JPH1064790A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH1064790A JPH1064790A JP8221261A JP22126196A JPH1064790A JP H1064790 A JPH1064790 A JP H1064790A JP 8221261 A JP8221261 A JP 8221261A JP 22126196 A JP22126196 A JP 22126196A JP H1064790 A JPH1064790 A JP H1064790A
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Abstract
面収差変動を抑える。 【解決手段】 露光用の光源部1とは別にウエハ13上
のフォトレジストを感光しない波長の照明光IL2を射
出する光源部2を設ける。光源部1とレチクル10との
間の照明光IL1の光路上に、レチクル10側に傾斜し
た反射面を有するミラー6A,6Bからなる変形ミラー
5を設ける。光源部1からの露光用の照明光IL1は、
変形ミラー5の周囲の輪帯状の領域を通過し、非露光用
の照明光IL2は変形ミラー5の反射面で反射してレチ
クル10及び投影光学系12に向かう。その2つの照明
光IL1,1L2により投影光学系12の瞳面付近のレ
ンズを均一な照度分布で照明する。
Description
子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
マスク上のパターンの像を感光基板上に露光するために
使用される投影露光装置に関し、特に輪帯照明等を行う
か、又は中心遮光型の瞳フィルターを使用する投影露光
装置に適用して好適なものである。
に、マスクとしてのレチクル(又はフォトマスク等)の
パターンの像を投影光学系を介して、感光基板としての
フォトレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレー
ト等)上に転写するステッパー等の投影露光装置が使用
されている。これらの投影露光装置では、ウエハにでき
るだけ高集積度のパターンを露光するため、露光光とし
てできるだけ短波長の照明光を使用すると共に、投影光
学系の開口数(NA)を大きくして、転写されるパター
ンの解像度を上げるという努力がなされてきた。
ると、焦点深度が狭くなりすぎるため、開口数にあまり
依存することなく、或る程度以上の焦点深度を確保し
て、且つ高い解像度を得る方法として、露光光をレチク
ルに対して傾斜させて照明するという照明法が開発され
ている。この照明法には、照明光学系の2次光源の形状
を輪帯状とする輪帯照明及びその2次光源の形状を光軸
から偏心した複数(例えば4個)の小光源とする所謂変
形照明等がある。このような照明法によれば、同じ露光
波長、及び同じ投影光学系の開口数でも、投影光学系の
解像度が向上する。また、投影光学系の瞳面に輪帯状等
の瞳フィルターを配置して、所謂「超解像」により解像
度を向上させる方法も開発されている。
て、輪帯照明等を使用せず、レチクルをレチクルに対し
て垂直に入射する光束を中心として一様に分布する露光
光で照明する照明方法によれば、主にレチクルのパター
ンを通過した0次回折光、+1次回折光、及び−1次回
折光の3光束によってウエハ上にそのパターンの像を形
成するために、投影光学系の瞳面付近のレンズは中心部
も周辺部もほぼ一様に照明される。また、通常の照明法
のもとで投影光学系の瞳面に中心部を遮蔽する輪帯状の
瞳フィルターを配置しない場合も、投影光学系の瞳面の
近くのレンズは一様に照明される。このような照明状態
であれば、レンズの中心部が主に温度上昇するために、
位置に関して2次以下の関数となる熱変形や屈折率変化
が主に起こり、ガウス(Gauss)像面の移動だけが光軸付
近の主な収差変動として生じる。従って、投影光学系の
高次の球面収差変動が発生する恐れは少なかった。
を行った場合には、レチクルのパターンを通過した露光
用の照明光の内の主に0次回折光及び1次回折光によっ
てウエハ上にそのパターンの像を形成するため、投影光
学系の解像度の限界線幅に近いパターンが多い場合に
は、投影光学系の光軸付近を透過する光線の量が周辺部
に比べて極めて少なくなる。また、投影光学系の瞳面に
光軸付近を遮光した瞳フィルターを配置した場合でも、
瞳面よりもウエハに近い側に配置されているレンズの光
軸付近を透過する光線の量は周辺部に比べて極めて少な
くなる。
射エネルギーの分布が不均一になると、レンズの周辺部
が主に熱を吸収して温度上昇し、中心部が温度上昇しな
いという現象が起こる。このような温度上昇に比例し
て、部分的にレンズの屈折率が変動したり、レンズが熱
変形したりするので、2次よりも高次の非球面やそれに
相当する屈折率分布が新たに形成される。そのため、投
影光学系の光軸に近い部分では、露光光の照射によりガ
ウス像面の移動だけでなく、新たに高次の球面収差変動
が生じるという不都合があった。
照明等を用いるか、又は光軸付近を遮光する瞳フィルタ
ーを使用して露光を行う際に、投影光学系の高次の球面
収差変動を抑えて高い解像度が得られる投影露光装置を
提供することを目的とする。
露光装置は、例えば図1に示すように、露光用の照明光
(IL1)のもとでマスク(10)上のパターンの像を
感光基板(13)上に投影する投影光学系(12)と、
その投影光学系の瞳面、即ちマスク(10)のパターン
面に対する光学的フーリエ変換面(PS)と共役な面上
で光軸(AX)から偏心した領域に分布する光源(2次
光源を含む)からのその露光用の照明光(IL1)を用
いてそのマスク(10)を照明する照明光学系(1,
3,9)と、を有する投影露光装置において、その感光
基板(13)に対して非感光性の波長域の照明光(IL
2)をその投影光学系(12)の瞳面(PS)上でその
