JPH07193206A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH07193206A JPH07193206A JP3173528A JP17352891A JPH07193206A JP H07193206 A JPH07193206 A JP H07193206A JP 3173528 A JP3173528 A JP 3173528A JP 17352891 A JP17352891 A JP 17352891A JP H07193206 A JPH07193206 A JP H07193206A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- solid
- shielding film
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光センサとしてフォトダイオード(PD)を, 電
荷転送部に電荷結合素子(CCD) を用いた固体撮像装置に
関し，フォトダイオード表面から反射された光の一部が
遮光膜の裏面での再反射を低減し，スミアの発生を抑制
することを目的とする。 【構成】 半導体基板１に形成されたフォトダイオード
および垂直方向電荷転送素子と，該基板上に層間絶縁膜
４を介して該垂直方向電荷転送素子を覆う遮光膜５とを
有する固体撮像装置であって，該遮光膜の下地に該遮光
膜より光の反射率の低い反射防止膜７を有するように構
成する。また，前記反射防止膜がスパッタ法により形成
されたシリコン膜であるように構成する。
荷転送部に電荷結合素子(CCD) を用いた固体撮像装置に
関し，フォトダイオード表面から反射された光の一部が
遮光膜の裏面での再反射を低減し，スミアの発生を抑制
することを目的とする。 【構成】 半導体基板１に形成されたフォトダイオード
および垂直方向電荷転送素子と，該基板上に層間絶縁膜
４を介して該垂直方向電荷転送素子を覆う遮光膜５とを
有する固体撮像装置であって，該遮光膜の下地に該遮光
膜より光の反射率の低い反射防止膜７を有するように構
成する。また，前記反射防止膜がスパッタ法により形成
されたシリコン膜であるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置, 特に光セ
ンサとしてフォトダイオード(PD)を, 電荷転送部に電荷
結合素子(CCD) を用いた固体撮像装置に関する。
ンサとしてフォトダイオード(PD)を, 電荷転送部に電荷
結合素子(CCD) を用いた固体撮像装置に関する。
【０００２】PDとCCD を用いた固体撮像装置は現在 FA
X, OCR 等の通信, 情報処理機器やカメラやビデオカメ
ラ等の画像読み取りに広く使用され，その高集積化に伴
い動作の確実性が要求されている。
X, OCR 等の通信, 情報処理機器やカメラやビデオカメ
ラ等の画像読み取りに広く使用され，その高集積化に伴
い動作の確実性が要求されている。
【０００３】本発明はこの要求に対応した固体撮像装置
として利用できる。
として利用できる。
【０００４】
【従来の技術】図２は従来例を説明する断面図である。
図において，１はｎ型シリコン(n-Si)基板，２はゲート
絶縁膜で二酸化シリコン(SiO2)膜，３はゲートでポリシ
リコン膜，４は層間絶縁膜で気相成長(CVD) によるSiO2
膜, ５は垂直方向CCD 上を覆う遮光膜でアルミニウム(A
l)膜, ６はカバー膜でりん珪酸ガラス(PSG) 膜および窒
化シリコン(Si3N4) 膜である。
図において，１はｎ型シリコン(n-Si)基板，２はゲート
絶縁膜で二酸化シリコン(SiO2)膜，３はゲートでポリシ
リコン膜，４は層間絶縁膜で気相成長(CVD) によるSiO2
膜, ５は垂直方向CCD 上を覆う遮光膜でアルミニウム(A
l)膜, ６はカバー膜でりん珪酸ガラス(PSG) 膜および窒
化シリコン(Si3N4) 膜である。
【０００５】図の矢印は光で，PD部に入力光が入射さ
れ, 入射光によりPD部に発生した電荷は垂直方向CCD 部
へ送られ, 半導体チップの垂直方向（紙面に垂直方向）
に転送される。各々の垂直方向CCD からの信号電荷は水
平方向CCD に入力され時系列的に画像信号として出力さ
れる。
れ, 入射光によりPD部に発生した電荷は垂直方向CCD 部
へ送られ, 半導体チップの垂直方向（紙面に垂直方向）
に転送される。各々の垂直方向CCD からの信号電荷は水
平方向CCD に入力され時系列的に画像信号として出力さ
れる。
【０００６】この場合，撮像装置に高輝度の光が入った
とき，フォトダイオード上へ入射した光の一部が表面で
反射して遮光膜５の裏面で再反射して垂直方向CCD 部に
入射される。
とき，フォトダイオード上へ入射した光の一部が表面で
反射して遮光膜５の裏面で再反射して垂直方向CCD 部に
入射される。
【０００７】その結果，この疑似信号により, 画面上で
は垂直（上下）方向のすじとなって現れるスミアが発生
