JPH1070170A - 基板搬送装置 - Google Patents
基板搬送装置Info
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- JPH1070170A JPH1070170A JP8244047A JP24404796A JPH1070170A JP H1070170 A JPH1070170 A JP H1070170A JP 8244047 A JP8244047 A JP 8244047A JP 24404796 A JP24404796 A JP 24404796A JP H1070170 A JPH1070170 A JP H1070170A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査露光装置のスループットを向上させる。
【解決手段】 基板を実質水平に保持する基板保持部と
該基板保持部を水平および垂直方向に移動させる水平上
下部を有する移動アーム部と、該移動アーム部から前記
基板を受け取り前記基板を吸着保持する受け部を有し、
前記基板を保持して水平方向に走査する基板ステージ部
からなる基板搬送装置において、前記基板ステージ部が
水平方向に走査する時に、該基板ステージ部の受け部と
前記移動アーム部の基板保持部とが、上下方向に高さが
ずれて交差するように、前記基板ステージ部の受け部を
形成する。
該基板保持部を水平および垂直方向に移動させる水平上
下部を有する移動アーム部と、該移動アーム部から前記
基板を受け取り前記基板を吸着保持する受け部を有し、
前記基板を保持して水平方向に走査する基板ステージ部
からなる基板搬送装置において、前記基板ステージ部が
水平方向に走査する時に、該基板ステージ部の受け部と
前記移動アーム部の基板保持部とが、上下方向に高さが
ずれて交差するように、前記基板ステージ部の受け部を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクルや半導体
ウエハ等の基板を搬送する基板搬送装置に関し、特に走
査露光装置に用いられて前記基板を搬送したり投影光学
系に対して走査したりするための基板搬送装置に関す
る。
ウエハ等の基板を搬送する基板搬送装置に関し、特に走
査露光装置に用いられて前記基板を搬送したり投影光学
系に対して走査したりするための基板搬送装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一括露光方式の露光装置（ステッパ）で
は、投影光学系がレンズによって構成されている場合、
結像領域は円形状となる。しかしながら、半導体集積回
路は一般的に矩形形状であるため、一括露光の場合の転
写領域は、投影光学系の有する円の結像領域に内接する
矩形の領域となる。従って、最も大きな転写領域でも円
の直径の１／√２の辺の正方形である。これに対して、
投影光学系の有する円形状の結像領域のほぼ直径の寸法
を有するスリット形状の露光領域を用いて、レチクルと
ウエハとを同期させながら走査移動させることによっ
て、転写領域を拡大させる走査露光方式（ステップアン
ドスキャン方式）が提案されている。この方式では、同
一の大きさの結像領域を有する投影光学系を用いた場
合、投影レンズを用いて各転写領域ごとに一括露光を行
なうステップアンドリピート方式に比べてより大きな転
写領域を確保することができる。すなわち、走査方向に
対しては光学系による制限がなくなるので走査ステージ
のストローク分だけ確保することができ、走査方向に対
して直角な方向には概ね√２倍の転写領域を確保するこ
とができる。
は、投影光学系がレンズによって構成されている場合、
結像領域は円形状となる。しかしながら、半導体集積回
路は一般的に矩形形状であるため、一括露光の場合の転
写領域は、投影光学系の有する円の結像領域に内接する
矩形の領域となる。従って、最も大きな転写領域でも円
の直径の１／√２の辺の正方形である。これに対して、
投影光学系の有する円形状の結像領域のほぼ直径の寸法
を有するスリット形状の露光領域を用いて、レチクルと
ウエハとを同期させながら走査移動させることによっ
て、転写領域を拡大させる走査露光方式（ステップアン
ドスキャン方式）が提案されている。この方式では、同
一の大きさの結像領域を有する投影光学系を用いた場
合、投影レンズを用いて各転写領域ごとに一括露光を行
なうステップアンドリピート方式に比べてより大きな転
写領域を確保することができる。すなわち、走査方向に
対しては光学系による制限がなくなるので走査ステージ
のストローク分だけ確保することができ、走査方向に対
して直角な方向には概ね√２倍の転写領域を確保するこ
とができる。
【０００３】半導体集積回路を製造するための露光装置
は、高い集積度のチップの製造に対応するために、転写
領域の拡大と解像力の向上が望まれている。より小さい
投影光学系を採用できることは、光学性能上からも、コ
スト的にも有利であり、ステップアンドスキャン方式の
露光方法は、今後の露光装置の主流として注目されてい
る。
は、高い集積度のチップの製造に対応するために、転写
領域の拡大と解像力の向上が望まれている。より小さい
投影光学系を採用できることは、光学性能上からも、コ
スト的にも有利であり、ステップアンドスキャン方式の
露光方法は、今後の露光装置の主流として注目されてい
る。
【０００４】従来のステッパにおけるレチクルステージ
はＸＹ方向に微少ストロークしか動かなかったので、レ
チクルハンドはレチクルをレチクルステージに渡した状
態で動作終了（停止）させることができた。つまり、レ
チクルを渡した位置で次のレチクル交換の際のレチクル
受け取りまで待機することができた。しかしながら、走
査露光方式におけるレチクルステージは実素子パターン
の長さ方向の寸法以上の距離を動くので、レチクルをレ
チクルステージに渡した状態でレチクルハンドを停止し
たままにすると、レチクルステージの走査時ステージの
受け部とハンドが干渉する。このため、レチクルハンド
はレチクルを渡した後、走査時のレチクルステージと干
渉しない位置まで移動し、次にレチクル交換する際はそ
こからレチクル受け渡し位置まで戻してレチクルを受け
取る必要があり、露光装置のスループットを損ねるとい
う不都合があった。
はＸＹ方向に微少ストロークしか動かなかったので、レ
チクルハンドはレチクルをレチクルステージに渡した状
態で動作終了（停止）させることができた。つまり、レ
チクルを渡した位置で次のレチクル交換の際のレチクル
受け取りまで待機することができた。しかしながら、走
査露光方式におけるレチクルステージは実素子パターン
の長さ方向の寸法以上の距離を動くので、レチクルをレ
チクルステージに渡した状態でレチクルハンドを停止し
たままにすると、レチクルステージの走査時ステージの
受け部とハンドが干渉する。このため、レチクルハンド
はレチクルを渡した後、走査時のレチクルステージと干
渉しない位置まで移動し、次にレチクル交換する際はそ
こからレチクル受け渡し位置まで戻してレチクルを受け
取る必要があり、露光装置のスループットを損ねるとい
う不都合があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
例における問題点に鑑みてなされたもので、走査露光装
置に用いて、その露光装置のスループットを向上させる
ことが可能な基板搬送装置を提供することを目的とす
る。
例における問題点に鑑みてなされたもので、走査露光装
置に用いて、その露光装置のスループットを向上させる
ことが可能な基板搬送装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の基板搬送装置は、基板を実質水平に保持す
る基板保持部と該基板保持部を水平および垂直方向に移
動させる水平上下部を有する移動アーム部と、該移動ア
ーム部から前記基板を受け取り前記基板を吸着保持する
受け部を有し、前記基板を保持して水平方向に走査する
基板ステージ部を備え、前記基板ステージ部が水平方向
に走査する時に、該基板ステージ部の受け部と前記移動
アーム部の基板保持部とが、上下方向に高さがずれて交
差することを特徴とする。
め、本発明の基板搬送装置は、基板を実質水平に保持す
る基板保持部と該基板保持部を水平および垂直方向に移
動させる水平上下部を有する移動アーム部と、該移動ア
ーム部から前記基板を受け取り前記基板を吸着保持する
受け部を有し、前記基板を保持して水平方向に走査する
基板ステージ部を備え、前記基板ステージ部が水平方向
に走査する時に、該基板ステージ部の受け部と前記移動
アーム部の基板保持部とが、上下方向に高さがずれて交
差することを特徴とする。
【０００７】本発明の好ましい実施の形態において、前
記移動アーム部は、前記基板保持部を前記基板ステージ
部の上方から該基板ステージ部の受け部より下の位置ま
で下降することにより、該受け部に対し基板を受け渡
し、前記基板ステージ部は、前記移動アーム部が前記基
板受け渡し位置に停止した状態で走査できることを特徴
とする。そのため、前記基板ステージ部の受け部の側面
に切り欠き部を設け、該基板ステージ部の走査時に前記
移動アーム部の基板保持部を逃げるようにしている。
記移動アーム部は、前記基板保持部を前記基板ステージ
部の上方から該基板ステージ部の受け部より下の位置ま
で下降することにより、該受け部に対し基板を受け渡
し、前記基板ステージ部は、前記移動アーム部が前記基
板受け渡し位置に停止した状態で走査できることを特徴
とする。そのため、前記基板ステージ部の受け部の側面
に切り欠き部を設け、該基板ステージ部の走査時に前記
移動アーム部の基板保持部を逃げるようにしている。
【０００８】
【作用】本発明によれば、移動アーム部から基板ステー
ジ部に基板を受け渡した状態で基板ステージを走査した
時、基板ステージ部の受け部と前記移動アーム部の基板
保持部とを高さ方向にずらして交差させるようにしたた
め、移動アーム部の基板保持部を基板受け渡し位置で待
機させることができ、次の基板交換の際は、基板ステー
ジをその基板受け渡し位置に移動するだけで直ちに基板
ステージ部の受け部から移動アーム部の基板保持部への
基板の受渡ができ、基板交換時間を短縮することができ
る。
ジ部に基板を受け渡した状態で基板ステージを走査した
時、基板ステージ部の受け部と前記移動アーム部の基板
保持部とを高さ方向にずらして交差させるようにしたた
め、移動アーム部の基板保持部を基板受け渡し位置で待
機させることができ、次の基板交換の際は、基板ステー
ジをその基板受け渡し位置に移動するだけで直ちに基板
ステージ部の受け部から移動アーム部の基板保持部への
基板の受渡ができ、基板交換時間を短縮することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る露光装置を側方から
見た様子を模式的に示す図であり、図２は、その露光装
置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すよう
に、この露光装置は、レチクルステージ１上の原版のパ
ターンの一部を投影光学系２を介してウエハステージ３
上のウエハに投影し、投影光学系２に対し相対的にレチ
クルとウエハをＹ方向に同期走査することによりレチク
ルのパターンをウエハに露光するとともに、この走査露
光を、ウエハ上の複数の転写領域（ショット）に対し
て、繰り返し行なうためのステップ移動を介在させなが
ら行なうステップ・アンド・スキャン型の露光装置であ
る。
る。図１は本発明の一実施例に係る露光装置を側方から
見た様子を模式的に示す図であり、図２は、その露光装
置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すよう
に、この露光装置は、レチクルステージ１上の原版のパ
ターンの一部を投影光学系２を介してウエハステージ３
上のウエハに投影し、投影光学系２に対し相対的にレチ
クルとウエハをＹ方向に同期走査することによりレチク
ルのパターンをウエハに露光するとともに、この走査露
光を、ウエハ上の複数の転写領域（ショット）に対し
て、繰り返し行なうためのステップ移動を介在させなが
ら行なうステップ・アンド・スキャン型の露光装置であ
る。
【００１０】レチクルステージ１はリニアモータ４によ
ってＹ方向へ駆動し、ウエハステージ３のＸステージ３
ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆動し、Ｙステー
ジ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向へ駆動するよう
になっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レ
チクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向へ一定
の速度比率（例えば４：−１、なお、「−」は向きが逆
であることを示す）で駆動させることにより行なう。ま
た、Ｘ方向へのステップ移動はＸステージ３ａにより行
なう。Ｘステージ３ａには不図示のＺ−チルトステージ
が搭載され、その上にはウエハを保持する不図示のウエ
ハチャックが取り付けられている。
ってＹ方向へ駆動し、ウエハステージ３のＸステージ３
ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆動し、Ｙステー
ジ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向へ駆動するよう
になっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レ
チクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向へ一定
の速度比率（例えば４：−１、なお、「−」は向きが逆
であることを示す）で駆動させることにより行なう。ま
た、Ｘ方向へのステップ移動はＸステージ３ａにより行
なう。Ｘステージ３ａには不図示のＺ−チルトステージ
が搭載され、その上にはウエハを保持する不図示のウエ
ハチャックが取り付けられている。
【００１１】ウエハステージ３は、ステージ定盤７上に
設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１お
よび投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤
９は床等に載置されたベースフレーム１０上に３つのダ
ンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダン
パ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１お
よび投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤
９は床等に載置されたベースフレーム１０上に３つのダ
ンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダン
パ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
【００１２】また、この露光装置は、鏡筒定盤９とステ
ージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備
えている。
ージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備
えている。
【００１３】投光手段２１と受光手段２２は、ウエハス
テージ３上のウエハが投影光学系２のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤９に固定された投光
手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出する
ことにより投影光学系２の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。
テージ３上のウエハが投影光学系２のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤９に固定された投光
手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出する
ことにより投影光学系２の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。
【００１４】図１の装置においては、図示しないレーザ
干渉計光源から発せられた光がレチクルステージ用Ｙ方
向レーザ干渉計２４に導入される。そして、Ｙ方向レー
ザ干渉計２４に導入された光は、レーザ干渉計２４内の
ビームスプリッタ（不図示）によってレーザ干渉計２４
内の固定鏡（不図示）に向かう光とＹ方向移動鏡２６に
向かう光とに分けられる。Ｙ方向移動鏡２６に向かう光
は、Ｙ方向測長光路２５を通ってレチクルステージ４に
固設されたＹ方向移動鏡２６に入射する。ここで反射さ
れた光は再びＹ方向測長光路２５を通ってレーザ干渉計
２内のビームスプリッタに戻り、固定鏡で反射された光
と重ね合わされる。このときの光の干渉の変化を検出す
ることによりＹ方向の移動距離を測定する。このように
して計測された移動距離情報は、図示しない走査制御装
置にフィードバックされ、レチクルステージ４の走査位
置の位置決め制御がなされる。Ｙステージ３ｂも、同様
に、ウエハステージ用Ｙ方向レーザ干渉計２３による測
長結果に基づいて走査位置の位置決め制御がなされる。
干渉計光源から発せられた光がレチクルステージ用Ｙ方
向レーザ干渉計２４に導入される。そして、Ｙ方向レー
ザ干渉計２４に導入された光は、レーザ干渉計２４内の
ビームスプリッタ（不図示）によってレーザ干渉計２４
内の固定鏡（不図示）に向かう光とＹ方向移動鏡２６に
向かう光とに分けられる。Ｙ方向移動鏡２６に向かう光
は、Ｙ方向測長光路２５を通ってレチクルステージ４に
固設されたＹ方向移動鏡２６に入射する。ここで反射さ
れた光は再びＹ方向測長光路２５を通ってレーザ干渉計
２内のビームスプリッタに戻り、固定鏡で反射された光
と重ね合わされる。このときの光の干渉の変化を検出す
ることによりＹ方向の移動距離を測定する。このように
して計測された移動距離情報は、図示しない走査制御装
置にフィードバックされ、レチクルステージ４の走査位
置の位置決め制御がなされる。Ｙステージ３ｂも、同様
に、ウエハステージ用Ｙ方向レーザ干渉計２３による測
長結果に基づいて走査位置の位置決め制御がなされる。
【００１５】この構成において、不図示の搬送手段によ
り、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てウエ
ハステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向
（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ３の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。１つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。
り、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てウエ
ハステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向
（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ３の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。１つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。
【００１６】図３は、本発明の一実施例に係る基板搬送
装置の構成を示す。この基板搬送装置は、図１の装置に
おいてレチクルステージおよびそれに載置されるレチク
ルを交換するためのレチクルハンドとして用いられる。
図３はレチクルステージとレチクルハンドがレチクル受
け渡し位置にある状態を示す。
装置の構成を示す。この基板搬送装置は、図１の装置に
おいてレチクルステージおよびそれに載置されるレチク
ルを交換するためのレチクルハンドとして用いられる。
図３はレチクルステージとレチクルハンドがレチクル受
け渡し位置にある状態を示す。
【００１７】図３において、３１は基板であるところの
レチクル、３２はレチクルステージ１を構成するレチク
ルチャック、３３はレチクルステージ１を走査方向に案
内するヨーガイド、３４はレチクルハンド、３５は移動
アームである。
レチクル、３２はレチクルステージ１を構成するレチク
ルチャック、３３はレチクルステージ１を走査方向に案
内するヨーガイド、３４はレチクルハンド、３５は移動
アームである。
【００１８】図４は図３の搬送装置の上面図、図５は図
４のＡ−Ａ断面図である。図４および５において、４１
はレチクルハンド３４の先端に設けられてレチクル３１
が載置された時それを負圧で保持する吸着保持部、４２
はレチクルハンド３４から受け取ったレチクル３１をレ
チクルステージ１上に吸着保持する受け部、４３は本発
明の特徴とする切り欠き部、４４はペリクルである。
４のＡ−Ａ断面図である。図４および５において、４１
はレチクルハンド３４の先端に設けられてレチクル３１
が載置された時それを負圧で保持する吸着保持部、４２
はレチクルハンド３４から受け取ったレチクル３１をレ
チクルステージ１上に吸着保持する受け部、４３は本発
明の特徴とする切り欠き部、４４はペリクルである。
【００１９】レチクル交換時、新たなレチクル３１は不
図示のレチクルライブラリ等でレチクルハンド３４に載
置され、吸着保持部４１で吸着保持された状態で移動ア
ーム３５により図３、図４（ｂ）および図５（ａ）に示
す位置に搬送される。次いで、吸着保持部４１の負圧が
開放され、レチクルハンド３４が図５（ｂ）の位置まで
降下することにより、レチクル３１はレチクルステージ
１の受け部４２に引き渡され、受け部４２に負圧で吸着
され、レチクルステージ１に保持される。本実施例の基
板搬送装置においては、レチクルステージ１の受け部４
２に切り欠き部４３が設けてあり、レチクル３１の受渡
を終了した状態でレチクルステージ１がＹ方向に移動し
てもレチクルステージ１の受け部４２とレチクルハンド
３４の吸着保持部４１が干渉しないようにしてある。し
たがって、レチクルステージ１は、レチクル３１を受け
取ると直ちに図４（ａ）の方向に走査することができ
る。また、次のレチクル交換時にはレチクルステージ１
が図３、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示す位置に戻り
次第、受け部４２の負圧を開放してレチクルハンド３４
を上昇させるだけで、レチクルステージ１上のレチクル
３１をレチクルハンド３４に受け渡すことができる。レ
チクルハンド３４の基板保持部４１はレチクル３１を受
け取る直前から負圧にしてあり、レチクル３１を受け取
ると同時に吸着保持する。
図示のレチクルライブラリ等でレチクルハンド３４に載
置され、吸着保持部４１で吸着保持された状態で移動ア
ーム３５により図３、図４（ｂ）および図５（ａ）に示
す位置に搬送される。次いで、吸着保持部４１の負圧が
開放され、レチクルハンド３４が図５（ｂ）の位置まで
降下することにより、レチクル３１はレチクルステージ
１の受け部４２に引き渡され、受け部４２に負圧で吸着
され、レチクルステージ１に保持される。本実施例の基
板搬送装置においては、レチクルステージ１の受け部４
２に切り欠き部４３が設けてあり、レチクル３１の受渡
を終了した状態でレチクルステージ１がＹ方向に移動し
てもレチクルステージ１の受け部４２とレチクルハンド
３４の吸着保持部４１が干渉しないようにしてある。し
たがって、レチクルステージ１は、レチクル３１を受け
取ると直ちに図４（ａ）の方向に走査することができ
る。また、次のレチクル交換時にはレチクルステージ１
が図３、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示す位置に戻り
次第、受け部４２の負圧を開放してレチクルハンド３４
を上昇させるだけで、レチクルステージ１上のレチクル
３１をレチクルハンド３４に受け渡すことができる。レ
チクルハンド３４の基板保持部４１はレチクル３１を受
け取る直前から負圧にしてあり、レチクル３１を受け取
ると同時に吸着保持する。
【００２０】このように、本実施例によれば、レチクル
ステージ１の走査時にレチクルハンド３４を退避させる
必要がないため、レチクル交換時、レチクルステージ１
はレチクル交換位置に到着し次第、レチクル３１をレチ
