JPH1068713A - Optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device - Google Patents

Optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device

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JPH1068713A
JPH1068713A JP8247110A JP24711096A JPH1068713A JP H1068713 A JPH1068713 A JP H1068713A JP 8247110 A JP8247110 A JP 8247110A JP 24711096 A JP24711096 A JP 24711096A JP H1068713 A JPH1068713 A JP H1068713A
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JP
Japan
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semiconductor substrate
dimensional
light
light source
optical scanning
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Pending
Application number
JP8247110A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Nomura
聡 野村
Shuji Takamatsu
修司 高松
Motoi Nakao
基 中尾
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CHIKYU KANKYO SANGYO GIJUTSU KENKYU KIKO
Horiba Ltd
Original Assignee
CHIKYU KANKYO SANGYO GIJUTSU KENKYU KIKO
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHIKYU KANKYO SANGYO GIJUTSU KENKYU KIKO, Horiba Ltd filed Critical CHIKYU KANKYO SANGYO GIJUTSU KENKYU KIKO
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To measure two-dimensional distribution of the density of a substance in time series by irradiating a semiconductor substrate with a probe light at high speed. SOLUTION: A DC current from a potentiostat 13 is applied across a reference electrode RE and an ohmic electrode OC so as to generate a depletion layer in a semiconductor substrate 5 and a prescribed bias voltage is applied on the semiconductor substrate 5. A probe light 3 of several kHz is intermittently applied on the semiconductor substrate 5 and an AC photoelectriccurrent is generated on the semiconductor substrate 5. The intermittent irradiation is generated by a control signal of a computer 18 via an interface board 14. An XY stage 10 moves a sensor 2 in the X, Y directions so that the probe light 3 is applied on the semiconductor substrate 5 to scan it two-dimensionally and a two-dimensional image expressing pH is displayed on a scope of a display 18B based on a position signal (X, Y) in solution 9 and an AC photoelectriccurrent value observed at the spot.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、溶液などの試料
におけるイオン濃度などを二次元的に測定することがで
きる光走査型二次元濃度分布測定装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus capable of two-dimensionally measuring ion concentration and the like in a sample such as a solution.

【0002】[0002]

【従来の技術およびその問題点】従来、溶液のpH値を
調べる場合、例えばpH測定電極と比較電極液絡部とか
らなる複合型電極部を有するpHセンサを用い、このp
Hセンサの複合型電極部を、溶液中に浸漬している。こ
の場合、試料である溶液が均質であることを前提として
おり、一つの測定ポイントにおけるpH値の時間的変化
の測定しか行えない。
2. Description of the Related Art Conventionally, when examining the pH value of a solution, for example, a pH sensor having a composite type electrode portion comprising a pH measuring electrode and a reference electrode liquid junction is used.
The composite electrode part of the H sensor is immersed in the solution. In this case, it is assumed that the solution as the sample is homogeneous, and only the temporal change of the pH value at one measurement point can be measured.

【0003】これに対して、測定用のプローブの寸法を
大きくし、これを多数本用いてもサブミリのオーダーで
の分解能をもつ二次元分布の時系列測定はほとんど不可
能であった。
On the other hand, it has been almost impossible to measure a two-dimensional distribution time-series having a resolution on the order of sub-millimeters by using a large number of measuring probes and using many of them.

【0004】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、二次元濃度分布を時系列的に行
うことができる光走査型二次元濃度分布測定装置を提供
することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus capable of performing two-dimensional density distribution in time series. is there.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の光走査型二次元濃度分布測定装置は、半
導体基板の一方の面にセンサ面を有し、前記半導体基板
に対して光源からの光をプローブ光として二次元的に照
射するように構成するとともに、前記プローブ光の照射
を高速に行うことにより、時系列測定を行うようにして
いる。
In order to achieve the above object, an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus according to the present invention has a sensor surface on one surface of a semiconductor substrate and a light source for the semiconductor substrate. In addition to the configuration in which light from the light source is irradiated two-dimensionally as probe light, time-series measurement is performed by irradiating the probe light at high speed.

【0006】上記構成の光走査型二次元濃度分布測定装
置によれば、物質濃度の二次元分布を時系列的に測定す
ることができる。そして、コンピュータなどの画像出力
装置と組み合わせることにより、物質濃度の二次元分布
の時間的変化を連続可視画像として表示することができ
る。この場合、前記変化を時間軸に対して拡大したり縮
小して表示してもよい。また、物質濃度の二次元分布測
定を行っている領域中のある点における濃度変化を連続
可視画像として表示できるようにしてもよい。
According to the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device having the above configuration, the two-dimensional distribution of the substance concentration can be measured in time series. Then, by combining with an image output device such as a computer, a temporal change of the two-dimensional distribution of the substance concentration can be displayed as a continuous visible image. In this case, the change may be enlarged or reduced with respect to the time axis and displayed. Further, the concentration change at a certain point in the area where the two-dimensional distribution measurement of the substance concentration is performed may be displayed as a continuous visible image.

【0007】そして、半導体基板に対するプローブ光の
二次元照射方法としては、 光源側を固定し、半導体基板を二次元的に走査し、
相対的に光源からの光を二次元的に走査しながら半導体
基板に照射する手法や、 半導体基板を固定し、光源からの光を、ガルバノミ
ラーや音響光学素子を用いて二次元方向に走査しながら
半導体基板に照射する手法や、 半導体基板を固定し、半導体基板に対してプローブ
光を照射するための光源を、ハイポトロコイドまたはハ
イポサイクロイドの曲線描画機構を用いて二次元方向に
走査する手法や、 光源として平板型光源アレイを用い、この光源アレ
イからの光を、半導体基板に対して二次元方向に走査し
ながら照射する手法などがある。
As a method of two-dimensionally irradiating the semiconductor substrate with probe light, the light source side is fixed, and the semiconductor substrate is two-dimensionally scanned.
A method of irradiating the semiconductor substrate while scanning the light from the light source two-dimensionally, or fixing the semiconductor substrate and scanning the light from the light source in the two-dimensional direction using a galvanometer mirror or an acousto-optic device. A method of irradiating a semiconductor substrate while fixing the semiconductor substrate, and a method of scanning a light source for irradiating the semiconductor substrate with probe light in a two-dimensional direction using a hypotrochoid or hypocycloid curve drawing mechanism. There is a method of using a flat light source array as a light source and irradiating the semiconductor substrate with light from the light source array while scanning the semiconductor substrate in a two-dimensional direction.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好ましい実施例
を、図を参照しながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】図1は、この発明の光走査型二次元濃度分
布測定装置の概要を示すもので、この図において、1は
センサ部で、センサ2とこれにプローブ光3を照射する
ための光照射部4とからなる。
FIG. 1 shows an outline of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a sensor unit, and a sensor 2 and a light for irradiating the sensor 2 with probe light 3. And an irradiation unit 4.

【0010】前記センサ2は、シリコンなどの半導体よ
りなる基板5の一方の面(図示例では上面)にSiO2
層6、センサ面としてのSi3 4 層7を熱酸化、CV
Dなどの手法によって順次形成してなるもので、センサ
面7は各種のイオンに応答するように形成されている。
8はセンサ面7に臨みこの周囲を囲むようにして設けら
れるセルである。
[0010] The sensor 2 is composed of a substrate 5 made of a semiconductor such as silicon on one surface (upper surface in the illustrated example) of SiO 2.
Thermal oxidation of layer 6 and Si 3 N 4 layer 7 as sensor surface, CV
The sensor surface 7 is formed so as to respond to various ions.
Reference numeral 8 denotes a cell which faces the sensor surface 7 and is provided so as to surround the periphery.

【0011】CE、REはセンサ面7に接触するように
して配置される試料9に接触するようにして設けられる
対極、比較電極で、これらの対極CE、比較電極RE
は、ともに後述するポテンショスタット13の安定化バ
イアス回路15に接続されている。また、OCは半導体
基板5に設けられる電流信号取出し用のオーミック電極
で、後述する電流−電圧変換器16および演算増幅回路
17を介して安定化バイアス回路15に接続されてい
る。
CE and RE are a counter electrode and a reference electrode provided so as to come into contact with a sample 9 arranged so as to come into contact with the sensor surface 7. These counter electrode CE and reference electrode RE are provided.
Are connected to a stabilizing bias circuit 15 of the potentiostat 13 described later. Further, OC is an ohmic electrode for taking out a current signal provided on the semiconductor substrate 5, and is connected to the stabilizing bias circuit 15 via a current-voltage converter 16 and an operational amplifier circuit 17, which will be described later.

【0012】そして、10はセンサ2を二次元方向、つ
まり、X方向(図示例では左右方向)とY方向(図示例
では、紙面に垂直な方向)に走査するためのセンサ走査
機構としての透過型XYステージで、走査制御装置11
によって制御される。
Reference numeral 10 denotes a transmission as a sensor scanning mechanism for scanning the sensor 2 in a two-dimensional direction, that is, an X direction (a left-right direction in the illustrated example) and a Y direction (a direction perpendicular to the paper surface in the illustrated example). Type XY stage, scanning control device 11
Is controlled by

【0013】また、前記光照射部4は、例えば半導体レ
ーザからなるとともに、半導体基板5の下面側(センサ
面7とは反対側)に設けられており、後述するインター
フェイスボード14を介して入力されるコンピュータ1
8(後述する)からの制御信号によって断続光を発する
とともに、XYステージ10によって二次元方向に走査
されるセンサ2の半導体基板5に対して最適なビーム径
になるように調整されたプローブ光3を照射するように
構成されている。
The light irradiating section 4 is made of, for example, a semiconductor laser, and is provided on the lower surface side of the semiconductor substrate 5 (opposite to the sensor surface 7). Computer 1
The probe light 3 which emits intermittent light in response to a control signal from the sensor 8 (to be described later) and which is adjusted so as to have an optimum beam diameter with respect to the semiconductor substrate 5 of the sensor 2 scanned in two-dimensional directions by the XY stage 10. Is irradiated.

【0014】12はセンサ部1を制御するための制御ボ
ックスであって、半導体基板5に適宜のバイアス電圧を
印加し、そのときに得られる信号を電流信号として取り
出すポテンショスタット13と、このポテンショスタッ
ト13と信号を授受したり、走査制御装置11や光照射
部4に対する制御信号を出力するインターフェイスボー
ド14よりなる。そして、ポテンショスタット13は、
安定化バイアス回路15と半導体基板6に形成されたオ
ーミック電極OCから取り出される電流信号を電圧信号
に変換する電流−電圧変換器16、この電流−電圧変換
器16からの信号が入力される演算増幅回路17とから
構成されている。
Reference numeral 12 denotes a control box for controlling the sensor unit 1. The control box 12 applies an appropriate bias voltage to the semiconductor substrate 5, and takes out a signal obtained at that time as a current signal, and a potentiostat 13; And an interface board 14 for transmitting and receiving signals to and from the scanning controller 11 and outputting control signals to the light irradiation unit 4. And the potentiostat 13
A current-voltage converter 16 for converting a current signal taken out from the stabilizing bias circuit 15 and the ohmic electrode OC formed on the semiconductor substrate 6 into a voltage signal, and an operational amplifier to which a signal from the current-voltage converter 16 is input And a circuit 17.

【0015】18は各種の制御や演算を行うとともに、
画像処理および出力機能を有する画像出力装置としての
コンピュータ、18Aは例えばキーボードなどの入力装
置、18Bはカラーディスプレイなどの表示装置、18
Cはメモリ装置である。
Numeral 18 performs various controls and calculations,
A computer as an image output device having image processing and output functions; 18A, an input device such as a keyboard; 18B, a display device such as a color display;
C is a memory device.

【0016】上記構成の光走査型二次元濃度分布測定装
置を用いて、溶液の水素イオン濃度(pH)を測定する
場合について説明すると、セル8内に試料9としての溶
液を入れる。これにより、センサ面7に溶液9が接す
る。そして、対極CEおよび比較電極REを溶液9に浸
漬する。
The case where the hydrogen ion concentration (pH) of a solution is measured by using the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus having the above-described configuration will be described. A solution as a sample 9 is placed in a cell 8. Thus, the solution 9 comes into contact with the sensor surface 7. Then, the counter electrode CE and the reference electrode RE are immersed in the solution 9.

【0017】上記の状態で、半導体基板5に空乏層が発
生するように、ポテンショスタット13からの直流電圧
を比較電極REとオーミック電極OCとの間に印加し
て、半導体基板5に所定のバイアス電圧を印加する。こ
の状態で半導体基板5に対してプローブ光3を数kHz
の周波数をかけて断続的に照射することによって半導体
基板5に交流光電流を発生させる。このプローブ光3の
断続照射は、コンピュータ18の制御信号がインターフ
ェースボード14を介して入力されることによって行わ
れる。前記光電流は、半導体基板6の照射点に対向する
点で、センサ面7に接している溶液9におけるpHを反
映した値であり、その値を測定することにより、この部
分でのpH値を知ることができる。
In the above state, a DC voltage from the potentiostat 13 is applied between the reference electrode RE and the ohmic electrode OC so that a depletion layer is generated in the semiconductor substrate 5, and a predetermined bias is applied to the semiconductor substrate 5. Apply voltage. In this state, the probe light 3 is applied to the semiconductor substrate 5 by several kHz.
AC light current is generated in the semiconductor substrate 5 by intermittently irradiating with the frequency of. The intermittent irradiation of the probe light 3 is performed by inputting a control signal of the computer 18 through the interface board 14. The photocurrent is a value reflecting the pH of the solution 9 in contact with the sensor surface 7 at a point facing the irradiation point of the semiconductor substrate 6, and by measuring the value, the pH value at this portion is calculated. You can know.

【0018】さらに、XYステージ10によって、セン
サ2をX,Y方向に移動させることにより、半導体基板
5にはプローブ光3が二次元方向に走査されるようにし
て照射され、溶液9における位置信号(X,Y)と、そ
の場所で観測された交流光電流値により、表示装置18
Bの画面上にpHを表す二次元画像が表示される。
Further, by moving the sensor 2 in the X and Y directions by the XY stage 10, the semiconductor substrate 5 is irradiated with the probe light 3 so as to be scanned in a two-dimensional direction, and the position signal in the solution 9 is obtained. Based on (X, Y) and the AC photocurrent value observed at that location, the display device 18
A two-dimensional image representing pH is displayed on the screen of B.

【0019】なお、上記光走査型二次元濃度分布測定装
置において、比較電極REを省略し、対極CEを介して
バイアス電圧を印加してもよい。但し、比較電極REを
設けていた場合の方が半導体基板5にバイアス電圧をよ
り安定に印加することができる。
In the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device, the reference electrode RE may be omitted and a bias voltage may be applied via the counter electrode CE. However, the bias voltage can be more stably applied to the semiconductor substrate 5 when the comparative electrode RE is provided.

【0020】また、上記光走査型二次元濃度分布測定装
置においては、光照射部4によるプローブ光3を半導体
基板5のセンサ面7から照射するようにしてもよい。
In the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device, the probe light 3 from the light irradiating section 4 may be irradiated from the sensor surface 7 of the semiconductor substrate 5.

【0021】次に、上記光走査型二次元濃度分布測定装
置のより具体的な実施例を第1実施例として、図2〜図
4を参照しながら説明する。
Next, a more specific embodiment of the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus will be described as a first embodiment with reference to FIGS.

【0022】まず、図2は光走査型二次元濃度分布測定
装置の具体的構成を示すもので、この図において、20
センサ部で、センサ21、センサ21を二次元方向に走
査するXYステージ22およびセンサ21の例えば裏面
側に光を照射する光源23とからなる。
First, FIG. 2 shows a specific configuration of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus.
The sensor unit includes a sensor 21, an XY stage 22 that scans the sensor 21 in a two-dimensional direction, and a light source 23 that irradiates light to, for example, the back side of the sensor 21.

【0023】前記センサ21は、図1に示したセンサ2
と同様に構成されている。このセンサ21からの光電流
は、信号処理部24の演算増幅回路25を介して交流光
電流の振幅に比例した直流電流に変換され、さらに、A
/D変換器26により、12bit(ビット)のディジ
タル信号に変換され、インターフェースボード27の第
1ボード28を介して、測定制御を司る第1パーソナル
コンピュータ(以下、第1パソコンという)29に取り
込まれる。
The sensor 21 is a sensor 2 shown in FIG.
It is configured similarly to. The photocurrent from the sensor 21 is converted into a DC current proportional to the amplitude of the AC photocurrent via the operational amplifier circuit 25 of the signal processing unit 24.
The digital signal is converted into a 12-bit (bit) digital signal by the / D converter 26, and is taken in by a first personal computer (hereinafter, referred to as a first personal computer) 29 responsible for measurement control via a first board 28 of an interface board 27. .

【0024】前記XYステージ22は、例えばパルスモ
ータ(図示してない)駆動の高速・高精度の光透過型X
Yステージからなり、1μm/1ステップで最高速度は
12,500pps(12.5mm/s)である。この
XYステージ22は、インターフェースボード27の第
2ボード30およびドライバーユニット31を介して、
第1パソコン29によって制御される。
The XY stage 22 is, for example, a high-speed and high-precision light transmission type X driven by a pulse motor (not shown).
It consists of a Y stage and has a maximum speed of 12,500 pps (12.5 mm / s) in 1 μm / 1 step. The XY stage 22 is connected via the second board 30 of the interface board 27 and the driver unit 31 to
It is controlled by the first personal computer 29.

【0025】前記光源23は、波長780nm、出力5
mWの半導体レーザからなる。この光源23からのレー
ザ光は、例えば5kHzの周波数変調がかけられてい
る。そして、センサ21の出力の第1パソコン29への
取り込みタイミングとレーザ光の変調の周波数を同調さ
せるため、信号処理部24内にクロック回路32を設
け、A/D変換器26およびレーザ出力のコントロール
を行っている。33はコントローラである。
The light source 23 has a wavelength of 780 nm and an output of 5.
It consists of a mW semiconductor laser. The laser light from the light source 23 is frequency-modulated at, for example, 5 kHz. A clock circuit 32 is provided in the signal processing unit 24 to synchronize the timing of capturing the output of the sensor 21 into the first personal computer 29 and the frequency of modulation of the laser light, and controls the A / D converter 26 and the laser output. It is carried out. 33 is a controller.

【0026】34,35はそれぞれ、信号処理部24内
に設けられるポテンショスタット、D/A変換器であ
る。
Reference numerals 34 and 35 denote a potentiostat and a D / A converter provided in the signal processing section 24, respectively.

【0027】36は画像処理を司る第2パソコンで、信
号処理部24に接続された第1パソコン29を測定制御
に専念させるために設けられるものである。両者29,
36の接続は、TCP/IPによって行われ、第1パソ
コン29に一回の測定によるデータが蓄積されると、そ
のデータを第2パソコン36に自動的に送信し、次の測
定が可能な状態になるように構成されている。そして、
この第2パソコン36は、各照射点における光電流値を
照射点の座標と合わせて処理し、二次元画像に変換す
る。この画像変換に際しては、光電流値は8bitのグ
レースケールデータに変換し、さらに、必要に応じて擬
似カラー変換できるようにしてある。
Reference numeral 36 denotes a second personal computer for controlling the image processing, which is provided to dedicate the first personal computer 29 connected to the signal processing unit 24 to measurement control. Both 29,
The connection of 36 is performed by TCP / IP, and when data from one measurement is stored in the first personal computer 29, the data is automatically transmitted to the second personal computer 36, and the next measurement is possible. It is configured to be. And
The second personal computer 36 processes the photocurrent value at each irradiation point according to the coordinates of the irradiation point, and converts it into a two-dimensional image. At the time of this image conversion, the photocurrent value is converted into 8-bit gray scale data, and further, if necessary, pseudo color conversion can be performed.

【0028】次に、上記第1実施例の光走査型二次元濃
度分布測定装置を用いて、イオン交換樹脂からの水素イ
オン放出過程を測定した場合について、図3および図4
をも参照しながら説明する。
Next, FIGS. 3 and 4 show the case where the process of releasing hydrogen ions from the ion exchange resin was measured using the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus of the first embodiment.
This will be described with reference to FIG.

【0029】イオン交換体として、十分に洗浄し乾燥さ
せた陽イオン交換樹脂を用意する。この洗浄および乾燥
は、例えば「分析化学」(長島 弘三、冨田 功著、裳
華房)の第255頁〜第256頁に記載してあるような
手法によるのがよい。そして、光走査型二次元濃度分布
測定装置のセル8(図1参照)内に0.1MのKCl溶
液を満たし、その中に一粒の陽イオン交換樹脂を入れ
る。
A sufficiently washed and dried cation exchange resin is prepared as an ion exchanger. The washing and drying may be performed, for example, by the method described in “Analytical Chemistry” (Kozo Nagashima, Isao Tomita, Shokabo), pp. 255-256. Then, the cell 8 (see FIG. 1) of the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device is filled with a 0.1 M KCl solution, and one cation exchange resin is put therein.

【0030】前記陽イオン交換樹脂を浸漬した直後に、
光走査型二次元濃度分布測定装置によって、陽イオン交
換樹脂Aが存在する近傍のKCl溶液の二次元pH分布
画像を測定する。この場合、画像の画素数が64×64
点となるように、画素のサイズを0.1mm四方として
いる。
Immediately after immersing the cation exchange resin,
A two-dimensional pH distribution image of the KCl solution near the cation exchange resin A is measured by an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device. In this case, the number of pixels of the image is 64 × 64
The pixel size is set to 0.1 mm square so as to become a point.

【0031】そして、2分間隔で、二次元pH画像を時
系列的に測定した。第1パソコン29から第2パソコン
36に送られた画像は、このパソコン36において画像
処理ソフトにより8bitのグレースケールデータに変
換され、さらに、擬似カラー化される。測定は1時間続
けて行い、得られた30枚の画像全てについて前記処理
を行い、第2パソコン36のハードディスクに画像デー
タとして保存される。前記画像は必要に応じて、時系列
で表示できるソフトウェアによって動画として表示した
り、また、ある断面におけるpHプロフィールを全てに
ついて表示するなどにより、詳細な解析を行うことがで
きる。
Then, at two-minute intervals, two-dimensional pH images were measured in time series. The image sent from the first personal computer 29 to the second personal computer 36 is converted into 8-bit gray scale data by the image processing software in the personal computer 36, and is further converted into a pseudo color. The measurement is performed continuously for one hour, the above-described processing is performed on all the obtained 30 images, and the image is stored as image data on the hard disk of the second personal computer 36. If necessary, detailed analysis can be performed by displaying the image as a moving image using software capable of displaying the image in chronological order or displaying all pH profiles in a certain cross section.

【0032】すなわち、希望するタイミングで二次元p
H分布画像を測定し、図3(A)に示すように、一連の
画像37a〜37nを測定中に第2パソコン36のディ
スプレイ36Aに順次画面表示したり、第2パソコン3
6のハードディスクに画像データとして保存するのであ
る。そして、同図(B)に示すように、前記画像37a
〜37nをディスプレイ36Aに並べて表示したり、同
図(C)に示すように、動画として順次表示を繰り返し
たり、また、同図(D)に示すように、差分して表示す
ることもできる。ここで差分表示とは、例えば画像37
bと画像37aにおけるデータを引算して、画像37b
aとして表示することである。
That is, the two-dimensional p
The H distribution image is measured, and a series of images 37a to 37n are sequentially displayed on the display 36A of the second personal computer 36 during the measurement, as shown in FIG.
6 is stored as image data on the hard disk. Then, as shown in FIG.
37 to 37n may be displayed side by side on the display 36A, may be sequentially displayed as a moving image as shown in FIG. 3C, or may be displayed as a difference as shown in FIG. Here, the difference display means, for example, the image 37
b and the data in the image 37a are subtracted to obtain the image 37b
a.

【0033】前記保存された一連の画像データは、必要
に応じてその一部または全てを読み出すことにより、デ
ィスプレイ36Aに任意に表示することもできる。
The stored series of image data can be arbitrarily displayed on the display 36A by reading a part or all of the series of image data as needed.

【0034】そして、解析については、表示された一連
の画像または一部の画像について、図4(A)に示すよ
うに、興味のある点や領域の数や面積や濃度あるいは濃
度から導かれる物質量について、定性的な情報を得るこ
とができる。また、これらの値を計算し、定量的な情報
を得ることができる。図4(A)は、前記興味のある領
域38の面積の変化の一例を示すものであり、この面積
を計算するのである。また、同図(B)は、前記興味あ
る領域39の数の変化を示すもので、この領域の数を計
算するのである。
As for the analysis, as shown in FIG. 4A, for a series of displayed images or a part of the images, a substance derived from the number, area, density, or density of points or areas of interest. Qualitative information can be obtained on the quantity. In addition, these values can be calculated to obtain quantitative information. FIG. 4A shows an example of a change in the area of the region of interest 38, and this area is calculated. FIG. 7B shows a change in the number of the regions of interest 39, and the number of regions is calculated.

【0035】また、測定タイミングごとの前記値の変動
についても、定性的または定量的な情報も得ることがで
きる。
In addition, qualitative or quantitative information can be obtained for the fluctuation of the value at each measurement timing.

【0036】さらに、前記変化を時間軸に対して拡大し
たり縮小して表示してもよい。
Further, the change may be displayed while being enlarged or reduced with respect to a time axis.

【0037】なお、測定に際しては、センサ面に接する
ように試料を設けたときにおける測定開始時の初期デー
タを採取し、測定開始時からある時間経過後の測定デー
タから前記初期データを差し引くようにしてもよく、こ
のようにしたときは、バックグランドの影響を除去する
ことができ、測定試料の真の状態を検証することができ
る。
At the time of measurement, initial data at the start of measurement when the sample is provided so as to be in contact with the sensor surface is collected, and the initial data is subtracted from the measured data after a lapse of a certain time from the start of measurement. In such a case, the influence of the background can be removed, and the true state of the measurement sample can be verified.

【0038】また、センサ面に接するように試料を設け
たときにおける測定開始時から相異なる時間経過後の測
定データどうしを引算するようにした場合には、微小な
経時変化であっても確実に把握することができ、過渡的
な情報を得ることができるので、変化の様子をより細や
かに分析することができる。
Further, when the measurement data after different time lapses from the start of the measurement when the sample is provided so as to be in contact with the sensor surface is subtracted, even if it is a minute change with time, Since it is possible to obtain transient information, it is possible to analyze the state of change more precisely.

【0039】なお、上述の実施例においては、プローブ
光3を半導体基板5に対してセンサ面7とは反対側(下
面側)から照射するようにしていたが、これに代えて、
センサ面7と同じ側から照射するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the probe light 3 is irradiated on the semiconductor substrate 5 from the side opposite to the sensor surface 7 (lower surface side).
Irradiation may be performed from the same side as the sensor surface 7.

【0040】上述の第1実施例では、光源23を固定
し、半導体基板5(センサ21)をXYステージ22
を、X,Y方向に二次元的に走査することにより、光源
23からの光3を二次元的に走査しながら半導体基板5
に照射するようにしていたが、図5に示すように、透過
型XYステージを設けず、半導体基板5(センサ2)を
固定し、光源4からの光3を光走査機構40によって二
次元的に走査するようにしてもよい。なお、図5におい
て、41は光走査機構40を制御する走査制御装置であ
る。以下、このようにした光走査型二次元濃度分布測定
装置を、第2および第3実施例として、図6および図7
を参照しながら説明する。
In the first embodiment, the light source 23 is fixed, and the semiconductor substrate 5 (sensor 21) is moved to the XY stage 22.
Is scanned two-dimensionally in the X and Y directions, whereby the semiconductor substrate 5 is scanned while the light 3 from the light source 23 is two-dimensionally scanned.
However, as shown in FIG. 5, the transmission type XY stage is not provided, the semiconductor substrate 5 (the sensor 2) is fixed, and the light 3 from the light source 4 is two-dimensionally irradiated by the light scanning mechanism 40. May be scanned. In FIG. 5, reference numeral 41 denotes a scanning control device for controlling the optical scanning mechanism 40. Hereinafter, such an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus will be described as a second and a third embodiment with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.

【0041】図6は、第2実施例を示し、特に、光走査
機構40をガルバノミラーによって構成したものであ
る。すなわち、図6において、42,43は光源4から
の光3を、それぞれX方向、Y方向に走査させるための
ガルバノミラーで、44,45はこれら42,43を駆
動するガルバノメータである。ガルバノメータ44,4
5には、図示してない走査制御装置から走査制御信号が
入力される。46は集光レンズである。
FIG. 6 shows a second embodiment, in which the optical scanning mechanism 40 is constituted by a galvanomirror. That is, in FIG. 6, reference numerals 42 and 43 denote galvanometer mirrors for scanning the light 3 from the light source 4 in the X direction and the Y direction, respectively, and reference numerals 44 and 45 denote galvanometers for driving these 42 and 43. Galvanometer 44, 4
5, a scanning control signal is input from a scanning control device (not shown). 46 is a condenser lens.

【0042】上述のように構成された光走査機構40に
おいては、ガルバノメータ44,45に走査制御信号が
入力されることによって、ガルバノミラー42,43が
その反射面を揺動させる。これによって、光源4からの
光3は、X,Y方向にそれぞれ走査され、集光レンズ4
6を経て半導体基板5を二次元的に走査しながらこれを
照射するのである。
In the optical scanning mechanism 40 configured as described above, when the scanning control signals are input to the galvanometers 44 and 45, the galvanometer mirrors 42 and 43 swing their reflecting surfaces. Thus, the light 3 from the light source 4 is scanned in the X and Y directions, respectively,
This is irradiated while the semiconductor substrate 5 is two-dimensionally scanned through 6.

【0043】図7は、第3実施例を示し、特に、光走査
機構40を音響光学素子(AO素子)によって構成した
ものである。すなわち、図7において、47,48は光
源4からの光3を、それぞれX方向、Y方向に走査させ
るための音響光学素子で、49,50はこれら47,4
8をそれぞれ保持する保持部材である。音響光学素子4
9,50には、図示してない走査制御装置から走査制御
信号が入力される。
FIG. 7 shows a third embodiment, in which the optical scanning mechanism 40 is constituted by an acousto-optic element (AO element). That is, in FIG. 7, reference numerals 47 and 48 denote acousto-optical elements for scanning the light 3 from the light source 4 in the X and Y directions, respectively.
8 is a holding member for holding each of them. Acousto-optic element 4
Scan control signals are input to 9 and 50 from a scan control device (not shown).

【0044】上述のように構成された光走査機構40に
おいては、光源4からの光3は、音響光学素子47,4
8に走査制御信号が入力されることにより、それらに入
射する光3が所定の角度だけ偏向されて出射され、これ
によって、光源4からの光3は、X,Y方向にそれぞれ
走査され、集光レンズ46を経て半導体基板5を二次元
的に走査しながらこれを照射するのである。
In the optical scanning mechanism 40 configured as described above, the light 3 from the light source 4 is applied to the acousto-optic devices 47 and 4.
When a scanning control signal is input to the light 8, the light 3 incident thereon is deflected by a predetermined angle and emitted, whereby the light 3 from the light source 4 is scanned in the X and Y directions, and collected. This is irradiated while scanning the semiconductor substrate 5 two-dimensionally via the optical lens 46.

【0045】第2および第3実施例に示す光走査機構4
0を用いた場合における動作は、第1実施例のそれと同
様であるので、その説明は省略する。そして、これら第
2および第3実施例における光走査型二次元濃度分布測
定装置においては、一つの画面の測定が数秒で行なえ、
非常に高速である。そのため、測定の能率が向上する。
Light scanning mechanism 4 shown in second and third embodiments
The operation when 0 is used is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. In the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device according to the second and third embodiments, measurement of one screen can be performed in a few seconds.
Very fast. Therefore, the efficiency of the measurement is improved.

【0046】なお、上述の第2および第3実施例では、
二つのガルバノミラー42,43または二つの音響光学
素子47,48によって光走査機構40を構成していた
が、これに代えて、光走査機構40を、一つのガルバノ
ミラーと一つの音響光学素子とを組み合わせて構成する
ようにしてもよい。
In the above-described second and third embodiments,
The optical scanning mechanism 40 is constituted by the two galvanometer mirrors 42 and 43 or the two acousto-optic elements 47 and 48. Instead, the optical scanning mechanism 40 is replaced by one galvanomirror and one acousto-optic element. May be combined.

【0047】また、第2および第3実施例においても、
プローブ光3を半導体基板5に対してセンサ面7とは反
対側(下面側)から照射するようにしていたが、これに
代えて、センサ面7と同じ側から照射するようにしても
よい。
Also, in the second and third embodiments,
Although the probe light 3 is irradiated on the semiconductor substrate 5 from the side opposite to the sensor surface 7 (lower surface side), the probe light 3 may be irradiated from the same side as the sensor surface 7 instead.

【0048】上述の第1〜第3実施例では、半導体基板
5を照射する光源4を固定し、半導体基板5にXYステ
ージ10を設けて、半導体基板5を二次元方向に走査し
たり(第1実施例)、光源4と半導体基板5との間に光
走査機構40を設けて、光源4からの光3を二次元方向
に走査するようにしていたが、半導体基板5に対してプ
ローブ光3を照射するための光源4を、ハイポトロコイ
ドまたはハイポサイクロイドの曲線描画機構を用いて二
次元方向に走査するようにしてもよい。以下、これを第
4実施例として、図8〜図12を参照しながら説明す
る。
In the first to third embodiments, the light source 4 for irradiating the semiconductor substrate 5 is fixed, the XY stage 10 is provided on the semiconductor substrate 5, and the semiconductor substrate 5 is scanned in the two-dimensional direction. Embodiment 1) An optical scanning mechanism 40 is provided between the light source 4 and the semiconductor substrate 5 to scan the light 3 from the light source 4 in a two-dimensional direction. The light source 4 for irradiating 3 may be two-dimensionally scanned by using a hypotrochoid or hypocycloid curve drawing mechanism. Hereinafter, this will be described as a fourth embodiment with reference to FIGS.

【0049】まず、図8において、51は適宜の素材よ
りなるフレームで、このフレーム51の上部には、セン
サ2が設けられており、フレーム51の下部、より具体
的には、センサ2の下方には、二次元光照射部52が設
けられている。
First, in FIG. 8, reference numeral 51 denotes a frame made of an appropriate material. The sensor 2 is provided on the upper portion of the frame 51. The lower portion of the frame 51, more specifically, the lower portion of the sensor 2, Is provided with a two-dimensional light irradiation unit 52.

【0050】前記二次元光照射部52は、例えば次のよ
うに構成されている。すなわち、図8および図9におい
て、53は適宜の部材を介してベース部材54に取り付
けられたパルスモータで、その出力軸55がベース部材
54の上面から突出するように鉛直方向に設けられてお
り、この出力軸55に原動歯車56が水平に固着されて
いる。そして、パルスモータ53は、インターフェース
ボード14を介してコンピュータ(図示してない)によ
って制御される。
The two-dimensional light irradiating section 52 is configured as follows, for example. That is, in FIGS. 8 and 9, reference numeral 53 denotes a pulse motor attached to the base member 54 via an appropriate member, and is provided in a vertical direction so that the output shaft 55 protrudes from the upper surface of the base member 54. A driving gear 56 is horizontally fixed to the output shaft 55. The pulse motor 53 is controlled by a computer (not shown) via the interface board 14.

【0051】57は原動歯車56に噛合する従動歯車
で、その回転軸58が軸受部材59を介してベース部材
54に鉛直方向に突設されている。60はこの従動歯車
57と同軸上に回転中心を有する太陽歯車で、内周に複
数の歯を周設している。
Reference numeral 57 denotes a driven gear that meshes with the driving gear 56, and a rotating shaft 58 of the driven gear 57 is vertically provided on the base member 54 via a bearing member 59. Reference numeral 60 denotes a sun gear having a rotation center on the same axis as the driven gear 57, and a plurality of teeth are provided on the inner circumference.

【0052】61は従動歯車57上であってその回転中
心58から適宜離れた位置に立設されるピン部材62に
枢支されて太陽歯車60に常に内接しながら回転する遊
星歯車である。
Reference numeral 61 denotes a planetary gear which is rotatably supported by a pin member 62 which is provided on the driven gear 57 at a position appropriately distant from the rotation center 58, and which always rotates while inscribed in the sun gear 60.

【0053】63は遊星歯車61上であってその回転中
心62から適宜離れた位置に設けられた機能素子設置部
で、この機能素子設置部63には光源としてのレーザ光
源64と集光用レンズ65とからなる光源部66が設け
られている。この光源部66は、センサ2の半導体基板
5に対してプローブ光67を照射するもので、集光用レ
ンズ65が半導体基板5の下面に接触しないように設け
られている。
Reference numeral 63 denotes a functional element installation section provided on the planetary gear 61 at a position distant from the center of rotation 62 of the planetary gear 61. The functional element installation section 63 includes a laser light source 64 as a light source and a condenser lens. A light source unit 66 including a light source unit 65 is provided. The light source 66 irradiates the semiconductor substrate 5 of the sensor 2 with the probe light 67, and is provided so that the condenser lens 65 does not contact the lower surface of the semiconductor substrate 5.

【0054】68は機能素子設置部63に連設された板
状部材で、遊星歯車61の移動に対応できる長さを有す
る長孔69が開設され、この長孔69を適宜の固定部7
0に立設されたピン部材71が挿通している。なお、詳
細には図示してないが、光源64への電源供給のための
電源ケーブルは、板状部材68に沿うようにして設けら
れている。
Reference numeral 68 denotes a plate-shaped member connected to the functional element installation portion 63, which is provided with an elongated hole 69 having a length which can cope with the movement of the planetary gear 61.
The pin member 71 erected at 0 is inserted therethrough. Although not shown in detail, a power cable for supplying power to the light source 64 is provided along the plate member 68.

【0055】なお、上記符号53〜63によって表され
る部材からなる装置を、特に、ハイポトロコイドまたは
ハイポサイクロイドの曲線描画機構と呼び、符号72を
付すこととする。
The device consisting of the members denoted by reference numerals 53 to 63 is called a hypotrochoid or hypocycloid curve drawing mechanism, and is denoted by reference numeral 72.

【0056】ここで、二次元光照射部52によって、半
導体基板5に対して、プローブ光67を二次元的に走査
しながら照射するための描画方程式について、図10を
参照しながら説明する。
Here, a drawing equation for irradiating the semiconductor substrate 5 with the probe light 67 while scanning it two-dimensionally by the two-dimensional light irradiation unit 52 will be described with reference to FIG.

【0057】図10において、Lは大円(前記太陽歯車
60に相当する)、Sはこれに内接して回転する小円
(前記遊星歯車61に相当する)である。また、 Lr :大円Lの半径 OL :大円Lの中心 Sr :小円Sの半径 OS :小円Sの中心 Q :小円Sの中心から距離r離れた地点 A :大円Lと小円Sの初期状態において当接している
ときの大円L側の位置 B :大円Lと小円Sの初期状態において当接している
ときの小円S側の位置 C :小円Sが角度θL (ラジアン)回転したときにお
ける大円Lと小円Sとの当接位置 θ10:線分COs と線分OS Bとがなす角度(ラジア
ン) とする。
In FIG. 10, L is a great circle (corresponding to the sun gear 60), and S is a small circle (corresponding to the planetary gear 61) that rotates inscribed therein. In addition, L r: great circle L of radius O L: the center of the large circle L S r: radius O S of the small circle S: center of the small circle S Q: point were separated by a distance r from the center of the small circle S A: large A position on the great circle L when the circle L and the small circle S are in contact in the initial state B: A position on the small circle S when the circle L and the small circle S are in contact in the initial state C: Small circle S is the angle theta L (radian) contact position between the large circle L and the small circles S in when rotated theta 10: a line segment CO s and the line segment O S B and the angle (in radians).

【0058】点Cの座標は、(Lr ・cosθL ,Lr
・sinθL )と表される。そして、大円L、小円Sの
矢印方向への回転に伴い、両者の接点は移動するが、両
者における移動長は互いに等しく、弧AC=弧BCであ
るから、 θL ・Lr =θS ・Sr ……(1) が成り立つ。
The coordinates of the point C are (L r · cos θ L , L r
Sin θ L ). The great circle L, with the rotation in the arrow direction of the small circles S, although both the contacts are moved, the movement length in both are equal to each other, because it is arc AC = arc BC, θ L · L r = θ S · S r (1) holds.

【0059】小円Sの中心OS は、小円Sの回転に伴
い、半径(Lr −Sr )の円(図中、仮想線で示す)の
周上を移動し、その座標は、{(Lr −Sr )・cos
θL ,(Lr −Sr )・sinθL )で表される。
With the rotation of the small circle S, the center O S of the small circle S moves on the circumference of a circle (indicated by an imaginary line in the figure) having a radius (L r −S r ), and its coordinates are {(L r −S r ) · cos
θ L , (L r −S r ) · sin θ L ).

