JPH1068079A - 化学蒸着により少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置 - Google Patents

化学蒸着により少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置

Info

Publication number
JPH1068079A
JPH1068079A JP15918597A JP15918597A JPH1068079A JP H1068079 A JPH1068079 A JP H1068079A JP 15918597 A JP15918597 A JP 15918597A JP 15918597 A JP15918597 A JP 15918597A JP H1068079 A JPH1068079 A JP H1068079A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
susceptor
process gas
gas stream
gravity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP15918597A
Other languages
English (en)
Inventor
Roland Dr Rupp
ルツプ ローラント
Johannes Dr Voelkl
フエルクル ヨハネス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH1068079A publication Critical patent/JPH1068079A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】少なくとも１つの基板の表面にＣＶＤ法により
膜を生成するための方法及び装置を得る。 【解決手段】ＣＶＤプロセスにおいて少なくとも９００
℃に保たれる基板２の表面２０にプロセスガス流５が導
かれる。このプロセスガス流から基板２に膜６が堆積さ
れる。プロセスガス流は重力Ｇに対して少なくともほぼ
逆平行に向けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、化学蒸着法によ
り少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法及び
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ヨーロッパ特許出願公開第０２５１８２
５号明細書により基板に化学蒸着（ＣＶＤ）法によりエ
ピタキシー膜を析出させる装置が公知である。この公知
の装置は、垂直方向に、即ち重力（地球の引力、重力）
に対して平行に配置された多数のサセプタを有してお
り、このサクセプタはそれぞれ多数の基板を受容し、そ
の長手軸に沿って回転可能である。サセプタは、その中
心に配置され同様に垂直方向に走るガス流入管の回りに
円周線に沿って配置されている。ガス流入管の開口を通
して基板にエピタキシー膜を析出するプロセスガスがほ
ぼ水平方向に、即ち重力に対して垂直に基板に向かって
上に流入する。
【０００３】アメリカ合衆国特許第３４０８９８２号明
細書からは、基板にＣＶＤ法によりエピタキシー膜を析
出させる別の装置が公知である。この公知の装置は皿状
のサセプタを有し、このサセプタは水平方向に即ち重力
に対して垂直方向に配置され、垂直方向に即ち重力に対
して平行に配置された回転軸に結合されている。サセプ
タの上にはその１つの実施態様においては基板が水平に
配置されている。回転軸によりＣＶＤプロセスガスは下
から上に向かって案内され、サセプタの皿の上にあるガ
ス空間に進入する。このガス空間においてはプロセスガ
スは回転軸に関してほぼ半径方向に外に向かって流れ、
基板に上からほぼ垂直に即ち重力の方向に当たる。サセ
プタの下側には平坦な螺旋（パンケーキコイル）として
形成されている誘導コイルが配置されている。別の実施
態様においてはサセプタの皿はその縁部が上に向かって
傾斜されており、遠心力を平衡させるために、基板はサ
セプタ皿の傾斜部分に内側に向かって傾斜して配置され
ている。このアメリカ合衆国特許第３４０８９８２号明
細書から公知の装置は、特にシリコンエピタキシー膜を
作るためのものであり、その場合１１９０℃乃至１４５
０℃の温度がＣＶＤプロセスに対して設定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、少
なくとも１つの基板の表面に化学蒸着（ＣＶＤ）法によ
りプロセスガスから膜を生成する特別な方法及び特別な
装置であって、基板における析出温度が少なくとも９０
０℃であり、プロセスガスが少なくとも１つの基板より
低温の空間領域から少なくとも１つの基板の表面に対し
て案内されるものを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、この発明に
よれば、請求項１もしくは請求項５の特徴を有する方法
及び装置により解決される。
【０００６】この発明は、ほぼ上から即ち重力に対して
平行（同じ方向）に基板表面に向かって流れるプロセス
ガス流においては、例えば前記アメリカ合衆国特許第３
４０８９８２号明細書から公知の装置におけるように、
不安定な流れの状態が発生するという観察から出発して
いる。その理由は、プロセスガス流に基板に向かっての
正の温度勾配及びこれにより生ずるプロセスガス流中の
密度勾配により生ずる流れ方向に反対向きの熱的な浮揚
運動である。この熱的な浮揚運動はプロセスガス中に、
特に最高温度が少なくとも９００℃の比較的高い析出温
度で支配している基板表面の近くにおいて、好ましくな
い渦流を起こさせる。このガスの渦流により基板表面に
