JPH1075145A - Ｌｃバンドパスフィルタ - Google Patents
ＬｃバンドパスフィルタInfo
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- JPH1075145A JPH1075145A JP8248646A JP24864696A JPH1075145A JP H1075145 A JPH1075145 A JP H1075145A JP 8248646 A JP8248646 A JP 8248646A JP 24864696 A JP24864696 A JP 24864696A JP H1075145 A JPH1075145 A JP H1075145A
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- Japan
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- capacitor
- electrodes
- input
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 可及的薄型のＬＣバンドパスフィルタを提供
する。 【解決手段】 多層構造からなり、絶縁基板１の表面
に、二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該
下部導電層２上に、誘電体薄膜層１０を形成し、さらに
該誘電体薄膜層１０上の、共通コンデンサ電極３ａと対
向する部位に、入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデ
ンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設
け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力
用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデ
ンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設けたから、単一の誘電
体薄膜層のみにより、入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、
共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成される。
する。 【解決手段】 多層構造からなり、絶縁基板１の表面
に、二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該
下部導電層２上に、誘電体薄膜層１０を形成し、さらに
該誘電体薄膜層１０上の、共通コンデンサ電極３ａと対
向する部位に、入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデ
ンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設
け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力
用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデ
ンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設けたから、単一の誘電
体薄膜層のみにより、入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、
共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣバンドパスフィルタとしては、アル
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年は、電子機
器等の小型化、高性能化、高密度実装化に対する要望が
さらに高まっており、このため、ＬＣバンドパスフィル
タの一層の小型化，薄型化が求められてきている。
器等の小型化、高性能化、高密度実装化に対する要望が
さらに高まっており、このため、ＬＣバンドパスフィル
タの一層の小型化，薄型化が求められてきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種のバンド
パスフィルタは、各誘電体層により容量部を形成するも
のであり、通常、入出力側の一方において、共振用コン
デンサＣ3 とインダクタＬ1 とをアースに並列接続し、
かつ入出力用コンデンサＣ1 と共振用コンデンサＣ3 と
を直列状に接続し、入出力側の他方において、共振用コ
ンデンサＣ4 とインダクタＬ2 とをアースに並列接続
し、かつ入出力用コンデンサＣ2 と共振用コンデンサＣ
4 とを直列状に接続した回路構成を担持する多層構造か
らなる。ところで、この従来構成にあっては、各コンデ
ンサを夫々誘電体層により構成しており、この為、層数
が増え、全体としての肉厚化が避けられなかった。本発
明は、可及的に薄型化を図り得る構成のＬＣバンドパス
フィルタを提供することを目的とするものである。
パスフィルタは、各誘電体層により容量部を形成するも
のであり、通常、入出力側の一方において、共振用コン
デンサＣ3 とインダクタＬ1 とをアースに並列接続し、
かつ入出力用コンデンサＣ1 と共振用コンデンサＣ3 と
を直列状に接続し、入出力側の他方において、共振用コ
ンデンサＣ4 とインダクタＬ2 とをアースに並列接続
し、かつ入出力用コンデンサＣ2 と共振用コンデンサＣ
4 とを直列状に接続した回路構成を担持する多層構造か
らなる。ところで、この従来構成にあっては、各コンデ
ンサを夫々誘電体層により構成しており、この為、層数
が増え、全体としての肉厚化が避けられなかった。本発
明は、可及的に薄型化を図り得る構成のＬＣバンドパス
フィルタを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、多層構造から
なり、絶縁基板１の表面に、二つの共通コンデンサ電極
３ａ，３ｂを並設し、該共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
上に、誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜
層１０上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位
に、入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の
他側コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コ
ンデンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデン
サＣ2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１
２ｂ，１３ｂを夫々設けたことを特徴とするＬＣバンド
パスフィルタである。
なり、絶縁基板１の表面に、二つの共通コンデンサ電極
３ａ，３ｂを並設し、該共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
上に、誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜
層１０上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位
に、入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の
他側コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コ
ンデンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデン
サＣ2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１
２ｂ，１３ｂを夫々設けたことを特徴とするＬＣバンド
パスフィルタである。
【０００６】かかる構成にあっては、単一の誘電体薄膜
層に、コンデンサ電極１２ａ，１３ａ，１２ｂ，１３ｂ
を形成し、絶縁基板１の表面に、各電極と対向する二つ
の共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、これにより
単一の誘電体薄膜層のみにより、入出力用コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成される。
したがって、誘電体層の数を少なくでき、全体として、
薄型化を図り得ることとなる。
層に、コンデンサ電極１２ａ，１３ａ，１２ｂ，１３ｂ
を形成し、絶縁基板１の表面に、各電極と対向する二つ
の共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、これにより
単一の誘電体薄膜層のみにより、入出力用コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成される。
したがって、誘電体層の数を少なくでき、全体として、
薄型化を図り得ることとなる。
【０００７】この好適な構成としては、絶縁基板１の表
面に、下部導電層２を形成して、この下部導電層２に二
つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導
電層２上に誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体
薄膜層１０上に、中間導電層１１を形成して、該中間導
電層１１に共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、
入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側
コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデ
ンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ
2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２
ｂ，１３ｂを夫々設け、さらに中間導電層１１上に絶縁
層２０を設けて、該絶縁層２０上に、上部導電層２１を
形成し、この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接
地電極２６から延出する二つのインダクタＬ1 ，Ｌ2
と、前記入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデン
サ電極１２ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極２２
ａ，２２ｂとを夫々設けると共に、インダクタＬ1 ，Ｌ
2 の中心を、下部導電層２の共通コンデンサ電極３ａ，
３ｂに夫々接続し、さらに接地電極層２６を、下部導電
層２の他側コンデンサ電極１３ａ，１３ｂに夫々接続し
たＬＣバンドパスフィルタが提案され得る。このよう
に、構成することにより、その全体として、極薄の多層
構造からなるＬＣバンドパスフィルタが供せられる。
面に、下部導電層２を形成して、この下部導電層２に二
つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導
電層２上に誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体
薄膜層１０上に、中間導電層１１を形成して、該中間導
電層１１に共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、
入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側
コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデ
ンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ
2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２
ｂ，１３ｂを夫々設け、さらに中間導電層１１上に絶縁
層２０を設けて、該絶縁層２０上に、上部導電層２１を
形成し、この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接
地電極２６から延出する二つのインダクタＬ1 ，Ｌ2
と、前記入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデン
サ電極１２ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極２２
ａ，２２ｂとを夫々設けると共に、インダクタＬ1 ，Ｌ
2 の中心を、下部導電層２の共通コンデンサ電極３ａ，
３ｂに夫々接続し、さらに接地電極層２６を、下部導電
層２の他側コンデンサ電極１３ａ，１３ｂに夫々接続し
たＬＣバンドパスフィルタが提案され得る。このよう
に、構成することにより、その全体として、極薄の多層
構造からなるＬＣバンドパスフィルタが供せられる。
【０００８】さらには、多層構造からなり、最下層の絶
縁基板４１上に他側コンデンサ電極５３を形成し、ま
た、他側コンデンサ電極５３上に形成した誘電体薄膜層
５０上に、二つの共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂを
並設氏、この誘電体薄膜層５０を介して、共通コンデン
サ電極４３ａ，４３ｂが他側コンデンサ電極５３と対向
することにより、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成す
ると共に、また、誘電体薄膜層５０上に形成された絶縁
層６０上に上部導電層６１を形成し、該上部導電層６１
には、共通コンデンサ電極４３ａと対向する部位に、該
共通コンデンサ電極４３ａとで絶縁層６０を介して入出
力用コンデンサＣ1 を構成する他側コンデンサ電極とな
る入出力電極６２ａを、同じく前記共通コンデンサ電極
４３ｂと対向する部位に、該共通コンデンサ電極４３ｂ
とで絶縁層６０を介して入出力用コンデンサＣ2 を構成
する他側コンデンサ電極となる入出力電極６２ｂを夫々
形成し、また、上部導電層６１には、接地電極６６ａ，
６６ｂを形成して、この接地電極６６ａ，６６ｂに、イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を延成し、さらにこのインダクタＬ
1 ，Ｌ2 の先端を、厚さ方向に形成した導通路７０を介
して、誘電体薄膜層５０上の共通コンデンサ電極４３
ａ，４３ｂに接続し、さらに接地電極６６ａ，６６ｂ
を、厚さ方向に形成した形成した導通路７１を介して、
共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コンデンサ電極５３
に接続することにより構成したことを特徴とするＬＣバ
ンドパスフィルタが提案される。このように構成した多
層構造にあっては、絶縁層６０により、二つの入出力用
コンデンサＣ1 ，Ｃ2 を形成し、誘電体薄膜層５０によ
り、二つの共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるた
め、薄型化を図ることができる。
縁基板４１上に他側コンデンサ電極５３を形成し、ま
た、他側コンデンサ電極５３上に形成した誘電体薄膜層
５０上に、二つの共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂを
並設氏、この誘電体薄膜層５０を介して、共通コンデン
サ電極４３ａ，４３ｂが他側コンデンサ電極５３と対向
することにより、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成す
ると共に、また、誘電体薄膜層５０上に形成された絶縁
層６０上に上部導電層６１を形成し、該上部導電層６１
には、共通コンデンサ電極４３ａと対向する部位に、該
共通コンデンサ電極４３ａとで絶縁層６０を介して入出
力用コンデンサＣ1 を構成する他側コンデンサ電極とな
る入出力電極６２ａを、同じく前記共通コンデンサ電極
４３ｂと対向する部位に、該共通コンデンサ電極４３ｂ
とで絶縁層６０を介して入出力用コンデンサＣ2 を構成
する他側コンデンサ電極となる入出力電極６２ｂを夫々
形成し、また、上部導電層６１には、接地電極６６ａ，
６６ｂを形成して、この接地電極６６ａ，６６ｂに、イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を延成し、さらにこのインダクタＬ
1 ，Ｌ2 の先端を、厚さ方向に形成した導通路７０を介
して、誘電体薄膜層５０上の共通コンデンサ電極４３
ａ，４３ｂに接続し、さらに接地電極６６ａ，６６ｂ
を、厚さ方向に形成した形成した導通路７１を介して、
共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コンデンサ電極５３
に接続することにより構成したことを特徴とするＬＣバ
ンドパスフィルタが提案される。このように構成した多
層構造にあっては、絶縁層６０により、二つの入出力用
コンデンサＣ1 ，Ｃ2 を形成し、誘電体薄膜層５０によ
り、二つの共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるた
め、薄型化を図ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】添付図面について本発明の一実施
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
【００１０】前記絶縁基板１上に形成される下部導電層
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。
【００１１】また、誘電体薄膜層１０上に形成される中
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。
【００１２】ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。
【００１３】また、コンデンサ形成領域Ｓ1 には、これ
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、この長さを調整することによ
り、反射損失を調整することが可能となる。そして、こ
のインダクタインダクタＬ3 の端部からは、インダクタ
形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐して、外側から中心
に向けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 が連成されることとなる。
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、この長さを調整することによ
り、反射損失を調整することが可能となる。そして、こ
のインダクタインダクタＬ3 の端部からは、インダクタ
形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐して、外側から中心
に向けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 が連成されることとなる。
【００１４】このスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通孔３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通孔３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通孔３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通孔３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通孔３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通孔３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。
【００１５】而して、上述したように、誘電体薄膜層１
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して共
振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図２の等価回路を