【0060】点Qの座標(XQ ,YQ )は次のように表
される。すなわち、 XQ =(Lr −Sr )・cosθL −r・cos(θL −θS )……(2) YQ =(Lr −Sr )・sinθL −r・sin(θL −θS )……(3) となる。
The coordinates (X Q , Y Q ) of the point Q are expressed as follows. That is, X Q = (L r −S r ) · cos θ L −r · cos (θ L −θ S ) (2) Y Q = (L r −S r ) · sin θ L −r · sin (θ L− θ S ) (3)

【0061】ところで、上述したように、弧AC=弧B
Cであるから、(1)式から、 θS =Lr ・θL /Sr ……(4) が得られ、これを上記(2),(3)式に代入すると、 XP =(Lr −Sr )・cosθL −r・cos{θL ・(Sr −Lr ) /Sr } ……(5) Yp =(Lr −Sr )・sinθL −r・sin{θL ・(Sr −Lr ) /Sr } ……(6)
Incidentally, as described above, arc AC = arc B
Since C, from equation (1), θ S = L r · θ L / S r (4) is obtained. By substituting this into the above equations (2) and (3), X P = ( L r −S r ) · cos θ L −r · cos {θ L • (S r −L r ) / S r … (5) Y p = (L r −S r ) · sin θ L −r · sin {Θ L · (S r -L r ) / S r … …… (6)

【0062】そして、点Qが描く軌跡が大円Lの中心O
L を通る場合、r=Lr −Sr であるから、上記(5)
, (6)式は、 XP =r・{cosθL +cos(θL ・r/Sr )} ……(7) Yp =r・{sinθL +sin(θL ・r/Sr )} ……(8) となる。
The locus drawn by the point Q is the center O of the great circle L.
If through L, and the because it is r = L r -S r, (5)
, (6) Equation, X P = r · {cosθ L + cos (θ L · r / S r)} ...... (7) Y p = r · {sinθ L + sin (θ L · r / S r)} (8)

【0063】上述のような描画方程式を有するプログラ
ムがコンピュータに設けられており、二次元光照射部5
2はこのプログラムに基づいて制御される。
A program having the above-described drawing equation is provided in the computer, and the two-dimensional light irradiation unit 5
2 is controlled based on this program.

【0064】今、この発明で用いる原動歯車56、従動
歯車57、太陽歯車60および遊星歯車61のモジュー
ル、歯数ピッチが例えば下記表1のようなものであり、
従動歯車57の中心からその半径の3/4の位置に遊星
歯車61の中心があり、さらに、点Q、すなわち、光源
部66の描く軌跡が太陽歯車60の中心58を通るもの
とする。
Now, the modules of the driving gear 56, the driven gear 57, the sun gear 60 and the planetary gear 61, and the pitch of the number of teeth used in the present invention are as shown in Table 1 below, for example.
It is assumed that the center of the planetary gear 61 is located at a position 3 of the radius of the driven gear 57 and the point Q, that is, the locus drawn by the light source 66 passes through the center 58 of the sun gear 60.

【0065】[0065]

【表1】 [Table 1]

【0066】前記二次元光照射部52による二次元平面
走査方法を、図8〜図11を参照しながら説明すると、 パルスモータ53を回転させることにより、原動歯
車56が図11において例えば矢印73方向に回転し、
これに伴って、従動歯車57が図11において矢印74
方向に回転し、太陽歯車60も矢印75方向に回転す
る。
The two-dimensional plane scanning method by the two-dimensional light irradiation unit 52 will be described with reference to FIGS. 8 to 11. By rotating the pulse motor 53, the driving gear 56 is moved in the direction of an arrow 73 in FIG. Rotate to
Accordingly, the driven gear 57 is moved in the direction indicated by the arrow 74 in FIG.
The sun gear 60 also rotates in the direction of arrow 75.

【0067】 原動歯車56を1回転させると、遊星
歯車61が太陽歯車60に内接しながら所定回転数(6
05/403)だけ矢印76方向に自転するとともに、
1回公転して元の位置に戻る。
When the driving gear 56 makes one rotation, the planetary gear 61 is inscribed in the sun gear 60 at a predetermined rotation speed (6
05/403) in the direction of arrow 76,
Revolve once and return to the original position.

【0068】 遊星歯車61を例えば605回自転さ
せると、遊星歯車61は元の位置に戻るが、この回転に
伴って、光源部66が曲線77で表す軌跡を描きながら
二次元平面を一筆書き的に移動する。これによって、二
次元平面は、図12に示すように、光源部66によって
走査されることになる。
When the planetary gear 61 is rotated, for example, 605 times, the planetary gear 61 returns to its original position. With this rotation, the light source unit 66 draws a locus represented by a curve 77 and draws a two-dimensional plane in one stroke. Go to Thus, the two-dimensional plane is scanned by the light source unit 66 as shown in FIG.

【0069】ここで、光源部66が描く軌跡(特定軌
跡)が完結するまでを1フレームとすると、この1フレ
ームは太陽歯車60の回転中心58を中心に、特定の二
次元領域をくまなく走査する軌跡となる。この軌跡は、
上述した点Q(図10参照)が描く軌跡にほかならず、
この軌跡の方程式から、X軸、Y軸の位置情報を予め演
算で求めておき、回転開始点や原点などを予め定めてお
く。そして、この原点を基準として、動き始めからの時
間によって、X座標およびY座標を定めることによっ
て、光源部66を特定の位置に連続的に移動することが
できる。
Here, assuming that a frame until the trajectory (specific trajectory) drawn by the light source unit 66 is completed is one frame, this one frame scans all the specific two-dimensional areas around the rotation center 58 of the sun gear 60. Trajectory. This trajectory
This is exactly the locus drawn by the point Q (see FIG. 10) described above.
From the equation of the trajectory, the position information of the X axis and the Y axis is calculated in advance, and the rotation start point and the origin are determined in advance. Then, the light source unit 66 can be continuously moved to a specific position by determining the X coordinate and the Y coordinate according to the time from the start of movement based on the origin.

【0070】そして、原動歯車56を連続的に回転させ
て、光源部66に二次元平面において1フレームの軌跡
を描かせる場合、そのフレーム面でのX軸、Y軸で二次
元面を代表する特定位置あるいはその近傍(誤差範囲
内)を予め選び、位置を演算して原点時間(時間ゼロ)
から特定時間ごとに二次元を代表する多数のX,Y位置
を、光源部66がたどるようにして軌跡を描く。
When the driving gear 56 is continuously rotated to cause the light source section 66 to draw a trajectory of one frame on a two-dimensional plane, the X-axis and the Y-axis on the frame plane represent the two-dimensional plane. Select a specific position or its vicinity (within the error range) in advance, calculate the position and return to origin time (time zero)
Trajectory is drawn such that the light source 66 follows a large number of X and Y positions representing two dimensions at every specific time.

【0071】上記第4実施例の光走査型二次元濃度分布
測定装置における動作は、上記第1実施例のそれと同様
であるので、その説明は省略する。そして、この第4実
施例における光走査型二次元濃度分布測定装置において
は、一つの画面の測定が30秒以下で行なえ、非常に高
速である。そのため、測定の能率が向上する。
The operation of the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus of the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. In the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus according to the fourth embodiment, measurement of one screen can be performed in 30 seconds or less, which is very fast. Therefore, the efficiency of the measurement is improved.

【0072】ところで、上述の第4実施例においても、
プローブ光33を半導体基板5に対してセンサ面7とは
反対側(下面側)から照射するようにしていたが、これ
に代えて、センサ面7と同じ側から照射するようにして
もよい。
By the way, also in the above-mentioned fourth embodiment,
Although the probe light 33 is irradiated on the semiconductor substrate 5 from the side opposite to the sensor surface 7 (lower surface side), the probe light 33 may be irradiated from the same side as the sensor surface 7 instead.

【0073】そして、パルスモータ53に代えて、サー
ボモータを用いてもよい。
Then, a servo motor may be used instead of the pulse motor 53.

【0074】また、上述の実施例においては、機能素子
設置部63に設けられた光源部66の描く軌跡が太陽歯
車60の中心58を通るように構成されているが、機能
素子設置部63の設置位置は、遊星歯車61上であっ
て、その回転中心62以外であれば任意である。このよ
うにした場合、機能素子設置部63、すなわち、光源部
66が描く軌跡は、太陽歯車60の中心58を必ずしも
通ることはないが、種々の軌跡を得ることができる。
In the above-described embodiment, the trajectory drawn by the light source 66 provided on the functional element installation section 63 passes through the center 58 of the sun gear 60. The installation position is arbitrary on the planetary gear 61 and other than the rotation center 62 thereof. In this case, the trajectory drawn by the functional element installation section 63, that is, the light source section 66 does not necessarily pass through the center 58 of the sun gear 60, but various trajectories can be obtained.

【0075】また、上述の実施例においては、遊星歯車
61を、太陽歯車60に常に内接しながら回転するよう
に設けてあったが、これに代えて、常に外接しながら回
転するように設けてもよい。このようにした場合におい
ても、機能素子設置部63に種々の軌跡を描かせること
ができる。
In the above embodiment, the planetary gear 61 is provided so as to rotate while always inscribed in the sun gear 60. Instead, however, the planetary gear 61 is provided so as to rotate while always inscribed in the sun. Is also good. Even in this case, it is possible to cause the functional element installation section 63 to draw various trajectories.

【0076】上述の第1〜第4実施例では、光源が単一
であったが、複数の光源を用いるようにしてもよい。す
なわち、複数の光源を二次元的に配置して光源アレイと
し、この光源アレイにおける光源素子を順次二次元的に
走査して点灯させ、半導体基板5を二次元的に走査しな
がら照射するのである。以下、このようにした光走査型
二次元濃度分布測定装置を、第5および第6実施例とし
て、図13〜図15を参照しながら説明する。
In the first to fourth embodiments, a single light source is used. However, a plurality of light sources may be used. That is, a plurality of light sources are two-dimensionally arranged to form a light source array, and the light source elements in the light source array are sequentially two-dimensionally scanned and turned on, and the semiconductor substrate 5 is irradiated while being two-dimensionally scanned. . Hereinafter, such an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus will be described as fifth and sixth embodiments with reference to FIGS.

【0077】まず、図13は、第5実施例に係る光走査
型二次元濃度分布測定装置の一例を示し、この図におい
て、78は半導体基板5を二次元的に照射するための光
源アレイである。この光源アレイ78は、図14に示す
ように、複数のLED79をX,Y方向において例えば
それぞれ等間隔となるように形成した発光体基板80
と、この発光体基板80を保持するとともに、LED7
9を順次点灯するように制御するシフトレジスタ81
X,81Yを備えた走査制御部としてのプリント基板8
2とからなる。
FIG. 13 shows an example of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus according to the fifth embodiment. In this figure, reference numeral 78 denotes a light source array for irradiating the semiconductor substrate 5 two-dimensionally. is there. As shown in FIG. 14, the light source array 78 includes a light emitting substrate 80 in which a plurality of LEDs 79 are formed at equal intervals in the X and Y directions, for example.
And the LED 7 while holding the luminous body substrate 80.
Shift register 81 which controls so as to sequentially turn on 9
Printed circuit board 8 as scanning control unit provided with X, 81Y
Consists of two.

【0078】前記光源アレイ78は、例えばセンサ2と
は別々に形成され、適宜の接着剤を用いたり、陽極接合
または直接接合などの手法によって、センサ2のセンサ
面7とは反対の面に、発光体基板80が直接接するよう
にして接合され、これによって複合構造(ハイブリッド
構造)の光走査型二次元濃度分布測定装置が形成され
る。
The light source array 78 is formed separately from the sensor 2, for example, and is formed on the surface opposite to the sensor surface 7 of the sensor 2 by using an appropriate adhesive, anodic bonding or direct bonding. The luminous body substrates 80 are joined so as to be in direct contact with each other, thereby forming an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device having a composite structure (hybrid structure).

【0079】この第5実施例の光走査型二次元濃度分布
測定装置の動作は、第1実施例のそれと同様であるの
で、その説明は省略する。そして、この光走査型二次元
濃度分布測定装置によれば、1画素サイズが500μm
以下であり、また、1画面を数秒で測定することができ
る。
The operation of the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus of the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. According to the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device, one pixel size is 500 μm.
It is as follows, and one screen can be measured in a few seconds.

【0080】なお、図示は省略するが、センサ2と光源
アレイ78との間に、複数のLED79のそれぞれに対
応するようにして複数のマイクロレンズを介装し、LE
D79からのプローブ光3を半導体基板5の所定の位置
に集光させるようにしてもよい。
Although not shown, a plurality of microlenses are interposed between the sensor 2 and the light source array 78 so as to correspond to the plurality of LEDs 79, respectively.
The probe light 3 from D79 may be focused on a predetermined position on the semiconductor substrate 5.

【0081】上記第5実施例は、ハイブリッド構造の光
走査型二次元濃度分布測定装置であったが、図15に示
すように、一体構造(モノリシック構造)に構成するこ
ともできる。すなわち、図15は、第6実施例に係る光
走査型二次元濃度分布測定装置を示すもので、この図に
おいて、83は半導体基板5のセンサ面7とは反対側の
面に形成されるGaAs層、84はこのGaAs層83
に重ねて形成されるGe層、85はこのGe層84に重
ねて形成されるSi層で、これらによって、図14に示
したようなX,Y方向に広がった複数のLCD(液晶)
86よりなる光源アレイ78が形成される。なお、87
は複数のLCD86それぞれのシャッタを適宜開閉制御
するための制御部としてのアドレスデコーダである。
In the fifth embodiment, the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus has a hybrid structure. However, as shown in FIG. 15, the apparatus may be configured as an integral structure (monolithic structure). That is, FIG. 15 shows an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus according to the sixth embodiment. In this figure, reference numeral 83 denotes a GaAs formed on the surface of the semiconductor substrate 5 opposite to the sensor surface 7. Layer 84 is the GaAs layer 83
A Ge layer 85 formed on the Ge layer 84 is a Si layer formed on the Ge layer 84, and a plurality of LCDs (liquid crystals) spread in the X and Y directions as shown in FIG.
A light source array 78 composed of 86 is formed. Note that 87
Is an address decoder as a control unit for appropriately controlling the opening and closing of the shutters of the plurality of LCDs 86.

【0082】この第6実施例に係るモノリシック構造に
構成した光走査型二次元濃度分布測定装置の動作は、第
5実施例の光走査型二次元濃度分布測定装置と同じであ
るので、その詳細な説明は省略する。そして、このよう
にモノリシック構造に構成された光走査型二次元濃度分
布測定装置においては、前記ハイブリッド構成のものの
効果に加えて、微細な部分まで測定が可能であり、高分
解能を有するので、顕微鏡的使用が可能である。
The operation of the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus having a monolithic structure according to the sixth embodiment is the same as that of the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus according to the fifth embodiment. Detailed description is omitted. In the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus having a monolithic structure as described above, in addition to the effect of the hybrid configuration, it is possible to measure even a minute portion and to have a high resolution, Is possible.

【0083】なお、光源アレイ78としては、LED、
LCDのほか、EL(エレクトロルミネッセンス)や固
体レーザなどを用いることもできる。
The light source array 78 includes LEDs,
In addition to the LCD, an EL (electroluminescence), a solid-state laser, or the like can be used.

【0084】上記第5および第6実施例においては、半
導体基板5に対してプローブ光3を照射する機構に機械
的部分がないので、小型かつ構成が簡単であり、位置情
報が固定しており、安定に動作する。
In the fifth and sixth embodiments, there is no mechanical part in the mechanism for irradiating the semiconductor substrate 5 with the probe light 3, so that the structure is simple and the configuration is simple, and the position information is fixed. , Works stably.

【0085】そして、上記第5および第6実施例によれ
ば、在来の半導体製造プロセスを適用することができ、
したがって、大量生産することができる。
According to the fifth and sixth embodiments, a conventional semiconductor manufacturing process can be applied.
Therefore, it can be mass-produced.

【0086】この発明は、上述の溶液のpH測定のみな
らず、例えば、りんごなど物質に含まれている溶液にお
けるpHの二次元測定をも行うことができる。すなわ
ち、りんごを半分に切り、その切断面をセンサ面7に当
接させ、対極CEおよび比較電極REをりんごに挿入
し、その状態でポテンショスタット13によってバイア
ス電圧を印加し、その状態で、プローブ光3を半導体基
板5に対して照射するのである。
According to the present invention, not only the above-described pH measurement of the solution but also a two-dimensional measurement of the pH of a solution contained in a substance such as an apple can be performed. That is, the apple is cut in half, the cut surface is brought into contact with the sensor surface 7, the counter electrode CE and the reference electrode RE are inserted into the apple, and a bias voltage is applied by the potentiostat 13 in this state. The light 3 is applied to the semiconductor substrate 5.

