JPH1074739A - プラズマクリーニング方法 - Google Patents
プラズマクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH1074739A JPH1074739A JP21293097A JP21293097A JPH1074739A JP H1074739 A JPH1074739 A JP H1074739A JP 21293097 A JP21293097 A JP 21293097A JP 21293097 A JP21293097 A JP 21293097A JP H1074739 A JPH1074739 A JP H1074739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- gas
- cleaning
- film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来、真空処理室内で、塩素系ガスを用いてＡ
ｌ合金をエッチングするエッチング処理プロセスにおい
て、処理室内に存在する酸化物がプラズマにより飛散
し、処理室内に堆積してしまう。そこで、クリ−ニング
により酸化物を有する堆積物を取り除く必要があるが、
酸化物を有する堆積物は、従来のクリ−ニングガスで
は、取り除くことが困難であるという問題があった。 【解決手段】酸素を含む材料を有する処理室内で、Ａｌ
合金膜を塩素系ガスでエッチングし、該処理室内をＢＣ
ｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングすることを特
徴とするプラズマクリーニング方法にある。
ｌ合金をエッチングするエッチング処理プロセスにおい
て、処理室内に存在する酸化物がプラズマにより飛散
し、処理室内に堆積してしまう。そこで、クリ−ニング
により酸化物を有する堆積物を取り除く必要があるが、
酸化物を有する堆積物は、従来のクリ−ニングガスで
は、取り除くことが困難であるという問題があった。 【解決手段】酸素を含む材料を有する処理室内で、Ａｌ
合金膜を塩素系ガスでエッチングし、該処理室内をＢＣ
ｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングすることを特
徴とするプラズマクリーニング方法にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマクリーニン
グ方法に係り、特にバリアメタルのエッチングを行なっ
た後のクリーニングに好適なプラズマクリーニング方法
に関するものである。
グ方法に係り、特にバリアメタルのエッチングを行なっ
た後のクリーニングに好適なプラズマクリーニング方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のクリーニング方法には、例えばア
ルミニウムをエッチングした後のクリーニング方法とし
て特開昭６１−２５０１８５号公報に記載のように、処
理後の処理室内に酸化性ガスを導入して残留反応生成物
を酸化し、ついでフッ素含有ガスを導入してプラズマを
発生させることにより、残留反応生成物を効果的に取り
除く方法があった。
ルミニウムをエッチングした後のクリーニング方法とし
て特開昭６１−２５０１８５号公報に記載のように、処
理後の処理室内に酸化性ガスを導入して残留反応生成物
を酸化し、ついでフッ素含有ガスを導入してプラズマを
発生させることにより、残留反応生成物を効果的に取り
除く方法があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、Ａｌ
合金膜をエッチングした後に同一チャンバ内でＡｌ合金
膜以外の材料、例えば、バリアメタルをエッチングした
時にチャンバ内に残る残留反応生成物のクリーニングの
点についてまでは配慮されていなかった。このようなエ
ッチングを行なった後には、Ａｌ合金膜のエッチング時
に残った残留反応生成物以外の酸化物からなる生成物も
残留するため、従来の方法では充分にクリーニングを行
なうことができないという問題点があった。
合金膜をエッチングした後に同一チャンバ内でＡｌ合金
膜以外の材料、例えば、バリアメタルをエッチングした
時にチャンバ内に残る残留反応生成物のクリーニングの
点についてまでは配慮されていなかった。このようなエ
ッチングを行なった後には、Ａｌ合金膜のエッチング時
に残った残留反応生成物以外の酸化物からなる生成物も
残留するため、従来の方法では充分にクリーニングを行
なうことができないという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、処理室内でＡｌ合金膜と
バリアメタルをエッチングしたときに処理室内に残留す
る酸化物からなる反応生成物を除去することのできるプ
ラズマクリーニング方法を提供することにある。
バリアメタルをエッチングしたときに処理室内に残留す
る酸化物からなる反応生成物を除去することのできるプ
ラズマクリーニング方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、酸素を含む材料を有する処理室内で、Ａ
ｌ合金膜を塩素系ガスでエッチングした後に該処理室内
をプラズマクリ−ニングする方法において、該処理室内
をＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングするよ
うにした発明である。
に、本発明は、酸素を含む材料を有する処理室内で、Ａ
ｌ合金膜を塩素系ガスでエッチングした後に該処理室内
をプラズマクリ−ニングする方法において、該処理室内
をＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングするよ
うにした発明である。
【０００６】処理室内には酸化物を有するため、エッチ
ングにより飛散した酸化物を有する反応生成物が、処理
室内壁等に付着する。付着物のうちアルミニウムの酸化
物についは、Ｃｌ2ガス単体では、Ａｌ−Ｏの原子間結
合エネルギが、Ａｌ−Ｃｌの原子間結合エネルギよりも
大きいために、ＡｌＣｌ3という蒸気圧の高い反応生成
物を生成させて除去することができない。そこで、Ａｌ
−Ｏよりも酸素に対する原子間結合エネルギが大きいＢ
を含むＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングす
ることにより、Ａｌ−ＯからＯを引き抜くとともに、Ａ
ｌを含む反応生成物を効果的に除去できる。
ングにより飛散した酸化物を有する反応生成物が、処理
室内壁等に付着する。付着物のうちアルミニウムの酸化
物についは、Ｃｌ2ガス単体では、Ａｌ−Ｏの原子間結
合エネルギが、Ａｌ−Ｃｌの原子間結合エネルギよりも
大きいために、ＡｌＣｌ3という蒸気圧の高い反応生成
物を生成させて除去することができない。そこで、Ａｌ
−Ｏよりも酸素に対する原子間結合エネルギが大きいＢ
を含むＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングす
ることにより、Ａｌ−ＯからＯを引き抜くとともに、Ａ
ｌを含む反応生成物を効果的に除去できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を説明す
る。
る。
【０００８】エッチングの被処理物として、上層がＡｌ
合金膜で下層がバリアメタルの構造をなしたもので、例
えば、Ａｌ合金膜としてはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜で、バリ
アメタルとしてはＴｉＷである。
合金膜で下層がバリアメタルの構造をなしたもので、例
えば、Ａｌ合金膜としてはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜で、バリ
アメタルとしてはＴｉＷである。
【０００９】Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜は塩素を主体とするガ
スでエッチングされ、Ａｌの生成物による反応生成物が
処理室内に残留しているものと考えられる。また、Ｔｉ
Ｗ膜はフッ素系ガスを主体としてエッチングされ、Ｔｉ
およびＷの生成物による反応生成物が、Ａｌの生成物に
よる反応生成物と一緒になって処理室内に残留している
ものと考えられる。このような残留反応生成物は、これ
らのエッチングプロセスを繰り返すことによって、例え
ば、被処理物であるウェハを約１０枚程度処理すると、
処理室である酸化物を有する石英ベルジャや電極廻りの
部品に黒濁して表れてくる。
スでエッチングされ、Ａｌの生成物による反応生成物が
処理室内に残留しているものと考えられる。また、Ｔｉ
Ｗ膜はフッ素系ガスを主体としてエッチングされ、Ｔｉ
およびＷの生成物による反応生成物が、Ａｌの生成物に
よる反応生成物と一緒になって処理室内に残留している
ものと考えられる。このような残留反応生成物は、これ
らのエッチングプロセスを繰り返すことによって、例え
ば、被処理物であるウェハを約１０枚程度処理すると、
処理室である酸化物を有する石英ベルジャや電極廻りの
部品に黒濁して表れてくる。
【００１０】このような酸化物を有する残留反応生成物
をクリーニングするに当って、塩素を含むガス、例え
ば、Ｃｌ2ガスのみ、Ｃｌ2＋ＢＣｌ3、＋ＨＣｌ等をプ
ラズマ化して約５分間プラズマクリーニングを行ない、
ついで、フッ素を含むガス、例えば、ＳＦ6、ＳＦ、Ｃ2
Ｆ6等をプラズマ化して約５分間プラズマクリーニング
を行なう。これにより、例えば、Ｃｌ2のプラズマクリ
ーニングでは、Ａｌの生成物やＴｉの生成物はＡｌＣｌ
2やＴｉＣｌ2となって除去され、ＳＦ6のプラズマクリ
ーニングでは、Ｗの生成物はＷＦ5となって除去され
る。
をクリーニングするに当って、塩素を含むガス、例え
ば、Ｃｌ2ガスのみ、Ｃｌ2＋ＢＣｌ3、＋ＨＣｌ等をプ
ラズマ化して約５分間プラズマクリーニングを行ない、
ついで、フッ素を含むガス、例えば、ＳＦ6、ＳＦ、Ｃ2
Ｆ6等をプラズマ化して約５分間プラズマクリーニング
を行なう。これにより、例えば、Ｃｌ2のプラズマクリ
ーニングでは、Ａｌの生成物やＴｉの生成物はＡｌＣｌ
2やＴｉＣｌ2となって除去され、ＳＦ6のプラズマクリ
ーニングでは、Ｗの生成物はＷＦ5となって除去され
る。
【００１１】以上、本一実施例によれば、塩素を含むガ
スの放電によりＡｌやＴｉの生成物を除去でき、フッ素
を含むガスの放電によりＷの生成物が除去できて、バリ
アメタルを用いた配線材料のエッチング処理後の処理室
内のクリーニングを行なうことができるという効果があ
る。
スの放電によりＡｌやＴｉの生成物を除去でき、フッ素
を含むガスの放電によりＷの生成物が除去できて、バリ
アメタルを用いた配線材料のエッチング処理後の処理室
