JP2000003055A

JP2000003055A - 電子写真装置

Info

Publication number: JP2000003055A
Application number: JP16534598A
Authority: JP
Inventors: Shigenori Ueda; 重教植田; Junichiro Hashizume; 淳一郎橋爪; Makoto Aoki; 誠青木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-06-12
Filing date: 1998-06-12
Publication date: 2000-01-07

Abstract

(57)【要約】【課題】クリーニング不良を防止し、表面層のムラ削
れや現像剤の融着、画像流れを防止する電子写真装置を
提供する。【解決手段】現像剤の平均粒径が５〜８μｍの現像剤
を反発弾性が１０％以上５０％以下の弾性ゴムブレード
でスクレープクリーニングする構成を有する電子写真装
置において、Ａ４版の複写工程を転写紙に行った後の摩
耗量が１オングストローム／１万枚以上１００オングス
トローム／１万枚以下でありかつダイナミック硬度が１
００〜９５０の範囲であってさらに、炭素含有量が５％
〜９０％である非晶質炭素化珪素膜を表面層１０４に設
けた光受容部材を用いた構成であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーニングブレ
ードによるスクレープクリーニングを行う電子写真装置
に関し、さらに詳しくは、クリーニングローラー等の光
受容部材表面の摺擦手段を設けずとも、光受容部材の表
面がムラ削れすることなく均一に削れ、かつ光受容部材
の加温手段を設けずとも如何なる環境下においても画像
ボケ、画像流れが発生することなく長期間の使用におい
ても高品質な画像を提供することが可能な光受容部材を
用いた電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真法としては、米国特許第
２２９７６９２号明細書、特公昭４２−２３９１０号公
報及び特公昭４３−２４７４８号公報に記載されている
ごとく、多数の方法が知られている。一般には光受容部
材を利用し、種々の手段により光受容部材上に電気的潜
像を形成し、次いで該潜像を現像剤を用いて現像し、必
要に応じて紙等の転写材に現像剤画像を電気的に転写し
た後に、加熱、加圧、加熱加圧あるいは、溶剤蒸気等に
より定着し複写物を得るものである。

【０００３】上記工程において、転写材へ現像剤画像を
転写した後でも光受容部材表面には残留現像剤が残るた
め、これを除去する手段としてクリーニングブレードを
当接し、該未転写現像剤を系外に排出していた。

【０００４】電子写真感光体に用いる光受容部材の素材
としては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、アモ
ルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）等の無機材
料、あるいは有機材料等、各種の材料が提案されてい
る。これらのうちでもａ−Ｓｉに代表される珪素原子を
主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び／
またはハロゲン（例えばフッ素、塩素等）を含む（例え
ば水素またはダングリングボンドを補償する）ａ−Ｓｉ
等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久、無公害な感
光体として提案され、そのいくつかは実用化されてい
る。特開昭５４−８６３４１号公報、ＵＳＰ４，２６
５，９９１号には、光導電層を主としてａ−Ｓｉで形成
した電子写真感光体の技術が開示されている。また特開
昭６０−１２５５４号公報には珪素原子を含有する非晶
質シリコンからなる光導電層の表面に炭素及びハロゲン
原子を含む表面層が開示されており、さらに特開平２−
１１１９６２号公報には、ａ−Ｓｉ：Ｈまたは、ａ−
Ｃ：Ｈ感光層上に表面保護潤滑層を設けた感光体が開示
されているが、何れも撥水性や耐摩耗性を向上させる技
術であり、電子写真プロセスと表面層の削れ性との関係
に関する記載はない。

【０００５】ａ−Ｓｉに代表されるａ−Ｓｉ系感光体
は、半導体レーザー（７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）等の長
波長光に高い感度を示し、しかも繰り返し使用による劣
化もほとんど認められない等の優れた点を有するので、
例えば高速複写機やＬＢＰ（レーザービームプリンタ
ー）等の電子写真用感光体として広く使用されている。

【０００６】シリコン系非単結晶堆積膜の形成法として
は、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方
法（プラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られてい
る。中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち原料ガスを直流
または高周波、（ＲＦ、ＶＨＦ）または、マイクロ波を
利用して発生させたグロー放電等によって分解し、ガラ
ス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アル
ミニウム等の所望の基体上に堆積膜を形成する方法は、
電子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法等に
とどまらず、他の用途の堆積膜の形成方法を含め、現在
実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案
されている。

【０００７】さらに、電子写真用光受容部材への適用を
鑑みても近年では膜質及び処理能力の向上に対する要望
が強くなっており様々な工夫も検討されている。

【０００８】特に高周波電力を用いたプラズマプロセス
は、放電の安定性が高く酸化膜や窒化膜等の絶縁性材料
の形成にも使用できる等様々な利点により使用されてい
る。

【０００９】光受容部材としては、高速に対応した電子
写真特性の向上が要求されると共に、より精彩な画質を
要求される昨今においては、光受容部材特性の改善はも
とより、現像剤の小粒径化が進められ、コールターカウ
ンター等による重量平均粒径が５〜８μｍであるものが
多く使われている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ａ−Ｓｉ系光受容部材
は、表面硬度が他の感光体に比べて極めて高いため、ク
リーニング手段としてクリーニング能力の高い、ブレー
ド式クリーニング方式が広く用いられている。

【００１１】しかし、このようなブレード式クリーニン
グ方式においては、ａ−Ｓｉ系光受容部材表面の突起部
により、長期間の複写工程の繰り返しによりブレードの
エッジ面が破損し、画像上に黒スジ状のクリーニング不
良が発生する場合があった。

【００１２】上記ａ−Ｓｉ系光受容部材の表面に発生す
る突起物の原因を観察した結果、ブレード破損部に対応
する光受容部材表面に、円形の形状をした突起（以後、
球状突起と記す）が認められた。この球状突起部の堆積
膜を基体ごと切り取り断面を顕微鏡で観察したところ基
体近傍、あるいは堆積膜の途中に、数μｍ〜数十μｍの
大きさの異物があり、この異物を核として表面に向かい
柱状または、逆円錐状の異常成長が始まっていることが
判明した。この球状突起の凸部の高さは球状突起の核と
なる異物の大きさによって異なるが一般的には１〜３０
μｍである。

【００１３】この球状突起の表面を高硬度な膜で覆うこ
とによりブレードクリーニングを行った場合、表面が硬
いことによって、突起部分が割れ欠落して凹みが発生す
る場合があった。

【００１４】従来、球状突起の頭部のみを研磨するた
め、１０〜２０μｍの結晶炭化珪素粉をコーティングし
た研磨テープを圧接ローラーにより光受容部材表面に圧
接し球状突起頭部の高さが約５μｍ程度になるまで研磨
を行っていた。

【００１５】しかし、球状突起の頭部は脆く欠落する場
合がある。球状突起の頭部が欠落した場合、欠落した球
状突起の破片で光受容部材表面を傷付けてしまう場合が
ある。光受容部材表面が傷付くと、傷付いた部分は電荷
が保持できずに画像上、白スジ状の画像欠陥として現れ
る場合がある。

【００１６】前述、研磨手段を用いて球状突起の頭部の
みを研磨するためには、時間及びコスト的に効率的では
ない。そこで上記の研磨手段により球状突起の頭部を研
磨する工程を行わずに、電子写真層に用いても長期にわ
たって、高品質な画像が提供可能な光受容部材を用いた
電子写真装置が求められていた。

