JPH1064058A - 突起検出方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録媒体上の突起を全面にわたって精度
良く検出することができる突起検出方法及びその装置を
提供すること。 【解決手段】 磁気記録媒体１上を浮上するスライダ１
２４の移動方向側の両側面近傍に少なくとも１個の突起
検出センサ１２６、１２７をそれぞれ搭載し、前記スラ
イダを移動させ、前記各突起検出センサにて前記突起を
検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、磁気によりデー
タやプログラム等の情報が記録再生される磁気記録媒体
上の突起を検出する方法及びその装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体としては、例えば磁気ディ
スクや磁気テープ等がある。磁気ディスクに情報を記録
し、磁気ディスクに記録された情報を再生する装置とし
ては、例えばハードディスク装置やフレキシブルディス
ク装置等がある。ハードディスク装置に内蔵されている
磁気ディスクの両表面には磁性膜が成膜されており、磁
気ディスクの表面上を浮上するヘッドスライダに搭載さ
れている磁気ヘッドにより、磁性膜に情報がトラック状
に記録され、また磁性膜にトラック状に記録された情報
が再生されるようになっている。

【０００３】磁気ディスクの両表面に成膜されている磁
性膜は、スパッタリング等により形成されるため、成膜
直後の磁性膜表面には突起が生じている場合がある。こ
の突起は、ヘッドスライダに搭載されている磁気ヘッド
による情報の記録再生時に悪影響を及ぼすおそれがある
ため、突起を除去する必要がある。そこで、磁気ディス
クの表面上に、やすりの機能を有するワッフルヘッドが
搭載されたヘッドスライダを配置し、磁気ディスクを回
転させつつワッフルヘッドを磁気ディスクの径方向に移
動させて、突起を削り取っている。

【０００４】そして、この突起除去が終了した後、図１
３に示すように、磁気ディスク１の表面上に、突起検出
センサが搭載されたスライダ２を配置し、磁気ディスク
１を回転させつつスライダ２を磁気ディスク１の径方向
に移動させて、除去できなかった突起の有無を突起検出
センサにより検出して磁気ディスク１を検査している。

【０００５】従来の突起検出センサには、圧電素子が用
いられている。そして、突起の検出方法は、この突起検
出センサが搭載されたスライダ２を磁気ディスク１上で
任意の浮上量で浮上させ、この浮上量よりも高い突起に
スライダ２が衝突した際に生じる振動を圧電素子で検出
し、この衝突の度合いに応じた圧電素子からの出力電圧
により突起を検出するようにしている。このときのスラ
イダ２の振動は、突起によるスライダ２の浮上安定性の
喪失により発生するものではなく、ほとんどの場合、ス
ライダ２に衝撃が加わることにより発生する固有振動で
ある。従って、圧電素子から観測される電圧の振動周波
数もスライダ２の固有振動数となる。

【０００６】ところが、上述した圧電素子を用いた突起
検出センサによる突起の検出方法には、以下の欠点があ
る。即ち、スライダ２の突起衝突時の振動が静定するま
では次の突起を検出することはできないが、この静定時
間が長いため、静定する間に出現した突起を検出できな
いという欠点である。さらに、圧電素子の検出感度に限
界があるため、問題となる微小突起を検出することがで
きないという欠点である。

【０００７】また、表面に形成された凹凸部によりデー
タ記録領域と制御信号記録領域に放射状に区分されてい
る磁気ディスクを検査する場合、突起でない箇所を突起
として検出してしまう場合があるという欠点である。即
ち、凹凸部が形成されている磁気ディスク上をスライダ
２が浮上走行する場合、データ記録領域から制御信号記
録領域に移行するときにスライダ２の浮上量に変動が生
じる。この浮上量の変動が起きるときに、スライダ２は
磁気ディスクから加速度を受けて振動するので、圧電素
子は電圧を出力してしまい、突起として検出してしま
う。

【０００８】そこで、圧電素子の代わりに抵抗体を用い
た突起検出センサによる突起の検出方法が考えられる。
この抵抗体を用いた突起検出センサは、抵抗体と突起と
が衝突することにより抵抗体が得るエネルギのうち、熱
に変換されるエネルギを利用するものである。即ち、熱
に変換されたエネルギは、抵抗体の温度を上昇させて抵
抗体の抵抗を上昇させるので、抵抗体の抵抗値の変化を
検出することにより、突起を検出することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した圧電素子を用
いた突起検出センサによる突起の検出方法では、突起が
圧電素子以外の部分に衝突しても、スライダ２は共振し
てその振動が圧電素子に伝搬するので、突起検出信号が
発生する。従って、この検出分解能は、図１４（Ａ）に
示すように、圧電素子３がスライダ２の後端面の一方の
側面近傍に搭載されていても、検出感度を示すグラフに
示すように、スライダ２の幅で決定される。