する。このため，垂直方向のCCD 部への光の入射を防ぐ
必要がある。
は垂直（上下）方向のすじとなって現れるスミアが発生
する。このため，垂直方向のCCD 部への光の入射を防ぐ
必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって，従来の撮
像装置に高輝度の光が入射された場合, 垂直方向CCD に
光が入射される可能性が高く, スミアを発生していた。
像装置に高輝度の光が入射された場合, 垂直方向CCD に
光が入射される可能性が高く, スミアを発生していた。
【０００９】本発明はフォトダイオード表面から反射さ
れた光の一部が遮光膜の裏面での再反射を低減し，スミ
アの発生を抑制することを目的とする。
れた光の一部が遮光膜の裏面での再反射を低減し，スミ
アの発生を抑制することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）半導体基板(1) に形成されたフォトダイオードおよ
び垂直方向電荷転送素子と，該基板上に層間絶縁膜(4）
を介して該垂直方向電荷転送素子を覆う遮光膜(5) とを
有する固体撮像装置であって，該遮光膜の下地に該遮光
膜より光の反射率の低い反射防止膜(7) を有する固体撮
像装置，あるいは ２）前記反射防止膜が(7) スパッタ法により形成された
シリコン膜である前記１）記載の固体撮像装置により達
成される。
び垂直方向電荷転送素子と，該基板上に層間絶縁膜(4）
を介して該垂直方向電荷転送素子を覆う遮光膜(5) とを
有する固体撮像装置であって，該遮光膜の下地に該遮光
膜より光の反射率の低い反射防止膜(7) を有する固体撮
像装置，あるいは ２）前記反射防止膜が(7) スパッタ法により形成された
シリコン膜である前記１）記載の固体撮像装置により達
成される。
【００１１】
【作用】本発明では, 遮光膜として例えばスパッタAl膜
を被着する前に, 反射防止膜として例えばスパッタSi膜
を被着し，フォトリソグラフィ工程により遮光膜と反射
防止膜とを同時にパターニングしてフォトダイオード部
を開口する。
を被着する前に, 反射防止膜として例えばスパッタSi膜
を被着し，フォトリソグラフィ工程により遮光膜と反射
防止膜とを同時にパターニングしてフォトダイオード部
を開口する。
【００１２】すなわち, Al遮光膜の下地に反射防止膜の
スパッタSi膜を形成した。この結果, フォトダイオード
表面から反射された光の一部がAl遮光膜の下地に形成さ
れたスパッタSi膜により, 反射率がAlに比し 1/4〜1/5
に低減されるため，垂直方向CCD に入射される光が抑制
され，スミア対策となる。
スパッタSi膜を形成した。この結果, フォトダイオード
表面から反射された光の一部がAl遮光膜の下地に形成さ
れたスパッタSi膜により, 反射率がAlに比し 1/4〜1/5
に低減されるため，垂直方向CCD に入射される光が抑制
され，スミア対策となる。
【００１３】
【実施例】図１は実施例を説明する断面図である。図に
おいて，１はn-Si基板，２はゲート絶縁膜で厚さ 300Å
の熱酸化SiO2膜，３はゲートで厚さ4000Åのポリシリコ
ン膜，４は層間絶縁膜で厚さ 1μｍのCVDSiO2膜, ５は
垂直方向CCD 上を覆う遮光膜で厚さ 1μｍのAl膜, ６は
カバー膜で厚さ5000ÅのPSG 膜および厚さ3000ÅのSi3N
4 膜，７は反射防止膜で厚さ 250ÅのスパッタSi膜であ
る。
おいて，１はn-Si基板，２はゲート絶縁膜で厚さ 300Å
の熱酸化SiO2膜，３はゲートで厚さ4000Åのポリシリコ
ン膜，４は層間絶縁膜で厚さ 1μｍのCVDSiO2膜, ５は
垂直方向CCD 上を覆う遮光膜で厚さ 1μｍのAl膜, ６は
カバー膜で厚さ5000ÅのPSG 膜および厚さ3000ÅのSi3N
4 膜，７は反射防止膜で厚さ 250ÅのスパッタSi膜であ
る。
【００１４】この場合，撮像装置に高輝度の光が入って
も，フォトダイオード上へ入射した光の一部が表面で反
射して反射防止膜７の裏面での再反射が低減され，垂直
方向CCD への入射が抑制される。
も，フォトダイオード上へ入射した光の一部が表面で反
射して反射防止膜７の裏面での再反射が低減され，垂直
方向CCD への入射が抑制される。
【００１５】実施例の製造プロセスは通常の固体撮像素
子製造プロセスにおいて，Al遮光膜膜をスパッタする前
に，スパッタSi膜を被着する工程を追加するだけで実現
が可能となる。
子製造プロセスにおいて，Al遮光膜膜をスパッタする前
に，スパッタSi膜を被着する工程を追加するだけで実現
が可能となる。
【００１６】実施例では遮光膜として，通常使用されて
いるAl膜を用いたが, Al合金膜あるいはその他の金属膜
でもよい。また, 実施例では反射防止膜としてスパッタ
Si膜を用いたが, CVD Si膜等遮光膜より反射率が低いそ
の他の物質からなる膜であればよいが, スパッタSi膜が
CVD ポリSi膜等々より適している理由は次の通りであ
る。
