JPH1074626A

JPH1074626A - 薄型磁気素子およびその製造方法とトランス

Info

Publication number: JPH1074626A
Application number: JP27023296A
Authority: JP
Inventors: Kiyoto Yamazawa; 清人山沢; Yasuo Hayakawa; 康男早川; Takashi Hatauchi; 隆史畑内; Teruhiro Makino; 彰宏牧野; Yutaka Naito; 豊内藤; Naoya Hasegawa; 直也長谷川
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1996-06-27
Filing date: 1996-10-11
Publication date: 1998-03-17

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、構成部品が少なく、組立が容易
で、全体を成膜装置で製造できて薄型化が可能であり、
コイル導体周囲の渦電流発生による損失を少なくできる
薄型磁気素子とその製造方法とトランスの提供を目的と
する。【解決手段】本発明は、基体２１の少なくとも一方の
面に形成されたコイルパターン２２と、このコイルパタ
ーン２２上にコイルパターン２２を覆って形成された磁
性薄膜２３とが具備されてなるものである。また、前記
磁性薄膜２３が前記コイルパターン２２に接して設けら
れていても良く、前記磁性薄膜２３が絶縁膜３１を介し
てコイルパターン２２上に形成されていても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基体にコイルパター
ンを形成してなり、コイルパターン上に磁性薄膜を設け
た構造の薄型磁気素子およびその製造方法とトランスに
関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気素子の小型化、高性能化に伴い、数
１００ＭＨｚ以上の周波数における透磁率の高い軟磁性
材料、特に５ｋＧ以上の高い飽和磁束密度と共に、高い
比抵抗を有し、かつ低い保磁力を有するものが要求され
ている。中でもトランスにおいては高い比抵抗を有する
ものが特に求められている。高い飽和磁束密度をもつ磁
性材料としてはＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金が
多く知られているが、スパッタ法などの成膜技術により
これらの合金の磁性膜を作成すると、飽和磁束密度は高
いものの、保磁力が大きく、また比抵抗が小さくなって
しまい、高周波数領域において良好な軟磁気特性を得る
ことは困難であった。更に、バルク材料として多用され
ているフェライトは薄膜状態では優れた軟磁気特性を得
ることができないものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】また、高周波数におけ
る透磁率低下の原因の一つに渦電流の発生による損失が
ある。この高周波透磁率の低下の一因である渦電流損失
を防ぐために、薄膜化および薄膜の高抵抗化を図ること
が望まれている。しかしながら、磁気特性を保ったまま
比抵抗を高めることは非常に難しく、センダスト等の結
晶合金や、アモルファス合金等の軟磁性薄膜の比抵抗
は、数十〜百数十μΩ・cm程度と小さく、少なくとも５
ｋＧ（０.５Ｔ）以上の飽和磁束密度を確保しながら比
抵抗を高めた軟磁性合金が求められている。また、合金
を薄膜として得る場合には、磁歪の発生などの影響によ
り良好な軟磁気特性を得ることはさらに困難である。

【０００４】以上のような軟磁性薄膜材料の問題を有す
る技術背景において、磁気素子の小型軽量化をなし得た
構成のプレーナ型コイルの一例として、図１３と図１４
に示すように、上下の基板１、２間に２層構造のコイル
導体を配してなるものが知られている。この例のコイル
Ｋは、上下の基板１、２の相対向する面にそれぞれ磁性
薄膜３と絶縁膜４を積層し、上下の絶縁膜４、４間に設
けられたフレキシブル基板５にそれを両側から挟んだ状
態のコイル導体６、６を設けた構造にされている。図１
４に前記コイル導体６の平面形状を示すが、この例のコ
イル導体６はつづら折れ部分６ａを２つ並設してそれら
を接続部６ｂで接続したつづら折れ型のコイル本体７と
されている。

【０００５】前記構造のつづら折れ型のコイルＫにあっ
ては、高周波特性に優れた利点を有するものの、コイル
Ｋを製造するためには、基板１、２に磁性薄膜３、４を
積層し、それらとは別個にフレキシブル基板５の両面に
メッキやスクリーン印刷法により厚膜状のコイル本体７
を形成したものを製造し、コイル本体７、７を備えたフ
レキシブル基板５の両面を挟むように基板１、２を位置
合わせしてから貼り合わせて製造する必要があり、構成
部品が多いために、製造組立に手間が多くかかり、歩留
まりが低下し易い問題があった。また、前記つづら折れ
型のコイルＫにあっては、コイル導体６と磁性薄膜３が
絶縁膜４を介して離間されているために、コイル導体６
の周囲に発生した磁束が磁性薄膜内に有効に入り込まな
くなり、効率が低下する問題があった。

【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもので
あり、構成部品が少なく、組立が容易であり、全体を成
膜装置で製造することができて薄型化が可能であり、コ
イル導体周囲の渦電流発生による損失を少なくすること
ができる薄型磁気素子を提供すること、およびその製造
方法並びに前記薄型磁気素子を備えたトランスを提供す
ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、基体の少なくとも一方の面に形成されたコ
イルパターンと、このコイルパターン上にコイルパター
ンを覆って形成された磁性薄膜とを具備したものであ
る。前記構成において、磁性薄膜が前記コイルパターン
に接して設けられていても良い。また、磁性薄膜が絶縁
膜を介してコイルパターン上に形成されていても良く、
前記構成において、コイルパターンが基体上に形成され
た磁性薄膜上に形成され、コイルパターンを構成するコ
イル導体がその周囲を磁性薄膜により包み込まれていて
も良い。

