JPH1065490A - Ｓａｗ帯域阻止フィルタおよびそれを使用した電子機器 - Google Patents
Ｓａｗ帯域阻止フィルタおよびそれを使用した電子機器Info
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- JPH1065490A JPH1065490A JP8223425A JP22342596A JPH1065490A JP H1065490 A JPH1065490 A JP H1065490A JP 8223425 A JP8223425 A JP 8223425A JP 22342596 A JP22342596 A JP 22342596A JP H1065490 A JPH1065490 A JP H1065490A
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- resonator
- rejection filter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＳＡＷ帯域阻止フィルタおよびそ
れを用いた電子機器に関するもので、低損失で小型化す
ることを目的とするものである。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、入
力端子と出力端子との間に直列接続された第１のＳＡＷ
共振子１と、この第１のＳＡＷ共振子の入力端子側ある
いは出力端子側とアース電極との間に接続された第２の
ＳＡＷ共振子２と第１のインダクタンス素子５との並列
接続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、第１のインダクタンス素子
５により並列接続体の共振周波数を任意に設定すること
が可能となるため、低損失で小型な梯子型回路によって
帯域阻止フィルタを構成することができる。
れを用いた電子機器に関するもので、低損失で小型化す
ることを目的とするものである。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、入
力端子と出力端子との間に直列接続された第１のＳＡＷ
共振子１と、この第１のＳＡＷ共振子の入力端子側ある
いは出力端子側とアース電極との間に接続された第２の
ＳＡＷ共振子２と第１のインダクタンス素子５との並列
接続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、第１のインダクタンス素子
５により並列接続体の共振周波数を任意に設定すること
が可能となるため、低損失で小型な梯子型回路によって
帯域阻止フィルタを構成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＡＷ帯域阻止フ
ィルタおよびそれを使用した電子機器に関するものであ
る。
ィルタおよびそれを使用した電子機器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の例えば携帯電話等の電子機器にお
いては、それを小型化するためにその通信経路に介在さ
せる帯域阻止フィルタをＳＡＷ共振子を用いて構成した
ものがあった。従来のＳＡＷ帯域阻止フィルタは特開昭
６１−２２０５１１号公報に開示されている。その回路
構成は図７に示すように、複数のＳＡＷ共振子２６を直
列に接続し、入出力端子に整合回路２７を設けたもので
あった。
いては、それを小型化するためにその通信経路に介在さ
せる帯域阻止フィルタをＳＡＷ共振子を用いて構成した
ものがあった。従来のＳＡＷ帯域阻止フィルタは特開昭
６１−２２０５１１号公報に開示されている。その回路
構成は図７に示すように、複数のＳＡＷ共振子２６を直
列に接続し、入出力端子に整合回路２７を設けたもので
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＡＷ帯域阻止フィルタは、ＳＡＷ共振子２６を直列に
十数個接続した回路となり、さらに入出力部にそれぞ整
合回路２７を設けなければならないものであったため、
形状が大きく、通過帯域における挿入損失も大きくなる
といった問題があった。
ＳＡＷ帯域阻止フィルタは、ＳＡＷ共振子２６を直列に
十数個接続した回路となり、さらに入出力部にそれぞ整
合回路２７を設けなければならないものであったため、
形状が大きく、通過帯域における挿入損失も大きくなる
といった問題があった。
【０００４】本発明は、ＳＡＷ共振子数が少なく整合回
路が不要な梯子型回路とすることにより、低損失で小型
なＳＡＷ帯域阻止フィルタを実現するとともに、それを
使用した電子機器を提供することを目的とするものであ
る。
路が不要な梯子型回路とすることにより、低損失で小型
なＳＡＷ帯域阻止フィルタを実現するとともに、それを
使用した電子機器を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、入力端子と出力端子との間に直列接続され
た第１のＳＡＷ共振子と、この第１のＳＡＷ共振子の入
力端子側あるいは出力端子側とアース電極との間に接続
された第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子
との並列接続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタとす
るものである。この構成によって、第１のインダクタン
ス素子により並列接続体の共振周波数を任意に設定する
ことが可能となるため、低損失で小型な梯子型回路によ
ってＳＡＷ帯域阻止フィルタを構成することができる。
に本発明は、入力端子と出力端子との間に直列接続され
た第１のＳＡＷ共振子と、この第１のＳＡＷ共振子の入
力端子側あるいは出力端子側とアース電極との間に接続
された第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子
との並列接続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタとす
るものである。この構成によって、第１のインダクタン
ス素子により並列接続体の共振周波数を任意に設定する
ことが可能となるため、低損失で小型な梯子型回路によ
ってＳＡＷ帯域阻止フィルタを構成することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、入力端子と出力端子との間に直列接続された第１の
ＳＡＷ共振子と、この第１のＳＡＷ共振子の入力端子側
あるいは出力端子側とアース電極との間に接続された第
２のＳＡＷ共振子と第１インダクタンス素子との並列接
続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものであ
る。上記の構成によって、第１のインダクタンス素子に
より並列接続体の共振周波数を任意に設定することが可
