JPH1068939A - Production of liquid crystal display panel - Google Patents
Production of liquid crystal display panelInfo
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- JPH1068939A JPH1068939A JP22643396A JP22643396A JPH1068939A JP H1068939 A JPH1068939 A JP H1068939A JP 22643396 A JP22643396 A JP 22643396A JP 22643396 A JP22643396 A JP 22643396A JP H1068939 A JPH1068939 A JP H1068939A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示パネルの製造方法、特に液晶表示パ
ネルにおいてTFT基板に形成するカラーフィルタに関
し、低コストで高開口率化させる。
【解決手段】 絶縁基板2の上に遮光性金属にてなる複
数本のゲートバスライン(第1の帯状電極)3と、遮光
性金属にてなりゲートバスライン3に交差する複数本の
ドレインバスライン(第2の帯状電極)4を形成する工
程と、バスライン3と4の上に電着させることで格子状
となる樹脂層21を形成する工程と、樹脂層21の格子
状の空域部を埋め、一部分がバスライン3と4に重なる
透光性着色樹脂パターン23を形成する工程と、樹脂層
21を溶去せしめ、その溶去によって透光性着色樹脂パ
ターンの該一部分を除去させる工程を含む。
(57) Abstract: A method of manufacturing a liquid crystal display panel, particularly a color filter formed on a TFT substrate in a liquid crystal display panel, has a high aperture ratio at low cost. SOLUTION: A plurality of gate bus lines (first band-shaped electrodes) 3 made of light-shielding metal and a plurality of drain buses made of light-shielding metal intersecting the gate bus line 3 on an insulating substrate 2. Forming a line (second band-shaped electrode) 4; forming a grid-like resin layer 21 by electrodeposition on the bus lines 3 and 4; Forming a transparent colored resin pattern 23 that partially overlaps the bus lines 3 and 4, and removing the resin layer 21 and removing the part of the transparent colored resin pattern by the removal. including.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示パネルの製
造方法、特にアクティブマトリクス方式の液晶表示パネ
ルにおけるカラーフィルタを、薄膜トランジスタ(TF
T)基板に形成させる方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display panel, and more particularly, to a method of forming a color filter in an active matrix type liquid crystal display panel using a thin film transistor (TF).
T) A method of forming a substrate.
【0002】近年、液晶表示パネルは携帯用OA機器へ
の適応を考慮して、低消費電力化(バックライトの低輝
度化)、即ち液晶表示パネルの光透過率の改善が要望さ
れるようになった。In recent years, liquid crystal display panels have been demanded to be reduced in power consumption (reduced luminance of backlight), that is, to improve light transmittance of liquid crystal display panels, in consideration of adaptation to portable OA equipment. became.
【0003】[0003]
【従来の技術】液晶表示パネルは一対の基板の間に液晶
を充填した構成であり、アクティブマトリクス方式の液
晶表示パネルは、一般に、一方のTFT基板に複数のド
レインバスラインと、複数のゲートバスラインと、その
交差部に位置するTFTと、表示用画素電極を形成し、
他方のコモン基板にコモン電極とカラーフィルタを形成
する構成である。2. Description of the Related Art A liquid crystal display panel has a structure in which liquid crystal is filled between a pair of substrates, and an active matrix type liquid crystal display panel generally has a plurality of drain bus lines and a plurality of gate bus lines on one TFT substrate. Forming a line, a TFT located at the intersection thereof, and a pixel electrode for display,
This is a configuration in which a common electrode and a color filter are formed on the other common substrate.
【0004】通常のカラーフィルタは、赤(R)と青
(B)と緑(G)の透光性着色樹脂パターンを、画素電
極に対応せしめストライプ状またはトライアングル状ま
たはモザイク状の選択的配列に形成したものであり、多
数の着色樹脂パターンの境界部分には、遮光マスクパタ
ーンが形成されている。In a general color filter, a translucent colored resin pattern of red (R), blue (B), and green (G) is arranged in a stripe, triangle, or mosaic selective arrangement corresponding to pixel electrodes. The light-shielding mask pattern is formed at the boundary between a number of colored resin patterns.
【0005】図7は基本的なTFT基板の説明図、図8
は液晶表示パネルの断面図である。ただし、図7の平面
図において層間絶縁膜は、便宜上省略してある。図7に
おいて、TFT基板1(図8参照)の表面には、図の左
右方向に延在する多数本のゲートバスライン3と、図の
上下方向に延在する多数本のドレインバスライン4が形
成され、ゲートバスライン3とドレインバスライン4の
各交差点近傍には、TFT5が形成されており、TFT
5はゲートバスライン3から延在するゲート電極6と、
ドレインバスライン4から延在するドレイン電極7と、
チャンネル形成層8およびソース電極9にて構成されて
いる。FIG. 7 is an explanatory view of a basic TFT substrate, and FIG.
