装置に用いられる突起検出
センサの詳細例を示す斜視図。

【図５】図４に示す突起検出センサの出力電圧とヘッド
スライダの浮上量との関係を示す図。

【図６】図４に示す突起検出センサの出力電圧の波形を
示す図。

【図７】磁気ディスクの全体形状を示す平面図及び磁気
ディスクの表面の部分形状を示す平面図。

【図８】図４に示す突起検出センサの出力電圧の波形を
示す図。

【図９】この発明の突起検出方法の実施形態を説明する
ためのフローチャート。

【図１０】従来の突起検出方法を説明するための斜視
図。

【図１１】従来の突起検出方法で用いる突起検出センサ
の違いによるセンサ感度を示す図。

【符号の説明】

１、１１・・・磁気ディスク、１００・・・突起検出装
置、１１０・・・回転部、１１１・・・スピンドルモー
タ、１１２・・・回転盤、１１３・・・回転コントロー
ラ、１２０・・・突起検出部、１２１・・・移動ステー
ジ、１２２、１２３・・・サスペンション、１２４、１
２５・・・スライダ、１２６・・・ステージコントロー
ラ、１２７、１２８・・・突起検出センサ、１２７ａ、
１２８ａ、１２７ｂ、１２８ｂ・・・リード線、１２７
ｃ、１２８ｃ・・・抵抗体、１３０・・・信号処理回
路、１３１・・・信号増幅回路、１３２・・・信号比較
回路、１３３・・・スライスレベル信号記憶回路、１３
４・・・データ出力回路、１４１・・・記録媒体、１４
２・・・表示装置

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気により情報が記録再生される磁気記
   録媒体上の突起を検出する方法において、 前記磁気記録媒体上を浮上する少なくとも２個のスライ
   ダに突起検出センサをそれぞれ搭載し、 前記各スライダを並設し、 前記各スライダを並設方向に移動させ、 前記各突起検出センサにて前記突起を検出することを特
   徴とする突起検出方法。
2. 【請求項２】 前記突起検出センサが、前記突起に衝突
   した際に得られるエネルギによる温度の変化を検知する
   抵抗体で成る請求項１に記載の突起検出方法。
3. 【請求項３】 前記スライダを２個並設した場合、一方
   の前記スライダの一方の移動方向側の側面近傍に前記突
   起検出センサを搭載し、他方の前記スライダの他方の移
   動方向側の側面近傍に前記突起検出センサを搭載する請
   求項１に記載の突起検出方法。
4. 【請求項４】 前記各スライダの移動は同時である請求
   項１に記載の突起検出方法。
5. 【請求項５】 磁気により情報が記録再生される磁気記
   録媒体上の突起を検出する装置において、 前記磁気記録媒体上を浮上する並設された少なくとも２
   個のスライダと、 前記各スライダに搭載された突起検出センサと、 前記各スライダを並設方向に同時に移動させる移動手段
   と、 前記突起検出センサからの信号を処理する信号処理回路
   とを備えたことを特徴とする突起検出装置。
6. 【請求項６】 前記突起検出センサが、前記突起に衝突
   した際に得られるエネルギによる温度の変化を検知する
   抵抗体で成る請求項５に記載の突起検出装置。
7. 【請求項７】 前記スライダを２個並設した場合、一方
   の前記スライダの一方の移動方向側の側面近傍に前記突
   起検出センサを搭載し、他方の前記スライダの他方の移
   動方向側の側面近傍に前記突起検出センサを搭載する請
   求項５に記載の突起検出装置。