能となるため、低損失で小型な梯子型回路によって帯域
阻止フィルタを構成することができる。
は、入力端子と出力端子との間に直列接続された第１の
ＳＡＷ共振子と、この第１のＳＡＷ共振子の入力端子側
あるいは出力端子側とアース電極との間に接続された第
２のＳＡＷ共振子と第１インダクタンス素子との並列接
続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものであ
る。上記の構成によって、第１のインダクタンス素子に
より並列接続体の共振周波数を任意に設定することが可
能となるため、低損失で小型な梯子型回路によって帯域
阻止フィルタを構成することができる。
【０００７】さらに請求項２に記載の発明は、第１のＳ
ＡＷ共振子の直列共振周波数（以下Ｆｓ１と記す）およ
び第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子との
並列接続体の並列共振周波数（以下Ｆｐ２と記す）をそ
れぞれフィルタとしての通過帯域に設定し、第１のＳＡ
Ｗ共振子の並列共振周波数（以下Ｆｐ１と記す）および
第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子との並
列接続体の直列共振周波数（以下Ｆｓ２と記す）をそれ
ぞれフィルタとしての阻止帯域に設定した請求項１に記
載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記構
成によって、通過特性を帯域阻止フィルタとして最適な
条件とすることができる。
ＡＷ共振子の直列共振周波数（以下Ｆｓ１と記す）およ
び第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子との
並列接続体の並列共振周波数（以下Ｆｐ２と記す）をそ
れぞれフィルタとしての通過帯域に設定し、第１のＳＡ
Ｗ共振子の並列共振周波数（以下Ｆｐ１と記す）および
第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子との並
列接続体の直列共振周波数（以下Ｆｓ２と記す）をそれ
ぞれフィルタとしての阻止帯域に設定した請求項１に記
載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記構
成によって、通過特性を帯域阻止フィルタとして最適な
条件とすることができる。
【０００８】さらに請求項３に記載の発明は、Ｆｐ２と
Ｆｓ１とを略同じ値とした請求項１または請求項２に記
載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記の
構成によって、フィルタの通過域においてインピーダン
ス整合が可能となり、入出力端子に整合回路を設けるこ
となく小型の帯域阻止フィルタを構成することができ
る。
Ｆｓ１とを略同じ値とした請求項１または請求項２に記
載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記の
構成によって、フィルタの通過域においてインピーダン
ス整合が可能となり、入出力端子に整合回路を設けるこ
となく小型の帯域阻止フィルタを構成することができ
る。
【０００９】さらに請求項４に記載の発明はＦｓ２をＦ
ｐ１よりも大きな値とした請求項１から請求項３のいず
れか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、広い阻止帯域を有する帯域
阻止フィルタを構成することができる。
ｐ１よりも大きな値とした請求項１から請求項３のいず
れか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、広い阻止帯域を有する帯域
阻止フィルタを構成することができる。
【００１０】また請求項５に記載の発明は、第２のＳＡ
Ｗ共振子と第１のインダクタンス素子との並列接続体
を、第１のＳＡＷ共振子と出力端子間に接続した請求項
１から請求項４のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止
フィルタとするものである。上記の構成によって、入力
端から大きな電力が印加された場合にもアースに接続さ
れている第２のＳＡＷ共振子が破壊しにくなる。
Ｗ共振子と第１のインダクタンス素子との並列接続体
を、第１のＳＡＷ共振子と出力端子間に接続した請求項
１から請求項４のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止
フィルタとするものである。上記の構成によって、入力
端から大きな電力が印加された場合にもアースに接続さ
れている第２のＳＡＷ共振子が破壊しにくなる。
【００１１】また請求項６に記載の発明は、第１、第２
のＳＡＷ共振子の接続点と出力端子との間に第３のＳＡ
Ｗ共振子を接続し、第３のＳＡＷ共振子と出力端子との
接続点とアース電極との間に第４のＳＡＷ共振子と第２
のインダクタンス素子との並列接続体を接続した請求項
１から請求項５のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止
フィルタとするものである。上記の構成によって、梯子
型帯域阻止フィルタの素子数を増すことにより阻止域の
減衰特性を向上することができる。
のＳＡＷ共振子の接続点と出力端子との間に第３のＳＡ
Ｗ共振子を接続し、第３のＳＡＷ共振子と出力端子との
接続点とアース電極との間に第４のＳＡＷ共振子と第２
のインダクタンス素子との並列接続体を接続した請求項
１から請求項５のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止
フィルタとするものである。上記の構成によって、梯子
型帯域阻止フィルタの素子数を増すことにより阻止域の
減衰特性を向上することができる。
【００１２】さらに請求項７に記載の発明は、第３のＳ
ＡＷ共振子の直列共振周波数（以下Ｆｓ３と記す）およ
び第４のＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との
並列接続体の並列共振周波数（以下Ｆｐ４と記す）をそ
れぞれフィルタとしての通過帯域に設定し、第３のＳＡ
Ｗ共振子の並列共振周波数（以下Ｆｐ３と記す）および
第４のＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との並
列接続体の直列共振周波数（以下Ｆｓ４と記す）をそれ
ぞれフィルタとしての阻止帯域に設定した請求項５また
は請求項６に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもの
である。上記構成によって、素子数を増した構成におい
て通過特性を帯域阻止フィルタとして最適な条件とする
ことができる。
ＡＷ共振子の直列共振周波数（以下Ｆｓ３と記す）およ
