JPH1068939A - 液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
液晶表示パネルの製造方法Info
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- JPH1068939A JPH1068939A JP22643396A JP22643396A JPH1068939A JP H1068939 A JPH1068939 A JP H1068939A JP 22643396 A JP22643396 A JP 22643396A JP 22643396 A JP22643396 A JP 22643396A JP H1068939 A JPH1068939 A JP H1068939A
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Abstract
ネルにおいてTFT基板に形成するカラーフィルタに関
し、低コストで高開口率化させる。 【解決手段】 絶縁基板2の上に遮光性金属にてなる複
数本のゲートバスライン(第1の帯状電極)3と、遮光
性金属にてなりゲートバスライン3に交差する複数本の
ドレインバスライン(第2の帯状電極)4を形成する工
程と、バスライン3と4の上に電着させることで格子状
となる樹脂層21を形成する工程と、樹脂層21の格子
状の空域部を埋め、一部分がバスライン3と4に重なる
透光性着色樹脂パターン23を形成する工程と、樹脂層
21を溶去せしめ、その溶去によって透光性着色樹脂パ
ターンの該一部分を除去させる工程を含む。
Description
造方法、特にアクティブマトリクス方式の液晶表示パネ
ルにおけるカラーフィルタを、薄膜トランジスタ(TF
T)基板に形成させる方法に関する。
の適応を考慮して、低消費電力化(バックライトの低輝
度化)、即ち液晶表示パネルの光透過率の改善が要望さ
れるようになった。
を充填した構成であり、アクティブマトリクス方式の液
晶表示パネルは、一般に、一方のTFT基板に複数のド
レインバスラインと、複数のゲートバスラインと、その
交差部に位置するTFTと、表示用画素電極を形成し、
他方のコモン基板にコモン電極とカラーフィルタを形成
する構成である。
(B)と緑(G)の透光性着色樹脂パターンを、画素電
極に対応せしめストライプ状またはトライアングル状ま
たはモザイク状の選択的配列に形成したものであり、多
数の着色樹脂パターンの境界部分には、遮光マスクパタ
ーンが形成されている。
は液晶表示パネルの断面図である。ただし、図7の平面
図において層間絶縁膜は、便宜上省略してある。図7に
おいて、TFT基板1(図8参照)の表面には、図の左
右方向に延在する多数本のゲートバスライン3と、図の
上下方向に延在する多数本のドレインバスライン4が形
成され、ゲートバスライン3とドレインバスライン4の
各交差点近傍には、TFT5が形成されており、TFT
5はゲートバスライン3から延在するゲート電極6と、
ドレインバスライン4から延在するドレイン電極7と、
チャンネル形成層8およびソース電極9にて構成されて
いる。
4とに囲われた領域には、TFT5を避けTFT5のソ
ース電極9に接続された画素電極10がパターン形成さ
れており、一般に画素電極10はITOにて形成され
る。
切る方向の断面で示す液晶表示パネル11は、TFT基
板1とコモン基板12の対向間隙に液晶13が充填され
てなる。
面には、ドレインバスライン4等を覆う層間絶縁膜14
が形成され、絶縁膜14の上に形成された画素電極10
を覆って配向膜15が形成され、配向膜15には液晶分
子を規則正しく配列させるラビング処理が施されてい
る。
面に多数の窓があけられた遮光マスクパターン17をガ
ラス基板16に形成し、そのマスクパターン17の開口
部を塞ぐように、透光性の透光性着色樹脂パターン18
が形成され、その上のコモン電極膜19の上に配向膜2
0が形成され、配向膜20には液晶分子を規則正しく配
列させるラビング処理が施されている。
(R),緑(G),青(B)の3色に色分けされてお
り、色別の着色樹脂パターン18の間に製造上の間隙が
生じたり色別段差が生じるときは、一般に平坦化層でそ
の間隙および段差を埋め、その透光性平坦化層の上にコ
モン電極19と配向膜20が形成される。
を向上させるために、従来はカラーフィルタを構成す
る着色樹脂パターン18を薄くする、遮光マスクパタ
ーン17の開口率を大きくする方法が検討されてきた。
の方法は形成される各種パターンの精度や製造過程に
おけるマスク合わせ精度および、コモン基板12とTF
T基板1の位置合わせ精度を改善する必要があり、所望
の効果が得難いという問題点があった。
置合わせ精度を緩和させためTFT基板1に着色樹脂パ
ターン18を形成し、その開口率を向上させる方法とし
て、電着法により着色樹脂パターンを形成する構成(例
えば特開昭61−69030号参照)が提案されてい
る。しかし、その方法は画素電極の上に着色樹脂パター
ンを形成するため、液晶の駆動電圧が低下するといった
問題があった。
着色樹脂パターンを電着法で形成したのち、その上に画
素電極を形成する方法(例えば特開平2−153325
号参照)が提案された。