露光用の照明光(IL1)が通過しない領域に照射する
補助照明系(2)を設けたものである。
ば、投影光学系(12)の瞳面(PS)と共役な面上で
光軸(AX)から偏心した領域に分布する光源からの露
光用の照明光(IL1)を用いるとは、輪帯照明法や変
形照明法を用いることを意味する。この際に、投影光学
系(12)の瞳面近傍のレンズは主に光軸から偏心した
領域が露光用の照明光(IL1)により照明され、例え
ば所定の周期的パターンに対して高解像度が得られる。
また、補助照明系により投影光学系(12)の瞳面(P
S)上で露光用の照明光(IL1)が通過しない領域、
即ち光軸近傍の領域も感光基板に対して非感光性の照明
光(IL2)で照明されるため、投影光学系(12)の
瞳面(PS)に近いレンズに対する照度分布が均一にな
り、レンズの熱変形や屈折率の変化における高次の変動
成分が減少する。このためには、非感光性の照明光(I
L2)は、露光用の照明光(IL1)と同程度の吸収率
で投影光学系(12)のレンズ、又はこのレンズのコー
ティング膜で吸収される必要がある。レンズの球面収差
変動は、レンズの熱変形や屈折率の変化に比例するた
め、投影光学系(12)の高次の球面収差変動が抑えら
れる。但し、補助照明系(2)からの照明光(IL2)
は非感光性であるため、感光基板(13)上に転写され
る像には影響がない。
源、又は光軸に対して偏心した位置にある複数の光源か
らのその露光用の照明光(IL1)でそのマスク(1
0)を照明することが好ましい。これは、所謂輪帯照明
や変形照明による照明法を意味し、これにより高い解像
度が得られる。また、その照明光学系は、その露光用の
照明光(IL1)の照度分布を均一化するためのオプテ
ィカル・インテグレータ(24)を有し、このオプティ
カル・インテグレータとそのマスク(10)との間に、
その補助照明系(2)からの照明光(IL2)をそのマ
スク(10)に導く補助光導入部材(4,6A〜6D,
7A,7B)を設けることが好ましい。これにより、露
光用の照明光(IL1)と照明光(IL2)とを容易に
合成できる。
は、例えば図6に示すように、露光用の照明光(IL1
B)のもとでマスク(10)上のパターンの像を投影光
学系(12)を介して感光基板(13)上に投影する際
に、その投影光学系(12)の瞳面(PS)上で光軸
(AX)から偏心した領域を通過する結像光束を用いる
投影露光装置において、その露光用の照明光(IL1
B)及びその感光基板(13)に対して非感光性の照明
光(IL2B)をその投影光学系の瞳面(PS)に導く
合成照明光学系(1B,42,2B,4B,7A,8
A)と、その投影光学系(12)のその瞳面(PS)上
に配置され、その光軸から偏心した領域以外の領域では
その感光基板(13)に対して非感光性の照明光(IL
2B)のみをその感光基板側に通過させる波長選択性を
有する光学部材(5B)と、を有するものである。
ば、投影光学系(12)の瞳面(PS)上で光軸(A
X)から偏心した領域を通過する結像光束を用いるた
め、実質的に中心遮光型の瞳フィルターを用いるのと等
価となって高い解像度が得られる。この場合、光学部材
(5B)により、露光用の照明光(IL1B)は、輪帯
状等の領域のみを通過し、感光基板(13)に対して非
感光性の照明光(IL2B)は、その光軸から偏心した
領域以外の領域を通過する。従って、投影光学系(1
2)の瞳面(PS)近傍のレンズは、2つの照明光(I
L1B,IL2B)により均一な照度分布で照射される
ため、レンズの熱変形や屈折率の変化における高次の変
動成分が減少し、高次の球面収差変動も減少する。しか
も、非感光性の照明光(IL2B)は感光基板(13)
上の投影像には影響を与えない。
施の形態の第1の例につき図1〜図3を参照して説明す
る。本例は、レチクル上のパターンを投影光学系を介し
てウエハ上の各ショット領域に投影するステッパー型の
投影露光装置に本発明を適用したものである。
示し、この図1に示すように本例の投影露光装置には3
つの光源部(図1では2つの光源部1,2が現れてい
る)が設けられている。露光時には、第1の光源部1か
らはウエハ13上のフォトレジストに感光性の波長λ1
の照明光IL1が射出され、第2の光源部2及び不図示
の第3の光源部からはウエハ13上のフォトレジストに
非感光性の波長λ2の照明光IL2が射出される。光源
部1の水銀ランプよりなる光源21から射出された照明
光は、楕円鏡22によって第2焦点に集光した後、発散
光となって、不図示の干渉フィルター等に入射し、干渉
フィルターにより例えばi線(波長365nm)の照明
光IL1が抽出される。次に、照明光IL1はインプッ
トレンズ23により平行光束となってオプティカルイン
テグレータとしてのフライアイレンズ24に入射する。
フライアイレンズ24の各レンズエレメントの夫々の射
出面には2次光源が形成され、これらの2次光源により
面光源が作られる。フライアイレンズ24の射出面に
は、面光源の大きさを調整するための切り換え自在の複
数の開口絞り26A〜26C(図2(a)参照)が配置
されている。これらの開口絞り26A〜26Cは、ター
レット状の円板25に固定され、円板25を駆動装置2
5Aで回転することで所望の開口絞りをフライアイレン
ズ24の射出面に設定できる。
りの具体的な構成を説明するための平面図を示し、この
図2(a)において、3個の開口絞り26A〜26Cは
ターレット状の円板25の周辺に等角度間隔で固定され
ている。第1の開口絞り26Aは通常の照明を行う場合
に使用される円形開口を有し、第2の開口絞り26Bは
小さいコヒーレンスファクタ(σ値)で照明を行う場合
に使用される小さい円形開口を有する。第3の開口絞り
26Cは、大きな円形開口を有し、本例では輪帯照明、
又は変形照明を行う場合にその第3の開口絞り26Cを
フライアイレンズ24の射出面に設定する。即ち、通常
