JPH1068672A

JPH1068672A - 液晶評価装置

Info

Publication number: JPH1068672A
Application number: JP22655496A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Rokkaku; 正六角; Koichi Kurita; 耕一栗田
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1996-08-28
Filing date: 1996-08-28
Publication date: 1998-03-10

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶ピッチ測定及び透過率／電圧特性測定を
精度よく効率的に行うことができる液晶評価装置を提供
する。【解決手段】微小隙間を有して対面する液晶基板２，
３、液晶基板３を微動ステージ２０と共に平行移動又は
傾動させる圧電アクチュエータ３８，４０、液晶基板３
の移動量及び傾き角を測定する変位計４２，４３、光を
照射する光源６２、液晶基板２に生起するディスクリミ
ネーションラインの間隔を測定すると共に液晶基板２の
微小特定エリアの輝度を測定するＣＣＤカメラ６５及び
画像処理装置６６、液晶基板２，３の透明電極膜に可変
の直流電圧を印加する電源５７等を備えて、液晶評価装
置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶材料の特性を評
価するための液晶評価装置に関し、液晶ピッチや透過率
／電圧特性を測定する場合に適用して有用なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶材料の評価項目として液
晶ピッチの測定がある。この液晶ピッチとは、液晶材料
に固有のものであって、液晶分子鎖が３６０°ねじれる
のに必要な距離のことである。

【０００３】液晶材料メーカーでは、液晶材料の研究開
発、品質管理及び出荷検査において液晶ピッチの測定を
行う。

【０００４】液晶表示装置メーカーでは、液晶材料の受
入れ検査で液晶ピッチの測定を行うのみならず、実用に
供せられている１５０００種類以上の液晶材料の中か
ら、混合して自社の液晶表示パネルに採用する液晶材料
の種類及び混合比を変えて、液晶表示性能を高めるため
の研究開発を行っており、その過程で、混合された液晶
材料の液晶ピッチの測定が不可欠である。

【０００５】従来、この液晶ピッチの測定は、図７に示
すようなクサビ型セル１を用いて行われている。同図に
示すように、クサビ型セル１は、上側液晶基板２と下側
液晶基板３とをスペーサ４を介し傾斜して重ね合わせ、
これらの左右両端部を接着剤５，６で固めた上で、上側
液晶基板２と下側液晶基板３との微小間隙７に液晶分子
８を浸透させた構造になっている。上側液晶基板２は、
偏光板９、ガラス板１０、配向膜１１を積層してなる積
層板となっており、下側液晶基板３は、配向膜１２、ガ
ラス板１３、偏光板１４を積層してなる積層板となって
いる。配向膜１１，１２は、液晶分子鎖８等の端部の姿
勢を強制する作用を有する。また、説明の便宜のため、
偏光板９，１４の偏光方向は一致しているものとする。

【０００６】従って、このクサビ型セル１の裏面（下側
液晶基板３側）から白色光１５を照射し、図７（ａ）中
に示すＡ視の方向から上側液晶基板２を見ると、同図
（ｂ）に示すように一定間隔で黒線として表れるディス
クリミネーションライン１６，１７，１８が観察され
る。これらのディスクリミネーションライン１６，１
７，１８の発生理由は次の通りである。

【０００７】即ち、偏光板９，１４の偏光方向が一致し
ているため、クサビ型セル１を透過する白色光１５の透
過率は液晶分子鎖８のねじれ角が９０°の偶数倍の場合
に最大となる一方、液晶分子鎖８のねじれ角が９０°の
奇数倍の場合に最小となり、ディスクリミネーションラ
イン１６，１７，１８は、後者の場合に相当する。

【０００８】そこで、かかるディスクリミネーションラ
イン１６，１７，１８の間隔Ｌを画像処理やその他の測
定手段で測定すると、クサビ型セル１の上側液晶基板２
と下側液晶基板３とのなす傾き角（クサビ角）Θを与件
として、液晶ピッチＰは、次の第１式で計算される。Ｐ＝２ＬｔａｎΘ ・・・・・（第１式）