成長した膜が不均質となる。このような流体力学的に好
ましくない状況は、従って基板を比較的速く回転するこ
とにより或いはプロセスガス中のガス圧を比較的低い圧
力に制限することによって補償される。熱的な浮揚の問
題はヨーロッパ特許出願公開第０２５１８２５号明細書
から公知の装置のように水平にプロセスガスを案内する
場合にも起こる。
【０００７】ところでこの発明は、プロセスガス流の流
れ状況は特に基板表面の前方において、プロセスガス流
が処理すべき基板表面に接触する少なくとも直前に上に
向かって、即ち重力に対して逆平行（反対方向）に流れ
る場合には、明らかに改善されるという認識に基づいて
いる。これによりプロセスガスに作用する熱的浮揚力及
びプロセスガス流へ強制される対流力が同じ方向（平
行）に向けられ、プロセスガス流に安定した熱的な層が
得られる。基板表面の前方範囲のプロセスガス流はそれ
故流体力学的に明らかに安定化される。基板の回転がな
くてもプロセスガス流には実質的に渦流がもはや生じな
い。このことは基板表面にプロセスガス流から成長する
膜の均質性が大きくかつ純度が高いことに現れる。
【０００８】プロセスガスを下から案内することによる
別の利点は、この場合重要なプロセスパラメータ、例え
ば基板の回転速度、プロセスガス流の圧力及びプロセス
ガスの流量（時間及び体積当たりのガス量）を広範囲に
わたって変化させ、ＣＶＤプロセスの改善のために最適
化することができ、しかもその場合プロセスガス流にお
ける非均質性を犠牲にする必要がないということにあ
る。
【０００９】少なくとも１つの基板の表面に膜を生成す
る方法は、請求項１によれば、以下の工程を含む。即
ち、 ａ）少なくとも１つの基板の表面に少なくとも９００℃
の析出温度が設定され、 ｂ）プロセスガス流がこの析出温度より低い温度にある
空間領域から少なくとも１つの基板の表面に案内され、 ｃ）少なくとも１つの基板の表面に化学蒸着（ＣＶＤ）
法によりプロセスガス流から膜が析出され、 ｄ）プロセスガス流の流れ方向が少なくとも１つの基板
の表面に当たる少なくとも直前に重力（地球引力）に対
して少なくともほぼ逆平行に設定される。
【００１０】少なくとも１つの基板の表面にプロセスガ
ス流から化学蒸着（ＣＶＤ）により膜を生成する装置
は、請求項５によれば、 ａ）少なくとも１つの基板の表面に少なくとも９００℃
の析出温度を作るための加熱手段と、 ｂ）プロセスガス流を析出温度より低い温度にある空間
領域から少なくとも１つの基板の表面に、プロセスガス
流が少なくとも１つの基板の表面に当たる少なくとも直
前に重力に対して少なくともほぼ逆平行に向くように案
内するガス案内手段とを備える。
【００１１】この方法及び装置の有力な実施態様及び改
良はそれぞれ請求項１及び請求項５に従属するその他の
請求項に記載されている。
【００１２】１つの実施例においては少なくとも１つの
基板の表面は重力に対して少なくとほぼ垂直に配置され
る。
【００１３】特に少なくとも１つの基板は膜の析出の間
所定の回転軸を中心に回転するのがよい。このような回
転は、プロセスガス流及び基板表面にわたる温度分布の
非均質性が補償されるので、成長する膜の均質性を改善
する。
【００１４】この装置の加熱手段は１つの有利な実施態
様においては少なくとも１つの基板と熱的に結合された
少なくとも１つのサセプタと、少なくとも１つの基板を
誘導加熱する誘導加熱装置、特に誘導コイルを含む。
【００１５】誘導加熱装置と少なくとも１つのサセプタ
とは、誘導加熱装置によって少なくとも１つのサセプタ
に作用する電磁力が重力に対して少なくともほぼ平行に
向くように互いに配置されるのがよい。これにより安定
した機械的及び熱的な構成が得られる。
【００１６】少なくとも１つのサセプタは、好ましく
は、誘導コイルと少なくとも１つの基板との間に配置さ
れる。特別な実施態様においてはサセプタはその場合誘
導コイルから反対側の側面に少なくとも１つの基板を嵌
め込んで保持する少なくとも１つの嵌込み片を備える。
この嵌込み片は、特に水平線に対して傾斜して配置され
ているので、各基板はそれ自体の重量により嵌込み片に
保持される。サセプタは支持ロッドに支えられる。
【００１７】さらに別の実施例においては、この装置は
少なくとも１つの基板及び少なくとも１つのサセプタを
支持するための少なくとも１つの支持装置を有する。こ
の支持装置は特別な構成においてはそれぞれ１つの開口
とこの開口を包囲する載置面とを備えた各基板に対する
支持プレートを含み、サセプタはこの支持プレートに挿
入可能である。支持プレートは好ましくは支持ロッドに
支持される。
【００１８】プロセスガス流とサセプタ或いは支持プレ
ートのための支持ロッドとの相互作用を小さくするため
に、支持ロッドは、例えば支持ロッドを少なくとも部分
的に包囲する管により不活性ガスによって洗われるよう
に、或いは少なくともその表面をプロセスガス流に対し
て不活性な物質から成るようにすることができる。
【００１９】ガス案内手段は別の実施例においてはプロ
セスガスがそれを通して流れるディフューザを含む。こ
のディフューザは充分に均質なガス流を発生させる。特
にガス案内手段はガス移送領域をも含み、これを通して
プロセスガス流が重力に対してほぼ逆平行にディフュー
ザから少なくとも１つの基板に流れる。
【００２０】この発明による方法及び装置は単結晶シリ
コンカーバイド或いは単結晶ガリウムナイトライドから
なる膜を析出するのに特に有効に使用される。
【００２１】
【実施例】この発明の実施例を図面を参照して以下に説
明する。図１によるＣＶＤプロセスにおいては基板２の
表面２０の範囲に少なくとも９００℃の析出温度Ｔ2 が
作られる。基板２の下側、即ち矢印Ｇによって表される
重力に対向する側に配置された空間領域２２は析出温度
Ｔ2 より低い温度Ｔ1 にある。この空間領域２２から基
板２の表面２０にプロセスガス流５が流れ、その流れ方
