JPH1068097A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH1068097A JPH1068097A JP24254996A JP24254996A JPH1068097A JP H1068097 A JPH1068097 A JP H1068097A JP 24254996 A JP24254996 A JP 24254996A JP 24254996 A JP24254996 A JP 24254996A JP H1068097 A JPH1068097 A JP H1068097A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- noble metal
- resin
- plating
- metal plating
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は樹脂モ−ルド、銀ペ−スト樹脂な
どの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっ
き層の下地のＮｉめっき層を有する電子部品において、
樹脂密着強度を高くしたものである。 【解決手段】 樹脂モ−ルド，銀ぺ−スト樹脂などの有
機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっき層の
下地にＮｉめっき層を有する電子部品において、Ｎｉめ
っき層の粗さがこのＮｉめっき層の平均厚みの０．０３
倍〜０．１０倍であることを特徴とする電子部品を提供
する。前記Ｎｉめっき層の平均厚みが０．０５μｍ〜５
０μｍであり、Ｎｉめっきの上層の貴金属めっき層とし
て、Ｐｄ，Ｐｄ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金
のいずれか一つ以上のめっき層があることを特徴とする
電子部品も提供する。
どの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっ
き層の下地のＮｉめっき層を有する電子部品において、
樹脂密着強度を高くしたものである。 【解決手段】 樹脂モ−ルド，銀ぺ−スト樹脂などの有
機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっき層の
下地にＮｉめっき層を有する電子部品において、Ｎｉめ
っき層の粗さがこのＮｉめっき層の平均厚みの０．０３
倍〜０．１０倍であることを特徴とする電子部品を提供
する。前記Ｎｉめっき層の平均厚みが０．０５μｍ〜５
０μｍであり、Ｎｉめっきの上層の貴金属めっき層とし
て、Ｐｄ，Ｐｄ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金
のいずれか一つ以上のめっき層があることを特徴とする
電子部品も提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は樹脂モ−ルド，銀
ぺ−ストなどの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ
貴金属めっき層の下地にＮｉめっき層を有する電子部品
に関するものである。
ぺ−ストなどの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ
貴金属めっき層の下地にＮｉめっき層を有する電子部品
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来下地にＮｉめっき層を有する貴金属
めっき層上に樹脂モ−ルド，Ａｇペ−スト樹脂などの有
機材料を用いる半導体リ−ドフレ−ムやプリント基板な
どの電子部品において、下地のＮｉめっき層は、延展性
が必要なことにより無光沢Ｎｉめっき液が用いられてき
た。一般に無光沢Ｎｉめっき液として多用されているワ
ット浴やスルファミン浴では、結晶粒子が小さいために
Ｎｉめっき上の樹脂密着強度は強いが、Ｎｉめっきを下
地層とした貴金属めっき上の樹脂密着強度は低かった。
めっき層上に樹脂モ−ルド，Ａｇペ−スト樹脂などの有
機材料を用いる半導体リ−ドフレ−ムやプリント基板な
どの電子部品において、下地のＮｉめっき層は、延展性
が必要なことにより無光沢Ｎｉめっき液が用いられてき
た。一般に無光沢Ｎｉめっき液として多用されているワ
ット浴やスルファミン浴では、結晶粒子が小さいために
Ｎｉめっき上の樹脂密着強度は強いが、Ｎｉめっきを下
地層とした貴金属めっき上の樹脂密着強度は低かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は樹脂
密着性に優れた信頼性の高い電子部品を提供することに
ある。
密着性に優れた信頼性の高い電子部品を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は樹脂モ−ル
ド，銀ぺ−ストなどの有機材料を貴金属めっき層上に用
いる電子部品において、貴金属めっき下地のＮｉめっき
の粗さがこのＮｉめっきの平均厚みの０．０３倍〜０．
１０倍であることを特徴とする電子部品を提供するもの
である。Ｎｉめっき層は電解法，無電解法，蒸着法の何
れの方法を採用してもよい。また、Ｎｉめっき層の厚み
は０．０５μｍ〜５０μｍが適正な範囲である。Ｎｉめ
っき層の上層の貴金属層にはＰｄ，Ｐｄ合金，Ａｕ，Ａ
ｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金のめっきが使用される。これら
のめっき層は電解法，無電解法，蒸着法の何れによって
も製作が可能である。
ド，銀ぺ−ストなどの有機材料を貴金属めっき層上に用
いる電子部品において、貴金属めっき下地のＮｉめっき
の粗さがこのＮｉめっきの平均厚みの０．０３倍〜０．
１０倍であることを特徴とする電子部品を提供するもの
である。Ｎｉめっき層は電解法，無電解法，蒸着法の何
れの方法を採用してもよい。また、Ｎｉめっき層の厚み
は０．０５μｍ〜５０μｍが適正な範囲である。Ｎｉめ
っき層の上層の貴金属層にはＰｄ，Ｐｄ合金，Ａｕ，Ａ
ｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金のめっきが使用される。これら
のめっき層は電解法，無電解法，蒸着法の何れによって
も製作が可能である。
【０００５】
【発明の実施の形態】銅合金素材のリ−ドフレ−ムの表
面に、常法により脱脂及び活性化を行なった後、全面に
中間層として厚さ１μｍのＮｉめっきを施し、これを実
施例とする。この場合のＮｉめっきの条件は、硫酸ニッ
ケル２２０ｇ／リットル（Ｎｉとして４６ｇ／リット
ル），塩化ニッケル１５０ｇ／リットル（Ｎｉとして３
７ｇ／リットル），ホウ酸２０ｇ／リットルからなるめ
っき液にて、温度５０度Ｃ，陰極電流密度２Ａ／ｄｍ2
でめっきを行った。
面に、常法により脱脂及び活性化を行なった後、全面に
中間層として厚さ１μｍのＮｉめっきを施し、これを実
施例とする。この場合のＮｉめっきの条件は、硫酸ニッ
ケル２２０ｇ／リットル（Ｎｉとして４６ｇ／リット
ル），塩化ニッケル１５０ｇ／リットル（Ｎｉとして３
７ｇ／リットル），ホウ酸２０ｇ／リットルからなるめ
っき液にて、温度５０度Ｃ，陰極電流密度２Ａ／ｄｍ2
でめっきを行った。
【０００６】比較例１としてＮｉめっき条件が実施例と
異なり塩化物の少ない、すなわち硫酸ニッケル２８０ｇ
／リットル（Ｎｉとして５８ｇ／リットル）、塩化ニッ
ケル４０ｇ／リットル（Ｎｉとして１０ｇ／リットル）
ホウ酸２０ｇ／リットルからなる無光沢ワット浴めっき
液にて、液温５０℃、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ2 でめっ
きを行った。比較例２として、Ｎｉめっき条件がスルフ
ァミン酸Ｎｉ４１５ｇ／リットル（Ｎｉとして７５ｇ／
リットル）、塩化Ｎｉ３０ｇ／リットル（Ｎｉとして７
ｇ／リットル）、ホウ酸２０ｇ／リットルからなる無光
沢スルファミン酸浴めっき液にて液温５０℃、陰極電流
密度２Ａ／ｄｍ2 でめっきを行った。
異なり塩化物の少ない、すなわち硫酸ニッケル２８０ｇ
／リットル（Ｎｉとして５８ｇ／リットル）、塩化ニッ
ケル４０ｇ／リットル（Ｎｉとして１０ｇ／リットル）
ホウ酸２０ｇ／リットルからなる無光沢ワット浴めっき
液にて、液温５０℃、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ2 でめっ
きを行った。比較例２として、Ｎｉめっき条件がスルフ
ァミン酸Ｎｉ４１５ｇ／リットル（Ｎｉとして７５ｇ／
リットル）、塩化Ｎｉ３０ｇ／リットル（Ｎｉとして７
ｇ／リットル）、ホウ酸２０ｇ／リットルからなる無光
沢スルファミン酸浴めっき液にて液温５０℃、陰極電流
密度２Ａ／ｄｍ2 でめっきを行った。
【０００７】得られた各々のリ−ドフレ−ムについて、
モ−ルド樹脂密着性評価試験とＡｇペ−スト樹脂密着性
評価試験を行った。各評価試験の方法は次のとおりであ
る。モ−ルド樹脂密着性評価試験は低応力型モ−ルド樹
脂と、ビフェニ−ル型モ−ルド樹脂を使用した場合の熱
処理（１７５℃で６０分加熱保持後、２５０℃で３分加
熱）したものと、熱処理しないものについてのシェア強
度（Ｎ）を測定した。ここでＮはニュ−トンを意味す
る。Ａｇペ−スト樹脂密着性評価試験はペ−ストキュア
条件が１６０℃で６０分後、ダイシェア強度２５０℃で
測定した。チップのサイズは２ｍｍ×２ｍｍである。各
評価試験の結果を、表１に示す。評価において、Ａは優
れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや悪いもの、Ｄは
悪いものを表す。
モ−ルド樹脂密着性評価試験とＡｇペ−スト樹脂密着性
評価試験を行った。各評価試験の方法は次のとおりであ
る。モ−ルド樹脂密着性評価試験は低応力型モ−ルド樹
脂と、ビフェニ−ル型モ−ルド樹脂を使用した場合の熱
処理（１７５℃で６０分加熱保持後、２５０℃で３分加
熱）したものと、熱処理しないものについてのシェア強
度（Ｎ）を測定した。ここでＮはニュ−トンを意味す
る。Ａｇペ−スト樹脂密着性評価試験はペ−ストキュア
条件が１６０℃で６０分後、ダイシェア強度２５０℃で
測定した。チップのサイズは２ｍｍ×２ｍｍである。各
評価試験の結果を、表１に示す。評価において、Ａは優
れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや悪いもの、Ｄは
悪いものを表す。
【０００８】
【表１】
【０００９】また表面粗さ測定器により、前記実施例、
比較例１、比較例２で何れもＮｉめっき厚１０μｍとし
た時の粗さをそれぞれ多数について測定した。その結果
を表２に示す。
比較例１、比較例２で何れもＮｉめっき厚１０μｍとし
た時の粗さをそれぞれ多数について測定した。その結果
を表２に示す。
【００１０】
【表２】
【００１１】
【発明の効果】この発明は樹脂モ−ルド，銀ぺ−スト樹
脂などの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属
めっき層の下地にＮｉめっき層を有する電子部品におい
て、Ｎｉめっき層の粗さが大きく、モ−ルド樹脂密着性
或はＡｇペースト樹脂密着性に優れており、大きい樹脂
密着強度が得られるという効果を有している。
脂などの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属
めっき層の下地にＮｉめっき層を有する電子部品におい
て、Ｎｉめっき層の粗さが大きく、モ−ルド樹脂密着性
或はＡｇペースト樹脂密着性に優れており、大きい樹脂
密着強度が得られるという効果を有している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/38 7511−4Ｅ Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂モ−ルド，銀ぺ−ストなどの有機材
料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっき層の下地
にＮｉめっき層を有する電子部品において、前記Ｎｉめ
っき層の粗さがこのＮｉめっき層の平均厚みの０．０３
倍〜０．１０倍であることを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子部品であって、前記
Ｎｉめっき層の平均厚みが０．０５μｍ〜５０μｍであ
り、Ｎｉめっきの上層の貴金属めっき層として、Ｐｄ，
Ｐｄ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金のいずれか
一つ以上のめっき層があることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24254996A JPH1068097A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24254996A JPH1068097A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1068097A true JPH1068097A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=17090764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24254996A Pending JPH1068097A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1068097A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000064084A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Kobe Steel Ltd | 電子部品の放熱板用めっき材 |
| JP2002299538A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体パッケージ |
| JP2004339584A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びそのめっき方法 |
| WO2005015965A1 (ja) * | 2003-08-06 | 2005-02-17 | Fcm Co., Ltd. | ルテニウム層を形成した回路基板およびそれを含む製品 |
| JP2009010407A (ja) * | 2008-08-19 | 2009-01-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パッケージ部品及びその製造方法ならびに半導体パッケージ |
| JP2011137244A (ja) * | 2011-04-11 | 2011-07-14 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| WO2025069868A1 (ja) * | 2023-09-28 | 2025-04-03 | リンテック株式会社 | 配線基板及び配線シート |
-
1996
- 1996-08-27 JP JP24254996A patent/JPH1068097A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000064084A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Kobe Steel Ltd | 電子部品の放熱板用めっき材 |
| JP2002299538A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体パッケージ |
| JP2004339584A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びそのめっき方法 |
| WO2005015965A1 (ja) * | 2003-08-06 | 2005-02-17 | Fcm Co., Ltd. | ルテニウム層を形成した回路基板およびそれを含む製品 |
| JP2005057132A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Fcm Kk | 回路基板およびそれを含むことを特徴とする製品 |
| JP2009010407A (ja) * | 2008-08-19 | 2009-01-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パッケージ部品及びその製造方法ならびに半導体パッケージ |
| JP2011137244A (ja) * | 2011-04-11 | 2011-07-14 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| WO2025069868A1 (ja) * | 2023-09-28 | 2025-04-03 | リンテック株式会社 | 配線基板及び配線シート |
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