JPH1074924A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1074924A JPH1074924A JP8229851A JP22985196A JPH1074924A JP H1074924 A JPH1074924 A JP H1074924A JP 8229851 A JP8229851 A JP 8229851A JP 22985196 A JP22985196 A JP 22985196A JP H1074924 A JPH1074924 A JP H1074924A
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- Japan
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- film
- silicon nitride
- insulating film
- solid
- sensor section
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサ部上の金属遮光膜に開口部を設けた構
成の固体撮像素子では、ダメージによる白キズの発生
と、白キズの発生を抑制する層間絶縁膜の厚膜化による
スミアの発生とは、いわゆるトレードオフの関係にあっ
た。 【解決手段】 ゲート電極１７上を覆う金属遮光膜２０
とこの金属遮光膜２０の下層に形成した窒化シリコン系
膜１９を備えた固体撮像素子１において、この固体撮像
素子１のセンサ部１２上を上記窒化シリコン系膜１９で
覆うとともに、このセンサ部１２上の上記金属遮光膜２
０に開口部２１を設けたものである。
成の固体撮像素子では、ダメージによる白キズの発生
と、白キズの発生を抑制する層間絶縁膜の厚膜化による
スミアの発生とは、いわゆるトレードオフの関係にあっ
た。 【解決手段】 ゲート電極１７上を覆う金属遮光膜２０
とこの金属遮光膜２０の下層に形成した窒化シリコン系
膜１９を備えた固体撮像素子１において、この固体撮像
素子１のセンサ部１２上を上記窒化シリコン系膜１９で
覆うとともに、このセンサ部１２上の上記金属遮光膜２
０に開口部２１を設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子およ
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像素子では、シリコン基板
に形成したセンサ部、ゲート電極等を覆う状態に酸化シ
リコンからなる層間絶縁膜を形成した後、さらに窒化シ
リコン系膜（窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜）
を形成し、その上に金属遮光膜を形成していた。そして
センサ部上の金属遮光膜と窒化シリコン系膜を除去して
開口部を形成していた。
に形成したセンサ部、ゲート電極等を覆う状態に酸化シ
リコンからなる層間絶縁膜を形成した後、さらに窒化シ
リコン系膜（窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜）
を形成し、その上に金属遮光膜を形成していた。そして
センサ部上の金属遮光膜と窒化シリコン系膜を除去して
開口部を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体撮
像素子のセンサ部上の金属遮光膜と窒化シリコン系膜と
を除去する際に、オーバエッチングを行う。その結果、
図４に示すように、シリコン基板１１に形成したセンサ
部１２上の金属遮光膜２０と窒化シリコン系膜１９との
みを除去して開口部２１を形成することができず、その
下層の層間絶縁膜１８の上層も除去されていた。それに
よって、センサ部１２上における層間絶縁膜１８の膜厚
が薄くなるので、エッチングの際に、センサ部１２上に
おける、シリコン基板１１とゲート絶縁膜１６との界面
およびシリコン基板１１の内部にダメージが入り易くな
る。そのため、いわゆる白キズが発生していた。
像素子のセンサ部上の金属遮光膜と窒化シリコン系膜と
を除去する際に、オーバエッチングを行う。その結果、
図４に示すように、シリコン基板１１に形成したセンサ