【０００８】次に、前記構成において、基体の対向する
両方の面にコイルパターンが形成され、コイルパターン
間の基体に貫通孔が形成され、基体両側の磁性薄膜が貫
通孔を介し接続されてなる構成でも良い。また、コイル
パターンの平面形状がミアンダ型、つづら折れ型であっ
ても良い。次に、基体上のコイルパターン上に形成され
た磁性薄膜が平面型にされてなることが好ましい。ま
た、基体上のコイルパターンの周囲にコイルパターンを
埋め込む磁性層が設けられ、この磁性層の磁性材料がそ
の上に形成された磁性薄膜の磁性材料と異なるものとさ
れてなるものでも良い。更に、基体上のコイルパターン
の周囲に形成された磁性層が、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆ
ｅ合金あるいはＮｉ-Ｆｅ-Ｃｏ合金のいずれかを主体と
して構成されたものでも良い。また、基体上のコイルパ
ターンの周囲に形成された磁性層が、メッキにより形成
されたものでも良い。次に、コイルパターンの平面形状
がスパイラル型とされていても良い。

【０００９】次に、前記構成において、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉの内の１種または２種以上を主成分とする平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の微細結晶相と、ランタノイド系希土類
元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｌｕのうちの１種
または２種以上）と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｗより選ばれる１種または２種以上の元素ＭとＯ
からの化合物または元素ＭとＮの化合物を主成分とする
非晶質相からなる磁性薄膜が、磁心の一部または全部に
用いられてなるものでも良い。

【００１０】一方、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちから選択さ
れる１種または２種以上を元素Ａとし、希土類金属元素
（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｌｕの１種または２種
以上）およびＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗの
群から選択される少なくとも１種または２種以上の元素
をＭとし、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｉｒの群から選択される少なくとも１種または２種
以上の元素をＭ'とし、ＯとＮのうち、１種または２種
をＬとした場合に、Ａ_a Ｍ_b Ｍ'_c Ｌ_dの組成式で示され
る軟磁性材料から磁性薄膜を構成しても良い。次に、前
記各種の構造の薄型磁気素子を備えてトランスが構成さ
れていても良い。

【００１１】本発明の製造方法は、基板上にコイル導体
を形成し、このコイル導体の頂面と周面を絶縁膜で覆う
とともに、この絶縁膜の外面にレジストを被せてから基
板をエッチングしてレジストに覆われていない基板部分
に貫通孔を形成し、この後にレジストを除去して、絶縁
膜に覆われたコイル導体と貫通孔付きの基板を得、この
基板に対して基板表面と基板裏面とコイル導体外方の絶
縁膜と貫通孔を覆うように磁性薄膜を成膜するものであ
る。この製造方法を実施する場合に、前記組成の軟磁性
材料からなる磁性薄膜を用いることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１と図２は本発明に係る
第１の実施の形態を示すもので、この形態の薄型磁気素
子２０は、図１に断面構造を示す基板（基体）２１の両
面に図２に平面形状を示すつづら折れ型のコイル本体２
２を備え、コイル本体２２の外面とコイル本体２２の周
囲の基板表面を覆って磁性薄膜２３が被覆されて構成さ
れている。前記コイル本体（コイルパターン）２２は、
図１に示す断面長方形状のコイル導体２４を基板２１の
表面と裏面の各々に図２に示すようにつづら折れ型に形
成してなるもので、この例におけるつづら折れ型とは、
つづら折れ状の折返部２２ａ、２２ａを２つ並設して接
続し、これらの折返部２２ａ、２２ａを接続部２２ｂで
接続し、折返部２２ａ、２２ａと接続部２２ｂに渡って
コイル導体２４を８回繰り返し周回してなる形状とさ
れ、コイル本体２２の外周側のコイル導体２４の端部に
端子パッド２４ａがコイル本体２２の内周側のコイル導
体２４の端部に端子パッド２４ｂがそれぞれ形成されて
いる。なお、この形態に対してつづら折れの折返部２２
ａを３つあるいはそれ以上の必要数だけ接続して構成し
た形状もつづら折れ型の概念に含めることは勿論であ
り、コイル導体２４の周回数も８に限らず薄型磁気素子
２０に要求される任意の数でよい。

【００１３】前記基板（基体）２１はポリイミド等の樹
脂製のもの、あるいはセラミック製のものなどからなる
絶縁性の非磁性材料から構成されている。次に、前記磁
性薄膜２３は、以下に説明する比抵抗の高い特殊な軟磁
性材料から形成されている。磁性薄膜２３を構成する特
殊な軟磁性材料とは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちから選択
される１種または２種以上を元素Ａとし、ランタノイド
系の希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，
Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｌ
ｕのうちの１種または２種以上）およびＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗの群から選択される１種または
２種以上の元素をＭとし、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒの群から選択される１種または２
種以上の元素をＭ'とし、ＯとＮのうち、１種または２
種以上の元素をＬと表記した場合に以下の組成式で示さ
れる。Ａ_a Ｍ_b Ｍ'_c Ｌ_d 前記の組成式において組成比を示すa，b，c，dは、原子
％で、２０≦a≦８５、５≦b≦３０、０≦c≦１０、１
５≦d≦５５の関係を満足することが好ましい。ま
た、磁性薄膜が、前記の組成であって、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉの内の１種または２種以上を主成分とする平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の微結晶相と、元素ＭとＯとの化合物ま
たは元素ＭとＮとの化合物を主成分とする非晶質相から
なるものであっても良い。

【００１４】更に詳しくは、磁性薄膜の構成材料の組成
をＦｅ_eＭ_fＯ_gなる組成系とした場合に、組成比e,f,g
は、原子％で５０≦e≦７０、５≦f≦３０、１０≦g≦
４０の関係を満足するものとすることがより好ましい。
また、磁性薄膜の構成材料の組成をＦｅ_hＭ'_iＯ_jなる組
成系とした場合に、組成比h,i,jは、原子％で４５≦h≦
７０、５≦i≦３０、１０≦j≦４０の関係を満足するも
のとすることがより好ましい。次に、Ｆｅ_kＭ_lＮ_mな
る組成系とした場合において、組成比k,l,mは、原子％
で、６０≦k≦８０、１０≦l≦１５、５≦m≦３０なる
なる関係を満足するものがより好ましい。