構成することとなる。
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して共
振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図２の等価回路を
構成することとなる。
【００１６】このように構成した多層構造にあっては、
単一の誘電体薄膜層１０に、コンデンサ電極１２ａ，１
３ａ，１２ｂ，１３ｂを形成し、絶縁基板１の表面に、
各電極と対向する二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
を並設し、これにより単一の誘電体薄膜層のみにより、
入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサＣ
3 ，Ｃ4 が構成される。したがって、誘電体層の数を少
なくでき、全体として、薄型化を図り得ることとなる。
ここで、この構成にあっては、絶縁層２０はコンデンサ
としては機能していず、もっぱら、その上面に形成した
上部電極層２１を担持する為に用いられている。
単一の誘電体薄膜層１０に、コンデンサ電極１２ａ，１
３ａ，１２ｂ，１３ｂを形成し、絶縁基板１の表面に、
各電極と対向する二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
を並設し、これにより単一の誘電体薄膜層のみにより、
入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサＣ
3 ，Ｃ4 が構成される。したがって、誘電体層の数を少
なくでき、全体として、薄型化を図り得ることとなる。
ここで、この構成にあっては、絶縁層２０はコンデンサ
としては機能していず、もっぱら、その上面に形成した
上部電極層２１を担持する為に用いられている。
【００１７】さらには、上述の構成にあって、コンデン
サ形成領域Ｓ1 と、インダクタ形成領域Ｓ2 とを区画
し、インダクタＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 の下方には、コンデン
サが位置しないようにしているから、該インダクタＬ
1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 に不要な容量が発生せず、周波数特性が
安定化する利点を生ずる。
サ形成領域Ｓ1 と、インダクタ形成領域Ｓ2 とを区画
し、インダクタＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 の下方には、コンデン
サが位置しないようにしているから、該インダクタＬ
1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 に不要な容量が発生せず、周波数特性が
安定化する利点を生ずる。
【００１８】図３は、他の構成のＬＣバンドパスフィル
タを示すものである。寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦横
２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁基
板４１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層４２
（厚３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層５０
（厚１μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層５
１（厚３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜から
なる絶縁層６０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる
上部導電層６１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。こ
の全体の総厚は、その総和からも理解されるように、
０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
タを示すものである。寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦横
２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁基
板４１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層４２
（厚３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層５０
（厚１μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層５
１（厚３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜から
なる絶縁層６０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる
上部導電層６１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。こ
の全体の総厚は、その総和からも理解されるように、
０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
【００１９】前記絶縁基板４１上に形成される下部導電
層４２は、後述するように上部導電層６１の接地電極と
電気的に接続し、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コ
ンデンサ電極５３を構成する。
層４２は、後述するように上部導電層６１の接地電極と
電気的に接続し、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コ
ンデンサ電極５３を構成する。
【００２０】また、誘電体薄膜層５０上の中間導電層５
１には、矩形状の二つの共通コンデンサ電極４３ａ，４
３ｂが対角位置に並設される。そして誘電体薄膜層５０
を介して、共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂが他側コ
ンデンサ電極５３と対向することにより、共振用コンデ
ンサＣ3 ，Ｃ4 が構成されることとなる。
１には、矩形状の二つの共通コンデンサ電極４３ａ，４
３ｂが対角位置に並設される。そして誘電体薄膜層５０
を介して、共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂが他側コ
ンデンサ電極５３と対向することにより、共振用コンデ
ンサＣ3 ，Ｃ4 が構成されることとなる。
【００２１】さらにまた、絶縁層６０上に形成される上