部１２上の金属遮光膜２０と窒化シリコン系膜１９との
みを除去して開口部２１を形成することができず、その
下層の層間絶縁膜１８の上層も除去されていた。それに
よって、センサ部１２上における層間絶縁膜１８の膜厚
が薄くなるので、エッチングの際に、センサ部１２上に
おける、シリコン基板１１とゲート絶縁膜１６との界面
およびシリコン基板１１の内部にダメージが入り易くな
る。そのため、いわゆる白キズが発生していた。
【０００４】一方、白キズの発生を防止するために、図
５に示すように、層間絶縁膜１８をその膜厚Ｂ〔図５の
（１）参照）〕からＢ’〔図５の（２）参照）〕になる
ように厚く形成した場合には、金属遮光膜２０をエッチ
ングして開口部２１を形成した際に、センサ部１２上の
層間絶縁膜１８の膜厚Ａ〔図５の（１）参照）〕が白キ
ズを発生しない膜厚Ａ’〔図５の（２）参照）〕にな
る。そのため、開口部２１を形成するエッチングの際
に、シリコン基板１１側にダメージが入らない。そのた
め、白キズの発生はなくなる。しかしながら、層間絶縁
膜１８の膜厚が厚くなるため、センサ部１２から金属遮
光膜２０までの高さが、層間絶縁膜１８を厚くした分
（Ｂ’−Ｂ）だけ高くなる。その結果、センサ部１２の
側部に読み出しゲート１３を介して形成されている垂直
転送部１４に窒化シリコン系膜１９と層間絶縁膜１８と
を通して斜め光Ｌが入射するようになるので、いわゆる
スミアが発生する。一方、層間絶縁膜１８を厚く形成し
ない場合には、斜め光Ｌは金属遮光膜２０によってセン
サ部１２側に反射されるため、垂直転送部１４に入射し
ない。しかしながら、前記図４によって説明したよう
に、白キズが発生する。
５に示すように、層間絶縁膜１８をその膜厚Ｂ〔図５の
（１）参照）〕からＢ’〔図５の（２）参照）〕になる
ように厚く形成した場合には、金属遮光膜２０をエッチ
ングして開口部２１を形成した際に、センサ部１２上の
層間絶縁膜１８の膜厚Ａ〔図５の（１）参照）〕が白キ
ズを発生しない膜厚Ａ’〔図５の（２）参照）〕にな
る。そのため、開口部２１を形成するエッチングの際
に、シリコン基板１１側にダメージが入らない。そのた
め、白キズの発生はなくなる。しかしながら、層間絶縁
膜１８の膜厚が厚くなるため、センサ部１２から金属遮
光膜２０までの高さが、層間絶縁膜１８を厚くした分
（Ｂ’−Ｂ）だけ高くなる。その結果、センサ部１２の
側部に読み出しゲート１３を介して形成されている垂直
転送部１４に窒化シリコン系膜１９と層間絶縁膜１８と
を通して斜め光Ｌが入射するようになるので、いわゆる
スミアが発生する。一方、層間絶縁膜１８を厚く形成し
ない場合には、斜め光Ｌは金属遮光膜２０によってセン
サ部１２側に反射されるため、垂直転送部１４に入射し
ない。しかしながら、前記図４によって説明したよう
に、白キズが発生する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた固体撮像素子および固体撮像素子
の製造方法である。
決するためになされた固体撮像素子および固体撮像素子
の製造方法である。
【０００６】固体撮像素子は、固体撮像素子のゲート電
極上を覆う金属遮光膜とその下層に形成した窒化シリコ
ン系膜とを備えたものであって、この固体撮像素子のセ
ンサ部上を上記窒化シリコン系膜で覆うとともに、上記
センサ部上における上記金属遮光膜に開口部を設けたも
のである。
極上を覆う金属遮光膜とその下層に形成した窒化シリコ
ン系膜とを備えたものであって、この固体撮像素子のセ
ンサ部上を上記窒化シリコン系膜で覆うとともに、上記
センサ部上における上記金属遮光膜に開口部を設けたも
のである。
【０００７】上記固体撮像素子では、センサ部上を窒化
シリコン系膜で覆うことから、シリコン基板とゲート絶
縁膜との界面およびシリコン基板の内部にダメージが入
り難くなる。そのため、いわゆる白キズの発生が低減さ
れる。また、窒化シリコン系膜を形成したことから、白
キズの発生を防止するために層間絶縁膜を厚く形成する
必要がなくなる。そのため、層間絶縁膜を厚くする前の
状態と同様に、すなわち、センサ部表面から金属遮光膜
までの高さが、窒化シリコン系膜と層間絶縁膜とを通し
て垂直転送部に斜め光が到達しない高さになる。そのた
め、スミアの発生がなくなる。