3 is a sectional view of a liquid crystal display panel. However, in the plan view of FIG. 7, the interlayer insulating film is omitted for convenience. 7, on the surface of the TFT substrate 1 (see FIG. 8), a number of gate bus lines 3 extending in the left-right direction of the figure and a number of drain bus lines 4 extending in the vertical direction of the figure. A TFT 5 is formed near each intersection of the gate bus line 3 and the drain bus line 4.
5 is a gate electrode 6 extending from the gate bus line 3,
A drain electrode 7 extending from the drain bus line 4,
It is composed of a channel forming layer 8 and a source electrode 9.
【0006】ゲートバスライン3とドレインバスライン
4とに囲われた領域には、TFT5を避けTFT5のソ
ース電極9に接続された画素電極10がパターン形成さ
れており、一般に画素電極10はITOにて形成され
る。In a region surrounded by the gate bus line 3 and the drain bus line 4, a pixel electrode 10 which is connected to the source electrode 9 of the TFT 5 while avoiding the TFT 5 is formed in a pattern. Formed.
【0007】図8において、ドレインバスライン4を横
切る方向の断面で示す液晶表示パネル11は、TFT基
板1とコモン基板12の対向間隙に液晶13が充填され
てなる。In FIG. 8, a liquid crystal display panel 11 shown in a cross section in a direction crossing the drain bus line 4 has a liquid crystal 13 filled in a gap between the TFT substrate 1 and the common substrate 12.
【0008】TFT基板1において、ガラス基板2の表
面には、ドレインバスライン4等を覆う層間絶縁膜14
が形成され、絶縁膜14の上に形成された画素電極10
を覆って配向膜15が形成され、配向膜15には液晶分
子を規則正しく配列させるラビング処理が施されてい
る。In the TFT substrate 1, an interlayer insulating film 14 covering the drain bus line 4 and the like is formed on the surface of the glass substrate 2.
Is formed, and the pixel electrode 10 formed on the insulating film 14 is formed.
Is formed, and a rubbing process for regularly aligning the liquid crystal molecules is performed on the alignment film 15.
【0009】コモン基板12は、TFT基板8との対向
面に多数の窓があけられた遮光マスクパターン17をガ
ラス基板16に形成し、そのマスクパターン17の開口
部を塞ぐように、透光性の透光性着色樹脂パターン18
が形成され、その上のコモン電極膜19の上に配向膜2
0が形成され、配向膜20には液晶分子を規則正しく配
列させるラビング処理が施されている。The common substrate 12 has a light-shielding mask pattern 17 having a large number of windows formed on a surface facing the TFT substrate 8, formed on a glass substrate 16, and having a light-transmitting property so as to cover an opening of the mask pattern 17. Transparent colored resin pattern 18
Is formed, and the alignment film 2 is formed on the common electrode film 19 thereon.
0 is formed, and the alignment film 20 is subjected to a rubbing process for regularly aligning liquid crystal molecules.
【0010】透光性着色樹脂パターン18は、赤
(R),緑(G),青(B)の3色に色分けされてお
り、色別の着色樹脂パターン18の間に製造上の間隙が
生じたり色別段差が生じるときは、一般に平坦化層でそ
の間隙および段差を埋め、その透光性平坦化層の上にコ
モン電極19と配向膜20が形成される。The translucent colored resin pattern 18 is color-coded into three colors of red (R), green (G), and blue (B). When a step or a step occurs for each color, the gap and the step are generally filled with a flattening layer, and a common electrode 19 and an alignment film 20 are formed on the light-transmitting flattening layer.
【0011】かかる液晶表示パネル7における光透過率
を向上させるために、従来はカラーフィルタを構成す
る着色樹脂パターン18を薄くする、遮光マスクパタ
ーン17の開口率を大きくする方法が検討されてきた。In order to improve the light transmittance of the liquid crystal display panel 7, a method of reducing the thickness of the colored resin pattern 18 constituting the color filter and increasing the aperture ratio of the light-shielding mask pattern 17 has been studied.
【0012】しかし、前記の方法は色純度が低下し、
の方法は形成される各種パターンの精度や製造過程に
おけるマスク合わせ精度および、コモン基板12とTF
T基板1の位置合わせ精度を改善する必要があり、所望
の効果が得難いという問題点があった。[0012] However, the above-mentioned method reduces the color purity,
The method of (1) is based on the accuracy of various patterns to be formed, the mask alignment accuracy in the manufacturing process, and the common substrate 12 and TF.
It is necessary to improve the positioning accuracy of the T substrate 1, and it is difficult to obtain a desired effect.
【0013】また、コモン基板12とTFT基板1の位
置合わせ精度を緩和させためTFT基板1に着色樹脂パ
ターン18を形成し、その開口率を向上させる方法とし
て、電着法により着色樹脂パターンを形成する構成(例
えば特開昭61−69030号参照)が提案されてい
る。しかし、その方法は画素電極の上に着色樹脂パター
ンを形成するため、液晶の駆動電圧が低下するといった
問題があった。Further, as a method of forming a colored resin pattern 18 on the TFT substrate 1 in order to relax the alignment accuracy between the common substrate 12 and the TFT substrate 1 and improving the aperture ratio, a colored resin pattern is formed by an electrodeposition method. (See, for example, JP-A-61-69030). However, this method has a problem that the driving voltage of the liquid crystal decreases because a colored resin pattern is formed on the pixel electrode.
