JPH1068955A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH1068955A
JPH1068955A JP22826396A JP22826396A JPH1068955A JP H1068955 A JPH1068955 A JP H1068955A JP 22826396 A JP22826396 A JP 22826396A JP 22826396 A JP22826396 A JP 22826396A JP H1068955 A JPH1068955 A JP H1068955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
substrate
counter
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22826396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Hasegawa
励 長谷川
Yasushi Mori
寧 森
Norihiko Kamiura
紀彦 上浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP22826396A priority Critical patent/JPH1068955A/en
Publication of JPH1068955A publication Critical patent/JPH1068955A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to inexpensively obtain an element which is capable of maintaining a uniform cell gap in spite of action of external force thereon, has a high opening rate and contrast and has a good display grade by arranging columnar spaces functioning as auxiliary capacitors for holding the voltage impressed on pixel electrodes on switching elements. SOLUTION: A counter substrate 12 has a transparent glass substrate 21. Color filters 22 and transparent counter electrodes 23 consisting of ITO are successively laminated and formed over the entire part of the inside surface of the glass substrate 21. Further, transparent oriented films 20 consisting of polyimide, etc., are formed on the counter electrodes 23. The columnar spacers 40 are disposed in the regions between source electrodes 27 of respective TFs 17 and the counter electrodes 23 between the array substrate 10 and the counter substrate 12. There columnar spacers 40 maintain the cell gap between the array substrate 10 and the counter substrate 12 at a prescribed value and function also as the auxiliary capacitors.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子に関
する。
[0001] The present invention relates to a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶表示素子は、それぞれ電極
が形成されているとともに互いに対向した1組の基板を
有し、これらの基板間には、液晶層が封入されている。
1組の基板は、所定の隙間(セルギャップ)を置いて対
向しており、このセルギャップは、液晶表示素子の表示
特性に重大な影響を及ぼす。すなわち、液晶表示素子の
全面にわたってセルギャップが均一でない場合、色む
ら、表示むら、干渉縞の発生など表示品位劣化の原因と
なる。近年、液晶表示素子の高精細化、大容量表示化に
ともない、従来より大きな面積に亘ってセルギャッブを
高精度に均一に保つことが必要となっている。
2. Description of the Related Art In general, a liquid crystal display element has a pair of substrates each having electrodes formed thereon and facing each other, and a liquid crystal layer is sealed between these substrates.
One set of substrates faces each other with a predetermined gap (cell gap) therebetween, and this cell gap has a significant effect on the display characteristics of the liquid crystal display device. That is, when the cell gap is not uniform over the entire surface of the liquid crystal display element, display quality degradation such as color unevenness, display unevenness, and interference fringes is caused. 2. Description of the Related Art In recent years, as the definition and the capacity of a liquid crystal display element have been increased, it has become necessary to maintain the cell gap with high precision and uniformity over a larger area than before.

【0003】従来、セルギャップを均一に保つために、
一方の基板上にスペーサ粒子を散布し、この基板上に他
方の基板を対向配置している。しかし、スペーサの分布
密度のばらつきやスペーサの塊により、セルギャップが
不均一になるという問題がある。また、散布されたスペ
ーサが画素上に存在すると、スペーサが光シャッターと
しての機能を果たさないために、コントラストの低下を
引き起こすという問題がある。
Conventionally, in order to keep the cell gap uniform,
Spacer particles are scattered on one substrate, and the other substrate is arranged on this substrate so as to face the substrate. However, there is a problem that the cell gap becomes non-uniform due to variations in the distribution density of the spacers and the lump of the spacers. Further, if the scattered spacers are present on the pixels, there is a problem that the spacers do not function as an optical shutter, thereby causing a decrease in contrast.

【0004】更に、スペーサの散布密度の低い部分を指
等で押すことにより外力が作用すると、セルギャップが
著しく減少し種々の問題が生じる。例えば、液晶配向
(特にスメクティック層の液晶配向)が乱れたり、スペ
ーサが変形あるいは割れて周辺の配向膜を破壊したり、
対向する基板間で短絡して表示不良となったり、薄いガ
ラス基板(厚さ約0.7mm以下)を用いるときにはガ
ラス基板が破損したりすることがある。
Further, when an external force acts by pressing a portion of the spacer having a low scattering density with a finger or the like, the cell gap is significantly reduced, and various problems occur. For example, the liquid crystal alignment (especially the liquid crystal alignment of the smectic layer) is disturbed, the spacer is deformed or broken, and the surrounding alignment film is destroyed.
Display failure may occur due to a short circuit between the opposing substrates, or the glass substrate may be damaged when a thin glass substrate (about 0.7 mm or less in thickness) is used.

【0005】この様な問題を解決するものとして、特開
平1−134336号に示されているような液晶表示素
子が提供されている。この液晶表示素子は、表面に画素
電極、配線等をマトリックス状に形成したアレイ基板上
に配向膜を形成し、この配向膜上にフォトリソグラフィ
等によって柱状スペーサを形成し、次に他方の基板を対
向配置した構成を有している。上記のような柱状スペー
サは、フォトリングラフィにより形成されるため、非画
素部に均一な分布密度で所望の形状に形成することが可
能となる。
To solve such a problem, a liquid crystal display device as disclosed in JP-A-1-134336 has been provided. In this liquid crystal display device, an alignment film is formed on an array substrate having pixel electrodes, wirings, and the like formed in a matrix on the surface, a columnar spacer is formed on the alignment film by photolithography or the like, and then the other substrate is formed. It has a configuration of facing. Since the columnar spacer as described above is formed by photolinography, it is possible to form a non-pixel portion in a desired shape with a uniform distribution density.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】スペーサ粒子を散布す
る方法では、散布されたスペーサ粒子の90%以上が基
板上に落下し、セルギャップ保持のために利用される。
言い換えれば、基板間に挟まれるスペーサ粒子とほぼ同
量のスペーサ粒子を散布すればよい。
In the method of dispersing the spacer particles, 90% or more of the dispersed spacer particles fall on the substrate and are used for maintaining the cell gap.
In other words, the same amount of spacer particles as the spacer particles sandwiched between the substrates may be sprayed.

【0007】ところが、柱状スペーサをフォトリソグラ
フィにより形成する場合、基板全面に感光性樹脂を塗布
し、露光後現像を行う。そして、柱状スペーサが形成さ
れる部分以外の感光性樹脂は、現像液に溶かされ、廃棄
される。100ミクロン角の画素に5ミクロン角の柱状
スペーサを形成する場合、基板上に塗布された感光性樹
脂の約0.25%が柱状スペーサとなり利用されるが、
残りの99.75%は利用されず廃棄される。このよう
に、柱状スペーサは材料(感光性樹脂)の利用効率が極
めて低いため、製造コストが増加するという深刻な問題
がある。
However, when the columnar spacer is formed by photolithography, a photosensitive resin is applied to the entire surface of the substrate, and development is performed after exposure. Then, the photosensitive resin other than the portion where the columnar spacer is formed is dissolved in the developer and discarded. When a 5-micron square columnar spacer is formed in a 100-micron square pixel, about 0.25% of the photosensitive resin applied on the substrate is used as the columnar spacer.
The remaining 99.75% is unused and discarded. As described above, since the efficiency of using the material (photosensitive resin) of the columnar spacer is extremely low, there is a serious problem that the manufacturing cost increases.

【0008】一方、薄膜トランジスタ(以下、TFTと
称する)を用いた液晶表示素子においては、液晶分子を
保持駆動させるため、画素毎に補助容量(Cs:ストレ
ージキャパシターともいう)と呼ばれるコンデンサーが
形成されている。この補助容量は、画素電極と補助容量
線(Cs線)とこれらの間に挟まれた絶縁体で構成され
ている。
On the other hand, in a liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT), a capacitor called an auxiliary capacitor (Cs: storage capacitor) is formed for each pixel in order to hold and drive liquid crystal molecules. I have. This auxiliary capacitance is composed of a pixel electrode, an auxiliary capacitance line (Cs line), and an insulator sandwiched between them.

【0009】補助容量線は、信号線やゲート線と同様
に、液晶セルの外部まで引き出され、半導体スイッチン
グ素子の形成された第1の基板と対向する第2の基板上
の対向電極と同電位が与えられる。
The auxiliary capacitance line is drawn out of the liquid crystal cell, like the signal line and the gate line, and has the same potential as the counter electrode on the second substrate facing the first substrate on which the semiconductor switching elements are formed. Is given.

【0010】液晶表示素子の開口率を向上するために補
助容量線を細くすると、補助容量に蓄積される電荷量が
減少してしまう。そのため、補助容量線は細くすること
ができず、補助容量線による開口率の低下が問題となっ
ている。また、配線抵抗を下げるために、補助容量線と
してアルミニウムやクロム等の不透明なメタル配線を用
いた場合、液晶表示素子の開口率を下げる要因となる。
When the auxiliary capacitance line is made thinner in order to improve the aperture ratio of the liquid crystal display element, the amount of charge stored in the auxiliary capacitance decreases. For this reason, the auxiliary capacitance line cannot be made thin, and there is a problem that the aperture ratio is reduced by the auxiliary capacitance line. When an opaque metal wiring such as aluminum or chromium is used as the auxiliary capacitance line in order to lower the wiring resistance, the aperture ratio of the liquid crystal display element is reduced.

【0011】更に、補助容量線がゲート線や信号線と短
絡して表示欠陥を生じることもあり問題となっている。
特に、補助容量線と信号線とが交差する部分は画素数と
ほぼ同数あるため、これらの交差部分で短絡する確率が
高い。補助容量線と信号線との短絡はC−Sショートと
呼ばれ、TFTアレイの不良の主原因となっている。
Further, there is a problem that the storage capacitor line is short-circuited with the gate line or the signal line to cause display defects.
In particular, the number of intersections between the auxiliary capacitance lines and the signal lines is almost the same as the number of pixels, so that there is a high probability of short-circuiting at these intersections. A short circuit between the auxiliary capacitance line and the signal line is called a CS short circuit, and is a main cause of the failure of the TFT array.

【0012】一方、補助容量線上に画素電極を形成した
場合、画素電極表面には凹凸が形成され、この段差部分
で液晶の配向不良が生じるという問題がある。特に、液
晶材料として、スメクティック相である強誘電性液晶
(FLC)、反強誘電性液晶(AFLC)、ディストー
テッド・ヘリカル・フェロエレクトリック・液晶(DH
F)、ツイステッド・フェロエレクトリック液晶(TF
LC)などを用いた場合、深刻な問題となる。
On the other hand, when a pixel electrode is formed on the auxiliary capacitance line, there is a problem that unevenness is formed on the surface of the pixel electrode, and a liquid crystal alignment defect occurs at the step. In particular, as a liquid crystal material, a ferroelectric liquid crystal (FLC) which is a smectic phase, an antiferroelectric liquid crystal (AFLC), a distorted helical ferroelectric liquid crystal (DH)
F), twisted ferroelectric liquid crystal (TF)
When using (LC) or the like, a serious problem occurs.

【0013】この発明は以上の問題点に鑑みなされたも
ので、その目的は、セルギャップムラがなく、外部から
局所的な力が作用した場合でも表示不良を生じることが
なく、またC−Sショート及びゲート線一補助容量線間
のショートのない、高開口率で良好な表示品位を有する
液晶表示素子を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to eliminate cell gap unevenness, to prevent display failure even when a local force is applied from the outside, and to achieve C-S It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display element having a high aperture ratio and good display quality without a short circuit and a short circuit between a gate line and an auxiliary capacitance line.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に係るこの発明の液晶表示素子は、画素電
極、および上記画素電極を駆動するスイッチング素子を
有する第1の基板と、対向電極を有し上記第1の基板に
対向配置された第2の基板と、上記第1および第2の基
板間に封入された液晶層と、を備え、上記スイッチング
素子と対向電極とが対向する領域に、誘電体層を含み補
助容量を形成する柱状スペーサを設けたことを特徴とし
ている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a first substrate having a pixel electrode and a switching element for driving the pixel electrode; A second substrate having electrodes and disposed opposite to the first substrate; and a liquid crystal layer sealed between the first and second substrates, wherein the switching element and the counter electrode face each other. A columnar spacer including a dielectric layer and forming an auxiliary capacitor is provided in the region.

【0015】また、請求項4に係るこの発明の液晶表示
素子は、画素電極、およびソース電極を介して上記画素
電極に電気的に接続されたスイッチング素子を有する第
1の基板と、対向電極を有し上記第1の基板に対向配置
された第2の基板と、上記第1および第2の基板間に封
入された液晶層と、を備え、上記ソース電極と対向電極
とが対向する領域に、誘電体層を含み補助容量を形成す
る柱状スペーサを設けたことを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a first substrate having a pixel electrode and a switching element electrically connected to the pixel electrode via a source electrode; A second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal layer sealed between the first and second substrates. A liquid crystal layer is provided in a region where the source electrode and the counter electrode face each other. In addition, a columnar spacer including a dielectric layer and forming an auxiliary capacitance is provided.

【0016】上記のように構成された液晶表示素子によ
れば、画素電極の領域では、画素電極(導体)、液晶分
子(誘電体)、対向電極(導体)からなる液晶コンデン
サが形成されている。
According to the liquid crystal display element configured as described above, in the pixel electrode region, a liquid crystal capacitor including a pixel electrode (conductor), liquid crystal molecules (dielectric), and a counter electrode (conductor) is formed. .

【0017】また、柱状スペーサは、スイッチング素子
あるいはスイッチング素子のソース電極と対向電極との
間を延び、第1および第2の基板間のセルギャップを維
持するとともに、一端部がソース電極に接触し他端部が
対向電極に接触しているため、補助容量としても機能す
る。
The columnar spacer extends between the switching element or the source electrode of the switching element and the counter electrode, maintains a cell gap between the first and second substrates, and has one end contacting the source electrode. Since the other end is in contact with the counter electrode, it also functions as an auxiliary capacitance.

【0018】すなわち、柱状スペーサの設けられたスイ
ッチング素子の領域では、ソース電極(導体)、誘電体
層、対向電極(導体)からなる柱コンデンサが形成され
ている。そして、画素電極とソース電極とは電気的に接
続され同電位であるため、柱コンデンサは上述した液晶
コンデンサと並列に接続された状態となっている。従っ
て、柱コンデンサ、つまり、柱状スペーサは、補助容量
として作用する。
That is, in the region of the switching element provided with the columnar spacer, a column capacitor including a source electrode (conductor), a dielectric layer, and a counter electrode (conductor) is formed. Since the pixel electrode and the source electrode are electrically connected and have the same potential, the column capacitor is connected in parallel with the above-described liquid crystal capacitor. Therefore, the column capacitor, that is, the column spacer acts as an auxiliary capacitance.

【0019】そのため、液晶表示素子の保持駆動のため
に設けられていた補助容量線が不要となり、ゲート線−
補助容量線間の短絡不良を防止できるとともに、開口率
を著しく上げることが可能となる。また、従来のように
補助容量線を基板周縁部まで引き出す必要がなくなり、
その結果、液晶表示素子の狭額縁化が可能となる。
Therefore, the auxiliary capacitance line provided for holding and driving the liquid crystal display element becomes unnecessary, and the gate line
Short circuit failure between the auxiliary capacitance lines can be prevented, and the aperture ratio can be significantly increased. In addition, it is not necessary to draw the auxiliary capacitance line to the periphery of the substrate as in the related art,
As a result, the frame of the liquid crystal display element can be narrowed.

【0020】画素電極に重ねて設けられていた補助容量
線を省略できることから、画素電極の凹凸をなくし平坦
とすることができる。そのため、画素電極の凹凸に起因
する液晶配向不良がなくなり、液晶表示素子のコントラ
ストが向上する。
Since the auxiliary capacitance line provided on the pixel electrode can be omitted, the pixel electrode can be made flat without unevenness. Therefore, the liquid crystal alignment defect caused by the unevenness of the pixel electrode is eliminated, and the contrast of the liquid crystal display element is improved.

【0021】また、本発明における柱状スペーサの誘電
層は、感光性ポリイミド、ポリイミド、感光性アクリ
ル、アクリル、感光性エポキシ、エポキシ、感光性ベン
ゾシクロブチンポリマー、ベンゾシクロブチンポリマ
ー、ポリフッ化ビニリデン、エポキシアクリレートなど
の樹脂、あるいは二酸化珪素、窒化珪素などの無機物な
どの誘電体(絶縁体)から選ばれる少なくとも1つの材
料を用いることが望ましい。
In the present invention, the dielectric layer of the columnar spacer is made of photosensitive polyimide, polyimide, photosensitive acrylic, acrylic, photosensitive epoxy, epoxy, photosensitive benzocyclobutyne polymer, benzocyclobutyne polymer, polyvinylidene fluoride, epoxy It is desirable to use at least one material selected from dielectrics (insulators) such as resins such as acrylates or inorganic substances such as silicon dioxide and silicon nitride.

【0022】また、柱状スペーサの誘電層には、強誘電
体として、PZT、PZTL等のペロブスカイト型無機
誘電体、ロッシェル塩、チタン酸バリウム、メタニオブ
酸鉛、硫酸グリシン、硝酸カリ、亜硝酸ナトリウム、チ
タン酸ビスマス、タンタル酸リチウム、ヨウ素酸カリウ
ム、フッ化バリウムマグネシウムのいずれかを用いるこ
とができるとともに、有機強誘電体として、ポリビニリ
デンフロライド(PVDF)、ビニリデンフロライドと
トリフルオロエチレンとの共重合体、ビニリデンサナイ
ドとビニルアセテートとの共重合体のいずれかを使用す
ることができる。
In the dielectric layer of the columnar spacer, as a ferroelectric substance, a perovskite-type inorganic dielectric such as PZT or PZTL, a Rochelle salt, barium titanate, lead metaniobate, glycine sulfate, potassium nitrate, sodium nitrite, Any of bismuth titanate, lithium tantalate, potassium iodate, and barium magnesium fluoride can be used, and polyvinylidene fluoride (PVDF), a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene as an organic ferroelectric material. Any of a polymer and a copolymer of vinylidene sanide and vinyl acetate can be used.

【0023】本発明における柱状スペーサの導電層は、
クロム、チタン、アルミニウム、ニッケル、銅、金、
銀、タングステン、モリブデン、タンタル、インジウ
ム、スズ、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物、
鉄、コバルト、イットリウム、イットリウム酸化物、グ
ラファイト等、あるいはこれらの材料の混合物合金から
選ばれる少なくとも1つの材料で形成することが好まし
い。このような材料を用いることにより、柱状スペーサ
の構成物質が液晶中に溶け出すことがなく、信頼性が高
い液晶表示素子を提供することができる。
The conductive layer of the columnar spacer according to the present invention comprises:
Chrome, titanium, aluminum, nickel, copper, gold,
Silver, tungsten, molybdenum, tantalum, indium, tin, indium oxide, indium tin oxide,
It is preferably formed of at least one material selected from iron, cobalt, yttrium, yttrium oxide, graphite, and the like, or a mixed alloy of these materials. By using such a material, a constituent material of the columnar spacer does not dissolve into the liquid crystal, and a highly reliable liquid crystal display element can be provided.

【0024】また、請求項3叉は8に係るこの発明に係
る液晶表示素子によれば、柱状スペーサの少なくとも一
部はカラーフィルタ材料を積層して形成されている。こ
の場合、基板にカラーフィルタを形成する際、柱状スペ
ーサの少なくとも一部を併せて形成することができる。
そのため、柱状スペーサ形成のためのフォトリソグラフ
ィ工程が簡略化する。
According to the liquid crystal display device of the present invention, at least a part of the columnar spacer is formed by laminating a color filter material. In this case, when forming the color filter on the substrate, at least a part of the columnar spacer can be formed together.
Therefore, the photolithography process for forming the columnar spacer is simplified.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態について詳細に説明する。図1および
図2に示すように、この発明の第1の実施の形態に係る
アクティブマトリックス型の液晶表示素子は、第1の基
板としてのアレイ基板10と、アレイ基板に対向して配
置され第2の基板として機能する対向基板12と、これ
らの基板間に封入された液晶層14と、を備えている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, an active matrix type liquid crystal display element according to a first embodiment of the present invention includes an array substrate 10 as a first substrate, and an And a liquid crystal layer 14 sealed between these substrates.

【0026】アレイ基板10は矩形状の透明なガラス基
板33を備え、このガラス基板33上には、互いに平行
な多数本のゲート線32と、これらのゲート線と略直交
する多数本の信号線16と、がマトリックス状に形成さ
れている。信号線16とゲート線32とによって囲まれ
る各領域内には、インジウムスズ酸化物(以下、ITO
と称する)から成る透明な画素電極28が形成されてい
る。
The array substrate 10 includes a rectangular transparent glass substrate 33, on which a number of parallel gate lines 32 and a number of signal lines substantially orthogonal to these gate lines are provided. 16 and are formed in a matrix. In each region surrounded by the signal line 16 and the gate line 32, indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO)
) Is formed.

【0027】各信号線16と各ゲート線32との交差部
分には、ゲート線32の自体をゲート電極とした逆スタ
ガ構造の薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)1
7が設けられている。
At the intersection of each signal line 16 and each gate line 32, an inverted staggered thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 1 using the gate line 32 itself as a gate electrode.
7 are provided.

【0028】TFT17について詳細に説明すると、ガ
ラス基板33上に形成されたゲート線32は、ゲート酸
化膜と酸化シリコン膜との積層構造を有するゲート絶縁
膜35によって覆われ、更に、ゲート絶縁膜35上に
は、アモルファスシリコン(以下、a−Siと称する)
薄膜から成る半導体薄膜31が形成されている。
The TFT 17 will be described in detail. A gate line 32 formed on a glass substrate 33 is covered with a gate insulating film 35 having a laminated structure of a gate oxide film and a silicon oxide film. On top is amorphous silicon (hereinafter a-Si)
A semiconductor thin film 31 composed of a thin film is formed.

【0029】半導体薄膜31上には、チャネル形成時に
半導体薄膜31を保護するため窒化シリコン膜から成る
チャネル保護膜30が形成されている。そして、半導体
薄膜31およびチャネル保護膜30上には、それぞれオ
ーミック層29を介して半導体薄膜31に電気的に接続
されたソース電極27、および信号線32と一体のドレ
イン電極26が配置されている。また、ソース電極27
は画素電極28と電気的に接続されている。
On the semiconductor thin film 31, a channel protective film 30 made of a silicon nitride film is formed to protect the semiconductor thin film 31 when forming a channel. On the semiconductor thin film 31 and the channel protective film 30, a source electrode 27 electrically connected to the semiconductor thin film 31 via an ohmic layer 29 and a drain electrode 26 integrated with the signal line 32 are arranged. . Also, the source electrode 27
Are electrically connected to the pixel electrode 28.

【0030】そして、上記構成のTFT17は酸化シリ
コンの保護層25によって覆われている。また、保護層
25、ゲート線32,信号線16、画素電極181等
は、ポリイミド等からな配向膜24によって覆われてい
る。
The TFT 17 having the above structure is covered with a protective layer 25 of silicon oxide. The protective layer 25, the gate lines 32, the signal lines 16, the pixel electrodes 181 and the like are covered with an alignment film 24 made of polyimide or the like.

【0031】一方、対向基板12は透明なガラス基板2
1を備え、このガラス基板の内面全体に亘ってカラーフ
ィルタ22およびITOからなる透明な対向電極23が
順に積層形成されている。更に、対向電極23上には、
ポリイミド等からなる透明な配向膜20が形成されてい
る。
On the other hand, the opposite substrate 12 is a transparent glass substrate 2
1, a color filter 22 and a transparent counter electrode 23 made of ITO are sequentially formed over the entire inner surface of the glass substrate. Further, on the counter electrode 23,
A transparent alignment film 20 made of polyimide or the like is formed.

【0032】また、アレイ基板10と対向基板12との
間において、各TFT17のソース電極27と対向電極
23との間の領域には柱状スペーサ40が設けられてい
る。これらの柱状スペーサ40は、アレイ基板10と対
向基板12との間のセルギャップを所定の値に維持する
とともに、後述するように、補助容量としも機能してい
る。
A column spacer 40 is provided between the array substrate 10 and the counter substrate 12 in a region between the source electrode 27 and the counter electrode 23 of each TFT 17. These columnar spacers 40 maintain the cell gap between the array substrate 10 and the counter substrate 12 at a predetermined value, and also function as an auxiliary capacitor, as described later.