シリコン系膜で覆うことから、シリコン基板とゲート絶
縁膜との界面およびシリコン基板の内部にダメージが入
り難くなる。そのため、いわゆる白キズの発生が低減さ
れる。また、窒化シリコン系膜を形成したことから、白
キズの発生を防止するために層間絶縁膜を厚く形成する
必要がなくなる。そのため、層間絶縁膜を厚くする前の
状態と同様に、すなわち、センサ部表面から金属遮光膜
までの高さが、窒化シリコン系膜と層間絶縁膜とを通し
て垂直転送部に斜め光が到達しない高さになる。そのた
め、スミアの発生がなくなる。
【０００８】固体撮像素子の製造方法は、基板に形成し
たゲート電極上およびセンサ部上を覆う状態に窒化シリ
コン系膜を形成した後、その窒化シリコン膜上に金属遮
光膜を形成する工程を備えた製造方法であって、固体撮
像素子のセンサ部上に窒化シリコン系膜を残す状態に上
記センサ部上の金属遮光膜を除去して開口部を形成する
という製造方法である。
たゲート電極上およびセンサ部上を覆う状態に窒化シリ
コン系膜を形成した後、その窒化シリコン膜上に金属遮
光膜を形成する工程を備えた製造方法であって、固体撮
像素子のセンサ部上に窒化シリコン系膜を残す状態に上
記センサ部上の金属遮光膜を除去して開口部を形成する
という製造方法である。
【０００９】上記製造方法では、固体撮像素子のセンサ
部上に窒化シリコン系膜を残す状態に上記センサ部上の
金属遮光膜を除去して開口部を形成することから、この
金属遮光膜を除去するエッチングの際に、窒化シリコン
系膜の下層の層間絶縁膜が除去されることはない。その
ため、このエッチング時に、センサ部が形成されている
シリコン基板とセンサ部上に形成されているゲート絶縁
膜との界面およびこのシリコン基板の内部にダメージが
入ることがなくなるので、白キズが発生しなくなる。ま
たセンサ部上に窒化シリコン系膜を残しても、センサ部
上におけるこのセンサ部表面から金属遮光膜までの高さ
は、変化しない。すなわち、センサ部に入射される斜め
光は、金属遮光膜によってセンサ方向に反射されるの
で、窒化シリコン系膜と層間絶縁膜とを通して垂直転送
部に達することはない。そのため、いわゆるスミアの発
生がない。
部上に窒化シリコン系膜を残す状態に上記センサ部上の
金属遮光膜を除去して開口部を形成することから、この
金属遮光膜を除去するエッチングの際に、窒化シリコン
系膜の下層の層間絶縁膜が除去されることはない。その
ため、このエッチング時に、センサ部が形成されている
シリコン基板とセンサ部上に形成されているゲート絶縁
膜との界面およびこのシリコン基板の内部にダメージが
入ることがなくなるので、白キズが発生しなくなる。ま
たセンサ部上に窒化シリコン系膜を残しても、センサ部
上におけるこのセンサ部表面から金属遮光膜までの高さ
は、変化しない。すなわち、センサ部に入射される斜め
光は、金属遮光膜によってセンサ方向に反射されるの
で、窒化シリコン系膜と層間絶縁膜とを通して垂直転送
部に達することはない。そのため、いわゆるスミアの発
生がない。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係わる固体撮像素子の実
施形態の一例を、図１の概略構成断面図によって説明す
る。
施形態の一例を、図１の概略構成断面図によって説明す
る。
【００１１】図１に示すように、固体撮像素子１は以下
のような構成をなす。すなわち、シリコン基板１１には
センサ部１２が形成され、このセンサ部１２の一方の側
部には読み出しゲート１３を介して垂直転送部１４が形
成され、さらにチャネルストップ１５が形成されてい
る。またセンサ部１２の他方側にはチャネルストップ１
５を介して別のセルの垂直転送部１４、読み出しゲート
１３が形成されている。
のような構成をなす。すなわち、シリコン基板１１には
センサ部１２が形成され、このセンサ部１２の一方の側
部には読み出しゲート１３を介して垂直転送部１４が形
成され、さらにチャネルストップ１５が形成されてい
る。またセンサ部１２の他方側にはチャネルストップ１
５を介して別のセルの垂直転送部１４、読み出しゲート
１３が形成されている。
【００１２】またシリコン基板１１の表面にはゲート絶
縁膜１６が形成され、上記読み出しゲート１３、垂直転