向は矢印Ｒで示されている。空間領域２２は基板２より
低温であるから、プロセスガス流５はその流れ方向Ｒに
沿って正の温度勾配をしている。これによりプロセスガ
ス流５には、基板２の表面２０に向かって増加する熱的
な浮揚力が作用する。プロセスガス流５から基板２の表
面２０に気相化学反応により膜６が析出される。
【００２２】プロセスガスの流れ方向Ｒと重力Ｇとは互
いに反対方向に向いている、即ち互いに逆平行である。
これにより対流力とプロセスガス流５に作用する熱的浮
揚力とは、プロセスガスが基板２に対して上から案内さ
れる公知のＣＶＤ装置とは異なり、同じ方向（平行）に
向いている。公知のＣＶＤ装置において特に基板２の表
面２０の近くに生ずるプロセスガス流５の渦流は、この
ような特別の手段によって抑制される。
【００２３】基板２の表面２０は図示の実施例では重力
Ｇ及びプロセスガス流５の流れ方向Ｒに対して垂直に向
いているが、この流れ方向Ｒに対して傾斜しても、また
流れ方向Ｒに対して平行になるように配置することもで
きる。
【００２４】図２には基板表面をＣＶＤ法により被膜す
る装置が示され、この場合基板２は支持装置（基板ホル
ダ）１０により保持されている。基板２は支持装置１０
の開口３３の縁部に支持されている。支持装置１０の上
部は反応炉１６の上部壁に、好ましくは回転可能に固定
されている。支持装置１０の開口３３は基板２の表面２
０を露出させており、この表面に下からガス案内手段に
よってプロセスガス流５が導かれる。ガス案内手段は反
応炉１６の側壁によって区画されたガス移送領域１９及
びこのガス移送領域１９の下に接しているディフューザ
１８を備えている。反応炉１６の流入口１７を通してＣ
ＶＤ法の実施のためにプロセスガスが流入し、このプロ
セスガスで合成されたプロセスガス流５はディフューザ
１８を通してガス移送領域１９に流入し基板２に向かっ
て流れる。余分のプロセスガスは排出口２４を介して再
び反応炉１６から排出され、特にポンプによって吸引さ
れる。表面２０と反対側の基板２の面の上方には基板２
を所望の析出温度に加熱するための抵抗加熱装置３５が
配置されている。
【００２５】プロセスガス流５の流れ方向Ｒは同様に重
力Ｇに対して逆平行に向いている。このためガス移送領
域１９の下方の空間領域から基板２に向かう温度勾配に
よって生ずるプロセスガス流５内の浮揚力はプロセスガ
スの流れを不安定なものにしない。
【００２６】基板に膜を析出するＣＶＤ装置のための複
数個の基板に対する支持装置１０は図３において断面図
で、図４において平面図で示されている。図３には加熱
装置がサセプタ３と誘導コイル４と共に付加的に図示さ
れている。図４には支持装置１０を上から見た図がサセ
プタ３及び誘導コイル４を省略して示されている。図３
の断面では２つの基板２Ａ及び２Ｃが示され、図４の平
面図では４つの基板２Ａ、２Ｂ、２Ｃ及び２Ｄが示され
ている。支持装置１０は支持プレート９と、この支持プ
レート９を中央で支持する支持ロッド１１を有してい
る。支持プレート９は底板９０と、側面で上に突き出て
いる縁部９１からなる。底板９０には各基板２Ａ乃至２
Ｄに対してそれぞれ１つの開口９３Ａ乃至９３Ｄが設け
られている。これらの開口９３Ａ乃至９３Ｄの各々の周
囲には底板９０に載置面９２Ａ乃至９２Ｄが形成され、
この上に基板２Ａ乃至２Ｄのそれぞれ１つが載置され
る。特に載置面９２Ａ乃至９２Ｄは底板９０の方向に後
退して形成されているのがよく、それにより基板に対し
て開口９３Ａ乃至９３Ｄによって決まる内径ｄ及び載置
面９２Ａ乃至９２Ｄによって決まる外形Ｄを持った円筒
状の受け床が形成されている。内径ｄは基板２Ａ乃至２
Ｄの直径より小さく、一方外形Ｄは基板２Ａ乃至２Ｄの
直径より大きく選ばれている。図示の円形の他に載置面
９２Ａ乃至９２Ｄは、勿論、基板の他の形状、例えば矩
形に合わせて形成することができる。一般には複数の基
板に合わせて４つ以上の載置面が、好ましくは互いに密
接して配置される。
【００２７】基板２Ａ乃至２Ｄを対応の載置面９２Ａ乃
至９２Ｄに載置した後支持プレート９にはサセプタ３が
嵌められる。このサセプタは特に支持プレート９の内径
に合わせるのがよく、特に円板形をしている。サセプタ
３は熱的に基板２Ａ乃至２Ｄと結合しており、このため
好ましくは基板２Ａ乃至２Ｄと直接接触している。支持
プレート９は好ましくは支持ロッド１１に嵌込み可能に
され、従ってこのロッドに着脱自在に結合されている。
これによりＣＶＤプロセス後の基板の交換が簡単にな
る。誘導コイル４は好ましくはパンケーキコイルのよう
な平形コイルであり、サセプタ３の上側に支持プレート
９及び基板２Ａ乃至２Ｄ並びにサセプタ３に対して少な
くとも平行に配置されている。
【００２８】サセプタ３は一般に導電物質からなる。特
に高周波交流電圧を誘導コイル４に加えると、サセプタ
３の中には渦電流が誘起され、これがジュール熱に変換
される。熱結合によってこの熱はサセプタ３から基板２
Ａ乃至２Ｄに伝達される。誘導原理（レンツの法則）に
よりサセプタ３には電磁力（力ベクトル）ＦEMが作用す
る。
【００２９】サセプタ３と誘導コイル４との相互の特別
な配置により、この電磁力ＦEMはサセプタ３の重量、従
って重力（力ベクトル）Ｇに対して同じ方向となる。同
じ方向とは、その付属する力の矢（ベクトル）が同じ方
向を指していることを意味する。サセプタ３に加わる全
体の力は、それ故、電磁力ＦEMと重力Ｇのベクトル和Ｆ
EM＋Ｇとなる。この全体の力ＦEM＋Ｇは誘導コイル４内
の電流の流れに無関係に常に重力Ｇの方向を指し、その
大きさは常に少なくともサセプタ３に作用する重力Ｇの
大きさである。それにより膜の析出中にかつ誘導コイル
４の動作中にサセプタ３は常にその状態に保持され、基
板２Ａ乃至２Ｄから持ち上がることがない。それ故、基
板２Ａ乃至２Ｄへの熱供給も均一となり、その基板表面