び第４のＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との
並列接続体の並列共振周波数（以下Ｆｐ４と記す）をそ
れぞれフィルタとしての通過帯域に設定し、第３のＳＡ
Ｗ共振子の並列共振周波数（以下Ｆｐ３と記す）および
第４のＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との並
列接続体の直列共振周波数（以下Ｆｓ４と記す）をそれ
ぞれフィルタとしての阻止帯域に設定した請求項５また
は請求項６に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもの
である。上記構成によって、素子数を増した構成におい
て通過特性を帯域阻止フィルタとして最適な条件とする
ことができる。
【００１３】さらに請求項８に記載の発明は、Ｆｐ４と
Ｆｐ３とを略同じ値とした請求項５から請求項７のいず
れか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、素子数を増した構成におい
てインピーダンス整合が可能となる。
Ｆｐ３とを略同じ値とした請求項５から請求項７のいず
れか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、素子数を増した構成におい
てインピーダンス整合が可能となる。
【００１４】さらに請求項９に記載の発明は、Ｆｓ４を
Ｆｐ３よりも大きな値とした請求項５から請求項８のい
ずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもの
である。上記構成によって素子数を増した構成において
阻止帯域を広げることが可能となる。
Ｆｐ３よりも大きな値とした請求項５から請求項８のい
ずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするもの
である。上記構成によって素子数を増した構成において
阻止帯域を広げることが可能となる。
【００１５】また請求項１０に記載の発明は、入力端子
と出力端子との間に第１のＳＡＷ共振子と第３のＳＡＷ
共振子とを直列接続し、第１、第３のＳＡＷ共振子の接
続点とアース電極間に第２のＳＡＷ共振子と第１のイン
ダクタンス素子との並列接続体を接続し、第３のＳＡＷ
共振子と出力端子との接続点とアース電極間に第４のＳ
ＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との並列接続体
を接続し、第１のＳＡＷ共振子の並列共振周波数（Ｆｐ
１）と第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子
との並列接続体の直列共振周波数（Ｆｓ１）と第３のＳ
ＡＷ共振子の並列共振周波数（Ｆｐ３）と第４のＳＡＷ
共振子と第２のインダクタンス素子との並列接続体の直
列共振周数（Ｆｓ４）とをそれぞれフィルタとしての阻
止帯域に設定するとともに、Ｆｓ４＞Ｆｓ２＞Ｆｐ３＞
Ｆｐ１としたＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものであ
る。上記の構成によって、４素子の帯域阻止フィルタに
おいて、広い阻止帯域を確保しつつ、阻止帯域内の減衰
量を最適に設定することができる。
と出力端子との間に第１のＳＡＷ共振子と第３のＳＡＷ
共振子とを直列接続し、第１、第３のＳＡＷ共振子の接
続点とアース電極間に第２のＳＡＷ共振子と第１のイン
ダクタンス素子との並列接続体を接続し、第３のＳＡＷ
共振子と出力端子との接続点とアース電極間に第４のＳ
ＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との並列接続体
を接続し、第１のＳＡＷ共振子の並列共振周波数（Ｆｐ
１）と第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子
との並列接続体の直列共振周波数（Ｆｓ１）と第３のＳ
ＡＷ共振子の並列共振周波数（Ｆｐ３）と第４のＳＡＷ
共振子と第２のインダクタンス素子との並列接続体の直
列共振周数（Ｆｓ４）とをそれぞれフィルタとしての阻
止帯域に設定するとともに、Ｆｓ４＞Ｆｓ２＞Ｆｐ３＞
Ｆｐ１としたＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものであ
る。上記の構成によって、４素子の帯域阻止フィルタに
おいて、広い阻止帯域を確保しつつ、阻止帯域内の減衰
量を最適に設定することができる。
【００１６】また請求項１１に記載の発明は、第１のＳ
ＡＷ共振子の直列共振周波数（Ｆｓ１）と第２のＳＡＷ
共振子と第１のインダクタンス素子との並列接続体の並
列共振周波数（Ｆｐ１）と第３のＳＡＷ共振子の直列共
振周波数（Ｆｓ３）と第４のＳＡＷ共振子と第２のイン
ダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数（Ｆｐ
４）とをそれぞれフィルタとしての通過帯域に設定する
とともに、Ｆｓ１とＦｐ２とＦｓ３とＦｐ４とを略同じ
値とした請求項１０に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタと
するものである。上記の構成によって、４素子の帯域阻
止フィルタのインピーダンス整合が可能となり、入出力
端子に整合回路を設けることなく小型の帯域阻止フィル
タを構成することができる。
ＡＷ共振子の直列共振周波数（Ｆｓ１）と第２のＳＡＷ
共振子と第１のインダクタンス素子との並列接続体の並
列共振周波数（Ｆｐ１）と第３のＳＡＷ共振子の直列共
振周波数（Ｆｓ３）と第４のＳＡＷ共振子と第２のイン
ダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数（Ｆｐ
４）とをそれぞれフィルタとしての通過帯域に設定する
とともに、Ｆｓ１とＦｐ２とＦｓ３とＦｐ４とを略同じ
値とした請求項１０に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタと
するものである。上記の構成によって、４素子の帯域阻
止フィルタのインピーダンス整合が可能となり、入出力
端子に整合回路を設けることなく小型の帯域阻止フィル
タを構成することができる。
【００１７】また請求項１２に記載の発明は、第２のイ
ンダクタンス素子の素子値を第１のインダクタンス素子
の素子値よりも大きくした請求項１０または請求項１１
に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上
記の構成によって、Ｆｓ４＞Ｆｓ２でかつＦｐ４とＦｐ
２とを略同一の値とすることが可能となる。
ンダクタンス素子の素子値を第１のインダクタンス素子
の素子値よりも大きくした請求項１０または請求項１１
に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上
