JPH107434A - 複合シリカガラス及びその製造方法 - Google Patents
複合シリカガラス及びその製造方法Info
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- JPH107434A JPH107434A JP18168496A JP18168496A JPH107434A JP H107434 A JPH107434 A JP H107434A JP 18168496 A JP18168496 A JP 18168496A JP 18168496 A JP18168496 A JP 18168496A JP H107434 A JPH107434 A JP H107434A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、９００〜１３００℃での熱処理にお
いても不純物金属元素、特にアルカリ金属元素やアルカ
リ土類元素による汚染の少ない複合シリカガラスを提供
すること。 【解決手段】ＯＨ基含有量が１０〜５００ｐｐｍのシリ
カガラスマトリックス中に高純度の酸化アルミニウム又
は／及び酸化ジルコニウムの微粒子が均一に分散してい
ることを特徴とする複合シリカガラス及びその製造方
法。
いても不純物金属元素、特にアルカリ金属元素やアルカ
リ土類元素による汚染の少ない複合シリカガラスを提供
すること。 【解決手段】ＯＨ基含有量が１０〜５００ｐｐｍのシリ
カガラスマトリックス中に高純度の酸化アルミニウム又
は／及び酸化ジルコニウムの微粒子が均一に分散してい
ることを特徴とする複合シリカガラス及びその製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不純物金属元素の遮蔽
性に優れた複合シリカガラス、特にシリコンウエハー等
半導体材料の熱処理に使用する炉材や治具、或は光学材
料として有用な複合シリカガラス及びその製造方法に関
する。
性に優れた複合シリカガラス、特にシリコンウエハー等
半導体材料の熱処理に使用する炉材や治具、或は光学材
料として有用な複合シリカガラス及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来技術】従来、天然水晶や石英を溶融したいわゆる
“溶融石英”ガラスは、高純度で耐熱性が高く、しかも
耐急加熱急冷却性に優れているところから、シリコンウ
エハーボート、チャンバー、ベルジャー、洗浄槽、ルツ
ボ等の半導体工業用治具に、またＳｉＣｌ4等の高純度
シリコン化合物を火炎加水分解法等で得た合成シリカガ
ラスは高純度で紫外域、赤外域の光透過性に優れている
ところから光ファイバ、光リソグラフィー用レンズ、プ
リズム等の光学材料として使用されてきた。前記治具に
あってはその製造時の歪除去のためのアニール処理、そ
の後製品として使用されるための加熱処理が行われ、ま
た光学材料にあっては複屈折の低減、屈折率分布を高均
質にするのためのアニール処理が行われるのが一般的で
ある。ところが、前記加熱処理は高温で長時間の処理で
あるところから、熱処理炉の炉材や治具中に存在するア
ルカリ金属やアルカリ土類元素が揮発、拡散し被処理製
品を汚染することが時々起こる。そのため前記炉材や治
具を例えば低酸素分圧下（Ｎ2気流中）、１３００〜１
５００℃で１００〜１２０時間の空焼きをして不純物金
属元素を低減したり、或は市販の高純度Ａｌ2Ｏ3板を炉
床板として用い、その上に半導体製品を載置して熱処理
することが行われているが、前記空焼きでは不純物金属
元素の純化が充分に行われず、また市販の最高純度のＡ
ｌ2Ｏ3板にあってもアルカリ金属の含有量が数百ｐｐｍ
以上と半導体製品中のアルカリ金属含有量の数ｐｐｂ〜
数百ｐｐｂに比べ非常に高く、前記処理によっても前記
半導体製品の不純物金属元素、特にアルカリ金属元素に
よる汚染を防止できなかった。それで、炉床板を四塩化
珪素等の珪素化合物を原料として合成した高純度のシリ
カガラス板とすることが試みられたが、合成シリカガラ
スは耐熱性に劣る上に、熱処理炉材中のアルカリ金属元
素がこの合成シリカガラス炉床板を媒介として半導体製
品を汚染することがあった。こうした問題点を解決する
半導体製造用石英ガラス部材としてＮａ、Ｋ、Ｌｉのア
ルカリ金属の総含有量が２ｐｐｍ以下、Ｚｒを５〜１０
ｐｐｍ含有し、他の金属不純物の総含有量が３０ｐｐｍ
