JPH1069871A - 偏向装置 - Google Patents
偏向装置Info
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- JPH1069871A JPH1069871A JP9173616A JP17361697A JPH1069871A JP H1069871 A JPH1069871 A JP H1069871A JP 9173616 A JP9173616 A JP 9173616A JP 17361697 A JP17361697 A JP 17361697A JP H1069871 A JPH1069871 A JP H1069871A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
- H01J2237/0264—Shields magnetic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 偏向装置のシールドが、製造が容易でコンパ
クトな構造となることを目的とする。 【解決手段】 荷電粒子線(2) のための、特に、荷電粒
子装置のための対物レンズに設けられた偏向装置(6)
は、荷電粒子線(2) に作用する磁場を生成するための偏
向手段(60)と、渦電流を回避するために偏向手段を囲み
且つ生成された磁場を案内するシールド(61)と、を有す
る。シールド(61)は荷電粒子線(2) の方向に対して横切
るように少なくとも１つの軟磁性層(61a) よりなり、こ
の軟磁性層(61a) は、好ましくは、ストリップ材より形
成され且つ電気的絶縁層(61b) と共に円筒状に巻かれ
る。
クトな構造となることを目的とする。 【解決手段】 荷電粒子線(2) のための、特に、荷電粒
子装置のための対物レンズに設けられた偏向装置(6)
は、荷電粒子線(2) に作用する磁場を生成するための偏
向手段(60)と、渦電流を回避するために偏向手段を囲み
且つ生成された磁場を案内するシールド(61)と、を有す
る。シールド(61)は荷電粒子線(2) の方向に対して横切
るように少なくとも１つの軟磁性層(61a) よりなり、こ
の軟磁性層(61a) は、好ましくは、ストリップ材より形
成され且つ電気的絶縁層(61b) と共に円筒状に巻かれ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線のため
の偏向装置、荷電粒子線装置及びそのような偏向装置を
供えた対物レンズ装置に関する。
の偏向装置、荷電粒子線装置及びそのような偏向装置を
供えた対物レンズ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線装置、ここでは特に、走査型
顕微鏡のような電子線装置、電子線リソグラフィー装置
及び電子線テスタでは、荷電粒子線を迅速に偏向するこ
とが可能でなければならない。これは、画像化動作の
間、表面を走査するために及び電子線リソグラフィー装
置にて構造生成の為に必要である。電子線走査を可能な
限り迅速に実行することの目的は、第一に、迅速に画像
を造るためであり、第２に、電子線リソグラフィー装置
にて可能な限り迅速に構造生成するためである。
顕微鏡のような電子線装置、電子線リソグラフィー装置
及び電子線テスタでは、荷電粒子線を迅速に偏向するこ
とが可能でなければならない。これは、画像化動作の
間、表面を走査するために及び電子線リソグラフィー装
置にて構造生成の為に必要である。電子線走査を可能な
限り迅速に実行することの目的は、第一に、迅速に画像
を造るためであり、第２に、電子線リソグラフィー装置
にて可能な限り迅速に構造生成するためである。
【０００３】ビームの偏向では、磁気的な偏向と静電的
偏向の間には基本的な差異が生成される。
偏向の間には基本的な差異が生成される。
【０００４】磁気的偏向器は真空部の外側に配置されて
よく、そのため、相対的に言えば、問題が無い荷電粒子
線装置に集積化することができるという利点を有する。
しかしながら、磁気的偏向器近くの導電体材によって生
成される渦電流は損害を引き起こす結果をもたらす。こ
の渦電流によって、磁気的偏向器の磁場に対して反作用
的な偏向場が生成される。この渦電流は高周波になるほ