【００１５】前記磁性薄膜の構成材料において、Ｆｅは
主成分であり、磁性を担う元素である。高飽和磁束密度
を得るためにＦｅは多いほど好ましいが、Ｆｅ-Ｍ-Ｏ系
では７０原子％以上あると比抵抗が小さくなり易く、Ｆ
ｅ-Ｍ-Ｎ系では８０原子％を超えると比抵抗が小さくな
り易い。一方、Ｆｅが本発明の範囲未満であると比抵抗
を大きくすることはできるものの、飽和磁束密度が小さ
くなってしまう。希土類元素、あるいは、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗの群から選択される元素Ｍ
は、軟磁気特性を得るために必要なものである。これら
は酸素あるは窒素と結合し易く、結合することで酸化物
あるいは窒化物を形成する。なお、酸素、窒素と結びつ
きやすい元素としてこれらの他にもＡｌ，Ｓｉ，Ｂを挙
げることができる。この酸化物あるいは窒化物の含有量
を調整することによって比抵抗を高めることができる。
また、元素Ｍ'は、耐食性を向上させ、磁歪を調整する
ために添加される元素であり、これらの目的のために
は、前記の範囲で含有させることが好ましい。一方、前
記の組成範囲とするならば、磁性薄膜として、４００〜
２.０×１０⁵μΩ・ｃｍの範囲の高い比抵抗を得ること
ができ、比抵抗を高めることで渦電流損失を低減するこ
とができ、高周波透磁率の低下が抑制され、高周波特性
が改善される。また、特に、Ｈｆには磁歪を抑制する作
用があるものと考えられる。

【００１６】前記の構成の薄型磁気素子２０を製造する
には、基板２１の表面と裏面に成膜法、メッキ法、スク
リーン印刷法などの常法によりつづら折れ型のコイル本
体２２を形成し、それから、基板２１とコイル本体２２
を覆うようにそれらの表面側あるいは裏面側に高抵抗
（high-ρ）のＡ-Ｍ-Ｍ'-Ｌ系の軟磁性合金薄膜からな
る磁性薄膜２３を形成する。前記磁性薄膜２３を形成す
る手段については、本発明者らが先に、特願平５―２３
３８３３号（特開平６―３１６７４８号）、特願平６―
５７８９０号（特開平７―２６８６１０号）等において
開示しているが、基本的にはスパッタ、蒸着等の薄膜形
成法を用いる。

【００１７】ここで例えば、スパッタ装置としてはＲＦ
２極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネトロンスパッタ、
３極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向ターゲット
式スパッタ等の既存のものを使用することができる。次
に、ＯまたはＮを磁性薄膜中に添加する方法としては、
Ａｒ等の不活性ガス中に酸素ガスまたは窒素ガスを混合
したＡｒ＋Ｏ₂ またはＡｒ＋Ｎ₂ 混合雰囲気ガスでスパ
ッタを行なう反応性スパッタが有効である。また、Ｆ
ｅ、ＦｅＭ、あるいはＦｅＭ系の合金ターゲットの上
に、Ｆｅ、元素Ｍ、あるいはそれらの酸化物または窒化
物を配置した複合ターゲットを用いてＡｒ等の不活性ガ
ス中で作製することもできる。更に、スパッタ−ゲート
としてＦｅターゲット上に、希土類元素、あるいはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗなどからなるペレ
ットを配置した複合ターゲット等を用いてＡｒ等の不活
性ガス中で製作することもできる。これらの成膜法で得
られる前記組成系の磁性薄膜は成膜のままでは基本的に
非晶質相を主体、あるいは、結晶相と非晶質相の混在す
る組織を有する。

【００１８】そして、所望の組成の磁性薄膜を成膜後、
３００〜６００℃に加熱して徐冷するアニール処理を施
して磁性薄膜中に微結晶相を析出させることもできる。
前記軟磁性薄膜にアニール処理を施して一部結晶相を析
出させても良いが、この結晶相の割合は５０％よりも少
なくすることが好ましい。結晶相の割合が５０％を超え
る場合は、高周波域での透磁率が低下する。ここで組織
中に析出する結晶粒は、粒径が数ｎｍ〜３０ｎｍ程度の
微細なもので、その平均粒径は１０ｎｍ以下であること
が好ましい。このような微細な結晶粒を析出させること
で、飽和磁束密度を高くすることができる。また、非晶
質相は比抵抗の増大に寄与するものと思われ、この非晶
質相の存在により比抵抗が増大し、ひいては高周波域に
おける透磁率の低下を防止できる。

【００１９】図１と図２に示す構造の薄型磁気素子２０
であるならば、図１３と図１４に示した従来構造のコイ
ルＫに比べて構成部品が少ないので、別種の成膜装置を
使い分ける必要はなくなり、成膜処理を簡略化できると
ともに、製造時の張り合わせ作業も不要なので、歩留ま
りの向上効果を得ることができる。また、薄型磁気素子
２０において、基板２１の一方の面のコイル導体２４を
１次コイル他方の面のコイル導体２４を２次コイルとす
ると、薄型磁気素子２０をトランスとして利用すること
ができる。

【００２０】更に、コイル導体２４に電流が流れる場合
にコイル導体２４の周囲にその断面の周まわりに磁束が
発生するが、ここでコイル導体２４に磁性薄膜２３が密
着しているので、図１３に示す従来のコイルＫとは異な
り、磁束は磁性薄膜２３の内部に十分に入り込むことに
なり、効率が向上する。また、従来構造においてはコイ
ル周辺において大きな渦電流を発生して損失を生じた
が、前記比抵抗の高い磁性薄膜２３を用いる構造である
ならば、高周波領域での渦電流の発生が少なく損失の少
ない薄型磁気素子２０を提供できる。また、薄型磁気素
子２０を低損失にできるので、薄型磁気素子２０ならび
にそれを備えるトランスを大電力に耐える構造とするこ
とができ、小型化、軽量化を実現できる。