以下、残部ＳｉＯ2である半導体製造用石英ガラス部材
が特公平７−１０２９８０号公報で提案されたが、同部
材を用いて９００〜１３００℃の高温で長時間熱処理す
るとアルカリ金属元素やアルカリ土類元素による汚染が
起こった。
“溶融石英”ガラスは、高純度で耐熱性が高く、しかも
耐急加熱急冷却性に優れているところから、シリコンウ
エハーボート、チャンバー、ベルジャー、洗浄槽、ルツ
ボ等の半導体工業用治具に、またＳｉＣｌ4等の高純度
シリコン化合物を火炎加水分解法等で得た合成シリカガ
ラスは高純度で紫外域、赤外域の光透過性に優れている
ところから光ファイバ、光リソグラフィー用レンズ、プ
リズム等の光学材料として使用されてきた。前記治具に
あってはその製造時の歪除去のためのアニール処理、そ
の後製品として使用されるための加熱処理が行われ、ま
た光学材料にあっては複屈折の低減、屈折率分布を高均
質にするのためのアニール処理が行われるのが一般的で
ある。ところが、前記加熱処理は高温で長時間の処理で
あるところから、熱処理炉の炉材や治具中に存在するア
ルカリ金属やアルカリ土類元素が揮発、拡散し被処理製
品を汚染することが時々起こる。そのため前記炉材や治
具を例えば低酸素分圧下（Ｎ2気流中）、１３００〜１
５００℃で１００〜１２０時間の空焼きをして不純物金
属元素を低減したり、或は市販の高純度Ａｌ2Ｏ3板を炉
床板として用い、その上に半導体製品を載置して熱処理
することが行われているが、前記空焼きでは不純物金属
元素の純化が充分に行われず、また市販の最高純度のＡ
ｌ2Ｏ3板にあってもアルカリ金属の含有量が数百ｐｐｍ
以上と半導体製品中のアルカリ金属含有量の数ｐｐｂ〜
数百ｐｐｂに比べ非常に高く、前記処理によっても前記
半導体製品の不純物金属元素、特にアルカリ金属元素に
よる汚染を防止できなかった。それで、炉床板を四塩化
珪素等の珪素化合物を原料として合成した高純度のシリ
カガラス板とすることが試みられたが、合成シリカガラ
スは耐熱性に劣る上に、熱処理炉材中のアルカリ金属元
素がこの合成シリカガラス炉床板を媒介として半導体製
品を汚染することがあった。こうした問題点を解決する
半導体製造用石英ガラス部材としてＮａ、Ｋ、Ｌｉのア
ルカリ金属の総含有量が２ｐｐｍ以下、Ｚｒを５〜１０
ｐｐｍ含有し、他の金属不純物の総含有量が３０ｐｐｍ
以下、残部ＳｉＯ2である半導体製造用石英ガラス部材
が特公平７−１０２９８０号公報で提案されたが、同部
材を用いて９００〜１３００℃の高温で長時間熱処理す
るとアルカリ金属元素やアルカリ土類元素による汚染が
起こった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、特定量のＯＨ基を
含有する高純度シリカガラスマトリックス中に高純度酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ2）の微粒子又は前記ＺｒＯ2と
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の微粒子を同時に均一に
分散することで半導体製品等を高温で長時間熱処理して
もアルカリ金属元素やアルカリ土類元素で汚染すること
の少ない複合シリカガラスが得られることを見出し、本
発明を完成したものである。すなわち、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、特定量のＯＨ基を
含有する高純度シリカガラスマトリックス中に高純度酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ2）の微粒子又は前記ＺｒＯ2と
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の微粒子を同時に均一に
分散することで半導体製品等を高温で長時間熱処理して
もアルカリ金属元素やアルカリ土類元素で汚染すること
の少ない複合シリカガラスが得られることを見出し、本
発明を完成したものである。すなわち、
【０００４】本発明は、不純物金属元素、特にアルカリ
金属元素やアルカリ土類元素による汚染の起こらない複
合シリカガラスを提供することを目的とする。
金属元素やアルカリ土類元素による汚染の起こらない複
合シリカガラスを提供することを目的とする。
【０００５】また、本発明は、９００〜１３００℃の高