２０Ａ乃至２０Ｄにおける温度も均一となることが保証
される。上基板２Ａ乃至２Ｄはそれ自体の重量及びサセ
プタ３の重量により対応の載置面９２Ａ乃至９２Ｄに押
しつけられるので、不純物がサセプタ３から処理すべき
基板表面２０Ａ乃至２０Ｄに達することは実質的にな
い。これにより各基板２Ａ乃至２Ｄにエピタキシー膜を
成長させる際成長するエピタキシー膜の品質が改善され
る。
【００３０】図５は複数個の基板にＣＶＤ法により膜を
析出するための装置を示す。この装置は支持プレート９
及び支持ロッド１１を備えた支持装置並びにサセプタ３
を有し、この支持装置は図３の実施例と同様に構成さ
れ、誘導コイル４が付設されている。この構成はこの図
では反応炉１６内に配置され、その下側即ち重力Ｇの方
向に見て、基板２Ａ乃至２Ｃの下にプロセスガス流５を
基板表面２０Ａ及び２０Ｃに向ける手段が設けられてい
る。このプロセスガス流５の整流手段は、多数種類のプ
ロセスガスを反応炉１６に導くためのガス流入口１７
と、均質なプロセスガス流５を作るためのディフューザ
１８とを含む。このディフューザ１８は所定のメッシュ
寸法の金網で構成できる。プロセスガス流５は基板表面
２０Ａ乃至２０Ｃ上を流れてその後ろ側方に向きを変
え、ポンプが接続された排出口２４を介して反応炉１６
から排出される。特に誘導コイル４をプロセスガス流５
から保護するためにガス入口２３が設けられ、これを介
して誘導コイル４及び好ましくはサセプタ３も不活性ガ
ス、特にアルゴンで洗われるようにするのがよい。
【００３１】支持プレート９を載置している支持ロッド
１１は反応炉１６全体を通して下方向に延び、気密開口
１９、特に回転軸封部を介して反応炉１６の外に導かれ
ている。そこで、支持ロッド１１と作用結合して支持ロ
ッド１１をその軸に沿って回転させることができる回転
装置２１が設けられている。回転速度はその場合要求に
応じて可変に設定される。回転装置２１としては例えば
適当な変速比を持つ電動機が使用される。特に支持ロッ
ド１１は、反応炉１６への基板の装着及びそれからの脱
離を容易にすることができるように、気密開口部９を介
してその長手軸に沿って移動することができるようにす
るのがよい。
【００３２】図５においても重力Ｇに反対方向のプロセ
スガス流５の流れ方向が矢印で示されている。ガスの流
れ方向Ｒと重力Ｇとが逆平行であることにより反応炉１
６内のガス空間には殆ど渦流を示さない安定した熱の層
が得られる。回転速度、圧力及びガス流量（流量率）等
の全てのパラメータはこの場合成長プロセスの改善のた
めに自由に最適化される。
【００３３】支持ロッド１１は図５の実施例ではプロセ
スガス流５に接触しているから、支持ロッド１１は少な
くともその表面においてはプロセスガス流５に対して化
学的に反応しない（不活性）物質から作られる。
【００３４】支持ロッド１１は、また図６に示す別の実
施例のように、不活性ガスで洗われるようにすることも
できる。このために支持ロッド１１は特にプロセスガス
流５に対して不活性な物質からなる管１４によって包囲
される。図６に示す有利な実施例においてはプロセスガ
ス流５は特に支持ロッド１１の回りに同心的に配置され
たノズルリング２５から上に向かって流れる。このノズ
ルリング２５はその出口開口によって中断されているデ
ィフューザ１８で取り囲まれる。ノズルリング２５の内
部にあるディフューザ１８の部分を通して不活性ガス流
５０は不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）のような希
ガスから導かれる。不活性ガス流５０はプロセスガス流
５に対してほぼ平行に流れる。この不活性ガス流５０の
少なくとも一部は管１４と支持ロッド１１との間の空間
を流れる。不活性ガス流５０の他の部分は管１４の外側
に沿って流れる。不活性ガス流５０はプロセスガス流５
によって例えば円筒状の外套によるように包囲される。
【００３５】図６に示される不活性ガス流５０は、支持
ロッド１１とプロセスガス流５との間の反応を阻止する
ために、直接支持ロッド１１の回りに管１４なしで作ら
れることもできる。
【００３６】図７には基板２をＣＶＤ法により被膜する
装置の他の実施例を示す。基板２はその縁部が支持装置
７の載置面７２に載っている。載置面７２は支持装置７
の底板７０の開口７３の縁部を形成している。底板７０
の開口７３を通して基板２の下側の表面２０に接近可能
である。それ故下から基板２の表面２０に向かって流れ
るプロセスガス流５から、基板２はその表面２０にＣＶ
Ｄ法により図示されていない膜が形成される。流体力学
的理由から載置面７２は好ましくは斜めに形成されるの
で、その直径は基板２に向かって連続的に減少してい
る。載置面７２とこれに載置された基板２は重力Ｇに対
してほぼ垂直に向いている。底板７０の他に支持装置７
は側面部７１を備え、これは例えば中空円筒に形成さ
れ、上に向かって、即ち重力Ｇに対向して延びている。
好ましくは、支持装置７は特に重力Ｇに対して平行な回
転軸を中心に上から回転可能である。支持装置７にはそ
の底板７０にサセプタ３が配置され、これは側面部７１
により境界され、熱的に基板２と結合されている。サセ
プタ３の上にはこの例でも誘導コイル４が配置されてい
る。サセプタ３に加わる全体の力Ｆ＝ＦEM＋Ｇはこの作
用力の方向を示す矢印で表され、常に重力Ｇに対して同
じ方向であるので、サセプタ３は支持装置７の上に固く
留まり、基板２との一定の熱結合並びに安定した機械的
構成が保証されている。特にサセプタ３は誘導コイル４
の電力が変化してもその受け床から持ち上がることがな
い。
【００３７】図８は図７と同様な構造の装置を示すが、
８で表す支持装置が異なっている。支持装置８は、図３
の支持装置と同様に、開口８３と載置面８２を備えた底
板８０を備え、この上に基板２が載っている。しかしな
がら、支持装置８は図３のように上に向かってではな