【０００９】そして、液晶表示装置メーカーでは、上式
によって液晶ピッチＰを求めた後、図７に示す上下の液
晶基板２，３を平行に配設し、これらの隙間にマイクロ
プラスティックボールと液晶材料とを混合して充満さ
せ、このマイクロプラスティックボールの径を設定隙間
として選定し、液晶基板２，３の４辺を接着して、図示
しないフッラト型セルを製作し、このフッラト型セルを
用いて透過率／電圧特性（詳細後述）などの評価、即
ち、点灯ＯＮ／ＯＦＦ時の応答性、コントラスト比、視
野角などを評価するが、このときのフッラト型セルにお
ける上側液晶基板２と下側液晶基板３との液晶封入隙間
（セルギャップ）は、液晶ピッチ測定の結果に基づくも
のである。従って、液晶ピッチ測定の精度は、液晶表示
性能評価試験の信頼性に重大な影響を与える。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ク
サビ型セル１を用いる従来の液晶ピッチ測定方法では、
次のような数多くの不具合があり、このため、作業効率
や評価の信頼性の点で問題が多い。

【００１１】（１）測定の準備に手間がかかる。即
ち、クサビ型セル１の組立・接着は手作業であり、時間
がかかる。

【００１２】（２）液晶ピッチの測定精度劣化要因が
多い。例えば、図７のクサビ型セル１におけるスペーサ
４の取付位置誤差は、傾き角Θの誤差となり、上記第１
式から分かるように、液晶ピッチＰの計算誤差となる。
また、一般にガラス板１０，１３には反りがあり、これ
も誤差要因となる。特にＳＴＮ液晶では液晶ピッチが小
さくなるため、従来のクサビ型セル１による方法では、
液晶ピッチの高精度測定は困難である。

【００１３】（３）点灯ＯＮ／ＯＦＦ時の応答性、コ
ントラスト比、視野角等の液晶表示性能評価の信頼性を
低下させる。即ち、液晶封入隙間（セルギャップ）は液
晶ピッチの測定結果に基づいて決定されるため、上記の
如く液晶ピッチの測定精度が悪いと、セルギャップの設
定が不適切なものとなり、このことによって液晶表示性
能評価試験そのものの信頼性が低下する。

【００１４】（４）液晶ピッチの測定と透過率／電圧
特性の測定とを個別の装置（クサビ型セルとフラット型
セル）によって行うため、両測定が別行程となり、作業
効率が悪い。

【００１５】従って本発明は上記従来技術に鑑み、液晶
ピッチ測定及び透過率／電圧特性測定を精度よく効率的
に行うことができる液晶評価装置を提供することを課題
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の液晶評価装置の第１の構成は、評価対象の液晶材料
を入れる微小隙間を有して対面する第１及び第２の液晶
基板と、これら第１又は第２の液晶基板を略平行に微小
移動して前記微小隙間を変化せしめる平行移動手段と、
この移動手段によって略平行に微小移動される前記第１
又は第２の液晶基板の移動量を測定する移動量測定手段
と、前記第１又は第２の液晶基板側から光を照射する光
源と、この光源による光の照射側と反対側に位置する前
記第２又は第１の液晶基板の微小特定エリアの輝度を測
定する輝度測定手段とを備えたことを特徴とする。

【００１７】また第２の構成は、上記第１の構成におい
て、前記第１又は第２の液晶基板を傾斜せしめる傾動手
段と、この傾動手段により前記第１又は第２の液晶基板
を傾斜せしめることによって生起する前記第１の液晶基
板と第２の液晶基板とのなす傾き角を測定する傾き角測
定手段と、前記光源による光の照射側と反対側の前記第
２又は第１の液晶基板に生起するディスクリミネーショ
ンラインの間隔を測定する間隔測定手段とを備えたこと
を特徴とする。

【００１８】また第３の構成は、上記第１又は第２の構
成において、前記第１の液晶基板と第２の液晶基板の透
明電極に可変の直流電圧を印加する電圧印加手段を備え
たことを特徴とする。