【００１０】一方、抵抗体を用いた突起検出センサによ
る突起の検出方法では、突起がスライダ２に衝突しても
突起検出信号は発生せず、突起が抵抗体に衝突したとき
のみ、突起検出信号が発生する。従って、この検出分解
能は、図１４（Ｂ）に示すように、抵抗体４がスライダ
２の後端面の一方の側面近傍に搭載されていると、検出
感度を示すグラフに示すように、抵抗体４の幅で決定さ
れる。

【００１１】ここで、スライダ２の磁気ディスク１にお
ける浮上範囲は、スライダ２の内周側の側面が磁気ディ
スク１の情報記録領域を画する内周縁に接するところか
ら、スライダ２の外周側の側面が磁気ディスク１の情報
記録領域を画する外周縁に接するところまでである。圧
電素子３を用いた突起検出センサの場合は、上記理由か
ら、圧電素子３がスライダ２のどこに配置されようと
も、磁気ディスク１の情報記録領域全面にわたって突起
を検出することができる。

【００１２】ところが、抵抗体４を用いた突起検出セン
サの場合は、例えば抵抗体４がスライダ２の中央に配置
されているときは、磁気ディスク１の情報記録領域を画
する内周縁よりスライダ２の幅の半分だけ外周側にずれ
たところから、磁気ディスク１の情報記録領域を画する
外周縁よりスライダ２の幅の半分だけ内周側にずれたと
ころまでの領域上しか抵抗体４は通過できないので、上
記理由から、磁気ディスク１の情報記録領域全面にわた
って突起を検出することができない。

【００１３】また、例えば抵抗体４がスライダ２の一方
の側に配置されているときは、磁気ディスク１の情報記
録領域を画する内周縁よりスライダ２の幅分だけ外周側
にずれたところから、磁気ディスク１の情報記録領域を
画する外周縁までの領域上、又は磁気ディスク１の情報
記録領域を画する内周縁から、磁気ディスク１の情報記
録領域を画する外周縁よりスライダ２の幅分だけ内周側
にずれたところまでの領域上しか抵抗体４は通過できな
いので、同様に磁気ディスク１の情報記録領域全面にわ
たって突起を検出することができない。

【００１４】このような場合、スライダ２を浮上範囲を
越えて移動させれば、磁気ディスク１の情報記録領域全
面にわたって突起を検出することができるが、スライダ
２が浮上せずに墜落する場合もあり、突起の検出そのも
のが不可能になるという問題があった。

【００１５】この発明は、以上の点に鑑み、磁気記録媒
体上の突起を全面にわたって精度良く検出することがで
きる突起検出方法及びその装置を提供することを目的と
している。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
よれば、磁気により情報が記録再生される磁気記録媒体
上の突起を検出する方法において、前記磁気記録媒体上
を浮上するスライダの移動方向側の両側面近傍に少なく
とも１個の突起検出センサをそれぞれ搭載し、前記スラ
イダを移動させ、前記各突起検出センサにて前記突起を
検出することにより達成される。

【００１７】上記構成によれば、スライダの不感体をカ
バーするように複数の突起検出センサが配置されて突起
を検出するようにしているので、突起検出不能領域が生
じることはなく、磁気記録媒体上の突起を全面にわたっ
て精度良く検出することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
べる実施の形態は、この発明の好適な具体例であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、こ
の発明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限
定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるも
のではない。

【００１９】図１は、この発明の突起検出装置の実施形
態を示す構成図である。この突起検出装置１００は、回
転部１１０に装着されている磁気ディスク１の突起を突
起検出部１２０により検出し、回転部１１０及び突起検
出部１２０からの信号を信号処理回路１３０により処理
して外部に出力するようになっている。回転部１１０
は、スピンドルモータ１１１に接続されている回転盤１
１２上に磁気ディスク１を載置固定して、回転コントロ
ーラ１１３の制御により回転させるようになっている。

【００２０】突起検出部１２０は、回転部１１０近傍に
配置された移動ステージ１２１に装着されているサスペ
ンション１２２及びサスペンション１２２に取り付けら
れているスライダ１２４を、ステージコントローラ１２
５の制御により磁気ディスク１の径方向に移動させ、ス
ライダ１２４に搭載されている突起検出センサにより磁
気ディスク１上の突起を検出するようになっている。

