JPH1027873A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH1027873A JPH1027873A JP20132496A JP20132496A JPH1027873A JP H1027873 A JPH1027873 A JP H1027873A JP 20132496 A JP20132496 A JP 20132496A JP 20132496 A JP20132496 A JP 20132496A JP H1027873 A JPH1027873 A JP H1027873A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- plating
- semiconductor device
- resin adhesion
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モールド樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密着
性に優れており、信頼性の高い半導体装置用リードフレ
ームを提供すること。 【解決手段】 リードフレーム素材上の中間層とし
てのＮｉめっき層の結晶が、（１．１．１）面および
（３．１．１）面に強い配向性を有することを特徴とす
る、半導体装置用リードフレーム。 Ｎｉめっき層の厚みが０．０５μｍ〜５０μｍであ
り、Ｎｉめっき層の上層として、Ｐｄ，Ｐｄ合金、Ａ
ｕ，Ａｕ合金、Ａｇ，およびＡｇ合金のいずれか１種以
上のめっき層を有している。
性に優れており、信頼性の高い半導体装置用リードフレ
ームを提供すること。 【解決手段】 リードフレーム素材上の中間層とし
てのＮｉめっき層の結晶が、（１．１．１）面および
（３．１．１）面に強い配向性を有することを特徴とす
る、半導体装置用リードフレーム。 Ｎｉめっき層の厚みが０．０５μｍ〜５０μｍであ
り、Ｎｉめっき層の上層として、Ｐｄ，Ｐｄ合金、Ａ
ｕ，Ａｕ合金、Ａｇ，およびＡｇ合金のいずれか１種以
上のめっき層を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の枠構造
を形成するリードフレームに係り、特にモールド樹脂密
着性およびＡｇペースト樹脂密着性に優れた構造を有す
る半導体装置用リードフレームに関する。
を形成するリードフレームに係り、特にモールド樹脂密
着性およびＡｇペースト樹脂密着性に優れた構造を有す
る半導体装置用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置用リードフレームの素
材上のＮｉめっきには、ボンディング性や延展性の必要
なことから、無光沢Ｎｉめっき液が用いられてきた。し
かし、無光沢Ｎｉめっき液として一般に使用されるワッ
ト浴Ｎｉめっきは、結晶粒子が小さく、かつ結晶配向性
が不規則であり、平滑面も含まれるため、リードフレー
ムの特性として必要な樹脂モールド密着強度やＡｇペー
スト密着強度が充分ではなかった。
材上のＮｉめっきには、ボンディング性や延展性の必要
なことから、無光沢Ｎｉめっき液が用いられてきた。し
かし、無光沢Ｎｉめっき液として一般に使用されるワッ
ト浴Ｎｉめっきは、結晶粒子が小さく、かつ結晶配向性
が不規則であり、平滑面も含まれるため、リードフレー
ムの特性として必要な樹脂モールド密着強度やＡｇペー
スト密着強度が充分ではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、モー
ルド樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密着性に優れてお
り、信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。
ルド樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密着性に優れてお
り、信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、モールド
樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密着性に優れたリードフ
レームの研究開発を進めるうちに、リードフレーム素材
上の中間層であるＮｉめっき層の結晶が（１．１．１）
面および（３．１．１）面に強い配向性を持っているこ
と、およびＮｉめっき層の結晶粒の大きさがこの配向性
に影響を与えていることを知見した。本発明は、これら
の知見に基づいてなされ、完成に至ったものである。
樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密着性に優れたリードフ
レームの研究開発を進めるうちに、リードフレーム素材
上の中間層であるＮｉめっき層の結晶が（１．１．１）
面および（３．１．１）面に強い配向性を持っているこ
と、およびＮｉめっき層の結晶粒の大きさがこの配向性
に影響を与えていることを知見した。本発明は、これら
の知見に基づいてなされ、完成に至ったものである。
【０００５】本発明の半導体装置用リードフレームは、
リードフレーム素材上の中間層としてのＮｉめっき層の
結晶が、（１．１．１）面および（３．１．１）面に強
い配向性を有することを特徴としている。
リードフレーム素材上の中間層としてのＮｉめっき層の
結晶が、（１．１．１）面および（３．１．１）面に強
い配向性を有することを特徴としている。
【０００６】以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明において、リードフレーム素材としては、純Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金等が用いられる。
本発明において、リードフレーム素材としては、純Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金等が用いられる。
【０００７】リードフレーム素材上の中間層としてのＮ
ｉめっき層は、電解法、無電解法、蒸着法のいずれの方
法を採用してもよい。また、Ｎｉめっき層の厚みは、
０．０５μｍ〜５０μｍが適正な範囲である。
ｉめっき層は、電解法、無電解法、蒸着法のいずれの方
法を採用してもよい。また、Ｎｉめっき層の厚みは、
０．０５μｍ〜５０μｍが適正な範囲である。
【０００８】Ｎｉめっき層の上層の貴金属層にはＰｄ，
Ｐｄ合金、Ａｕ，Ａｕ合金、Ａｇ，Ａｇ合金のめっきが
使用される。これらのめっき層は、電解法、無電解法、
密着法のいずれによっても製作が可能である。
Ｐｄ合金、Ａｕ，Ａｕ合金、Ａｇ，Ａｇ合金のめっきが
使用される。これらのめっき層は、電解法、無電解法、