【0033】詳細に述べると、各柱状スペーサ40は、
対向基板12の対向電極23表面からほぼ垂直に延出し
た角柱状の柱体42を有し、この柱体は導体としての銅
により高さ5ミクロンに形成されている。そして、柱体
42は、対向電極23に接している上端を除いて配向膜
20によって覆われている。また、柱体42の延出端
は、配向膜20を介して、アレイ基板10側の配向膜2
4に接触し、TFT17のソース電極27と対向してい
る。
More specifically, each columnar spacer 40 is
It has a prismatic column 42 extending substantially perpendicularly from the surface of the counter electrode 23 of the counter substrate 12, and this column is formed of copper as a conductor to a height of 5 microns. The pillar 42 is covered with the alignment film 20 except for the upper end in contact with the counter electrode 23. The extending end of the column 42 is connected to the alignment film 2 on the array substrate 10 side via the alignment film 20.
4 and is opposed to the source electrode 27 of the TFT 17.

【0034】これにより、アレイ基板10のソース電極
27と対向基板12上の銅の柱体42との間に酸化シリ
コンの保護層25およびポリイミドの配向膜20、24
が挟まれている。そして、酸化シリコンおよびポリイミ
ドは誘電体であるから、ソース電極27、酸化シリコン
保護層25、ポリイミド配向膜20、24、および銅の
柱体42の積層体は、補助容量機能を有する柱状スペー
サを構成している。
Thus, the protective layer 25 of silicon oxide and the alignment films 20 and 24 of polyimide are located between the source electrode 27 of the array substrate 10 and the copper pillar 42 on the counter substrate 12.
Is sandwiched. Since silicon oxide and polyimide are dielectrics, a laminate of the source electrode 27, the silicon oxide protective layer 25, the polyimide alignment films 20, 24, and the copper pillars 42 constitutes a pillar spacer having an auxiliary capacitance function. doing.

【0035】次に、以上のように構成された液晶表示素
子の製造方法について説明する。まず、アレイ基板10
のガラス基板33上に、MoTa合金からなるゲート線
32をマグネトロンスパッタ法を用いて形成し、次にゲ
ート酸化膜と窒化シリコンからなるゲート絶縁膜35を
積層形成する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device configured as described above will be described. First, the array substrate 10
A gate line 32 made of a MoTa alloy is formed on the glass substrate 33 by using a magnetron sputtering method, and then a gate insulating film 35 made of a gate oxide film and silicon nitride is formed.

【0036】続いて、ゲート絶縁膜35上に、a−Si
膜31と、窒化シリコンからなるチャネル保護膜30と
をCVD法によって形成する。エッチングによりa−S
i膜の島を形成した後、オーミック層29を形成する。
その後、各領域に画素電極28を形成し、更に、Mo/
Alからなるソース電極27及びドレイン電極26を形
成する。これにより、TFT17が完成する。
Subsequently, a-Si is formed on the gate insulating film 35.
A film 31 and a channel protection film 30 made of silicon nitride are formed by a CVD method. A-S by etching
After the island of the i film is formed, the ohmic layer 29 is formed.
Thereafter, a pixel electrode 28 is formed in each region, and further, Mo /
A source electrode 27 and a drain electrode 26 made of Al are formed. Thus, the TFT 17 is completed.

【0037】最後に厚さ2500オングストロームの酸
化シリコンの保護層25をTFT17上に形成する。ソ
ース電極27上の保護層25は補助容量の誘電体として
機能する。
Finally, a protective layer 25 of silicon oxide having a thickness of 2500 angstroms is formed on the TFT 17. The protective layer 25 on the source electrode 27 functions as a storage capacitor dielectric.

【0038】一方、対向基板12は、ガラス基板21上
にカラーフィルタ22を形成した後、ITOからなる透
明の対向電極23を全面に形成する。続いて、柱状スペ
ーサ40を形成する部分以外の領域を、厚さ5ミクロン
のポジ型レジストによってマスクする。この状態で、ポ
ジ型レジスト上に銅の膜をスパッタ法で作成し、これを
銅イオンを含んだメッキ漕に入れてメッキする。その
後、ポジ型レジストを剥離することにより、高さ5ミク
ロンの銅製の角柱体42が形成される。
On the other hand, after forming a color filter 22 on a glass substrate 21, a transparent counter electrode 23 made of ITO is formed on the entire surface of the counter substrate 12. Subsequently, a region other than the portion where the columnar spacer 40 is to be formed is masked with a positive resist having a thickness of 5 μm. In this state, a copper film is formed on the positive resist by a sputtering method, and the copper film is placed in a plating tank containing copper ions and plated. Thereafter, by removing the positive resist, a copper prism 42 having a height of 5 microns is formed.

【0039】続いて、TFT17の形成されたアレイ基
板10、および、カラーフィルタ22、対向電極23、
柱体42の形成された対向基板12上に、配向膜24、
20として可溶性ポリイミド(日本合成ゴム社製AL−
3046)をそれぞれ印刷し、ホットプレートを用いて
80℃で1分間焼成し後、さらにN2 オーブン中で18
0℃、30分間焼成して溶剤を揮発させる。形成された
ポリイミドの厚さは500オングストロームであった。
Subsequently, the array substrate 10 on which the TFT 17 is formed, the color filter 22, the counter electrode 23,
On the counter substrate 12 on which the pillars 42 are formed, the alignment film 24,
A soluble polyimide (AL- manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.)
3046) were printed, baked at 80 ° C. for 1 minute using a hot plate, and then further baked in an N 2 oven for 18 minutes.
The solvent is volatilized by baking at 0 ° C. for 30 minutes. The thickness of the formed polyimide was 500 angstroms.

【0040】その後、ポリイミド膜をラビング処理して
配向膜24、20とした。この際、各柱体42の周辺部
まで十分に配向処理するため、ラビング布にはレーヨン
製で毛先の直径が0.1〜10ミクロンのものを使用し
た。
Thereafter, the polyimide films were rubbed to form alignment films 24 and 20. At this time, a rubbing cloth made of rayon and having a hair tip diameter of 0.1 to 10 μm was used in order to sufficiently perform the orientation treatment up to the peripheral portion of each column 42.

【0041】次に、対向基板12のガラス基板21周辺
部に、直径5μmのファイバーを混ぜたエポキシ系シー
ル材を塗布した後、対向基板12をアレイ基板12と対
向配置する。そして、これらの基板を正確に位置合わせ
し、2枚の基板を加圧した状態でオーブンに入れ、16
0℃で3時間加熱する。これにより、シール材を完全に
硬化させ、アレイ基板10と対向基板12とを貼り合わ
せる。
Next, an epoxy-based sealing material mixed with a fiber having a diameter of 5 μm is applied to the periphery of the glass substrate 21 of the opposing substrate 12, and then the opposing substrate 12 is arranged to face the array substrate 12. Then, these substrates are accurately aligned, and the two substrates are placed in an oven in a pressurized state.
Heat at 0 ° C. for 3 hours. As a result, the sealing material is completely cured, and the array substrate 10 and the counter substrate 12 are bonded to each other.

【0042】この状態において、アレイ基板10上の各
TFT17のソース電極27と対向基板12上の柱体4
2との間には、酸化シリコンの保護層25およびポリイ
ミド配向膜24、20が挟まれる。そして、酸化シリコ
ンとポリイミドは誘電体であることから、ソース電極2
7、酸化シリコン保護層25、ポリイミド配向膜24、
20、および銅製の柱体42からなる積層体は、補助容
量機能を有する柱状スペーサ40を構成する。
In this state, the source electrode 27 of each TFT 17 on the array substrate 10 and the column 4 on the opposite substrate 12
2, a protective layer 25 of silicon oxide and polyimide alignment films 24 and 20 are interposed. Since silicon oxide and polyimide are dielectrics, the source electrode 2
7, silicon oxide protective layer 25, polyimide alignment film 24,
The laminate composed of 20 and the copper pillars 42 constitutes a pillar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0043】本実施の形態において、各柱状スペーサ4
0は、縦30μ、横100μ、高さ5μの四角柱で、容
量0.4pFのコンデンサーを構成している。最後に、
アレイ基板10と対向基板12との間の隙間に、カイラ
ルネマティック液晶材料を注入することにより、対角9
インチのTN液晶表示素子が完成する。
In this embodiment, each columnar spacer 4
Numeral 0 is a square prism having a length of 30 μm, a width of 100 μm, and a height of 5 μm, and constitutes a capacitor having a capacitance of 0.4 pF. Finally,
By injecting a chiral nematic liquid crystal material into the gap between the array substrate 10 and the opposing substrate 12,
An inch TN liquid crystal display element is completed.

【0044】なお、柱状スペーサ40は、1mm2 当
り、0.05個〜700個の割合で配置されることが好
ましい。また、柱状スペーサ40のガラス基板21ある
いは33に対して平行な断面形状は、円形や楕円形が好
ましく、あるいは、正方形、長方形、三角形等の多角形
でも良い。
The columnar spacers 40 are preferably arranged at a rate of 0.05 to 700 per 1 mm 2. The cross-sectional shape of the columnar spacer 40 parallel to the glass substrate 21 or 33 is preferably a circle or an ellipse, or may be a polygon such as a square, a rectangle, or a triangle.

【0045】本発明者等は、上記のように構成された液
晶表示素子について種々の試験を行った。その際、各画
素電極28上にはスペーサが設けられておらず、画素電
極が平坦であるため、液晶の配向は均一で配向欠陥は見
られなかった。
The present inventors conducted various tests on the liquid crystal display device constructed as described above. At this time, since no spacer was provided on each pixel electrode 28 and the pixel electrode was flat, the alignment of the liquid crystal was uniform and no alignment defect was observed.

【0046】また、柱状スペーサ40は完全に補助容量
として機能し、書き込み時間33μs、フレーム周期1
6.7msで良好な保持駆動をすることができ、極めて
良好な表示画像が得られた。更に、柱状スペーサ40は
セルギャップを維持するためのスペーサとしても有効に
機能し、セルギャップは、液晶表示素子の全面にわたっ
て±0.05μという高精度に維持することができた。
The columnar spacer 40 completely functions as an auxiliary capacitor, and has a writing time of 33 μs and a frame period of 1
Good holding drive was possible in 6.7 ms, and an extremely good display image was obtained. Further, the columnar spacers 40 effectively functioned as spacers for maintaining the cell gap, and the cell gap could be maintained with high accuracy of ± 0.05 μ over the entire surface of the liquid crystal display element.

【0047】柱状スペーサ40は非常に硬いため、液晶
表示素子の中央を指で強く押しても、あるいは、3kg
/cm2 の加圧力を印加した場合でも、表示品位に何等
影響を与えなかった。
Since the columnar spacer 40 is very hard, even if the center of the liquid crystal display element is strongly pressed with a finger, or 3 kg
/ Cm @ 2 did not affect the display quality at all.

【0048】また、液晶表示素子を70℃、湿度50%
の環境下で1000時間連続駆動試験を行った結果、柱
状スペーサ40から液晶中に何も溶け出さず、また、電
圧保持率やコントラストの低下もなく、1000時間駆
動後も良好な表示品位が得られた。
Further, the liquid crystal display element was operated at 70 ° C. and 50% humidity.
As a result of conducting a continuous driving test for 1000 hours under the above environment, nothing dissolves into the liquid crystal from the columnar spacers 40, there is no decrease in the voltage holding ratio or contrast, and good display quality is obtained even after driving for 1000 hours. Was done.

【0049】上記のように構成された液晶表示素子によ
れば、各TFTのソース電極と対向電極との間には柱状
スペーサが設けられ、これらの柱状スペーサは、アレイ
基板と対向基板間のセルギャップを均一に維持するとと
もに、補助容量としても機能する。
According to the liquid crystal display device configured as described above, the columnar spacers are provided between the source electrode and the counter electrode of each TFT, and these columnar spacers serve as the cell between the array substrate and the counter substrate. The gap is maintained uniform and also functions as an auxiliary capacitor.

【0050】そのため、液晶表示素子の保持駆動のため
に設けられていた従来の補助容量線が不要となり、ゲー
ト線−補助容量線間の短絡不良といった不都合を防止で
きるとともに、開口率を著しく上げることができる。ま
た、従来のように補助容量線を基板周縁部まで引き出す
必要がなく、液晶表示素子の狭額縁化が可能となる。
For this reason, the conventional auxiliary capacitance line provided for holding and driving the liquid crystal display element becomes unnecessary, so that inconvenience such as short-circuit failure between the gate line and the auxiliary capacitance line can be prevented, and the aperture ratio is significantly increased. Can be. Further, unlike the related art, it is not necessary to draw the auxiliary capacitance line to the peripheral portion of the substrate, so that the frame of the liquid crystal display element can be narrowed.