【００２１】信号処理回路１３０は、突起検出センサか
らの突起検出信号を信号増幅回路１３１を介して信号比
較回路１３２に入力すると共に、スライスレベル信号記
憶回路１３３に予め記憶されているスライスレベル信号
を信号比較回路１３２に入力して突起検出信号と比較す
る。そして、信号比較回路１３２からの比較結果をデー
タ出力回路１３４に入力し、その比較結果に従って回転
コントローラ１１３から入力したディスク角度情報及び
ステージコントローラ１２４から入力したディスク半径
位置情報を、記録媒体１４１等に出力すると共に表示装
置１４２に表示するようになっている。

【００２２】サスペンション１２２の一端は移動ステー
ジ１２１に固定されており、他端にはスライダ１２４が
固定されている。そして、図２に示すように、スライダ
１２４の後端面における磁気ディスク１の外周側近傍
に、突起検出センサ１２６が搭載され、スライダ１２４
の後端面における磁気ディスク１の内周側近傍に、突起
検出センサ１２７が搭載されている。

【００２３】この突起検出装置１００によれば、磁気デ
ィスク１の情報記録領域を画する内周縁から外周縁まで
のうち、例えば内周側の半分の領域は、突起検出センサ
１２７により検査することができ、外周側の半分の領域
は、突起検出センサ１２６により検査することができ
る。また、例えば内周縁からスライダ１２４の幅分だけ
外周方向へ移動するまでの領域は、突起検出センサ１２
７により検査し、そこから外周縁までの領域は、突起検
出センサ１２６により検査するようにしても良い。従っ
て、磁気ディスク１の情報記録領域を全面にわたって検
査することができる。

【００２４】ここで、突起検出センサ１２６、１２７
は、図２に示すように、リード線１２６ａ、１２７ａが
一端に接続され、共通リード線１２６ｂが他端に接続さ
れた抵抗体１２６ｃ、１２７ｃで構成されている。即
ち、抵抗体１２６ｃと抵抗体１２７ｃは直列接続されて
いるが、直流分の抵抗により発生する電圧は、例えば突
起検出装置１００側に備えられているコンデンサ等によ
り除去するようにしているので、突起と衝突したときに
発生する信号が劣化することはない。また、抵抗体１２
６ｃ、１２７ｃと突起が衝突して生じる熱が伝わるのは
単体の抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ内であるので、熱によ
る抵抗の変化量は従来の抵抗体と同等である。

【００２５】上述したように配置された突起検出センサ
１２６、１２７によれば、磁気ディスク１の情報記録領
域を全面にわたって検査することができる。ところが、
上記配置でも突起を検出することができない微小の不感
帯が存在してしまう場合があり、近年の磁気ディスク１
の更なる高密度化に伴って問題化してきた。この不感帯
とは、図２に示す突起検出センサ１２６の外周側の端面
からスライダ１２４の外周側の側面までの領域Ａ１及び
突起検出センサ１２７の内周側の端面からスライダ１２
４の内周側の側面までの領域Ａ２をいう。

【００２６】そこで、図３に示すように、磁気ディスク
１の外周側のスライダ１２４の側面に、突起検出センサ
１２８を搭載し、図示していないが磁気ディスク１の内
周側のスライダ１２４の側面に、突起検出センサ１２９
を搭載することにより、上記不感帯による突起検出不能
領域をカバーするようにしている。即ち、領域Ａ１は、
突起検出センサ１２８により検査することができ、領域
Ａ２は、突起検出センサ１２９により検査することがで
きる。従って、磁気ディスク１の情報記録領域を全面に
わたって完全に検査することができる。ここで、突起検
出センサ１２８、１２９は、リード線１２８ａ、１２９
ａ、１２８ｂ、１２９ｂが両端に接続された抵抗体１２
８ｃ、１２９ｃで構成されている。

【００２７】抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１
２９ｃの材料としては、熱伝導率が６０Ｗ／ｍＫ〜８０
Ｗ／ｍＫ、抵抗値が２７Ωのパーマロイや比熱が０．１
３９Ｊ／ｇＫ、密度が１６．６ｇ／ｃｍ３、温度感度が
０．１％／℃のタンタル等を用いることができる。リー
ド線１２６ａ、１２７ａ、１２６ｂ、１２８ａ、１２９
ａ、１２８ｂ、１２９ｂの材料としては、銅を用いるこ
とができる。また、スライダ１２４としては、一般的な
ナノスライダの大きさのものを用いることができ、この
スライダ１２４に荷重を与えるサスペンション１２２と
しては、いわゆるタイプ１９のものを用いることができ
る。