部導電層６１には、共通コンデンサ電極４３ａと対向す
る部位に、該共通コンデンサ電極４３ａとで絶縁層６０
を介して入出力用コンデンサＣ1 を構成する他側コンデ
ンサ電極となる入出力電極６２ａが、同じく前記共通コ
ンデンサ電極４３ｂと対向する部位に、該共通コンデン
サ電極４３ｂとで絶縁層６０を介して入出力用コンデン
サＣ2 を構成する他側コンデンサ電極となる入出力電極
６２ｂが夫々形成される。上部導電層６１には、この入
出力電極６２ａ，６２ｂ間には、これを容量結合するた
めの結合電極６４が絶縁間隙を置いて形成され、該絶縁
間隙により、結合コンデンサＣ5 を形成するようにして
いる。
部導電層６１には、共通コンデンサ電極４３ａと対向す
る部位に、該共通コンデンサ電極４３ａとで絶縁層６０
を介して入出力用コンデンサＣ1 を構成する他側コンデ
ンサ電極となる入出力電極６２ａが、同じく前記共通コ
ンデンサ電極４３ｂと対向する部位に、該共通コンデン
サ電極４３ｂとで絶縁層６０を介して入出力用コンデン
サＣ2 を構成する他側コンデンサ電極となる入出力電極
６２ｂが夫々形成される。上部導電層６１には、この入
出力電極６２ａ，６２ｂ間には、これを容量結合するた
めの結合電極６４が絶縁間隙を置いて形成され、該絶縁
間隙により、結合コンデンサＣ5 を形成するようにして
いる。
【００２２】また、上部導電層６１には、これら入出力
電極６２ａ，６２ｂ，結合電極６４を前後で挟むよう
に、接地電極６６ａ，６６ｂが形成される。そして、こ
の接地電極６６ａ，６６ｂの内側縁からは、側縁に沿っ
て、インダクタＬ1 ，Ｌ2 が延成される。
電極６２ａ，６２ｂ，結合電極６４を前後で挟むよう
に、接地電極６６ａ，６６ｂが形成される。そして、こ
の接地電極６６ａ，６６ｂの内側縁からは、側縁に沿っ
て、インダクタＬ1 ，Ｌ2 が延成される。
【００２３】このインダクタＬ1 ，Ｌ2 の先端は、絶縁
層６０を貫通して形成した導通孔７０を介して、誘電体
薄膜層５０上の共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂに接
続される。さらに接地電極６６ａ，６６ｂを、絶縁層６
０，誘電体薄膜層５０を貫通して形成した導通孔７１，
７１を介して、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コン
デンサ電極５３に接続される。
層６０を貫通して形成した導通孔７０を介して、誘電体
薄膜層５０上の共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂに接
続される。さらに接地電極６６ａ，６６ｂを、絶縁層６
０，誘電体薄膜層５０を貫通して形成した導通孔７１，
７１を介して、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コン
デンサ電極５３に接続される。
【００２４】而して、上述したように、絶縁層６０を介
して、共通コンデンサ電極４３ａ，入出力電極６２ａ間
に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共通コンデンサ
電極４３ｂ，入出力電極６２ｂ間に入出力用コンデンサ
Ｃ2 が形成され、さらに誘電体薄膜層５０間に、共通コ
ンデンサ電極４３ａ，他側コンデンサ電極５３間に共振
用コンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極４３
ｂ，他側コンデンサ電極５３間に共振用コンデンサＣ4
が形成され、さらに、結合電極６４を介して、入出力電
極６２ａ，６２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得
ると共に、接地側に、共振用コンデンサＣ3 ，コンデン
サＣ4 が接続され、かつインダクタＬ1に対して、共振
用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタＬ2
に対して共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図４の
等価回路を構成することとなる。
して、共通コンデンサ電極４３ａ，入出力電極６２ａ間
に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共通コンデンサ
電極４３ｂ，入出力電極６２ｂ間に入出力用コンデンサ
Ｃ2 が形成され、さらに誘電体薄膜層５０間に、共通コ
ンデンサ電極４３ａ，他側コンデンサ電極５３間に共振
用コンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極４３
ｂ，他側コンデンサ電極５３間に共振用コンデンサＣ4
が形成され、さらに、結合電極６４を介して、入出力電
極６２ａ，６２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得
ると共に、接地側に、共振用コンデンサＣ3 ，コンデン
サＣ4 が接続され、かつインダクタＬ1に対して、共振
用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタＬ2
に対して共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図４の
等価回路を構成することとなる。
【００２５】このように構成した多層構造にあっては、
絶縁層６０により、二つの入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ
2 を形成し、誘電体薄膜層５０により、二つの共振用コ
ンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるため、薄型化を図るこ
とができる。また、この構成にあっては、インダクタＬ
1 ，Ｌ2 の下方には、コンデンサが位置しないようにし
ているから、該インダクタＬ1 ，Ｌ2 に不要な容量が発
生せず、周波数特性が安定化する利点を生ずる。
絶縁層６０により、二つの入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ
2 を形成し、誘電体薄膜層５０により、二つの共振用コ
ンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるため、薄型化を図るこ
とができる。また、この構成にあっては、インダクタＬ
1 ，Ｌ2 の下方には、コンデンサが位置しないようにし
ているから、該インダクタＬ1 ，Ｌ2 に不要な容量が発
生せず、周波数特性が安定化する利点を生ずる。
【００２６】
【発明の効果】本発明のＬＣバンドパスフィルタは、多
層構造からなり、絶縁基板１の表面に、二つの共通コン
デンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に、
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出