いるAl膜を用いたが, Al合金膜あるいはその他の金属膜
でもよい。また, 実施例では反射防止膜としてスパッタ
Si膜を用いたが, CVD Si膜等遮光膜より反射率が低いそ
の他の物質からなる膜であればよいが, スパッタSi膜が
CVD ポリSi膜等々より適している理由は次の通りであ
る。
【００１７】スパッタSi膜は通常レジスト剥離時の酸素
(O2)アッシングで除去可能であり，且つ本発明ではAlの
エッチングと同時に塩素系ガスを用いてエッチングでき
るようになり, プロセスの簡略化が最も大きな利点であ
る。
(O2)アッシングで除去可能であり，且つ本発明ではAlの
エッチングと同時に塩素系ガスを用いてエッチングでき
るようになり, プロセスの簡略化が最も大きな利点であ
る。
【００１８】
【発明の効果】フォトダイオード表面から反射された光
の一部が遮光膜の裏面での再反射を低減し，スミアの発
生を抑制することができた。
の一部が遮光膜の裏面での再反射を低減し，スミアの発
生を抑制することができた。
【００１９】この結果, 今まで以上の高輝度において
も, スミアの発生がなく安定した画像が得られた。
も, スミアの発生がなく安定した画像が得られた。
【図１】 実施例を説明する断面図
【図２】 従来例を説明する断面図
１ 半導体基板でp-Si基板 ２ ゲート絶縁膜で熱酸化SiO2膜 ３ ゲートでポリシリコン膜 ４ 層間絶縁膜でCVD SiO2膜 ５ 垂直方向CCD 上を覆う遮光膜でAl膜 ６ カバー膜でSi3N4 膜 ７ 反射防止膜でスパッタSi膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板(1) に形成されたフォトダイ
オードおよび垂直方向電荷転送素子と，該基板上に層間
絶縁膜(4）を介して該垂直方向電荷転送素子を覆う遮光
膜(5) とを有する固体撮像装置であって，該遮光膜の下
地に該遮光膜より光の反射率の低い反射防止膜(7) を有
することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記反射防止膜が(7) スパッタ法により
形成されたシリコン膜であることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173528A JPH07193206A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173528A JPH07193206A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193206A true JPH07193206A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=15962200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173528A Withdrawn JPH07193206A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193206A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056338A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광효율을 향상시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| KR100457335B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치및그의제조방법 |
| CN114743997A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 群创光电股份有限公司 | 感测装置的制造方法 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3173528A patent/JPH07193206A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457335B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치및그의제조방법 |
| KR20030056338A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광효율을 향상시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| CN114743997A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 群创光电股份有限公司 | 感测装置的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |