JPH1075143A - Ｌｃバンドパスフィルタ - Google Patents
ＬｃバンドパスフィルタInfo
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- JPH1075143A JPH1075143A JP8248644A JP24864496A JPH1075143A JP H1075143 A JPH1075143 A JP H1075143A JP 8248644 A JP8248644 A JP 8248644A JP 24864496 A JP24864496 A JP 24864496A JP H1075143 A JPH1075143 A JP H1075143A
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- Japan
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- capacitor
- conductive layer
- layer
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波形の乱れの少ないＬＣバンドパスフィルタ
を提供する。 【解決手段】 最下層に配設した絶縁基板１の下面に補
助接地電極４０を形成し、上部導電層２１に形成した接
地電極２６を、厚み方向に形成した導通路４１を介して
補助接地電極４０に接続したものであるから、接地電極
面積が大きくなり、外部ノイズを遮断でき、波形が安定
化する。
を提供する。 【解決手段】 最下層に配設した絶縁基板１の下面に補
助接地電極４０を形成し、上部導電層２１に形成した接
地電極２６を、厚み方向に形成した導通路４１を介して
補助接地電極４０に接続したものであるから、接地電極
面積が大きくなり、外部ノイズを遮断でき、波形が安定
化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣバンドパスフィルタとしては、アル
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。
【０００３】一方、近年は、電子機器等の小型化、高性
能化、高密度実装化に対する要望がさらに高まってお
り、このため、ＬＣバンドパスフィルタのいっそうの小
型化が強く求められるようになっている。そしてこの要
求に対応するために、フィルタの大部分を占める容量部
の小型化が求められ、この小型化を図るために、スパッ
タリング法やＣＶＤ法等の薄膜形成技術により容量部を
多層構造としたものが提案されている。
能化、高密度実装化に対する要望がさらに高まってお
り、このため、ＬＣバンドパスフィルタのいっそうの小
型化が強く求められるようになっている。そしてこの要
求に対応するために、フィルタの大部分を占める容量部
の小型化が求められ、この小型化を図るために、スパッ
タリング法やＣＶＤ法等の薄膜形成技術により容量部を
多層構造としたものが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の多層構造からな
るＬＣバンドパスフィルタにあって、従来は、接地電極
が最上層の一部分のみに形成されているだけであるた
め、接地電極面積が不十分となり、安定化せず、外部か
らのノイズを十分遮断できず、波形に乱れを生じやすい
という問題点があった。本発明は、かかる従来の多層構
造からなるＬＣバンドパスフィルタの問題点を是正する
ことを目的とするものである。
るＬＣバンドパスフィルタにあって、従来は、接地電極
が最上層の一部分のみに形成されているだけであるた
め、接地電極面積が不十分となり、安定化せず、外部か
らのノイズを十分遮断できず、波形に乱れを生じやすい
という問題点があった。本発明は、かかる従来の多層構
造からなるＬＣバンドパスフィルタの問題点を是正する
ことを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、多層構造から
なり、その最上層に配設された上部導電層に、少なくと
も接地電極を設け、更に最下層に配設した絶縁基板の下
面に補助接地電極を形成し、前記上部導電層の接地電極
を、各層を貫通して形成した導通路を介して補助接地電
極に接続したことを特徴とするＬＣバンドパスフィルタ
である。
なり、その最上層に配設された上部導電層に、少なくと
も接地電極を設け、更に最下層に配設した絶縁基板の下
面に補助接地電極を形成し、前記上部導電層の接地電極
を、各層を貫通して形成した導通路を介して補助接地電
極に接続したことを特徴とするＬＣバンドパスフィルタ
である。
【０００６】最下層の絶縁基板の下面を利用して、該下
面に補助接地電極を形成し、これを最上層の接地電極
と、厚み方向に形成された導通路を介して接続するよう
にした。このため接地電極面積が大きくなり、波形が安
定化する。
面に補助接地電極を形成し、これを最上層の接地電極
と、厚み方向に形成された導通路を介して接続するよう
にした。このため接地電極面積が大きくなり、波形が安
定化する。
【０００７】かかる構成のフィルタとしては、図１で例
示するように、最下層となる絶縁基板１の表面に、下部
導電層２を形成して、この下部導電層２に二つの共通コ
ンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上に、中間導電層１１を形成して、該中間導電層１１に
共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出力用コ
ンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ
電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３
ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用
コンデンサＣ4の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを
夫々設け、さらに中間導電層１１上に絶縁層２０を設け
て、該絶縁層２０上に、上部導電層２１を形成し、
示するように、最下層となる絶縁基板１の表面に、下部
導電層２を形成して、この下部導電層２に二つの共通コ
ンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上に、中間導電層１１を形成して、該中間導電層１１に
共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出力用コ
ンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ
電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３
ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用
コンデンサＣ4の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを
夫々設け、さらに中間導電層１１上に絶縁層２０を設け
て、該絶縁層２０上に、上部導電層２１を形成し、
【０００８】この上部導電層２１に、接地電極２６と、
該接地電極２６から延出するインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、