【0014】前記駆動電圧の低下に関する対策として、
着色樹脂パターンを電着法で形成したのち、その上に画
素電極を形成する方法(例えば特開平2−153325
号参照)が提案された。As a countermeasure against the drive voltage drop,
After forming a colored resin pattern by an electrodeposition method, a method of forming a pixel electrode thereon (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-153325).
No.) was proposed.
【0015】しかし、電着法で着色樹脂パターンを形成
するには、そのために電着用ダミー電極を形成する必要
があり、製造工程が増え高コストになるといった問題が
あった。However, in order to form a colored resin pattern by the electrodeposition method, it is necessary to form a dummy electrode for electrodeposition, which causes a problem that the number of manufacturing steps is increased and the cost is increased.
【0016】なお、電着法に限定されず画素電極の下に
カラーフィルタを形成する提案も多々あるが、パターン
形成精度が最近の高精細化に対応できない。There are many proposals to form a color filter under a pixel electrode without being limited to the electrodeposition method, but the pattern formation accuracy cannot cope with recent high definition.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
色純度を損なうことなく、高開口化させようという従来
技術は、何れも効果の程度が低い、または製造工程が複
雑となり高コストになるという問題点があり、最近の高
精細化と低価格化に対応できなかった。As described above,
The conventional techniques of increasing the aperture without impairing the color purity all have a problem that the degree of effect is low, or the manufacturing process is complicated and the cost is high. Could not respond to.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、カラー
フィルタの従来の製造コストを維持し、アクティブマト
リクス方式における液晶表示パネルの高開口化である。An object of the present invention is to increase the aperture of a liquid crystal display panel in an active matrix system while maintaining the conventional manufacturing cost of a color filter.
【0019】上記目的を達成する本発明の第1の構成
は、絶縁基板の上に遮光性金属にてなる複数本の第1の
帯状電極と、遮光性金属にてなり該第1の帯状電極に交
差する複数本の第2の帯状電極を形成する工程と、該第
1および第2の帯状電極の上に電着させることで格子状
となる樹脂層を形成する工程と、該樹脂層の格子状の空
域部を埋め、一部分が該樹脂層に重なる透光性着色樹脂
パターンを形成する工程と、該樹脂層を溶去せしめ、そ
の溶去によって透光性着色樹脂パターンの該一部分を除
去させる工程を含むことである。According to a first aspect of the present invention for achieving the above object, a plurality of first strip-shaped electrodes made of a light-shielding metal on an insulating substrate, and the first strip-shaped electrode made of a light-shielding metal are provided. Forming a plurality of second strip-shaped electrodes intersecting with each other; forming a grid-like resin layer by electrodeposition on the first and second strip-shaped electrodes; A step of forming a translucent colored resin pattern that partially fills the lattice-shaped vacant space and partially overlaps the resin layer; and dissolving the resin layer, and removing the translucent colored resin pattern by the ablation. And the step of causing
【0020】上記目的を達成する本発明の第2の構成
は、基板上に複数本の遮光性金属にてなるゲートバスラ
イン、層間絶縁膜を介して該ゲートバスラインに交差す
る複数本の遮光性金属にてなるドレインバスライン、該
ゲートバスラインとドレインバスラインとの各交差点近
傍に配設されたTFTを形成する工程と、露呈する該ゲ
ートバスラインとドレインバスラインを電極とし、それ
らの上に電着させることで格子状となる樹脂層を形成す
る工程と、該樹脂層の格子状の空域部を埋め、一部分が
該樹脂層に重なる透光性着色樹脂パターンを形成する工
程と、該樹脂層を溶去せしめ、その溶去によって透光性
着色樹脂パターンの該一部分を除去する工程と、該樹脂
層を貫通するコンタクトホールを介して該TFTのソー
ス電極に接続する画素電極を、該透光性着色樹脂パター
ンの上に形成する工程を含むことである。According to a second aspect of the present invention, which achieves the above object, there are provided a plurality of light-shielding metal gate bus lines on a substrate, and a plurality of light-shielding elements intersecting the gate bus lines via an interlayer insulating film. Forming a TFT disposed near each intersection between the drain bus line and the gate bus line and the drain bus line made of a conductive metal; and forming the exposed gate bus line and the drain bus line as electrodes; A step of forming a grid-like resin layer by electrodepositing on it, and a step of forming a translucent colored resin pattern that partially fills the grid-like voids of the resin layer and partially overlaps the resin layer, Evaporating the resin layer, removing the part of the translucent colored resin pattern by the elutriation, and connecting to the source electrode of the TFT through a contact hole penetrating the resin layer. An electrode, is to include a step of forming on a light-transmissive colored resin pattern.