【００２８】このような突起検出センサ１２６、１２
７、１２８、１２９を作成するには、図４又は図５に示
すように、先ず、ウェハー１５０の面に、パーマロイを
蒸着法により、あるいはタンタルをスパッタにより成膜
する。次に、このパーマロイ膜あるいはタンタル膜をド
ライエッチング法によりエッチングして抵抗体１２６
ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃを形成する。そし
て、このパーマロイ膜あるいはタンタル膜の両端に銅に
よりリード線１２６ａ、１２７ａ、１２６ｂ、１２８
ａ、１２９ａ、１２８ｂ、１２９ｂを形成して突起検出
センサ１２６、１２７、１２８、１２９とする。そし
て、突起検出センサ１２６、１２７を形成したときは、
図４の点線で示すようにウェハー１５０の面がスライダ
１２４の後端面となるように切削加工する。また、突起
検出センサ１２８、１２９を形成したときは、図５の点
線で示すようにウェハー１５０の面がスライダ１２４の
側面となるように切削加工する。

【００２９】突起検出センサ１２６、１２７、１２８、
１２９は、抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２
９ｃと磁気ディスク１上の突起とが衝突することにより
抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃが得る
エネルギのうち、熱に変換されるエネルギを利用するも
のである。即ち、熱に変換されたエネルギは、抵抗体１
２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃの温度を上昇さ
せて抵抗を上昇させるので、抵抗体１２６ｃ、１２７
ｃ、１２８ｃ、１２９ｃの抵抗値の変化を検出すること
により、突起を検出することができる。

【００３０】抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１
２９ｃは薄膜で形成されているが、このようにすること
により、抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９
ｃの熱容量が小さくなるので、微小突起に衝突した際の
小さなエネルギでも抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８
ｃ、１２９ｃの抵抗値の変化は大きくなり、また、抵抗
体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃの熱拡散度
が大きくなるので、突起検出時間、即ち抵抗体１２６
ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃが突起と衝突してか
ら抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃが静
定するまでの時間は短くなる。

【００３１】また、抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８
ｃ、１２９ｃはスライダ１２４の表面で剥き出しとなっ
ているが、このようにすることにより、抵抗体１２６
ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃと突起とが衝突した
際のエネルギは、何も介在することなく、抵抗体１２６
ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃそのもので熱に直接
変換されるので、突起検出センサ１２６、１２７、１２
８、１２９の検出感度を高めて微小突起でも検出するこ
とが可能となる。尚、抵抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２
８ｃ、１２９ｃの両端にはリード線１２６ａ、１２７
ａ、１２６ｂ、１２８ａ、１２９ａ、１２８ｂ、１２９
ｂが接続されているので、このリード線１２６ａ、１２
７ａ、１２６ｂ、１２８ａ、１２９ａ、１２８ｂ、１２
９ｂに定電流源を接続して定電流を抵抗体１２６ｃ、１
２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃに供給することにより、抵
抗体１２６ｃ、１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃの抵抗値
の変化を電圧の変化として検出することができる。

【００３２】このような突起検出センサ１２６（１２
７、１２８、１２９）による表面が平坦な一般的な磁気
ディスク１上の突起の検出について説明する。用いた磁
気ディスク１は、直径３０μｍ、高さ４０ｎｍの円筒形
のバンプが、磁気ディスク１の半径２０ｍｍ、２４ｍ
ｍ、２８ｍｍの各位置に径方向に一直線状に配置された
バンプディスクである。スライダ１２４を各バンプの位
置に配置し、スライダ１２４とバンプディスクの相対速
度を変化させることにより、スライダ１２４の浮上量を
変化させた。即ち、スライダ１２４とバンプディスクの
相対速度が大きい程、スライダ１２４の浮上量も大きく
なる。

【００３３】図６は、突起検出センサ１２６（１２７、
１２８、１２９）の出力電圧とスライダ１２４の浮上量
との関係を示す図である。突起検出センサ１２６（１２
７、１２８、１２９）の出力電圧は、同図からも明らか
なように、スライダ１２４の浮上量がバンプの高さより
も大きいときは小さくなり、スライダ１２４の浮上量が
バンプの高さよりも小さいときは極端に大きくなる。ま
た、突起検出センサ１２６（１２７、１２８、１２９）
の出力電圧の波形は、図７（Ａ）に示すように、スライ
ダ１２４の浮上量がバンプの高さよりも大きいときは下
に凸の波形となり、同図（Ｂ）に示すように、スライダ
１２４の浮上量がバンプの高さよりも小さいときは上に
凸の波形となる。これは以下の理由による。

【００３４】スライダ１２４の浮上量がバンプの高さよ
りも大きい場合は、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８
ｃ、１２９ｃ）はバンプに衝突しないが、抵抗体１２６
ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）がバンプ上を通過
する際に、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２
９ｃ）とバンプディスク面との距離がバンプの高さ分だ
け小さくなる。これにより、抵抗体１２６ｃ（１２７
ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）とバンプディスクの間の熱抵
抗が小さくなるので、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２
８ｃ、１２９ｃ）の熱がバンプディスク側に放出され、
抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）の抵
抗値が小さくなるからである。従って、定電流が流れて
いる抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）
の出力電圧は小さくなる。

【００３５】また、スライダ１２４の浮上量がバンプの
高さよりも小さい場合は、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、
１２８ｃ、１２９ｃ）はバンプに衝突し、抵抗体１２６
ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）に熱が発生して抵
抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）の抵抗
値が大きくなるからである。従って、定電流が流れてい
る抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）の
出力電圧は大きくなる。尚、スライダ１２４の浮上量と
バンプの高さが略同じ場合は、バンプへ近づく際の放熱
の効果とバンプと衝突する際の吸熱の効果が混在してい
ると考える。以上より、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１
２８ｃ、１２９ｃ）を用いることにより一般的な表面が
平坦な磁気ディスク１上の突起の検出が可能である。

【００３６】次に、上述した突起検出センサ１２６（１
２７、１２８、１２９）による表面に凹凸部が形成され
ている磁気ディスク上の突起の検出について説明する。
用いた磁気ディスクは、図８（Ａ）の全体形状を示す平
面図及び同図（Ｂ）の表面の部分形状を示す平面図のよ
うに、凹凸部（図８（Ｂ）の黒部が凸部、白部が凹部を
示す）で成るデータ記録領域（データゾーン）と制御信
号記録領域（サーボゾーン）とがそれぞれ放射状に形成
された磁気ディスク１１である。

【００３７】サーボゾーンは、磁気ヘッドのスキュー角
度に対応した磁気ディスク１１の内周から外周にかけて
の円弧状であって、６４個／周で凹部の深さが２００ｎ
ｍとなるように形成されている。また、データゾーンに
は、同心円状であって、データ等を記録するためのデー
タトラックがトラックピッチ４．８μｍ、トラック幅
３．８μｍとなるように形成されている。スライダ１２
４を磁気ディスク１１上の高さ１００ｎｍの突起箇所に
配置し、スライダ１２４を５０ｎｍ浮上させた。

【００３８】図９は、このときの突起検出センサ１２６
（１２７、１２８、１２９）の出力電圧の波形を示す図
である。同図の両端に表れた小さな波形が、突起検出セ
ンサ１２６（１２７、１２８、１２９）のサーボゾーン
通過時の出力電圧の波形であり、それらの中央に表れた
大きな波形が、突起検出センサ１２６（１２７、１２
８、１２９）の磁気ディスク１１上の突起衝突時の出力
電圧の波形である。このように、突起検出センサ１２６
（１２７、１２８、１２９）の出力電圧の大きさは、サ
ーボゾーン通過時と突起衝突時とで異なり、サーボゾー
ン通過時より突起衝突時の方が大きくなる。また、突起
検出センサ１２６（１２７、１２８、１２９）の出力電
圧の波形は、サーボゾーン通過時と突起衝突時とで異な
る。以上より、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、
１２９ｃ）を用いることにより表面に凹凸部が形成され
ている磁気ディスク１１上の突起の検出が可能である。

【００３９】ここで、突起検出センサ１２６（１２７、
１２８、１２９）のサーボゾーン通過時にも電圧が出力
される理由を述べる。抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２
８ｃ、１２９ｃ）と磁気ディスク１１の隙間はスライダ
１２４の浮上量に等しく、５０ｎｍ程度である。抵抗体
１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）のディメン
ションと上記隙間のディメンションを考慮すると、抵抗
体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）はこの隙
間を介して磁気ディスク１１上に熱を常に放出している
と考えられる。

【００４０】サーボゾーンとデータゾーンでは、スライ
ダ１２４下の磁気ディスク１１面の凹凸部の比率が異な
る。このことは、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８
ｃ、１２９ｃ）と磁気ディスク１１との熱抵抗が異なる
ことを示している。一般的に、凹凸部の比率はデータゾ
ーンの方が大きい。よって、データゾーンの方が熱抵抗
が小さいことになる。このことより、突起検出センサ１
２６（１２７、１２８、１２９）がサーボゾーンを通過
するときは、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１
２９ｃ）の抵抗値は若干大きくなり、電圧が出力される
ことになる。

【００４１】尚、突起検出センサ１２６（１２７、１２
８、１２９）のサーボゾーン通過時の抵抗体１２６ｃ
（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）の抵抗値の上昇は、
突起検出センサ１２６（１２７、１２８、１２９）の突
起衝突時の抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２
９ｃ）の抵抗値の上昇に比べて非常に小さい。なぜなら
ば、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、１２９ｃ）
が磁気ディスク１１に面している面は超薄膜抵抗の厚さ
方向の面である。抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８
ｃ、１２９ｃ）の厚さはナノメートルオーダであること
を考慮すると、凹凸部の比率の違いによる熱抵抗の違い
の出力電圧は、突起検出センサ１２６（１２７、１２
８、１２９）の突起衝突時の出力電圧に比べて小さいの
は明らかである。

【００４２】従って、突起検出センサ１２６（１２７、
１２８、１２９）のサーボゾーン通過時の出力電圧と、
突起検出センサ１２６（１２７、１２８、１２９）の突
起衝突時の出力電圧との間にスライスレベルを設けるこ
とにより、突起検出センサ１２６（１２７、１２８、１
２９）の突起衝突時の出力電圧のみを判別することは可
能である。よって、スライスレベルを、サーボゾーン通
過時の突起検出センサ１２６（１２７、１２８、１２
９）の出力電圧以上、突起衝突時の突起検出センサ１２
６（１２７、１２８、１２９）の出力電圧以下に設定す
ることにより、抵抗体１２６ｃ（１２７ｃ、１２８ｃ、
１２９ｃ）が磁気ディスク１１上の突起に衝突した場合
にのみ出力を得ることができるようになる。

【００４３】また、突起検出センサ１２６（１２７、１
２８、１２９）のサーボゾーン通過時の出力電圧と、突
起検出センサ１２６（１２７、１２８、１２９）の突起
衝突時の出力電圧とでは波形が異なっているので、これ
らの出力電圧を信号処理回路に通すことにより、突起検
出センサ１２６（１２７、１２８、１２９）の突起衝突
時の出力電圧のみを判別することは可能である。

【００４４】上述した各突起検出センサ１２６、１２
７、１２８、１２９が搭載された図１１に示すようなス
ライダ１２４を備えた突起検出装置１００の信号処理回
路１３０は、例えば図１２に示すように構成される。即
ち、各突起検出センサ１２６、１２７、１２８、１２９
からの突起検出信号は、信号増幅回路１３１に内蔵され
ている信号切換手段１３１ａに入力され、ステージコン
トローラ１２５からのディスク半径位置情報に従って切
り換えられ、切り換えられた所定の突起検出信号が増幅
されて信号比較回路１３２に出力されるようになってい
る。尚、突起検出センサ１２８と突起検出センサ１２６
の間はｄ１離れているとし、突起検出センサ１２９と突
起検出センサ１２７の間はｄ２離れているとし、突起検
出センサ１２６と突起検出センサ１２７の間はｄ離れて
いるとする。

【００４５】このような構成の突起検出装置１００の動
作例を図１２のフローチャートで説明する。先ず、磁気
ディスク１を回転盤１１２上にセットする（ステップＳ
ＴＰ１）。回転コントローラ１１３は、回転盤１１２が
所定の回転数で回転するようにスピンドルモータ１１１
の回転を制御する（ステップＳＴＰ２）。ステージコン
トローラ１２６は、例えばスライダ１２４の内周側の側
面に搭載されている突起検出センサ１２９が磁気ディス
ク１の情報記録領域を画する内周縁に位置するように移
動ステージ１２１の移動を制御する（ステップＳＴＰ
３）。

【００４６】突起検出センサ１２９が磁気ディスク１の
情報記録領域を画する内周縁に位置したら（ステップＳ
ＴＰ４）信号切換手段１３１ａは突起検出センサ１２
６、１２７及び１２９から突起検出信号を入力できるよ
うに切り換える（ステップＳＴＰ５）。そして、ステー
ジコントローラ１２６は、移動ステージ１２１が外周方
向へ所定の速度で移動するように制御する（ステップＳ
ＴＰ６）と共に、突起検出センサ１２９のディスク半径
位置情報を信号切換手段１３１ａに出力する。信号増幅
回路１３１は、突起検出センサ１２６、１２７、１２９
から突起検出信号を入力したら増幅して信号比較回路１
３２に出力する。信号比較回路１３２は、信号増幅回路
１３１から突起検出信号を入力したらスライスレベル信
号記憶回路１３３からスライスレベル信号を読み込み、
突起検出信号とスライスレベル信号の大きさを比較する
（ステップＳＴＰ７）。

