JPH1069808A - 反射鏡 - Google Patents

反射鏡

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JPH1069808A
JPH1069808A JP8224922A JP22492296A JPH1069808A JP H1069808 A JPH1069808 A JP H1069808A JP 8224922 A JP8224922 A JP 8224922A JP 22492296 A JP22492296 A JP 22492296A JP H1069808 A JPH1069808 A JP H1069808A
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JP
Japan
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film
visible light
multilayer film
silicon
selective multilayer
Prior art date
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Pending
Application number
JP8224922A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Komura
侑 小村
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AGC Techno Glass Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射基体の温度上昇を抑制し可視光が後方側
に洩れないようにしながら良好な配光特性を有するよう
にした反射鏡を提供する。 【解決手段】 透光性材料である硬質ガラスで成形さ
れ、回転放物面をなす内表面15に赤外線透過可視光反
射の選択多層膜16を被着した反射基体14が、その外
表面19全体に半導体膜であるシリコン膜20を50n
m〜2μmの膜厚となるように被着しているので、ハロ
ゲン電球12を点灯した際に可視光は選択多層膜16に
よって前方に反射され、また選択多層膜16が被着され
ていない部分27では反射基体14を透過した後にシリ
コン膜20に吸収される。一方、赤外光は選択多層膜1
6、反射基体14、シリコン膜20を透過して後方に放
射されることになり、後方側に可視光は洩れず、反射基
体14の温度上昇が抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線透過可視光
反射の選択多層膜を反射基体に設けてなる反射鏡に関す
る。
【0002】
【従来の技術】周知の通り、例えば投影器や店舗用照明
装置あるいは医療用照明装置等の投光照明装置は、図3
に第1の従来例として示すように所定形状をなすガラス
製反射基体1の回転放物面の内面に、高屈折率材料でな
る高屈折率薄膜と低屈折率材料でなる低屈折率薄膜とを
交互に積層するようにして形成された赤外線透過可視光
反射の選択多層膜2を設けて反射鏡3を構成し、この反
射鏡3の中央部分にハロゲン電球4を接着剤5で固定す
ることによって構成されている。そしてハロゲン電球4
を点灯することで可視光が選択多層膜2で反射されて前
方に投射され、赤外線が選択多層膜2を透過し反射基体
1の後方に放射される。
【0003】しかし、反射鏡3にはハロゲン電球4が固
定される部分の周囲に、通常数ミリの間隔で選択多層膜
2が被着されていない部分6が形成されてしまう。その
ため、ハロゲン電球4を点灯した場合に前方に可視光が
投射されると共に選択多層膜2が被着されていない部分
6から可視光の一部が後方側に洩れてしまうという問題
が生じる。
【0004】このような問題に対し、特開昭61−71
502号公報には図4に部分断面図を示す第2の従来例
の反射鏡が示されている。反射鏡はアルミニウム製の基
板7の表面に黒色塗装8を施し、その上に選択反射膜9
を被着するようにして構成されている。そして、このよ
うに構成することで選択反射膜9で可視光の多くを前方
に反射すると共に、赤外光のほとんどを後方に透過させ
て塗装8部分に吸収させ、塗装8に吸収された熱をアル
ミニウム製の基板7の背面から外気に放熱するようにし
たものが示されている。
【0005】しかしながら上記の従来技術においては、
基板7がアルミニウム製であるために熱伝導率が良く、
点灯することによって基板7の温度が高くなってしまう
虞があり、また基板7は通常プレス加工によって形成さ
れるので加工コストが比較的高いものになってしまう。
さらに、反射面が形成される基板7の面には加工時の跡
が残り、このままの状態で塗装8を施し、さらに選択反
射膜9を被着し反射面を形成した場合には加工跡による
乱反射によって良好な配光特性を得ることができなかっ
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
一部可視光が後方側に洩れないようにすると共に、反射
基体の温度上昇を低く押さえることができ、また配光特
性が良好で加工コストの低廉な反射鏡を提供することに