【0021】上記目的を達成する本発明の第3の構成
は、前記第1または第2の構成における樹脂層に導電性
のポジ型感光性樹脂を使用することである。上記目的を
達成する本発明の第4の構成は、前記第1または第2の
構成における透光性着色樹脂パターンが赤と青と緑の3
色であり、該3色の透光性着色樹脂パターンを色別に選
択的配列で形成させることである。A third structure of the present invention that achieves the above object is to use a conductive positive photosensitive resin for the resin layer in the first or second structure. A fourth configuration of the present invention that achieves the above object is that the translucent colored resin pattern in the first or second configuration is a red, blue, and green 3D pattern.
Color, and the three colored translucent colored resin patterns are formed in a selective arrangement for each color.
【0022】前記本発明の第1の構成は、交差する帯状
電極の上に樹脂層を電着し、樹脂層の空域部を埋めて着
色樹脂パターンを形成したのち、樹脂層を溶去させて着
色樹脂パターンの整形を行なう構成であり、帯状電極が
ブラックマスクとなる。According to the first structure of the present invention, a resin layer is electrodeposited on the intersecting strip-shaped electrodes, and a color resin pattern is formed by filling an air space of the resin layer, and then the resin layer is ablated. In this configuration, the colored resin pattern is shaped, and the strip-shaped electrodes serve as a black mask.
【0023】かかるカラーフィルタの製造方法は、比較
的簡易な位置合わせ方法で、帯状電極の外縁に沿った着
色樹脂パターンが形成されるようになる。前記本発明の
第2の構成は、前記第1の構成のカラーフィルタの製造
方法を、液晶表示パネルのTFT基板におけるカラーフ
ィルタの製造に適用したものであり、該カラーフィルタ
の製造を容易ならしめることになる。In the method of manufacturing such a color filter, a colored resin pattern is formed along the outer edge of the strip electrode by a relatively simple alignment method. According to a second configuration of the present invention, the method of manufacturing a color filter of the first configuration is applied to manufacture of a color filter on a TFT substrate of a liquid crystal display panel, and the manufacture of the color filter is facilitated. Will be.
【0024】前記本発明の第3の構成は、樹脂層の溶去
を容易ならしめるためのものであり、前記本発明の第4
の構成は、フルカラーの液晶表示装置用TFT基板に適
用するため、着色樹脂パターンを赤,青,緑の3色とし
たものである。The third structure of the present invention is for facilitating the leaching of the resin layer.
Has a colored resin pattern of three colors of red, blue, and green in order to be applied to a TFT substrate for a full-color liquid crystal display device.
【0025】[0025]
【発明の実施の形態】図1と図2は本発明の実施例にお
けるカラーフィルタの製造方法の説明図である。ただ
し、図1(a)は本発明の液晶表示パネル用カラーフィ
ルタ形成前の平面図であり、ゲートバスラインとドレイ
ンバスラインの交差部の層間絶縁膜を省略した図、図1
(b)〜(d)と図2(a)〜(c)は本発明の液晶表
示パネル用カラーフィルタの製造工程を説明するためド
レインバスラインを横断する断面図であり、図1および
2において、図7および8と共通部分には同一符号を使
用した。1 and 2 are explanatory views of a method for manufacturing a color filter according to an embodiment of the present invention. However, FIG. 1A is a plan view before forming a color filter for a liquid crystal display panel of the present invention, in which an interlayer insulating film at an intersection of a gate bus line and a drain bus line is omitted.
FIGS. 2 (b) to 2 (d) and FIGS. 2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views taken along a drain bus line for explaining a manufacturing process of the color filter for a liquid crystal display panel of the present invention. 7 and 8 are denoted by the same reference numerals.
【0026】図1(a)に示す如く、ガラス基板の表面
には、遮光性金属にてなる帯状のゲートバスライン(第
1の帯状電極)3とドレインバスライン(第2の帯状電
極)4および、ゲートバスライン3とドレインバスライ
ン4に接続するTFT5を形成する。As shown in FIG. 1A, a band-shaped gate bus line (first band-shaped electrode) 3 and a drain bus line (second band-shaped electrode) 4 made of a light-shielding metal are provided on the surface of the glass substrate. Then, a TFT 5 connected to the gate bus line 3 and the drain bus line 4 is formed.
【0027】ゲートバスライン3とドレインバスライン
4およびTFT5は、通常の従来技術、即ち成膜工程・
レジスト塗布工程・レジスト膜の露光現像工程・成膜の
エッチング工程・レジストパターンの剥離工程を繰り返
しで形成するが、幅が10μm〜20μm程度のゲート
バスライン3とドレインバスライン4は、遮光性金属例
えば厚さ0.1μm程度の金属クローム膜から形成す
る。The gate bus line 3, the drain bus line 4, and the TFT 5 are formed by a conventional technique, that is, a film forming process.
A resist coating step, a resist film exposure / development step, a film formation etching step, and a resist pattern peeling step are repeatedly formed. The gate bus line 3 and the drain bus line 4 having a width of about 10 μm to 20 μm For example, it is formed from a metal chrome film having a thickness of about 0.1 μm.