【００１９】従って、上記第１の構成の液晶評価装置に
よれば、光源により第１又は第２の液晶基板側から光を
照射すると共に平行移動手段により第１又は第２の液晶
基板を略平行に微小移動し、このときの第１又は第２の
液晶基板の移動量と第２又は第１の液晶基板の微小特定
エリアの輝度とを移動量測定手段と輝度測定手段とによ
って各々測定する。そして、この結果得られる前記輝度
（透過率）の極大値と極大値との間隔（又は極小値と極
小値との間隔）から、液晶基板の反りや厚みのばらつき
等を除去した高精度な液晶ピッチを求めることができ
る。

【００２０】また、上記第２の構成の液晶評価装置によ
れば、上記のようにして高精度に液晶ピッチを測定する
前に、予め液晶ピッチの近似値を求め、この近似値に基
づいて、液晶ピッチの高精度測定を効率よく行うことが
できる。以下に、その手順を説明する。

【００２１】傾動手段により第１又は第２の液晶基
板を傾斜せしめてこれらの液晶基板に傾き角Θを与える
と共に、光源により第１又は第２の液晶基板側から光を
照射し、このときに第２又は第１の液晶基板に生起する
ディスクリミネーションラインの間隔Ｌを間隔測定手段
によって測定する。そして、前記間隔Ｌと前記傾き角Θ
とから、次の第２式によって液晶ピッチの近似値Ｐ₁を
算出する。Ｐ₁＝２ＬｔａｎΘ ・・・・・（第２式）

【００２２】次に、傾動手段により第１の液晶基板
と第２の液晶基板とを平行にした後、平行移動手段によ
り両液晶基板の間隔を除々に小さくしていき、このとき
に第２又は第１の液晶基板の微小特定エリアの輝度を輝
度測定手段によって測定する。この輝度の測定は、次の
ように３段階に分けて行う。

【００２３】第１段階では、平行移動手段による第１又
は第２の液晶基板の移動速度を大きくして、輝度レベル
が最大（又は最小）となる概略位置を把握する。第２段
階では、平行移動手段による第１又は第２の液晶基板の
移動速度を小さくして、輝度レベルが最大（又は最小）
となる位置を正確に把握する。第３段階では、液晶ピッ
チの近似値Ｐ₁のデータに基づき、平行移動手段により
第１又は第２の液晶基板を移動速度を大きくしてＰ₁だ
け移動させた後、この位置の前後に移動速度を小さくし
て移動させ、輝度レベルが最大（又は最小）となる位置
を正確に把握する。輝度レベルが最大（又は最小）とな
る位置から、再び最大（又は最小）となる位置までの第
１又は第２の液晶基板の移動距離、即ち隙間の変化量が
正確な液晶ピッチの値となる。

【００２４】また、上記第３の構成の液晶評価装置によ
れば、液晶ピッチ測定後、引き続いて同一装置により、
以下のようにして透過率／電圧特性を測定することがで
きる。

【００２５】平行移動手段により第１又は第２の液
晶基板を移動させて微小特定エリアの輝度が極小値とな
る位置に設定する。電圧印加手段により直流電圧（可変）を印加し、こ
の電圧値を除々に上昇させていく。輝度測定手段により微小特定エリアの輝度を測定
し、この輝度（透過率）と印加電圧値との関係を求め、
透過率／電圧特性を得る。この透過率／電圧特性から、コントラスト比等を求
める。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。

【００２７】図１は本発明の実施の形態に係る液晶評価
装置の構成を示す断面図、図２は図１に示す液晶評価装
置に備えた液晶基板の構成図、図３は液晶ピッチの近似
値測定の説明図、図４及び図５は液晶ピッチの高精度測
定の説明図、図６は透過率／電圧特性測定の説明図であ
る。

【００２８】図１に示すように、下側液晶基板３と上側
液晶基板２とは、微小隙間δを有して対面している。下
側液晶基板３は、排気穴２１，２２を介して真空引きさ
れている凹部２３，２４にて吸着されることにより、微
動ステージ２０に固定されている。上側液晶基板２は、
排気穴２５，２６を介して真空引きされている凹部２
７，２８にて吸着されることにより、上側保持部材２９
に固定されている。