ど増加するから、磁気的偏向器は、その周波数挙動にお
ける高偏向周波数に制限される。
よく、そのため、相対的に言えば、問題が無い荷電粒子
線装置に集積化することができるという利点を有する。
しかしながら、磁気的偏向器近くの導電体材によって生
成される渦電流は損害を引き起こす結果をもたらす。こ
の渦電流によって、磁気的偏向器の磁場に対して反作用
的な偏向場が生成される。この渦電流は高周波になるほ
ど増加するから、磁気的偏向器は、その周波数挙動にお
ける高偏向周波数に制限される。
【０００５】他方、静電気的偏向器はその周波数挙動に
おいて制限されない。電場は荷電粒子線近くの電極によ
って生成される。しかしながら、この電極の欠点は、電
極が汚染されること及び絶縁皮膜層が形成されることに
ある。これが荷電粒子線によって荷電されると制御不能
なビーム偏向をもたらす。このため、磁気的偏向器は、
一般に、周波数挙動によって許される範囲で、好まし
い。
おいて制限されない。電場は荷電粒子線近くの電極によ
って生成される。しかしながら、この電極の欠点は、電
極が汚染されること及び絶縁皮膜層が形成されることに
ある。これが荷電粒子線によって荷電されると制御不能
なビーム偏向をもたらす。このため、磁気的偏向器は、
一般に、周波数挙動によって許される範囲で、好まし
い。
【０００６】これまで、渦電流の影響を可能な限り制限
し及び／又は最小化するために多大の努力がなされてき
た。一般に渦電流には次の２つの形態がある。
し及び／又は最小化するために多大の努力がなされてき
た。一般に渦電流には次の２つの形態がある。
【０００７】（１）渦電流の第１の形態は、ビームライ
ナー管内に生成され、このビームライナー管は偏向装置
をビームから分離し、又偏向器内に配置されている。こ
の影響を最小化するために、管の壁の厚さを可能な限り
薄くし及び／又は管を導電性に乏しい材料より形成す
る。
ナー管内に生成され、このビームライナー管は偏向装置
をビームから分離し、又偏向器内に配置されている。こ
の影響を最小化するために、管の壁の厚さを可能な限り
薄くし及び／又は管を導電性に乏しい材料より形成す
る。
【０００８】更に或る製造方法では、電気的絶縁管が使
用される。この絶縁管はビームに面する側にて薄い導電
性層によって皮膜され、それによって荷電粒子線による
荷電が回避される。両方とも、渦電流を減衰させるため
に、渦電流に対する電気抵抗を可能なかぎり高くしてい
る。
用される。この絶縁管はビームに面する側にて薄い導電
性層によって皮膜され、それによって荷電粒子線による
荷電が回避される。両方とも、渦電流を減衰させるため
に、渦電流に対する電気抵抗を可能なかぎり高くしてい
る。
【０００９】（２）渦電流の第２の形態は、偏向装置の
外側の偏向装置を囲む材料にて発生する。この材料は、
例えば、偏向装置が磁気レンズの内孔に配置されている
場合、磁気レンズの鉄製の周囲によって形成される。そ
こで、偏向電流は周囲の固体の導電性材料内に渦電流を
生成するが、この磁場は偏向場を弱める。
外側の偏向装置を囲む材料にて発生する。この材料は、
例えば、偏向装置が磁気レンズの内孔に配置されている
場合、磁気レンズの鉄製の周囲によって形成される。そ
こで、偏向電流は周囲の固体の導電性材料内に渦電流を
生成するが、この磁場は偏向場を弱める。
【００１０】これらの外側の渦電流を回避するために、
偏向装置にシールドを設けることが実際に行われてい
る。このシールドは通常、フェライト製の円筒部材によ
って形成される。フェライト製円筒部材は、高透磁率を
有し同時に電気的絶縁性を有するから、磁束を案内する
正の特性を有する。このため、それらは外側の磁場を担
持し、この磁場を、場が周囲材を貫通することなしに、
偏向装置の反対側の磁気コイル半体へ導く。フェライト
材は非導電性であるから、渦電流は、フェライト製円筒
部材にも周囲材にも、一般にレンズ体にも、生成されな
い。
偏向装置にシールドを設けることが実際に行われてい
る。このシールドは通常、フェライト製の円筒部材によ
って形成される。フェライト製円筒部材は、高透磁率を
有し同時に電気的絶縁性を有するから、磁束を案内する
正の特性を有する。このため、それらは外側の磁場を担