クルハンド３４に引き渡すことができ、かつレチクルハ
ンド３４からレチクル３１を受け取り次第、移動または
走査を開始することができる。したがって、レチクル交
換時間を短縮し、スループットを向上させることができ
る。
ステージ１の走査時にレチクルハンド３４を退避させる
必要がないため、レチクル交換時、レチクルステージ１
はレチクル交換位置に到着し次第、レチクル３１をレチ
クルハンド３４に引き渡すことができ、かつレチクルハ
ンド３４からレチクル３１を受け取り次第、移動または
走査を開始することができる。したがって、レチクル交
換時間を短縮し、スループットを向上させることができ
る。
【００２１】なお、レチクルハンド３５は一対を設け、
一方のレチクルハンド３４がレチクルステージ１側でレ
チクル３１の受け渡しを行なうと同時に他方のレチクル
ハンドはレチクルライブラリ等の他方の受け渡し位置で
レチクルの受け渡しを行なうよう構成にすることが好ま
しい。例えば、移動アーム３５を水平方向に回転するよ
うにし、その移動アーム３５に回転対称に一対のレチク
ルハンド３４を取り付け、前述したレチクルハンド３４
の上下移動により、双方のハンドで同時にレチクルの受
け渡しを行なうようにすれば良い。
一方のレチクルハンド３４がレチクルステージ１側でレ
チクル３１の受け渡しを行なうと同時に他方のレチクル
ハンドはレチクルライブラリ等の他方の受け渡し位置で
レチクルの受け渡しを行なうよう構成にすることが好ま
しい。例えば、移動アーム３５を水平方向に回転するよ
うにし、その移動アーム３５に回転対称に一対のレチク
ルハンド３４を取り付け、前述したレチクルハンド３４
の上下移動により、双方のハンドで同時にレチクルの受
け渡しを行なうようにすれば良い。
【００２２】［微小デバイスの製造の実施例］図６は微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体
デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ
７）する。
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体
デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ
７）する。
【００２３】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。
【００２４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、移
動アーム部から基板ステージ部に基板を受け渡した状態
で基板ステージを走査した時、基板ステージ部の受け部
と前記移動アーム部の基板保持部とを高さ方向にずらし
て交差させるようにしたため、移動アーム部の基板保持
部を基板受け渡し位置で待機させることができ、次の基
板交換の際は、基板ステージをその基板受け渡し位置に
移動するだけで直ちに基板ステージ部の受け部から移動
アーム部の基板保持部への基板の受渡ができ、かつ基板
ステージは基板保持部から基板を受け取ると直ちに移動
または走査を開始できる。したがって、基板交換時間を
短縮し、この基板搬送装置を用いた装置のスループット
の向上を図ることができる。
動アーム部から基板ステージ部に基板を受け渡した状態
で基板ステージを走査した時、基板ステージ部の受け部
と前記移動アーム部の基板保持部とを高さ方向にずらし
て交差させるようにしたため、移動アーム部の基板保持
部を基板受け渡し位置で待機させることができ、次の基
板交換の際は、基板ステージをその基板受け渡し位置に
移動するだけで直ちに基板ステージ部の受け部から移動
アーム部の基板保持部への基板の受渡ができ、かつ基板
ステージは基板保持部から基板を受け取ると直ちに移動
または走査を開始できる。したがって、基板交換時間を
短縮し、この基板搬送装置を用いた装置のスループット
の向上を図ることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る露光装置を側方から
見た様子を模式的に示す図である。
見た様子を模式的に示す図である。
【図２】 図１の露光装置の外観を示す斜視図である。
【図３】 図１の装置におけるレチクルステージおよび
レチクルハンドの構成を示す斜視図である。
レチクルハンドの構成を示す斜視図である。
【図４】 図３の要部の上面図である。
【図５】 図４のＡ−Ａ断面図である。
【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：レチクルステージ、２：投影光学系、３：ウエハス
テージ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、４，
５，６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダン
パ、９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダン
パ、１２：支柱、１３：距離測定手段、２１：投光手
段、２２：受光手段、２３，２４：レーザ干渉計、２
５：レーザ測長光路、２６，２７：移動鏡、３１：レチ
クル、３２：レチクルチャック、３３：ヨーガイド、３
４：レチクルハンド、３５：移動アーム、４１：吸着保
持部、４２：受け部、４３：切り欠き部、４４：ペリク
ル。
テージ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、４，
５，６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダン
パ、９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダン
パ、１２：支柱、１３：距離測定手段、２１：投光手
段、２２：受光手段、２３，２４：レーザ干渉計、２
５：レーザ測長光路、２６，２７：移動鏡、３１：レチ
クル、３２：レチクルチャック、３３：ヨーガイド、３
４：レチクルハンド、３５：移動アーム、４１：吸着保
持部、４２：受け部、４３：切り欠き部、４４：ペリク
ル。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を実質水平に保持する基板保持部と
該基板保持部を水平および垂直方向に移動させる水平上
下部を有する移動アーム部と、該移動アーム部から前記
基板を受け取り前記基板を吸着保持する受け部を有し、
前記基板を保持して水平方向に走査する基板ステージ部
を備え、 前記基板ステージ部が水平方向に走査する時に、該基板
ステージ部の受け部と前記移動アーム部の基板保持部と
が、上下方向に高さがずれて交差することを特徴とする
基板搬送装置。 - 【請求項２】 前記移動アーム部は、前記基板保持部を
前記基板ステージ部の上方から該基板ステージ部の受け
部より下の位置まで下降することにより、該受け部に対
し基板を受け渡し、前記基板ステージ部は、前記移動ア
ーム部が前記基板受け渡し位置に停止した状態で走査す
ることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。 - 【請求項３】 前記基板ステージ部の受け部の側面に、
該基板ステージ部の走査時に前記移動アーム部の基板保
持部との干渉を回避する切り欠き部を設けたことを特徴
とする請求項１記載の基板搬送装置。 - 【請求項４】 前記基板は原版パターンを有するレチク
ルであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載
の基板搬送装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかの装置を用いる
ことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8244047A JPH1070170A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 基板搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8244047A JPH1070170A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 基板搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070170A true JPH1070170A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=17112941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8244047A Pending JPH1070170A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 基板搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1070170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286659A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法および電子部品実装機 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP8244047A patent/JPH1070170A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286659A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法および電子部品実装機 |
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