さらには、前記入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コ
ンデンサ電極１２ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極
２２ａ，２２ｂとを配設すると共に、インダクタＬ1 ，
Ｌ2 の端部を、下部導電層２の共通コンデンサ電極３
ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接地電極２６を、下部導
電層２の他側コンデンサ電極１３ａ，１３ｂに夫々接続
し、さらには、最下層に配設した絶縁基板１の下面に補
助接地電極４０を形成し、前記上部導電層２１の接地電
極２６を、厚み方向に形成された導通路４１を介して補
助接地電極４０に接続してなるＬＣバンドパスフィルタ
は、小型で、しかも接地電極面積が大きくなり、安定し
た濾波特性を得ることができる。
該接地電極２６から延出するインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、
さらには、前記入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コ
ンデンサ電極１２ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極
２２ａ，２２ｂとを配設すると共に、インダクタＬ1 ，
Ｌ2 の端部を、下部導電層２の共通コンデンサ電極３
ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接地電極２６を、下部導
電層２の他側コンデンサ電極１３ａ，１３ｂに夫々接続
し、さらには、最下層に配設した絶縁基板１の下面に補
助接地電極４０を形成し、前記上部導電層２１の接地電
極２６を、厚み方向に形成された導通路４１を介して補
助接地電極４０に接続してなるＬＣバンドパスフィルタ
は、小型で、しかも接地電極面積が大きくなり、安定し
た濾波特性を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】添付図面について本発明の一実施
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
【００１０】前記絶縁基板１上に形成される下部導電層
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。
【００１１】また、誘電体薄膜層１０上に形成される中
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。
【００１２】ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。
【００１３】また、コンデンサ形成領域Ｓ1 には、これ
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、後述するようにこの長さを調
整することにより、反射損失を調整することが可能とな
る。そして、このインダクタインダクタＬ3 の端部から
は、インダクタ形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐し
て、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 が連成されることとなる。
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、後述するようにこの長さを調
整することにより、反射損失を調整することが可能とな
る。そして、このインダクタインダクタＬ3 の端部から
は、インダクタ形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐し
て、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 が連成されることとなる。
【００１４】このスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通路３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通路３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通路３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通路３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通路３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通路３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。
【００１５】而して、上述したように、誘電体薄膜層１
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して、
共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図３の等価回路
を構成することとなる。
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して、
共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図３の等価回路
を構成することとなる。
【００１６】このように、上述した多層構造により、容
量部が小型化し、極小のフィルタが構成され得ることと
鳴る。
量部が小型化し、極小のフィルタが構成され得ることと
鳴る。
【００１７】次に本発明の要部につき説明する。最下層
に配設した絶縁基板１の下面には、その全面にわたって
補助接地電極４０が形成される。そして、前記上部導電
層２１の接地電極２６を、絶縁基板１，誘電体薄膜層１
０及び絶縁層２０を貫通して形成した導通孔（導通路）
４１を介して補助接地電極４０に接続するようにしてい
る。この場合に、導通孔４１は縁取り部５には、接続す
るものの、各層の他の導電層には、非接続となるように
している。このように、従来、無垢のままであった絶縁
基板１の下面に、補助接地電極４０を形成して最上層に
ある接地電極２６と接続したことにより、接地電極面積
が従来に比して、著しく広がる。
に配設した絶縁基板１の下面には、その全面にわたって
補助接地電極４０が形成される。そして、前記上部導電
層２１の接地電極２６を、絶縁基板１，誘電体薄膜層１
０及び絶縁層２０を貫通して形成した導通孔（導通路）
４１を介して補助接地電極４０に接続するようにしてい
る。この場合に、導通孔４１は縁取り部５には、接続す
るものの、各層の他の導電層には、非接続となるように
している。このように、従来、無垢のままであった絶縁
基板１の下面に、補助接地電極４０を形成して最上層に
ある接地電極２６と接続したことにより、接地電極面積
が従来に比して、著しく広がる。
【００１８】上述の構成では、導通孔４１により、補助
接地電極４０と接地電極２６とを接続するようにした
が、図２で示すように、絶縁基板１，誘電体薄膜層１０
及び絶縁層２０の側縁に沿って導電材料を塗着形成し、
これにより導電路５０を形成するようにしてもよい。
接地電極４０と接地電極２６とを接続するようにした
が、図２で示すように、絶縁基板１，誘電体薄膜層１０