送部１４およびチャネルストップ１５の上方におけるゲ
ート絶縁膜１６上にはゲート電極１７が形成されてい
る。そしてセンサ部１２上およびゲート絶縁膜１６上を
覆う状態に層間絶縁膜１８が形成されている。この層間
絶縁膜１８は、例えば酸化シリコン膜で形成される。
縁膜１６が形成され、上記読み出しゲート１３、垂直転
送部１４およびチャネルストップ１５の上方におけるゲ
ート絶縁膜１６上にはゲート電極１７が形成されてい
る。そしてセンサ部１２上およびゲート絶縁膜１６上を
覆う状態に層間絶縁膜１８が形成されている。この層間
絶縁膜１８は、例えば酸化シリコン膜で形成される。
【００１３】上記層間絶縁膜１８上には窒化シリコン系
膜１９が形成されている。この窒化シリコン系膜１９
は、例えば窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜で形
成されている。上記窒化シリコン系膜１９上には、金属
遮光膜２０が形成されている。この金属遮光膜２０は、
例えばアルミニウム膜で形成されている。この金属遮光
膜２０には、上記センサ部１２上に開口部２１が形成さ
れている。図示した固体撮像素子１では、上記開口部２
１を形成する際にいわゆるオーバエッチングを行ったた
めに、センサ部１２上窒化シリコン系膜１９の上層が除
去されている。さらに上記開口部２１を埋め込む状態に
して上記金属遮光膜２０上にパッシベーション膜２２が
形成されている。
膜１９が形成されている。この窒化シリコン系膜１９
は、例えば窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜で形
成されている。上記窒化シリコン系膜１９上には、金属
遮光膜２０が形成されている。この金属遮光膜２０は、
例えばアルミニウム膜で形成されている。この金属遮光
膜２０には、上記センサ部１２上に開口部２１が形成さ
れている。図示した固体撮像素子１では、上記開口部２
１を形成する際にいわゆるオーバエッチングを行ったた
めに、センサ部１２上窒化シリコン系膜１９の上層が除
去されている。さらに上記開口部２１を埋め込む状態に
して上記金属遮光膜２０上にパッシベーション膜２２が
形成されている。
【００１４】上記固体撮像素子１では、センサ部１２上
を窒化シリコン系膜１９で覆うことから、シリコン基板
１１とゲート絶縁膜１６との界面およびシリコン基板１
１の内部にダメージが入り難くなる。そのため、白キズ
の発生が低減される。また、センサ部１２上方に窒化シ
リコン系膜１９を形成したことから、白キズの発生を防
止するために層間絶縁膜１８を厚く形成する必要がなく
なる。そのため、金属遮光膜２０の下部における層間絶
縁膜１８の膜厚とセンサ部１２上における層間絶縁膜１
８の膜厚とを同一の膜厚とすることが可能になる。した
がって、層間絶縁膜１８の厚さを厚くする前の状態と同
様に、すなわち、センサ部１２の表面から金属遮光膜２
０までの高さが、窒化シリコン系膜１９と層間絶縁膜１
８とを通して垂直転送部１４に斜め光が到達しない高さ
になる。よって、スミアを悪化させずに白キズの低減を
図ることが可能になる。
を窒化シリコン系膜１９で覆うことから、シリコン基板
１１とゲート絶縁膜１６との界面およびシリコン基板１
１の内部にダメージが入り難くなる。そのため、白キズ
の発生が低減される。また、センサ部１２上方に窒化シ
リコン系膜１９を形成したことから、白キズの発生を防
止するために層間絶縁膜１８を厚く形成する必要がなく
なる。そのため、金属遮光膜２０の下部における層間絶
縁膜１８の膜厚とセンサ部１２上における層間絶縁膜１
８の膜厚とを同一の膜厚とすることが可能になる。した
がって、層間絶縁膜１８の厚さを厚くする前の状態と同
様に、すなわち、センサ部１２の表面から金属遮光膜２
０までの高さが、窒化シリコン系膜１９と層間絶縁膜１
８とを通して垂直転送部１４に斜め光が到達しない高さ
になる。よって、スミアを悪化させずに白キズの低減を
図ることが可能になる。
【００１５】次に本発明の固体撮像素子の製造方法に係
わる実施形態の一例を、図２および図３の製造工程図に
よって説明する。
わる実施形態の一例を、図２および図３の製造工程図に
よって説明する。
【００１６】図２の（１）に示すように、シリコン基板
１１にはセンサ部１２が形成され、このセンサ部１２の
一方の側部には読み出しゲート１３を介して垂直転送部
１４が形成され、さらにチャネルストップ１５が形成さ
れている。またセンサ部１２の他方側にはチャネルスト
ップ１５を介して別のセルの垂直転送部１４、読み出し
ゲート１３が形成されている。またシリコン基板１１の
表面にはゲート絶縁膜１６が形成され、上記読み出しゲ
ート１３、垂直転送部１４およびチャネルストップ１５
の上方におけるゲート絶縁膜１６上にはゲート電極１７
が形成されている。
１１にはセンサ部１２が形成され、このセンサ部１２の
一方の側部には読み出しゲート１３を介して垂直転送部
１４が形成され、さらにチャネルストップ１５が形成さ
れている。またセンサ部１２の他方側にはチャネルスト
ップ１５を介して別のセルの垂直転送部１４、読み出し
ゲート１３が形成されている。またシリコン基板１１の
表面にはゲート絶縁膜１６が形成され、上記読み出しゲ
ート１３、垂直転送部１４およびチャネルストップ１５
の上方におけるゲート絶縁膜１６上にはゲート電極１７
が形成されている。
【００１７】そして上記のようにシリコン基板１１に形
成されているゲート絶縁膜１６上に上記ゲート電極１７
を覆う層間絶縁膜１８を形成する。この層間絶縁膜１８
は、例えば化学的気相成長〔ＣＶＤ（Chemical Vapour
Deposition）〕法によって酸化シリコン膜で形成する。
成されているゲート絶縁膜１６上に上記ゲート電極１７
を覆う層間絶縁膜１８を形成する。この層間絶縁膜１８
は、例えば化学的気相成長〔ＣＶＤ（Chemical Vapour
Deposition）〕法によって酸化シリコン膜で形成する。
【００１８】次いで図２の（２）に示すように、層間絶
縁膜１８上に窒化シリコン系膜１９を形成する。この窒
化シリコン系膜１９は、例えばＣＶＤ法によって窒化シ
リコン膜または酸窒化シリコン膜で形成する。
縁膜１８上に窒化シリコン系膜１９を形成する。この窒
化シリコン系膜１９は、例えばＣＶＤ法によって窒化シ
リコン膜または酸窒化シリコン膜で形成する。
【００１９】さらに図２の（３）に示すように、窒化シ
リコン系膜１９上に金属遮光膜２０を形成する。この金
属遮光膜２０は、例えばスパッタリングによってアルミ
ニウム膜で形成する。
リコン系膜１９上に金属遮光膜２０を形成する。この金
属遮光膜２０は、例えばスパッタリングによってアルミ
ニウム膜で形成する。
【００２０】次いで図３の（１）に示すように、リソグ
ラフィー技術によって、金属遮光膜２０上にレジスト膜
３１を形成する。そしてセンサ部１２上に開口部３２を
形成する。
ラフィー技術によって、金属遮光膜２０上にレジスト膜
３１を形成する。そしてセンサ部１２上に開口部３２を
形成する。
【００２１】次いで上記レジスト膜３１をマスクにした
エッチングによって、図３の（２）に示すように、上記
センサ部１２上の金属遮光膜２０に開口部２１を形成す
る。その際、オーバエッチングを行ってセンサ部１２上
の金属遮光膜２０を完全に除去するために、センサ部１
２上の窒化シリコン系膜１９の上層も除去される。
エッチングによって、図３の（２）に示すように、上記
センサ部１２上の金属遮光膜２０に開口部２１を形成す
る。その際、オーバエッチングを行ってセンサ部１２上
の金属遮光膜２０を完全に除去するために、センサ部１
２上の窒化シリコン系膜１９の上層も除去される。
【００２２】その後上記レジスト膜３１〔図３の（１）
参照〕を除去する。そして図３の（３）に示すように、
上記開口部２１を埋め込む状態にして上記金属遮光膜２
０上にパッシベーション膜２２を形成する。このように
して、固体撮像素子１が完成する。
参照〕を除去する。そして図３の（３）に示すように、
上記開口部２１を埋め込む状態にして上記金属遮光膜２
０上にパッシベーション膜２２を形成する。このように
して、固体撮像素子１が完成する。
【００２３】
【発明の効果】上記製造方法では、固体撮像素子１のセ
ンサ部１２上に窒化シリコン系膜１９を残す状態に上記
センサ部１２上の金属遮光膜２０を除去して開口部２１
を形成することから、この金属遮光膜２０を除去するエ
ッチングの際に、窒化シリコン系膜１９の下部の層間絶
縁膜１８は除去されることはない。そのため、このエッ