【００２１】次に、図２に示すつづら折れ型のコイル本
体２２であると、折返部２２ａにおいて図２の上から順
に矢印ａで示す方向への磁束と矢印ｂで示す方向への磁
束が順次２回繰り返し発生する。即ち、図２のように上
から８本のコイル導体２４にわたって同じ向きの矢印ａ
方向への磁束を生じ、次の８本のコイル導体２４には逆
向きの矢印ｂ方向への磁束を生じ、次の８本のコイル導
体２４にわたって同じ向きの矢印ａ方向への磁束を生
じ、更に次の８本のコイル導体２４には逆向きの矢印ｂ
方向への磁束を生じる。このように磁束が発生するの
で、磁束の向きが異なる境界部分においては、隣接する
コイル導体２４、２４において逆向きの磁束になるの
で、隣接するコイル導体２４に磁束が飛び難くなり、隣
接するコイル導体２４間でのロスを生じ難くなる。

【００２２】なお、コイル導体２４に磁性薄膜２３を密
着できるのは、磁性薄膜２３を構成する前記系の軟磁性
材料の比抵抗が十分に高いためである。前記系の磁性薄
膜２３の構成材料において、例えば、特開平６―３１６
７４８号に添付の表１に開示した通り、Ｆｅ_46.2Ｈｆ
_18.2Ｏ_35.6なる組成の磁性薄膜であれば、比抵抗ρとし
て１３３７０９μΩ・ｃｍの比抵抗を得ることができ
る。しかも、この組成の磁性薄膜の比抵抗値は熱処理後
のものであり、熱処理前にあっては、１９４０００μΩ
・ｃｍの比抵抗を得ることができる。また、その他にも
ＦｅＨｆＯ系、ＦｅＺｒＯ系、ＦｅＮｂＯ系、ＦｅＴａ
Ｏ系、ＦｅＴｉＯ系、ＦｅＶＯ系、ＦｅＷＯ系、ＦｅＹ
Ｏ系、ＦｅＣｅＯ系、ＦｅＳｍＯ系、ＦｅＨｏＯ系、Ｆ
ｅＧｄＯ系、ＦｅＴｂＯ系、ＦｅＤｙＯ系、ＦｅＥｒＯ
系において、組成の調整により２１５〜１７６７μΩ・
ｃｍ程度の比抵抗を容易に得ることができる。また、特
開平７―２６８６１０号に添付の表１と表２に示すよう
に、ＦｅＨｆＮ系においても２００〜４００前後の比抵
抗を容易に得ることができる。従って、比抵抗の高い組
成のものを選択することでコイル導体２４に直接磁性薄
膜２３を密着形成しても、電流のリークを生じることの
ないコイル本体２２を提供できる。また、これらの系の
磁性薄膜において、ＦｅＭＯ系にあっては、特開平６―
３１６７４８号に添付の表１に開示した通り、１〜１.
５Ｔ（１０〜１５ｋＧ）の飽和磁束密度を得ることがで
き、ＦｅＭＮ系にあっては、特開平７―２６８１０号の
表１に開示した通り、１Ｔ（１０ｋＧ）を超える飽和磁
束密度を容易に得ることができ、いずれの系において
も、フェライト等の飽和磁束密度５ｋＧに比べて遥かに
高い１０ｋＧ以上の飽和磁束密度のものが容易に得られ
る。

【００２３】図３は、本発明に係る第２の実施の形態を
示すもので、この形態の薄型磁気素子３０において先の
形態と異なるのは、コイル導体２４と磁性薄膜２３との
間に絶縁膜３１が介在された点である。この絶縁膜３１
は、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｔａ₂Ｏ₅等、ある
いは、ポリイミド等の高分子フィルムなどの絶縁材料か
らなる。その他の構造は先の例と同等であり、同一の部
分には同一の符号を付して説明を省略する。

【００２４】この形態の薄型磁気素子３０の構造におい
ても基本的な作用と効果は先の形態の薄型磁気素子２０
と同等である。この形態において絶縁膜３１を設けてい
るのは、コイル導体２４に流れる電流が磁性薄膜２３側
にリークすることをより完全に防止するためである。前
述の如く前記組成系の磁性薄膜２３であれば、比抵抗は
高いものの、組成によって比抵抗の値は変わるので、比
抵抗が比較的低い組成系のものを用いる場合は絶縁膜３
を設けることが好ましい。

【００２５】図４（Ａ）は、本発明に係る第３の実施の
形態を示すもので、この形態の薄型磁気素子３５は、基
板２１の一面側に一面全部を覆う磁性薄膜３６が形成さ
れ、この磁性薄膜３６上にこれの全面を覆う絶縁膜３７
が形成され、絶縁膜３７上にコイル導体２４が形成さ
れ、更にコイル導体２４が絶縁膜３７に連続する絶縁膜
３８で覆われ、更に絶縁膜３７、３８が磁性薄膜３９で
覆われた構造とされている。この形態において磁性薄膜
３６、３８は先に説明した形態の磁性薄膜２３と同じ軟
磁性材料から形成され、絶縁膜３７、３８は先に説明し
た絶縁膜３１と同じ材料から構成されている。

【００２６】また、この形態の構造であると、コイル導
体２４の周囲を磁性薄膜３６、３９が囲むので図４
（Ｂ）の矢印ｅ，ｆに示すようにコイル導体２４の周囲
の磁性薄膜３６、３９に渡って周回りに環状の磁束が生
じる。また、コイル導体２４の周囲に生じる環状の磁束
は絶縁膜３７により分断されるが、この分断部分は極め
て狭い領域であり、絶縁膜３７はギャップとして作用す
るので、結果的に環状の磁束は磁性薄膜３６、３９に渡
って環状に生成する。