【0051】画素電極に重ねて設けられていた補助容量
線を省略できることから、画素電極の凹凸をなくし平坦
とすることができる。そのため、画素電極の凹凸に起因
する液晶配向不良がなくなり、液晶表示素子のコントラ
ストが向上する。
Since the auxiliary capacitance line provided over the pixel electrode can be omitted, the pixel electrode can be made flat without irregularities. Therefore, the liquid crystal alignment defect caused by the unevenness of the pixel electrode is eliminated, and the contrast of the liquid crystal display element is improved.

【0052】また、補助容量線が不要となることに伴
い、従来補助容量線に与えていた電位も不要となること
から、その分だけ消費電力の削減を図ることができる。
更に、補助容量線が不要となり、補助容量線を形成する
ためのフォトリソグラフィ工程を削減することができ
る。柱状スペーサ形成工程のコストは、粒状のスペーサ
を散布する従来の工程よりも高くなるが、補助容量線の
形成工程を削減できるため、液晶表示素子の全体的な製
造コストは、粒状スペーサ散布型の液晶表示素子よりも
安くすることができる。
Further, since the storage capacitor line becomes unnecessary, the potential applied to the storage capacitor line in the related art becomes unnecessary, so that the power consumption can be reduced accordingly.
Further, an auxiliary capacitance line is not required, and the number of photolithography steps for forming the auxiliary capacitance line can be reduced. The cost of the columnar spacer forming step is higher than that of the conventional step of dispersing the granular spacers.However, since the step of forming the auxiliary capacitance lines can be reduced, the overall manufacturing cost of the liquid crystal display element is reduced by the granular spacer dispersing type. It can be cheaper than a liquid crystal display element.

【0053】一方、柱状スペーサを補助容量として機能
させるためには、柱状スペーサの一部が画素電極あるい
はソース電極に接している必要がある。言い換えると、
柱状スペーサを画素電極と対向電極との間に設けた場合
でも、柱状スペーサを補助容量として機能させることが
できる。しかしながら、この場合、以下の問題が生じ
る。
On the other hand, in order for the columnar spacer to function as an auxiliary capacitor, a part of the columnar spacer needs to be in contact with the pixel electrode or the source electrode. In other words,
Even when the columnar spacer is provided between the pixel electrode and the counter electrode, the columnar spacer can function as an auxiliary capacitor. However, in this case, the following problem occurs.

【0054】すなわち、画素電極に重ねて柱状スペーサ
を設けた場合、柱状スペーサの部分は非表示領域とな
り、開口率が低下する。また、柱状スペーサの容量を増
加するために画素電極と対向電極との間の距離を液晶層
の厚さよりも短くしたり、あるいは、画素電極や対向電
極上に導体層を設けた場合、柱状スペーサの周囲に電界
が広がる。そして、液晶分子が上記電界の影響を受け、
柱状スペーサの周辺部に、つまり、画素電極領域に、配
向不良領域が生じる。このような配向不良領域は光抜け
となって視認され、その結果、液晶表示素子のコントラ
ストおよび表示品位が低下する。
That is, when the columnar spacer is provided so as to overlap the pixel electrode, the columnar spacer becomes a non-display area, and the aperture ratio decreases. Further, in order to increase the capacity of the columnar spacer, the distance between the pixel electrode and the counter electrode is made shorter than the thickness of the liquid crystal layer, or when a conductor layer is provided on the pixel electrode or the counter electrode, the columnar spacer is used. The electric field spreads around. Then, the liquid crystal molecules are affected by the electric field,
In the peripheral portion of the columnar spacer, that is, in the pixel electrode region, a misalignment region occurs. Such an alignment defect area is visually recognized as light leakage, and as a result, the contrast and display quality of the liquid crystal display element are reduced.

【0055】これに対して、本実施の形態に係る液晶表
示素子のように、各柱状スペーサがTFTのソース電極
領域に設けられている場合、柱状スペーサによって開口
率が低下することはない。また、柱状スペーサからの電
界により柱状スペーサ周辺に液晶配向不良領域が生じた
場合でも、ソース電極領域は非表示領域であるため、液
晶表示素子のコントラストおよび表示品位が低下するこ
とはない。
On the other hand, when the columnar spacers are provided in the source electrode region of the TFT as in the liquid crystal display element according to the present embodiment, the aperture ratio does not decrease due to the columnar spacers. Further, even when a liquid crystal alignment defect region is generated around the columnar spacer due to an electric field from the columnar spacer, the contrast and display quality of the liquid crystal display element do not decrease because the source electrode region is a non-display region.

【0056】図3は、この発明の第2の実施の形態に係
る液晶表示素子を示している。本実施の形態に係る液晶
表示素子は、カラーフィルタを形成するためのアクリル
樹脂の積層体により各柱状スペーサ40の柱体42を構
成している点において、上述した第1の実施の形態と相
違している。
FIG. 3 shows a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. The liquid crystal display element according to the present embodiment is different from the above-described first embodiment in that the pillars 42 of each pillar spacer 40 are formed of a laminate of acrylic resin for forming a color filter. doing.

【0057】すなわち、各柱状スペーサ40の柱体42
は、対向基板12に形成されたカラーフィルタ22の内
面からほぼ垂直に延出した角柱形状を有している。そし
て、柱体42は、カラーフィルタ22を形成する際に、
赤色、緑色、青色、黒色のアクリル樹脂を順に積層する
ことにより形成されている。
That is, the pillars 42 of each pillar spacer 40
Has a prismatic shape extending substantially perpendicularly from the inner surface of the color filter 22 formed on the counter substrate 12. Then, when the color filter 22 is formed, the pillar 42
It is formed by sequentially stacking red, green, blue, and black acrylic resins.

【0058】また、柱体42は、カラーフィルタ22側
の端を除き、ITOからなる対向電極23、ポリイミド
からなる配向膜20によって覆われている。そして、柱
体42の延出端は、アレイ基板10側に設けられたTF
T17のソース電極27上に位置し、対向電極23、配
向膜20を介して、アレイ基板側の配向膜24に接触し
ている。
The column body 42 is covered with the counter electrode 23 made of ITO and the alignment film 20 made of polyimide except for the end on the color filter 22 side. The extending end of the pillar 42 is connected to the TF provided on the array substrate 10 side.
It is located on the source electrode 27 of T17 and is in contact with the alignment film 24 on the array substrate side via the counter electrode 23 and the alignment film 20.

【0059】これにより、アレイ基板10のソース電極
27と対向基板12上の柱体42との間に酸化シリコン
の保護層25およびポリイミドの配向膜20、24が挟
まれている。そして、酸化シリコンおよびポリイミドは
誘電体であるから、ソース電極27、酸化シリコン保護
層25、ポリイミド配向膜20、24、および柱体42
の積層体は、補助容量機能を有する柱状スペーサを構成
している。
Thus, the protective layer 25 made of silicon oxide and the alignment films 20 and 24 made of polyimide are sandwiched between the source electrode 27 of the array substrate 10 and the pillar 42 on the counter substrate 12. Since silicon oxide and polyimide are dielectrics, the source electrode 27, the silicon oxide protective layer 25, the polyimide alignment films 20, 24, and the pillar 42
Constitute a columnar spacer having an auxiliary capacitance function.

【0060】なお、液晶表示素子の他の構成は、前述し
た第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一
の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。次に、
以上のように構成された第2の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法について説明する。
The other structure of the liquid crystal display device is the same as that of the above-described first embodiment, and the same portions are denoted by the same reference characters and will not be described in detail. next,
A method for manufacturing the liquid crystal display device according to the second embodiment configured as described above will be described.

【0061】まず、第1の実施の形態と同様な方法によ
り、アレイ基板10のガラス基板33上に、ゲート線3
2、ゲート絶縁膜35、信号線16、画素電極28、T
FT17等を形成する。続いて、TFT17上に、厚さ
800オングストロームの酸化シリコンの保護層25を
形成する。ソース電極27上の保護層25は補助容量の
誘電体として機能する。
First, the gate lines 3 are formed on the glass substrate 33 of the array substrate 10 in the same manner as in the first embodiment.
2, gate insulating film 35, signal line 16, pixel electrode 28, T
FT17 and the like are formed. Subsequently, a protective layer 25 of silicon oxide having a thickness of 800 Å is formed on the TFT 17. The protective layer 25 on the source electrode 27 functions as a storage capacitor dielectric.

【0062】一方、対向基板12については、ガラス基
板21上にカラーフィルタ22を形成する。この場合、
まず、ガラス基板21上に赤色の顔料を分散させたアク
リル系レジストを印刷し、赤色のカラーフィルタ及び柱
状スペーサ40を形成する部分に紫外光を照射する。そ
の後、アクリル系レジストを有機アルカリ系現像液で現
像し、非露光部のレジストを除去する。
On the other hand, for the opposite substrate 12, a color filter 22 is formed on a glass substrate 21. in this case,
First, an acrylic resist in which a red pigment is dispersed is printed on the glass substrate 21, and a portion where the red color filter and the columnar spacer 40 are to be formed is irradiated with ultraviolet light. Thereafter, the acrylic resist is developed with an organic alkaline developer to remove the resist in the non-exposed areas.

【0063】これにより、ガラス基板21上に赤色のパ
ターンが形成される。続いて、同様な方法により、ガラ
ス基板21上に緑色、青色、黒色のパ夕ーンを順次形成
し、ブラックマトリックスを含みカラーフィルタ22を
形成する。
As a result, a red pattern is formed on the glass substrate 21. Subsequently, green, blue, and black patterns are sequentially formed on the glass substrate 21 by the same method, and a color filter 22 including a black matrix is formed.

【0064】また、柱状スペーサを形成する部分には、
赤色、緑色、青色、黒色のアクリル樹脂が順に重ねら
れ、高さ4.5ミクロンの台形柱状の柱体42が形成さ
れる。その後、スパッタによりカラーフィルタ22およ
び柱体42上にITO膜を形成し、対向電極23とす
る。
In the portion where the columnar spacer is formed,
Red, green, blue, and black acrylic resins are sequentially stacked to form a trapezoidal column 42 having a height of 4.5 microns. After that, an ITO film is formed on the color filter 22 and the pillars 42 by sputtering to form a counter electrode 23.

【0065】続いて、TFT17の形成されたアレイ基
板10、および、カラーフィルタ22、対向電極23、
柱体42の形成された対向基板12上に、配向膜24、
20として可溶性ポリイミド(日本合成ゴム社製AL−
1051)をそれぞれ印刷し、ホットプレートを用いて
80℃で1分間焼成し後、さらにN2 オーブン中で18
0℃、30分間焼成して溶剤を揮発させる。形成された
ポリイミドの厚さは200オングストロームであった。
その後、ポリイミド膜をラビング処理して配向膜24、
20とした。
Subsequently, the array substrate 10 on which the TFT 17 is formed, the color filter 22, the counter electrode 23,
On the counter substrate 12 on which the pillars 42 are formed, the alignment film 24,
A soluble polyimide (AL- manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.)
1051) were printed, baked at 80 ° C. for 1 minute using a hot plate, and then further baked in
The solvent is volatilized by baking at 0 ° C. for 30 minutes. The thickness of the formed polyimide was 200 angstroms.
After that, the polyimide film is subjected to a rubbing treatment,
20.

【0066】次に、対向基板12のガラス基板21周辺
部に、直径5μmのファイバーを混ぜたエポキシ系シー
ル材を塗布した後、対向基板12をアレイ基板12と対
向配置する。そして、これらの基板の正確に位置合わ
し、2枚の基板を加圧した状態でオーブンに入れ、16
0℃で2時間加熱する。これにより、シール材を完全に
硬化させ、アレイ基板10と対向基板12とを貼り合わ
せる。
Next, an epoxy-based sealing material mixed with a fiber having a diameter of 5 μm is applied to the periphery of the glass substrate 21 of the opposing substrate 12, and then the opposing substrate 12 is arranged to face the array substrate 12. Then, these substrates are accurately aligned, and the two substrates are placed in an oven while being pressed.
Heat at 0 ° C. for 2 hours. As a result, the sealing material is completely cured, and the array substrate 10 and the counter substrate 12 are bonded to each other.