持し、この磁場を、場が周囲材を貫通することなしに、
偏向装置の反対側の磁気コイル半体へ導く。フェライト
材は非導電性であるから、渦電流は、フェライト製円筒
部材にも周囲材にも、一般にレンズ体にも、生成されな
い。
【００１１】しかしながら、フェライト製のシールドは
製造が非常に困難であるという欠点を有する。実質的
に、それは単に研磨されることができるだけである。更
に、このようなシールドのために存在する設置空間は比
較的小さく、シールドはできるだけ薄いことが好まし
い。しかしながら、製造性が低いために、フェライト材
によって薄いシールドを製造するのは極めて困難であ
る。最後に、フェライト材は、一般に、高い残留磁気を
有する。そのため、磁場を切断した後も残留場が残り、
そのために荷電粒子線の偏向の制御が不能となる。
製造が非常に困難であるという欠点を有する。実質的
に、それは単に研磨されることができるだけである。更
に、このようなシールドのために存在する設置空間は比
較的小さく、シールドはできるだけ薄いことが好まし
い。しかしながら、製造性が低いために、フェライト材
によって薄いシールドを製造するのは極めて困難であ
る。最後に、フェライト材は、一般に、高い残留磁気を
有する。そのため、磁場を切断した後も残留場が残り、
そのために荷電粒子線の偏向の制御が不能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、上
記の欠点を回避し特に製造が容易な偏向装置のためのシ
ールドを提供するという目的に基づいている。
記の欠点を回避し特に製造が容易な偏向装置のためのシ
ールドを提供するという目的に基づいている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的は、特許請求の
範囲１、６、１３、１４、１５及び１６項の特徴部によ
って特徴づけられる本発明によって達成される。
範囲１、６、１３、１４、１５及び１６項の特徴部によ
って特徴づけられる本発明によって達成される。
【００１４】本発明による第１の解決手段によると、シ
ールドは荷電粒子線の方向に対して横断するように、少
なくとも１つの軟磁性層及び電気的絶縁層よりなる。
ールドは荷電粒子線の方向に対して横断するように、少
なくとも１つの軟磁性層及び電気的絶縁層よりなる。
【００１５】本発明による第２の解決手段によると、シ
ールドは１つの軟磁性の且つ電気的絶縁性のストリップ
材よりなり、これは円筒形状に巻かれている。
ールドは１つの軟磁性の且つ電気的絶縁性のストリップ
材よりなり、これは円筒形状に巻かれている。
【００１６】軟磁性層はストリップ材として形成されて
いるから、シールドは巻かれたパッケージとして特別に
容易に製造されることができる。このシールドの壁の厚
さは、特に、シールドされる磁場に依存する。
いるから、シールドは巻かれたパッケージとして特別に
容易に製造されることができる。このシールドの壁の厚
さは、特に、シールドされる磁場に依存する。
【００１７】特に、薄い円筒部材が軟磁性ストリップ材
によって製造され、従ってシールドは狭い空間条件下に
て好適に使用されることができる。
によって製造され、従ってシールドは狭い空間条件下に
て好適に使用されることができる。
【００１８】本発明の更なる例は、特許請求の範囲の従
属項の内容にあり、以下の例に関する記述及び図面によ
って詳細に説明されよう。
属項の内容にあり、以下の例に関する記述及び図面によ
って詳細に説明されよう。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１には荷電粒子線装置１が示さ
れ、この荷電粒子線装置１によって荷電粒子線２の束、
例えば、電子線の束が光学的コラム３内に生成される。
この光学的コラム３は、複数の磁気レンズ及び／又は電
界レンズ及びビーム成形のためのダイヤフラム（図示無
し）の他に、荷電粒子線２を生成するためのソース４と
荷電粒子線２を試験片７上に焦点合わせするための対物
レンズ５を有する。
れ、この荷電粒子線装置１によって荷電粒子線２の束、
例えば、電子線の束が光学的コラム３内に生成される。
この光学的コラム３は、複数の磁気レンズ及び／又は電
界レンズ及びビーム成形のためのダイヤフラム（図示無