【0028】次いで、図1(b)に示す如く、ガラス基
板2の表面に露呈するが図示さないゲートバスライン3
と、露呈するドレインバスライン4を電極とし、それら
の上に厚さ1〜2μm程度の導電性樹脂(レジスト)層
21を電着させる。Next, as shown in FIG. 1B, a gate bus line 3 exposed on the surface of the glass substrate 2 but not shown
Then, a conductive resin (resist) layer 21 having a thickness of about 1 to 2 μm is electrodeposited on the exposed drain bus lines 4 as electrodes.
【0029】格子状の樹脂層21は、ゲートバスライン
3,ドレインバスライン4,ゲート電極6,ドレイン電
極7の側面にも電着される。しかし,それら側面におけ
る樹脂層21の厚さは、バスライン3,4の幅に比べて
僅かである。従って、図1(b)以降の図ではバスライ
ン3,4等の側面に被着する樹脂層21の図示を省略し
ている。The grid-like resin layer 21 is also electrodeposited on the side surfaces of the gate bus line 3, drain bus line 4, gate electrode 6, and drain electrode 7. However, the thickness of the resin layer 21 on those side surfaces is slightly smaller than the width of the bus lines 3 and 4. Therefore, the illustration of the resin layer 21 applied to the side surfaces of the bus lines 3, 4 and the like is omitted in the drawings after FIG.
【0030】次いで、図1(c)に示す如く、スピンコ
ート法等により所定色の第1の透光性着色樹脂層、例え
ば透光性赤色樹脂層22を形成したのち、その樹脂層2
2を通常の方法(露光・現像)で選択的に除去し、所定
の硬化処理、例えば200℃のホットプレートで1分程
度焼成すると図1(d)に示す如く、一部(周辺部)が
樹脂層21に重なる赤色樹脂パターン23が形成され
る。Next, as shown in FIG. 1C, a first light-transmitting colored resin layer of a predetermined color, for example, a light-transmitting red resin layer 22 is formed by spin coating or the like.
2 is selectively removed by an ordinary method (exposure / development), and when a predetermined curing treatment, for example, baking for about 1 minute on a hot plate at 200 ° C., a part (peripheral portion) is obtained as shown in FIG. A red resin pattern 23 overlapping the resin layer 21 is formed.
【0031】次いで、図2(a)に示す如く、赤色樹脂
パターン23と同様な工程によって、第2,第3の着色
樹脂パターン、例えば青色樹脂パターン24と緑色樹脂
パターン25を形成すると、周辺部が樹脂層21に重な
る樹脂パターン23,24,25は、格子状樹脂層21
の全ての空域部を、所定の配列例えばストライプ配列ま
たはモザイク配列またはトライアングル配列で埋めるよ
うになる。Next, as shown in FIG. 2A, the second and third colored resin patterns, for example, a blue resin pattern 24 and a green resin pattern 25 are formed by the same process as that for the red resin pattern 23. The resin patterns 23, 24, 25 that overlap with the resin layer 21 are
Are filled with a predetermined arrangement, for example, a stripe arrangement, a mosaic arrangement, or a triangle arrangement.
【0032】そこで、樹脂層21が紫外線に反応するポ
ジ型レジストであるときには、図2(b)に示す如くガ
ラス基板2の上方から、例えば強度が350mj/cm2の紫
外線26を照射したのち、30℃に加熱した1%メタ珪
酸ソーダ希釈液を、60〜120秒程度スプレーする
と、図2(c)に示す如く、樹脂層21が溶去される。Therefore, when the resin layer 21 is a positive resist which reacts with ultraviolet rays, as shown in FIG. 2B, the resin layer 21 is irradiated with ultraviolet rays 26 having an intensity of, for example, 350 mj / cm 2 from above the glass substrate 2. When a 1% sodium metasilicate diluted solution heated to 30 ° C. is sprayed for about 60 to 120 seconds, the resin layer 21 is dissolved away as shown in FIG. 2C.
【0033】その際、樹脂層21に重なる樹脂パターン
23,24,25の一部も、樹脂層21と共にリフトオ
フされるようになり、ガラス基板2の上に赤色樹脂パタ
ーン18Rと青色樹脂パターン18Bと緑色樹脂パター
ン18Gが形成され、カラーフィルタが完成する。At this time, a part of the resin patterns 23, 24 and 25 overlapping the resin layer 21 is also lifted off together with the resin layer 21, so that the red resin pattern 18R and the blue resin pattern 18B are formed on the glass substrate 2. The green resin pattern 18G is formed, and the color filter is completed.
【0034】図3と図4は着色樹脂パターンの上に画素
電極が形成されたTFT基板の製造方法の説明図、図5
はTFTと透明電極の接続構造の説明図であり、図1ま
たは2と共通部分には同一符号を使用する。FIGS. 3 and 4 are explanatory views of a method of manufacturing a TFT substrate in which a pixel electrode is formed on a colored resin pattern.
FIG. 3 is an explanatory view of a connection structure between a TFT and a transparent electrode, and the same reference numerals are used for parts common to those in FIG.