温熱処理においてもアルカリ金属元素の汚染の起こらな
い炉材及び治具用シリカガラスを提供することを目的と
する。
温熱処理においてもアルカリ金属元素の汚染の起こらな
い炉材及び治具用シリカガラスを提供することを目的と
する。
【０００６】さらに、本発明は、上記シリカガラスの製
造方法を提供することを目的とする。
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、ＯＨ基含有量が１０〜５００ｗｔｐｐｍのシリカ
ガラスマトリックス中に高純度酸化ジルコニウムの微粒
子が均一に分散するか、さらに前記酸化ジルコニウムに
加えて酸化アルミニウム微粒子をも均一に分散する複合
シリカガラス、及びその製造方法に係る。
明は、ＯＨ基含有量が１０〜５００ｗｔｐｐｍのシリカ
ガラスマトリックス中に高純度酸化ジルコニウムの微粒
子が均一に分散するか、さらに前記酸化ジルコニウムに
加えて酸化アルミニウム微粒子をも均一に分散する複合
シリカガラス、及びその製造方法に係る。
【０００８】本発明のシリカガラスは上述のとおりＯＨ
基を１０〜５００ｗｔｐｐｍ、好ましくは１００〜３０
０ｗｔｐｐｍ含有するシリカガラスであり、このシリカ
ガラスマトリックス中に酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）
の微粒子が均一、又は前記ＺｒＯ2と酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）の微粒子が均一に分散する。前記範囲のＯ
Ｈ基を含有することで９００〜１３００℃の高温で半導
体製品を長時間加熱しても熱処理雰囲気中に存在するア
ルカリ金属がシリカガラス中のＯＨ基又はＨ+イオンと
イオン交換し、優先的にシリカガラス中に取り込まれ、
半導体製品を汚染することが少なくなる。ＯＨ基含有量
が１０ｗｔｐｐｍ未満では前記作用がなく、また５００
ｗｔｐｐｍを超えるとシリカガラスの耐熱性が低下し熱
処理時に被処理製品と融着したり、或は変形を起こすた
め好ましくない。
基を１０〜５００ｗｔｐｐｍ、好ましくは１００〜３０
０ｗｔｐｐｍ含有するシリカガラスであり、このシリカ
ガラスマトリックス中に酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）
の微粒子が均一、又は前記ＺｒＯ2と酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）の微粒子が均一に分散する。前記範囲のＯ
Ｈ基を含有することで９００〜１３００℃の高温で半導
体製品を長時間加熱しても熱処理雰囲気中に存在するア
ルカリ金属がシリカガラス中のＯＨ基又はＨ+イオンと
イオン交換し、優先的にシリカガラス中に取り込まれ、
半導体製品を汚染することが少なくなる。ＯＨ基含有量
が１０ｗｔｐｐｍ未満では前記作用がなく、また５００
ｗｔｐｐｍを超えるとシリカガラスの耐熱性が低下し熱
処理時に被処理製品と融着したり、或は変形を起こすた
め好ましくない。
【０００９】本発明の複合シリカガラスは上記ＯＨ基含
有量とともに高純度のＺｒＯ2の微粒子が均一に分散す
る。前記高純度とは９９．９９％以上の純度のことをい
うが、この高純度のＺｒＯ2微粒子が分散量２０〜１
０，０００ｗｔｐｐｍの範囲で均一に分散することで、
ＺｒＯ2微粒子のＺｒ4+がＳｉ−Ｏ結合中に組み込ま
れ、そのイオン半径がＳｉ4+より大きいことからアルカ
リ金属イオンの拡散を遮蔽する。前記ＺｒＯ2微粒子を
加えてさらにＡｌ2Ｏ3粒子を含有するとＡｌ2Ｏ3粒子周
辺或はＡｌ3+イオン周辺の電荷平衡が崩れ、正電荷の補
償が必要とされる状態となり熱処理時にアルカリ金属元
素、アルカリ土類元素、その他の不純物金属元素をトラ
ップし、半導体製品等の汚染を一層少なくする。Ａｌ2
Ｏ3微粒子の含有は２０〜５，０００ｗｔｐｐｍが好ま
しく、５，０００ｗｔｐｐｍの範囲を超えるとアルカリ
金属イオンの吸収量、すなわちシリカガラス中のアルカ
リ金属イオンの飽和量が大きくなり過ぎ、またシリカガ
ラスの再結晶化を助長し好ましくない。また、ＺｒＯ2
微粒子を含有させたガラスは、Ａｌ2Ｏ3微粒子のみ含有
させたガラスに比較して、高温下での耐再結晶性が高
く、９００〜１，３００℃の高温処理においても強度劣
化が少なく、治具用シリカガラスとして好ましいもので
ある。
有量とともに高純度のＺｒＯ2の微粒子が均一に分散す
る。前記高純度とは９９．９９％以上の純度のことをい
うが、この高純度のＺｒＯ2微粒子が分散量２０〜１
０，０００ｗｔｐｐｍの範囲で均一に分散することで、
ＺｒＯ2微粒子のＺｒ4+がＳｉ−Ｏ結合中に組み込ま
れ、そのイオン半径がＳｉ4+より大きいことからアルカ
リ金属イオンの拡散を遮蔽する。前記ＺｒＯ2微粒子を
加えてさらにＡｌ2Ｏ3粒子を含有するとＡｌ2Ｏ3粒子周
辺或はＡｌ3+イオン周辺の電荷平衡が崩れ、正電荷の補
償が必要とされる状態となり熱処理時にアルカリ金属元
素、アルカリ土類元素、その他の不純物金属元素をトラ
ップし、半導体製品等の汚染を一層少なくする。Ａｌ2
Ｏ3微粒子の含有は２０〜５，０００ｗｔｐｐｍが好ま
しく、５，０００ｗｔｐｐｍの範囲を超えるとアルカリ
金属イオンの吸収量、すなわちシリカガラス中のアルカ
リ金属イオンの飽和量が大きくなり過ぎ、またシリカガ
ラスの再結晶化を助長し好ましくない。また、ＺｒＯ2
微粒子を含有させたガラスは、Ａｌ2Ｏ3微粒子のみ含有
させたガラスに比較して、高温下での耐再結晶性が高
く、９００〜１，３００℃の高温処理においても強度劣
化が少なく、治具用シリカガラスとして好ましいもので
ある。
【００１０】本発明の複合シリカガラス製造は、先ず原
料粉中のＯＨ基濃度をガラス化した後のＯＨ基含有量が
１０〜５００ｗｔｐｐｍ、好ましくは１００〜３００ｗ
ｔｐｐｍとなるように調整しそれに高純度ＺｒＯ2粉又
は該ＺｒＯ2粉とＡｌ2Ｏ3を混合し、それを電気加熱溶
融法、帯溶融法（ゾーンメルティング法）、アーク溶融
法又は酸水素炎ベルヌーイ法等で溶融し透明ガラス化す
ることで製造される。得られた複合シリカガラスをさら
に１７００〜２２００℃で短時間加熱処理することで複
合シリカガラスを任意の形状の部材とすることができ
る。
料粉中のＯＨ基濃度をガラス化した後のＯＨ基含有量が
１０〜５００ｗｔｐｐｍ、好ましくは１００〜３００ｗ
ｔｐｐｍとなるように調整しそれに高純度ＺｒＯ2粉又
は該ＺｒＯ2粉とＡｌ2Ｏ3を混合し、それを電気加熱溶
融法、帯溶融法（ゾーンメルティング法）、アーク溶融
法又は酸水素炎ベルヌーイ法等で溶融し透明ガラス化す
ることで製造される。得られた複合シリカガラスをさら
に１７００〜２２００℃で短時間加熱処理することで複
合シリカガラスを任意の形状の部材とすることができ
る。
【００１１】原料中のＯＨ基濃度の調整はガラス化する
条件によりシリカガラス中のＯＨ基濃度が異なるところ
から一律に規定できないが、原料粉中のＯＨ基濃度が少
ない場合には原料粉の表面に吸着水を付着させるのがよ
い。前記原料粉、ＺｒＯ2粉及びＡｌ2Ｏ3粉中のＬｉ、
Ｎａ及びＫのアルカリ金属元素の含有量は夫々０．５ｐ
ｐｍ以下、Ｃａ及びＭｇのアルカリ土類金属元素の含有
量は夫々１ｐｐｍ以下とすることが重要である。前記範
囲を超えるアルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素
を含有すると、９００〜１３００℃での熱処理において
前記元素が揮発し半導体製品を汚染することが起こる。
条件によりシリカガラス中のＯＨ基濃度が異なるところ
から一律に規定できないが、原料粉中のＯＨ基濃度が少
ない場合には原料粉の表面に吸着水を付着させるのがよ
い。前記原料粉、ＺｒＯ2粉及びＡｌ2Ｏ3粉中のＬｉ、
Ｎａ及びＫのアルカリ金属元素の含有量は夫々０．５ｐ
ｐｍ以下、Ｃａ及びＭｇのアルカリ土類金属元素の含有
量は夫々１ｐｐｍ以下とすることが重要である。前記範
囲を超えるアルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素
を含有すると、９００〜１３００℃での熱処理において
前記元素が揮発し半導体製品を汚染することが起こる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に具体例に基づいて本発明を詳
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
【００１３】なお、実施例１〜４及び比較例１〜５で使
用するシリカ原料粉及びアルミナ粉、ジルコニア粉の不
純物濃度を表１に示す。
用するシリカ原料粉及びアルミナ粉、ジルコニア粉の不
純物濃度を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】また、実施例１〜４及び比較例１〜５の測
定値は 下記の方法に従った。 （ｉ）ＯＨ基濃度濃度測定：赤外線吸光分光法（Ｄ．
Ｍ．Ｄｏｄｄ， Ｄ．Ｂ．Ｆｒａｓｅｒ， Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．３７， ｐ． ３９１１（１９６６）） （ｉｉ）Ｎａの拡散係数の測定：寸法２０×２０×５ｍ
ｍ、鏡面仕上げのサンプルを作成し、その上に食塩水を
塗り、１００℃で乾燥し、ついで大気中において１００
０℃で５０時間加熱処理を行ったのち、ＬＭＡ法（Ｌａ
ｓｅｒ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉｓ法）によりガラ
ス表面から深さ方向におけるＮａ拡散濃度分布を測定
し、フィックの法則により拡散係数を求める方法。 （ｉｉｉ）不純物分析：原子吸光分光法
定値は 下記の方法に従った。 （ｉ）ＯＨ基濃度濃度測定：赤外線吸光分光法（Ｄ．
Ｍ．Ｄｏｄｄ， Ｄ．Ｂ．Ｆｒａｓｅｒ， Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．３７， ｐ． ３９１１（１９６６）） （ｉｉ）Ｎａの拡散係数の測定：寸法２０×２０×５ｍ
ｍ、鏡面仕上げのサンプルを作成し、その上に食塩水を
塗り、１００℃で乾燥し、ついで大気中において１００
０℃で５０時間加熱処理を行ったのち、ＬＭＡ法（Ｌａ
ｓｅｒ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉｓ法）によりガラ
ス表面から深さ方向におけるＮａ拡散濃度分布を測定
し、フィックの法則により拡散係数を求める方法。 （ｉｉｉ）不純物分析：原子吸光分光法
【００１６】
実施例１〜４、比較例１〜５ 純化処理しＯＨ基含有量を調整したシリカ粉であって、
その粒径が１０〜２００μｍ、アルカリ金属元素及びア
ルカリ土類元素の含有量が表１の合成クリストバライト
粉に粒径０．１〜１０μｍの表１の純度のＺｒＯ2粉、
又はＺｒＯ2粉及びＡｌ2Ｏ3粉を表２に示す配合割合で
混合し、Ｖ型混合器で均一に混合した。前記混合物を加
熱溶融して複合シリカガラスを製造した。ガラスの溶融
条件、ガラス中のＯＨ基含有量は表２のとおりである。
得られた複合シリカガラスから測定用サンプルを切り出
しＮａの拡散係数を測定した。その結果を表２に示す。
その粒径が１０〜２００μｍ、アルカリ金属元素及びア
ルカリ土類元素の含有量が表１の合成クリストバライト
粉に粒径０．１〜１０μｍの表１の純度のＺｒＯ2粉、
又はＺｒＯ2粉及びＡｌ2Ｏ3粉を表２に示す配合割合で
混合し、Ｖ型混合器で均一に混合した。前記混合物を加
熱溶融して複合シリカガラスを製造した。ガラスの溶融
条件、ガラス中のＯＨ基含有量は表２のとおりである。
得られた複合シリカガラスから測定用サンプルを切り出
しＮａの拡散係数を測定した。その結果を表２に示す。
【００１７】上記透明シリカガラス板（厚さ１０ｍｍ）
を高温大気炉の底部に設置し、板中央部にシリカガラス
試料（信越石英（株）Ｈｅｒａｌｕｘ−ＬＡ）を配置し
その上に上記製造のシリカガラス製ベルジャーを被せ、
１１００℃で１０００時間加熱処理した。熱処理後の透
明シリカガラス板、ベルジャー及び試料を回収し分析用
サンプルを切り出し、シリカガラスの汚染量及び強度測
定を行った。その結果を表２に示す。
を高温大気炉の底部に設置し、板中央部にシリカガラス
試料（信越石英（株）Ｈｅｒａｌｕｘ−ＬＡ）を配置し
その上に上記製造のシリカガラス製ベルジャーを被せ、
１１００℃で１０００時間加熱処理した。熱処理後の透
明シリカガラス板、ベルジャー及び試料を回収し分析用
サンプルを切り出し、シリカガラスの汚染量及び強度測
定を行った。その結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】 上記表２中の ◎；曲げ強度低下の非常に少ないことを示す。 △；曲げ強度低下が若干認められたことを示す。 Ｘ；強度低下が著しいことを示す。
【００１９】上記表２に示すように本発明の複合シリカ
ガラスは、１０００℃におけるＮａの拡散係数が少な
く、Ｎａによる汚染が起こりにくいことが分かる。ま
た、１１００℃の高温で長時間の熱処理であっても処理
サンプルはＮａによる汚染が少なく優れたシリカガラス
であることが分かる。
ガラスは、１０００℃におけるＮａの拡散係数が少な
く、Ｎａによる汚染が起こりにくいことが分かる。ま
た、１１００℃の高温で長時間の熱処理であっても処理
サンプルはＮａによる汚染が少なく優れたシリカガラス
であることが分かる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の複合シリカガラスは、９００〜
１３００℃の高温熱処理においても被処理製品を不純物
金属元素、特にアルカリ金属元素やアルカリ土類元素で
汚染することがなく、しかも耐熱性に優れている。その
ため前記複合シリカガラスは半導体製品加熱炉用炉材、
治具及び光学レンズ熱処理用加熱炉材料として有用であ
る。
１３００℃の高温熱処理においても被処理製品を不純物
金属元素、特にアルカリ金属元素やアルカリ土類元素で
汚染することがなく、しかも耐熱性に優れている。その
ため前記複合シリカガラスは半導体製品加熱炉用炉材、
治具及び光学レンズ熱処理用加熱炉材料として有用であ
る。
Claims (8)
- 【請求項１】ＯＨ基含有量が１０〜５００ｗｔｐｐｍの
シリカガラスマトリックス中に高純度酸化ジルコニウム
の微粒子が均一に分散することを特徴とする複合シリカ
ガラス。 - 【請求項２】ＯＨ基含有量が１０〜５００ｗｔｐｐｍの
シリカガラスマトリックス中に高純度酸化ジルコニウム
及び高純度酸化アルミニウムの微粒子が均一に分散する
ことを特徴とする複合シリカガラス。 - 【請求項３】ＯＨ基含有量が１００〜３００ｗｔｐｐｍ
であることを特徴とする請求項１又は２記載の複合シリ
カガラス。 - 【請求項４】酸化ジルコニウム微粒子の含有量が２０〜
１０，０００ｗｔｐｐｍであることを特徴とする請求項
１記載の複合シリカガラス。 - 【請求項５】酸化ジルコニウム微粒子の含有量が２０〜
１０，０００ｗｔｐｐｍ、酸化アルミニウム微粒子の含
有量が２０〜５，０００ｗｔｐｐｍであることを特徴と
する請求項２記載の複合シリカガラス。 - 【請求項６】Ｌｉ、Ｎａ及びＫのアルカリ金属元素の含
有量が夫々０．５ｗｔｐｐｍ以下、Ｃａ及びＭｇのアル
カリ土類金属元素の含有量が夫々１ｗｔｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の複合シリカガ
ラス。 - 【請求項７】１，０００℃におけるＮａの拡散係数が１
×１０-10ｃｍ2／ｓｅｃ以下であることを特徴とする請
求項１又は２記載の複合シリカガラス。 - 【請求項８】ＯＨ基濃度を調整したシリカ粉と酸化ジル
コニウム微粒子又は酸化ジルコニウムと酸化アルミニウ
ムとの微粒子を均一に混合し加熱溶融することを特徴と
する複合シリカガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18168496A JPH107434A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 複合シリカガラス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18168496A JPH107434A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 複合シリカガラス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH107434A true JPH107434A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=16105072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18168496A Pending JPH107434A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 複合シリカガラス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH107434A (ja) |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP18168496A patent/JPH107434A/ja active Pending
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