し）の他に、荷電粒子線２を生成するためのソース４と
荷電粒子線２を試験片７上に焦点合わせするための対物
レンズ５を有する。
【００２０】荷電粒子線２を偏向するための偏向装置６
が対物レンズ５内に設けられ、これは、例えば、試験片
７を走査するときに必要である。更に、試験片７から放
出された荷電粒子を受けるための検出器８が、対物レン
ズ５上に設けられている。更に、必要な場合には、ブラ
ンキング装置９が設けられてよい。
が対物レンズ５内に設けられ、これは、例えば、試験片
７を走査するときに必要である。更に、試験片７から放
出された荷電粒子を受けるための検出器８が、対物レン
ズ５上に設けられている。更に、必要な場合には、ブラ
ンキング装置９が設けられてよい。
【００２１】対物レンズ５は実質的に、本例の場合、単
極レンズとして形成された磁気レンズ５０と磁気レンズ
内に配置された電界レンズ５１よりなる。電界レンズは
２つの電極を有し、これらの電極には異なる電圧が印加
されており、荷電粒子、例えば、電子はこの電界レンズ
の場にて、第１のエネルギから第２のより低いエネルギ
へ減速されることができる。図示の例では、第１の電極
はビーム管５１ａによって形成され、第２の電極は接地
された内側のポールピース５０ａの下端によって形成さ
れている。しかしながら、第２の電極は別個の電極とし
て形成されることも可能である。
極レンズとして形成された磁気レンズ５０と磁気レンズ
内に配置された電界レンズ５１よりなる。電界レンズは
２つの電極を有し、これらの電極には異なる電圧が印加
されており、荷電粒子、例えば、電子はこの電界レンズ
の場にて、第１のエネルギから第２のより低いエネルギ
へ減速されることができる。図示の例では、第１の電極
はビーム管５１ａによって形成され、第２の電極は接地
された内側のポールピース５０ａの下端によって形成さ
れている。しかしながら、第２の電極は別個の電極とし
て形成されることも可能である。
【００２２】磁気レンズ５０は内側のポールピース５０
ａと外側のポールピース５０ｂからなり、この外側のポ
ールピース５０ｂは図示の例の場合、部分的に円錐状に
形成されている。磁気レンズ５０を励磁するための界磁
コイル５０ｃが設けられている。
ａと外側のポールピース５０ｂからなり、この外側のポ
ールピース５０ｂは図示の例の場合、部分的に円錐状に
形成されている。磁気レンズ５０を励磁するための界磁
コイル５０ｃが設けられている。
【００２３】検出器８が光学的コラム３の光軸の横側に
配置され、この検出器８は両側の２つの検出要素を含
む。これとは別に、検出器はそれ自身既知の態様に、例
えば、シンチレータによって又は２次荷電粒子スペクト
ロメータとして設計されてよい。
配置され、この検出器８は両側の２つの検出要素を含
む。これとは別に、検出器はそれ自身既知の態様に、例
えば、シンチレータによって又は２次荷電粒子スペクト
ロメータとして設計されてよい。
【００２４】詳細に図示されていないが他の例では、検
出器８は光学的コラム３の光軸と同軸的に配置されてよ
い。
出器８は光学的コラム３の光軸と同軸的に配置されてよ
い。
【００２５】適用例に依存するが、検出器は更に小さく
分割された検出面を有してよく、各検出面の出力信号は
互いに別個に処理される。
分割された検出面を有してよく、各検出面の出力信号は
互いに別個に処理される。
【００２６】偏向装置６は、磁気レンズ５０の内側に
て、内側のポールピース５０ａによって形成された内壁
とビーム管５１ａの間に配置されている。偏向装置の更
に詳細な構造は、図２及び図３を参照して以下に詳細に
説明する。
て、内側のポールピース５０ａによって形成された内壁
とビーム管５１ａの間に配置されている。偏向装置の更
に詳細な構造は、図２及び図３を参照して以下に詳細に
説明する。
【００２７】本発明によると、偏向装置６は荷電粒子線
２に対して作用する磁場を生成するための偏向手段６０
と渦電流を回避するためのシールド６１よりなり、この
シールドは偏向手段６０を囲み且つ形成された外側の磁
場を案内する。
２に対して作用する磁場を生成するための偏向手段６０
と渦電流を回避するためのシールド６１よりなり、この
シールドは偏向手段６０を囲み且つ形成された外側の磁
場を案内する。
【００２８】偏向手段６０は例えば、サドルコイル又は