【００４７】信号比較回路１３２は、突起検出信号がス
ライスレベル信号より小さいときはステップＳＴＰ６に
戻って上述した動作を繰り返し、突起検出信号がスライ
スレベル信号以上のときは、その突起検出信号をデータ
出力回路１３４へ出力する。そして、データ出力回路１
３４は、信号比較回路１３２から入力した突起検出信号
に対応する、回転コントローラ１１３から入力したディ
スク角度情報及びステージコントローラ１２６から入力
したディスク半径位置情報を、記録媒体１４１等に記録
すると共に表示装置１４２に表示する（ステップＳＴＰ
８）。以上のステップＳＴＰ６〜８の処理を、突起検出
センサ１２９が磁気ディスク１の情報記録領域を画する
内周縁から外周方向へ距離ｄ２隔てた範囲内に位置して
いる間継続する（ステップＳＴＰ９、１０）。

【００４８】そして、突起検出センサ１２９が磁気ディ
スク１の情報記録領域を画する内周縁から外周方向へ距
離ｄ２隔てた範囲を越えたら（ステップＳＴＰ９）、信
号切換手段１３１ａは突起検出センサ１２６及び１２７
から突起検出信号を入力できるように切り換える（ステ
ップＳＴＰ５）。そして、上述したステップＳＴＰ６〜
８の処理を、突起検出センサ１２９が磁気ディスク１の
情報記録領域を画する内周縁から外周方向へ距離ｄ隔て
た範囲内に位置している間継続する（ステップＳＴＰ
９、１０）。

【００４９】そして、突起検出センサ１２９が磁気ディ
スク１の情報記録領域を画する内周縁から外周方向へ距
離ｄ隔てた範囲を越えたら（ステップＳＴＰ９）、信号
切換手段１３１ａは突起検出センサ１２６のみから突起
検出信号を入力できるように切り換える（ステップＳＴ
Ｐ５）。そして、上述したステップＳＴＰ６〜８の処理
を、突起検出センサ１２９が磁気ディスク１の情報記録
領域を画する外周縁から内周方向へ距離２ｄ１＋ｄ＋ｄ
２隔てた範囲内に位置している間継続する（ステップＳ
ＴＰ９、１０）。

【００５０】そして、突起検出センサ１２９が磁気ディ
スク１の情報記録領域を画する外周縁から内周方向へ距
離２ｄ１＋ｄ＋ｄ２隔てた範囲内に位置したら（ステッ
プＳＴＰ９）、信号切換手段１３１ａは突起検出センサ
１２６及び１２８から突起検出信号を入力できるように
切り換える（ステップＳＴＰ５）。そして、上述したス
テップＳＴＰ６〜８の処理を、突起検出センサ１２９が
磁気ディスク１の情報記録領域を画する外周縁から内周
方向へ距離ｄ１＋ｄ＋ｄ２隔てた範囲内に位置している
間継続する（ステップＳＴＰ９、１０）。

【００５１】最後に、突起検出センサ１２９が磁気ディ
スク１の情報記録領域を画する外周縁から内周方向へ距
離ｄ１＋ｄ＋ｄ２隔てたところに位置、即ちスライダ１
２４の外周側の側面に搭載されている突起検出センサ１
２８が磁気ディスク１の情報記録領域を画する外周縁に
位置したときは（ステップＳＴＰ１０）、検査処理を終
了する。

【００５２】尚、上述した実施形態における突起検出セ
ンサ等の配置は限定されるものではなく、磁気ディスク
の情報記録領域を全面にわたって検査することができる
ような配置であれば良い。従って、通常の記録密度の磁
気ディスクであればスライダの後端面のみに突起検出セ
ンサを設け、また高記録密度の磁気ディスクであればス
ライダの側面のみに突起検出センサを設けるようにして
も良い。また、スライダを２個以上並設しても良く、そ
の分だけ検査時間を短縮させることができる。さらに、
移動ステージを各スライダ毎に設けて、各スライダ毎に
移動を制御するようにしても良い。また、信号切換手段
を設けずに、同一のディスク半径位置情報及びディスク
角度情報で検出された突起は同一であるとして処理する
ようにしても良い。

【００５３】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
磁気記録媒体上の突起を全面にわたって精度良く検出す
ることができるので、情報の記録再生の精度を向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の突起検出装置の実施形態を示す構成
図。