く、下に向かって重力Ｇの方向に延びており、基板２に
関して、下部で固定されている。さらに支持装置８は内
部が中空で、それにより形成される中空空間８４内にプ
ロセスガス流５が貫流している。プロセスガスが基板２
に当たった後これを排出するために、図には示されてい
ないが、好ましくは支持装置８の上部範囲に開口が設け
られている。特に支持装置８の内部の中空空間８４は下
に向かって狭くなっており、そこでシャフトの形状をし
ている。支持装置８のこのシャフト状の部分は、好まし
くは回転装置、例えば電動機と結合され、プロセスの間
基板２を特に重力Ｇに対して平行な方向の回転軸を中心
に回転させられる。少なくとも１つの基板２のこの回転
の回転数は一般に約５ｒｐｍ（１分当たりの回転数）と
約１５００ｒｐｍとの間、好ましくは約１０ｒｐｍと８
００ｒｐｍとの間に設定される。
【００３８】支持装置８の底板８０には、この場合も、
側面部８１に囲まれて、サセプタ３が配置され、これは
サセプタ３の上に配置された誘導コイル４により基板２
を加熱するため誘導加熱される。サセプタ３は基板２に
できるだけ正確に合致するように載置される。
【００３９】図９にはそれ自体少なくとも１つの基板の
支持装置として設けられているサセプタ３が下から見た
状態で示されている。サセプタ３はその下側に各基板２
Ａ乃至２Ｅのために嵌込み片（収納ポケット）１２Ａ乃
至１２Ｅを備えている。この嵌込み片の形状はこれに対
応する基板の形状に合わせられており、図９の実施例で
は半円形をしている。基板２Ａ乃至２Ｅはこの嵌込み片
１２Ａ乃至１２Ｅに側面方から嵌め込まれ、この嵌込み
片１２Ａ乃至１２Ｅにより保持される。サセプタ３は、
好ましくは回転軸を中心に回転させられる。嵌込み片１
２Ａ乃至１２Ｅは、基板２Ａ乃至２Ｅが対応する嵌込み
片１２Ａ乃至１２Ｅにサセプタ３の回転の際遠心力によ
って押しつけられ、従って付加的に機械的に安定される
ように、半径方向に配置されている。基板２Ａ乃至２Ｅ
の被膜はこの実施例では下から、即ちサセプタ３の下側
を見る方向に行われる。誘導コイルは図示されていない
が、サセプタ３の上側に配置されている。
【００４０】図１０は同様に基板ホルダとして設けられ
た複個の嵌込み片を備えたサセプタ３を示している。こ
れらの嵌込み片のうち図示の断面図では２つの嵌込み片
１２Ａ及び１２Ｃだけが示されている。嵌込み片１２Ａ
及び１２Ｃにはそれぞれ基板２Ａ及び２Ｃが嵌め込まれ
ている。嵌込み片１２Ａ及び１２Ｃはつながっている側
面部３７の下側に或いはそれぞれサセプタ３の複数個の
側面部３７の１つの下側に固定されている。少なくとも
１つの側面部３７は、支持ロッド１３の上に配置されて
いるサセプタ３の中央部３６と接続されている。少なく
とも１つの側面部３７は重力Ｇに対して鋭角に上に傾い
ているので、重力Ｇの一成分が基板２Ａ及び２Ｃを嵌込
み片１２Ａ及び１２Ｃに固く押しつけている。さらに基
板２Ａ及び２Ｃが支持ロッド１３に対して内側に斜めに
傾いた状態にあることにより回転の際の遠心力も良好に
捉えられるので、基板２Ａ及び２Ｃが確実にその位置に
留まる。少なくとも１つの側面部３７にはその基板２Ａ
及び２Ｃに反対側の上面に好ましくは同様に傾いて配置
された誘導コイル４が対応して配置されている。プロセ
スガス流５はこの場合も下から基板２Ａ及び２Ｃに向い
ている。
【００４１】この発明の方法及び装置は特に単結晶シリ
コンカーバイド或いは単結晶ガリウムナイトライドの膜
をＣＶＤプロセスにより成長させるために使用される。
単結晶シリコンカーバイド或いは単結晶ガリウムナイト
ライドの膜を生成するＣＶＤプロセスは多数の実施例が
公知である。
【００４２】プロセスガス流５のプロセスガスとしては
シリコンカーバイドのＣＶＤプロセスにおいてはシリコ
ン及び炭素を供給する作業ガスと、一般に水素である少
なくとも１つのキャリアガスと、場合によっては成長す
るシリコンカーバイドをドープするためのドープガスが
使用される。プロセスガス流５の混合ガスが加熱された
基板に当たると化学反応により作業ガス（源ガス）から
キャリアガスとの共同作用でシリコンカーバイドが析出
される。基板の温度は誘導コイル４の電力により調整さ
れる。シリコンカーバイドをＣＶＤにより成長させるた
めには一般に約９００℃乃至約２５００℃の析出温度が
設定される。
【００４３】単結晶ガリウムナイトライドの膜を作るに
は作業ガスとして特にアンモニア及びガリウム炭化水素
化合物、例えばトリメチル或いはトリエチルガリウムが
使用される。基板は特にＡｌ2 Ｏ3 或いはＳｉＣからな
る。基板における析出温度は約９５０℃乃至約１１００
℃に設定されるのがよい。
【００４４】特に支持プレート９及び支持ロッド１１は
プロセスガス流５に対して不活性の物質からなるか、或
いは少なくとも不活性の物質例えばタンタルカーバイド
或いはＳｉＣ−ＣＶＤプロセスによるシリコンカーバイ
ドで被膜されるのがよい。図６の管１４も少なくとも部
分的にＳｉＣ或いはタンタルカーバイドからなる。
【００４５】基板の上側で加熱し支持ロッドを下から回
転する構成の利点は、その対応した実施例において、加
熱のための電気リード線と回転のための回軸軸封部が互
いに分離されること、即ち反応炉の異なる側に配置さ
れ、従って構成が簡単であることにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】少なくとも１つの基板に膜を生成するＣＶＤプ
ロセスを説明する原理図。
【図２】抵抗加熱により少なくとも１つの基板に膜を生
成する装置の概略構成図。
【図３】複数個の基板のＣＶＤプロセスのための支持装
置の断面図。
【図４】図３の支持装置の平面図。
【図５】図３及び図４による支持装置を備え、複数個の
基板にそれぞれ膜を生成する装置の第一の実施例の概略
構成図。
【図６】図３及び図４による支持装置を備え、複数個の