【００２９】ここで図２（ａ）に基づいて液晶基板２，
３の構造を説明する。なお同図は液晶基板２，３の構造
を拡大・誇張して示したものである。同図に示すよう
に、上側液晶基板２は、偏光板９、ガラス板１０、透明
電極膜５５及び配向膜１１を積層してなる積層板となっ
ており、下側液晶基板３は、配向膜１２、ガラス板１
３、透明電極膜５６及び偏光板１４を積層してなる積層
板となっている。ここでは説明の便宜のために、偏光板
９，１４の偏光方向は同一とし、また配向膜１１，１２
の配向方向も同一とする。そして、上側液晶基板２と下
側液晶基板３との微小隙間δには、液晶材料３０が表面
張力によって流出することなく充満しており、液晶基板
２，３と液晶材料３０とでテストセル３１を構成してい
る。

【００３０】図１に示すように、微動ステージ２０に
は、ｙ軸方向に可撓性のあるばね部３２，３３と３４，
３５とが左右対称に設けられると共に、ｙ軸方向に多数
の圧電素子を積層してなる圧電アクチュエータ３８と４
１とがｘ軸方向に可撓性のあるばね部３６，３７と３
９，４０とを介して左右対称に組み込まれている。

【００３１】従って、圧電アクチュエータ３８，４１の
両端部に電圧を印加すると、ｘ軸方向に可撓性のあるば
ね部３６，３７又は３９、４０を介して微動ステージ２
０にｙ軸方向の力が伝達され、このｙ軸方向に可撓性の
あるばね部３２，３３又は３４，３５が弾性変形するこ
とによって、微動ステージ２０（下側液晶基板３）が、
平行に上下方向に微小移動し又は微回動して傾斜するよ
うになっている。つまり、圧電アクチュエータ３８，４
１に印加する電圧の値が、等しいときには平行移動し、
異なるときには傾斜する。また微動ステージ２０（下側
液晶基板３）の微小移動量又は傾き角は、左右対称に配
設された一対の静電容量式又は渦電流式の変位計４２，
４３によって検出されるようになっている。

【００３２】また、微動ステージ２０は基盤部材４４に
設置される一方、上側保持部材２９は、ストッパー板４
５，４６及び４７，４８を介して、基盤部材４４の上部
に位置決めされている。更に、上側保持部材２９の左右
両端部には、ボールブッシュ４９，５０が嵌着されてお
り、これらのボールブッシュ４９，５０には基盤部材４
４に立設された案内軸５１，５２がｙ軸方向に摺動自在
に挿通されている。従って、上側保持部材２９は、図示
しないエアーシリダーに駆動されると共に案内軸５１，
５２に案内されて、矢印ａ，ｂ方向に上下移動する。

【００３３】上側保持部材２９の中央部の貫通穴には、
ガラスフランジ５３が嵌着され、微動ステージ２０の中
央部の上部貫通穴には、ガラスフランジ５４が嵌着され
ている。ガラスフランジ５３，５４は、それぞれ隙間を
介して下或いは上の液晶基板２と３とに対面している。
なお、図２（ａ）で示すガラス板１０，１３に施工され
ている偏光板９，１４は、図２（ｂ）に示す如く、それ
ぞれガラスフランジ５３，５４に施工してもよく、図１
は後者の場合で示している。また、上側液晶基板２と下
側液晶基板３のそれぞれの透明電極５５，５６は、取付
け時に配向膜を介して直流電源５７とスイッチ５８に接
続された電極９１，９２に接続されるようになってい
る。

【００３４】ガラスフランジ５４の下方には、レンズ５
９、絞り板６０、レンズ６１、光源６２が設置されてい
る。光源６２の光６３は、レンズ６１によって絞り板６
０の穴６４に集光される。レンズ５９の焦点位置は穴６
４の位置になるように設定されているため、この穴６４
を近似点光源として発せられる光は、レンズ５９によっ
て平行光に近くなり、上下の液晶基板２，３を透過し
て、ＣＣＤカメラ６５で受光されるようになっている。
ＣＣＤカメラ６５の出力は画像処理装置６６で処理さ
れ、この画像処理データがパソコン６７に転送されるよ
うになっている。