密着法のいずれによっても製作が可能である。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明を実施例と比較例によりさら
に説明する。実施例 １ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化を行った後、全面に中間層として厚さ１μ
ｍのＮｉめっきを施した。Ｎｉめっきの条件は、硫酸ニ
ッケル ２２０ｇ／ｌ（Ｎｉとして４６ｇ／ｌ）、塩化
ニッケル １５０ｇ／ｌ（Ｎｉとして３７ｇ／ｌ）、ホ
ウ酸２０ｇ／ｌからなるめっき液にて、液温５０℃、陰
極電流密度２Ａ／ｄｍ2 でめっきを行った。
に説明する。実施例 １ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化を行った後、全面に中間層として厚さ１μ
ｍのＮｉめっきを施した。Ｎｉめっきの条件は、硫酸ニ
ッケル ２２０ｇ／ｌ（Ｎｉとして４６ｇ／ｌ）、塩化
ニッケル １５０ｇ／ｌ（Ｎｉとして３７ｇ／ｌ）、ホ
ウ酸２０ｇ／ｌからなるめっき液にて、液温５０℃、陰
極電流密度２Ａ／ｄｍ2 でめっきを行った。
【００１０】得られたリードフレームについて、モール
ド樹脂密着性評価試験とＡｇペースト樹脂密着性評価試
験を行った。各評価試験の要領は、次の通りである。 モールド樹脂密着性評価試験：低応力型モールド樹脂
と、ビフュニール型モールド樹脂を使用した場合の熱処
理（１７５℃×６０分加熱保持後、２５０℃×３分加
熱）したものと、熱処理しないものについてのシェア強
度（Ｎ：ニュートン）を測定した。
ド樹脂密着性評価試験とＡｇペースト樹脂密着性評価試
験を行った。各評価試験の要領は、次の通りである。 モールド樹脂密着性評価試験：低応力型モールド樹脂
と、ビフュニール型モールド樹脂を使用した場合の熱処
理（１７５℃×６０分加熱保持後、２５０℃×３分加
熱）したものと、熱処理しないものについてのシェア強
度（Ｎ：ニュートン）を測定した。
【００１１】Ａｇペースト樹脂密着性評価試験：ペース
トキュア条件が１６０℃×６０分後、ダイシェア強度２
５０℃で測定した。チップのサイズは２ｍｍ×２ｍｍで
ある。
トキュア条件が１６０℃×６０分後、ダイシェア強度２
５０℃で測定した。チップのサイズは２ｍｍ×２ｍｍで
ある。
【００１２】各評価試験の結果を、表１に示す。評価に
おいて、Ａは優れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや
悪いもの、Ｄは悪いものを表す。
おいて、Ａは優れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや
悪いもの、Ｄは悪いものを表す。
【００１３】
【表１】
【００１４】比較例 １ 銅合金基材のリードフレームの表面に脱脂および活性化
を行った後、全面に中間層として厚さ１μｍのＮｉめっ
きを施した。Ｎｉめっきの条件は、実施例１と異り、Ｎ
ｉ量が多い。すなわち、硫酸ニッケル２８０ｇ／ｌ（Ｎ
ｉとして５８ｇ／ｌ）、塩化ニッケル４０ｇ／ｌ（Ｎｉ
として１０ｇ／ｌ）、ホウ酸２０ｇ／ｌからなるワット
浴めっき液にて液温５０℃、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ2
でめっきを行った。
を行った後、全面に中間層として厚さ１μｍのＮｉめっ
きを施した。Ｎｉめっきの条件は、実施例１と異り、Ｎ
ｉ量が多い。すなわち、硫酸ニッケル２８０ｇ／ｌ（Ｎ
ｉとして５８ｇ／ｌ）、塩化ニッケル４０ｇ／ｌ（Ｎｉ
として１０ｇ／ｌ）、ホウ酸２０ｇ／ｌからなるワット
浴めっき液にて液温５０℃、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ2
でめっきを行った。
【００１５】得られたリードフレームについて、実施例
１と同一の要領で、モールド樹脂密着性評価試験とＡｇ
ペースト樹脂密着性評価試験を行った。各評価試験の結
果を、表１に併記する。
１と同一の要領で、モールド樹脂密着性評価試験とＡｇ
ペースト樹脂密着性評価試験を行った。各評価試験の結
果を、表１に併記する。
【００１６】実施例 ２ 実施例１および比較例１と同様のＮｉめっき条件で、Ｎ
ｉめっき厚１０μｍのリードフレームの試料を作成し、
Ｘ線回折装置によりＮｉめっき結晶の配向性を調べた。
その結果を、表２に示す。
ｉめっき厚１０μｍのリードフレームの試料を作成し、
Ｘ線回折装置によりＮｉめっき結晶の配向性を調べた。
その結果を、表２に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】また、走査電子顕微鏡により結晶状を観察
した。その結果を、走査電子顕微鏡写真として、図１お
よび図２に示す。
した。その結果を、走査電子顕微鏡写真として、図１お
よび図２に示す。
【００１９】
【発明の効果】本発明の半導体装置用リードフレーム
は、従来品よりＮｉめっき層の結晶が大きく、かつ
（１．１．１）面と（３．１．１）面に強い配向性を有
するために、モールド樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密
着性が優れており、リードフレームとしての信頼性が大
きい。
は、従来品よりＮｉめっき層の結晶が大きく、かつ
（１．１．１）面と（３．１．１）面に強い配向性を有
するために、モールド樹脂密着性とＡｇペースト樹脂密
着性が優れており、リードフレームとしての信頼性が大
きい。
【図１】実施例１のＮｉめっき条件でＮｉめっき厚１０
μｍを施したリードフレームの走査電子顕微鏡写真（×
１０4 倍）である。
μｍを施したリードフレームの走査電子顕微鏡写真（×
１０4 倍）である。
【図２】比較例１のＮｉめっき条件でＮｉめっき厚１０
μｍを施したリードフレームの走査電子顕微鏡写真（×
１０4 倍）である。
μｍを施したリードフレームの走査電子顕微鏡写真（×
１０4 倍）である。
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレーム素材上の中間層としてのＮ
ｉめっき層の結晶が、（１．１．１）面および（３．
１．１）面に強い配向性を有することを特徴とする、半
導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】Ｎｉめっき層の厚みが０．０５μｍ〜５０
μｍであり、Ｎｉめっき層の上層として、Ｐｄ，Ｐｄ合
金、Ａｕ，Ａｕ合金、Ａｇ，およびＡｇ合金のいずれか
１種以上のめっき層を有している請求項１に記載の半導