するには、そのために電着用ダミー電極を形成する必要
があり、製造工程が増え高コストになるといった問題が
あった。
カラーフィルタを形成する提案も多々あるが、パターン
形成精度が最近の高精細化に対応できない。
色純度を損なうことなく、高開口化させようという従来
技術は、何れも効果の程度が低い、または製造工程が複
雑となり高コストになるという問題点があり、最近の高
精細化と低価格化に対応できなかった。
フィルタの従来の製造コストを維持し、アクティブマト
リクス方式における液晶表示パネルの高開口化である。
は、絶縁基板の上に遮光性金属にてなる複数本の第1の
帯状電極と、遮光性金属にてなり該第1の帯状電極に交
差する複数本の第2の帯状電極を形成する工程と、該第
1および第2の帯状電極の上に電着させることで格子状
となる樹脂層を形成する工程と、該樹脂層の格子状の空
域部を埋め、一部分が該樹脂層に重なる透光性着色樹脂
パターンを形成する工程と、該樹脂層を溶去せしめ、そ
の溶去によって透光性着色樹脂パターンの該一部分を除
去させる工程を含むことである。
は、基板上に複数本の遮光性金属にてなるゲートバスラ
イン、層間絶縁膜を介して該ゲートバスラインに交差す
る複数本の遮光性金属にてなるドレインバスライン、該
ゲートバスラインとドレインバスラインとの各交差点近
傍に配設されたTFTを形成する工程と、露呈する該ゲ
ートバスラインとドレインバスラインを電極とし、それ
らの上に電着させることで格子状となる樹脂層を形成す
る工程と、該樹脂層の格子状の空域部を埋め、一部分が
該樹脂層に重なる透光性着色樹脂パターンを形成する工
程と、該樹脂層を溶去せしめ、その溶去によって透光性
着色樹脂パターンの該一部分を除去する工程と、該樹脂
層を貫通するコンタクトホールを介して該TFTのソー
ス電極に接続する画素電極を、該透光性着色樹脂パター
ンの上に形成する工程を含むことである。
は、前記第1または第2の構成における樹脂層に導電性
のポジ型感光性樹脂を使用することである。上記目的を
達成する本発明の第4の構成は、前記第1または第2の
構成における透光性着色樹脂パターンが赤と青と緑の3
色であり、該3色の透光性着色樹脂パターンを色別に選
択的配列で形成させることである。
電極の上に樹脂層を電着し、樹脂層の空域部を埋めて着
色樹脂パターンを形成したのち、樹脂層を溶去させて着
色樹脂パターンの整形を行なう構成であり、帯状電極が
ブラックマスクとなる。
的簡易な位置合わせ方法で、帯状電極の外縁に沿った着
色樹脂パターンが形成されるようになる。前記本発明の
第2の構成は、前記第1の構成のカラーフィルタの製造
方法を、液晶表示パネルのTFT基板におけるカラーフ
ィルタの製造に適用したものであり、該カラーフィルタ
の製造を容易ならしめることになる。
を容易ならしめるためのものであり、前記本発明の第4
の構成は、フルカラーの液晶表示装置用TFT基板に適
用するため、着色樹脂パターンを赤,青,緑の3色とし
たものである。
けるカラーフィルタの製造方法の説明図である。ただ
し、図1(a)は本発明の液晶表示パネル用カラーフィ
ルタ形成前の平面図であり、ゲートバスラインとドレイ
ンバスラインの交差部の層間絶縁膜を省略した図、図1
(b)〜(d)と図2(a)〜(c)は本発明の液晶表
示パネル用カラーフィルタの製造工程を説明するためド
レインバスラインを横断する断面図であり、図1および
2において、図7および8と共通部分には同一符号を使
用した。
には、遮光性金属にてなる帯状のゲートバスライン(第
1の帯状電極)3とドレインバスライン(第2の帯状電
極)4および、ゲートバスライン3とドレインバスライ
ン4に接続するTFT5を形成する。
4およびTFT5は、通常の従来技術、即ち成膜工程・
レジスト塗布工程・レジスト膜の露光現像工程・成膜の
エッチング工程・レジストパターンの剥離工程を繰り返
しで形成するが、幅が10μm〜20μm程度のゲート
バスライン3とドレインバスライン4は、遮光性金属例
えば厚さ0.1μm程度の金属クローム膜から形成す
る。
板2の表面に露呈するが図示さないゲートバスライン3
と、露呈するドレインバスライン4を電極とし、それら
の上に厚さ1〜2μm程度の導電性樹脂(レジスト)層
21を電着させる。
3,ドレインバスライン4,ゲート電極6,ドレイン電
極7の側面にも電着される。しかし,それら側面におけ
る樹脂層21の厚さは、バスライン3,4の幅に比べて
僅かである。従って、図1(b)以降の図ではバスライ
ン3,4等の側面に被着する樹脂層21の図示を省略し
ている。
ート法等により所定色の第1の透光性着色樹脂層、例え
ば透光性赤色樹脂層22を形成したのち、その樹脂層2
2を通常の方法(露光・現像)で選択的に除去し、所定
の硬化処理、例えば200℃のホットプレートで1分程
度焼成すると図1(d)に示す如く、一部(周辺部)が
樹脂層21に重なる赤色樹脂パターン23が形成され
る。
パターン23と同様な工程によって、第2,第3の着色
樹脂パターン、例えば青色樹脂パターン24と緑色樹脂
パターン25を形成すると、周辺部が樹脂層21に重な
る樹脂パターン23,24,25は、格子状樹脂層21
の全ての空域部を、所定の配列例えばストライプ配列ま