【００３５】次に、本液晶評価装置の使用方法と作用と
を、（１）測定準備、（２）液晶ピッチの近似測定、
（３）液晶ピッチの高精度測定、（４）透過率／電圧特
性の測定、の順に従って説明する。

【００３６】（１）測定準備初期状態：上部保持部材２９は、矢印ａ方向に移動
されて、上昇端にある。テストサンプルのセット：上下の液晶基板２，３を
上部保持部材２９と微動ステージ２０とにセットする。
このとき、排気穴２５，２６，２１，２２を介して真空
引きすることより、液晶基板２，３を吸着する。次に、
下側液晶基板３の表面に液晶材料３０を滴下する。液晶基板の重ね合せ：上部保持部材２９を矢印ｂ方
向に移動させて下降端とする。このとき、液晶基板２，
３は微小隙間（ギャップ）δで対面し、液晶材料３０は
表面張力によって微小隙間δ内を充満したまま保持され
る。

【００３７】（２）液晶ピッチの近似値測定後述する「液晶ピッチの高精度測定」の測定効率を高め
るために、以下の手順で液晶ピッチの近似値測定を行
う。

【００３８】微動ステージの微回動（傾動）：圧電
アクチュエータ３８又は４０の何れか一方に電圧を印加
して、微動ステージ２０を微小傾き角Θとなるまで傾斜
させる。この傾き角Θは、変位計４２，４３の検出値か
ら算出される。ディスクリミネーションライン間隔の測定：図３に
示すように、液晶分子鎖６８のねじれ角が９０°の奇数
倍となる位置で透過率が最小となるため、１６，１７等
のディスクリミネーションラインが発生する。このディ
スクリミネーションラインの間隔Ｌは、ＣＣＤカメラ６
５の映像を画像処理装置６６で濃淡画像処理を施すこと
によって算出される。液晶ピッチの近似値Ｐ₁は、前記
第２式で算出される。この第２式の右辺の傾き角Θにお
いては、ガラス板１０，１３の反りや初期角度設定誤差
も含まれている。

【００３９】（３）液晶ピッチの高精度測定液晶基板の平行設定：圧電アクチュエータ３８，４
１に電圧を印加して、微動ステージ２０を初期平行状態
に戻す。即ち、図２に示すように、上側液晶基板２と下
側液晶基板３とを平行にする。但し、ここでいう「平
行」とは、厳密な意味での平行ではなく、ガラス板１
０，１３の反りや厚みのばらつきや初期角度設定誤差も
含んでいる。下側液晶基板の高精度平行移動：圧電アクチュエー
タ３８，４１の印加電圧を除々に変え、且つ微動ステー
ジ２０の微動量を変位計４２，４３でモニターしなが
ら、微動ステージ２０を左右の不同差０．１μｍ以下の
精度でｙ軸方向に平行移動させる。但し、この微動ステ
ージ２０の微動制御は、図示しない制御装置とパソコン
６７によって行うものとする。

【００４０】透過光の輝度の極値測定：図２に示す
状態の下側液晶基板３をｙ軸方向に平行移動したとき
の、図４に示す上側液晶基板２の微小特定エリアＳ₁の
透過光の輝度レベルを、ＣＣＤカメラ６５及び画像処理
装置６６で測定する。その結果、図５に示すように、液
晶基板２，３間の微小隙間δの変化、即ち微動ステージ
２０の移動量に応じて、極大値と極小値とをもって変化
する輝度レベルが測定される。液晶ピッチ測定：図５に示す極大値と極大値との間
又は極小値と極小値との間の微動ステージ２０の移動量
は、液晶ピッチの１／２を表す。