記の構成によって、Ｆｓ４＞Ｆｓ２でかつＦｐ４とＦｐ
２とを略同一の値とすることが可能となる。
【００１８】また請求項１３に記載の発明は、第１、第
２のインダクタンスをボンディングワイヤによって形成
した請求項１２に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとする
ものである。上記の構成によって、ＳＡＷ共振器を形成
する圧電基板を小型化することができる。
２のインダクタンスをボンディングワイヤによって形成
した請求項１２に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタとする
ものである。上記の構成によって、ＳＡＷ共振器を形成
する圧電基板を小型化することができる。
【００１９】また請求項１４に記載の発明は、圧電基板
上に第１から第４のＳＡＷ共振子用の櫛形電極パターン
を形成するとともに、この圧電基板上に第１、第２のイ
ンダクタンス素子用の線路パターンを設け、この線路パ
ターンにボンディングワイヤを接続した請求項１０から
請求項１２のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィ
ルタとするものである。上記の構成によって、第１、第
２のインダクタンス素子の一部を線路パターンで形成す
ることにより素子値を安定させることができる。
上に第１から第４のＳＡＷ共振子用の櫛形電極パターン
を形成するとともに、この圧電基板上に第１、第２のイ
ンダクタンス素子用の線路パターンを設け、この線路パ
ターンにボンディングワイヤを接続した請求項１０から
請求項１２のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィ
ルタとするものである。上記の構成によって、第１、第
２のインダクタンス素子の一部を線路パターンで形成す
ることにより素子値を安定させることができる。
【００２０】また請求項１５に記載の発明は、圧電基板
の左右に第１、第３のＳＡＷ共振子と第２、第４のＳＡ
Ｗ共振子とを振り分けて配置した請求項１０から請求項
１４のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタと
するものである。上記の構成によって、ＳＡＷ共振子を
圧電基板上に効率よく配置でき、圧電基板を小型化する
ことができる。
の左右に第１、第３のＳＡＷ共振子と第２、第４のＳＡ
Ｗ共振子とを振り分けて配置した請求項１０から請求項
１４のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタと
するものである。上記の構成によって、ＳＡＷ共振子を
圧電基板上に効率よく配置でき、圧電基板を小型化する
ことができる。
【００２１】また請求項１６に記載の発明は、第１、第
３のＳＡＷ共振子を振り分けた圧電基板の一方側に入力
端子および出力端子を設け、第２、第４のＳＡＷ共振子
を振り分けた圧電基板の他方側に第１、第２のインダク
タンス素子用の接続電極を設けた請求項１５に記載のＳ
ＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成に
よって、ワイヤボンディングのための電極を効率良く配
置でき、圧電基板を小型化することができる。
３のＳＡＷ共振子を振り分けた圧電基板の一方側に入力
端子および出力端子を設け、第２、第４のＳＡＷ共振子
を振り分けた圧電基板の他方側に第１、第２のインダク
タンス素子用の接続電極を設けた請求項１５に記載のＳ
ＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成に
よって、ワイヤボンディングのための電極を効率良く配
置でき、圧電基板を小型化することができる。
【００２２】また請求項１７に記載の発明は、第１、第
２のインダクタンス素子の少なくとも一方をボンディン
グワイヤによって形成した請求項１６に記載のＳＡＷ帯
域阻止フィルタとするものである。上記構成によって、
圧電基板を小型化することができる。
２のインダクタンス素子の少なくとも一方をボンディン
グワイヤによって形成した請求項１６に記載のＳＡＷ帯
域阻止フィルタとするものである。上記構成によって、
圧電基板を小型化することができる。
【００２３】また請求項１８に記載の発明は、第１、第
２のインダクタンス素子をボンディングワイヤによって
形成するとともに、第２のインダクタンス素子用のボン
ディングワイヤを第１のインダクタンス素子用のボンデ
ィングワイヤよりも長くした請求項１６に記載のＳＡＷ
帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成によっ
て、同一線径のボンディングワイヤを用いて、第２のイ
ンダクタンス素子の素子値を第１のインダクタンス素子
よりも大きくすることができる。
２のインダクタンス素子をボンディングワイヤによって
形成するとともに、第２のインダクタンス素子用のボン
ディングワイヤを第１のインダクタンス素子用のボンデ
ィングワイヤよりも長くした請求項１６に記載のＳＡＷ
帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成によっ
て、同一線径のボンディングワイヤを用いて、第２のイ
ンダクタンス素子の素子値を第１のインダクタンス素子
よりも大きくすることができる。
【００２４】また請求項１９に記載の発明は、請求項１
から請求項１８のいずれか一つのＳＡＷ帯域阻止フィル
タを通信機の送信経路に介在させた電子機器とするもの
である。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さい
ＳＡＷ帯域阻止フィルタを用いることによって、小型で
消費電力の小さい電子機器を実現することができる。
から請求項１８のいずれか一つのＳＡＷ帯域阻止フィル
タを通信機の送信経路に介在させた電子機器とするもの
である。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さい
ＳＡＷ帯域阻止フィルタを用いることによって、小型で
消費電力の小さい電子機器を実現することができる。
【００２５】さらに請求項２０に記載の発明は、請求項
１から請求項１８のいずれか一つのＳＡＷ帯域阻止フィ
ルタを送信経路の最終段の増幅器とアナテナとの間に介
在させた請求項１９に記載の電子機器とするものであ
る。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さいＳＡ
Ｗ帯域阻止フィルタを用いることによって、小型で消費
電力の小さい電子機器を実現することができる。
１から請求項１８のいずれか一つのＳＡＷ帯域阻止フィ
ルタを送信経路の最終段の増幅器とアナテナとの間に介
在させた請求項１９に記載の電子機器とするものであ