基板にそれぞれ膜を生成する装置の第二の実施例の概略
構成図。
【図７】上から回転可能な基板支持装置を備え、下から
基板に被膜する装置の実施例の概略部分図。
【図８】下から回転可能な基板支持装置を備え、下から
基板に被膜する装置の実施例の概略部分図。
【図９】複数個の基板の嵌込み片を備えたサセプタの下
面図。
【図１０】複数個の基板の嵌込み片を備えたサセプタの
断面図。
【符号の説明】
２ 基板 ２Ａ乃至２Ｅ 基板 ３ サセプタ ４ 誘導加熱装置（誘導コイル） ５ プロセスガス流 ６ 膜 ７、８、９ 支持プレート １０ 支持装置 １１、１３ 支持ロッド １２Ａ乃至１２Ｅ 嵌込み片 １６ 反応炉 １７ 流入口 １８ ディフューザ １９ 気密開口部 ２０ 基板表面 ２０Ａ、２０Ｃ 基板表面 ２１ 回転手段 ２２ 空間領域 ２３ ガス流入口 ２４ 排出口 ３３ 開口 ３５ 抵抗加熱装置 ７０ 底板 ７１ 側面部 ７２ 載置面 ７３ 開口 ８０ 底板 ８１ 側面部 ８２ 載置面 ８３ 開口 ８４ 内部空間 ９０ 底板 ９１ 側面部 ９２Ａ乃至９２Ｄ 載置面 ９３Ａ乃至９３Ｄ 開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ａ）少なくとも１つの基板（２）の表面
    （２０）に少なくとも９００℃の析出温度（Ｔ2 ）が設
    定され、 ｂ）プロセスガス流（５）がこの析出温度（Ｔ2 ）より
    低い温度（Ｔ1 ）にある空間領域（２２）から基板
    （２）の表面（２０）に導かれ、 ｃ）基板（２）の表面（２０）に化学蒸着（ＣＶＤ）に
    よりプロセスガス流（５）から膜（６）が析出され、 ｄ）プロセスガス流（５）が少なくとも基板（２）の表
    面（２０）に当たる直前に重力（Ｇ）に対して少なくと
    もほぼ逆平行に向けられることを特徴とする化学蒸着に
    より少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法。
  2. 【請求項２】少なくとも１つの基板（２）の表面（２
    ０）が重力（Ｇ）に対して少なくともほぼ垂直に整列さ
    れることを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】少なくとも１つの基板（２）が所定の回転
    軸を中心に回転させられることを特徴とする請求項１又
    は２記載の方法。
  4. 【請求項４】単結晶シリコンカーバイド或いは単結晶ガ
    リウムナイトライドからなる膜（６）が析出されること
    を特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の方法。
  5. 【請求項５】ａ）基板（２）の表面（２０）に少なくと
    も９００℃の析出温度（Ｔ2 ）を形成するための加熱手
    段（３、４）と、 ｂ）プロセスガス流（５）を析出温度（Ｔ2 ）より低い
    温度（Ｔ1 ）にある空間領域（２２）から基板（２）の
    表面（２０）に、プロセスガス流（５）が少なくとも基
    板（２）の表面（２０）に当たる直前に重力（Ｇ）に対
    して少なくともほぼ逆平行に向かうように案内するガス
    案内手段（１６、１８）とを備えていることを特徴とす
    る化学蒸着により少なくとも１つの基板の表面に膜を生
    成する装置。
  6. 【請求項６】加熱手段が、 ａ）少なくとも１つの基板と熱結合した少なくとも１つ
    のサセプタ（３）と、 ｂ）少なくとも１つのサセプタ（３）を誘導加熱する誘
    導加熱装置（４）とを備えていることを特徴とする請求
    項５記載の装置。
  7. 【請求項７】誘導加熱装置（４）と少なくとも１つのサ
    セプタ（３）とが、この誘導加熱装置（４）によって少
    なくとも１つのサセプタ（３）に作用する電磁力
    （ＦEM）が重力（Ｇ）に対して少なくともほぼ平行に向
    くように、互いに配置されていることを特徴とする請求
    項６記載の装置。
  8. 【請求項８】誘導加熱装置が少なくとも１つの誘導コイ
    ル（４）を含むことを特徴とする請求項６又は７記載の
    装置。
  9. 【請求項９】少なくとも１つのサセプタ（３）が誘導コ
    イル（４）と少なくとも１つの基板（２）との間に配置
    されていることを特徴とする請求項８記載の装置。
  10. 【請求項１０】サセプタ（３）がその誘導コイル（４）
    の反対側の面に各基板（２Ａ乃至２Ｅ）のために少なく
    とも１つの基板（２Ａ乃至２Ｅ）を固定するための嵌込
    み片（１２Ａ乃至１２Ｅ）を備えていることを特徴とす
    る請求項９記載の装置。
  11. 【請求項１１】サセプタ（３）が、各基板（２Ａ乃至２
    Ｅ）がそれ自体の重量により嵌込み片（１２Ａ乃至１２
    Ｅ）に保持されるように形成されていることを特徴とす
    る請求項１０記載の装置。
  12. 【請求項１２】サセプタ（３）が支持ロッド（１１）に
    支えられていることを特徴とする請求項９乃至１１の１
    つに記載の装置。
  13. 【請求項１３】少なくとも１つの基板（２）と少なくと
    も１つのサセプタ（３）を支持するための支持装置
    （７、８、９）を備えていることを特徴とする請求項５
    乃至９の１つに記載の装置。
  14. 【請求項１４】支持装置がそれぞれ１つの開口とこの開
    口を包囲する載置面（９２Ａ乃至９２Ｆ）を備えた、各
    基板用の支持プレート（９）を有し、サセプタ（３）が
    この支持プレートに嵌込まれていることを特徴とする請
    求項１３記載の装置。
  15. 【請求項１５】支持プレート（９）が支持されている支
    持ロッド（１１）を備えていることを特徴とする請求項
    １４記載の装置。