トロイドによって形成されている。
トロイドによって形成されている。
【００２９】シールド６１は、荷電粒子線２の方向を横
切るように、少なくとも１つの軟磁性層６１ａと電気的
絶縁層６１ｂよりなる。２つの層６１ａ、６１ｂは、好
ましくは、幾つかの層が重なるように、円筒形状に巻か
れている。図示の例では、シールドは、２つの軟磁性層
６１ａと２つの電気的絶縁層６１ｂよりなる。
切るように、少なくとも１つの軟磁性層６１ａと電気的
絶縁層６１ｂよりなる。２つの層６１ａ、６１ｂは、好
ましくは、幾つかの層が重なるように、円筒形状に巻か
れている。図示の例では、シールドは、２つの軟磁性層
６１ａと２つの電気的絶縁層６１ｂよりなる。
【００３０】もし軟磁性層６１ａがストリップ材として
形成されているなら、特に簡単な製造工程を達成するこ
とができる。電気的絶縁層６１ｂは、例えば、プラスチ
ック材によって形成され、接着層として軟磁性層６１ａ
上に装着される。しかしながら、２つの層を接着する他
の方法、例えば、蒸着又は同様な工程が考えられてよ
い。電気的絶縁層の厚さは、好ましくは１００μｍ以下
である。
形成されているなら、特に簡単な製造工程を達成するこ
とができる。電気的絶縁層６１ｂは、例えば、プラスチ
ック材によって形成され、接着層として軟磁性層６１ａ
上に装着される。しかしながら、２つの層を接着する他
の方法、例えば、蒸着又は同様な工程が考えられてよ
い。電気的絶縁層の厚さは、好ましくは１００μｍ以下
である。
【００３１】図３は図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断
面図であり、磁気レンズ５０の内側のポールピース５０
ａが付加的に表されている。偏向場は、偏向装置によっ
てビーム管５１ａの内側に生成され、図３の例による
と、偏向場の線６０ａによって表されている。偏向手段
６０及びシールド６１は、形成された磁場（磁場の線６
０ｂ）がシールド６１によって担持され、偏向手段６０
の他方の側に案内されるように、設計され且つ配置され
なければならない。
面図であり、磁気レンズ５０の内側のポールピース５０
ａが付加的に表されている。偏向場は、偏向装置によっ
てビーム管５１ａの内側に生成され、図３の例による
と、偏向場の線６０ａによって表されている。偏向手段
６０及びシールド６１は、形成された磁場（磁場の線６
０ｂ）がシールド６１によって担持され、偏向手段６０
の他方の側に案内されるように、設計され且つ配置され
なければならない。
【００３２】磁気レンズ、例えば、内側のポールピース
５０ａとシールド６１の間の距離ａが小さ過ぎると、内
側のポールピース５０ａへの好ましくない場の転移が起
きることがあり、これは破線で描かれた転移の場の線６
０ｃによって示されている。シールド６１の壁の厚さが
小さ過ぎてシールド６１内に飽和が起きると同様な結果
が生じる。
５０ａとシールド６１の間の距離ａが小さ過ぎると、内
側のポールピース５０ａへの好ましくない場の転移が起
きることがあり、これは破線で描かれた転移の場の線６
０ｃによって示されている。シールド６１の壁の厚さが
小さ過ぎてシールド６１内に飽和が起きると同様な結果
が生じる。
【００３３】内側のポールピース５０ａは大きくて重
く、導電性材料よりなるから、偏向場（場の線６０ａ）
に対して反作用をなす場の転移が起きる場合に、好まし
くない渦電流が形成される。ポールピース５０ａの内側
に好ましくない場（場の線６０ｃ）が形成されることを
阻止するために、シールド６１ｃの壁の厚さは偏向手段
６０によって生成される磁場に対して次のような状態と
なるように構成される。即ち、一方では、シールド内に
飽和が起きない、他方では、距離ａは十分大きな値に選
択されなければならない。しかしながら、ポールピース
５０ａ内の小さな設置空間は、この２つの条件に反す
る。
く、導電性材料よりなるから、偏向場（場の線６０ａ）
に対して反作用をなす場の転移が起きる場合に、好まし
くない渦電流が形成される。ポールピース５０ａの内側
に好ましくない場（場の線６０ｃ）が形成されることを
阻止するために、シールド６１ｃの壁の厚さは偏向手段
６０によって生成される磁場に対して次のような状態と
なるように構成される。即ち、一方では、シールド内に
飽和が起きない、他方では、距離ａは十分大きな値に選
択されなければならない。しかしながら、ポールピース
５０ａ内の小さな設置空間は、この２つの条件に反す
る。
【００３４】その結果、本発明によると、シールドのた
めの軟磁性材は、それ自身、高い相対透磁率及び高い飽
和誘導性によって特徴づけられるのもが推奨される。
めの軟磁性材は、それ自身、高い相対透磁率及び高い飽
和誘導性によって特徴づけられるのもが推奨される。
【００３５】特に、軟磁性材として、鉄−コバルト−ニ
ッケル合金が使用されることができる。
ッケル合金が使用されることができる。
【００３６】本発明によるシールド６１のために、特
に、相対透磁率がμr ＞１００００及び０．２Ｔ以上の
飽和誘導性を有する軟磁性材が考慮に入れられる。
に、相対透磁率がμr ＞１００００及び０．２Ｔ以上の
飽和誘導性を有する軟磁性材が考慮に入れられる。
【００３７】高い残留磁気は、今まで使用されてきたフ
ェライト製シールドに対して、特に欠陥的結果をもたら
す、即ち、磁場を切断した後に残留場が残る結果とな
る。この問題は、保磁場の強さが４Ａ／ｍ以下である軟
磁性材が使用されるとき、ある程度減少させることがで
きる。
ェライト製シールドに対して、特に欠陥的結果をもたら
す、即ち、磁場を切断した後に残留場が残る結果とな
る。この問題は、保磁場の強さが４Ａ／ｍ以下である軟
磁性材が使用されるとき、ある程度減少させることがで
きる。
【００３８】本発明に基づいた試験では、厚さが５００
μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下の軟磁性ストリッ
プ材が使用される場合に、特に好ましいことが明らかに
なった。このストリップ材は、簡単な態様にて、絶縁層
と共に円筒形状に巻かれ、この巻き数は、十分な飽和容
量が達成されるように大きな値に選択される。
μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下の軟磁性ストリッ
プ材が使用される場合に、特に好ましいことが明らかに
なった。このストリップ材は、簡単な態様にて、絶縁層
と共に円筒形状に巻かれ、この巻き数は、十分な飽和容
量が達成されるように大きな値に選択される。
【００３９】もし偏向装置が荷電粒子線装置の対物レン
ズに使用されるなら、１ｍｍ以下の壁の厚さを有するシ
ールドはこのようにして達成されることができる。これ
らの壁の厚さは通常のフェライト製円筒部材と比較して
小さいため、偏向装置は実質的によりコンパクトな構造
を達成することができる。
ズに使用されるなら、１ｍｍ以下の壁の厚さを有するシ
ールドはこのようにして達成されることができる。これ
らの壁の厚さは通常のフェライト製円筒部材と比較して
小さいため、偏向装置は実質的によりコンパクトな構造
を達成することができる。
【００４０】本発明の第２の例によると、シールドは軟
磁性ストリップ材によって形成され、これは電気的絶縁
性があり且つ円筒形に巻かれている。このシールドで
は、同様に、生成された磁場に対する十分な飽和容量が
得られるようなシールドを製造するために、多数の巻き
付けが使用される。
磁性ストリップ材によって形成され、これは電気的絶縁
性があり且つ円筒形に巻かれている。このシールドで
は、同様に、生成された磁場に対する十分な飽和容量が
得られるようなシールドを製造するために、多数の巻き
付けが使用される。
【００４１】
【発明の効果】本発明によるシールドは極めて簡単な製
造工程とコンパクトな構造を特徴とする。コンパクトな
構造という特徴のため、偏向装置は荷電粒子線装置の対
物レンズに設置されると都合良い。そこは比較的小さな
設置空間のみが可能である。
造工程とコンパクトな構造を特徴とする。コンパクトな
構造という特徴のため、偏向装置は荷電粒子線装置の対
物レンズに設置されると都合良い。そこは比較的小さな
設置空間のみが可能である。
【図１】本発明による荷電粒子線装置の概略図である。
【図２】本発明による偏向装置概略図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図であ
る。
る。