【００４１】図４に示す上側液晶基板２の微小特定エリ
アＳ₁と微小特定エリアＳ₂とにおける液晶基板２，３
の隙間は、ガラス板１０，１３の反りや初期角度設定誤
差等が原因となって、必ずしも一致しない。このため図
５に実線と破線とで示すように、微小特定エリアＳ₁と
微小特定エリアＳ₂とでは輝度の極大値（極小値）の位
相はずれるものの、極大値と極大値との間（又は極小値
と極小値との間）の微動ステージ２０の移動量は等しく
なる。従って、微動ステージ２０を高精度でｙ軸方向に
平行移動したときの、上側液晶基板２の特定微小エリア
の輝度の極大値から極大値までの間（又は極小値から極
小値までの間）の移動量を把握すれば、ガラス板１０，
１３の反りや初期角度設定誤差等の影響を除去して、液
晶ピッチを高精度で測定することができる。

【００４２】ところで、液晶ピッチを高精度、例えば
０．１μｍの誤差で測定しようとする場合、粗くても
０．０５μｍピッチで微動ステージ２０を平行移動させ
たときの微小特定エリアの輝度を評価する必要があり、
従って単に微動ステージ２０を０．０５μｍピッチで平
行移動させるだけでは測定時間が長くなってしまう。

【００４３】しかし、液晶基板２，３の厚さ、初期設定
隙間δを与件として、液晶ピッチの近似値Ｐ₁を用いる
ことによって、輝度の極大値（又は極小値）を与える微
動ステージ２０の移動座標値を予測することができる。
従って、この予測された移動座標直の前後で、０．０５
ピッチで平行移動させて極大値（又は極小値）探索を行
うことにより、測定時間を短縮することができる。即
ち、次のように３段階に分けて輝度の測定を行う。

【００４４】第１段階では、微動ステージ２０（下側液
晶基板３）の移動速度を大きくして、輝度レベルが最大
（又は最小）となる概略位置を把握する。第２段階で
は、微動ステージ２０（下側液晶基板３）の移動速度を
小さくして（０．０５以下のピッチで）、輝度レベルが
最大（又は最小）となる位置を正確に把握する。第３段
階では、液晶ピッチの近似値Ｐ₁のデータに基づき、微
動ステージ２０（下側液晶基板３）を移動速度を大きく
してＰ₁だけ移動させた後、この位置の前後に移動速度
を小さくして移動させ、輝度レベルが最大（又は最小）
となる位置を正確に把握する。輝度レベルが最大（又は
最小）となる位置から、再び最大（又は最小）となる位
置までの微動ステージ２０（下側液晶基板３）の移動距
離、即ち微小隙間δの変化量が正確な液晶ピッチの値と
なる。

【００４５】（４）透過率／電圧特性の測定従来、透過率／電圧特性の測定は、図７に示したような
クサビ型セル１を用いて液晶ピッチを測定した後に、図
２に示すものと同様な構成のフラット型セルを作成して
行っている。即ち、前述の如く、図２に示す微小隙間δ
に等しい径のプラスティックボールを液晶材料に混入し
て、微小隙間δの均一化を図った後に、透過率／電圧特
性の測定を行っている。そして、この場合には、液晶ピ
ッチの測定誤差のために、微小隙間δの設定が適切でな
く、透過率／電圧特性の測定そのものの信頼性が低下す
る。また、液晶ピッチ測定と透過率／電圧特性測定とが
別行程となる。

【００４６】これに対し、本液晶評価装置では、液晶ピ
ッチ測定後、同一行程で、同一の液晶評価装置によって
引き続き透過率／電圧特性の測定を行うことができる。
以下に、その測定手順を説明する。

【００４７】微動ステージの座標設定：図４に示す
微小特定エリアＳ₁の輝度が極小値となる位置、例えば
図５のＣの座標に微動ステージ２０を設定する。電圧印加：図１に示すスイッチ５８を導通させ、電
源５７の直流電圧（可変）を徐々に上昇させていく。輝度の測定：印加電圧を上昇させたときの微小特定
エリアＳ₁の輝度を測定して、印加電圧（Ｖ）と微小特
定エリアＳ₁の輝度との対応をグラフ化し、図６に示す
ような透過率／電圧特性を得る。図６の縦軸の透過率
は、輝度と対応する。透過率／電圧特性の評価：得られた透過率／電圧特
性から、次のようにコントラスト比等を評価する。Ｔ_ON／Ｔ_OFF：コントラスト比勾配α ：シャープネス