輪帯照明時には図2(b)に示す輪帯状の開口絞り26
Dが使用され、変形照明時には図2(c)に示す光軸を
中心として配置された4個の小さい開口を有する開口絞
り26Eが使用される。しかし、本例では後述の変形ミ
ラー5等によって、実質的に開口絞り26D等が兼用さ
れる。図1では第3の開口絞り26Cが照明光IL1の
光路上に配置されている。
は、第1リレーレンズ27を透過し、視野絞り(レチク
ルブラインド)28により照明範囲が規定される。照明
範囲が規定された照明光IL1は、光源部1から射出さ
れて第2リレーレンズ3を介して、照明光学系の光軸A
Xを中心として第2リレーレンズ3側に凹の4角錐状に
配置された4枚のミラー6A〜6D(図1ではその内の
2枚のミラー6A,6Bを示す)からなる変形ミラー5
の周囲を通過する。変形ミラー5の4枚のミラーの反射
面は外側を向き、照明光学系の光軸AXに対してほぼ4
5°傾斜している。更に、変形ミラー5の上面は、開口
絞り26Cの配置面に共役な位置に配置されている。変
形ミラー5の周囲を通過した照明光IL1は、コンデン
サレンズ9を経てレチクル10に入射する。
クル10側からみた図を示し、この図3(a)におい
て、ミラー6A〜6Dは互いに等しい形状で、照明光学
系の光軸AXを頂点とする4角錐を形成するように密接
して配置されている。また、ミラー6A〜6Dの底面の
外形17は、全体として光軸AXを中心とする1つの円
周を形成している。そして、その外形17と図1の開口
絞り26Cの開口の像の外周16との間の輪帯状の領域
15を照明光IL1が通過するように構成されている。
即ち、本例の変形ミラー5は、輪帯状の開口絞りを兼用
している。
8によって照明光IL1の光路外に退避できると共に、
別の変形ミラーと交換できるように構成されている。次
に、第2の光源部2は非露光用の光源、及びその光源か
らの光束を所定の拡がり角で放出するレンズ系等を含ん
で構成されている。そして、レチクル10の左上部に配
置された光源部2から射出されたフォトレジストに非感
光性の照明光IL2は、リレーレンズ4により平行光束
にされ、一部が照明光学系の光軸AXと直交する方向か
ら変形ミラー5中のミラー6Aに入射する。照明光IL
2の一部はミラー6Aにより下方に向けて反射される。
ミラー6Aの下方を通過した照明光IL2は、ミラー7
A,7Bにより反射されて変形ミラー5中のミラー6B
に入射し、ミラー6Bにより反射された光束は、ミラー
6Aで反射された光束と共にコンデンサレンズ9に入射
する。不図示であるが、光源部2、リレーレンズ4、及
びミラー7A,7Bよりなる光学系と同様の光学系は図
1の紙面に垂直な方向にも配置されており、この図1の
紙面に垂直な方向に配置された第3の光源部からのフォ
トレジストに非感光性の照明光(これも照明光IL2と
する)は、変形ミラー5中のミラー6C,6D(図3参
照)により下方に反射される。従って、照明光IL2
は、図3(a)において照明光IL1が通過する輪帯状
の領域15の内側の円形の領域で反射される。
した照明光IL1、及び変形ミラー5により反射された
照明光IL2は、共にコンデンサレンズ9によりレチク
ル10上に照射される。レチクル10上に照射された照
明光IL1,IL2は、レチクル上のパターン領域を通
過し、投影光学系12を介してウエハ13上に照射され
る。露光用の照明光IL1のもとで、投影光学系12に
関してレチクル10のパターン面とウエハ13の表面と
は共役であり、照明光IL2は、ウエハ13上のフォト
レジストに非感光性であるため、その露光用の照明光I
L1により照明されたレチクル10上のパターン像だけ
がウエハ13上のフォトレジストを感光させる。この場
合、投影光学系12内の瞳面PS、即ちレチクル10の
パターン面に対する光学的フーリエ変換面は開口絞り2
6Cの配置面ひいては変形ミラー5の上面と共役であ
り、瞳面PSには開口絞りASが配置されている。
波長λ2は、フォトレジストの種類及び投影光学系12
のレンズを形成する硝材の種類等により異なるが、通常
の場合、波長λ1は530nm未満、波長λ2は530
nm以上の波長を選択する。露光用の照明光IL1とし
ては、本例では水銀ランプのi線が使用されているが、
それ以外に水銀ランプのg線(波長436nm)等の輝
線、ArFエキシマレーザ光(波長193.2nm)や
KrFエキシマレーザ光(波長248.5nm)、ある
いは銅蒸気レーザやYAGレーザの高調波等が使用でき
る。また、照明光IL2としては、フォトレジストを感
光させない波長で、レンズの硝材又はコーティング膜で
の単位面積当たりの光吸収量が全体として照明光IL1
に近いものが好ましい。その意味から、照明光IL2と
しては、光吸収率が小さいときには光源の光強度が強
く、一方光源の光強度が小さいときには、投影光学系1
2のレンズの硝材又はコーティング膜に対する光吸収率
のできるだけ大きなものが好ましい。照明光IL2の一
例としては、例えばHe−Neレーザからのレーザビー
ム(波長633nm)等が挙げられる。
て、石英や紫外域から近赤外域までの透過率が良好な所
定のガラスが使用された場合、これらの硝材は、約2μ
m以上の長い波長からかなりの光吸収率を有するので、
照明光IL2として、フッ化水素(HF)ガスの化学反
応を利用したHF化学レーザ光(波長2.4〜3.4μ
m)等を使用してもよい。また、石英以外の光学ガラス
は、不純物を含んでいるため、530nm以上の波長で
も1%/cmに近い光吸収率を有するものもあり、この
ような1%/cmに近い光吸収率を有する照明光でも十
分有効である。このような照明光の例としては、水素
(H2)放電管からのC線(波長656.3nm)やヘリ
ウム(He)放電管からのd線(波長587.6nm)
等が挙げられる。図1において、照明光学系の光軸AX
は投影光学系12の光軸と合致しており、以下では光軸
AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な2次元平面上で
図1の紙面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を取
って説明する。
方向に微動可能なレチクルステージ11上に載置されて
いる。レチクルステージ10の位置は外部のレーザ干渉
計(不図示)により精密に計測されており、そのレーザ
干渉計の測定値に基づいてレチクルステージ11の位置
が制御されている。一方、ウエハ13は不図示のウエハ
ホルダを介してX方向、Y方向、及びZ方向にウエハを
位置決めするウエハステージ14上に載置され、ウエハ
ステージ14の位置は、外部のレーザ干渉計により精密
に計測されており、その計測値に基づいてウエハステー
ジ14の位置が制御されている。ウエハステージ14に
よりウエハ13の各ショット領域の中心を投影光学系1
2の露光中心に移動する動作と、露光動作とがステップ
・アンド・リピート方式で繰り返されて、レチクル10
上のパターンの像がウエハ13上の各ショット領域に転
写される。
説明する。本例では、先ず図1に示すように、大きな開
口を有する開口絞り26Cと、変形ミラー5とを組み合
わせて露光用の照明光IL1で実質的に輪帯照明を行っ
ているため、例えば所定の周期的なパターンに対して高
い解像度が得られる。また、図3(a)に示すように、
投影光学系12の瞳面PSとほぼ共役な面上で、フォト
レジストに感光性の照明光IL1は輪帯状の領域15を
通過し、変形ミラー5の反射面により反射されたフォト
レジストに非感光性の照明光IL2は、領域15の内側
の領域を通過する。このような照明状態で、照明光IL
1,IL2を図1のレチクル10を経て投影光学系12
に入射させると、投影光学系12の瞳面PS上で、照明
光IL1,IL2は全体として光軸AXを中心とする円
形領域内を通過する。従って、その瞳面PSの付近の投
影光学系12のレンズは周辺部ばかりでなく中心部も熱
エネルギーを吸収して温度上昇する。そのため、瞳面P
S付近のレンズでは熱変形や屈折率変化の2次の変動成
分の割合が高次の変動成分に対して大きくなる。投影光
学系12の球面収差変動は、瞳面PS付近のレンズの熱
変形や屈折率の変化にほぼ比例するため、球面収差変動
も2次の成分が多くなり、投影光学系12の高次の球面
収差変動が抑えられる。
を使用したが、本例では図2(c)に示す変形照明用の
開口絞り26Eを兼用する4角錐状の変形ミラー5A
(図3(b)参照)も用意されている。即ち、変形照明
を行うときには、図1の退避交換装置8を介して変形ミ
ラー5の代わりに変形ミラー5Aを照明光IL1の光路
上に設定する。
Aを図1のレチクル10側から見た図を示し、この図3
(b)において、変形ミラー5Aを構成する4個のミラ
ー19A〜19Dは互いに等しい扇状で、光軸AXを頂
点とするレチクル10に凸面を向けた4角錐を形成する
ように密接して配置されている。また、ミラー19A〜
19Dはレチクル10側の面が反射面となっており、ミ
ラー19A〜19Dのレチクル10から見た外形は全体
として光軸AXを中心とする1つの円周16Aとなって
いる。この円周16Aは、図3(a)の照明光IL1が
通過する円形の領域の外周16とほぼ等しい。また、各
ミラー19A〜19Dの外形の円周16Aの内側に等角
度間隔で、レチクル10側から見て円形の透過部18A
〜18Dが形成され、この透過部18A〜18Dを図1
の露光用の照明光IL1が透過するように構成されてい
る。この変形ミラー5Aが、図2(c)の変形照明用の
開口絞り26Eを兼用している。
1の退避交換装置8を介して、図1の変形ミラー5の代
わりに変形ミラー5Aを角錐の頂点が光軸AXに一致す
るように、且つその頂点をレチクル10側に向けて配置
する。これによって、照明光IL1は4個の透過部18
A〜18Dを透過して図1のレチクル10上に照射され
る。一方、非露光用の照明光IL2は、図3(b)の円
周16A内で透過部18A〜18Dを除く領域で反射さ
れてレチクル10上に照射される。変形ミラー5Aの上
面は投影光学系12の瞳面PSと共役であるため、投影
光学系12の瞳面PS上では、光軸AXを中心とする円
形の領域が照明光IL1及びIL2によって照明され
る。従って、変形照明法で高い解像度が得られると共
に、高次の球面収差変動が抑えられる。しかも、非露光
用の照明光IL2は結像特性には悪影響を与えない。ま
た、図1において、通常の照明法を用いるときには、退
避交換装置8を介して変形ミラー5,5Aを照明光IL
1の光路から退避させて、開口絞りとして図2(a)の
開口絞り26A,26Bを設定すればよい。
ラー5,5Aの反射面でフォトレジストに感光性の照明
光IL1を反射し、フォトレジストに非感光性の照明光
IL2の一部を遮光するような構成にしてもよい。この
ような構成にする場合は、図1において、光源部1,2
及び関連する光学系の配置を入れ換えると共に、例えば
図3(a)の変形ミラー5の代わりに、中央部に照明光
IL2が透過するように円形の透過部を設け、その透過
部の周辺に照明光IL2に対して直交する方向から入射
する照明光IL1を反射する輪帯状の反射面を有する変
形ミラーを使用すればよい。
形例について、図4を参照して説明する。本変形例は、
露光用の照明光とフォトレジストに非感光性の照明光と
を予め合成し、その合成光をレチクル10の手前に設け
た波長選択性を有する開口絞りにより再び2つの照明光
に分けて、レチクル10を照明するように構成したもの
である。図4において図1に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明を省略する。
成を示し、この図4において、図1の光源部1と同様に
フォトレジストに対して感光性の照明光IL1Aを射出
する光源部1Aと、図1の光源部2と同様にフォトレジ
ストに対して非感光性の照明光IL2Aを射出する光源