力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コン
デンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ
電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，
共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１
３ｂを夫々設けたから、単一の誘電体薄膜層のみによ
り、入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサ
Ｃ3 ，Ｃ4 が構成される。したがって、誘電体層の数を
少なくでき、全体として、薄型化を図り得ることとな
る。また図３で示す第二の構成の多層構造にあっては、
絶縁層６０により、二つの入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ
2 を形成し、誘電体薄膜層５０により、二つの共振用コ
ンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるため、薄型化を図るこ
とができる。
層構造からなり、絶縁基板１の表面に、二つの共通コン
デンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に、
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出
力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コン
デンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ
電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，
共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１
３ｂを夫々設けたから、単一の誘電体薄膜層のみによ
り、入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサ
Ｃ3 ，Ｃ4 が構成される。したがって、誘電体層の数を
少なくでき、全体として、薄型化を図り得ることとな
る。また図３で示す第二の構成の多層構造にあっては、
絶縁層６０により、二つの入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ
2 を形成し、誘電体薄膜層５０により、二つの共振用コ
ンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるため、薄型化を図るこ
とができる。
【図１】本発明に係る第一実施例のＬＣバンドパスフィ
ルタの分離斜視図である。
ルタの分離斜視図である。
【図２】第一実施例の等価回路図である。
【図３】本発明に係る第二実施例のＬＣバンドパスフィ
ルタの分離斜視図である。
ルタの分離斜視図である。
【図４】第二実施例の等価回路図である。
１ 絶縁基板 ２ 下部導電層 ３ａ，３ｂ 共通コンデンサ電極 １０ 誘電体薄膜層 １１ 中間導電層 １２ａ，１２ｂ 他側コンデンサ電極 １３ａ，１３ｂ 他側コンデンサ電極 ２０ 絶縁層 ２１ 上部導電層 ２２ａ，２２ｂ 入出力電極 ２４ 結合電極 ２６ 接地電極 ４３ａ，４３ｂ 共通コンデンサ電極 ５０ 誘電体薄膜層 ５３ 他側コンデンサ電極 ６０ 絶縁層 ６２ａ，６２ｂ 入出力電極 ６４ 結合電極 ６６ａ，６６ｂ 接地電極 Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 インダクタ Ｃ1 ，Ｃ2 入出力用コンデンサ Ｃ3 ，Ｃ4 共振用コンデンサ Ｓ1 コンデンサ形成領域 Ｓ2 インダクタ形成領域
Claims (4)
- 【請求項１】多層構造からなり、絶縁基板１の表面に、
二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該共通
コンデンサ電極３ａ，３ｂ上に、誘電体薄膜 １０を形
成し、さらに該誘電体薄膜層１０上の、共通コンデンサ
電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ1 ，
共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１
３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部
位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4
の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設けたこと
を特徴とするＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項２】入出力側の一方において、共振用コンデン
サＣ3 とインダクタＬ1 とをアースに並列接続し、かつ
入出力用コンデンサＣ1 と共振用コンデンサＣ3 とを直
列状に接続し、入出力側の他方において、共振用コンデ
ンサＣ4 とインダクタＬ2 とをアースに並列接続し、か
つ入出力用コンデンサＣ2 と共振用コンデンサＣ4 とを
直列状に接続した回路構成を担持する多層構造からなる
ＬＣバンドパスフィルタにおいて、 絶縁基板１の表面に、二つの共通コンデンサ電極３ａ，
３ｂを並設し、該共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ上に、
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出
力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コン
デンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ
電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，
共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１
３ｂを夫々設けたことを特徴とする請求項１記載のＬＣ
バンドパスフィルタ。 - 【請求項３】絶縁基板１の表面に、下部導電層２を形成
して、この下部導電層２に二つの共通コンデンサ電極３
ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に誘電体薄膜層１
０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０上に、中間導電
層１１を形成して、該中間導電層１１に共通コンデンサ
電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ1，