【００２７】図５（Ａ）は、本発明に係る第４の実施の
形態を示すもので、この形態の薄型磁気素子４０は、基
板４１の両面に先の第１の形態の構造と同様のコイル導
体４２が設けられ、各コイル導体４２の各側面と各頂面
を覆う絶縁膜４３が形成されるとともに、コイル導体４
２の周囲の基板４１に貫通孔４４が形成され、基板４１
の表裏面と絶縁膜４３を覆って前記貫通孔４４を埋める
ように磁性薄膜４５が形成されている点に特徴がある。
この形態の薄型磁気素子４０にあっても先の第１の形態
の構造と同様の効果を奏することができる。なお、基板
４１の上側のコイル導体４２を１次側、基板４１の下側
のコイル導体４２を２次側と見立ててトランスを構成す
ると、コイル導体４２の周囲には図４（Ｂ）に示すよう
に基板４１を挟む両側のコイル導体４２、４２の横断面
に対してコイル導体４２、４２を周回するように磁束が
生じる。ここで生じる磁束は磁性薄膜４５内に生じ、磁
束の生じる経路の途中に磁束を遮るものがないので、鎖
交磁束が多くなる結果、効率の良好な結合係数の高いト
ランスを得ることができる。また、図５（Ｂ）において
左右方向に隣接するコイル導体４２、４２の磁束の向き
が互いに反対側になると、左右に隣接する導体の周囲か
らの磁束の漏れや飛び込みが生じないのでロスも生じ難
い。よって、この構造のトランスであれば１次側に投入
したエネルギーを２次側でロス無く取り出すことがで
き、かつ、発生雑音を少なくすることができる。

【００２８】図６は、先に示した各形態において用いら
れるコイル導体の他の例を示すもので、この例のコイル
導体４６は一般にはミアンダ型と称され、直線状で互い
に平行に隣接された複数の導体片４７を接続部４８で接
続したジグザグ形状とされている。このコイル導体４６
は、隣接する複数の導体片４７における磁束の向きが矢
印ｉあるいは矢印ｊに示すように交互に逆向きとなるよ
うに生じる。従って、先に示したつづら折れ型のコイル
導体が数本ずつ組となって磁束の向きが逆転するのとは
異なり、１本１本の導体片４７どとに磁束の向きが逆転
するので、隣接する導体片４７、４７の周囲からの磁束
の漏れや飛び込みは更に少なくなり、高周波により適し
た構造であり、このような形状のコイル導体４６はＭＨ
ｚ帯域の高周波帯域において損失の少ないコイル導体と
して用いることができる。

【００２９】図７は、本発明に係る第５の実施の形態を
示すもので、この形態の薄型磁気素子５０は、基板５１
の一面に磁性薄膜５２と絶縁膜５３が積層され、絶縁膜
５３上にコイル導体５４が図９に示すようにスパイラル
型に形成され、コイル導体５４の周面および頂面を覆っ
て絶縁膜５５が被覆され、絶縁膜５３と５５およびそれ
らにより形成される凹部を覆って磁性薄膜５６が形成さ
れている。また、この形態においてコイル導体５４が図
９に示すスパイラル型とされていると、図７の矢印に示
すように各コイル導体５４の周囲を周回する磁束は矢印
ｍに示すように同じ向き回りとなり、磁性薄膜５２、５
６の部分に収束する磁束の方向はそれぞれＰ、Ｑの向き
となる。このようにスパイラル型のコイル導体５４を用
いた場合は、それに近接する磁性薄膜５２、５６の膜面
方向に向く磁束の向きが重要であり、この膜面方向の磁
束が円滑に生成されることで効率が向上する効果があ
る。

【００３０】この点において図７に示す構造であると、
図１および図３〜５に示す構造とは異なり、コイル導体
５４の周囲に平坦化された磁性薄膜５２、５６が設けら
れ、図１、図３〜図５に示す構造のようにコイル導体回
りの磁性薄膜が凹凸形状にされているものとは異なるた
めに、膜面に平行にＰ方向あるいはＱ方向に磁束成分が
生じることで効率が向上する。なお、この構造において
生じる磁束の場合、絶縁膜５３がギャップとして作用
し、磁束がコイル導体の近傍のみに集中することを防ぐ
ので、磁束の分散を起こさせて膜面方向の磁束の均一性
を更に高めるという効果を奏する。その他の効果は先の
第３の形態の場合と同等である。また、これによって、
非線形磁気特性が改善され、大電流通電時の磁気飽和が
少なくなり、大電流のマイクロリアクトルやマイクロト
ランスに適用できる。

【００３１】図８は、本発明に係る第６の実施の形態を
示すもので、この形態の薄型磁気素子６０は、基板６１
の一面に磁性薄膜６２と絶縁膜６３が積層され、絶縁膜
６３上にコイル導体６４が図９に示すようにスパイラル
型に形成され、コイル導体６４の周面および頂面を覆っ
て絶縁膜６５が被覆され、絶縁膜６３の上面と絶縁膜６
５の側面とそれらによって形成される凹部を覆って磁性
層６６が形成され、磁性層６５と絶縁膜６５の頂面を覆
って平面状の磁性薄膜６７が形成されている。