チング時に、センサ部１２が形成されているシリコン基
板１１とセンサ部１２上に形成されているゲート絶縁膜
１６との界面およびこのシリコン基板１１の内部にダメ
ージが入ることがなくなるので、白キズは発生しなくな
る。またセンサ部１２上に窒化シリコン系膜１９を残し
ても、センサ部１２上におけるこのセンサ部１２表面か
ら金属遮光膜２０までの高さは変化しない。すなわち、
センサ部１２に入射される斜め光は、金属遮光膜２０に
よってセンサ方向に反射されるので、窒化シリコン系膜
１９と層間絶縁膜１８とを通して垂直転送部１４に達す
ることはない。そのため、いわゆるスミアの発生はな
い。
ンサ部１２上に窒化シリコン系膜１９を残す状態に上記
センサ部１２上の金属遮光膜２０を除去して開口部２１
を形成することから、この金属遮光膜２０を除去するエ
ッチングの際に、窒化シリコン系膜１９の下部の層間絶
縁膜１８は除去されることはない。そのため、このエッ
チング時に、センサ部１２が形成されているシリコン基
板１１とセンサ部１２上に形成されているゲート絶縁膜
１６との界面およびこのシリコン基板１１の内部にダメ
ージが入ることがなくなるので、白キズは発生しなくな
る。またセンサ部１２上に窒化シリコン系膜１９を残し
ても、センサ部１２上におけるこのセンサ部１２表面か
ら金属遮光膜２０までの高さは変化しない。すなわち、
センサ部１２に入射される斜め光は、金属遮光膜２０に
よってセンサ方向に反射されるので、窒化シリコン系膜
１９と層間絶縁膜１８とを通して垂直転送部１４に達す
ることはない。そのため、いわゆるスミアの発生はな
い。
【図１】本発明の固体撮像素子に係わる実施形態の概略
構成断面図である。
構成断面図である。
【図２】本発明の製造方法に係わる実施形態の製造工程
図（その１）である。
図（その１）である。
【図３】本発明の製造方法に係わる実施形態の製造工程
図（その２）である。
図（その２）である。
【図４】白キズに係わる課題の説明図である。
【図５】スミアに係わる課題の説明図である。
１ 固体撮像素子 １２ センサ部 １７ ゲート
電極 １９ 窒化シリコン系膜 ２０ 金属遮光膜 ２１
開口部
電極 １９ 窒化シリコン系膜 ２０ 金属遮光膜 ２１
開口部
Claims (2)
- 【請求項１】 固体撮像素子のゲート電極上を覆う金属
遮光膜と該金属遮光膜の下層に形成した窒化シリコン系
膜を備えた固体撮像素子において、 前記固体撮像素子のセンサ部上を前記窒化シリコン系膜
で覆うとともに、 前記センサ部上における前記金属遮光膜に開口部を設け
たことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 基板上に形成したゲート電極上およびセ
ンサ部上を覆う状態に窒化シリコン系膜を形成した後、
該窒化シリコン膜上に金属遮光膜を形成する工程を備え
た固体撮像素子の製造方法において、 前記固体撮像素子のセンサ部上に前記窒化シリコン系膜
を残す状態にして該センサ部上の前記金属遮光膜を除去
して開口部を形成することを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229851A JPH1074924A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229851A JPH1074924A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074924A true JPH1074924A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16898688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8229851A Pending JPH1074924A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-08-30 JP JP8229851A patent/JPH1074924A/ja active Pending
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