【００４８】

【発明の効果】以上発明の実施の形態と共に具体的に説
明したように、本発明の液晶評価装置によれば、第１及
び第２の液晶基板と、平行移動手段と、移動量測定手段
と、光源と、輝度測定手段とを備えることにより、クサ
ビ型セル等の作成が不要となって作業が容易になるのは
勿論のこと、ガラス板の反りや角度設定誤差等の影響を
除外して液晶ピッチを高精度で測定することができる。

【００４９】また、傾動手段と、傾き角測定手段と、間
隔測定手段とを備えることにより、高精度な液晶ピッチ
の測定を効率よく行うことができる。

【００５０】また、一対の透明電極と、電圧印加手段と
を備えることにより、液晶ピッチ測定後、引き続いて同
一の液晶評価装置によって透過率／電圧特性を測定する
ことができる。このため透過率／電圧特性の測定を効率
よく行うことができる。

【００５１】そして、上記のような効果によって、液晶
材料特性及び液晶表示性能の評価の信頼性を高めること
ができ、また、液晶材料及び液晶表示装置の開発工数を
低減して開発期間の短縮を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る液晶評価装置の構成
を示す断面図である。

【図２】図１に示す液晶評価装置に備えた液晶基板の構
成図である。

【図３】液晶ピッチの近似値測定の説明図である。

【図４】液晶ピッチの高精度測定の説明図である。

【図５】液晶ピッチの高精度測定の説明図である。

【図６】透過率／電圧特性測定の説明図である。

【図７】従来の液晶ピッチ測定に供せられるクサビ型セ
ルの構成と従来の液晶ピッチ測定法の説明図である。

【符号の説明】

２上側液晶基板３下側液晶基板９，１４偏光板１０，１３ガラス板１１，１２配向膜１６，１７，１８ディスクリミネーションライン２０微動ステージ２３，２４，２７，２８凹部２５，２６排気穴２９上側保持部材３０液晶材料３１テストセル３２，３３，３４，３５ｙ軸方向に可撓性のあるばね
部３６，３７，３９、４０ｘ軸方向に可撓性のあるばね
部３８，４１圧電アクチュエータ４２，４３変位計４４基盤部材４５，４６，４７，４８ストッパー板４９，５０ボールブッシュ５１，５２案内軸５３，５４ガラスフランジ５５，５６透明電極膜５７直流電源５８スイッチ５９，６１レンズ６０絞り板６２光源６３光６４穴６５ＣＣＤカメラ６６画像処理装置６７パソコン δ 上側液晶基板と下側液晶基板との隙間Ｓ₁，Ｓ₂ 微小特定エリア

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】評価対象の液晶材料を入れる微小隙間を
有して対面する第１及び第２の液晶基板と、これら第１又は第２の液晶基板を略平行に微小移動して
前記微小隙間を変化せしめる平行移動手段と、この移動手段によって略平行に微小移動される前記第１
又は第２の液晶基板の移動量を測定する移動量測定手段
と、前記第１又は第２の液晶基板側から光を照射する光源
と、この光源による光の照射側と反対側に位置する前記第２
又は第１の液晶基板の微小特定エリアの輝度を測定する
輝度測定手段とを備えたことを特徴とする液晶評価装
置。
【請求項２】請求項１に記載する液晶評価装置におい
て、前記第１又は第２の液晶基板を傾斜せしめる傾動手段
と、この傾動手段により前記第１又は第２の液晶基板を傾斜
せしめることによって生起する前記第１の液晶基板と第
２の液晶基板とのなす傾き角を測定する傾き角測定手段
と、前記光源による光の照射側と反対側の前記第２又は第１
の液晶基板に生起するディスクリミネーションラインの
間隔を測定する間隔測定手段とを備えたことを特徴とす
る液晶評価装置。
【請求項３】請求項１又は２に記載する液晶評価装置
において、前記第１の液晶基板と第２の液晶基板の透明電極に可変
の直流電圧を印加する電圧印加手段を備えたことを特徴
とする液晶評価装置。