【００３２】この形態において磁性薄膜６７を構成する
材料は先に説明した系の比抵抗の高い軟磁性材料が用い
られるが、予備磁性層６６を構成する磁性材料は、メッ
キ法等により形成されたＮｉ-Ｆｅ、Ｃｏ-Ｆｅ、Ｎｉ-
Ｆｅ-Ｃｏ等からなる。ここでの磁性層６６は、コイル
導体６４の厚さの値が大きくなり、スパッタ等の成膜法
で形成する比抵抗の高い軟磁性材料をコイル導体６４の
厚さに対応させてその周囲に十分に充填できない場合等
に有効となる。この形態の構造においても先に説明した
第５の形態の場合と同様な効果を得ることができる。そ
の上にこの形態においては、コイル導体６４の厚さがス
パッタ等の成膜法では形成できない程度の厚さとなった
場合であって、コイル導体６４を覆うことができる程度
の厚さの磁性層６６を形成する場合にこのような構造が
有効であり、これによりコイル導体６４の断面積が大き
く、電流を多く流すことができる薄型磁気素子に本発明
を適用できるようになる。その他の効果は前記の第５の
形態の場合と同等である。

【００３３】次に、図５を基に先に説明した第４の実施
の形態の薄型磁気素子４０を製造する方法の一例につい
て図１０〜図１３を基に以下に説明する。薄型磁気素子
４０を製造するには、図１０に示す基板７１の表面側と
裏面側にそれぞれコイル導体４２を成膜法、メッキ法あ
るいはスクリーン印刷法などの常法により形成する。次
にコイル導体４２と基板７１を覆うように絶縁膜を成膜
し、絶縁膜の一部をフォトリソ工程でエッチングするこ
とにより除去し、図１０に示すようにコイル導体４２の
頂面と周囲を覆う絶縁膜４３を形成する。

【００３４】次に、絶縁膜４３を覆うようにレジスト７
３を被せ、このレジスト７３を基にエッチングを行って
レジスト７３に覆われていない部分の基板７１に貫通孔
４４を形成し、レジスト７３を除去して図１２に示す貫
通孔４４付きの基板４１を得る。基板７１としてポリイ
ミドの基板を用いた場合は、ポリイミドを溶解するヒド
ラジン等のエッチング液を用いることができる。図１２
に示す基板４２を得たならば、この基板４２の両面側に
成膜法により前記組成系の比抵抗の高い軟磁性合金の磁
性薄膜を成膜することで、図５に示す断面構造の薄型磁
気素子４０を得ることができる。

【００３５】

【実施例】図２に示す形状の圧延銅箔製の平面コイルの
上下両面に、ＳｉＯ₂のスパッタ膜からなる厚さ１μｍ
以下の絶縁膜と、厚さ１〜３μｍのＦｅ₅₅Ｈｆ₁₁Ｏ₃₄の
組成の磁性薄膜を図３に示すように積層してなる構成の
薄型磁気素子を作製した。前記平面コイルの寸法は、図
２に示す平面形状において、平面コイル全体の横幅２
２.０ｍｍ、折返し部２２ａの横幅１６.０ｍｍ、コイル
導体部の線幅０.４ｍｍ、線間隔０.１ｍｍ、厚さ１０５
μｍ、つづら折れ回数２（折返し部が２つ）、巻数８と
した。

【００３６】以上の形状の薄型磁気素子をリアクトルと
して、インピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカ
ード社製４１９１Ａ,４１９２Ａ）を用い周波数特性を
測定した結果を図１５に示す。なお、比較例として、厚
さ２０μｍのＣｏ系アモルファス磁性薄帯（試料記号
Ａ）を用いた場合の測定結果も併記した。

【００３７】Ｃｏ系アモルファス磁性薄帯を用いた比較
例試料は渦電流の影響により等価インダクタンスＬが減
少して等価抵抗Ｒが増加しているのに対して、ＦｅＨｆ
Ｏの磁性薄膜を用いた本発明試料は、渦電流の影響がほ
とんど無く、ｆ＝１００ｋＨｚ以上の範囲でＦｅＨｆＯ
の磁性薄膜を用いた本発明試料の方が良好な特性を示し
ていることが明らかである。また、性能係数Ｑ（＝ＷＬ
／Ｒ）は共にｆに対して極大値を有する特性を示し、Ｃ
ｏ系アモルファス磁性薄帯を用いた比較例試料はｆ＝１
００ｋＨｚで最大値５に対してＦｅＨｆＯの磁性薄膜を
用いた本発明試料はｆ＝２ＭＨｚで最大値１１を得てい
る。なお、ｆ＝１０ｋＨｚでのＬの違いは、磁性層の膜
厚の違いによるものであると思われる。

【００３８】次に前記構造のリアクトルを降圧型コンバ
ータに利用した場合の負荷特性を測定した結果を図１６
に示す。スイッチング周期はｆ＝１ＭＨｚ、オン時比率
Ｄ＝０.５、入力電圧はＶｉ＝８Ｖとして実験した。使
用した磁性膜は回転磁界中で成膜した、組成ＦｅＨｆ
Ｏ、厚さ３μｍのものであり、飽和磁化Ｉs＝１.３
Ｔ、１ＭＨｚにおいてμ'＝１４００、μ'／μ''＝１４
０であり、比抵抗ρは５μΩｍであった。図１６に示す
結果から、ＦｅＨｆＯの磁性薄膜を用いた本発明試料
は、Ｃｏ系アモルファス磁性薄帯を用いた比較例試料と
比較すると、出力電圧Ｖ₀、出力電力Ｐ₀および効率ηの
値がいずれも高くなっている。これは、ＦｅＨｆＯの磁
性薄膜の損失等価抵抗の方がＣｏ系アモルファス磁性薄
帯の損失等価抵抗よりも低いことによると考えられる。
また、Ｉ₀＝３００ｍＡ近傍においてη＝８０％付近で
安定した結果が得られた。これは、電流の増加に伴うイ
ンダクタンス成分によるη増加と損失抵抗分によるη減
少がほぼ同じであるためと、η増加と損失抵抗分による
η減少がほぼ同じであることによると思われる。