体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20132496A JPH1027873A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20132496A JPH1027873A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027873A true JPH1027873A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16439132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20132496A Pending JPH1027873A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027873A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017396A1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Acqutek Semiconductor & Technology Co., Ltd. | Substrate for manufacturing a semiconductor device with three element alloy |
| KR100833934B1 (ko) * | 2002-01-24 | 2008-05-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 다층도금 리드프레임 및 이 리드프레임의 제조방법 |
| JP2009235579A (ja) * | 2009-07-13 | 2009-10-15 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| JP2014141725A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Mitsubishi Materials Corp | Ｎｉめっき付き銅又は銅合金板 |
| KR20180079291A (ko) | 2015-11-05 | 2018-07-10 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임재 및 그 제조방법 |
| KR20200135288A (ko) | 2018-03-23 | 2020-12-02 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 리드프레임재 및 그 제조 방법, 및 그를 사용한 반도체 패키지 |
| KR20210056399A (ko) | 2018-10-18 | 2021-05-18 | 제이엑스금속주식회사 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
| KR20210056400A (ko) | 2018-10-18 | 2021-05-18 | 제이엑스금속주식회사 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
| KR20240033205A (ko) | 2021-07-16 | 2024-03-12 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임재와 그 제조 방법 및 반도체 패키지 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP20132496A patent/JPH1027873A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017396A1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Acqutek Semiconductor & Technology Co., Ltd. | Substrate for manufacturing a semiconductor device with three element alloy |
| KR100379128B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2003-04-08 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 삼원합금을 이용한 환경친화적 반도체 장치 제조용 기질 |
| KR100833934B1 (ko) * | 2002-01-24 | 2008-05-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 다층도금 리드프레임 및 이 리드프레임의 제조방법 |
| JP2009235579A (ja) * | 2009-07-13 | 2009-10-15 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| JP2014141725A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Mitsubishi Materials Corp | Ｎｉめっき付き銅又は銅合金板 |
| KR20180079291A (ko) | 2015-11-05 | 2018-07-10 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임재 및 그 제조방법 |
| KR20200135288A (ko) | 2018-03-23 | 2020-12-02 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 리드프레임재 및 그 제조 방법, 및 그를 사용한 반도체 패키지 |
| KR20210056399A (ko) | 2018-10-18 | 2021-05-18 | 제이엑스금속주식회사 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
| KR20210056400A (ko) | 2018-10-18 | 2021-05-18 | 제이엑스금속주식회사 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
| KR20240033205A (ko) | 2021-07-16 | 2024-03-12 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임재와 그 제조 방법 및 반도체 패키지 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040518 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |