JPH1068944A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明電極で形成される信号線部分での光洩れ
を防止する。 【解決手段】 透明導電膜で形成された信号線と金属で
形成された走査線の交点にアクティブマトリクス素子を
有するアクティブマトリクス基板と、反射板層６を有す
る対向電極基板と、前記アクティブマトリクス基板と対
向電極基板を成膜面が向き合うように貼り合わせて間に
封止された液晶とを含んで構成される反射型液晶表示装
置において、前記アクティブマトリクス基板の前記透明
導電膜２で形成された信号線Ｘに対応する部分には前記
対向電極基板上に前記反射板層６を形成しないスリット
部１７を設ける。
を防止する。 【解決手段】 透明導電膜で形成された信号線と金属で
形成された走査線の交点にアクティブマトリクス素子を
有するアクティブマトリクス基板と、反射板層６を有す
る対向電極基板と、前記アクティブマトリクス基板と対
向電極基板を成膜面が向き合うように貼り合わせて間に
封止された液晶とを含んで構成される反射型液晶表示装
置において、前記アクティブマトリクス基板の前記透明
導電膜２で形成された信号線Ｘに対応する部分には前記
対向電極基板上に前記反射板層６を形成しないスリット
部１７を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、バックライトを用いない反射型液晶表示装置
の表示品位改善に関する。
し、特に、バックライトを用いない反射型液晶表示装置
の表示品位改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、電極を有する２枚のガ
ラス板の間に５μｍ厚程度の液晶を挟み込み、電極に印
加する電圧によって液晶分子の動きを制御することによ
り画像表示を行う方式であるため、ＣＲＴに比べ非常に
薄い表示装置を構成することが可能になる。
ラス板の間に５μｍ厚程度の液晶を挟み込み、電極に印
加する電圧によって液晶分子の動きを制御することによ
り画像表示を行う方式であるため、ＣＲＴに比べ非常に
薄い表示装置を構成することが可能になる。
【０００３】一般的なＴＮ型液晶表示装置は、液晶表示
装置外部にバックライトを配置して、このバックライト
からの光を液晶分子を制御することにより透過、非透過
状態にして表示を行う。これは、透過型液晶表示装置と
呼ばれている。透過型液晶表示装置は、バックライトの
点灯のため、消費電力が大きくなる問題がある。
装置外部にバックライトを配置して、このバックライト
からの光を液晶分子を制御することにより透過、非透過
状態にして表示を行う。これは、透過型液晶表示装置と
呼ばれている。透過型液晶表示装置は、バックライトの
点灯のため、消費電力が大きくなる問題がある。
【０００４】この解決手段として、バックライトの代わ
りに外光を取り込んで反射させる反射型液晶表示装置が
ある。ＴＮ型液晶表示装置の外部に反射板を取り付けた
場合、暗い、文字等の表示に影ができる、等の問題があ
る。暗くなる原因は、ＴＮ型液晶表示装置が偏光板を必
要とすることから、取り込んだ外光の光量が半分になる
ためである。また文字等の表示に影ができる原因は、反
射板を外部に取り付けることにより、表示部と反射面と
の間隔が大きくなり、表示部の影が反射板に写り込むた
めである。
りに外光を取り込んで反射させる反射型液晶表示装置が
ある。ＴＮ型液晶表示装置の外部に反射板を取り付けた
場合、暗い、文字等の表示に影ができる、等の問題があ
る。暗くなる原因は、ＴＮ型液晶表示装置が偏光板を必
要とすることから、取り込んだ外光の光量が半分になる
ためである。また文字等の表示に影ができる原因は、反
射板を外部に取り付けることにより、表示部と反射面と
の間隔が大きくなり、表示部の影が反射板に写り込むた
めである。
【０００５】相転移ゲストホスト（ＧＨ）方式の液晶デ
ィスプレイは、コントラストが低いため、バックライト
を用いる透過型液晶表示装置の用途では殆ど用いられな
い。しかしながら、これを反射型液晶表示装置として用
いた場合は、偏光板が不要なことから、外光の取り込み
量がＴＮ型と比較して大きいために明るい表示が可能で
あり、また液晶層内部に反射板を形成できるため文字に
影ができないという利点がある。
ィスプレイは、コントラストが低いため、バックライト
を用いる透過型液晶表示装置の用途では殆ど用いられな
い。しかしながら、これを反射型液晶表示装置として用
いた場合は、偏光板が不要なことから、外光の取り込み
量がＴＮ型と比較して大きいために明るい表示が可能で
あり、また液晶層内部に反射板を形成できるため文字に
影ができないという利点がある。
【０００６】ＧＨ方式の液晶ディスプレイの動作原理を
図７の模式的断面図によって説明する。同図において、
パネル表示面側としてガラス基板１上にＩＴＯ層２、保
護層であるポリイミド層５が順次形成されており、対向
基板側にはガラス基板１上に反射板層６、ポリイミド層
５が形成されており、これらの間にＧＨ液晶層７を挟み
込んで液晶ディスプレイを形成している。ＧＨ液晶層７
は、液晶分子４中に二色性色素分子３が数パーセント混
入されている。この二色性色素分子３自体は、電界によ
り方向は変化しないが、液晶分子４とほぼ同等の大きさ
を有しているため、大多数の液晶分子４の挙動につれて
同等の挙動を示す。また、二色性色素分子３はその分子
の方向により光を透過又は非透過とする。つまり、電圧
無印加状態（図７（ａ））では、二色性色素分子３は横
向きになっており、カイラル剤が添加されていれば分子
は螺旋を描いている。この螺旋が９０度以上回転してい
れば、パネルの周囲から入射してくるあらゆる偏光方向
の光１９を吸収することができ、黒表示となる。一方、
電圧印加状態（図７（ｂ））では、液晶分子の配向に伴
って二色性色素分子３も縦向きになっており、入射した
光は透過し、上層の反射板層６で反射され、パネル表示
面から出射光２０として出射されることにより表示上は
白表示となる。
図７の模式的断面図によって説明する。同図において、
パネル表示面側としてガラス基板１上にＩＴＯ層２、保
護層であるポリイミド層５が順次形成されており、対向
基板側にはガラス基板１上に反射板層６、ポリイミド層
５が形成されており、これらの間にＧＨ液晶層７を挟み
込んで液晶ディスプレイを形成している。ＧＨ液晶層７
は、液晶分子４中に二色性色素分子３が数パーセント混
入されている。この二色性色素分子３自体は、電界によ
り方向は変化しないが、液晶分子４とほぼ同等の大きさ
を有しているため、大多数の液晶分子４の挙動につれて
同等の挙動を示す。また、二色性色素分子３はその分子
の方向により光を透過又は非透過とする。つまり、電圧
無印加状態（図７（ａ））では、二色性色素分子３は横
向きになっており、カイラル剤が添加されていれば分子
は螺旋を描いている。この螺旋が９０度以上回転してい
れば、パネルの周囲から入射してくるあらゆる偏光方向
の光１９を吸収することができ、黒表示となる。一方、
電圧印加状態（図７（ｂ））では、液晶分子の配向に伴
って二色性色素分子３も縦向きになっており、入射した
光は透過し、上層の反射板層６で反射され、パネル表示
面から出射光２０として出射されることにより表示上は
白表示となる。
【０００７】ここで、反射板層６としては、反射率の高
い金属であるアルミや銀を基板１にスパッタあるいは蒸
着させたものが多用されている。
い金属であるアルミや銀を基板１にスパッタあるいは蒸
着させたものが多用されている。
【０００８】実際に液晶表示装置で画像を表示する場合
に用いられるアクティブマトリクス型液晶表示装置の回
路について図８を参照して説明する。図８（ａ）におい
て、画像信号は信号線Ｘ１、Ｘ２・・・Ｘｎに加えられ
る。この信号線と走査線Ｙ１、Ｙ２・・・Ｙｎとの各交
差点には薄膜トランジスタであるＴＦＴ１２が接続され
ている。ＴＦＴ１２は、画素電極に接続され、画素電極
と対向電極が液晶を間に挟んで画素電極容量１３を構成
している。図８（ｂ）に示すように、走査線Ｙ１、Ｙ２
・・・Ｙｎに、駆動パルスＺ１、Ｚ２・・・Ｚｎが順次
印加される。走査線Ｙ１を例に説明すると、駆動パルス
Ｚ１が２０Ｖである期間、走査線Ｙ１に接続されたＴＦ
Ｔ１２が導通状態となり、信号線に印加されている画像
信号の電位が画素電極と液晶を間に挟んで対向電極１４
で構成される画素電極容量１３に書き込まれる。駆動パ
ルスＺ１が２０Ｖである期間は、画面書き換え時間であ
る１／６０秒を走査ライン数ｎで割った時間である１／
６０ｎ秒になる。次に、駆動パルスＺ１が０Ｖである期
間、走査線Ｙ１に接続されたＴＦＴ１２が絶縁状態とな
り、画素電極容量１３に書き込まれた画像信号の電位
は、次の画面で再び駆動パルスＺ１が２０Ｖになるまで
保持される。このようにして画像の表示が行われる。ア
クティブマトリクス液晶表示装置に用いられるＴＦＴ構
造としては、順スタガード型ＴＦＴがある。この順スタ
ガード型ＴＦＴは、２回のパターニングで製造できるた
め、その製造の容易性のために多用されている。
に用いられるアクティブマトリクス型液晶表示装置の回
路について図８を参照して説明する。図８（ａ）におい
て、画像信号は信号線Ｘ１、Ｘ２・・・Ｘｎに加えられ
る。この信号線と走査線Ｙ１、Ｙ２・・・Ｙｎとの各交
差点には薄膜トランジスタであるＴＦＴ１２が接続され
ている。ＴＦＴ１２は、画素電極に接続され、画素電極
と対向電極が液晶を間に挟んで画素電極容量１３を構成
している。図８（ｂ）に示すように、走査線Ｙ１、Ｙ２
・・・Ｙｎに、駆動パルスＺ１、Ｚ２・・・Ｚｎが順次
印加される。走査線Ｙ１を例に説明すると、駆動パルス
Ｚ１が２０Ｖである期間、走査線Ｙ１に接続されたＴＦ
Ｔ１２が導通状態となり、信号線に印加されている画像
信号の電位が画素電極と液晶を間に挟んで対向電極１４
で構成される画素電極容量１３に書き込まれる。駆動パ
ルスＺ１が２０Ｖである期間は、画面書き換え時間であ
る１／６０秒を走査ライン数ｎで割った時間である１／
６０ｎ秒になる。次に、駆動パルスＺ１が０Ｖである期
間、走査線Ｙ１に接続されたＴＦＴ１２が絶縁状態とな
り、画素電極容量１３に書き込まれた画像信号の電位
は、次の画面で再び駆動パルスＺ１が２０Ｖになるまで
保持される。このようにして画像の表示が行われる。ア
クティブマトリクス液晶表示装置に用いられるＴＦＴ構
造としては、順スタガード型ＴＦＴがある。この順スタ
ガード型ＴＦＴは、２回のパターニングで製造できるた
め、その製造の容易性のために多用されている。
【０００９】このＴＦＴを用いたアクティブマトリクス
型反射型液晶表示装置の製法を以下に示す。まず、ＴＦ
Ｔ基板の製造方法を図９を参照して説明する。
型反射型液晶表示装置の製法を以下に示す。まず、ＴＦ
Ｔ基板の製造方法を図９を参照して説明する。
【００１０】ガラス基板１上（図９（ａ））に，ＩＴＯ
層２をスパッタ装置にて成膜し（図９（ｂ））、レジス
トを塗布して、適当な露光機を用いて信号線と画素電極
のパターンのマスクを通して露光した後、現像を行い、
信号線Ｘと画素電極８のパターンのレジストを残す。次
に形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチン
グを行い、信号線Ｘと画素電極８をパターン化した後、
レジスト剥離を行う（図９（ｃ））。そして、プラズマ
ＣＶＤ装置によるプラズマ処理によりパターン部のみオ
ーミックコンタクト層を形成し、次に、アモルファスシ
リコン層９、窒化シリコン層１０をプラズマＣＶＤ装置
で、クロム層１１をスパッタ装置で順に成膜する（図９
（ｄ））。次にレジストを塗布し、露光機で走査線のパ
ターンのマスクで露光し、現像を行い、走査線のパター
ンのレジストを残し、該パターンをマスクとしてクロム
層１１、窒化シリコン層１０、アモルファスシリコン層
９をエッチングし、レジストを剥離する（図９
（ｅ））。最後にポリイミドを印刷機で塗布した後、ラ
ビング処理を行うことでＴＦＴ基板を製造する（図９
（ｆ））。
層２をスパッタ装置にて成膜し（図９（ｂ））、レジス
トを塗布して、適当な露光機を用いて信号線と画素電極
のパターンのマスクを通して露光した後、現像を行い、
信号線Ｘと画素電極８のパターンのレジストを残す。次
に形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチン
グを行い、信号線Ｘと画素電極８をパターン化した後、
レジスト剥離を行う（図９（ｃ））。そして、プラズマ
ＣＶＤ装置によるプラズマ処理によりパターン部のみオ
ーミックコンタクト層を形成し、次に、アモルファスシ
リコン層９、窒化シリコン層１０をプラズマＣＶＤ装置
で、クロム層１１をスパッタ装置で順に成膜する（図９
（ｄ））。次にレジストを塗布し、露光機で走査線のパ
ターンのマスクで露光し、現像を行い、走査線のパター
ンのレジストを残し、該パターンをマスクとしてクロム
層１１、窒化シリコン層１０、アモルファスシリコン層
９をエッチングし、レジストを剥離する（図９
（ｅ））。最後にポリイミドを印刷機で塗布した後、ラ
ビング処理を行うことでＴＦＴ基板を製造する（図９
（ｆ））。
【００１１】次に対向電極基板の製造方法を図１０に示
す。ガラス基板１上（図１０（ａ））に、反射板層６と
して反射率の高いアルミ又は銀をスパッタ装置で成膜す
る（図１０（ｂ））。次に、ポリイミドを印刷機で塗布
した後、ラビング処理を行うことで対向電極基板を製造
する（図１０（ｃ））。
す。ガラス基板１上（図１０（ａ））に、反射板層６と
して反射率の高いアルミ又は銀をスパッタ装置で成膜す
る（図１０（ｂ））。次に、ポリイミドを印刷機で塗布
した後、ラビング処理を行うことで対向電極基板を製造
する（図１０（ｃ））。
【００１２】このようにして製造されたＴＦＴ基板と対
向電極基板をある一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めには、まず、 ＴＦＴ基板の成膜面にシール材をシー
ル印刷機にて印刷する。ここで、シール材は２つの基板
を貼り合わせる接着剤の役目を果たすものである。ま
た、２つの基板を一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めに、シール材中に粒子状のギャップ材を混ぜておく。
そして、シール材を介してＴＦＴ基板と対向電極基板の
成膜面が向き合うように貼り合わせる。
向電極基板をある一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めには、まず、 ＴＦＴ基板の成膜面にシール材をシー
ル印刷機にて印刷する。ここで、シール材は２つの基板
を貼り合わせる接着剤の役目を果たすものである。ま
た、２つの基板を一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めに、シール材中に粒子状のギャップ材を混ぜておく。
そして、シール材を介してＴＦＴ基板と対向電極基板の
成膜面が向き合うように貼り合わせる。
【００１３】このように貼り合わせた２枚の基板の間に
ＧＨ液晶を液晶注入機で注入し、アクティブマトリクス
型反射型液晶表示装置を構成する。この平面図を図１１
に示す。同図に示すように、基板上に信号線Ｘ１、Ｘ２
・・・Ｘｎ、走査線Ｙ１、Ｙ２・・・Ｙｎが縦横に配線
されている。そしてＴＦＴは信号線と走査線の各交差点
付近に形成される。図１２に図１１におけるＡ−Ｂ線で
の模式的断面図を示す。また図１３に図１１におけるＣ
−Ｄ線での模式的断面図を示す。
ＧＨ液晶を液晶注入機で注入し、アクティブマトリクス
型反射型液晶表示装置を構成する。この平面図を図１１
に示す。同図に示すように、基板上に信号線Ｘ１、Ｘ２
・・・Ｘｎ、走査線Ｙ１、Ｙ２・・・Ｙｎが縦横に配線
されている。そしてＴＦＴは信号線と走査線の各交差点
付近に形成される。図１２に図１１におけるＡ−Ｂ線で
の模式的断面図を示す。また図１３に図１１におけるＣ
−Ｄ線での模式的断面図を示す。
【００１４】このアクティブマトリクス型反射型液晶表
示装置は、信号線及び走査線に常に任意の電圧が印加さ
れているため、信号線及び走査線上の液晶は光透過の状
態となっている。しかしながら、図１２に示すように、
走査線であるクロム層１１は非透過であるため、この部
分に入射した光１９は透過しない。ところが、図１３に
示すように、信号線及び画素電極を構成するＩＴＯ層２
は透明であるため光を透過し、電圧印加状態の画素電極
Ｂの部分のみならず、信号線Ｘ１、Ｘ２の部分でも光を
透過し、対向電極基板で反射され、外部に出射すること
になる（矢印２０）。
示装置は、信号線及び走査線に常に任意の電圧が印加さ
れているため、信号線及び走査線上の液晶は光透過の状
態となっている。しかしながら、図１２に示すように、
走査線であるクロム層１１は非透過であるため、この部
分に入射した光１９は透過しない。ところが、図１３に
示すように、信号線及び画素電極を構成するＩＴＯ層２
は透明であるため光を透過し、電圧印加状態の画素電極
Ｂの部分のみならず、信号線Ｘ１、Ｘ２の部分でも光を
透過し、対向電極基板で反射され、外部に出射すること
になる（矢印２０）。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従来のパネル構造で
は、信号線である透明電極には、前記したように、常に
任意の電圧が印加されているため、信号線上の液晶は、
その電界により配向され一部透過の状態となっており、
ここへ入射した光は反射板層で反射され外部に出射され
る。つまり、この信号線上での光洩れによるコントラス
トの低下が問題となっていた。また、図１４に示すよう
に、例えば、信号線Ｘ２と走査線Ｙ２との交差点付近に
形成されているＴＦＴをオン状態にし、画面の一部に白
点を表示させた場合、信号線部分も透過状態となってい
るため、その部分に白の縦スジが表示されることにな
り、表示上見づらくなる現象（いわゆる、クロストー
ク）が発生していた。
は、信号線である透明電極には、前記したように、常に
任意の電圧が印加されているため、信号線上の液晶は、
その電界により配向され一部透過の状態となっており、
ここへ入射した光は反射板層で反射され外部に出射され
る。つまり、この信号線上での光洩れによるコントラス
トの低下が問題となっていた。また、図１４に示すよう
に、例えば、信号線Ｘ２と走査線Ｙ２との交差点付近に
形成されているＴＦＴをオン状態にし、画面の一部に白
点を表示させた場合、信号線部分も透過状態となってい
るため、その部分に白の縦スジが表示されることにな
り、表示上見づらくなる現象（いわゆる、クロストー
ク）が発生していた。
【００１６】従って本発明は、透明電極で形成される信
号線部分での光洩れを防止することを目的とするもので
ある。
号線部分での光洩れを防止することを目的とするもので
ある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、透明導電膜で形成された信号線と金属で形成さ
れた走査線の交点にアクティブマトリクス素子を有する
アクティブマトリクス基板と、反射板層を有する対向電
極基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向電極基
板を成膜面が向き合うように貼り合わせて間に封止され
た液晶とを含んで構成される反射型液晶表示装置におい
て、前記アクティブマトリクス基板の前記透明導電膜で
形成された信号線に対応する部分には前記対向電極基板
上に前記反射板層を形成しないことを特徴とするもので
ある。
装置は、透明導電膜で形成された信号線と金属で形成さ
れた走査線の交点にアクティブマトリクス素子を有する
アクティブマトリクス基板と、反射板層を有する対向電
極基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向電極基
板を成膜面が向き合うように貼り合わせて間に封止され
た液晶とを含んで構成される反射型液晶表示装置におい
て、前記アクティブマトリクス基板の前記透明導電膜で
形成された信号線に対応する部分には前記対向電極基板
上に前記反射板層を形成しないことを特徴とするもので
ある。
【００１８】
【発明の実施の形態】上記のように構成された液晶表示
装置は、透明導電膜で形成される信号線上に反射膜層を
兼ねる対向電極が存在しないことから、該信号線上に存
在する液晶に電界が印加されにくくなると共に、信号線
部分から入射した光が反射されることもないのでその部
分で透過の状態とはならない。よって、信号線の印加電
圧によらず、信号線上は常に非透過状態となり、従来の
パネル構造に見られた、信号線上の液晶が光透過状態に
なることにより引き起こされていたコントラストの低
下、あるいは画面に文字等を表示した場合に、本来黒表
示である部分に縦スジが発生し、表示上見づらくなる現
象（クロストーク）を防止することができる。
装置は、透明導電膜で形成される信号線上に反射膜層を
兼ねる対向電極が存在しないことから、該信号線上に存
在する液晶に電界が印加されにくくなると共に、信号線
部分から入射した光が反射されることもないのでその部
分で透過の状態とはならない。よって、信号線の印加電
圧によらず、信号線上は常に非透過状態となり、従来の
パネル構造に見られた、信号線上の液晶が光透過状態に
なることにより引き起こされていたコントラストの低
下、あるいは画面に文字等を表示した場合に、本来黒表
示である部分に縦スジが発生し、表示上見づらくなる現
象（クロストーク）を防止することができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。
【００２０】実施例１ 本発明の実施例１を概略平面図である図１及び図１のＥ
−Ｆ線における断面図を示す図２を用いて説明する。
−Ｆ線における断面図を示す図２を用いて説明する。
【００２１】図１において、ＴＦＴ基板上には、信号線
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、走査線Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３が縦横に配
線されている。そしてＴＦＴ１２は、信号線と走査線の
各交差点付近に配置されている。対向電極基板上の反射
板層６（ハッチング部）は、信号線上の部分のみ除去さ
れてスリット部１７を形成している。
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、走査線Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３が縦横に配
線されている。そしてＴＦＴ１２は、信号線と走査線の
各交差点付近に配置されている。対向電極基板上の反射
板層６（ハッチング部）は、信号線上の部分のみ除去さ
れてスリット部１７を形成している。
【００２２】次に図２を用いてこの液晶表示装置の動作
を説明する。図２において、信号線Ｘ１、Ｘ２、画素電
極Ａ及びＢはガラス基板１上に透明導電膜２を用いてパ
ターン化されており、更にこれらの上には保護層である
ポリイミド層５が形成されてＴＦＴ基板を構成してい
る。このＴＦＴ基板とガラス基板１上に反射板層６が形
成された対向電極基板との間にＧＨ液晶層７が挿入され
て液晶パネルが構成されている。対向電極基板側の反射
板層６は、ＴＦＴ基板の信号線に対向する部分のみ除去
されてスリット部１７を形成している。
を説明する。図２において、信号線Ｘ１、Ｘ２、画素電
極Ａ及びＢはガラス基板１上に透明導電膜２を用いてパ
ターン化されており、更にこれらの上には保護層である
ポリイミド層５が形成されてＴＦＴ基板を構成してい
る。このＴＦＴ基板とガラス基板１上に反射板層６が形
成された対向電極基板との間にＧＨ液晶層７が挿入され
て液晶パネルが構成されている。対向電極基板側の反射
板層６は、ＴＦＴ基板の信号線に対向する部分のみ除去
されてスリット部１７を形成している。
【００２３】ここで画素電極Ａ上のＧＨ液晶層７は、反
射板層６と画素電極Ａに電位差がない状態を示してお
り、この状態では、入射した光１９はＧＨ液晶層で吸収
されて表示上は黒表示となる。一方、画素電極Ｂ上のＧ
Ｈ液晶層７は、反射板層６と画素電極Ｂに電位差がある
状態を示しており、この状態では、入射した光１９はＧ
Ｈ液晶層７を透過して反射板層６によって反射され、出
射光２０として出射されることにより表示上は白表示と
なる。
射板層６と画素電極Ａに電位差がない状態を示してお
り、この状態では、入射した光１９はＧＨ液晶層で吸収
されて表示上は黒表示となる。一方、画素電極Ｂ上のＧ
Ｈ液晶層７は、反射板層６と画素電極Ｂに電位差がある
状態を示しており、この状態では、入射した光１９はＧ
Ｈ液晶層７を透過して反射板層６によって反射され、出
射光２０として出射されることにより表示上は白表示と
なる。
【００２４】信号線Ｘ１、Ｘ２上には、反射板層６が存
在しないため、信号線Ｘ１、Ｘ２上のＧＨ液晶層７は信
号線Ｘ１、Ｘ２と反射板層６に電位差がない状態とな
り、この状態では入射した光１９はＧＨ液晶層で吸収さ
れて表示上は黒表示となる。ここで、信号線の電位が変
化しても信号線上には対向電極を兼ねる反射板層６が存
在しないため電位差がない状態になり、常に黒表示とな
っている。
在しないため、信号線Ｘ１、Ｘ２上のＧＨ液晶層７は信
号線Ｘ１、Ｘ２と反射板層６に電位差がない状態とな
り、この状態では入射した光１９はＧＨ液晶層で吸収さ
れて表示上は黒表示となる。ここで、信号線の電位が変
化しても信号線上には対向電極を兼ねる反射板層６が存