  16. 【請求項１６】支持ロッド（１１、１３）が少なくとも
    その表面においてプロセスガス流（５）に対して不活性
    の物質からなることを特徴とする請求項１２又は１５記
    載の装置。
  17. 【請求項１７】支持ロッド（１１、１３）を少なくとも
    部分的に不活性ガス流（５０）で洗う手段を備えている
    ことを特徴とする請求項１２又は１５記載の装置。
  18. 【請求項１８】少なくとも１つの基板（２、２Ａ乃至２
    Ｅ）を所定の回転軸を中心に回転させる回転手段（２
    １）を備えていることを特徴とする請求項５乃至１７の
    １つに記載の装置。
  19. 【請求項１９】少なくとも１つの基板（２）の表面（２
    ０）が重力（Ｇ）に対して少なくともほぼ垂直に配置さ
    れていることを特徴とする請求項５乃至１８の１つに記
    載の装置。
  20. 【請求項２０】ガス案内手段がディフューザ（１８）を
    有し、これを通してプロセスガス流（５）が流れること
    を特徴とする請求項５乃至１９の１つに記載の装置。
  21. 【請求項２１】ガス案内手段がガス輸送領域（１９）を
    有し、これを通してプロセスガス流（５）が重力（Ｇ）
    に対してほぼ逆平行にディフューザ（１８）から少なく
    とも１つの基板（２）の表面（２０）に流れることを特
    徴とする請求項２０記載の装置。
  22. 【請求項２２】単結晶のシリコンカーバイド或いは単結
    晶のガリウムナイトライドからなる膜を析出することを
    特徴とする請求項５乃至２１の１つに記載の装置。
JP15918597A 1996-06-04 1997-06-02 化学蒸着により少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置 Withdrawn JPH1068079A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19622403.9 1996-06-04
DE1996122403 DE19622403C1 (de) 1996-06-04 1996-06-04 Vorrichtung zum Erzeugen einer Schicht auf der Oberfläche wenigstens eines Substrats durch CVD

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1068079A true JPH1068079A (ja) 1998-03-10

Family

ID=7796112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15918597A Withdrawn JPH1068079A (ja) 1996-06-04 1997-06-02 化学蒸着により少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0811702A3 (ja)
JP (1) JPH1068079A (ja)
CN (1) CN1170048A (ja)
DE (1) DE19622403C1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8366830B2 (en) 2003-03-04 2013-02-05 Cree, Inc. Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor
US8372204B2 (en) 2002-05-13 2013-02-12 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
WO2023085602A1 (ko) * 2021-11-10 2023-05-19 신정훈 질화갈륨 단결정 성장을 위한 하이드라이드 기상 증착 장비

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11209199A (ja) * 1998-01-26 1999-08-03 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ単結晶の合成方法
EP1432844B1 (en) 2001-09-29 2018-11-21 Cree, Inc. Apparatus for inverted cvd
DE102009018700B4 (de) * 2008-09-01 2020-02-13 Singulus Technologies Ag Beschichtungsanlage und Verfahren zum Beschichten
DE102012205055B4 (de) * 2012-03-29 2020-08-06 Detlef Haje Gasturbinenbauteil für Hochtemperaturanwendungen, sowie Verfahren zum Betreiben und Herstellen eines solchen Gasturbinenbauteils
CN103361633B (zh) * 2012-04-01 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种进气装置、反应腔室以及等离子体加工设备
CN108374199B (zh) * 2018-03-26 2020-11-17 电子科技大学 一种多孔GeS单晶纳米片及其制备方法
CN110965123A (zh) * 2019-12-03 2020-04-07 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司 一种致密单晶型SiC涂层的制备方法
CN111334861A (zh) * 2020-04-03 2020-06-26 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种用于制备PVT法AlN籽晶的化学气相沉积外延装置及方法
CN116492923B (zh) * 2023-06-30 2023-09-08 雅安宇焜芯材材料科技有限公司 一种用于制备半导体材料的装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3408982A (en) * 1966-08-25 1968-11-05 Emil R. Capita Vapor plating apparatus including rotatable substrate support
US3916822A (en) * 1974-04-26 1975-11-04 Bell Telephone Labor Inc Chemical vapor deposition reactor
US4772356A (en) * 1986-07-03 1988-09-20 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
CA2016970A1 (en) * 1990-05-16 1991-11-16 Prasad N. Gadgil Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films
DE4142877A1 (de) * 1990-12-28 1992-07-02 Mitsubishi Electric Corp Cvd-verfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung
JPH0697080A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8372204B2 (en) 2002-05-13 2013-02-12 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
US8366830B2 (en) 2003-03-04 2013-02-05 Cree, Inc. Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor
WO2023085602A1 (ko) * 2021-11-10 2023-05-19 신정훈 질화갈륨 단결정 성장을 위한 하이드라이드 기상 증착 장비

Also Published As

Publication number Publication date
CN1170048A (zh) 1998-01-14
DE19622403C1 (de) 1997-11-20
EP0811702A2 (de) 1997-12-10
EP0811702A3 (de) 1998-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6153012A (en) Device for treating a substrate
JPH1068079A (ja) 化学蒸着により少なくとも１つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置
CN1284887C (zh) 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
JP2001210600A (ja) 化学的気相析出法による炭化ケイ素の製造方法及び装置
JP5500953B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
CN113151897A (zh) 一种坩埚结构
CN114108093B (zh) 碳化硅晶体生长装置
US8257499B2 (en) Vapor phase deposition apparatus and vapor phase deposition method
JP2003507319A (ja) 広い電子的帯域ギャップおよび高い結合エネルギーを有する材料の沈積方法および装置
JP4374786B2 (ja) Ｃｖｄ装置および薄膜製造方法
JPH11171686A (ja) 半導体単結晶育成装置および結晶育成方法
JPH07235501A (ja) 結晶成長装置
EP2465980B1 (en) Apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal
JP5829547B2 (ja) 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン製造装置
CN114250513B (zh) 连续型锭生长装置
CN120330875A (zh) 一种碳化硅晶体长晶炉及碳化硅晶体生长方法
KR20190070404A (ko) 탄화규소 단결정 성장 장치
JP3855732B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
JPH0756863B2 (ja) 気相成長装置
JP2001010890A (ja) 単結晶引上装置
CN115386950A (zh) 晶体生长装置
WO2015001975A1 (ja) ウェハ支持台、およびそのウェハ支持台が用いられてなる化学的気相成長装置
JPH0234909A (ja) 化合物半導体気相成長方法および装置
CN121653830A (zh) 一种cvd反应装置
JP4236230B2 (ja) 気相薄膜成長装置のサセプタおよび該サセプタを用いた気相薄膜成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040803