【0067】この状態において、アレイ基板10上の各
TFT17のソース電極27と対向基板12上の柱体4
2との間には、酸化シリコンの保護層25およびポリイ
ミド配向膜24、20が挟まれる。そして、酸化シリコ
ンおよびポリイミドは誘電体であることから、ソース電
極27、酸化シリコン保護層25、ポリイミド配向膜2
4、20、および柱体42からなる積層体は、補助容量
機能を有する柱状スペーサ40を構成する。
In this state, the source electrode 27 of each TFT 17 on the array substrate 10 and the column 4
2, a protective layer 25 of silicon oxide and polyimide alignment films 24 and 20 are interposed. Since the silicon oxide and the polyimide are dielectrics, the source electrode 27, the silicon oxide protective layer 25, the polyimide alignment film 2
The stacked body including the columns 4 and 20 and the column 42 constitutes a columnar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0068】本実施の形態において、各柱状スペーサ4
0は、縦10μ、横100μ、高さ5μの四角柱で、容
量0.4pFのコンデンサーを構成している。最後に、
アレイ基板10と対向基板12との間のセルギャップ
に、カイラルネマティック液晶材料を注入することによ
り、対角9インチのTN液晶表示素子が完成する。
In this embodiment, each columnar spacer 4
Numeral 0 is a square pillar having a length of 10 μm, a width of 100 μm, and a height of 5 μm, which constitutes a capacitor having a capacitance of 0.4 pF. Finally,
By injecting a chiral nematic liquid crystal material into a cell gap between the array substrate 10 and the opposing substrate 12, a TN liquid crystal display element having a diagonal of 9 inches is completed.

【0069】上記のように構成された液晶表示素子によ
れば、各TFTのソース電極と対向電極との間には柱状
スペーサが設けられ、これらの柱状スペーサは、アレイ
基板と対向基板との間のセイルギャップを均一に維持す
るとともに、補助容量としても機能する。従って、前述
した第1の実施の形態と同様な作用効果を得ることがで
きる。
According to the liquid crystal display device configured as described above, the columnar spacers are provided between the source electrode and the counter electrode of each TFT, and these columnar spacers are provided between the array substrate and the counter substrate. , And also functions as an auxiliary capacitor. Therefore, the same function and effect as those of the first embodiment can be obtained.

【0070】更に、第2の実施の形態によれば、各柱状
スペーサ40の柱体42は、カラーフィルタの形成と同
時に形成されるため、柱体を形成するための独立したメ
ッキ工程を必要とせず、生産性の向上を図ることができ
る。
Further, according to the second embodiment, since the pillars 42 of each pillar spacer 40 are formed simultaneously with the formation of the color filter, an independent plating step for forming the pillars is required. And productivity can be improved.

【0071】図4は、この発明の第3の実施の形態に係
る液晶表示素子を示している。本実施の形態に係る液晶
表示素子は、各柱状スペーサ40の柱体42がカーボン
微粒子を含有したシロキサンにより形成されている点に
おいて、上述した第1の実施の形態と相違している。
FIG. 4 shows a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention. The liquid crystal display element according to the present embodiment is different from the above-described first embodiment in that the column 42 of each columnar spacer 40 is formed of siloxane containing carbon fine particles.

【0072】すなわち、各柱状スペーサ40の柱体42
は、カーボン微粒子を含有したシロキサンによって角柱
状に形成され、対向基板12に形成された配向膜20の
内面からほぼ垂直に延出しているとともに、その延出端
は、アレイ基板10側に設けられたTFT17のソース
電極27上において、アレイ基板側の配向膜24に接触
している。
That is, the pillars 42 of each pillar spacer 40
Is formed in a prismatic shape by using siloxane containing carbon fine particles, extends almost vertically from the inner surface of the alignment film 20 formed on the counter substrate 12, and has an extended end provided on the array substrate 10 side. On the source electrode 27 of the TFT 17 thus formed, it is in contact with the alignment film 24 on the array substrate side.

【0073】これにより、アレイ基板10のソース電極
27と対向基板12上の柱体42との間に酸化シリコン
の保護層25およびポリイミドの配向膜24が挟まれて
いる。そして、酸化シリコンおよびポリイミドは誘電体
であるから、ソース電極27、酸化シリコン保護層2
5、ポリイミド配向膜24、および柱体42の積層体
は、補助容量機能を有する柱状スペーサ40を構成して
いる。
As a result, the protective layer 25 of silicon oxide and the alignment film 24 of polyimide are sandwiched between the source electrode 27 of the array substrate 10 and the pillar 42 on the counter substrate 12. Since silicon oxide and polyimide are dielectrics, the source electrode 27, the silicon oxide protective layer 2
5, a laminate of the polyimide alignment film 24 and the pillars 42 constitutes a pillar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0074】なお、液晶表示素子の他の構成は、前述し
た第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一
の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。次に、
以上のように構成された第3の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法について説明する。
The other structure of the liquid crystal display device is the same as that of the above-described first embodiment, and the same portions are denoted by the same reference characters and will not be described in detail. next,
A method for manufacturing the liquid crystal display device according to the third embodiment configured as described above will be described.

【0075】まず、第1の実施の形態と同様な方法によ
り、アレイ基板10のガラス基板33上に、ゲート線3
2、ゲート絶縁膜35、信号線16、画素電極28、T
FT17等を形成する。続いて、TFT17上に、厚さ
2000オングストロームの酸化シリコンの保護層25
を形成する。ソース電極27上の保護層25は補助容量
の誘電体として機能する。
First, the gate lines 3 are formed on the glass substrate 33 of the array substrate 10 in the same manner as in the first embodiment.
2, gate insulating film 35, signal line 16, pixel electrode 28, T
FT17 and the like are formed. Subsequently, a 2000-Å-thick silicon oxide protective layer 25 is formed on the TFT 17.
To form The protective layer 25 on the source electrode 27 functions as a storage capacitor dielectric.

【0076】一方、対向基板12については、ガラス基
板21上にカラーフィルタ22、およびITOからなる
対向電極23を順次積層形成する。続いて、対向基板1
2上に、配向膜20として可溶性ポリイミド(日本合成
ゴム社製AL−1051)を印刷し、ホットプレートを
用いて80℃で1分間焼成し後、さらにN2 オーブン中
で180℃、30分間焼成して溶剤を揮発させる。形成
されたポリイミドの厚さは600オングストロームであ
った。その後、ポリイミド膜をラビング処理して配向膜
20とした。
On the other hand, as for the counter substrate 12, a color filter 22 and a counter electrode 23 made of ITO are sequentially laminated on a glass substrate 21. Then, the counter substrate 1
2 is printed with soluble polyimide (AL-1051 manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) as an alignment film 20, baked at 80 ° C. for 1 minute using a hot plate, and further baked at 180 ° C. for 30 minutes in a N2 oven. To evaporate the solvent. The thickness of the formed polyimide was 600 Å. Thereafter, the polyimide film was subjected to a rubbing treatment to form an alignment film 20.

【0077】次に、対向基板12の配向膜20にトルエ
ンに溶解したポリシラン溶液を塗布し、120℃のオー
ブン中に1分間入れてトルエンを揮発させ、厚さ5.5
μのポリシラン膜を形成する。そして、このポリシラン
膜の内、柱状スペーサを形成する部分に紫外光を照射し
た後、トルエン系現像液で現像し、非露光部のレジスト
を除去する。
Next, a polysilane solution dissolved in toluene is applied to the alignment film 20 of the counter substrate 12 and placed in an oven at 120 ° C. for 1 minute to volatilize the toluene, thereby obtaining a thickness of 5.5.
A polysilane film of μ is formed. Then, after irradiating ultraviolet light to a portion of the polysilane film where a columnar spacer is to be formed, the film is developed with a toluene-based developer to remove the resist in a non-exposed portion.

【0078】このように形成された基板を、カーボン微
粒子を30%程度含有したアルコール溶液中に浸漬す
る。それにより、露光されたポリシラン中にカーボン微
粒子が分散され、導電性をもたせることができる。続い
て、基板を180℃のオーブン中に10分間入れ、ポリ
シランをシロキサンに変化させ、カーボン微粒子をシロ
キサン中に固定化する。これにより、カーボン微粒子を
含有したシロキサンの柱体42が形成される。
The substrate thus formed is immersed in an alcohol solution containing about 30% of carbon fine particles. As a result, the carbon fine particles are dispersed in the exposed polysilane, and can be made conductive. Subsequently, the substrate is placed in an oven at 180 ° C. for 10 minutes to convert polysilane into siloxane, and immobilize carbon fine particles in siloxane. As a result, the siloxane pillars 42 containing carbon fine particles are formed.

【0079】本実施の形態では、ラビング処理済みの配
向膜20上に柱状スペーサを形成しているため、柱体4
2の周辺部が完全に配向処理されている。続いて、TF
T17の形成されたアレイ基板10に、配向膜24とし
て可溶性ポリイミド(日本合成ゴム社製AL−105
1)を印刷し、ホットプレートを用いて80℃で1分間
焼成し後、さらにN2 オーブン中で180℃、30分間
焼成して溶剤を揮発させる。形成されたポリイミドの厚
さは600オングストロームであった。その後、ポリイ
ミド膜をラビング処理して配向膜24とした。
In this embodiment, since the columnar spacer is formed on the rubbed alignment film 20, the columnar body 4 is formed.
The periphery of No. 2 is completely oriented. Then, TF
A soluble polyimide (AL-105 manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) was used as an alignment film 24 on the array substrate 10 on which T17 was formed.
1) is printed and baked at 80 ° C. for 1 minute using a hot plate, and further baked in an N 2 oven at 180 ° C. for 30 minutes to volatilize the solvent. The thickness of the formed polyimide was 600 Å. Thereafter, the polyimide film was subjected to a rubbing treatment to form an alignment film 24.

【0080】次に、対向基板12のガラス基板21周辺
部に、直径5μmのファイバーを混ぜたエポキシ系シー
ル材を塗布した後、対向基板12をアレイ基板10と対
向配置する。そして、これらの基板の正確に位置合わ
し、2枚の基板を加圧した状態でオーブンに入れ、16
0℃で2時間加熱する。これにより、シール材を完全に
硬化させ、アレイ基板10と対向基板12とを貼り合わ
せる。
Next, an epoxy-based sealing material mixed with a fiber having a diameter of 5 μm is applied to the periphery of the glass substrate 21 of the opposing substrate 12, and then the opposing substrate 12 is arranged to face the array substrate 10. Then, these substrates are accurately aligned, and the two substrates are placed in an oven while being pressed.
Heat at 0 ° C. for 2 hours. As a result, the sealing material is completely cured, and the array substrate 10 and the counter substrate 12 are bonded to each other.

【0081】この状態において、アレイ基板10上の各
TFT17のソース電極27と対向基板12上の柱体4
2との間には、酸化シリコンの保護層25およびポリイ
ミド配向膜24が挟まれる。そして、酸化シリコンおよ
びポリイミドは誘電体であることから、ソース電極2
7、酸化シリコン保護層25、ポリイミド配向膜24、
およびシロキサン柱体42からなる積層体は、補助容量
機能を有する柱状スペーサ40を構成する。
In this state, the source electrode 27 of each TFT 17 on the array substrate 10 and the column 4
2, a protective layer 25 of silicon oxide and a polyimide alignment film 24 are interposed. Since silicon oxide and polyimide are dielectrics, the source electrode 2
7, silicon oxide protective layer 25, polyimide alignment film 24,
The stacked body including the siloxane pillars 42 constitutes a pillar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0082】本実施の形態において、各柱状スペーサ4
0は、縦10μ、横100μ、高さ5μの四角柱で、容
量0.15pFのコンデンサーを構成している。最後
に、アレイ基板10と対向基板12との間のセルギャッ
プに、カイラルネマティック液晶材料を注入することに
より、対角9インチのTN液晶表示素子が完成する。
In this embodiment, each columnar spacer 4
Numeral 0 is a square pillar having a length of 10 μm, a width of 100 μm, and a height of 5 μm, which constitutes a capacitor having a capacity of 0.15 pF. Finally, a chiral nematic liquid crystal material is injected into a cell gap between the array substrate 10 and the opposing substrate 12 to complete a TN liquid crystal display element having a diagonal of 9 inches.

【0083】上記のように構成された液晶表示素子によ
れば、各TFTのソース電極と対向電極との間には柱状
スペーサが設けられ、これらの柱状スペーサは、アレイ
基板と対向基板間のセイルギャップを均一に維持すると
ともに、補助容量としても機能する。従って、前述した
第1の実施の形態と同様な作用効果を得ることができ
る。
According to the liquid crystal display device configured as described above, the columnar spacers are provided between the source electrode and the counter electrode of each TFT, and these columnar spacers serve as a sail between the array substrate and the counter substrate. The gap is maintained uniform and also functions as an auxiliary capacitor. Therefore, the same function and effect as those of the first embodiment can be obtained.

【0084】図5はこの発明の第4の実施の形態に係る
液晶表示素子を示している。この液晶表示素子は、各柱
状スペーサ40の柱体42がアレイ基板10側に、特
に、TFT17のソース電極27上に直接形成されてい
る点において、上述した第1の実施の形態と相違してい
る。
FIG. 5 shows a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention. This liquid crystal display element differs from the first embodiment in that the column body 42 of each columnar spacer 40 is formed directly on the array substrate 10 side, in particular, on the source electrode 27 of the TFT 17. I have.

【0085】すなわち、各柱状スペーサ40の柱体42
はアルミニウムによって円柱形状に形成され、アレイ基
板10に設けられたTFT17のソース電極27からほ
ぼ垂直に延出している。そして、柱体42は、ソース電
極27側の端を除き、ポリイミドからなる配向膜24に
よって覆われている。また、柱体42の延出端は、配向
膜24を介して、対向基板12側に設けられた配向膜2
0に接触している。
That is, the column 42 of each columnar spacer 40
Is formed in a cylindrical shape from aluminum, and extends almost vertically from the source electrode 27 of the TFT 17 provided on the array substrate 10. The pillars 42 are covered with the alignment film 24 made of polyimide except for the end on the source electrode 27 side. The extension end of the column 42 is connected to the alignment film 2 provided on the counter substrate 12 side via the alignment film 24.
0 is in contact.

【0086】これにより、アレイ基板10のソース電極
27から延出した柱体42と対向基板12との間にポリ
イミドの配向膜20、24が挟まれている。そして、ポ
リイミドは誘電体であるから、ソース電極27、アルミ
ニウムの柱体42、および、ポリイミド配向膜24、2
0の積層体は、補助容量機能を有する柱状スペーサ40
を構成している。
As a result, the polyimide alignment films 20 and 24 are sandwiched between the opposing substrate 12 and the column 42 extending from the source electrode 27 of the array substrate 10. Since the polyimide is a dielectric, the source electrode 27, the aluminum pillar 42, and the polyimide alignment films 24, 2
0 is a columnar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.
Is composed.

【0087】なお、液晶表示素子の他の構成は、前述し
た第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一
の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。次に、
以上のように構成された第4の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法について説明する。
The other structure of the liquid crystal display device is the same as that of the above-described first embodiment, and the same portions are denoted by the same reference characters and will not be described in detail. next,
A method for manufacturing the liquid crystal display device according to the fourth embodiment configured as described above will be described.

【0088】まず、第1の実施の形態と同様な方法によ
り、アレイ基板10のガラス基板33上に、ゲート線3
2、ゲート絶縁膜35、信号線16、画素電極28、T
FT17等を形成する。
First, the gate lines 3 are formed on the glass substrate 33 of the array substrate 10 in the same manner as in the first embodiment.
2, gate insulating film 35, signal line 16, pixel electrode 28, T
FT17 and the like are formed.

【0089】続いて、アレイ基板10上において、ソー
ス電極27以外の領域を厚さ5ミクロンのポジ型レジス
トでマスクし、これをAlイオンを含んだメッキ漕に入
れ、メッキする。次に、ポジ型レジストを剥離し、ソー
ス電極27上に、高さ5ミクロン、直径20ミクロンの
Al製の円柱形状の柱体42を形成する。その後、TF
T17上には、厚さ800オングストロームの酸化シリ
コンの保護層25を形成する。
Subsequently, a region other than the source electrode 27 on the array substrate 10 is masked with a positive resist having a thickness of 5 μm, and the resultant is put into a plating tank containing Al ions to perform plating. Next, the positive resist is peeled off, and a columnar column 42 made of Al having a height of 5 μm and a diameter of 20 μm is formed on the source electrode 27. Then, TF
On T17, a protection layer 25 of silicon oxide having a thickness of 800 Å is formed.

【0090】一方、対向基板12については、ガラス基
板21上にカラーフィルタ22、およびITOからなる
透明な対向電極23を全面に亘って積層形成する。続い
て、TFT17および柱体42の形成されたアレイ基板
10上、および、カラーフィルタ22、対向電極23の
形成された対向基板12上に、配向膜24、20として
可溶性ポリイミド(日本合成ゴム社製AL−3046)
をそれぞれ印刷し、ホットプレートを用いて80℃で1
分間焼成し後、さらにN2 オーブン中で180℃、30
分間焼成して溶剤を揮発させる。形成されたポリイミド
の厚さは180オングストロームであった。その後、ポ
リイミド膜をラビング処理して配向膜24、20とし
た。
On the other hand, as for the counter substrate 12, a color filter 22 and a transparent counter electrode 23 made of ITO are formed on the glass substrate 21 over the entire surface. Subsequently, a soluble polyimide (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) AL-3046)
Are printed at 80 ° C. using a hot plate.
After baking for 180 minutes, it was further heated in an N2 oven at 180 ° C for 30 minutes.
Bake for a minute to evaporate the solvent. The thickness of the formed polyimide was 180 angstroms. Thereafter, the polyimide film was subjected to a rubbing treatment to obtain alignment films 24 and 20.

【0091】なお、柱体42の周辺部まで充分に配向処
理するため、ラビング布にはナイロン製で毛先の直径が
0.1〜10μのものを使用した。次に、対向基板12
のガラス基板21周辺部に、直径5μmのファイバーを
混ぜたエポキシ系シール材を塗布した後、対向基板12
をアレイ基板10と対向配置する。そして、これらの基
板を正確に位置合わし、2枚の基板を加圧した状態でオ
ーブンに入れ、160℃で3時間加熱する。これによ
り、シール材を完全に硬化させ、アレイ基板10と対向
基板12とを貼り合わせる。
A rubbing cloth made of nylon and having a hair tip diameter of 0.1 to 10 μm was used in order to sufficiently orient the peripheral portion of the column 42. Next, the counter substrate 12
After applying an epoxy-based sealing material mixed with a fiber having a diameter of 5 μm to the periphery of the glass substrate 21 of FIG.
Are arranged to face the array substrate 10. Then, these substrates are accurately positioned, and the two substrates are placed in an oven while being pressed, and heated at 160 ° C. for 3 hours. As a result, the sealing material is completely cured, and the array substrate 10 and the counter substrate 12 are bonded to each other.

【0092】この状態において、アレイ基板10の各T
FT17のソース電極27上に形成された柱体42と対
向基板12上の対向電極23との間には、ポリイミド配
向膜24、20が挟まれる。そして、ポリイミドは誘電
体であることから、ソース電極27、柱体42、および
ポリイミド配向膜24、20からなる積層体は、補助容
量機能を有する柱状スペーサ40を構成する。
In this state, each T of the array substrate 10 is
The polyimide alignment films 24 and 20 are sandwiched between the pillar 42 formed on the source electrode 27 of the FT 17 and the counter electrode 23 on the counter substrate 12. Since the polyimide is a dielectric material, the stacked body including the source electrode 27, the column 42, and the polyimide alignment films 24 and 20 forms a columnar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0093】本実施の形態において、各柱状スペーサ4
0は、直径20ミクロンの円柱で、容量0.4pFのコ
ンデンサーを構成している。最後に、アレイ基板10と
対向基板12との間のセルギャップに、カイラルネマテ
ィック液晶材料を注入することにより、対角9インチの
TN液晶表示素子が完成する。
In the present embodiment, each columnar spacer 4
Numeral 0 denotes a cylinder having a diameter of 20 microns, which constitutes a capacitor having a capacitance of 0.4 pF. Finally, a chiral nematic liquid crystal material is injected into a cell gap between the array substrate 10 and the opposing substrate 12 to complete a TN liquid crystal display element having a diagonal of 9 inches.

【0094】上記のように構成された液晶表示素子によ
れば、各TFTのソース電極と対向電極との間には柱状
スペーサが設けられ、これらの柱状スペーサは、アレイ
基板と対向基板との間のセイルギャップを均一に維持す
るとともに、補助容量としても機能する。従って、前述
した第1の実施の形態と同様な作用効果を得ることがで
きる。
According to the liquid crystal display device configured as described above, the columnar spacer is provided between the source electrode and the counter electrode of each TFT, and the columnar spacer is provided between the array substrate and the counter substrate. , And also functions as an auxiliary capacitor. Therefore, the same function and effect as those of the first embodiment can be obtained.

【0095】更に、第4の実施の形態によれば、各柱状
スペーサ40の柱体42は、TFT17のソース電極2
7上に直接形成されていることから、ソース電極に対し
て高精度に位置決めすることができる。従って、柱状ス
ペーサに起因する開口率の低下を一層低減し、コントラ
ストおよび表示品位の向上を図ることができる。
Further, according to the fourth embodiment, the pillars 42 of each pillar spacer 40 are connected to the source electrode 2 of the TFT 17.
7, the positioning can be performed with high accuracy with respect to the source electrode. Therefore, a decrease in the aperture ratio caused by the columnar spacer can be further reduced, and the contrast and the display quality can be improved.

【0096】図6は、この発明の第5の実施の形態に係
る液晶表示素子を示している。本実施の形態に係る液晶
表示素子は、カラーフィルタを形成するためのアクリル
樹脂の積層体により各柱状スペーサ40の柱体42を構
成している点、および、画素電極の一部をTFT上まで
延出し、この延出部上に柱状スペーサを配置した点にお
いて、上述した第1の実施の形態と相違している。
FIG. 6 shows a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. The liquid crystal display element according to the present embodiment has a structure in which the pillars 42 of the respective columnar spacers 40 are formed by a laminate of acrylic resin for forming a color filter, and a part of the pixel electrode extends up to the TFT. The third embodiment is different from the first embodiment in that a columnar spacer is arranged on the extension portion.

【0097】すなわち、各柱状スペーサ40の柱体42
は、対向基板12に形成されたカラーフィルタ22の内
面からほぼ垂直に延出した角柱形状を有している。この
柱体42は、カラーフィルタ22を形成する際に、赤
色、緑色、青色、黒色のアクリル樹脂を順に積層するこ
とにより形成されている。そして、柱体42は、カラー
フィルタ22側の端を除き、ITOからなる対向電極2
3、ポリイミドからなる配向膜20によって覆われてい
る。
That is, the column 42 of each columnar spacer 40
Has a prismatic shape extending substantially perpendicularly from the inner surface of the color filter 22 formed on the counter substrate 12. The pillars 42 are formed by sequentially stacking red, green, blue, and black acrylic resins when forming the color filters 22. The column body 42 is formed on the opposite electrode 2 made of ITO except for the end on the color filter 22 side.
3. Covered with an alignment film 20 made of polyimide.

【0098】また、アレイ基板10側において、ITO
からなる各画素電極28は、TFT17上に延出した延
出部28aを有している。そして、柱体42の延出端
は、画素電極28の延出部28a上に位置し、対向電極
23、配向膜20を介して、アレイ基板側の配向膜24
に接触している。
Further, on the side of the array substrate 10, ITO
Each of the pixel electrodes 28 has an extension 28 a extending above the TFT 17. The extending end of the pillar 42 is located on the extending portion 28 a of the pixel electrode 28, and the alignment film 24 on the array substrate side is disposed via the counter electrode 23 and the alignment film 20.
Is in contact with

【0099】これにより、TFT17上に位置した画素
電極28の延出部28aと対向基板12上の柱体42と
の間に対向電極23およびポリイミドの配向膜20、2
4が挟まれている。そして、ポリイミドは誘電体である
から、画素電極28の延出部28a、ポリイミド配向膜
20、24、および柱体42の積層体は、補助容量機能
を有する柱状スペーサ40を構成している。
Thus, the opposing electrode 23 and the polyimide alignment films 20 and 2 are located between the extension 28 a of the pixel electrode 28 located on the TFT 17 and the column 42 on the opposing substrate 12.
4 is sandwiched. Since the polyimide is a dielectric, the laminate of the extension 28a of the pixel electrode 28, the polyimide alignment films 20, 24, and the column 42 constitutes a columnar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0100】なお、液晶表示素子の他の構成は、前述し
た第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一
の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。次に、
以上のように構成された第5の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法について説明する。
The other structure of the liquid crystal display device is the same as that of the first embodiment described above, and the same portions are denoted by the same reference characters and will not be described in detail. next,
A method for manufacturing the liquid crystal display device according to the fifth embodiment configured as described above will be described.