たはモザイク配列またはトライアングル配列で埋めるよ
うになる。
ジ型レジストであるときには、図2(b)に示す如くガ
ラス基板2の上方から、例えば強度が350mj/cm2の紫
外線26を照射したのち、30℃に加熱した1%メタ珪
酸ソーダ希釈液を、60〜120秒程度スプレーする
と、図2(c)に示す如く、樹脂層21が溶去される。
23,24,25の一部も、樹脂層21と共にリフトオ
フされるようになり、ガラス基板2の上に赤色樹脂パタ
ーン18Rと青色樹脂パターン18Bと緑色樹脂パター
ン18Gが形成され、カラーフィルタが完成する。
電極が形成されたTFT基板の製造方法の説明図、図5
はTFTと透明電極の接続構造の説明図であり、図1ま
たは2と共通部分には同一符号を使用する。
には、図示されないTFTと遮光性金属にてなる複数本
のゲートバスライン3および、遮光性金属にてなる複数
本のドレインバスライン4を形成したのち、ゲートバス
ライン3とドレインバスライン4を電極とし、それらの
上に厚さ1〜2μm程度の樹脂層21を電着させる。
ト法等により所定色の第1の透光性着色樹脂層、例えば
透光性赤色樹脂層22を形成したのち、その樹脂層22
を通常の方法で選択的に除去し、所定の硬化処理、例え
ば200℃のホットプレートで1分程度焼成すると図3
(c)に示す如く、基板2上には赤色樹脂パターン23
が形成される。
パターン23と同様な工程によって、第2,第3の着色
樹脂パターン、例えば青色樹脂パターン24と緑色樹脂
パターン25を形成すると、一部分(周辺部)が樹脂層
21に重なる樹脂パターン23,24,25は、樹脂層
21の全ての空域部を、所定の配列例えばストライプ配
列またはモザイク配列またはトライアングル配列で埋め
るようになる。
所定部、即ちTFT5のソース電極9に連通するコンタ
クトホール29(図5参照)を形成したのち、図4
(a)に示す如く、樹脂パターン23,24,25を覆
うITO膜27を被着する。
ジ型レジストであるときには、図4(b)に示す如くガ
ラス基板2の上方から、例えば強度が350mj/cm2の紫
外線26を照射したのち、30℃に加熱した1%メタ珪
酸ソーダ希釈液を、60〜120秒程度スプレーする
と、図4(c)に示す如く、樹脂層21が溶去される。
23,24,25の一部(周辺部)も、樹脂層21と共
にリフトオフされるようになり、該リフトオフによって
形成された着色樹脂パターン18R,18B,18Gの
上に画素電極10が形成され、カラーフィルタ付きTF
T基板30が完成する。
5において、6はゲート電極、31は層間絶縁層、7は
ドレイン電極、8はチャンネル形成層、9はソース電
極、29はコンタクトホールであり、画素電極10の一
部がコンタクトホール29に充填されソース電極9に接
続する。
表示パネルの説明図である。図6において、液晶表示パ
ネル41は、TFT基板30とコモン基板33の対向間
隙に液晶13が充填されてなる。
図1(a)に示す如き複数の遮光性金属にてなるゲート
バスライン3とドレインバスライン4および、TFT5
を形成したのち、図3と4を用いて説明した樹脂パター
ン18R,18B,18Gおよび画素電極10を形成し
たのち、それらを覆う配向膜15を被着せしめ、配向膜
15には液晶分子を規則正しく配列させるラビング処理
が施されてなる。
は、ガラス基板16の下面にコモン電極19と配向膜2
0が形成され、配向膜20には液晶分子を規則正しく配
列させるラビング処理が施されてなる。
ライン3とドレインバスライン4を駆動回路に接続し、
従来の液晶表示パネル11と同様に駆動されるようにな
るが、着色樹脂パターン(カラーフィルタ)を電着でT
FT基板に形成し、その着色樹脂パターンの上に画素電
極を形成した従来の液晶表示パネルに比べ、ゲートバス
ライン3およびドレインバスライン4を電極し電着した
樹脂層21の利用により工程が簡易となる、即ちカラー
フィルタ上の画素電極が着色樹脂パターンと同時に形成
されるため工程が簡易で低コストとなり、画素電極の外
縁はゲートバスラインおよびドレインバスラインの縁に
接するようになるため高開口となる。
ルタの製造方法は、低コストで高開口率のTFT基板を
提供し、アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルの
低消費電力化を可能にする。
説明図(その1)
説明図(その2)
たTFT基板の製造方法の説明図(その1)
たTFT基板の製造方法の説明図(その2)
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁基板の上に遮光性金属にてなる複数
本の第1の帯状電極と、遮光性金属にてなり該第1の帯
状電極に交差する複数本の第2の帯状電極を形成する工
程と、 該第1および第2の帯状電極の上に電着させることで格
子状となる樹脂層を形成する工程と、 該樹脂層の格子状の空域部を埋め、一部分が該樹脂層に
重なる透光性着色樹脂パターンを形成する工程と、 該樹脂層を溶去せしめ、その溶去によって透光性着色樹
脂パターンの該一部分を除去させる工程、 を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項2】 基板上に複数本の遮光性金属にてなるゲ