【0087】また、上述の実施例は、いずれもpHの測
定であったが、この発明は、これに限られるものではな
く、カリウムイオンや塩化物イオンの測定を行う場合に
も適用することができる。この場合、光走査型二次元濃
度分布測定装置のセンサ面7を、それぞれカリウムイオ
ンや塩化物イオンに応答する物質で修飾する必要があ
る。例えば、カリウムイオンに応答する物質としては、
バリノマイシンやクラウンエーテルが、また、塩化物イ
オンに応答する物質としては、4級アンモニウムがあ
り、これらの応答物質でセンサ面7を修飾するのであ
る。さらに、センサ面7を適宜の応答物質で修飾すると
ともに、用いる溶液を適宜選択することにより、他のイ
オンの測定にも対応することができる。
In each of the above embodiments, the measurement of pH was performed. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to the case of measuring potassium ion or chloride ion. it can. In this case, it is necessary to modify the sensor surface 7 of the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device with a substance which responds to potassium ions and chloride ions, respectively. For example, substances that respond to potassium ions include:
Substances such as valinomycin and crown ether which respond to chloride ions include quaternary ammonium, and the sensor surface 7 is modified with these substances. Further, by modifying the sensor surface 7 with an appropriate responding substance and appropriately selecting a solution to be used, it is possible to cope with the measurement of other ions.

【0088】さらに、光源4から半導体基板5に照射す
るプローブ光3は、赤外線、紫外線、可視光線など種々
の光線のうちから適宜選択して使用することができる。
Further, the probe light 3 radiated from the light source 4 to the semiconductor substrate 5 can be appropriately selected from various rays such as infrared rays, ultraviolet rays, and visible rays.

【0089】[0089]

【発明の効果】この発明は、以上のような形態で実施さ
れ、以下のような効果を奏する。
The present invention is embodied in the above-described embodiment and has the following effects.

【0090】この発明の光走査型二次元濃度分布測定装
置は、半導体基板の一方の面にセンサ面を有し、前記半
導体基板に対して光源からの光をプローブ光として二次
元的に照射するように構成するとともに、前記プローブ
光の照射を高速に行うことにより、時系列測定を行うよ
うにしているので、各種の物質濃度の二次元分布を時系
列的に測定することができる。
The optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus of the present invention has a sensor surface on one surface of a semiconductor substrate, and two-dimensionally irradiates the semiconductor substrate with light from a light source as probe light. With such a configuration, the time series measurement is performed by irradiating the probe light at high speed, so that the two-dimensional distribution of the concentration of various substances can be measured in time series.

【0091】そして、コンピュータなどの画像出力装置
と組み合わせることにより、物質濃度の二次元分布の時
間的変化を連続可視画像として表示することができる。
また、前記変化を時間軸に対して拡大したり縮小して表
示することができ、さらには、物質濃度の二次元分布測
定を行っている領域中のある点における濃度変化を連続
可視画像として表示することもできる。
By combining this with an image output device such as a computer, a temporal change in the two-dimensional distribution of the substance concentration can be displayed as a continuous visible image.
Further, the change can be displayed by being enlarged or reduced with respect to a time axis, and furthermore, a concentration change at a certain point in a region where the two-dimensional distribution measurement of the substance concentration is performed is displayed as a continuous visible image. You can also.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の光走査型二次元濃度分布測定装置の
概要を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an outline of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device of the present invention.

【図2】第1実施例の光走査型二次元濃度分布測定装置
の具体的構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device of the first embodiment.

【図3】第1実施例の動作説明図である。FIG. 3 is an operation explanatory diagram of the first embodiment.

【図4】第1実施例の動作説明図である。FIG. 4 is an operation explanatory diagram of the first embodiment.

【図5】第2および第3実施例を包括的に示した図であ
る。
FIG. 5 is a diagram comprehensively showing the second and third embodiments.

【図6】第2実施例の要部を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a main part of a second embodiment.

【図7】第3実施例の要部を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a main part of a third embodiment.

【図8】第4実施例の光走査型二次元濃度分布測定装置
の具体的構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a specific configuration of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device of a fourth embodiment.

【図9】第4実施例において用いられる曲線描画機構の
一例を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing an example of a curve drawing mechanism used in a fourth embodiment.

【図10】前記曲線描画機構の動作原理を説明するため
の図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining the operation principle of the curve drawing mechanism.

【図11】前記曲線描画機構の動作説明図である。FIG. 11 is a diagram illustrating the operation of the curve drawing mechanism.

【図12】前記曲線描画機構によって描かれる軌跡の一
例を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing an example of a locus drawn by the curve drawing mechanism.

【図13】第5実施例の光走査型二次元濃度分布測定装
置の具体的構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a specific configuration of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device according to a fifth embodiment.

【図14】第5実施例において用いられる光源アレイの
一例を概略的に示す図である。
FIG. 14 is a diagram schematically showing an example of a light source array used in the fifth embodiment.

【図15】第6実施例の光走査型二次元濃度分布測定装
置の具体的構成を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a specific configuration of an optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device of a sixth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3…光源、4…プローブ光、5…半導体基板、7…セン
サ面、10…XYステージ、18…画像出力装置、4
2,43…ガルバノミラー、48,49…音響光学素
子、72…曲線描画機構、78…平板型光源アレイ。
3 light source, 4 probe light, 5 semiconductor substrate, 7 sensor surface, 10 XY stage, 18 image output device, 4
2, 43: galvanomirror, 48, 49: acousto-optical element, 72: curve drawing mechanism, 78: flat light source array.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中尾 基 京都府京都市南区吉祥院宮の東町2番地 株式会社堀場製作所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Motoi Nakao 2 Higashicho, Kichijoin-gu, Minami-ku, Kyoto, Kyoto Inside Horiba, Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体基板の一方の面にセンサ面を有
し、前記半導体基板に対して光源からの光をプローブ光
として二次元的に走査しながら照射するように構成する
とともに、前記プローブ光の照射を高速に行うことによ
り、時系列測定を行うようにしたことを特徴とする光走
査型二次元濃度分布測定装置。
1. A semiconductor substrate having a sensor surface on one surface, configured to irradiate the semiconductor substrate with light from a light source as probe light while scanning the probe light two-dimensionally, and the probe light 2. An optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device, wherein time series measurement is performed by performing high-speed irradiation of light.
【請求項2】 コンピュータなどの画像出力装置と組み
合わせることにより、時系列測定を行って得られる物質
濃度の二次元分布の時間的変化を連続可視画像として表
示できるようにした請求項1に記載の光走査型二次元濃
度分布測定装置。
2. The method according to claim 1, wherein a temporal change of the two-dimensional distribution of the substance concentration obtained by performing the time series measurement can be displayed as a continuous visible image by combining with an image output device such as a computer. Optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device.
【請求項3】 半導体基板のセンサ面とは反対側に半導
体基板を二次元方向に走査するためのXYステージを設
けてある請求項1または2に記載の光走査型二次元濃度
分布測定装置。
3. The optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus according to claim 1, wherein an XY stage for scanning the semiconductor substrate in a two-dimensional direction is provided on a side of the semiconductor substrate opposite to the sensor surface.
【請求項4】 半導体基板に対して、光源からの光を、
ガルバノミラーまたは/および音響光学素子を用いて二
次元方向に走査しながら照射するようにした請求項1ま
たは2に記載の光走査型二次元濃度分布測定装置。
4. Light from a light source is applied to a semiconductor substrate.
The optical scanning type two-dimensional density distribution measuring device according to claim 1, wherein irradiation is performed while scanning in a two-dimensional direction using a galvanomirror and / or an acousto-optic device.
【請求項5】 半導体基板に対してプローブ光を照射す
るための光源を、ハイポトロコイドまたはハイポサイク
ロイドの曲線描画機構を用いて二次元方向に走査するよ
うにした請求項1または2に記載の光走査型二次元濃度
分布測定装置。
5. The light according to claim 1, wherein a light source for irradiating the semiconductor substrate with probe light is scanned two-dimensionally using a hypotrochoid or hypocycloid curve drawing mechanism. Scanning two-dimensional concentration distribution measuring device.
【請求項6】 光源として平板型光源アレイを用い、こ
の光源アレイからの光を、半導体基板に対して二次元方
向に走査しながら照射するようにした請求項1または2
に記載の光走査型二次元濃度分布測定装置。
6. A flat light source array as a light source, and irradiates the semiconductor substrate with light from the light source array while scanning the semiconductor substrate in a two-dimensional direction.
2. The optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device according to 1.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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