１ 荷電粒子線装置 ２ 粒子線 ３ 光学コラム ４ ソース ５ 対物レンズ ６ 偏向装置 ７ 試験片 ８ 検出器 ９ ブランキング装置 ５０ 磁気レンズ ５０ａ、５０ｂ ポールピース ５０ｃ 界磁コイル ５１ 電界レンズ ５１ａ ビーム管 ６０ 偏向手段 ６０ａ 偏向場 ６０ｂ 磁場 ６０ｃ 転移した場 ６１ シールド ６１ａ 軟磁性層 ６１ｂ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラインホルト シュミット ドイツ連邦共和国、81739 ミュンヘン、 ヨセフ・キーフェル・ヴェーク ６ (72)発明者 シュテファン ラニオ ドイツ連邦共和国、85435 エルディンク、 グライウィッツェル シュトラーセ 59 (72)発明者 トーマス ヤジンスキ ドイツ連邦共和国、80538 ミュンヘン、 レルヘンフェルト シュトラーセ 15
Claims (16)
- 【請求項１】 荷電粒子線に作用する磁場を生成するた
めの偏向手段(60)と、渦電流を回避するために上記偏向
手段を囲み上記生成された外側の磁場を案内するシール
ド(61)と、を有する荷電粒子線(2) のための偏向装置
(6) において、 上記シールド(61)は上記荷電粒子線(2) の方向に対して
横切るように少なくとも１つの軟磁性層(61a) と電気的
絶縁層(61b) とよりなることを特徴とする偏向装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の偏向装置において、上記
シールド(61)は円筒状に形成されていることを特徴とす
る偏向装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の偏向装置において、上記
軟磁性層(61a) は上記電気的絶縁層(61b) と共に円筒形
状に巻かれたストリップ材として形成されていることを
特徴とする偏向装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の偏向装置において、上記
軟磁性層(61a) に鉄−コバルト−ニッケル合金が使用さ
れていることを特徴とする偏向装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の偏向装置において、上記
電気的絶縁層(61b) の層の厚さは１００μｍ以下である
ことを特徴とする偏向装置。 - 【請求項６】 荷電粒子線に作用する磁場を生成するた
めの偏向手段(60)と、渦電流を回避するために上記偏向
手段を囲み上記生成された外側の磁場を案内するシール
ド(61)と、を有する荷電粒子線(2) のための偏向装置
(6) において、 上記シールド(61)は円筒形状に巻かれた軟磁性の且つ電
気的絶縁性のストリップ材よりなることを特徴とする偏
向装置。 - 【請求項７】 請求項１又６記載の偏向装置において、
上記軟磁性層(61a) の厚さは５００μｍ以下、好ましく
は１００μｍ以下であることを特徴とする偏向装置。 - 【請求項８】 請求項１又６記載の偏向装置において、
上記軟磁性層(61a) の相対透磁率μr は１００００より
高いことを特徴とする偏向装置。 - 【請求項９】 請求項１又６記載の偏向装置において、
上記シールド(61)の壁の厚さは１ｍｍ以下であることを
特徴とする偏向装置。 - 【請求項１０】 請求項１又６記載の偏向装置におい
て、上記軟磁性層(61a) の保磁場の強さは４Ａ／ｍ以下
であることを特徴とする偏向装置。 - 【請求項１１】 請求項１又６記載の偏向装置におい
て、上記軟磁性層(61a) の飽和誘導は０．２Ｔ以上であ
ることを特徴とする偏向装置。 - 【請求項１２】 請求項１又６記載の偏向装置におい
て、上記層の巻き数は、生成された外側の磁場のため
に、上記シールド(61)内に飽和が起きないように、十分
大きな値に選択されていることを特徴とする偏向装置。 - 【請求項１３】 荷電粒子線(2) を焦点合わせするため
の磁気レンズ(50)と上記磁気レンズ(50)内に配置された
偏向装置(6) とを有し、該偏向装置(6) は、磁気偏向場
を生成するための偏向手段(60)と、渦電流を回避するた
めに上記偏向手段を囲み上記生成さた外側の磁気偏向場
を案内するシールド(61)と、を有するように構成された