【００１７】このような状態で複写工程を繰り返し行う
と、コロナ帯電器内で残留現像剤や該残留現像剤に含ま
れる外添剤（チタン酸ストロンチウム、シリカ等）の微
粒子が飛散してコロナ帯電器のワイヤー電極（以後、帯
電器ワイヤーと記す）に付着し、放電ムラの原因となる
場合がある。帯電器ワイヤー汚れによって放電ムラが発
生すると、正現像（光受容部材表面の非露光部を現像す
る方式）においては画像上にスジ状の白抜け部、画像全
面に広がるウロコ状の黒モヤ、周期性なく局部的に発生
する黒点（０．１〜０．３ｍｍφ）等が発生して出力画
像の品質が低下する場合がある。

【００１８】また、帯電器ワイヤー汚れが発生すると、
その汚れ部と光受容部材間で異常放電が誘発され、光受
容部材表面を破壊して画像欠陥を発生させる場合があ
る。

【００１９】さらに、ブレード式クリーニング方式は原
稿チャートの文字パターンの差によりブレード面に滞留
する現像剤の量に差が生じ受容部材表面層に削れムラが
生ずる場合がある。このような削れムラが発生した場
合、電子写真特性として感度ムラとなり画像に濃度ムラ
として発生する。

【００２０】特に、この現像は現像剤の粒径が小さいほ
ど顕著である。

【００２１】しかし、近年では画像特性の高画質化が要
求されているのが現状であり、このような状況下におい
て現像剤の小粒径化が進んでいる。この現像剤の小粒径
化は画質面では向上する反面、摺擦力が高くなる傾向が
あり、この摺擦力のアップにより、クリーニングブレー
ドのビビリ等による残留現像剤（トナー）のすり抜けが
生じ、黒スジ状のクリーニング不良が発生する場合があ
る。

【００２２】さらに、摩擦抵抗が高いと光受容部材とク
リーニングブレード間で摩擦熱が上昇し、熱定着に用い
られる残留現像剤は、この摩擦熱によって光受容部材の
表面に強固に付着する融着現象が発生する場合がある。
特にこの融着現象は、現像剤の小粒径化に比例して顕著
であり初期の段階では画像には影響しない程度の微小な
ものであるが、繰り返しの使用で微小な融着が核となり
徐々に成長し画像に黒スジ状の画像欠陥となる。

【００２３】このような状況の解決方法として、クリー
ニングブレードの押し付け圧力を高くする方法や、光受
容部材表面に付着した現像剤を削り取る力を向上させる
ため、弾性ゴムブレードの硬度を高める等の対策が必要
であるが、ブレードの硬度を高めることは、ブレードの
特性としては、ゴム的状態からガラス状態に近付くた
め、材質としては脆くなりブレードの寿命を短くする方
向であり、これらの方法は光受容部材表面との摩擦力が
上昇する方向であるため、表面層のムラ削れが悪化する
可能性が高い。

【００２４】このようなムラ削れの対策として従来、マ
グネットローラーあるいはウレタンゴムや、シリコンゴ
ム等のクリーニングローラーを設けクリーニングブレー
ドに達する現像剤を均一に分散し、ブレード面の現像剤
の滞留ムラを緩和する手段を設けることが必須であっ
た。

【００２５】コロナ放電生成物は吸湿性が強く、その吸
着を生じた光受容部材表面は付着コロナ放電生成物の吸
湿による光受容部材表面の低抵抗化で実質的に電荷保持
能力をが全面的にあるいは、部分的に低下して、画像流
れ（光受容部材表面電荷が面方向にリークして静電荷潜
像パターンが崩れるあるいは形成されない）と称される
画像欠陥を生ずる原因となる。

【００２６】この画像流れ現象を防止する対策として前
述、クリーニングローラー等の摺擦手段と併用して、光
受容部材を加温するためのヒーターを設けたり温風送風
装置により温風を光受容部材に送風する等の手段を設
け、光受容部材表面を約３０℃〜５０℃に加温する手段
を設けていた。この加温手段により相対湿度を低下させ
光受容部材表面に付着しているコロナ放電生成物やコロ
ナ放電生成物が吸着した水分を揮発させることによって
光受容部材表面の実質的な低抵抗化を抑えることが電子
写真装置設計において必須条件であった。

【００２７】また、コロナ帯電器のシールド板内面に付
着したコロナ放電生成物は電子写真装置の稼働中のみな
らず夜間等の装置の休止中にも揮発遊離し、それが該帯
電器の放電開口に対応した光受容部材表面に付着する。
このコロナ放電生成物が吸湿し光受容部材表面を低抵抗
化させるために、電子写真装置の長期休止後の最稼動時
に出力される一枚目あるいは数枚のコピーに上記の装置
休止中の帯電器開口部領域に対応する光受容部材表面に
帯電器跡流れと称される画像流れが生じ易い。したがっ
て加温手段は夜間、複写工程の休止中といえどもｏｆｆ
することができなかった。

【００２８】この加温手段の問題点として、電子写真装
置の小型化及び低コスト化に伴い光受容部材の小径化及
び光受容部材の導電性基体の薄肉化を行った場合、回転
円筒状現像剤担持体の回転周期で部分的に画像濃度に濃
い部分と薄い部分の画像濃度ムラが発生する場合があ
る。この原因は装置の休止中に該光受容部材の熱によ
り、該回転円筒状現像剤担持体が膨張し該光受容部材対
向部との距離が短くなり、現像剤が通常よりも転移し易
くなるためである。

【００２９】近年、複写機やプリンターのパーソナルユ
ース化に伴い小型化・低コスト・メンテナンスフリーが
重要な課題である。

【００３０】前述、クリーニングローラー及び、光受容
部材の加温手段を設けることは電子写真装置の小型化・
低コスト化、メンテナンスフリーに対して非常に困難な
状況であり、電子写真装置の設計段階において克服すべ
き重要な課題である。また、省エネルギー、エコロジー
といった観点からも、光受容部材を直接加温する手段を
設けない設計が望ましい。

【００３１】また、画像流れの問題に加え、近年の複写
画像に対する要求の高まりから、高画質を安定して供給
する技術が切望されている。複写機の用途が文字中心の
複写原稿から写真等の画像に移り、市場のニーズとして
ハーフトーンを多用する複写原稿が増えてきたため、濃
度の安定性に関して、以前にまして厳しい基準が要求さ
れるようになってきた。

【００３２】このような状況下において、加温手段を設
けずに画像流れが発生しない光受容部材及び、如何なる
電子写真プロセス条件においても、ムラ削れが発生せず
濃度ムラのない高画質を安定して供給することが可能な
電子写真装置が求められている。

【００３３】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されてものであり、その目的とするところは、光受容部
材表面に１〜５０μｍの高さの球状突起が存在しても、
ブレードエッジ部分の破損を抑えることを目的とする。
さらにクリンーニング不良によって発生するトナーの飛
散、リークポチを防止することにある。

【００３４】また、もう一つの目的としては、小粒径の
現像剤で現像を行いかつ、クリーニングローラー等の摺
擦手段を設けないクリーニング方法を用いた電子写真プ
ロセスにおいても本発明の光受容部材を用いることによ
って、現像剤の飛散を防止し帯電器ワイヤー汚れやクリ
ーニング不良、融着が発生しない電子写真装置を提供す
ることにある。さらには、光受容部材の加温手段や、光
受容部材の表面摺擦手段を設けずとも高湿環境下での画
像流れといった画像欠陥が発生しない電子写真装置を提
供することにより電子写真装置設計のラチチュードを大
幅に広げることにある。

【００３５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、電子写真
プロセスと光受容部材の表面層の摩耗量との関係に着目
し、ムラ削れに厳しい電子写真プロセスにおける光受容
部材表面の摩耗性を向上させることを試みた。その結
果、本発明の電子写真プロセス及び本発明のａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜を光受容部材の表面層に用いた光受容部材の組
み合わせにより、ブレードによって、光受容部材の表面
層が削られる場合、球状突起の凸部は、平滑な正常部よ
りも圧接圧が高くなり、選択的に削られるため、球状突
起部の表面層が削られ、直ちに光導電層に達する。光導
電層の削れ量は、一般的に１μｍ／１万枚であり、ブレ
ードに対するダメージが軽減され、ブレードの破損によ
るクリーニング不良の発生を減少させることが可能であ
ることを見出した。

【００３６】さらに、ムラ削れに厳しい電子写真装置構
成でもムラ削れせず、クリーニング不良や、融着が発生
しない。また、如何なる環境条件においても光受容部材
の加温手段を設けずとも画像流れが発生しないことを見
出した。

【００３７】本発明は、光受容部材に対して、帯電、露
光、現像、転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真
装置において、平均粒径５〜８μｍの現像剤を該光受容
部材に現像、転写材へ転写し、現像剤が転写された後の
光受容部材表面を反発弾性１０％以上５０％以下の弾性
ゴムブレートでスクレープクリーニングする電子写真装
置でＡ４版の複写工程を転写紙に行った後の摩耗量が１
オングストローム／１万枚以上１００オングストローム
／１万枚以下である、非単結晶質炭素化珪素膜で表面層
を構成した光受容部材を用いることを特徴とする電子写
真装置を提案するものであり、前記、帯電、露光、現
像、転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真装置に
おいて、クリーニングローラーによる摺擦クリーニング
手段を設けずかつ、光受容部材を直接加温する手段を設
けない構成であること、前記光受容部材が導電性基体上
にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された
光導電層及び非単結晶材料で構成された表面層からなる
光受容部材であること、前記、表面層のダイナミック硬
度が１００〜９５０であること、前記、非単結晶質炭化
珪素膜の炭素量（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）が５％〜９０％である
こと、前記表面層が、少なくともシラン系及び、炭化水
素系のガスを１〜４５０ＭＨｚの高周波を用いたプラズ
マＣＶＤ法によって分解することによって堆積成膜する
こと、前記、光受容部材が、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層の３層で構成されていること、前記、光受容
部材が、電荷輸送層、電荷発生層、表面層の３層で構成
されていることを含む。

【００３８】本発明の電子写真装置に用いるクリーニン
グブレードの反発弾性は１０％以上５０％以下が好適で
あり、ブレードの反発弾性が１０％より低いとブレード
の特性としては、ゴム的状態からガラス状態に近付くた
め、材質としては脆くなりブレードの寿命を短くする方
向でありまた、クリーナーブレードの反発弾性が５０％
を超えると、ブレードにビビリが発生しクリーニング性
が低下したり、ブレードが捲かれてしまい光受容部材表
面にダメージを与えてしまう等の問題が発生する場合が
ある。

【００３９】一方クリーニング性を向上するために、特
開昭５４−１４３１４９に記載されているような溝付き
ブレードや、特開昭５７−１２４７７７に記載されてい
るような突起付きブレード等が考案されているが、小粒
径の現像剤を使用し、クリーニングローラー等の摺擦手
段を設けずさらに、光受容部材の加温手段を設けない電
子写真装置と非晶質炭素化珪素膜を表面層に設けた光受
容部材表面の摩耗量との関係に関する記載はなされてい
ない。

【００４０】本発明においては、光受容部材に用いるａ
−ＳｉＣ：Ｈ表面層のダイナミック硬度は１００〜９５
０でありダイナミック硬度が１００より小さい値になる
と機械的硬度が損なわれ、ダイナミック硬度の値が９５
０より大きくなると表面層の摩耗量が減少するため、表
面層が削れにくくなりコロナ放電生成物を削り取る効果
が低減し画像流れが発生する場合がある。また、表面層
の膜中に含まれる炭素量はＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）で５％〜９
０％、好適には４５％〜８０％が適している。炭素量が
５％以下だと感度的に電子写真装置に適さない場合があ
る。また９０％を超えると膜の緻密化が損なわれ、機械
的強度が損なわれる。

【００４１】上記、炭素量及びダイナミック硬度の範囲
おいて、該表面層はＡ４版の複写工程を転写紙に行った
後の摩耗量が１オングストローム／１万枚以上１００オ
ングストローム／１万枚以下の範囲を選択することによ
り摩擦によるブレードのビビリが少なく、ブレード面の
部分的なストレスが抑えられるため、現像剤の部分的な
滞留が緩和される。その結果、ムラ削れせず均一に表面
層が摩耗することにより、クリーニング性に優れ、トナ
ーの飛散がなく、ワイヤー汚れ及び、削れの効果により
融着を防止することが可能であることを見出した。ま
た、表面層が均一に摩耗することにより、光受容部材表
面に付着したコロナ放電生成物が効率よくムラなく削り
取られるため、光受容部材を加温する手段及び、光受容
部材表面を摺擦する手段を設けずとも、如何なる環境条
件下においても画像流れが発生しないことを見出したも
のである。

【００４２】本発明に用いる光受容部材の表面層の摩耗
量が、１００オングストローム／１万枚より大きい値に
なると機械的強度が損なわれる場合があり、１オングス
トローム／１万枚より小さい値になると表面層が摩耗し
にくくなりコロナ放電生成物を削り取る効果が低減し画
像流れが発生する場合がある。

【００４３】さらに本発明の光受容部材に用いる表面層
の膜厚としては表面層の摩耗量と電子写真装置の寿命と
の関係から最適な膜厚が決定できるが、一般的には０．
０１μｍ〜１０μｍ、好適には０．１μｍ〜１μｍの範
囲が望ましい。表面層の膜厚が０．０１μｍ以下だと機
械的強度が損なわれ、１０μｍ以上になると残留電位が
高くなる場合がある。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。

【００４５】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は本発明による光
受容部材の模式的な断面図の一例であり図１において
（Ａ）は光導電層が機能分離されていない単一層からな
る単層型光受容部材である。また、（Ｂ）は光導電層が
電荷発生層と電荷輸送層とに分離された機能分離型光受
容部材である。

【００４６】図１（Ａ）に示すａ−Ｓｉ系光受容部材は
アルミニウム等の導電性基体１０１と、導電性基体１０
１の表面に順次積層された電荷注入阻止層１０２と光導
電層１０３及び表面層１０４からなる。ここで、電荷注
入阻止層１０２は導電性基体１０１から光導電層１０３
への電荷の注入を阻止するものであり、必要に応じて設
けられる。また、光導電層１０３は少なくともシリコン
原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示すもの
である。さらに表面層１０４は少なくともシリコン原子
及び、炭素原子と水素原子を含む非晶質材料で構成さ
れ、電子写真装置における顕像を保持する能力をもつも
のである。

【００４７】以下では、電荷注入阻止層１０２の有無に
より効果が異なる場合を除いては、電荷注入阻止層１０
２はあるものとして説明する。

【００４８】図１（Ｂ）に示すａ−Ｓｉ系光受容部材
は、光導電層１０３が少なくともシリコン原子と炭素原
子を含む非晶質材料で構成された電荷輸送層１０６と、
少なくともシリコン原子を含む非晶質材料で構成された
電荷発生層１０５が順次積層された構成の機能分離型と
した光受容部材である。この光受容部材に光照射すると
主として電荷発生層１０５で生成されたキャリアーが電
荷輸送層１０６を通過して導電性基体１０１に至る。

【００４９】なお、表面層１０４の成膜ガスとしては、
ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等の水
素化珪素及びＣＨ₄ ，Ｃ₂ Ｈ₆ ，Ｃ₃ Ｈ₈ ，Ｃ₄ Ｈ₁₀等
のガス、及びガス化し得る炭化水素が有効に使用される
ものとして挙げられる。また、これらの炭素供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガス
により希釈して使用してもよい。

【００５０】図２は、プラズマＣＶＤ法による光受容部
材の一般的堆積装置の一例を模式的に示した図である。

【００５１】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１０内
を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されて
いる。堆積装置２１００中の反応容器２１１０内にはア
ースに接続された円筒状被成膜基体２１１２、円筒状被
成膜基体の加熱用ヒーター２１１３、原料ガス導入管２
１１４が設置され、さらに高周波マッチングボックス２
１１５を介して高周波電源２１２０が接続されている。

【００５２】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ ，
Ｈ₂ ，ＣＨ₄ ，ＮＯ，Ｂ₂ Ｈ₆ ，ＣＦ₄ 等の原料ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６，
２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６及びマスフロ
ーコントローラー２２１１〜２２１６から構成され、各
構成ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応容器２
１１０内のガス導入管２１１４に接続されている。

【００５３】円筒状被成膜基体２１１２は導電性受け台
２１２３の上に設置されることによってアースに接続さ
れる。

【００５４】以下、図２の装置を用いた、光受容部材の
形成方法の手順の一例について説明する。

【００５５】反応容器２１１０内に円筒状被成膜基体２
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１０内を排気する。続いて円筒
状被成膜基体加熱用ヒーター２１１３により円筒状被成
膜基体２１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度
に制御する。次いで、光受容部材形成用の原料ガスを反
応容器２１１０内に流入させるにはガスボンベのバルブ
２２３１〜２２３６、反応容器のリークバルブ２１１７
が閉じられていること確認しまた、流入バルブ２２４１
〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バル
ブ２２６０が開かれていることを確認し、メインバルブ
２１１８を開いて反応容器２１１０及びガス供給配管２
１１６を排気する。

【００５６】その後、真空計２１１９の読みが０．７Ｐ
ａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ２２
５１〜２２５６を閉じる。その後ガスボンベ２２２１〜
２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開い
て導入し圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧
を２ｋｇ／ｃｍ² に調整する。次に流入バルブ２２４１
〜２２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントロ
ーラ２２１１〜２２１６内に導入する。

【００５７】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、円筒状被成膜基体２１１２上に、まず光導電層の形
成を行う。

【００５８】すなわち、円筒状被成膜基体２１１２が所
望の温度になったところで、各流出バルブ２２５１〜２
２５６のうちの必要なものと補助バルブ２２６０とを徐
々に開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の
原料ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１１
０内に導入する。次に、各マスフローコントローラー２
２１１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量に
なるように調整する。その際、反応容器２１１０内が１
３３Ｐａ以下の所望の圧力にあるように、真空計２１１
９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。
内圧が安定したところで、高周波電源２１２０を所望の
電力に設定して例えば、周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ
の高周波電力を高周波マッチングボックス２１１５を通
じてカソード電極２１１１に供給し高周波グロー放電を
生起させる。この放電エネルギーによって反応容器２１
１０内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状被成
膜基体２１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする
光導電層が堆積される。所望の膜厚の形成が行われた
後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜
２２５６を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流
入を止め、光導電層の形成を終える。

【００５９】光導電層の組成や膜厚は公知のものを使用
することができる。

【００６０】上記光導電層に表面層を形成する場合も基
本的には上記の操作を繰り返せばよい。

【００６１】図３は、高周波電源を用いたプラズマＣＶ
Ｄ法による光受容部材の堆積装置の別の一例を模式的に
示した図である。

【００６２】この装置は大別すると、堆積装置３１０
０、原料ガスの供給装置３２００、反応容器３１１０内
を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されて
いる。堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にアー
スに接続された円筒状被成膜基体３１１２、円筒状被成
膜基体の加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１
１４が設置され、さらに高周波マッチングボックス３１
１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。

【００６３】原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ₄ ，
Ｈ₂ ，ＣＨ₄ ，ＮＯ，Ｂ₂ Ｈ₆ ，ＣＦ₄ 等の原料ガスボ
ンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３６，
３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６及びマスフロ
ーコントローラー３１１１〜３２１６から構成され、各
構成ガスのボンベハバルブ３２６０を介して反応容器３
１１０内のガス導入管３１１４に接続されている。

【００６４】円筒状被成膜基体３１１２は導電性受け台
３１２３の上に設置されることによってアースに接続さ
れる。また、カソード電極３１１１は導電性材料からな
り、絶縁材料３１２１によって絶縁されている。

【００６５】導電性受け台３１２３に用いる導電性材料
としては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッ
ケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ス
テンレス及び、これらの材料の２種類以上の複合材料等
が使用できる。

【００６６】カソード電極３１１１を絶縁するための絶
縁材料としては、セラミックス、テフロン、マイカ、ガ
ラス、石英、シリコーンゴム、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の絶縁材が使用できる。

【００６７】使用されるマチングボックスは３１１５は
高周波電源３１２０と負荷の整合を取ることができるも
のであれば如何なる構成のものでも好適に使用できる。
また、整合を取る方法としては、自動的に調整されるも
のが好適であるが手動で調整されるものであっても本発
明の効果には全く影響はない。

【００６８】高周波電力が印加されるカソード電極３１
１１の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、
鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チ
タン、ステンレス及び、これらの材料の２種類以上の複
合材料等が使用できる。また、形状は円筒形状が好まし
いが必要に応じて楕円形状、多角形状を用いてもよい。

【００６９】カソード電極３１１１は必要に応じて冷却
手段を設けてもよい。具体的な冷却手段としては水、空
気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要に応じ
て用いられる。

【００７０】本発明に用いる円筒状被成膜基体３１１２
は、使用目的に応じた材質や形状を有するものであれば
よい。例えば、形状に関しては、電子写真用感光体を製
造する場合には、円筒状が望ましいが、必要に応じて平
板状や、その他の形状であってもよい。また、材質にお
いては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケ
ル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステ
ンレス及び、これらの材料を２種類以上の複合材料、さ
らにはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネー
ト、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、
石英、セラミックス、紙等の絶縁材料に導電性材料を被
覆したもの等が使用できる。

【００７１】以下、図３の装置を用いた、光受容部材の
形成方法の手順の一例について説明する。

【００７２】反応容器３１１０内に円筒状被成膜基体３
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１０内を排気する。続いて円筒
状被成膜基体加熱用ヒーター３１１３により円筒状被成
膜基体３１１２の温度を２０℃〜５００℃の所定の温度
に制御する。

【００７３】光受容部材形成用の原料ガスを反応容器３
１１０内に流入させるにはガスボンベのバルブ３２３１
〜３２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じら
れていることを確認しまた、流入バルブ３２４１〜３２
４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２
６０が開かれていることを確認し、メインバルブ３１１
８を開いて反応容器３１１０及びガス供給配管３１１６
を排気する。

【００７４】次に真空系３１１９の読みが５×１０^-6Ｔ
ｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出バルブ
３２５１〜３２５６を閉じる。その後ガスボンベ３２２
１〜３２２６より各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を
開いて導入し圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガ
ス圧を２ｋｇ／ｃｍ² に調整する。次に流入バルブ３２
４１〜３２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコン
トローラ３２１１〜３２１６内に導入する。

【００７５】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、円筒状被成膜基体３１１２上に光導電層の形成を行
う。

【００７６】円筒状被成膜基体３１１２が所定の温度に
なったところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のう
ちの必要なものと補助バルブ３２６０とを徐々に開き、
各ガスボンベ３２２１〜３２２６から所定の原料ガスを
ガス導入管３１１４を介して反応容器３１１０内に導入
する。次に、各マスフローコントローラー３２１１〜３
２１６によって、各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、反応容器３１１０内が１３３Ｐａ以
下の所定の圧力になるように、真空計３１１９を見なが
らメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定
したところで、高周波電源３１２０を所望の電力に設定
して例えば周波数１ＭＨｚ〜４５ＭＨｚの高周波電力を
高周波マッチングボックス３１１５を通じてカソード電
極３１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。こ
の放電エネルギーによって反応容器３１１０内に導入さ
せた各原料ガスが分解され、円筒状被成膜基体３１１２
上に所定のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成さ
れる。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供
給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反
応容器３１１０への各原料ガスの流入を止め、堆積膜の
形成を終える。

【００７７】また、本発明の表面層を形成する場合も基
本的には上記の操作を繰り返せばよい。

【００７８】具体的には各流出バルブ３２５１〜３２５
６のうちの必要なものと補助バルブ３２６０とを徐々に
開き、各ガスボンベ３２２１〜３２２６から表面層に必
要な原料ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２
１１０内に導入する。次に、各マスフローコントローラ
ー３２１１〜３２１６によって、各原料ガスが所定の流
量になるように調整する。その際、反応容器３１１０内
が１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように、真空系３
１１９を見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整す
る。内圧が安定したところで、高周波電源３１２０を所
望の電力に設定した周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高
周波電力を高周波マッチングボックス３１１５を通じて
カソード電極３１１１に供給し高周波グロー放電を生起
させる。この放電エネルギーによって反応容器３１１０
内に導入させた各原料ガスが分解され、表面層が形成さ
れる。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供
給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反
応容器３１１０への各原料の流入を止め、表面層の形成
を終える。

【００７９】なお、膜形成を行っている間は円筒状被成
膜基体３１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速
度で回転させてもよい。

【００８０】図４は電子写真装置の画像形成プロセスの
一例を説明するための電子写真装置の一例を示す概略図
であって、光受容部材４０１は内側に設けられた面状ヒ
ーター４２３によって温度コントロール可能とされ、必
要に応じて矢印Ｘ方向に回転する。光受容部材４０１の
周辺には、主帯電器４０２、静電潜像形成部位４０３、
現像器４０４、転写材供給系４０５、転写帯電器４０６
（ａ）、分離帯電器４０６（ｂ）、クリーナー４２５、
搬送系４０８、除電光源４０９等が必要に応じて配設さ
れている。

【００８１】以下、さらに具体的に画像形成プロセスの
一例を説明する。光受容部材４０１は＋６〜８ｋＶの高
電圧を印加した主帯電器４０２により一様に帯電され
る。これに静電潜像部位に、ランプ４１０から発した光
が原稿台ガラス４１１上に置かれた原稿４１２に反射
し、ミラー４１３，４１４，４１５を経由し、レンズユ
ニット４１７のレンズ４１８によって結像され、ミラー
４１６を経由して導かれ、情報を担った光として投影さ
れ、光受容部材４０１上に静電潜像が形成される。この
潜像の現像器４０４からネガ極性の現像剤が供給されて
現像剤像が形成される。なお、この露光は原稿が４１２
からの反射によらず、ＬＥＤアレーやレーザービーム、
もしくは液晶シャッター等を用いて情報を担った光を走
査露光するようにしてもよい。

【００８２】一方、紙等の転写材Ｐは転写材供給系４０
５を通って、レジストローラー４２２によって先端供給
タイミングを調整され、光受容部材４０１方向に供給さ
れる。転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電圧を印加した転写
帯電器４０６（ａ）と光受容部材４０１の間隙において
背面から、現像剤とは逆極性の正電界を与えられ、これ
によって光受容部材表面のネガ極性の現像剤像は転写材
Ｐに転写する。次いで、１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００
〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器４０
６（ｂ）により、光受容部材４０１から分離される。続
いて転写材Ｐは転写搬送系４０８を通って定着装置４２
４に至り、現像剤像が定着されて装置外に搬出される。

【００８３】光受容部材４０１上に残留する現像剤はク
リーナー４２５のクリーニングローラー４０７、及びシ
リコーンゴムやウレタンゴム等の弾性材料からなるクリ
ーニングブレード４２１によって回収され、残留する静
電潜像は除電光源４０９によって消去される。

【００８４】なお、４２０はブランク露光ＬＥＤで光受
容部材４０１の転写材Ｐの幅を超える部分及び余白部分
等の非画像部領域に不要な現像剤が付着しないように必
要に応じて光受容部材４０１を露光するために設けられ
る。

【００８５】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説
明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるもので
はない。

【００８６】

【実施例】［実施例１］図２に記載のプラズマＣＶＤ装
置を用いて表１の条件により円筒状導電性基体上に阻止
層、光導電層を積層した後、表２の条件で表面層を０．
５μｍ堆積しＡ〜Ｃの光受容部材を製造した。ただし、
球状突起を発生させるために、予め円筒状導電性基体の
表面にダストを付着させた状態で堆積膜の形成を行っ
た。

【００８７】さらに表面層の炭素含有量を測定するため
のサンプルとして７０５９ガラス基板上にも表２の条件
で表面層を０．５μｍ堆積しＡ〜Ｃのａ−ＳｉＣ：Ｈ表
面層サンプルを作成した。

【００８８】このＡ〜Ｃの表面層サンプルに対して、Ｓ
ＩＭＳによる炭素量Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）の測定を行った
後、島津製作所社製ダイナミック超微小硬度計（ＤＵＨ
−２０１）によりダイナミック硬さを測定した。ただ
し、ダイナミック硬さ測定に用いた圧子は、稜間角１１
５°の三角すい圧子（先端曲率半径０．１μｍ以下）を
使用して０．１ｇｆ荷重になるまで圧子を押し込んだと
きの値である。その結果、光受容部材Ａ〜Ｃに積層した
表面層の炭素量及びダイナミック硬度は、表３に示した
値であった。

【００８９】次いで、光受容部材Ａ〜Ｃをキャノン製複
写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し光受容部材の移動
速度を３００ｍｍ／ｓｅｃでＡ４版の連続通紙耐久を１
０万枚行いクリーニング性の評価を行った。ただしクリ
ーニング条件はクリーニングローラー４０７は設けず弾
性ゴムブレード４２１のみでスクレープクリーニングを
行うようにセッティングした。なお、弾性ゴムブレード
４２１は反発弾性１０％のものを使用しまた、使用する
現像剤に関しては、現像剤の粒径が小さいほど、融着が
発生し易いことから粒径が６．５μｍのものを使用し
た。さらに光受容部材の表面温度を６０℃にコントロー
ルすることにより融着が発生し易い条件とした。

【００９０】以上の評価で得られた結果を表８に示す。
また耐久後の表面層の摩耗量を表３に示す。この表面層
の摩耗量は耐久前後の表面層膜厚を反射分光式干渉計に
より測定し、この値から１万枚当りの摩耗量に換算した
ものである。

【００９１】また、耐久後の表面を金属顕微鏡で観察し
た結果、球状突起の先端部の高さはいずれも５μｍ以下
であった。さらに、ブレードエッジ部分を観察した結
果、球状突起が存在する部分に対応して若干の破損が認
められたがクリーニング不良が発生しない程度の軽微な
ものであった。

【００９２】さらにＡ〜Ｃの光受容部材を加温手段を設
けずに、３５℃相対湿度９０％の環境下で１０万枚の耐
久を行い、画像流れの評価を行った。ただし、クリーニ
ング条件はクリーニングローラー４０７は設けずに弾性
ゴムブレード４２１のみのクリーニングとし、ブレード
の押し圧を通常の８０％の圧力でスクレープクリーニン
グを行うようにセッティングした。

【００９３】以上の評価で得られた結果を表９に示す。

【００９４】その結果Ａ，Ｂ，Ｃいずれの光受容部材に
おいても１０万枚の耐久後でもムラ削れによって発生す
る黒スジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング不良や
融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかった。さら
に、画像流れに関しても光受容部材の加温手段を設けず
とも、良好な画像特性が得られた。

【００９５】（ムラ削れ評価方法）以下、ムラ削れの評
価方法を図４を用いて説明する。

【００９６】現像器４０４位置における暗部電位が４０
０Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１にベタ黒の縦ラインを設けた原稿４１
２を置き、光受容部材表面の母線方向において、常に現
像剤で摺擦される部分と摺擦されない部分を設け耐久を
行った後、現像器４０４位置における暗部電位が４００
Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整し、
原稿台４１１にベタ白原稿４１２を置き、明部電位が５
０Ｖになるようにハロゲンランプ４１０の点灯電圧を調
整した後、反射濃度が０．３の原稿４１２を置く、この
ときの電位ムラを測定し、正常部分の電位に対するムラ
削れした部分の電位が何％変化しているかを評価する。

【００９７】 ○・・・感度ムラがなく良好な画像 △・・・２．５％以下の電位ムラがあるが画像は実用上
問題のなりレベル ×・・・２．５％以上の電位ムラが発生し画像にスジ状
の濃度ムラが発生

【００９８】（融着評価方法）以下に、融着の評価方法
を同じく図４を用いて説明する。

【００９９】現像器４０４位置における暗部電位が４０
０Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１にベタ白の原稿４１２を置き、明部電
位が５０Ｖになるようにハロゲンランプ４１０の点灯電
圧を調整し、Ａ３版のベタ白画像を作成した。この画像
によって現像剤の融着により発生する黒ポチを観察し、
さらに顕微鏡により光受容部材表面を観察する。

【０１００】 ○・・・融着がなく良好な画像 △・・・画像には黒ポチは発生しないが顕微鏡観察で１
０μｍ以下の微小な融着が認められる（実用上問題な
し） ×・・・画像上に黒ポチとして発生

【０１０１】（クリーニング不良評価方法）以下に、ク
リーニング不良の評価方法を図４を用いて説明する。

【０１０２】現像器４０４位置における暗部電位が４０
０Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１に反射濃度０．３の原稿４１２を置
き、明部電位が２００Ｖになるようにハロゲンランプ４
１０の点灯電圧を調整し、Ａ３版のハーフトーン画像を
作成した。この画像によってワイヤー汚れによって発生
するズジ状の濃度ムラを観察する。

【０１０３】 ○・・・クリーニング不良がない良好な画像 △・・・幅１ｍｍ長さ１ｃｍ以内のクリーニング不良が
２個所以下あるが実用上問題のないレベル ×・・・幅１ｍｍ長さ１ｃｍ以内のクリーニング不良が
２個所以上発生

【０１０４】

【表１】

【０１０５】

【表２】

【０１０６】

【表３】

【０１０７】［比較例１］実施例１と同様に、図２に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の条件で円筒状導
電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表４の条
件で表面層を０．５μｍ堆積しＡ’〜Ｃ’の光受容部材
を製造した。さらに、７０５９基板上にも表４の条件で
Ａ’〜Ｃ’のａ−ＳｉＣ表面層サンプルを作成し、実施
例１と同様の方法によりＡ’〜Ｃ’の表面層の炭素量及
びダイナミック硬度を測定した。

【０１０８】その結果、光受容部材Ａ’〜Ｃ’の表面層
の炭素量及びダイナミック硬度は、表５に示した値であ
った。

【０１０９】次いで、この光受容部材Ａ’〜Ｃ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部
材の移動速度を３００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発
弾性８％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩耗
量を表５に示す。

【０１１０】また、金属顕微鏡によってドラム表面の球
状突起を観察した結果、球状突起の頭部が欠落し凹が多
数発生しており凹み部分を核に融着も発生していた。さ
らに凹みに対応するブレードエッジ部に破損が観察され
た。

【０１１１】以上の評価で得られた結果を表１２及び表
１３に示す。

【０１１２】その結果、１０万枚耐久によってムラ削れ
によるスジ状の画像欠陥が発生した。さらに、画像流れ
に関しても光受容部材の加温手段やクリーニングローラ
ーを設けない条件での耐久では、画像流れが発生する場
合があった。

【０１１３】

【表４】

【０１１４】

【表５】

【０１１５】［実施例２］実施例１と同様に、図２に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の条件で円筒状導
電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表６の条
件で表面層を０．５μｍ堆積しＤ〜Ｆの光受容部材を製
造した。さらに、７０５９ガラス基板上にも表６の条件
でＤ〜Ｆのａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層サンプルを作成し、実
施例１と同様の方法によりＤ〜Ｆの表面層の炭素量及び
ダイナミック硬度を測定した。

【０１１６】その結果、光受容部材Ｄ〜Ｆの表面層の炭
素量及びダイナミック硬度は、表７に示した値であっ
た。

【０１１７】次いで、この光受容部材Ｄ〜Ｆをキャノン
製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例１と
同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部材の
移動速度を４００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発弾性
１７％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩耗量
を表７に示す。

【０１１８】また、耐久後の表面を金属顕微鏡で観察し
た結果、球状突起の先端高さは何れも５μｍ以下であっ
た。さらに、ブレードエッジ部分を観察した結果、球状
突起が存在する部分に対応して若干の破損が認められた
がクリーニング不良が発生しない程度の軽微なものであ
った。