る。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さいＳＡ
Ｗ帯域阻止フィルタを用いることによって、小型で消費
電力の小さい電子機器を実現することができる。
【００２６】以下、本発明の一実施形態を図面を用いて
説明する。図６は、電子機器の一例として携帯電話を簡
略化して示したブロック図である。即ち、マイク１５よ
り入力された音声信号を変調器１６で変調した後、送信
周波数変換器１７、送信増幅器１８および送信フィルタ
１９を経てアンテナ２０より送信する。一方、アンテナ
２０により受信された信号は受信フィルタ２１、受信増
幅器２２および受信周波数変換器２３を経て復調器２４
より復調されてスピーカー２５より出力される。上記携
帯電話において、送信経路に介在させた送信フィルタ１
９は図１に示すような回路のＳＡＷ帯域阻止フィルタと
なっている。
説明する。図６は、電子機器の一例として携帯電話を簡
略化して示したブロック図である。即ち、マイク１５よ
り入力された音声信号を変調器１６で変調した後、送信
周波数変換器１７、送信増幅器１８および送信フィルタ
１９を経てアンテナ２０より送信する。一方、アンテナ
２０により受信された信号は受信フィルタ２１、受信増
幅器２２および受信周波数変換器２３を経て復調器２４
より復調されてスピーカー２５より出力される。上記携
帯電話において、送信経路に介在させた送信フィルタ１
９は図１に示すような回路のＳＡＷ帯域阻止フィルタと
なっている。
【００２７】図１は本発明のＳＡＷ帯域阻止フィルタを
示す回路図である。図１において、１は第１のＳＡＷ共
振子、２は第２のＳＡＷ共振子、３は第３のＳＡＷ共振
子、４は第４のＳＡＷ共振子、５は第１のインダクタン
ス素子、６は第２のインダクタンス素子である。第１の
ＳＡＷ共振子１および第３のＳＡＷ共振子３は入力端子
から出力端子への経路（以下直列枝）に直列接続され
る。一方、第２のＳＡＷ共振子２と第１のインダクタン
ス素子５とは並列接続されて並列接続体を構成し、第１
のＳＡＷ共振子１と第３のＳＡＷ共振子３との接続点と
アースとの間（以下第１の並列枝）に接続され、さらに
第４のＳＡＷ共振子４と第２のインダクタンス素子６と
は並列接続されて並列接続体を構成し、第３のＳＡＷ共
振子３と出力端子との接続点とアースとの間（以下第２
の並列枝）に接続されている。上記構成により、４素子
の梯子型回路が構成される。なお、この帯域阻止フィル
タは第１のＳＡＷ共振子１側の端子を入力端子、その反
対側の端子を出力端子としている。この理由は、入力端
子から大きな電力が入力された場合に、初段が直列枝の
場合の方が並列枝の場合よりもＳＡＷ共振子が破壊しに
くいことを実験的に確認したためである。
示す回路図である。図１において、１は第１のＳＡＷ共
振子、２は第２のＳＡＷ共振子、３は第３のＳＡＷ共振
子、４は第４のＳＡＷ共振子、５は第１のインダクタン
ス素子、６は第２のインダクタンス素子である。第１の
ＳＡＷ共振子１および第３のＳＡＷ共振子３は入力端子
から出力端子への経路（以下直列枝）に直列接続され
る。一方、第２のＳＡＷ共振子２と第１のインダクタン
ス素子５とは並列接続されて並列接続体を構成し、第１
のＳＡＷ共振子１と第３のＳＡＷ共振子３との接続点と
アースとの間（以下第１の並列枝）に接続され、さらに
第４のＳＡＷ共振子４と第２のインダクタンス素子６と
は並列接続されて並列接続体を構成し、第３のＳＡＷ共
振子３と出力端子との接続点とアースとの間（以下第２
の並列枝）に接続されている。上記構成により、４素子
の梯子型回路が構成される。なお、この帯域阻止フィル
タは第１のＳＡＷ共振子１側の端子を入力端子、その反
対側の端子を出力端子としている。この理由は、入力端
子から大きな電力が入力された場合に、初段が直列枝の
場合の方が並列枝の場合よりもＳＡＷ共振子が破壊しに
くいことを実験的に確認したためである。
【００２８】以下に、個々の回路の電気的特性について
説明する。図２（ａ）は単体のＳＡＷ共振子の先端短絡
時の入力インピーダンス特性を示した特性図である。図
２（ａ）よりわかるように、ＳＡＷ共振子は直列共振点
Ｆsと並列共振点Ｆpとを有し、ＦsはＦpの低域側に存在
するという特徴を有している。図２（ｂ）はＳＡＷ共振
子とインダクタンス素子との並列接続体の入力インピー
ダンス特性を示した特性図である。この場合は並列共振
周波数Ｆpが直列共振周波数Ｆsの低域側に発生し、イン
ダクタンス素子の素子値によってＦsを固定したままで
Ｆpを任意に動かすことができる。この両者を交互に接
続して図１の梯子型回路を構成すれば、直列枝のＦsと
ほぼ等しく並列枝のＦpを設定し、直列枝のＦpとほぼ等
しく並列枝のＦsを設定することができるため、帯域阻
止フィルタを形成することが可能となる。以下、１番目
の直列枝または並列枝の直列共振周波数をＦｓＩ、並列
共振周波数をＦｐＩと記す。
説明する。図２（ａ）は単体のＳＡＷ共振子の先端短絡
時の入力インピーダンス特性を示した特性図である。図
２（ａ）よりわかるように、ＳＡＷ共振子は直列共振点
Ｆsと並列共振点Ｆpとを有し、ＦsはＦpの低域側に存在
するという特徴を有している。図２（ｂ）はＳＡＷ共振
子とインダクタンス素子との並列接続体の入力インピー
ダンス特性を示した特性図である。この場合は並列共振
周波数Ｆpが直列共振周波数Ｆsの低域側に発生し、イン
ダクタンス素子の素子値によってＦsを固定したままで
Ｆpを任意に動かすことができる。この両者を交互に接
続して図１の梯子型回路を構成すれば、直列枝のＦsと
ほぼ等しく並列枝のＦpを設定し、直列枝のＦpとほぼ等
しく並列枝のＦsを設定することができるため、帯域阻
止フィルタを形成することが可能となる。以下、１番目
の直列枝または並列枝の直列共振周波数をＦｓＩ、並列
共振周波数をＦｐＩと記す。
【００２９】図３は、図１のＳＡＷ帯域阻止フィルタの
通過特性を示した特性図である。ＦｓＩ，Ｆｐ２，Ｆｓ
３およびＦｐ４を略等しくするとともに、Ｆｐ１＜Ｆｐ
３＜Ｆｓ２＜Ｆｓ４と設定している。これによってＦｓ
１，Ｆｐ２，Ｆｓ３およびＦｐ４の周波数の近傍に通過
帯域が形成され、Ｆｐ１，Ｆｐ３，Ｆｓ２およびＦｓ４
の周波数に減衰極が生じて阻止帯域が形成されて帯域阻
止フィルタとなることがわかる。これは、通過帯域にお
いて直列枝が直列共振してショートとなるとともに並列
枝が並列共振してオープンとなるために、入力端子から
出力端子のインピーダンスが直接見え（すなわちインピ
ーダンス整合がなされ）、入力信号が出力端子へと通過
するものである。また、阻止帯域では直列枝が並列共振
してオープンとなるかもしくは並列枝が直列共振してシ
ョートとなるため、入力信号が反射されて出力端子に到
達しないものである。通過帯域および阻止帯域は、それ
ぞれの共振子の共振の鋭さ（Ｑ値）によって決定される
ものであるが、上記のようにＦｐ１＜Ｆｐ３＜Ｆｓ２＜
Ｆｓ４としてそれぞれの阻止周波数を少しずつ異ならせ