荷電粒子線装置(1) のための対物レンズ装置(5) におい
て、 上記シールド(61)は上記荷電粒子線(2) の方向に対して
横切るように少なくとも１つの軟磁性層(61a) と電気的
絶縁層(61b) とよりなることを特徴とする対物レンズ装
置。 - 【請求項１４】 荷電粒子線(2) を焦点合わせするため
の磁気レンズ(50)と上記磁気レンズ(50)内に配置された
偏向装置(6) とを有し、該偏向装置(6) は、磁気偏向場
を生成するための偏向手段(60)と、渦電流を回避するた
めに上記偏向手段を囲み上記生成さた外側の磁気偏向場
を案内するシールド(61)と、を有するように構成された
荷電粒子線装置(1) のための対物レンズ装置(5) におい
て、 上記シールド(61)は円筒形状に巻かれた軟磁性の且つ電
気的絶縁性のストリップ材よりなることを特徴とする対
物レンズ装置。 - 【請求項１５】 荷電粒子線(2) を生成するためのソー
ス(4) と対物レンズ(5)とを有し、該対物レンズ(5)
は、荷電粒子線(2) を焦点合わせするための磁気レンズ
(50)と、上記磁気レンズ(50)内に配置された偏向装置
(6) とを有し、該偏向装置(6) は、磁気偏向場を生成す
るための偏向手段(60)と、渦電流を回避するために上記
偏向手段を囲み上記生成さた外側の磁気偏向場を案内す
るシールド(61)と、を有するように構成された荷電粒子
線装置(1) において、 上記シールド(61)は上記荷電粒子線(2) の方向に対して
横切るように少なくとも１つの軟磁性層(61a) と電気的
絶縁層(61b) とよりなることを特徴とする荷電粒子線装
置。 - 【請求項１６】 荷電粒子線(2) を生成するためのソー
ス(4) と対物レンズ(5)とを有し、該対物レンズ(5)
は、荷電粒子線(2) を焦点合わせするための磁気レンズ
(50)と上記磁気レンズ(50)内に配置された偏向装置(6)
とを有し、該偏向装置(6) は、磁気偏向場を生成するた
めの偏向手段(60)と、渦電流を回避するために上記偏向
手段を囲み上記生成さた外側の磁気偏向場を案内するシ
ールド(61)と、を有するように構成された荷電粒子線装
置(1) において、 上記シールド(61)は円筒形状に巻かれた軟磁性の且つ電
気的絶縁のストリップ材よりなることを特徴とする荷電
粒子線装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP96112018A EP0821392B1 (en) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Deflection system |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069871A true JPH1069871A (ja) | 1998-03-10 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9173616A Pending JPH1069871A (ja) | 1996-07-25 | 1997-06-30 | 偏向装置 |
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| EP (1) | EP0821392B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1069871A (ja) |
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- 1996-07-25 EP EP96112018A patent/EP0821392B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-16 US US08/876,876 patent/US5847399A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-30 JP JP9173616A patent/JPH1069871A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030716 |