【００３９】なお、図１５において等価抵抗Ｒとはイン
ピーダンスの抵抗成分のことであり、インピーダンスＺ
は、Ｚ＝{Ｒ²＋（ωＬ−１／ωＣ）²}^0.5で示され、理
論的に等価抵抗は周波数には依存しないが、実際のリア
クトルでは周波数に依存するようになり、この例では１
／ωＣの値は０となる。また、図１５の性能係数Ｑは、
Ｑ＝ωＬ／Ｒで示されるので、等価抵抗Ｒが小さいほど
性能係数Ｑが大きくなり、効率ηも向上する。従って効
率の良いリアクトルを得るためには、等価抵抗Ｒが小さ
い方が好ましい。また、等価インダクタンスＬはインピ
ーダンスのインダクタンス成分となる。また、本願発明
に係る磁気素子は、降圧型の他、昇圧型、昇降圧型等の
いずれのＤＣ-ＤＣコンバータにも使用することができ
るのは勿論である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の薄型磁気素
子は、コイルパターンを覆った磁性薄膜を有するので、
コイルパターンと磁性薄膜により最低数の部品数で薄型
磁気素子を構成することができ、更に、コイルパターン
が発生させた磁束を磁性薄膜内に効率良く導入すること
ができ、これによって損失の少ない薄型磁気素子を提供
できる。磁性薄膜をコイルパターンに接触させて設ける
ことで、コイルパターンが発生させた磁束を直に効率良
く磁性薄膜内に導入することができ、更に損失の少ない
薄型磁気素子を提供できる。コイルパターンを磁性薄膜
で周囲から包み込んだ構成とすることで、コイルパター
ンの周囲に磁性薄膜による閉磁路が構成され、コイルパ
ターンの横断面の周回りに環状に生成する磁束は効率良
く磁性薄膜に導入されるので、漏れ磁束が少なく鎖交磁
束が多くなり更に損失の少ない薄型磁気素子を提供でき
る。前記の構成の磁気素子の場合、コイルパターンの平
面形状が、ミアンダ型またはつづら折れ状であるなら
ば、渦電流損失の少ない高周波特性の優れた薄型磁気素
子を提供できる。

【００４１】コイルパターンを囲む磁性薄膜の表面がコ
イルパターンの凹凸に左右されない平面型であるなら
ば、コイルパターンの凹凸に合わせた凹凸部を磁性薄膜
が有しないので、この磁性薄膜の凹凸部の存在に起因す
る磁束の乱れを生じることがなくなり、鎖交磁束が多
く、渦電流損失の少ない高周波特性の優れた薄型磁気素
子を提供できる。更に、コイルパターンの凹凸部分を磁
性薄膜とは異なる他の磁性層で覆い、コイルパターンを
挟むように平面型の磁性薄膜を設けることで、この磁性
薄膜の凹凸部の存在に起因する磁束の乱れを生じること
がなくなり、鎖交磁束が多く、渦電流損失の少ない高周
波特性の優れた薄型磁気素子を提供できる。

【００４２】次に、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれかを含む
微細結晶相と、希土類元素とＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗのいずれかの元素ＭとＯまたはＮの化合
物とを主成分とする非晶質相から磁性薄膜を構成するこ
とにより、高比抵抗で、１０kGを超える飽和磁束密度の
磁性層を形成することができ、これにより効率の高い薄
型素子を得ることができる。また、この系の軟磁性材料
からなる磁性薄膜は、抵抗が高いので、渦電流損失を低
く抑えることができ、高周波特性の良好な小型化、軽量
化ができる薄型磁気素子を提供できる。また、比抵抗の
高い磁性薄膜を用いるならば、絶縁膜を介することなく
直接コイルパターンに磁性薄膜を直接接触させて設ける
構造を電流のリークを生じるおそれなしに採用すること
ができ、これによりコイルパターンが発生させる磁束を
磁性薄膜内に効率良く導くことにより、高効率の薄型磁
気素子を提供できる。

【００４３】前記磁性薄膜が、Ａ_a Ｍ_b Ｍ'_c Ｌ_dなる組
成式で示され、組成比a，b，c，dは原子％で、２０≦a
≦８５、５≦b≦３０、０≦c≦１０、１５≦d≦５５の
関係を満足するものとすることで、５ｋＧの飽和磁束密
度のフェライトを超える１０ｋＧの高い飽和磁束密度を
有し、数１００〜２×１０⁵μΩ・ｃｍの範囲の比抵抗
の高い磁性薄膜を備えた渦電流損失の少ない薄型磁気素
子を提供できる。

【００４４】次に、本発明の製造方法においては、基体
にコイル導体を形成して絶縁膜で覆った後にフォトリソ
工程でコイル導体周囲の基体に貫通孔を形成し、これら
を覆うように磁性薄膜を成膜するので、コイル導体の周
囲を磁性薄膜で確実に覆う構成の薄型磁気素子を容易に
製造することができる。また、用いる磁性薄膜として、
先に記載の組成系のものを用いることで、比抵抗の高い
飽和磁束密度の高い磁性薄膜を確実に形成できるので、
効率の良い、高周波特性の優れた薄型磁気素子を製造で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄型磁気素子の第１の実施の形
態を示す断面図。

【図２】本発明に係る薄型磁気素子の第１の実施の形
態を示す平面図。

【図３】本発明に係る薄型磁気素子の第２の実施の形
態を示す断面図。

【図４】図４（Ａ）は本発明に係る薄型磁気素子の第
３の実施の形態を示す断面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）
に示すコイル導体周囲の磁束の方向を示す図である。