【0101】まず、第1の実施の形態と同様な方法によ
り、アレイ基板10のガラス基板33上に、ゲート線3
2、ゲート絶縁膜35、信号線16、TFT17等を形
成する。続いて、TFT17上に、厚さ800オングス
トロームの酸化シリコンの保護層25を形成する。
First, the gate lines 3 are formed on the glass substrate 33 of the array substrate 10 by the same method as in the first embodiment.
2. The gate insulating film 35, the signal line 16, the TFT 17 and the like are formed. Subsequently, a protective layer 25 of silicon oxide having a thickness of 800 Å is formed on the TFT 17.

【0102】その後、ゲート絶縁膜35上にITOから
なる画素電極28を形成する。その際、画素電極28の
一部をTFT17上にも形成し、延出部28aを構成す
る。一方、対向基板12については、ガラス基板21上
にカラーフィルタ22を形成する。この場合、まず、ガ
ラス基板21上に赤色の顔料を分散させたアクリル系レ
ジストを印刷し、赤色のカラーフィルタ及び柱状スペー
サ40を形成する部分に紫外光を照射する。その後、ア
クリル系レジストを有機アルカリ系現像液で現像し、非
露光部のレジストを除去する。
Thereafter, a pixel electrode 28 made of ITO is formed on the gate insulating film 35. At this time, a part of the pixel electrode 28 is also formed on the TFT 17 to form the extension 28a. On the other hand, for the counter substrate 12, a color filter 22 is formed on a glass substrate 21. In this case, first, an acrylic resist in which a red pigment is dispersed is printed on the glass substrate 21, and a portion where the red color filter and the columnar spacer 40 are to be formed is irradiated with ultraviolet light. Thereafter, the acrylic resist is developed with an organic alkaline developer to remove the resist in the non-exposed areas.

【0103】これにより、ガラス基板21上に赤色のパ
ターンが形成される。続いて、同様な方法により、ガラ
ス基板21上に緑色、青色、黒色のパ夕ーンを順次形成
し、ブラックマトリックスを含みカラーフィルタ22を
形成する。
As a result, a red pattern is formed on the glass substrate 21. Subsequently, green, blue, and black patterns are sequentially formed on the glass substrate 21 by the same method, and a color filter 22 including a black matrix is formed.

【0104】また、柱状スペーサを形成する部分には、
赤色、緑色、青色、黒色のアクリル樹脂が順に重ねら
れ、高さ3.5ミクロンの台形柱状の柱体42が形成さ
れる。その後、スパッタによりカラーフィルタ22およ
び柱体42上にITO膜を形成し、対向電極23とす
る。
In addition, in the portion where the columnar spacer is formed,
Red, green, blue, and black acrylic resins are sequentially stacked to form a trapezoidal column 42 having a height of 3.5 microns. After that, an ITO film is formed on the color filter 22 and the pillars 42 by sputtering to form a counter electrode 23.

【0105】続いて、TFT17の形成されたアレイ基
板10上、および、カラーフィルタ22、対向電極2
3、柱体42の形成された対向基板12上に、配向膜2
4、20として可溶性ポリイミド(日本合成ゴム社製A
L−1051)をそれぞれ印刷し、ホットプレートを用
いて80℃で1分間焼成し後、さらにN2 オーブン中で
180℃、30分間焼成して溶剤を揮発させる。形成さ
れたポリイミドの厚さは500オングストロームであっ
た。その後、ポリイミド膜をラビング処理して配向膜2
4、20とする。
Subsequently, on the array substrate 10 on which the TFT 17 is formed, the color filter 22, the counter electrode 2
3. An alignment film 2 is formed on the opposite substrate 12 on which the pillars 42 are formed.
Soluble polyimide (A manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.)
L-1051) was printed and baked at 80 ° C. for 1 minute using a hot plate, and then baked at 180 ° C. for 30 minutes in a N2 oven to evaporate the solvent. The thickness of the formed polyimide was 500 angstroms. After that, the polyimide film is subjected to a rubbing treatment so that the alignment film 2 is formed.
4, 20.

【0106】次に、対向基板12のガラス基板21周辺
部に、直径5μmのファイバーを混ぜたエポキシ系シー
ル材を塗布した後、対向基板12をアレイ基板12と対
向配置する。そして、これらの基板の正確に位置合わ
し、2枚の基板を加圧した状態でオーブンに入れ、16
0℃で2時間加熱する。これにより、シール材を完全に
硬化させ、アレイ基板10と対向基板12とを貼り合わ
せる。
Next, an epoxy-based sealing material mixed with a fiber having a diameter of 5 μm is applied to the periphery of the glass substrate 21 of the opposing substrate 12, and the opposing substrate 12 is arranged so as to face the array substrate 12. Then, these substrates are accurately aligned, and the two substrates are placed in an oven while being pressed.
Heat at 0 ° C. for 2 hours. As a result, the sealing material is completely cured, and the array substrate 10 and the counter substrate 12 are bonded to each other.

【0107】この状態において、アレイ基板10の各T
FT17上に形成された画素電極28の延出部28aと
対向基板12上の柱体42との間には、対向電極23お
よびポリイミド配向膜24、20が挟まれる。そして、
ポリイミドは誘電体であることから、延出部28a、ポ
リイミド配向膜24、20、および柱体42からなる積
層体は、補助容量機能を有する柱状スペーサ40を構成
する。
In this state, each T of the array substrate 10 is
Between the extension 28a of the pixel electrode 28 formed on the FT 17 and the column 42 on the counter substrate 12, the counter electrode 23 and the polyimide alignment films 24 and 20 are sandwiched. And
Since polyimide is a dielectric, a laminate composed of the extended portions 28a, the polyimide alignment films 24 and 20, and the pillars 42 forms a pillar spacer 40 having an auxiliary capacitance function.

【0108】本実施の形態において、各柱状スペーサ4
0は、縦15μ、横15μ、高さ3.5μの四角柱で、
容量0.1pFのコンデンサーを構成している。最後
に、アレイ基板10と対向基板12との間のセルギャッ
プに、カイラルネマティック液晶材料を注入することに
より、対角9インチのTN液晶表示素子が完成する。
In the present embodiment, each columnar spacer 4
0 is a square prism having a height of 15μ, a width of 15μ, and a height of 3.5μ,
A capacitor having a capacitance of 0.1 pF is formed. Finally, a chiral nematic liquid crystal material is injected into a cell gap between the array substrate 10 and the opposing substrate 12 to complete a TN liquid crystal display element having a diagonal of 9 inches.

【0109】上記のように構成された液晶表示素子によ
れば、各TFT上に延出した画素電極の延出部と対向電
極との間に柱状スペーサが設けられ、これらの柱状スペ
ーサは、アレイ基板と対向基板との間のセイルギャップ
を均一に維持するとともに、補助容量としても機能す
る。そして、柱状スペーサは、非表示領域となるTFT
上に設けられていることから、前述した第1の実施の形
態と同様な作用効果を得ることができる。
According to the liquid crystal display device configured as described above, the columnar spacer is provided between the extension of the pixel electrode extending on each TFT and the counter electrode, and these columnar spacers are arranged in an array. The sail gap between the substrate and the counter substrate is maintained uniform, and also functions as an auxiliary capacitor. The columnar spacer is a non-display area TFT
Since it is provided above, it is possible to obtain the same operation and effect as in the first embodiment described above.

【0110】更に、第5の実施の形態によれば、各柱状
スペーサ40の柱体42は、カラーフィルタの形成と同
時に形成されるため、柱体を形成するための独立したメ
ッキ工程を必要とせず、生産性の向上を図ることができ
る。
Further, according to the fifth embodiment, since the pillars 42 of each pillar spacer 40 are formed simultaneously with the formation of the color filters, an independent plating step for forming the pillars is required. And productivity can be improved.

【0111】なお、第5の実施の形態において、柱状ス
ペーサ40の柱体42は、カラーフィルタ材料の積層体
に限らず、第1あるいは第3の実施の形態と同様に、銅
あるいはカーボン粒子を含有したシロキサン等の導電体
によって形成されていてもよい。
In the fifth embodiment, the column 42 of the columnar spacer 40 is not limited to the laminate of the color filter material, but may be made of copper or carbon particles as in the first or third embodiment. It may be formed of a conductor such as siloxane contained therein.

【0112】また、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、上述した実施の形態においては、スイッ
チング素子として薄膜トランジスタを用いたが、これに
限らず、薄膜ダイオード等の他のスイッチング素子を用
いてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, a thin film transistor is used as a switching element. However, the present invention is not limited to this, and another switching element such as a thin film diode may be used.

【0113】[0113]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
画素電極に印加された電圧を保持するための補助容量と
して機能する柱状スペーサを、スイッチング素子上に配
置することにより、外力が作用した場合でもセルギャッ
プを均一に維持できるとともに、開口率およびコントラ
ストが高く、表示品位も良好な液晶表示素子を、安価に
提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
By arranging the columnar spacer functioning as an auxiliary capacitor for holding the voltage applied to the pixel electrode on the switching element, the cell gap can be maintained uniform even when an external force acts, and the aperture ratio and contrast can be reduced. A high-quality liquid crystal display element with good display quality can be provided at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る液晶表示素子
のアレイ基板を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing an array substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】上記の実施の形態に係る液晶表示素子の断面
図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display element according to the above embodiment.

【図3】本発明の第2の実施の形態に係る液晶表示素子
の断面図。
FIG. 3 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施例に係る液晶表示素子の断
面図。
FIG. 4 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施例に係る液晶表示素子の断
面図。
FIG. 5 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施例に係る液晶表示素子の断
面図。
FIG. 6 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…アレイ基板 12…対向基板 14…液晶層 16…信号線 17…薄膜トランジスタ 20、24…配向膜 22…カラーフィルタ 23…対向電極 25…保護膜 26…ドレイン電極 27…ソース電極 28…画素電極 28a…延出部 30…チャネル保護膜 32…ゲート線 35…ゲート絶縁膜 40…柱状スペーサ 42…柱体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Array substrate 12 ... Counter substrate 14 ... Liquid crystal layer 16 ... Signal line 17 ... Thin film transistor 20, 24 ... Alignment film 22 ... Color filter 23 ... Counter electrode 25 ... Protective film 26 ... Drain electrode 27 ... Source electrode 28 ... Pixel electrode 28a ... Extension part 30 ... Channel protective film 32 ... Gate line 35 ... Gate insulating film 40 ... Column spacer 42 ... Column