共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１
３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部
位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4
の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設け、さら
に中間導電層１１上に絶縁層２０を設けて、該絶縁層２
０上に、上部導電層２１を形成し、 この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接地電極２
６から延出する二つのインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、前記入
出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデンサ電極１２
ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極２２ａ，２２ｂと
を夫々設けると共に、 インダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心を、下部導電層２の共通コ
ンデンサ電極３ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接地電極
層２６を、下部導電層２の他側コンデンサ電極１３ａ，
１３ｂに夫々接続したことを特徴とする請求項１または
請求項２記載のＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項４】多層構造からなり、最下層の絶縁基板４１
上に他側コンデンサ電極５３を形成し、また、他側コン
デンサ電極５３上に形成した誘電体薄膜層５０上に、二
つの共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂを並設氏、この
誘電体薄膜層５０を介して、共通コンデンサ電極４３
ａ，４３ｂが他側コンデンサ電極５３と対向することに
より、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成すると共に、 また、誘電体薄膜層５０上に形成された絶縁層６０上に
上部導電層６１を形成し、該上部導電層６１には、共通
コンデンサ電極４３ａと対向する部位に、該共通コンデ
ンサ電極４３ａとで絶縁層６０を介して入出力用コンデ
ンサＣ1 を構成する他側コンデンサ電極となる入出力電
極６２ａを、同じく前記共通コンデンサ電極４３ｂと対
向する部位に、該共通コンデンサ電極４３ｂとで絶縁層
６０を介して入出力用コンデンサＣ2 を構成する他側コ
ンデンサ電極となる入出力電極６２ｂを夫々形成し、ま
た、上部導電層６１には、接地電極６６ａ，６６ｂを形
成して、この接地電極６６ａ，６６ｂに、インダクタＬ
1 ，Ｌ2 を延成し、 さらにこのインダクタＬ1 ，Ｌ2 の先端を、厚さ方向に
形成した形成した導通路７０を介して、誘電体薄膜層５
０上の共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂに接続し、さ
らに接地電極６６ａ，６６ｂを、厚さ方向に形成した導
通路７１を介して、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側
コンデンサ電極５３に接続することにより構成したこと
を特徴とするＬＣバンドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248646A JPH1075145A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248646A JPH1075145A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075145A true JPH1075145A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17181223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8248646A Pending JPH1075145A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075143A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｌｃバンドパスフィルタ |
| US7245194B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Resonator and dielectric filter |
| JP2008034626A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Tdk Corp | 電子部品及びその製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930861A (ja) * | 1972-07-21 | 1974-03-19 | ||
| JPS6247222U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-23 | ||
| JPH04131908U (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | サンシン電機株式会社 | 高周波フイルタ |
| JPH05167374A (ja) * | 1991-12-11 | 1993-07-02 | Tdk Corp | 高周波フィルタ |
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| JPH06151243A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Tdk Corp | 積層型フィルタ |
| JPH07130575A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Kyocera Corp | 積層フィルター部品 |
| JPH1075143A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｌｃバンドパスフィルタ |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8248646A patent/JPH1075145A/ja active Pending
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