【図５】図５（Ａ）は本発明に係る薄型磁気素子の第
４の実施の形態を示す断面図、図５（Ｂ）は図４（Ａ）
に示すコイル導体周囲の磁束の方向を示す図である。

【図６】本発明に係る薄型磁気素子において用いられ
る特別な形状のコイル導体の平面形状を示す図。

【図７】本発明に係る薄型磁気素子の第４の実施の形
態を示す断面図。

【図８】本発明に係る薄型磁気素子の第５の実施の形
態を示す断面図。

【図９】本発明に係る薄型磁気素子に使用されるコイ
ル本体の他の例を示す断面図。

【図１０】図５（Ａ）に示す薄型磁気素子の製造方法
を説明するためのもので、基板上にコイル導体と絶縁膜
を形成した状態を示す断面図。

【図１１】図５（Ａ）に示す薄型磁気素子の製造方法
を説明するためのもので、基板上のコイル導体と絶縁膜
にレジストを被せた状態を示す断面図。

【図１２】図５（Ａ）に示す薄型磁気素子の製造方法
を説明するためのもので、基板上に貫通孔を形成した状
態を示す断面図。

【図１３】従来のコイルの一例を示す断面図である。

【図１４】つづら折れ型のコイル本体の一例を示す平
面図である。

【図１５】本発明に係る薄型磁気素子をリアクトルと
して周波数特性を測定した結果を示す図。

【図１６】本発明に係る薄型磁気素子を降圧型コンバ
ータに適用した場合の負荷特性を測定した結果を示す
図。

【符号の説明】

基板２１、４１、５１、６１、コイル本体２２（コイルパターン）、磁性薄膜２３、３９、４５、５６、６２、６７、コイル導体２４、４２、５４、６４、絶縁膜３１、３７、３８、４３、５３、５５、
６３、６５、磁性層６６、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者畑内隆史東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者牧野彰宏東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者内藤豊東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者長谷川直也東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体の少なくとも一方の面に形成された
コイルパターンと、このコイルパターン上にコイルパタ
ーンを覆って形成された磁性薄膜とが具備されてなるこ
とを特徴とする薄型磁気素子。
【請求項２】前記磁性薄膜が前記コイルパターンに接
して設けられたことを特徴とする請求項１記載の薄型磁
気素子。
【請求項３】前記磁性薄膜が絶縁膜を介してコイルパ
ターン上に形成されたことを特徴とする請求項１記載の
薄型磁気素子。
【請求項４】前記コイルパターンが基体上に形成され
た磁性薄膜上に形成され、コイルパターンを構成するコ
イル導体がその周囲を磁性薄膜により包み込まれてなる
ことを特徴とする請求項２または３記載の薄型磁気素
子。
【請求項５】基体の対向する両方の面にコイルパター
ンが形成され、コイルパターン間の基体に貫通孔が形成
され、基体両側の磁性薄膜が貫通孔を介し接続されてな
ることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の薄
型磁気素子。
【請求項６】コイルパターンの平面形状がミアンダ型
にされてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
に記載の薄型磁気素子。
【請求項７】コイルパターンの平面形状がつづら折れ
型にされてなることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
かに記載の薄型磁気素子。
【請求項８】基体上のコイルパターン上に形成された
磁性薄膜が平面型にされてなることを特徴とする請求項
１、３、５、６または７のいずれかに記載の薄型磁気素
子。
【請求項９】基体上のコイルパターンの周囲にコイル
パターンを埋め込む磁性層が設けられ、この磁性層の磁
性材料がその上に形成された磁性薄膜の磁性材料と異な
るものとされてなることを特徴とする請求項８記載の薄
型磁気素子。
【請求項１０】基体上のコイルパターンの周囲に形成
された磁性層が、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ合金あるい
はＮｉ-Ｆｅ-Ｃｏ合金のいずれかを主体として構成され
たことを特徴とする請求項９に記載の薄型磁気素子。
【請求項１１】基体上のコイルパターンの周囲に形成
された磁性層が、メッキにより形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項９または１０記載の薄型磁気素
子。
【請求項１２】コイルパターンの平面形状がスパイラ
ル型とされてなることを特徴とする請求項１、２、３、
４、５、８、９、１０または１１のいずれかに記載の薄
型磁気素子。
【請求項１３】Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２
種以上を主成分とする平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細
結晶相と、ランタノイド系の希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｌｕのうちの１種または２種以上）
と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗより選ば
れる１種または２種以上の元素ＭとＯまたはＮの化合物
とを主成分とする非晶質相からなる磁性薄膜が、磁心の
一部または全部に用いられてなることを特徴とする請求
項１〜１３のいずれかに記載の薄型磁気素子。
【請求項１４】前記磁性薄膜が、Ａ_a Ｍ_b Ｍ'_c Ｌ_dな
る組成式で示されることを特徴とする請求項１〜１４の
いずれかに記載の薄型磁気素子。ただし、Ａは、Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉのうちから選択される１種または２種以上を
示し、Ｍは、ランタノイド系の希土類金属元素（Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｌｕのうちの１種または２種以
上）およびＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗの群
から選択される１種または２種以上の元素を示し、Ｍ'
は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ
の群から選択される１種または２種以上の元素を示し、
Ｌは、ＯとＮのうち、１種または２種を示し、組成比
a，b，c，dは原子％で、２０≦a≦８５、５≦b≦３０、
０≦c≦１０、１５≦d≦５５の関係を満足するものとす
る。
【請求項１５】請求項１〜１４のいずれかに記載の薄
型磁気素子が備えられてなることを特徴とするトラン
ス。
【請求項１６】基板上にコイル導体を形成し、このコ
イル導体の頂面と周面を絶縁膜で覆うとともに、この絶
縁膜の外面にレジストを被せてから基板をエッチングし
てレジストに覆われていない基板部分に貫通孔を形成
し、この後にレジストを除去して、絶縁膜に覆われたコ
イル導体と貫通孔付きの基板を得、この基板に対して基
板表面と基板裏面とコイル導体外方の絶縁膜と貫通孔を
覆うように磁性薄膜を成膜することを特徴とする薄型磁
気素子の製造方法。
【請求項１７】磁性薄膜として、請求項１３または１
４に記載の磁性薄膜を用いることを特徴とする請求項１
６記載の薄型磁気素子の製造方法。