部2Aとを互いに位置を代える形で配置している。そし
て、それらの照明光IL1Aと照明光IL2Aとが交差
する位置に偏光ビームスプリッター31を配置してい
る。本変形例の照明光IL1A及びIL2Aはそれぞれ
P偏光の直線偏光であるとする。光源部2Aの視野絞り
から射出された波長λ2のP偏光の照明光IL2Aは、
リレーレンズ4Aにより平行光束にされて偏光ビームス
プリッター31を透過し、1/4波長板34により円偏
光に変換される。一方、光源部1Aの視野絞りから射出
され、リレーレンズ3Aにより平行光束にされたP偏光
の照明光IL1Aは、照明光IL2Aの光路に直交する
方向から偏光ビームスプリッター31を透過して、1/
4波長板32を経てミラー33により反射されて再び1
/4波長板32に入射してS偏光に変換される。S偏光
に変換された照明光IL1Aは、偏光ビームスプリッタ
ー31により反射されて、1/4波長板34に入射し、
円偏光に変換される。1/4波長板34により円偏光に
変換された照明光IL1A,IL2Aは、リレーレンズ
35及び36を経て波長選択性を有する開口絞り37に
入射する。
し、この図5(a)において、開口絞り37は波長λ1
の照明光IL1Aを透過し、波長λ2の照明光IL2A
を殆ど透過しない輪帯状の光学フィルター39と、波長
λ2の照明光IL2Aを透過し、波長λ1の照明光IL
1を殆ど透過しない円形の光学フィルター38とから構
成されている。また、開口絞り37は中心が光軸AXに
合致するように投影光学系12の瞳面PSと共役な面上
に配置されている。そして、光源部1Aからの照明光I
L1Aは輪帯状の光学フィルター39を含む領域に照射
され、光源部2Aからの照明光IL2Aは円形の光学フ
ィルター38を含む領域に照射されている。
れた2つの照明光IL1A,IL2Aは、開口絞り37
を通過した後、コンデンサレンズ9を介してレチクル1
0上に照射される。レチクル10のパターン像は投影光
学系12を介してウエハ13上に投影される。投影光学
系12の瞳面PS上では、第1の例と同様の照明光IL
1A,IL2Aがほぼ円形の領域を通過する。以下の照
明光IL1A,IL2Aの光路は第1の例と同様につき
説明を省略する。
の球面収差低減効果が得られると共に、波長選択性を有
する開口絞り37により照明光IL1A,IL2Aの通
過領域を規定するため、第1の例のように変形ミラー5
を用いるという複雑な構成が不要である。また、波長λ
2の光源部2Aが1つで済むため、装置全体をコンパク
トに構成できる。また、偏光ビームスプリッター31で
合成された直線偏光の2光束は、1/4波長板34によ
って円偏光に変換されるので、ウエハ13上に結像する
際に、レチクル10のパターンの方向が変わっても良好
な転写が行われる。なお、偏光ビームスプリッター31
に代えて図4の2点鎖線で示すように、ダイクロイック
ミラー31Aを使用することもできる。このダイクロイ
ックミラー31Aは、照明光IL2Aを透過して、照明
光IL1Aを反射する波長選択性を有し、これによって
両照明光IL1A,IL2Aが無駄なく合成される。こ
の際には1/4波長板32,34及びミラー33は不要
となり、構成が簡単となる。また、図4の開口絞り37
は、図1の退避交換装置8と同様の装置によって変形照
明用の開口絞り37Aと交換できるように構成されてい
る。
開口絞り37の代わりに用いられる波長選択性を有する
開口絞り37Aの平面図を示し、この図5(b)におい
て、開口絞り37Aは、波長λ1の照明光IL1Aを透
過し、波長λ2の照明光IL2Aを殆ど透過しない4個
の小さい円形の光学フィルター40A〜40D、及びこ
れらの光学フィルター40A〜40Dを除く領域で波長
λ2の照明光IL2Aを透過し、波長λ1の照明光IL
1Aを殆ど透過しない外形が円形の光学フィルター41
から構成されている。光学フィルター41は、図5
(a)の光学フィルター39の外径とほぼ等しい外径を
もち、その外周近くに等角度間隔で形成された4個の小
さな円形の開口部を有し、それら4個の開口部にそれぞ
れ光学フィルター40A〜40Dが設けられている。露
光用の照明光IL1Aは、4個の光学フィルター40A
〜40Dを通過し、フォトレジストに非感光性の照明光
IL2Aは、その光学フィルター40A〜40Dの周囲
の光学フィルター41を通過する。これによって変形照
明が行われると共に、高次の球面収差変動が抑制され
る。
て、光源部1Aからの照明光IL1Aが透過する光学フ
ィルター38及び40A〜40Dとしては、できるだけ
光源部2Aからの照明光IL2Aを透過しないものが、
高次の球面収差変動を低減する効果が大きく、望まし
い。次に、本発明の投影露光装置の実施の形態の第2の
例について図6を参照して説明する。本例は、輪帯状の
瞳フィルターを使用する場合に本発明を適用したもので
ある。なお、図6において図1に対応する部分には同一
符号を付し、その詳細説明を省略する。
示し、この図6において、簡単のため、投影光学系12
を上部レンズ系12A及び下部レンズ系12Bに分けて
説明する。本例では、それらの上部レンズ系12A及び
下部レンズ系12Bの間の瞳面PSの近傍に図1の変形
ミラー5と同様の4角錐型の変形ミラー5Bを配置して
いる。図1の光源部1と同様の光源部1Bの視野絞りか
ら射出されたフォトレジストに感光性の波長λ1の照明
光IL1Bは、コンデンサレンズ42を介してレチクル
10上に照射される。光源部1B内の開口絞りは図2
(a)の開口絞り26Cと同様の大きな円形である。レ
チクル10を透過した照明光IL1Bは、上部レンズ系
12Aにより光学的にフーリエ変換されて、変形ミラー
5Bの周囲を通過する。この変形ミラー5Bにより、フ
ォトレジストに感光性の照明光IL1Bが光軸AXを中
心とする円形領域で遮光される。即ち、変形ミラー5B
は輪帯状の瞳フィルターを兼用している。一方、図1の
光源部2と同様の光源部2Bから射出された波長λ2の
フォトレジストに非感光性の照明光IL2Bは、リレー
レンズ4Bで平行光束にされた後、一部が変形ミラー5
Bの第1の反射面でウエハ13側に向けて反射される。
この場合、図1の第1の例と同様に変形ミラー5Bの下
方を通過した照明光IL2Bを反射して、変形ミラー5
Bの第2の反射面に入射させるためのミラー7A,8A
が配置されている。
に、変形ミラー5Bの第3及び第4の反射面に対して波
長λ2の照明光を供給する光源部等が設けられている。
変形ミラー5Bで反射された照明光IL2Bは、下部レ
ンズ系12Bを介してウエハ13上に照射される。本例
では、投影光学系12の瞳面PSに配置された変形ミラ
ー5Bにより露光用の照明光IL1Bの光軸AX近傍の
領域が遮光されるため、所定のパターンに対して輪帯状
の中心遮光型の瞳フィルターを設置した場合と同様の高
い解像度が得られる。また、下部レンズ系12Bの硝材
は、2波長の照明光IL1B,IL2Bにより均一な照
度分布で照明されるため、高次の熱変形や屈折率の変化
が抑えられ、投影光学系12の高次の球面収差変動が抑
えられる。
いて補足したように、変形ミラー5Bの反射面でフォト
レジストに感光性の照明光IL1Bを反射し、それ以外
の部分でフォトレジストに非感光性の照明光IL2Bを
透過させるような構成にしてもよい。このような構成に
する場合は、図6において、光源部1B,2B、レチク
ル10、上部レンズ系12A、及び関連する光学系の配
置を入れ換えると共に、変形ミラーとして、中央部に照
明光IL2Bが透過するように円形の開口を設け、その
開口部の周辺に照明光IL2Bに対して直交する方向か
ら入射する照明光IL1Bに対して輪帯状の反射面を有
する変形ミラーを使用すればよい。
形例について、図7を参照して説明する。本変形例の投
影露光装置の投影光学系までの構成は、図4の第1の例
の変形例とほぼ同様であり(但し、開口絞り37が省か
れている)、図7において図4及び図6に対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。図7
は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図7に
おいて、投影光学系12の上部レンズ系12A及び下部
レンズ系12Bの間の瞳面PSの近傍に図5(a)の開
口絞り37と同様の波長選択性を有する開口絞り43を
配置している。光源部2Aから射出されたフォトレジス
トに非感光性の波長λ2の照明光IL2A、及び光源部
1Aから射出されたフォトレジストに感光性の波長λ1
の照明光IL1Aは、偏光ビームスプリッター31で合
成され、レチクル10を透過して投影光学系12の上部
レンズ系12Aで光学的にフーリエ変換されて、開口絞
り43に入射する。開口絞り43には、図5(a)と同
様にフォトレジストに感光性の照明光IL1Aのみを透
過する輪帯状の光学フィルターと、その内側でフォトレ
ジストに非感光性の照明光IL2Aのみを透過する円形
の光学フィルターとが形成されており、開口絞り43は
照明光IL1Aに対して中心遮光型の瞳フィルターとし
て作用する。もう一方の照明光IL2Aは照明光IL1
Aが遮光された円形領域を通過した後、下部レンズ系1
2Bを介してウエハ13上に入射する。
に配置された開口絞り43により、図6の例と同様に高
い解像度が得られる。また、下部レンズ系12Bの硝材
は、2つの照明光IL1A,IL2Aにより均一な照度
分布で照明されるため、高次の球面収差変動が抑えられ
る。なお、光源部1Aからの照明光IL1Aを透過する
光学フィルターとしては、光源部2Aからの照明光IL
2Aをできるだけ透過しない光学フィルターが、高次の
収差を低減する効果が大きく望ましい。なお、図4の例
と同様に、偏光ビームスプリッター31に代えてダイク
ロイックミラーを使用してもよい。
学系12のレンズに対する照度分布が均一化され、高次
の収差変動が抑えられることを計算例に基づいて説明す
る。先ず、照明光の照射による上昇後の温度分布を計算
する。レンズを円筒形に近似して、レンズの側面から周
辺の空気を通して熱が流出せず、レンズの縁が金属と接
することにより、その縁からのみ熱が流出し、レンズに
おける吸収エネルギー密度分布が光軸AXの回りの角度
に対して一定であるとする。そのレンズの半径方向の距
離を表す変数をrとすれば、上昇後の温度分布は変数r
の関数T(r)となり、レンズの単位体積当たりの熱吸
収量及び熱伝導率をそれぞれ、ω(r)及びλとし、レ
ンズの外半径をaとすると、熱平衡状態での円筒座標系
での熱伝導方程式は、次式のように表せる。
(r)/λ=0 この熱伝導方程式を解くと、次式のようになる。
(n=0,1,2,…)のベッセル(Bessel)関数で、
pi はJ1(pi ・a)=0を満たす数列である(i=
1,2,3,…)。また、係数Bi は次式により求めら
れる。
(照射半径)内で階段状の関数で表されるとき、即ち或
るj(1≦j≦N)において、変数rが、hj ≦r≦h
j+1を満たす区間において、熱吸収量ω(r)が一定値
ωj をとるとき、次の関係が成立する。
とにより係数Bi が求められ、この係数Bi を(数2)
に代入することにより、上昇後の温度分布T(r)が求
められる。次に、上昇後の温度分布T(r)により、ど
の次数の収差変動が多く現れるかを調べるために、上昇
後の温度分布T(r)を以下のように最小2乗法でr10
の項までベキ級数展開すると、次式のようになる。
6 ・r6 +C8 ・r8+C10・r10 この場合、上昇後の温度分布T(r)の単位は℃、変数
rの単位はmmである。また、T0 は、光軸AX、即ち
変数rが0の位置における上昇後の温度分布T(0)で
ある。
説明する。投影光学系の入射側の開口数(NA)に対す
る照明光学系の出射側の開口数の比の値(コヒーレンス