及び絶縁層２０の側縁に沿って導電材料を塗着形成し、
これにより導電路５０を形成するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の効果】上述したように、本発明のＬＣバンドパ
スフィルタは、最下層に配設した絶縁基板の下面に補助
接地電極を形成し、上部導電層に形成した接地電極を、
厚み方向に形成した導通路を介して補助接地電極に接続
したものであるから、接地電極面積が大きくなり、外部
ノイズを遮断でき、濾波特性が安定化する。このため、
ＬＣバンドパスフィルタの小型化を損なうことなく、そ
の濾波特性を改善し得る優れた効果がある。
スフィルタは、最下層に配設した絶縁基板の下面に補助
接地電極を形成し、上部導電層に形成した接地電極を、
厚み方向に形成した導通路を介して補助接地電極に接続
したものであるから、接地電極面積が大きくなり、外部
ノイズを遮断でき、濾波特性が安定化する。このため、
ＬＣバンドパスフィルタの小型化を損なうことなく、そ
の濾波特性を改善し得る優れた効果がある。
【図１】本発明に係るＬＣバンドパスフィルタの分離斜
視図である。
視図である。
【図２】他の構成の導通路５０を示す一部の縦断側面図
である。
である。
【図３】等価回路図である。
１ 絶縁基板 ２ 下部導電層 ３ａ，３ｂ 共通コンデンサ電極 １０ 誘電体薄膜層 １１ 中間導電層 １２ａ，１２ｂ 他側コンデンサ電極 １３ａ，１３ｂ 他側コンデンサ電極 ２０ 絶縁層 ２１ 上部導電層 ２２ａ，２２ｂ 入出力電極 ２４ 結合電極 ２６ 接地電極 Ｌ3 インダクタ Ｌ1 ，Ｌ2 スパイラルインダクタ Ｃ1 ，Ｃ2 入出力用コンデンサ Ｃ3 ，Ｃ4 共振用コンデンサ Ｓ1 コンデンサ形成領域 Ｓ2 インダクタ形成領域 ４０ 補助接地電極 ４１ 導通孔 ５０ 導電路
Claims (2)
- 【請求項１】多層構造からなり、その最上層に配設され
た上部導電層に、少なくとも接地電極を設け、更に最下
層に配設した絶縁基板の下面に補助接地電極を形成し、
前記上部導電層の接地電極を、厚み方向に形成された導
通路を介して補助接地電極に接続したことを特徴とする
ＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項２】最下層となる絶縁基板１の表面に、下部導
電層２を形成して、この下部導電層２に二つの共通コン
デンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に誘
電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０上
に、中間導電層１１を形成して、該中間導電層１１に共
通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出力用コン
デンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電
極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂ
と対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コ
ンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫
々設け、さらに中間導電層１１上に絶縁層２０を設け
て、該絶縁層２０上に、上部導電層２１を形成し、 この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接地電極２
６から延出するインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、さらには、前
記入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデンサ電極
１２ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極２２ａ，２２
ｂとを配設すると共に、 インダクタＬ1 ，Ｌ2 の端部を、下部導電層２の共通コ
ンデンサ電極３ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接地電極
２６を、下部導電層２の他側コンデンサ電極１３ａ，１
３ｂに夫々接続し、 さらには、最下層に配設した絶縁基板１の下面に補助接
地電極４０を形成し、前記上部導電層２１の接地電極２
６を、厚み方向に形成された導通路４１を介して補助接
地電極４０に接続したことを特徴とする請求項１記載の
ＬＣバンドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248644A JPH1075143A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248644A JPH1075143A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075143A true JPH1075143A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17181191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8248644A Pending JPH1075143A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075145A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｌｃバンドパスフィルタ |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930861A (ja) * | 1972-07-21 | 1974-03-19 | ||
| JPS6247222U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-23 | ||
| JPH04131908U (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | サンシン電機株式会社 | 高周波フイルタ |
| JPH05343262A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Tdk Corp | 高周波用多層薄膜電子部品 |
| JPH06151243A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Tdk Corp | 積層型フィルタ |
| JPH07130575A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Kyocera Corp | 積層フィルター部品 |
| JPH1075145A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｌｃバンドパスフィルタ |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8248644A patent/JPH1075143A/ja active Pending
Patent Citations (7)
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