在しないため電位差がない状態になり、常に黒表示とな
っている。
【００２５】このように、従来のパネル構造に見られ
た、信号線上の液晶が光透過状態になることにより引き
起こされるコントラストの低下、あるいは図１４に示し
たような、クロストークの発生を防止することができ
る。また、白黒のコントラストに関しては、従来例の
１：３から１：５に改善された。
た、信号線上の液晶が光透過状態になることにより引き
起こされるコントラストの低下、あるいは図１４に示し
たような、クロストークの発生を防止することができ
る。また、白黒のコントラストに関しては、従来例の
１：３から１：５に改善された。
【００２６】次に製造法について説明する。
【００２７】ＴＦＴ基板の製造方法は従来と同様で、前
記したように図９に示す各工程を経て製造される。
記したように図９に示す各工程を経て製造される。
【００２８】対向電極基板の製造法は、図３に示すよう
に、まずガラス基板１（図３（ａ））上に、反射率の高
いアルミ又は銀をスパッタ装置で成膜する（図３
（ｂ））。レジストを塗布し、露光機でＴＦＴ基板上に
パターン化した信号線部分をスリット状に抜いたパター
ンのマスクで露光した後、現像を行い、同パターンのレ
ジストを残す。次に、同レジストパターンをマスクとし
てエッチングを行い、同パターン以外の部分の反射面を
除去した後、レジスト剥離を行う（図３（ｃ））。最後
に、ポリイミドを印刷機で塗布した後、ラビング処理を
行うことで対向電極基板を製造する（図３（ｄ））。
に、まずガラス基板１（図３（ａ））上に、反射率の高
いアルミ又は銀をスパッタ装置で成膜する（図３
（ｂ））。レジストを塗布し、露光機でＴＦＴ基板上に
パターン化した信号線部分をスリット状に抜いたパター
ンのマスクで露光した後、現像を行い、同パターンのレ
ジストを残す。次に、同レジストパターンをマスクとし
てエッチングを行い、同パターン以外の部分の反射面を
除去した後、レジスト剥離を行う（図３（ｃ））。最後
に、ポリイミドを印刷機で塗布した後、ラビング処理を
行うことで対向電極基板を製造する（図３（ｄ））。
【００２９】このようにして製造されたＴＦＴ基板と対
向電極基板をある一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めには、まず、 ＴＦＴ基板の成膜面にシール材をシー
ル印刷機にて印刷する。また、２つの基板を一定の間隔
を持たせて貼り合わせるために、シール材中に粒子状の
ギャップ材を混ぜておく。そして、シール材を介してＴ
ＦＴ基板と対向電極基板の成膜面が向き合うように貼り
合わせる。この際、ＴＦＴ基板上の信号線のパターンと
対向電極基板上のスリット部分がパネルの外側から見た
ときに直線上に重なるように対向させる。このように貼
り合わせた２枚の基板の間にＧＨ液晶を液晶注入機で注
入することで、図１及び図２に示すアクティブマトリク
ス型反射型液晶表示装置が構成される。
向電極基板をある一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めには、まず、 ＴＦＴ基板の成膜面にシール材をシー
ル印刷機にて印刷する。また、２つの基板を一定の間隔
を持たせて貼り合わせるために、シール材中に粒子状の
ギャップ材を混ぜておく。そして、シール材を介してＴ
ＦＴ基板と対向電極基板の成膜面が向き合うように貼り
合わせる。この際、ＴＦＴ基板上の信号線のパターンと
対向電極基板上のスリット部分がパネルの外側から見た
ときに直線上に重なるように対向させる。このように貼
り合わせた２枚の基板の間にＧＨ液晶を液晶注入機で注
入することで、図１及び図２に示すアクティブマトリク
ス型反射型液晶表示装置が構成される。
【００３０】実施例２ 実施例１においては、図６に示すように、画素電極Ｂと
反射板層６との間に電位差が生じているため、画素電極
Ｂと反射板層６の端部の間に生じる横電界と信号線Ｘ２
と反射板層６の端部との間に生じる横電界によりＧＨ液
晶層に配向の不連続部分であるディスクリネーションラ
イン１６が発生し、ここから光が洩れ、表示不良を引き
起こす場合がある。
反射板層６との間に電位差が生じているため、画素電極
Ｂと反射板層６の端部の間に生じる横電界と信号線Ｘ２
と反射板層６の端部との間に生じる横電界によりＧＨ液
晶層に配向の不連続部分であるディスクリネーションラ
イン１６が発生し、ここから光が洩れ、表示不良を引き
起こす場合がある。
【００３１】実施例２では、図４の断面図に示すよう
に、反射板層６が透明導電層であるＩＴＯ層２で一面に
覆われているため、横電界の発生が抑えられる。ここ
で、動作を説明すると、画素電極Ａ上のＧＨ液晶層７
は、反射板層６と画素電極Ａに電位差がない状態を表し
ており、この状態では、入射した光１９は、ＧＨ液晶層
７に吸収されて、表示上は黒表示となる。画素電極Ｂ上
のＧＨ液晶層７は、反射板層と画素電極Ｂとの間に電位
差がある状態を表している。この状態では、光はＧＨ液
晶層７を透過して反射板層６によって反射され、出射光
２０として出射されるため表示上は白表示となる。信号
線Ｘ１、Ｘ２上のＧＨ液晶層７は、信号線Ｘ１、Ｘ２と
反射板層６上に形成されたＩＴＯ層２との間に電位差が
ある状態となり、この状態では、入射光１９はＧＨ液晶
層７を透過するが、信号線Ｘ１、Ｘ２に対向する反射電
極基板上には反射板層６が存在しないため、そのまま突
き抜けて、表示上は黒表示となる。
に、反射板層６が透明導電層であるＩＴＯ層２で一面に
覆われているため、横電界の発生が抑えられる。ここ
で、動作を説明すると、画素電極Ａ上のＧＨ液晶層７
は、反射板層６と画素電極Ａに電位差がない状態を表し
ており、この状態では、入射した光１９は、ＧＨ液晶層
７に吸収されて、表示上は黒表示となる。画素電極Ｂ上
のＧＨ液晶層７は、反射板層と画素電極Ｂとの間に電位
差がある状態を表している。この状態では、光はＧＨ液
晶層７を透過して反射板層６によって反射され、出射光
２０として出射されるため表示上は白表示となる。信号
線Ｘ１、Ｘ２上のＧＨ液晶層７は、信号線Ｘ１、Ｘ２と
反射板層６上に形成されたＩＴＯ層２との間に電位差が
ある状態となり、この状態では、入射光１９はＧＨ液晶
層７を透過するが、信号線Ｘ１、Ｘ２に対向する反射電
極基板上には反射板層６が存在しないため、そのまま突
き抜けて、表示上は黒表示となる。
【００３２】この例では、信号線Ｘ２と反射板層６の端
部との間には横電界が生じないため、前記図６で説明し
た画素電極Ｂと反射板層６の端部の間に生じる横電界の
影響によるＧＨ液晶層に配向の不連続部分であるディス
クリネーションライン１６が発生しなくなり、ここから
光が洩れ、表示不良を引き起こすという問題を解決でき
る。
部との間には横電界が生じないため、前記図６で説明し
た画素電極Ｂと反射板層６の端部の間に生じる横電界の
影響によるＧＨ液晶層に配向の不連続部分であるディス
クリネーションライン１６が発生しなくなり、ここから
光が洩れ、表示不良を引き起こすという問題を解決でき
る。
【００３３】次にこの液晶表示装置の製造法を説明す
る。実施例１との違いは、実施例１の対向電極基板の反
射板層上にＩＴＯ層を追加形成することである。
る。実施例１との違いは、実施例１の対向電極基板の反
射板層上にＩＴＯ層を追加形成することである。
【００３４】ＴＦＴ基板の製造法は実施例１と同様であ
る。
る。
【００３５】対向電極基板の製造法は、図５に示すよう
に、まずガラス基板１（図５（ａ））上に、反射率の高
いアルミ又は銀をスパッタ装置で成膜する（図５
（ｂ））。レジストを塗布し、露光機でＴＦＴ基板上に
パターン化した信号線部分をスリット状に抜いたパター
ンのマスクで露光した後、現像を行い、同パターンのレ
ジストを残す。次に、同レジストパターンをマスクとし
てエッチングを行い、同パターン以外の部分の反射面を
除去した後、レジスト剥離を行う（図５（ｃ））。次に
ＩＴＯ層２を反射板層６を覆うように全面に成膜（図５
（ｄ））し、最後に、ポリイミドを印刷機で塗布した
後、ラビング処理を行うことで対向電極基板を製造する
（図３（ｅ））。
に、まずガラス基板１（図５（ａ））上に、反射率の高
いアルミ又は銀をスパッタ装置で成膜する（図５
（ｂ））。レジストを塗布し、露光機でＴＦＴ基板上に
パターン化した信号線部分をスリット状に抜いたパター
ンのマスクで露光した後、現像を行い、同パターンのレ
ジストを残す。次に、同レジストパターンをマスクとし
てエッチングを行い、同パターン以外の部分の反射面を
除去した後、レジスト剥離を行う（図５（ｃ））。次に
ＩＴＯ層２を反射板層６を覆うように全面に成膜（図５
（ｄ））し、最後に、ポリイミドを印刷機で塗布した
後、ラビング処理を行うことで対向電極基板を製造する
（図３（ｅ））。
【００３６】このようにして製造されたＴＦＴ基板と対
向電極基板をある一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めには、まず、 ＴＦＴ基板の成膜面にシール材をシー
ル印刷機にて印刷する。また、２つの基板を一定の間隔
を持たせて貼り合わせるために、シール材中に粒子状の
ギャップ材を混ぜておく。そして、シール材を介してＴ
ＦＴ基板と対向電極基板の成膜面が向き合うように貼り
合わせる。この際、ＴＦＴ基板上の信号線のパターンと
対向電極基板上のスリット部分がパネルの外側から見た
ときに直線上に重なるように対向させる。このように貼
り合わせた２枚の基板の間にＧＨ液晶を液晶注入機で注
入することで、図４に示すアクティブマトリクス型反射
型液晶表示装置が構成される。
向電極基板をある一定の間隔を持たせて貼り合わせるた
めには、まず、 ＴＦＴ基板の成膜面にシール材をシー
ル印刷機にて印刷する。また、２つの基板を一定の間隔
を持たせて貼り合わせるために、シール材中に粒子状の
ギャップ材を混ぜておく。そして、シール材を介してＴ
ＦＴ基板と対向電極基板の成膜面が向き合うように貼り
合わせる。この際、ＴＦＴ基板上の信号線のパターンと
対向電極基板上のスリット部分がパネルの外側から見た
ときに直線上に重なるように対向させる。このように貼
り合わせた２枚の基板の間にＧＨ液晶を液晶注入機で注
入することで、図４に示すアクティブマトリクス型反射
型液晶表示装置が構成される。
【００３７】
【発明の効果】本発明の構成によれば、信号線上の光洩
れを防止できるため、表示上のコントラストの低下のな
い高コントラストの液晶表示装置を提供することができ
る。
れを防止できるため、表示上のコントラストの低下のな
い高コントラストの液晶表示装置を提供することができ
る。
【図１】本発明のＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例になる図１のＥ−Ｆ線で
の断面図である。
の断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例によ
る対向電極基板の製造法を示す断面図である。
る対向電極基板の製造法を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例になる図１のＥ−Ｆ線で
の断面図である。
の断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実施例によ
る対向電極基板の製造法を示す断面図である。
る対向電極基板の製造法を示す断面図である。
【図６】ディスクリネーションの発生を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図７】従来の相転移ＧＨ方式の液晶ディスプレイの動
作原理を説明する断面図であり、（ａ）は電圧無印加状
態、（ｂ）は電圧印加状態を示す。
作原理を説明する断面図であり、（ａ）は電圧無印加状
態、（ｂ）は電圧印加状態を示す。
【図８】従来のアクティブマトリクス液晶表示パネルの
回路図（ａ）と、走査線に順次印加される駆動パルス
（ｂ）である。
回路図（ａ）と、走査線に順次印加される駆動パルス
（ｂ）である。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、ＴＦＴ基板の製造工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は従来の対向電極基板の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１１】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の平面図である。
の平面図である。
【図１２】図１１のＡ−Ｂ線での断面図である。
【図１３】図１１のＣ−Ｄ線での断面図である。
【図１４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
におけるクロストークの発生を示す平面図である。
におけるクロストークの発生を示す平面図である。
１ ガラス基板 ２ 透明導電層（ＩＴＯ層） ３ 二色性色素 ４ 液晶分子 ５ 保護層（ポリイミド層） ６ 反射板層 ７ ＧＨ液晶層 ８ 画素電極 Ａ 電圧無印加の画素電極 Ｂ 電圧印加の画素電極 ９ アモルファスシリコン層 １０ 窒化シリコン層 １１ クロム層 １２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １３ 画素電極容量 １４ 対向電極 １５ クロストーク部 １６ ディスクリネーションライン １７ スリット部 １９ 入射した光 ２０ 射出光 Ｘ１〜Ｘｎ 信号線 Ｙ１〜Ｙｎ 走査線 Ｚ１〜Ｚｎ 駆動パルス
Claims (2)
- 【請求項１】 透明導電膜で形成された信号線と金属で
形成された走査線の交点にアクティブマトリクス素子を
有するアクティブマトリクス基板と、反射板層を有する
対向電極基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向
電極基板を成膜面が向き合うように貼り合わせて間に封
止された液晶とを含んで構成される反射型液晶表示装置
において、前記アクティブマトリクス基板の前記透明導
電膜で形成された信号線に対応する部分には前記対向電
極基板上に前記反射板層を形成しないことを特徴とする
反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記対向電極基板上に前記反射板層を覆
うように全面に透明導電膜が形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8223858A JP2870500B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 反射型液晶表示装置 |
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| US08/912,789 US6031592A (en) | 1996-08-26 | 1997-08-18 | Reflection LCD with counter-reflector having openings at intersection areas of bus lines |
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