ファクタ)をσ値とし、このσ値を0.75に設定す
る。そして、σ値が0.75の照明系によって外半径4
0mmの円筒形の石英からなるレンズが照明され、レン
ズ上の照射領域の半径dが30mmであるような場合に
ついて、(数2)〜(数4)の熱伝導方程式の解に基づ
いて計算する。石英の熱伝導率を0.0138W/(c
m・℃)とし、ウエハ上のフォトレジストに感光性の照
明光に対するレンズの熱吸収率を2%/cmとする。
光の全照射エネルギー量が1Wで、σ値が0.75の範
囲内でレンズが一様に照射されている場合について計算
する。図8(a)は、第1の計算例による上昇後の温度
分布T(r)を示し、横軸は変数r、縦軸は上昇後の温
度分布T(r)を表す。実線の曲線46Aに示すよう
に、上昇後の温度分布T(r)は原点、即ち光軸AXに
最大値を有し、光軸AXに関して軸対称な山型の変化を
示す。なお、参考として、照明光の照射エネルギー密度
P(r)を点線47Aにより示す。照射エネルギー密度
P(r)は、変数rが0〜d(照射半径)の間で一定の
値P1となる。また、光軸AXでの温度分布T0 、及び
温度分布T(r)を(数5)によりベキ級数に展開した
ときの係数C2 〜C10を表1に示す。
の計算例は輪帯照明だけ行われた場合の例であり、第1
の計算例と同様に比較のための計算例である。σ値は最
大で0.75で、輪帯の内側のσ値は0.5である。そ
のσ値が0.5〜0.75の間でレンズが一様に照明さ
れ、全照射エネルギー量が1Wである場合について上昇
後の温度分布T(r)を計算したものである。
の温度分布T(r)を示し、この図4(b)において、
実線の曲線46Bに示すように、上昇後の温度分布T
(r)は変数rがほぼ0〜eの間で一定の上昇温度TB
となる。点線47Bで示す照射エネルギー密度P(r)
は、変数rがe〜dの間で一定の値P2となり、変数r
が0〜eの間では0となっている。第1の計算例と同様
に、光軸AXでの上昇後の温度分布T0 、及び上昇後の
温度分布T(r)を(数5)によりベキ級数に展開した
ときの係数C2 〜C10を表2に示す。
の計算例は、図1、図4、図6、図7に示す実施の形態
のように、ウエハ13上のフォトレジストに感光性の照
明光及びそのフォトレジストに非感光性の照明光の2つ
の照明光によりレンズが照明されている場合の上昇後の
温度分布T(r)を求めるものである。この場合、σ値
が0.75から0.5の範囲内では、フォトレジストに
感光性の照明光により全照射エネルギー量が1Wでレン
ズが一様に照明され、σ値が0.5から0.0の範囲内
においては、フォトレジストに非感光性の波長の照明光
により、照射エネルギー密度P(r)がσ値が0.75
から0.5の範囲での照射エネルギー密度の1/2にな
るようにレンズが照明されているものとする。
の温度分布T(r)を示し、この図4(c)において、
実線の曲線46Cに示すように、上昇後の温度分布T
(r)は原点、即ち光軸AXに最大値TCを有し、光軸
AXに関して軸対称な山型の変化を示す。また、照射エ
ネルギー密度P(r)は階段状に変化する点線47Cに
示すように、変数rがe〜dの間で一定の値P2とな
り、変数rが0〜eの間では一定の値P3(=P2/
2)となっている。また、光軸AXでの温度分布T0、
及び温度分布T(r)を(数5)によりベキ級数に展開
したときの係数C2 〜C10を表3に示す。
全照射エネルギー量を1Wとし、第3の計算例において
は、σ値が0.75から0.5の範囲内における照射エ
ネルギー量を1Wとしている。この第3の計算例におい
ては、σ値が0.5〜0.0の範囲における照射エネル
ギー量を加えると、全照射エネルギー量は1Wを超え
る。これは、第1〜第3の計算例におけるウエハ13上
のフォトレジストに感光性の照明光の照射エネルギー量
を等しくして、露光時間(スループット)が等しくなる
ように設定したものである。
と、第2の計算例に示す照明形態(輪帯照明)とを比較
した場合、表1及び表2で示すように、輪帯照明の方が
一様照明に比較して、光軸AXにおける上昇温度が低
い。それにもかかわらず、例えばベキ級数の係数C4 を
比較すると、一様照明の場合の係数C4 の値が、4.4
000×10-8に対して、輪帯照明の場合の係数C4
は、2.7328×10-7と、輪帯照明の方が大きくな
っている。即ち、一様照明と輪帯照明とを比較すると、
係数C2 以外のベキ級数の係数の絶対値は全て輪帯照明
の方が大きくなっている。熱変形や屈折率変化は上昇後
の温度分布T(r)に比例するので、収差変動も上昇後
の温度分布T(r)に比例する。係数C2 より高次のベ
キ級数の係数が全て輪帯照明の方が大きいということ
は、輪帯照明の方が高次の収差変動が大きいことを意味
する。
施の形態での照明形態を「合成照明」とすれば、合成照
明により光軸近傍にも照明光を照射すると、第3の計算
例に示すように、全照射量が一様照明や輪帯照明よりも
多いのにもかかわらず、表1及び表2に示すように、係
数C4 の値(=1.7624×10-7)は、輪帯照明で
の係数C4 の値(=2.7328×10-7)よりも小さ
くなっている。更に、係数C6,C8,C10の絶対値を比較
すると、何れの係数においても合成照明の方が輪帯照明
よりも小さくなっている。これは、合成照明により高次
の収差変動が小さくなることを意味する。
〜0.5の間における照射エネルギー密度を、σ値が
0.5〜0.75の間における密度分布の1/2とした
が、σ値が0〜0.75の範囲において全て一様な照射
エネルギー分布により照射されている場合の温度分布T
(r)について計算し、図4(b)の輪帯照明の場合と
比較してみる。
(b)の照射エネルギー密度P2との間には、P2=
1.8・P1の関係が成立する。従って、図8(b)の
ような輪帯照明において、σ値が0.5以内の範囲も輪
帯照明領域と等しい照射エネルギー密度で照射する場合
には、図8(a)において、照射エネルギー密度を1.