ることによって阻止帯域をより広げることができ、所望
の減衰特性を確保しやすくなる。なお、Ｆｓ２およびＦ
ｓ４は前述のように任意に設定することができるため、
Ｆｐ１，Ｆｐ３よりも高域側に移動させている。さら
に、Ｆｓ４をＦｓ２よりも高域に設定するために、第２
のインダクタンス素子６の素子値は第１のインダクタン
ス素子５の素子値よりも大きな値としている。
通過特性を示した特性図である。ＦｓＩ，Ｆｐ２，Ｆｓ
３およびＦｐ４を略等しくするとともに、Ｆｐ１＜Ｆｐ
３＜Ｆｓ２＜Ｆｓ４と設定している。これによってＦｓ
１，Ｆｐ２，Ｆｓ３およびＦｐ４の周波数の近傍に通過
帯域が形成され、Ｆｐ１，Ｆｐ３，Ｆｓ２およびＦｓ４
の周波数に減衰極が生じて阻止帯域が形成されて帯域阻
止フィルタとなることがわかる。これは、通過帯域にお
いて直列枝が直列共振してショートとなるとともに並列
枝が並列共振してオープンとなるために、入力端子から
出力端子のインピーダンスが直接見え（すなわちインピ
ーダンス整合がなされ）、入力信号が出力端子へと通過
するものである。また、阻止帯域では直列枝が並列共振
してオープンとなるかもしくは並列枝が直列共振してシ
ョートとなるため、入力信号が反射されて出力端子に到
達しないものである。通過帯域および阻止帯域は、それ
ぞれの共振子の共振の鋭さ（Ｑ値）によって決定される
ものであるが、上記のようにＦｐ１＜Ｆｐ３＜Ｆｓ２＜
Ｆｓ４としてそれぞれの阻止周波数を少しずつ異ならせ
ることによって阻止帯域をより広げることができ、所望
の減衰特性を確保しやすくなる。なお、Ｆｓ２およびＦ
ｓ４は前述のように任意に設定することができるため、
Ｆｐ１，Ｆｐ３よりも高域側に移動させている。さら
に、Ｆｓ４をＦｓ２よりも高域に設定するために、第２
のインダクタンス素子６の素子値は第１のインダクタン
ス素子５の素子値よりも大きな値としている。
【００３０】次に、このＳＡＷ帯域阻止フィルタの構造
について説明する。図４はこのＳＡＷ帯域阻止フィルタ
の実装状態を示した平面図である。図４において、１〜
６は図１の回路図のＳＡＷ共振子およびインダクタンス
素子に相当し、７は圧電基板、８は入力電極、９は出力
電極、１０および１１はそれぞれ第１、第２のインダク
タンス素子５，６用の接続電極、１２はパッケージであ
る。
について説明する。図４はこのＳＡＷ帯域阻止フィルタ
の実装状態を示した平面図である。図４において、１〜
６は図１の回路図のＳＡＷ共振子およびインダクタンス
素子に相当し、７は圧電基板、８は入力電極、９は出力
電極、１０および１１はそれぞれ第１、第２のインダク
タンス素子５，６用の接続電極、１２はパッケージであ
る。
【００３１】第１から第４のＳＡＷ共振子１から４は、
それぞれ圧電基板７表面上の櫛形電極により構成されて
おり、その配置は直列枝に入る第１のＳＡＷ共振子１お
よび第３のＳＡＷ共振子３を図４における左側に、第１
の並列枝に入る第２のＳＡＷ共振子２および第２の並列
枝に入る第４のＳＡＷ共振子４を右側に振り分けてい
る。そして、入力電極８および出力電極９を直列枝を配
置した左側に設けるとともに、インダクタンス素子用電
極１０および１１を第１、第２の並列枝を配置した右側
に設けることにより、効率的な配置を行い圧電基板７お
よびパッケージ１２のサイズを小さくしている。第１の
インダクタンス素子５および第２のインダクタンス素子
６はそれぞれインダクタンス素子用電極１０および１１
とパッケージ１２のアース端子とを接続するボンディン
グワイヤにより形成している。８００ＭＨz帯の帯域阻
止フィルタの場合必要なインダクタンス値は数ナノヘン
リーとなるため、線径３５ミクロンのボンディングワイ
ヤで長さが２ｍｍ程度となる。なお前述のごとく、第１
のインダクタンス素子５よりも第２インダクタンス素子
６の方がやや大きな素子値が必要なため、その分長さを
若干長くしている。以上のように構成されたＳＡＷ帯域
阻止フィルタは図３に示す通過特性を示し、８００ＭＨ
z帯において通過帯域の挿入損失１.５ｄＢ程度、阻止帯
域の減衰量４５ｄＢ以上の値が得られた。
それぞれ圧電基板７表面上の櫛形電極により構成されて
おり、その配置は直列枝に入る第１のＳＡＷ共振子１お
よび第３のＳＡＷ共振子３を図４における左側に、第１
の並列枝に入る第２のＳＡＷ共振子２および第２の並列
枝に入る第４のＳＡＷ共振子４を右側に振り分けてい
る。そして、入力電極８および出力電極９を直列枝を配
置した左側に設けるとともに、インダクタンス素子用電
極１０および１１を第１、第２の並列枝を配置した右側
に設けることにより、効率的な配置を行い圧電基板７お
よびパッケージ１２のサイズを小さくしている。第１の
インダクタンス素子５および第２のインダクタンス素子
６はそれぞれインダクタンス素子用電極１０および１１
とパッケージ１２のアース端子とを接続するボンディン
グワイヤにより形成している。８００ＭＨz帯の帯域阻
止フィルタの場合必要なインダクタンス値は数ナノヘン
リーとなるため、線径３５ミクロンのボンディングワイ
ヤで長さが２ｍｍ程度となる。なお前述のごとく、第１
のインダクタンス素子５よりも第２インダクタンス素子
６の方がやや大きな素子値が必要なため、その分長さを
若干長くしている。以上のように構成されたＳＡＷ帯域
阻止フィルタは図３に示す通過特性を示し、８００ＭＨ
z帯において通過帯域の挿入損失１.５ｄＢ程度、阻止帯
域の減衰量４５ｄＢ以上の値が得られた。
【００３２】なお、本実施の形態においては４素子のＳ
ＡＷ帯域阻止フィルタとしたが、それ以外の素子数であ
ってもかまわない。すなわち一つの直列枝と一つの並列
枝とからなる２素子の回路を最小単位とし、要求される
特性に応じて素子数を決定すればよい。素子数を増加す
れば阻止帯域の減衰量を増大することができるが、その
反面通過帯域内の挿入損失もまた増大するため、所望の
阻止帯域が確保できる最小限の素子数とすることが望ま
しい。また、素子数に関わらず、直列枝の直列共振周波
数（Ｆｓ１，Ｆｓ３，…）と、並列枝の並列共振周波数
（Ｆｐ２，Ｆｐ４，…）とをほぼ等しく設定することに
よって通過帯域におけるインピーダンス整合を得ること
ができ、さらに並列枝の直列共振周波数（Ｆｓ２，Ｆｓ
４，…）を直列枝の並列共振周波数（Ｆｐ１，Ｆｐ３，
…）よりも高域側に設定することによって広い阻止帯域
を得ることができるのは前述の通りである。
ＡＷ帯域阻止フィルタとしたが、それ以外の素子数であ
ってもかまわない。すなわち一つの直列枝と一つの並列
枝とからなる２素子の回路を最小単位とし、要求される
特性に応じて素子数を決定すればよい。素子数を増加す
れば阻止帯域の減衰量を増大することができるが、その
反面通過帯域内の挿入損失もまた増大するため、所望の
阻止帯域が確保できる最小限の素子数とすることが望ま
しい。また、素子数に関わらず、直列枝の直列共振周波
数（Ｆｓ１，Ｆｓ３，…）と、並列枝の並列共振周波数
（Ｆｐ２，Ｆｐ４，…）とをほぼ等しく設定することに
よって通過帯域におけるインピーダンス整合を得ること
ができ、さらに並列枝の直列共振周波数（Ｆｓ２，Ｆｓ
４，…）を直列枝の並列共振周波数（Ｆｐ１，Ｆｐ３，
…）よりも高域側に設定することによって広い阻止帯域
を得ることができるのは前述の通りである。
【００３３】また、本実施の形態において第１のインダ
クタンス素子５および第２のインダクタンス素子６をそ
れぞれボンディングワイヤにより構成したが、それ以外
にも圧電基板７上に形成した線路パターンによって構成
する方法もある。例えば、図５に示すような第１，第２
のジグザグ線路パターン１３，１４を圧電基板７上に形
成し、その先端にそれぞれインダクタンス素子用電極１
０，１１を設ければ、第１、第２のインダクタンス素子
５，６をジグザグ線路パターン１３，１４とボンディン
グワイヤとにより形成することができるため大きなイン
ダクタンス素子値が得られるとともに、素子値を安定さ
せることができるものである。
クタンス素子５および第２のインダクタンス素子６をそ
れぞれボンディングワイヤにより構成したが、それ以外
にも圧電基板７上に形成した線路パターンによって構成
する方法もある。例えば、図５に示すような第１，第２
のジグザグ線路パターン１３，１４を圧電基板７上に形
成し、その先端にそれぞれインダクタンス素子用電極１
０，１１を設ければ、第１、第２のインダクタンス素子
５，６をジグザグ線路パターン１３，１４とボンディン
グワイヤとにより形成することができるため大きなイン
ダクタンス素子値が得られるとともに、素子値を安定さ
せることができるものである。
【００３４】なお、上記実施の形態において説明した数
値や構成は一例であり、本発明はこれらの数値や構成の
細部に限定されるものではない。
値や構成は一例であり、本発明はこれらの数値や構成の
細部に限定されるものではない。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明は、入力端子と出力
端子との間に直列接続された第１のＳＡＷ共振子と、こ
の第１のＳＡＷ共振子の入力端子側あるいは出力端子側
とアース電極との間に接続された第２のＳＡＷ共振子と
第１のインダクタンス素子との並列接続体とを備えたＳ
ＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成に
よって、第１のインダクタンス素子により並列接続体の
共振周波数を任意に設定することが可能となるため、低
損失で小型な梯子型回路によってＳＡＷ帯域阻止フィル
タを構成することができる。
端子との間に直列接続された第１のＳＡＷ共振子と、こ
の第１のＳＡＷ共振子の入力端子側あるいは出力端子側
とアース電極との間に接続された第２のＳＡＷ共振子と
第１のインダクタンス素子との並列接続体とを備えたＳ
ＡＷ帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成に
よって、第１のインダクタンス素子により並列接続体の
共振周波数を任意に設定することが可能となるため、低
損失で小型な梯子型回路によってＳＡＷ帯域阻止フィル
タを構成することができる。
【図１】本発明のＳＡＷ帯域阻止フィルタを示す回路図
【図２】（ａ）は単体のＳＡＷ共振子の先端短絡時の入
力インピーダンス特性を示した特性図 （ｂ）はＳＡＷ共振子とインダクタンス素子との並列接
続体の入力インピーダンス特性を示した特性図
力インピーダンス特性を示した特性図 （ｂ）はＳＡＷ共振子とインダクタンス素子との並列接
続体の入力インピーダンス特性を示した特性図
【図３】図１のＳＡＷ帯域阻止フィルタの通過特性を示
した特性図
した特性図
【図４】ＳＡＷ帯域阻止フィルタの実装状態を示す平面
図
図
【図５】ＳＡＷ帯域阻止フィルタの実装状態の他の例を
示した平面図
示した平面図
【図６】携帯電話を簡略化して示したブロック図
【図７】従来のＳＡＷ帯域阻止フィルタを示す回路図
１ 第１のＳＡＷ共振子 ２ 第２のＳＡＷ共振子 ３ 第３のＳＡＷ共振子 ４ 第４のＳＡＷ共振子 ５ 第１のインダクタンス素子 ６ 第２のインダクタンス素子 ７ 圧電基板 ８ 入力電極 ９ 出力電極 １０ 第１のインダクタンス素子用電極 １１ 第２のインダクタンス素子用電極 １２ パッケージ １３ 第１のジグザグ線路パターン １４ 第２のジグザグ線路パターン １５ マイク １６ 変調器 １７ 送信周波数変換器 １８ 送信増幅器 １９ 送信フィルタ ２０ アンテナ ２１ 受信フィルタ ２２ 受信増幅器 ２３ 受信周波数変換器 ２４ 復調器 ２５ スピーカ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村瀬 恭通 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (20)
- 【請求項１】 入力端子と出力端子との間に直列接続さ
れた第１のＳＡＷ共振子と、この第１のＳＡＷ共振子の
入力端子側あるいは出力端子側とアース電極との間に接
続された第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素
子との並列接続体とを備えたＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項２】 第１のＳＡＷ共振子の直列共振周波数
（以下Ｆｓ１と記す）および第２のＳＡＷ共振子と第１
のインダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数
（以下Ｆｐ２と記す）をそれぞれフィルタとしての通過
帯域に設定し、第１のＳＡＷ共振子の並列共振周波数
（以下Ｆｐ１と記す）および第２のＳＡＷ共振子と第１
のインダクタンス素子との並列接続体の直列共振周波数
（以下Ｆｓ２と記す）をそれぞれフィルタとしての阻止
帯域に設定した請求項１に記載のＳＡＷ帯域阻止フィル
タ。 - 【請求項３】 Ｆｐ２とＦｓ１とを略同じ値とした請求
項１または請求項２に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項４】 Ｆｓ２をＦｐ１よりも大きな値とした請
求項１から請求項３のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域
阻止フィルタ。 - 【請求項５】 第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタ
ンス素子との並列接続体を、第１のＳＡＷ共振子と出力
端子間に接続した請求項１から請求項４のいずれか一つ
に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項６】 第１、第２のＳＡＷ共振子の接続点と出
力端子との間に第３のＳＡＷ共振子を接続し、第３のＳ
ＡＷ共振子と出力端子との接続点とアース電極との間に