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】画素電極、および上記画素電極を駆動する
スイッチング素子を有する第1の基板と、 対向電極を有し上記第1の基板に対向配置された第2の
基板と、 上記第1および第2の基板間に封入された液晶層と、を
備え、 上記スイッチング素子と対向電極とが対向する領域に、
誘電体層を含み補助容量を形成する柱状スペーサを設け
たことを特徴とする液晶表示素子。
A first substrate having a pixel electrode and a switching element for driving the pixel electrode; a second substrate having a counter electrode disposed opposite to the first substrate; A liquid crystal layer sealed between the second substrates, and in a region where the switching element and the counter electrode face each other,
A liquid crystal display device comprising a columnar spacer including a dielectric layer and forming an auxiliary capacitor.
【請求項2】上記画素電極は上記スイッチング素子上に
延出した延出部を有し、上記柱状スペーサは、上記延出
部と対向電極との間に設けられていることを特徴とする
請求項1に記載の液晶表示素子。
2. The pixel electrode according to claim 1, wherein said pixel electrode has an extension extending above said switching element, and said columnar spacer is provided between said extension and said counter electrode. Item 2. A liquid crystal display device according to item 1.
【請求項3】上記対向基板は、対向電極と対向して設け
られたカラーフィルタを備え、 上記柱状スペーサは、上記カラーフィルタから延出して
いるとともにカラーフィルタ材料を積層して形成された
柱体を有し、上記柱体の延出端は、誘電体層を介して上
記画素電極の延出部に接触していることを特徴とする請
求項2に記載の液晶表示素子。
3. The opposing substrate includes a color filter provided so as to oppose an opposing electrode, and the columnar spacer extends from the color filter and is formed by laminating a color filter material. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein an extension end of the column is in contact with an extension of the pixel electrode via a dielectric layer.
【請求項4】画素電極、およびソース電極を介して上記
画素電極に電気的に接続されたスイッチング素子を有す
る第1の基板と、 対向電極を有し上記第1の基板に対向配置された第2の
基板と、 上記第1および第2の基板間に封入された液晶層と、を
備え、 上記ソース電極と対向電極とが対向する領域に、誘電体
層を含み補助容量を形成する柱状スペーサを設けたこと
を特徴とする液晶表示素子。
4. A first substrate having a pixel element and a switching element electrically connected to the pixel electrode via a source electrode, and a first substrate having a counter electrode and disposed opposite to the first substrate. And a liquid crystal layer sealed between the first and second substrates. A column spacer including a dielectric layer and forming an auxiliary capacitor in a region where the source electrode and the counter electrode face each other. A liquid crystal display device comprising:
【請求項5】上記柱状スペーサは、上記対向電極から延
出しているとともに導電体により形成された柱体を有
し、上記柱体の延出端は、誘電体層を介して上記ソース
電極に接触していることを特徴とする請求項4に記載の
液晶表示素子。
5. The columnar spacer has a columnar body extending from the counter electrode and formed of a conductor, and an extended end of the columnar body is connected to the source electrode via a dielectric layer. The liquid crystal display element according to claim 4, wherein the liquid crystal display element is in contact with the liquid crystal display element.
【請求項6】上記柱状スペーサは、誘電体層を介して上
記ソース電極に接触した一端と、誘電体層を介して上記
対向電極に接触した他端とを有する柱体を備えているこ
とを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
6. A method according to claim 1, wherein said columnar spacer includes a column having one end in contact with said source electrode via a dielectric layer and another end in contact with said counter electrode via a dielectric layer. 5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein:
【請求項7】上記柱状スペーサは、上記ソース電極から
延出しているとともに導電体により形成された柱体を有
し、上記柱体の延出端は、誘電体層を介して上記対向電
極に接触していることを特徴とする請求項4に記載の液
晶表示素子。
7. The columnar spacer has a columnar body extending from the source electrode and formed of a conductor, and an extended end of the columnar body is connected to the counter electrode via a dielectric layer. The liquid crystal display element according to claim 4, wherein the liquid crystal display element is in contact with the liquid crystal display element.
【請求項8】上記対向基板は、対向電極と対向して設け
られたカラーフィルタを備え、 上記柱状スペーサは、上記カラーフィルタから延出して
いるとともにカラーフィルタ材料を積層して形成された
柱体を有し、上記柱体の延出端は、誘電体層を介して上
記ソース電極に接触していることを特徴とする請求項4
に記載の液晶表示素子。
8. The opposing substrate includes a color filter provided to oppose an opposing electrode, and the columnar spacer extends from the color filter and is formed by laminating a color filter material. 5. An extended end of the pillar is in contact with the source electrode via a dielectric layer.
3. The liquid crystal display device according to item 1.
【請求項9】上記誘電体層は、上記スイッチング素子お
よび画素電極を覆った配向膜と、上記対向電極を覆った
配向膜と、を含んでいることを特徴とする請求項1ない
し8のいずれか1項に記載の液晶表示素子。
9. The dielectric layer according to claim 1, wherein the dielectric layer includes an alignment film covering the switching element and the pixel electrode, and an alignment film covering the counter electrode. 2. The liquid crystal display device according to claim 1.
JP22826396A 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display device Pending JPH1068955A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22826396A JPH1068955A (en) 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22826396A JPH1068955A (en) 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1068955A true JPH1068955A (en) 1998-03-10

Family

ID=16873741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22826396A Pending JPH1068955A (en) 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1068955A (en)

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000000864A1 (en) * 1998-06-30 2000-01-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uniform cell-gap spacing in lcd
US6392735B1 (en) 1999-09-29 2002-05-21 Nec Corporation Liquid crystal display apparatus with sealing element including conductive spacers
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
JP2002357837A (en) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US6504592B1 (en) 1999-06-16 2003-01-07 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
KR100386826B1 (en) * 1999-06-17 2003-06-09 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Liquid-crystal display panel and method for manufacturing same
US6638781B1 (en) 1999-07-06 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
SG108919A1 (en) * 2002-05-24 2005-02-28 Seiko Epson Corp Transflective liquid crystal device and electronic apparatus using the same
US6864945B2 (en) 2000-08-30 2005-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US6909115B2 (en) 1999-05-14 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device applying to the crystalline semiconductor film
US6911670B2 (en) * 2000-12-14 2005-06-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
JP2006011238A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Kyocera Corp Liquid crystal display
US7002659B1 (en) 1999-11-30 2006-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal panel and liquid crystal projector
US7009203B2 (en) 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
KR100724661B1 (en) * 2001-09-21 2007-06-04 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display
US7245345B2 (en) 2000-11-27 2007-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display device, manufacturing method of the same, and liquid crystal display device having the same
JP2007188083A (en) * 2006-01-11 2007-07-26 Samsung Electronics Co Ltd Color filter substrate and liquid crystal display panel having the same
US7330234B2 (en) 1999-05-14 2008-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7429751B2 (en) 2000-01-20 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP2010061073A (en) * 2008-09-08 2010-03-18 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display device
US7697106B2 (en) 2000-01-14 2010-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
WO2013001984A1 (en) * 2011-06-27 2013-01-03 シャープ株式会社 Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US8859353B2 (en) 1999-07-06 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9589518B2 (en) 2013-09-06 2017-03-07 Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. Display device
JP2018032054A (en) * 2006-09-29 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
WO2018128107A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 シャープ株式会社 Curved display panel
WO2018128106A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 シャープ株式会社 Curved display panel
WO2020015325A1 (en) * 2018-07-16 2020-01-23 惠科股份有限公司 Array substrate, display panel and manufacturing method therefor
US11088171B2 (en) 2018-07-16 2021-08-10 HKC Corporation Limited Array substrate, display panel and method of manufacturing the same
CN116107120A (en) * 2023-03-13 2023-05-12 厦门天马微电子有限公司 Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6743650B2 (en) 1997-05-22 2004-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
US8854593B2 (en) 1997-05-22 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
WO2000000864A1 (en) * 1998-06-30 2000-01-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uniform cell-gap spacing in lcd
US8026518B2 (en) 1999-05-14 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US7696514B2 (en) 1999-05-14 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device having a column-like spacer
US7391055B1 (en) 1999-05-14 2008-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device and manufacturing method thereof
US6909115B2 (en) 1999-05-14 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device applying to the crystalline semiconductor film
US7330234B2 (en) 1999-05-14 2008-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6504592B1 (en) 1999-06-16 2003-01-07 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US6812986B2 (en) 1999-06-16 2004-11-02 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US8049848B2 (en) 1999-06-16 2011-11-01 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US7212270B2 (en) 1999-06-16 2007-05-01 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US7612848B2 (en) 1999-06-16 2009-11-03 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
KR100386826B1 (en) * 1999-06-17 2003-06-09 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Liquid-crystal display panel and method for manufacturing same
US9343570B2 (en) 1999-07-06 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9052551B2 (en) 1999-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US8859353B2 (en) 1999-07-06 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US7173281B2 (en) 1999-07-06 2007-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9069215B2 (en) 1999-07-06 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US7605902B2 (en) 1999-07-06 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9395584B2 (en) 1999-07-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6638781B1 (en) 1999-07-06 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9786787B2 (en) 1999-07-06 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6392735B1 (en) 1999-09-29 2002-05-21 Nec Corporation Liquid crystal display apparatus with sealing element including conductive spacers
US7002659B1 (en) 1999-11-30 2006-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal panel and liquid crystal projector
US7697106B2 (en) 2000-01-14 2010-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7429751B2 (en) 2000-01-20 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7298450B2 (en) 2000-08-30 2007-11-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR100544554B1 (en) * 2000-08-30 2006-01-24 샤프 가부시키가이샤 Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US7538840B2 (en) 2000-08-30 2009-05-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US6864945B2 (en) 2000-08-30 2005-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US7426009B2 (en) 2000-11-27 2008-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display device, manufacturing method of the same, and liquid crystal display device having the same
US7245345B2 (en) 2000-11-27 2007-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display device, manufacturing method of the same, and liquid crystal display device having the same
US7425165B2 (en) 2000-12-14 2008-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for manufacturing organic EL device having conductive interface pad
US7009203B2 (en) 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
US6911670B2 (en) * 2000-12-14 2005-06-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
JP2002357837A (en) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100724661B1 (en) * 2001-09-21 2007-06-04 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display
SG108919A1 (en) * 2002-05-24 2005-02-28 Seiko Epson Corp Transflective liquid crystal device and electronic apparatus using the same
US7321409B2 (en) 2002-05-24 2008-01-22 Seiko Epson Corporation Transflective liquid crystal device and electronic apparatus using the same
US6977701B2 (en) 2002-05-24 2005-12-20 Seiko Epson Corporation Transflective liquid crystal device and electronic apparatus using the same
JP2006011238A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Kyocera Corp Liquid crystal display
JP2007188083A (en) * 2006-01-11 2007-07-26 Samsung Electronics Co Ltd Color filter substrate and liquid crystal display panel having the same
TWI705287B (en) * 2006-09-29 2020-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 Liquid crystal display device
JP2024028628A (en) * 2006-09-29 2024-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 liquid crystal display device
JP2024111117A (en) * 2006-09-29 2024-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device
JP2018032054A (en) * 2006-09-29 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
JP2024103518A (en) * 2006-09-29 2024-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor Device
JP2024028629A (en) * 2006-09-29 2024-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 liquid crystal display device
JP2010061073A (en) * 2008-09-08 2010-03-18 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display device
WO2013001984A1 (en) * 2011-06-27 2013-01-03 シャープ株式会社 Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US9589518B2 (en) 2013-09-06 2017-03-07 Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. Display device
WO2018128106A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 シャープ株式会社 Curved display panel
WO2018128107A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 シャープ株式会社 Curved display panel
US11088171B2 (en) 2018-07-16 2021-08-10 HKC Corporation Limited Array substrate, display panel and method of manufacturing the same
WO2020015325A1 (en) * 2018-07-16 2020-01-23 惠科股份有限公司 Array substrate, display panel and manufacturing method therefor
CN116107120A (en) * 2023-03-13 2023-05-12 厦门天马微电子有限公司 Display panel, manufacturing method thereof, and display device
CN116107120B (en) * 2023-03-13 2025-03-18 厦门天马微电子有限公司 Display panel and manufacturing method thereof, and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3580767B2 (en) Liquid crystal display panel, manufacturing method and driving method thereof
US7130001B2 (en) Method of fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure
JP3289099B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP3472422B2 (en) Liquid crystal device manufacturing method
US7369207B2 (en) Liquid crystal display with spacer positioned within a hole of a pixel electrode and a fabricating method thereof
KR100460472B1 (en) Liquid crystal display
US6801293B1 (en) Method for manufacturing an in-plane electric field mode liquid crystal element
US7710530B2 (en) Color filter substrate and display apparatus using the same
KR100396823B1 (en) Active matrix liquid crystal display device
US7209200B2 (en) Reflective and transflective liquid crystal display devices and a fabricating method thereof
CN100510920C (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7505096B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP5015434B2 (en) Horizontal electric field type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US7248312B2 (en) Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
KR20080099412A (en) Liquid crystal display panel and its manufacturing method
US7499142B2 (en) Manufacturing apparatus of liquid crystal display and manufacturing method of liquid crystal display using the same
JP2002328385A (en) Liquid crystal display
US7570336B2 (en) Display device with piezoelectric material and method for fabricating the same
JP2002148624A (en) Liquid crystal display device, color filter, and method for producing them
JPH0718996B2 (en) Liquid crystal display
JP3532735B2 (en) Liquid crystal display
JP4298055B2 (en) Liquid crystal panel and manufacturing method thereof
JP4473214B2 (en) Manufacturing method of horizontal electric field type liquid crystal display device
JP3645348B2 (en) Liquid crystal electro-optical device
JP2000310793A (en) Liquid crystal element