【0035】図3(a)において、ガラス基板2の表面
には、図示されないTFTと遮光性金属にてなる複数本
のゲートバスライン3および、遮光性金属にてなる複数
本のドレインバスライン4を形成したのち、ゲートバス
ライン3とドレインバスライン4を電極とし、それらの
上に厚さ1〜2μm程度の樹脂層21を電着させる。In FIG. 3A, a plurality of gate bus lines 3 made of a not-shown TFT and a light-shielding metal and a plurality of drain bus lines 4 made of a light-shielding metal are provided on the surface of a glass substrate 2. Is formed, the gate bus line 3 and the drain bus line 4 are used as electrodes, and a resin layer 21 having a thickness of about 1 to 2 μm is electrodeposited thereon.
【0036】次いで、図3(b)示す如く、スピンコー
ト法等により所定色の第1の透光性着色樹脂層、例えば
透光性赤色樹脂層22を形成したのち、その樹脂層22
を通常の方法で選択的に除去し、所定の硬化処理、例え
ば200℃のホットプレートで1分程度焼成すると図3
(c)に示す如く、基板2上には赤色樹脂パターン23
が形成される。Next, as shown in FIG. 3B, a first light-transmitting colored resin layer of a predetermined color, for example, a light-transmitting red resin layer 22 is formed by a spin coating method or the like.
Is selectively removed by an ordinary method, and is baked for about 1 minute by a predetermined curing treatment, for example, a hot plate at 200 ° C.
As shown in (c), a red resin pattern 23 is formed on the substrate 2.
Is formed.
【0037】次いで、図3(d)に示す如く、赤色樹脂
パターン23と同様な工程によって、第2,第3の着色
樹脂パターン、例えば青色樹脂パターン24と緑色樹脂
パターン25を形成すると、一部分(周辺部)が樹脂層
21に重なる樹脂パターン23,24,25は、樹脂層
21の全ての空域部を、所定の配列例えばストライプ配
列またはモザイク配列またはトライアングル配列で埋め
るようになる。Next, as shown in FIG. 3D, the second and third colored resin patterns, for example, the blue resin pattern 24 and the green resin pattern 25 are formed by the same process as that for the red resin pattern 23. The resin patterns 23, 24, and 25 whose peripheral portions overlap the resin layer 21 fill all the airspace portions of the resin layer 21 with a predetermined arrangement, for example, a stripe arrangement, a mosaic arrangement, or a triangle arrangement.
【0038】そこで、樹脂パターン23,24,25の
所定部、即ちTFT5のソース電極9に連通するコンタ
クトホール29(図5参照)を形成したのち、図4
(a)に示す如く、樹脂パターン23,24,25を覆
うITO膜27を被着する。Then, a contact hole 29 (see FIG. 5) communicating with a predetermined portion of the resin patterns 23, 24, 25, that is, the source electrode 9 of the TFT 5, is formed.
As shown in (a), an ITO film 27 covering the resin patterns 23, 24, 25 is deposited.
【0039】次いで、樹脂層21が紫外線で反応するポ
ジ型レジストであるときには、図4(b)に示す如くガ
ラス基板2の上方から、例えば強度が350mj/cm2の紫
外線26を照射したのち、30℃に加熱した1%メタ珪
酸ソーダ希釈液を、60〜120秒程度スプレーする
と、図4(c)に示す如く、樹脂層21が溶去される。Next, when the resin layer 21 is a positive resist which reacts with ultraviolet rays, as shown in FIG. 4B, after irradiating ultraviolet rays 26 having an intensity of, for example, 350 mj / cm 2 from above the glass substrate 2, When a 1% sodium metasilicate diluted solution heated to 30 ° C. is sprayed for about 60 to 120 seconds, the resin layer 21 is dissolved away as shown in FIG. 4C.
【0040】その際、樹脂層21に重なる樹脂パターン
23,24,25の一部(周辺部)も、樹脂層21と共
にリフトオフされるようになり、該リフトオフによって
形成された着色樹脂パターン18R,18B,18Gの
上に画素電極10が形成され、カラーフィルタ付きTF
T基板30が完成する。At this time, a part (peripheral portion) of the resin patterns 23, 24, 25 overlapping the resin layer 21 is also lifted off together with the resin layer 21, and the colored resin patterns 18R, 18B formed by the lift-off. , 18G, the pixel electrode 10 is formed on the TF with a color filter.
The T substrate 30 is completed.
【0041】なお、TFT5を横断する断面図である図
5において、6はゲート電極、31は層間絶縁層、7は
ドレイン電極、8はチャンネル形成層、9はソース電
極、29はコンタクトホールであり、画素電極10の一
部がコンタクトホール29に充填されソース電極9に接
続する。In FIG. 5, which is a cross-sectional view across the TFT 5, 6 is a gate electrode, 31 is an interlayer insulating layer, 7 is a drain electrode, 8 is a channel forming layer, 9 is a source electrode, and 29 is a contact hole. A part of the pixel electrode 10 is filled in the contact hole 29 and connected to the source electrode 9.
【0042】図6は本発明のTFT基板を使用した液晶
表示パネルの説明図である。図6において、液晶表示パ
ネル41は、TFT基板30とコモン基板33の対向間
隙に液晶13が充填されてなる。FIG. 6 is an explanatory view of a liquid crystal display panel using the TFT substrate of the present invention. In FIG. 6, a liquid crystal display panel 41 has a configuration in which a liquid crystal 13 is filled in an opposing gap between a TFT substrate 30 and a common substrate 33.
【0043】TFT基板30は、ガラス基板2の上面に
図1(a)に示す如き複数の遮光性金属にてなるゲート
バスライン3とドレインバスライン4および、TFT5
を形成したのち、図3と4を用いて説明した樹脂パター
ン18R,18B,18Gおよび画素電極10を形成し
たのち、それらを覆う配向膜15を被着せしめ、配向膜
15には液晶分子を規則正しく配列させるラビング処理
が施されてなる。The TFT substrate 30 has a gate bus line 3 and a drain bus line 4 made of a plurality of light-shielding metals as shown in FIG.
After forming the resin patterns 18R, 18B, 18G and the pixel electrode 10 described with reference to FIGS. 3 and 4, an alignment film 15 covering them is applied, and liquid crystal molecules are regularly applied to the alignment film 15. A rubbing process for arrangement is performed.
【0044】TFT基板30に対向するコモン基板33
は、ガラス基板16の下面にコモン電極19と配向膜2
0が形成され、配向膜20には液晶分子を規則正しく配
列させるラビング処理が施されてなる。The common substrate 33 facing the TFT substrate 30
Are the common electrode 19 and the alignment film 2 on the lower surface of the glass substrate 16.
0 is formed, and the alignment film 20 is subjected to a rubbing process for regularly aligning liquid crystal molecules.
【0045】かかる液晶表示パネル41は、ゲートバス
ライン3とドレインバスライン4を駆動回路に接続し、
従来の液晶表示パネル11と同様に駆動されるようにな
るが、着色樹脂パターン(カラーフィルタ)を電着でT
FT基板に形成し、その着色樹脂パターンの上に画素電
極を形成した従来の液晶表示パネルに比べ、ゲートバス
ライン3およびドレインバスライン4を電極し電着した
樹脂層21の利用により工程が簡易となる、即ちカラー
フィルタ上の画素電極が着色樹脂パターンと同時に形成
されるため工程が簡易で低コストとなり、画素電極の外
縁はゲートバスラインおよびドレインバスラインの縁に
接するようになるため高開口となる。The liquid crystal display panel 41 connects the gate bus line 3 and the drain bus line 4 to a drive circuit,
The liquid crystal display panel 11 is driven in the same manner as the conventional liquid crystal display panel 11, but the colored resin pattern (color filter) is
Compared with a conventional liquid crystal display panel formed on an FT substrate and having pixel electrodes formed on the colored resin pattern, the process is simplified by using the resin layer 21 which is electrodeposited with the gate bus line 3 and the drain bus line 4 and electrodeposited. That is, since the pixel electrode on the color filter is formed simultaneously with the colored resin pattern, the process is simple and the cost is low, and the outer edge of the pixel electrode comes into contact with the edges of the gate bus line and the drain bus line, so that a high opening is obtained. Becomes
【0046】[0046]
【発明の効果】以上説明したように本発明のカラーフィ
ルタの製造方法は、低コストで高開口率のTFT基板を
提供し、アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルの
低消費電力化を可能にする。As described above, the method of manufacturing a color filter according to the present invention provides a low-cost, high-aperture-rate TFT substrate and enables low power consumption of an active matrix type liquid crystal display panel.
【図1】 実施例におけるカラーフィルタの製造方法の
説明図(その1)FIG. 1 is an explanatory view (1) of a method for manufacturing a color filter in an embodiment.
【図2】 実施例におけるカラーフィルタの製造方法の
説明図(その2)FIG. 2 is an explanatory view of a method for manufacturing a color filter in an embodiment (part 2).
【図3】 着色樹脂パターンの上に画素電極が形成され
たTFT基板の製造方法の説明図(その1)FIG. 3 is an explanatory view of a method of manufacturing a TFT substrate in which a pixel electrode is formed on a colored resin pattern (part 1)
【図4】 着色樹脂パターンの上に画素電極が形成され
たTFT基板の製造方法の説明図(その2)FIG. 4 is an explanatory view of a method of manufacturing a TFT substrate in which a pixel electrode is formed on a colored resin pattern (part 2).
【図5】 TFTと透明電極の接続構造の説明図FIG. 5 is an explanatory diagram of a connection structure between a TFT and a transparent electrode.
【図6】 実施例における液晶表示パネルの説明図FIG. 6 is an explanatory diagram of a liquid crystal display panel in an embodiment.
【図7】 基本的な従来のTFT基板の説明図FIG. 7 is an explanatory view of a basic conventional TFT substrate.
【図8】 従来の液晶表示パネルの断面図FIG. 8 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display panel.
2,16 ガラス基板 3 ゲートバスライン(第1の帯状電極) 4 ドレインバスライン(第2の帯状電極) 5 TFT 6 ゲート電極 7 ドレイン電極 8 チャンネル形成層 9 ソース電極 10 画素電極(透明電極) 13 液晶 18R 赤色樹脂パターン 18B 青色樹脂パターン 18G 緑色樹脂パターン 19 コモン電極 21 樹脂層 22 赤色樹脂層 23,24,25 樹脂パターン 26 紫外線 29 コンタクトホール 30 TFT基板 33 コモン基板 41 液晶表示パネル 2, 16 glass substrate 3 gate bus line (first strip electrode) 4 drain bus line (second strip electrode) 5 TFT 6 gate electrode 7 drain electrode 8 channel formation layer 9 source electrode 10 pixel electrode (transparent electrode) 13 Liquid crystal 18R Red resin pattern 18B Blue resin pattern 18G Green resin pattern 19 Common electrode 21 Resin layer 22 Red resin layer 23, 24, 25 Resin pattern 26 Ultraviolet 29 Contact hole 30 TFT substrate 33 Common substrate 41 Liquid crystal display panel
Claims (4)
本の第1の帯状電極と、遮光性金属にてなり該第1の帯
状電極に交差する複数本の第2の帯状電極を形成する工
程と、 該第1および第2の帯状電極の上に電着させることで格
子状となる樹脂層を形成する工程と、 該樹脂層の格子状の空域部を埋め、一部分が該樹脂層に
重なる透光性着色樹脂パターンを形成する工程と、 該樹脂層を溶去せしめ、その溶去によって透光性着色樹
脂パターンの該一部分を除去させる工程、 を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。1. A plurality of first strip-shaped electrodes made of a light-shielding metal and a plurality of second strip-shaped electrodes made of a light-shielding metal intersecting the first strip-shaped electrode on an insulating substrate. Forming; forming a grid-like resin layer by electrodeposition on the first and second belt-shaped electrodes; filling a grid-shaped air space portion of the resin layer, and partially forming the resin A liquid crystal display comprising: a step of forming a translucent colored resin pattern overlapping the layer; and a step of ablating the resin layer and removing the part of the translucent colored resin pattern by the ablation. Panel manufacturing method.
ートバスライン、層間絶縁膜を介して該ゲートバスライ
ンに交差する複数本の遮光性金属にてなるドレインバス
ライン、該ゲートバスラインとドレインバスラインとの
各交差点近傍に配設された薄膜トランジスタ(TFT)
を形成する工程と、 露呈する該ゲートバスラインとドレインバスラインの上
に電着させることで格子状となる樹脂層を形成する工程
と、 該樹脂層の格子状の空域部を埋め、一部分が該樹脂層に
重なる透光性着色樹脂パターンを形成する工程と、 該樹脂層を溶去せしめ、その溶去によって透光性着色樹
脂パターンの該一部分を除去する工程と、 該樹脂層を貫通するコンタクトホールを介して該TFT
のソース電極に接続する画素電極を、該透光性着色樹脂
パターンの上に形成する工程、 を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。2. A gate bus line made of a plurality of light-shielding metals on a substrate, a plurality of drain bus lines made of a plurality of light-shielding metals intersecting the gate bus lines via an interlayer insulating film, and the gate bus. Thin film transistor (TFT) arranged near each intersection of line and drain bus line
Forming a grid-like resin layer by electrodeposition on the exposed gate bus line and drain bus line; and filling a grid-like air space of the resin layer, A step of forming a translucent colored resin pattern overlapping the resin layer; a step of dissolving the resin layer and removing the portion of the translucent colored resin pattern by the dissolution; and a step of penetrating the resin layer. The TFT through a contact hole
Forming a pixel electrode to be connected to the source electrode on the translucent colored resin pattern.
であること、 を特徴とする請求項1または2記載の液晶表示パネルの
製造方法。3. The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the resin layer is a conductive positive photosensitive resin.
緑の3色であり、該3色の透光性着色樹脂パターンを色
別に選択的配列で形成させること、 を特徴とする請求項1または2記載の液晶表示パネルの
製造方法。4. The translucent colored resin pattern is three colors of red, blue and green, and the translucent colored resin patterns of the three colors are formed in a selective arrangement for each color. Item 3. The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to item 1 or 2.
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|---|---|---|---|
| JP22643396A JP3620933B2 (en) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | Manufacturing method of liquid crystal display panel |
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| JPH1068939A true JPH1068939A (en) | 1998-03-10 |
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| JP (1) | JP3620933B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012506566A (en) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | Display devices and backplane |
Citations (4)
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| JPH06301057A (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Seiko Epson Corp | Active matrix liquid crystal display device |
| JPH07281169A (en) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | Color liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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-
1996
- 1996-08-28 JP JP22643396A patent/JP3620933B2/en not_active Expired - Fee Related
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