【０１１９】以上の評価で得られた結果を表８に示す。

【０１２０】さらにＤ〜Ｆの光受容部材を加温手段を設
けずに、３５℃相対湿度９０％の環境下で１０万枚の耐
久を行い、画像流れの評価を行った。ただしクリーニン
グ条件はクリーニングローラー４０７は設けず弾性ゴム
ブレード４２１のみのクリーニングとし、ブレードの押
し圧を通常の８０％の圧力でスクレープクリーニングを
行うようにセッティングした。

【０１２１】以上の評価で得られた結果を表９に示す。

【０１２２】その結果、光受容部材Ｄ〜Ｆ何れの光受容
部材においても１０万枚の耐久後でもムラ削れによって
発生するスジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング不
良や融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかった。
さらに、画像流れに関しても光受容部材の加温手段を設
けずとも、良好な画像特性が得られた。

【０１２３】

【表６】

【０１２４】

【表７】

【０１２５】

【表８】

【０１２６】

【表９】 ○・・・画像流れがない良好な画像 △・・・７本／ｍｍのラインは見えないが６本／ｍｍの
ラインは見える程度で実用上問題のないレベル ×・・・５本／ｍｍのラインが見えない程の画像流れが
発生

【０１２７】［比較例２］実施例１と同様に、図２に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の条件で円筒状導
電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１０の
条件で表面層を０．５μｍ堆積しＤ’〜Ｆ’の光受容部
材を製造した。さらに、７０５９ガラス基板上にも表１
０の条件でＤ’〜Ｆ’のａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層サンプル
を作成し、実施例１と同様の方法によりＤ’〜Ｆ’の表
面層の炭素量及びダイナミック硬度を測定した。

【０１２８】その結果、光受容部材Ｄ’〜Ｆ’の表面層
の炭素量及びダイナミック硬度は、表１１に示した値で
あった。

【０１２９】次いで、この光受容部材Ｄ’〜Ｆ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部
材の移動速度を４００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発
弾性５５％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩
耗量を表１１に示す。

【０１３０】以上の評価で得られた結果を表１２及び表
１３に示す。

【０１３１】その結果、融着及び画像流れに関しては実
用上問題のないレベルであったが、１０万枚耐久によっ
て摺擦傷及びムラ削れによるスジ状の画像欠陥が発生す
る場合があった。

【０１３２】

【表１０】

【０１３３】

【表１１】

【０１３４】

【表１２】

【０１３５】

【表１３】 ○・・・画像流れがない良好な画像 △・・・７本／ｍｍのラインは見えないが６本／ｍｍの
ラインは見える程度で実用上問題のないレベル ×・・・５本／ｍｍのラインが見えない程の画像流れが
発生

【０１３６】［実施例３］実施例１と同様の方法で、図
３に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で
円筒状導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、
表１５の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＧ〜Ｉの光受
容部材を製造した。さらに、７０５９基板上にも表１５
の条件でＧ〜Ｉのａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層サンプルを作成
し、実施例１と同様の方法によりＧ〜Ｉの表面層の炭素
量及びダイナミック硬度を測定した。

【０１３７】その結果、光受容部材Ｇ〜Ｉの表面層の炭
素量及びダイナミック硬度は、表１６に示した値であっ
た。

【０１３８】次いで、この光受容部材Ｇ〜Ｉをキャノン
製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例１と
同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部材の
移動速度を５００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発弾性
３０％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩耗量
を表１６に示す。

【０１３９】また、耐久後の表面を金属顕微鏡で観察し
た結果、球状突起の先端高さは何れも５μｍ以下であっ
た。さらに、ブレードエッジ部分を観察した結果、球状
突起が存在する部分に対応して若干の破損が認められた
がクリーニング不良が発生しない程度の軽微なものであ
った。

【０１４０】以上の評価で得られた結果を表２１及び表
２２に示す。

【０１４１】その結果、光受容部材Ｇ〜Ｉ何れの光受容
部材においても１０万枚の耐久後でもムラ削れによって
発生するスジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング不
良や融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかった。
さらに、画像流れに関しても光受容部材の加温手段を設
けずとも、良好な画像特性が得られた。

【０１４２】

【表１４】

【０１４３】

【表１５】

【０１４４】

【表１６】

【０１４５】［比較例３］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１７
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＧ’〜Ｉ’の光受容
部材を製造した。さらに、７０５９基板上にも表１７の
条件でＧ’〜Ｉ’のａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層サンプルを作
成し、実施例１と同様の方法によりＧ’〜Ｉ’の表面層
の炭素量及びダイナミック硬度を測定した。

【０１４６】その結果、光受容部材Ｇ’〜Ｉ’の表面層
の炭素量及びダイナミック硬度は、表１８に示した値で
あった。

【０１４７】次いで、この光受容部材Ｇ’〜Ｉ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部
材の移動速度を５００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発
弾性８％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩耗
量を表１８に示す。

【０１４８】また、金属顕微鏡によってドラム表面の球
状突起を観察した結果、球状突起の頭部が削られずに初
期の状態を維持しているため球状突起を核に融着が発生
し、さらに、球状突起に対応するブレードエッジ部に破
損が観察された。

【０１４９】以上の評価で得られた結果を表２５及び表
２６に示す。

【０１５０】その結果、摩耗量が１オングストローム／
１万枚よりも小さい値を示すａ−ＳｉＣ：Ｈ膜では、１
０万枚耐久によって融着、画像流れが発生する場合があ
ることが判明した。

【０１５１】

【表１７】

【０１５２】

【表１８】

【０１５３】［実施例４］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１９
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＪ〜Ｌの光受容部材
を製造した。さらに、７０５９ガラス基板上にも表１９
の条件でＪ〜Ｌのａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層サンプルを作成
し、実施例１と同様の方法によりＪ〜Ｌの表面層の炭素
量及びダイナミック硬度を測定した。

【０１５４】その結果、光受容部材Ｊ〜Ｌの表面層の炭
素量及びダイナミック硬度は、表２０に示した値であっ
た。

【０１５５】次いで、この光受容部材Ｊ〜Ｌをキヤノン
製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例１と
同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部材の
移動速度を２００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発弾性
５０％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩耗量
を表２０に示す。

【０１５６】また、耐久後の表面を金属顕微鏡で観察し
た結果、球状突起の先端高さは何れも５μｍ以下であっ
た。さらに、ブレードエッジ部分を観察した結果、球状
突起が存在する部分に対応して若干の破損が認められた
がクリーニング不良が発生しない程度の軽微なものであ
った。

【０１５７】以上の評価で得られた結果を表２１及び表
２２に示す。

【０１５８】その結果、光受容部材Ｊ〜Ｌ何れの光受容
部材においても１０万枚の耐久後でもムラ削れによって
発生するスジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング不
良や融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかった。
さらに、画像流れに関しても光受容部材の加温手段を設
けずとも、良好な画像特性が得られた。

【０１５９】

【表１９】

【０１６０】

【表２０】

【０１６１】

【表２１】

【０１６２】

【表２２】 ○・・・画像流れがない良好な画像 △・・・７本／ｍｍのラインは見えないが６本／ｍｍの
ラインは見える程度で実用上問題のないレベル ×・・・５本／ｍｍのラインが見えない程の画像流れが
発生

【０１６３】［比較例４］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表２３
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＪ’〜Ｌ’の光受容
部材を製造した。さらに、７０５９基板上にも表２３の
条件でＪ’〜Ｌ’のａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層サンプルを作
成し、実施例１と同様の方法によりＪ’〜Ｌ’の表面層
の炭素量及びダイナミック硬度を測定した。

【０１６４】その結果、光受容部材Ｊ’〜Ｌ’の表面層
の炭素量及びダイナミック硬度は、表２４に示した値で
あった。

【０１６５】次いで、この光受容部材Ｊ’〜Ｌ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久評価を行った。ただし、光受容部
材の移動速度を２００ｍｍ／ｓｅｃとしブレードは反発
弾性５５％のものを使用した。この耐久後の表面層の摩
耗量を表２４に示す。

【０１６６】以上の評価で得られた結果を表２５及び表
２６に示す。

【０１６７】その結果、摩耗量が１００オングストロー
ム／１万枚よりも大きい値を示すａ−ＳｉＣ：Ｈ膜で
は、１０万枚耐久によって融着、さらに画像流れは実用
上問題のないレベルであったが、機械的強度は低くムラ
削れや、白スジ状の摺擦傷が画像欠陥として発生する場
合があった。

【０１６８】

【表２３】

【０１６９】

【表２４】

【０１７０】

【表２５】

【０１７１】

【表２６】 ○・・・画像流れがない良好な画像 △・・・７本／ｍｍのラインは見えないが６本／ｍｍの
ラインは見える程度で実用上問題のないレベル ×・・・５本／ｍｍのラインが見えない程の画像流れが
発生

【０１７２】

【発明の効果】以上詳述したように本発明は、平均粒径
５〜８μｍの現像剤を反発弾性１０％以上５０％以下の
弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングする構成を
有する電子写真装置において、Ａ４版の複写工程を転写
紙に行った後の摩耗量が１オングストローム／１万枚以
上１００オングストローム／１万枚以下でありかつ、炭
素含有量が５％以上９０％以下であり、さらにダイナミ
ック硬度が１００〜９５０の範囲である非単結晶質炭素
化珪素膜で表面層を構成する光受容部材を用いることに
より、光受容部材表面に１〜５０μｍの高さの球状突起
が存在した場合においてもクリーニングブレードによっ
て該球状突起の頭部が選択的に研磨されるためブレード
の破損を防止することが可能となった。

【０１７３】さらに、該表面層のクリーニングローラー
による摺擦手段を設けずとも、表面層を均一に摩耗する
ことが可能であり、ムラ削れにより発生する画像濃度ム
ラ及び現像剤の融着を防止することが可能になった。

【０１７４】加えて、表面層を均一に１オングストロー
ム／１万枚以上１００オングストローム／１万枚以下の
範囲で摩耗させることにより、如何なる環境下でも光受
容部材表面を直接加温する手段を設けずに、画像流れや
画像ボケといった画像欠陥を効果的に防止することが可
能である。

【０１７５】さらに、使用できる現像剤の種類及び電子
写真装置のコンパクト化、コストダウン等といった電子
写真装置設計のラチチュードを大幅に広げることが可能
となった。

【０１７６】なお、本発明の主旨の範囲内で適宜、変化
組み合わせを行うことができ、上記した各実施例に限定
されないことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ），（Ｂ）は本発明による、光受容部
材の一例を示す模式的断面図ある。

【図２】本発明に適用可能なＰＣＶＤ法により光受容部
材を製造するために用いられる堆積装置の一例を示す模
式的構成図である。

【図３】本発明に適用可能なＰＣＶＤ法により光受容部
材を製造するために用いられる堆積装置の一例を示す模
式的構成図である。

【図４】電子写真装置の一例を説明する模式的断面図で
ある。

【符号の説明】

１０１導電性基体１０２電荷注入阻止層１０３光導電層１０４表面層１０５電荷発生層１０６電荷輸送層２１００，３１００堆積装置２１１０，３１１０反応容器２１１１，３１１１カソード電極２１１２，３１１２導電性基体２１１３，３１１３基体加熱用ヒーター２１１４，３１１４ガス導入管２１１５，３１１５高周波マッチングボックス２１１６，３１１６ガス配管２１１７，３１１７リークバルブ２１１８，３１１８メインバルブ２１１９，３１１９真空計２１２０，３１２０高周波電源２１２１，３１２１絶縁材料３１２２絶縁シールド板２１２３，３１２３受け台２２００，３２００ガス供給装置２２１１〜２２１６，３２１１〜３２１６マスフロ
ーコントローラー２２２１〜２２２６，３２２１〜３２２６ボンベ２２３１〜２２３６，３２３１〜６２３６バルブ２２４１〜２２４６，３２４１〜３２４６流入バル
ブ２２５１〜２２５６，３２５１〜３２５６流出バル
ブ２２６０，３２６０補助バルブ２２６１〜２２６６，３２６１〜３２６６圧力調整
器４０１光受容部材４０２主帯電器４０３静電潜像形成部位４０４現像器４０５転写紙供給系４０６（ａ）転写帯電器４０６（ｂ）分離帯電器４０７クリーニングローラー４０８搬送系４０９除電光源４１０ハロゲンランプ４１１原稿台４１２原稿４１３ミラー４１４ミラー４１５ミラー４１６ミラー４１７レンズユニット４１８レンズ４１９給紙ガイド４２０ブランク露光ＬＥＤ４２１クリーニングブレード４２２レジスタローラー４２３面状ヒーター４２４定着器４２５クリーナー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青木誠東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 DA05 DA14 DA17 DA23 DA41 DA51 EA24 EA31 FA16 FA30 FC15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光受容部材に対して、帯電、露光、現
像、転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真装置に
おいて、平均粒径５〜８μｍの現像剤を該光受容部材に
現像、転写材へ転写し、現像剤が転写された後の光受容
部材表面を反発弾性１０％以上５０％以下の弾性ゴムブ
レートでスクレープクリーニングする電子写真装置でＡ
４版の複写工程を転写紙に行った後の摩耗量が１オング
ストローム／１万枚以上１００オングストローム／１万
枚以下である、非単結晶質炭素化珪素膜で表面層を構成
した光受容部材を用いることを特徴とする電子写真装
置。
【請求項２】前記、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを順次繰り返す電子写真装置において、クリーニ
ングローラーによる摺擦クリーニング手段を設けずか
つ、光受容部材を直接加温する手段を設けない構成であ
る請求項１に記載の電子写真装置。
【請求項３】前記、光受容部材が導電性基体上にシリ
コン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電
層及び非単結晶材料で構成された表面層からなる光受容
部材である請求項１または２に記載の電子写真装置。
【請求項４】前記、表面層のダイナミック硬度が１０
０〜９５０である請求項１乃至３のうち、いずれか１項
に記載の電子写真装置。
【請求項５】前記、非単結晶質炭化珪素膜の炭素量
（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）が５％〜９０％である請求項１乃至４
のうち、いずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項６】前記、表面層が、少なくともシラン系及
び、炭化水素系のガスを１〜４５０ＭＨｚの高周波を用
いたプラズマＣＶＤ法によって分解することによって堆
積成膜する請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載
の電子写真装置。
【請求項７】前記、光受容部材が、電荷注入阻止層、
光導電層、表面層の３層で構成されている請求項１乃至
６のうち、いずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項８】前記、光受容部材が、電荷輸送層、電荷
発生層、表面層の３層で構成されている請求項１乃至７
のうち、いずれか１項に記載の電子写真装置。