第４のＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との並
列接続体を接続した請求項１から請求項５のいずれか一
つに記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項７】 第３のＳＡＷ共振子の直列共振周波数
（以下Ｆｓ３と記す）および第４のＳＡＷ共振子と第２
のインダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数
（以下Ｆｐ４と記す）をそれぞれフィルタとしての通過
帯域に設定し、第３のＳＡＷ共振子の並列共振周波数
（以下Ｆｐ３と記す）および第４のＳＡＷ共振子と第２
のインダクスタンス素子との並列接続体の直列共振周数
（以下Ｆｓ４と記す）をそれぞれフィルタとしての阻止
帯域に設定した請求項５または請求項６に記載のＳＡＷ
帯域阻止フィルタ。 - 【請求項８】 Ｆｐ４とＦｓ３とを略同じ値とした請求
項５から請求項７のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域阻
止フィルタ。 - 【請求項９】 Ｆｓ４をＦｐ３よりも大きな値とした請
求項５から請求項８のいずれか一つに記載のＳＡＷ帯域
阻止フィルタ。 - 【請求項１０】 入力端子と出力端子との間に第１のＳ
ＡＷ共振子と第３のＳＡＷ共振子とを直列接続し、第
１、第３のＳＡＷ共振子の接続点とアース電極間に第２
のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子との並列接
続体を接続し、第３のＳＡＷ共振子と出力端子との接続
点とアース電極間に第４のＳＡＷ共振子と第２のインダ
クタンス素子との並列接続体を接続し、第１のＳＡＷ共
振子の並列共振周波数（Ｆｐ１）と第２のＳＡＷ共振子
と第１のインダクタンス素子との並列接続体の直列共振
周波数（Ｆｓ１）と第３のＳＡＷ共振子の並列共振周波
数（Ｆｐ３）と第４のＳＡＷ共振子と第２インダクタン
ス素子との並列接続体の直列共振周波数（Ｆｓ４）とを
それぞれフィルタとしての阻止帯域に設定するととも
に、Ｆｓ４＞Ｆｓ２＞Ｆｐ３＞Ｆｐ１としたＳＡＷ帯域
阻止フィルタ。 - 【請求項１１】 第１のＳＡＷ共振子の直列共振周波数
（Ｆｓ１）と第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタン
ス素子との並列接続体の並列共振周波数（Ｆｐ１）と第
３のＳＡＷ共振子の直列共振周波数（Ｆｓ３）と第４の
ＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子との並列接続
体の並列共振周波数（Ｆｐ４）とをそれぞれフィルタと
しての通過帯域に設定するとともに、Ｆｓ１とＦｐ２と
Ｆｓ３とＦｐ４とを略同じ値とした請求項１０に記載の
ＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１２】 第２のインダクタンス素子の素子値を
第１のインダクタンス素子の素子値よりも大きくした請
求項１０または請求項１１に記載のＳＡＷ帯域阻止フィ
ルタ。 - 【請求項１３】 第１、第２のインダクタンスをボンデ
ィングワイヤによって形成した請求項１２に記載のＳＡ
Ｗ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１４】 圧電基板上に第１から第４のＳＡＷ共
振子用の櫛形電極パターンを形成するとともに、この圧
電基板上に第１、第２のインダクタンス素子用の線路パ
ターンを設け、この線路パターンにボンディングワイヤ
を接続した請求項１０から請求項１２のいずれか一つに
記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１５】 圧電基板の左右に第１、第３のＳＡＷ
共振子と第２、第４のＳＡＷ共振子とを振り分けて配置
した請求項１０から請求項１４のいずれか一つに記載の
ＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１６】 第１、第３のＳＡＷ共振子を振り分け
た圧電基板の一方側に入力端子および出力端子を設け、
第２、第４のＳＡＷ共振子を振り分けた圧電基板の他方
側に第１、第２のインダクタンス素子用の接続電極を設
けた請求項１５に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１７】 第１、第２のインダクタンス素子の少
なくとも一方をボンディングワイヤによって形成した請
求項１６に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１８】 第１、第２のインダクタンス素子をボ
ンディングワイヤによって形成するとともに、第２のイ
ンダクタンス素子用のボンディングワイヤを第１のイン
ダクタンス素子用のボンディングワイヤよりも長くした
請求項１６に記載のＳＡＷ帯域阻止フィルタ。 - 【請求項１９】 請求項１から請求項１８のいずれか一
つのＳＡＷ帯域阻止フィルタを通信機の送信経路に介在
させた電子機器。 - 【請求項２０】 請求項１から請求項１８のいずれか一
つのＳＡＷ帯域阻止フィルタを送信経路の最終段の増幅
器とアンテナとの間に介在させた請求項１９に記載の電
子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8223425A JPH1065490A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Ｓａｗ帯域阻止フィルタおよびそれを使用した電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8223425A JPH1065490A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Ｓａｗ帯域阻止フィルタおよびそれを使用した電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065490A true JPH1065490A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16797950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8223425A Pending JPH1065490A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Ｓａｗ帯域阻止フィルタおよびそれを使用した電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065490A (ja) |
Cited By (28)
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