8倍した状態と等価である。従って、ベキ級数の係数も
全て1.8倍されるので、表1における係数C4,C6,C
8,C10はそれぞれ、7.9200×10-8,−1.78
21×10-10 ,1.4937×10-13 ,−3.73
41×10-17 となる。これらの係数の値を表2のそれ
ぞれの係数と比較した場合、光軸AX近傍の上昇後の温
度分布T0 が輪帯照明の場合よりもかなり大きいにもか
かわらず、係数C4 〜C10までの係数は輪帯照明の場合
より全て小さくなっている。即ち、合成照明によりσ値
が0〜0.75の範囲内において、輪帯照明と同じ照射
エネルギー密度P2で照射した場合でも、輪帯照明の場
合より高次の収差変動が少ないことを意味している。
投影露光装置に本発明を適用したものであるが、本発明
はステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型
の投影露光装置にも適用できる。なお、本発明は上述の
実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
投影光学系の瞳面と共役な面上で光軸から偏心した領域
に分布する光源からの露光用の照明光を用いるため、例
えば輪帯照明又は変形照明を行う場合と同じような解像
力向上の効果が得られる。また、輪帯照明や変形照明を
行う場合に露光用の照明光が通過しない領域に、非感光
性の照明光を照射しているため、投影光学系のレンズの
高次の熱変形や屈折率変化が減少し、投影光学系の高次
の球面収差変動が抑えられる利点がある。
光軸に対して偏心した位置にある複数の光源からの露光
用の照明光でマスクを照明する場合には、所謂輪帯照明
や変形照明により高い解像度が得られる。また、照明光
学系が、露光用の照明光の照度分布を均一化するための
オプティカル・インテグレータを有し、オプティカル・
インテグレータとマスクとの間に、補助照明系からの照
明光をマスクに導く補助光導入部材を設ける場合には、
露光用の照明光と非感光性の照明光とを瞳面と共役な面
上で正確に分離した状態でマスクを照明でき、結像特性
が劣化しない利点がある。
ば、波長選択性を有する光学部材によって投影光学系の
瞳面上で光軸から偏心した領域を通過する結像光束を用
いるため、輪帯状の中心遮光型の瞳フィルターを設置し
た場合と同様の解像度が得られる利点がある。更に、投
影光学系の瞳面近傍のレンズは、露光用の照明光と感光
基板に非感光性の照明光との2つの照明光により均一な
照度分布で照射されるため、レンズの熱変形や屈折率の
高次の変動成分が減少し、投影光学系の高次の球面収差
変動が減少する利点がある。
を示す概略構成図である。
す拡大平面図である。
見た図、(b)は別の変形ミラー5Aをレチクル側から
見た図である。
概略構成図である。
(b)は別の開口絞り37Aを示す平面図である。
を示す概略構成図である。
構成図である。
による温度分布計算例を説明するための図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 露光用の照明光のもとでマスク上のパタ
ーンの像を感光基板上に投影する投影光学系と、 前記投影光学系の瞳面と共役な面上で光軸から偏心した
領域に分布する光源からの前記露光用の照明光を用いて
前記マスクを照明する照明光学系と、を有する投影露光
装置において、 前記感光基板に対して非感光性の波長域の照明光を前記
投影光学系の瞳面上で前記露光用の照明光が通過しない
領域に照射する補助照明系を設けたことを特徴とする投
影露光装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の投影露光装置であって、 前記照明光学系は、輪帯状の光源、又は光軸に対して偏
心した位置にある複数の光源からの前記露光用の照明光
で前記マスクを照明することを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項3】 請求項1、又は2記載の投影露光装置で
あって、 前記照明光学系は、前記露光用の照明光の照度分布を均
一化するためのオプティカル・インテグレータを有し、 該オプティカル・インテグレータと前記マスクとの間
に、前記補助照明系からの照明光を前記マスクに導く補
助光導入部材を設けたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項4】 露光用の照明光のもとでマスク上のパタ
ーンの像を投影光学系を介して感光基板上に投影する際
に、前記投影光学系の瞳面上で光軸から偏心した領域を
通過する結像光束を用いる投影露光装置において、 前記露光用の照明光及び前記感光基板に対して非感光性
の照明光を前記投影光学系の瞳面に導く合成照明光学系
と、 前記投影光学系の瞳面上に配置され、前記光軸から偏心
した領域以外の領域では前記感光基板に対して非感光性
の照明光のみを前記感光基板側に通過させる波長選択性
を有する光学部材と、を有することを特徴とする投影露
光装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3646757B2 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022614A1 (ja) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2005166871A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2005078774A1 (ja) | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2007139773A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Carl Zeiss Smt Ag | 光学撮像システムの測定装置および操作方法 |
| JP2008135742A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 |
| JP2008219010A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、リソグラフィ装置 |
| JP2010153878A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-08 | Nikon Corp | 偏光変換部材、照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2010157743A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-15 | Nikon Corp | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2010541292A (ja) * | 2007-10-09 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
| US7903234B2 (en) | 2006-11-27 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
| US8027025B2 (en) | 2007-06-27 | 2011-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9146477B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9366857B2 (en) | 2007-03-27 | 2016-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Correction of optical elements by correction light irradiated in a flat manner |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9965578B2 (en) | 2012-10-31 | 2018-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Compensation for patterning device deformation |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN111948910A (zh) * | 2019-05-17 | 2020-11-17 | 佳能株式会社 | 曝光装置、曝光方法、决定方法和物品制造方法 |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP22126196A patent/JP3646757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US7817249B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-10-19 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device producing method using two light beams to correct non-rotationally symmetric aberration |
| WO2005022614A1 (ja) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| JP2005166871A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JPWO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2007-10-18 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US8111378B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device production method |
| WO2005078774A1 (ja) | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP4692753B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2007139773A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Carl Zeiss Smt Ag | 光学撮像システムの測定装置および操作方法 |
| US7903234B2 (en) | 2006-11-27 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
| JP2008135742A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 |
| US8068212B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus configured to compensate for variations in a critical dimension of projected features due to heating of optical elements |
| JP2008219010A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、リソグラフィ装置 |
| US10054786B2 (en) | 2007-03-27 | 2018-08-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Correction of optical elements by correction light irradiated in a flat manner |
| US9366857B2 (en) | 2007-03-27 | 2016-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Correction of optical elements by correction light irradiated in a flat manner |
| US8027025B2 (en) | 2007-06-27 | 2011-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8773638B2 (en) | 2007-10-09 | 2014-07-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic projection exposure apparatus with correction optical system that heats projection objective element |
| JP2010541292A (ja) * | 2007-10-09 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2010157743A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-15 | Nikon Corp | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2010153878A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-08 | Nikon Corp | 偏光変換部材、照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US9146477B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus |
| US9965578B2 (en) | 2012-10-31 | 2018-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Compensation for patterning device deformation |
| CN111948910A (zh) * | 2019-05-17 | 2020-11-17 | 佳能株式会社 | 曝光装置、曝光方法、决定方法和物品制造方法 |
| JP2020187333A (ja) * | 2019-05-17 | 2020-11-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、決定方法および物品製造方法 |
| KR20200132712A (ko) * | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치, 노광방법, 결정방법 및 물품 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3646757B2 (ja) | 2005-05-11 |
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