ートバスライン、層間絶縁膜を介して該ゲートバスライ
ンに交差する複数本の遮光性金属にてなるドレインバス
ライン、該ゲートバスラインとドレインバスラインとの
各交差点近傍に配設された薄膜トランジスタ(TFT)
を形成する工程と、 露呈する該ゲートバスラインとドレインバスラインの上
に電着させることで格子状となる樹脂層を形成する工程
と、 該樹脂層の格子状の空域部を埋め、一部分が該樹脂層に
重なる透光性着色樹脂パターンを形成する工程と、 該樹脂層を溶去せしめ、その溶去によって透光性着色樹
脂パターンの該一部分を除去する工程と、 該樹脂層を貫通するコンタクトホールを介して該TFT
のソース電極に接続する画素電極を、該透光性着色樹脂
パターンの上に形成する工程、 を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項3】 前記樹脂層が導電性のポジ型感光性樹脂
であること、 を特徴とする請求項1または2記載の液晶表示パネルの
製造方法。 - 【請求項4】 前記透光性着色樹脂パターンが赤と青と
緑の3色であり、該3色の透光性着色樹脂パターンを色
別に選択的配列で形成させること、 を特徴とする請求項1または2記載の液晶表示パネルの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22643396A JP3620933B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22643396A JP3620933B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1068939A true JPH1068939A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3620933B2 JP3620933B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=16845045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22643396A Expired - Fee Related JP3620933B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3620933B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012506566A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 表示デバイスおよびバックプレーン |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04253028A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-08 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH06301057A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
| JPH07281169A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | カラー液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH0822027A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22643396A patent/JP3620933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04253028A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-08 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
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| JPH07281169A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | カラー液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH0822027A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2012506566A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 表示デバイスおよびバックプレーン |
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|---|---|
| JP3620933B2 (ja) | 2005-02-16 |
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