内のクリーニングを行なうことができるという効果があ
る。
【００１２】なお、本実施例では、Ａｌ合金膜としてＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を挙げたが、Ａｌ−Ｓｉ膜、Ａｌ−Ｃ
ｕ膜等でも良い。
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を挙げたが、Ａｌ−Ｓｉ膜、Ａｌ−Ｃ
ｕ膜等でも良い。
【００１３】また、バリアメタルとしてＴｉＷ膜を挙げ
たが、ＭｏＳｉ膜、ＷＳｉ膜、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、α−
Ｓｉ膜等でも良い。
たが、ＭｏＳｉ膜、ＷＳｉ膜、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、α−
Ｓｉ膜等でも良い。
【００１４】また、本実施例では、塩素を含むガスの放
電の後にフッ素を含むガスの放電を行なってクリーニン
グをしたが、これらの放電を交互に行なっても良い。
電の後にフッ素を含むガスの放電を行なってクリーニン
グをしたが、これらの放電を交互に行なっても良い。
【００１５】さらに、本実施例では塩素を含むガスの放
電を約５分、フッ素を含むガスの放電を約５分としてい
るが、これら放電の時間比は、Ａｌ合金膜とバリアメタ
ルの膜厚比、およびバリアメタルの成分比（例えば、Ｔ
ｉＷ膜のＴｉとＷとの成分比）によって変えると、更に
有効である。
電を約５分、フッ素を含むガスの放電を約５分としてい
るが、これら放電の時間比は、Ａｌ合金膜とバリアメタ
ルの膜厚比、およびバリアメタルの成分比（例えば、Ｔ
ｉＷ膜のＴｉとＷとの成分比）によって変えると、更に
有効である。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、処理室内には酸化物を
有するため、エッチングにより飛散した酸化物が、処理
室内壁等に付着するが、ＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガス
でクリーニングすることにより、酸化物を有する反応生
成物を除去できるという効果がある。
有するため、エッチングにより飛散した酸化物が、処理
室内壁等に付着するが、ＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガス
でクリーニングすることにより、酸化物を有する反応生
成物を除去できるという効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】酸素を含む材料を有する処理室内で、Ａｌ
合金膜を塩素系ガスでエッチングした後に該処理室内を
プラズマクリ−ニングする方法において、該処理室内を
ＢＣｌ3とＣｌ2とからなるガスでクリーニングすること
を特徴とするプラズマクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21293097A JPH1074739A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21293097A JPH1074739A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プラズマクリーニング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1196575A Division JP2892694B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074739A true JPH1074739A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16630653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21293097A Pending JPH1074739A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074739A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120977856A (zh) * | 2025-10-17 | 2025-11-18 | 上海邦芯半导体科技有限公司 | 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP21293097A patent/JPH1074739A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120977856A (zh) * | 2025-10-17 | 2025-11-18 | 上海邦芯半导体科技有限公司 | 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法 |
| CN120977856B (zh) * | 2025-10-17 | 2026-02-03 | 上海邦芯半导体科技有限公司 | 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法 |
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