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の反射鏡は、反射
基体の片側表面に赤外線透過可視光反射の選択多層膜が
形成されてなる反射鏡において、反射基体が、透光性材
料で形成されていると共に、選択多層膜が形成された面
とは反対側の反射基体の他側表面の少なくとも一部に半
導体膜が被着されていることを特徴とするものであり、
さらに、半導体膜が、シリコン膜またはゲルマニウム膜
であることを特徴とするものであり、さらに、半導体膜
が、シリコン膜とゲルマニウム膜を交互に積層した交互
積層膜であることを特徴とするものであり、さらに、半
導体膜が、シリコンとゲルマニウムの混合物膜であるこ
とを特徴とするものであり、さらに、半導体膜は、膜厚
が50nm〜2μmであることを特徴とするものであ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
及び図2を参照して説明する。図1は縦断面図であり、
図2はシリコン膜の分光特性図である。
【0009】図1及び図2において、11は光源にハロ
ゲン電球12を使用した投光照明装置であり、13はハ
ロゲン電球12の背後に対設された反射鏡である。反射
鏡13は、前方向への反射を行う内面が回転放物面をな
すよう硬質ガラスで一体に成形された反射基体14によ
って構成され、その凹形状をなす内表面15には選択多
層膜16が被着されている。また反射鏡13は、その後
部に口金筒部17が突設されており、この口金筒部17
にはハロゲン電球12を取り付けるための取付孔18が
形成されている。さらに反射鏡13には、口金筒部17
を含む外表面19の全体に半導体膜であるシリコン膜2
0が真空蒸着法によって50nm〜2μmの膜厚となる
ように被着されている。なお、シリコン膜20の形成は
真空蒸着法によらず、スッパッタ法やCVD法、ディッ
ピング法によって行ってもよい。
【0010】一方、ハロゲン電球12は、石英ガラス等
の耐熱性ガラスからなるバルブ21内にタングステンコ
イルフィラメント22を封装し、その一端を圧潰封止し
て封止部23としている。そして、ハロゲン電球12は
発光部分のタングステンコイルフィラメント22を反射
基体14の凹形状部分内に位置させるようにし、封止部
23を取付孔18に挿入し、耐熱性接着剤24により接
着、固定することによって反射鏡13に取り付けられて
いる。なお、25はハロゲン電球12のタングステンコ
イルフィラメント22の両端に接続された導線で、封止
部23から導出され口金筒部17の先端部から露出する
外部端子26に接続されている。
【0011】また、反射鏡13に設けられた選択多層膜
16は、反射基体14の凹形状をなす内表面15に真空
蒸着法によって、高屈折率膜の二酸化チタン膜と低屈折
率膜の二酸化けい素膜を、真空蒸着法で所定膜厚となる
よう交互に膜厚を正確に制御するようにして積層して形
成された24層の赤外線透過可視光反射の二酸化チタン
系の多層膜である。この高屈折率膜と低屈折率膜とを交
互に、それぞれ所定の膜厚として積層した選択多層膜1
6では、光の干渉作用が発生して冷光である可視光を反
射し赤外線を透過する。
【0012】また、このような選択多層膜16は、二酸
化チタン膜と二酸化けい素膜がそれぞれの光学的膜厚を
1/4λとした交互層設計に基づくものであり、その構
成は 反射基体・(HL)6 λ1 ・(HL)6 λ2 ・空気 となっており、ここで、Hは二酸化チタン膜による高屈
折率膜、Lは二酸化けい素膜による低屈折率膜、λは設
計波長でλ1 が長波長(600nm)側を、λ2 が短波
長(450nm)側を表す。
【0013】そして、二酸化チタン膜及び二酸化けい素
膜の形成及びシリコン膜20の形成には真空蒸着法を用
い、その蒸着条件は、 真空度:2.67×10−1 〜1.07×10−3 Pa 散乱ガス:アルゴン 反射基体の蒸着面温度:150〜200℃ 蒸発源:抵抗加熱または電子銃 であり、蒸着処理後は電気炉中にて350℃〜550
℃、1時間の熱処理を施して定着させている。選択多層
膜16の各膜の形成は、先ず、図示しないが同一の蒸着
装置のチャンバ内に二酸化チタンと二酸化けい素の各蒸
発源を分離配置し、同じチャンバ内に複数個の反射基体
14を凹形状の内表面15が蒸発源に対向するように配
置する。その後、反応室内を所定圧力となるように減圧
すると共に所定温度となるように加熱し、二酸化チタン
と二酸化けい素を交互に蒸発させ、24層の二酸化チタ
ン膜と二酸化けい素膜の交互膜を中間膜の表面に積層す
る。同様にシリコン膜20の形成についても、先ず、図
示しないが蒸着装置のチャンバ内にシリコンの蒸発源を
配置し、同じチャンバ内に複数個の反射基体14を外表
面19が蒸発源に対向するように配置する。その後、反
応室内を所定圧力となるように減圧すると共に所定温度
となるように加熱し、シリコンを蒸発させてシリコン膜
20を反射基体14の外表面19に成膜する。
【0014】このように構成されたものでは、ハロゲン
電球12を点灯することでタングステンコイルフィラメ
ント22で発せられた光の可視光が、反射基体14の凹
形状内表面15に形成された選択多層膜16で反射され
前方向に投射され、赤外線が選択多層膜16を透過し反
射基体14の後方側に放射される。しかし、反射基体1
4の内表面15に形成された選択多層膜16は、反射鏡
13に固定されたハロゲン電球12の周囲に第1の従来
例におけると同様に、数ミリの間隔で被着されていない
部分27が形成されたものとなっている。そして選択多
層膜16が被着されていない部分27に到達した光のう
ちの可視光は、前方向に反射されずに後方向に向かい反
射基体14を透過して洩れ出ようとするが、反射基体1
4の外表面に選択多層膜16が被着されていない部分2
7を通過してくる光の光路を遮断するよう被着されたシ
リコン膜20に吸収され、反射鏡13の後方側に洩れ出
ることがない。一方、赤外光は可視光と共に反射基体1
4を透過しシリコン膜20に至が、図2のシリコン膜の
分光特性図に示すように、赤外光はシリコン膜20を透
過し、反射基体14の後方側に放射される。この結果、
反射基体14は赤外光によって加熱されない。
【0015】また、反射基体14は内表面15が回転放
物面となるよう硬質ガラスによって一体に成形されたも
のであり、これに要する成形型も比較的安価で、成形加
工等も容易に行うことができて低廉な加工コストのもと
に加工精度の良い内表面15を得ることができ、この内
表面15に被着された選択多層膜16により反射された
可視光の配光特性も良好なものとなる。
【0016】なお、上記の実施形態ではシリコン膜20
を反射基体14の外表面19の全体に被着したが、選択
多層膜16が被着されていない部分27を通過してくる
光の光路を遮断するよう被着して反射基体14の後方側
に可視光が洩れ出ることがないよう一部に設けても良
く、またシリコン膜20に代えてゲルマニウム膜を所定
膜厚となるように被着してもよい。さらに、シリコン膜
20に代えてシリコン膜とゲルマニウム膜を交互に積層
してなる交互積層膜、あるいはシリコンとゲルマニウム
の混合物膜を被着するようにしてもよい。
【0017】またさらに、上記においてシリコン膜20
の被着膜厚を50nm〜2μmの範囲で設定したが、こ
れより膜厚が薄いと吸収量が少なく可視光は透過して後
方向への可視光洩れが生じ、また膜厚が厚いと膜にクラ
ックが生じてしまい良好な可視光の遮断膜とならない。
したがってこれらの特性を考慮すると、シリコン膜のよ
り好ましい範囲は、125nm〜250nmである。な
おまた、シリコン膜20を反射基体14の内表面15に
形成するようにした場合には、反射基体14と選択多層
膜16の間にシリコン膜20が形成されることになり、
選択多層膜16の付着強度が弱くなり実用に適さず、口
金筒部17では取付孔18内面と接着剤24の間にシリ
コン膜20が被着されている状態になるため、ハロゲン
電球12の接着強度が弱くなり同じく実用に適さない。
【0018】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、片側表面に赤外線透過可視光反射の選択多層膜が形
成された反射基体を透光性材料で形成すると共に、他側
表面に半導体膜を被着する構成としたことにより、反射
基体の温度上昇を抑制しながら可視光の後方側への洩れ
を低減することができ、さらに良好な配光特性が低廉な
加工コストのもとに得られる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る投光照明装置を示す
断面図である。
【図2】本発明の一実施形態におけるシリコン膜の分光
特性図である。
【図3】第1の従来例に係る投光照明装置の断面図であ
る。
【図4】第2の従来例の部分断面図である。
【符号の説明】
12…ハロゲン電球 13…反射鏡 14…反射基体 15…内表面 16…選択多層膜 19…外表面 20…シリコン膜 27…被着されていない部分

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反射基体の片側表面に赤外線透過可視光
    反射の選択多層膜が形成されてなる反射鏡において、前
    記反射基体が、透光性材料で形成されていると共に、前
    記選択多層膜が形成された面とは反対側の前記反射基体
    の他側表面の少なくとも一部に半導体膜が被着されてい
    ることを特徴とする反射鏡。
  2. 【請求項2】 半導体膜が、シリコン膜またはゲルマニ
    ウム膜であることを特徴とする請求項1記載の反射鏡。
  3. 【請求項3】 半導体膜が、シリコン膜とゲルマニウム
    膜を交互に積層した交互積層膜であることを特徴とする
    請求項1記載の反射鏡。
  4. 【請求項4】 半導体膜が、シリコンとゲルマニウムの
    混合物膜であることを特徴とする請求項1記載の反射
    鏡。
  5. 【請求項5】 半導体膜は、膜厚が50nm〜2μmで
    あることを特徴とする請求項1記載の反射鏡。
JP8224922A 1996-08-27 1996-08-27 反射鏡 Pending JPH1069808A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010084546A1 (ja) * 2009-01-20 2010-07-29 パナソニック株式会社 照明装置
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