【図２】図１に示す突起検出装置に用いられる突起検出
センサの詳細例を示す第１の斜視図。

【図３】図１に示す突起検出装置に用いられる突起検出
センサの詳細例を示す第２の斜視図。

【図４】図２に示す突起検出センサの製造例を示す斜視
図。

【図５】図３に示す突起検出センサの製造例を示す斜視
図。

【図６】図２及び図３に示す突起検出センサの出力電圧
とヘッドスライダの浮上量との関係を示す図。

【図７】図２及び図３に示す突起検出センサの出力電圧
の波形を示す図。

【図８】磁気ディスクの全体形状を示す平面図及び磁気
ディスクの表面の部分形状を示す平面図。

【図９】図２及び図３に示す突起検出センサの出力電圧
の波形を示す図。

【図１０】図１に示す突起検出装置に用いられる突起検
出センサの配置例を示す平面図。

【図１１】図１に示す突起検出装置に図１０に示す突起
検出センサを用いたときの主要部の構成例を示すブロッ
ク図。

【図１２】この発明の突起検出方法の実施形態を説明す
るためのフローチャート。

【図１３】従来の突起検出方法を説明するための斜視
図。

【図１４】従来の突起検出方法で用いる突起検出センサ
の違いによるセンサ感度を示す図。

【符号の説明】

１、１１・・・磁気ディスク、１００・・・突起検出装
置、１１０・・・回転部、１１１・・・スピンドルモー
タ、１１２・・・回転盤、１１３・・・回転コントロー
ラ、１２０・・・突起検出部、１２１・・・移動ステー
ジ、１２２・・・サスペンション、１２４・・・スライ
ダ、１２５・・・ステージコントローラ、１２６、１２
７、１２８、１２９・・・突起検出センサ、１２６ａ、
１２７ａ、１２８ａ、１２９ａ、１２６ｂ、１２８ｂ、
１２９ｂ・・・リード線、１２６ｃ、１２７ｃ、１２８
ｃ、１２９ｃ・・・抵抗体、１３０・・・信号処理回
路、１３１・・・信号増幅回路、１３１ａ・・・信号切
換手段、１３２・・・信号比較回路、１３３・・・スラ
イスレベル信号記憶回路、１３４・・・データ出力回
路、１４１・・・記録媒体、１４２・・・表示装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気により情報が記録再生される磁気記
   録媒体上の突起を検出する方法において、 前記磁気記録媒体上を浮上するスライダの移動方向側の
   両側面近傍に少なくとも１個の突起検出センサをそれぞ
   れ搭載し、 前記スライダを移動させ、 前記各突起検出センサにて前記突起を検出することを特
   徴とする突起検出方法。
2. 【請求項２】 前記突起検出センサが、前記突起に衝突
   した際に得られるエネルギによる温度の変化を検知する
   抵抗体で成る請求項１に記載の突起検出方法。
3. 【請求項３】 磁気により情報が記録再生される磁気記
   録媒体上の突起を検出する方法において、 前記磁気記録媒体上を浮上するスライダの移動方向側の
   少なくとも一方の側面に少なくとも１個の突起検出セン
   サを搭載し、 前記スライダを移動させ、 前記突起検出センサにて前記突起を検出することを特徴
   とする突起検出方法。
4. 【請求項４】 前記突起検出センサが、前記突起に衝突
   した際に得られるエネルギによる温度の変化を検知する
   抵抗体で成る請求項３に記載の突起検出方法。
5. 【請求項５】 磁気により情報が記録再生される磁気記
   録媒体上の突起を検出する装置において、 前記磁気記録媒体上を浮上するスライダと、 前記スライダの移動方向側の両側面近傍に搭載された少
   なくとも１個の突起検出センサと、 前記スライダを移動させる移動手段と、 前記突起検出センサからの信号を処理する信号処理回路
   とを備えたことを特徴とする突起検出装置。
6. 【請求項６】 前記突起検出センサが、前記突起に衝突
   した際に得られるエネルギによる温度の変化を検知する
   抵抗体で成る請求項５に記載の突起検出装置。
7. 【請求項７】 磁気により情報が記録再生される磁気記
   録媒体上の突起を検出する装置において、 前記磁気記録媒体上を浮上するスライダと、 前記スライダの移動方向側の少なくとも一方の側面に搭
   載された少なくとも１個の突起検出センサと、 前記スライダを移動させる移動手段と、 前記突起検出センサからの信号を処理する信号処理回路
   とを備えたことを特徴とする突起検出装置。
8. 【請求項８】 前記突起検出センサが、前記突起に衝突
   した際に得られるエネルギによる温度の変化を検知する
   抵抗体で成る請求項７に記載の突起検出装置。