JPH1075149A - Surface acoustic wave device, resonator and filter - Google Patents
Surface acoustic wave device, resonator and filterInfo
- Publication number
- JPH1075149A JPH1075149A JP22864696A JP22864696A JPH1075149A JP H1075149 A JPH1075149 A JP H1075149A JP 22864696 A JP22864696 A JP 22864696A JP 22864696 A JP22864696 A JP 22864696A JP H1075149 A JPH1075149 A JP H1075149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サイズを大きくすることなく多数の共振周波
数を選択することができる弾性表面波デバイスを提供す
る。
【解決手段】 長方形状の非導電性の基板１の上面に下
部電極２が形成され、その上に強誘電体薄膜３が形成さ
れている。この基板１の長手方向の中央に細幅の第１の
上部電極４１が形成され、第１の上部電極４１同士の間
に細幅の第２の上部電極４２が形成されている。上部電
極４１，４２よりなる上部電極群中央にしてその両側に
それぞれ反射器５が設けられている。各上部電極４１は
コンデンサ６１を介して端子７１に接続されている。ま
た、各上部電極４１は、切替スイッチ８を介して電池９
又は１０に接続可能とされている。各上部電極４２もコ
ンデンサ６２を介して端子７２に接続されている。ま
た、各上部電極４２は、切替スイッチ８を介して電池９
又は１０に接続可能とされている。
(57) [Problem] To provide a surface acoustic wave device capable of selecting a large number of resonance frequencies without increasing the size. SOLUTION: A lower electrode 2 is formed on an upper surface of a rectangular non-conductive substrate 1, and a ferroelectric thin film 3 is formed thereon. A narrow first upper electrode 41 is formed in the center of the substrate 1 in the longitudinal direction, and a narrow second upper electrode 42 is formed between the first upper electrodes 41. Reflectors 5 are provided on both sides of the center of the upper electrode group including the upper electrodes 41 and 42, respectively. Each upper electrode 41 is connected to a terminal 71 via a capacitor 61. Further, each upper electrode 41 is connected to the battery 9 via the changeover switch 8.
Or 10 can be connected. Each upper electrode 42 is also connected to a terminal 72 via a capacitor 62. Further, each upper electrode 42 is connected to the battery 9 via the changeover switch 8.
Or 10 can be connected.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は共振子又はフィルタ
として用いるのに好適な弾性表面波デバイスに係り、特
に共振周波数を可変とした弾性表面波デバイスに関す
る。The present invention relates to a surface acoustic wave device suitable for use as a resonator or a filter, and more particularly to a surface acoustic wave device having a variable resonance frequency.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波回路素子で用いられている変
換器は、基板の圧電効果を利用したすだれ状電極（Inte
rdigital Transducer , IDT ) である。2. Description of the Related Art A transducer used in a surface acoustic wave circuit element is an interdigital transducer (Integrity electrode) utilizing the piezoelectric effect of a substrate.
rdigital Transducer, IDT).
【０００３】すだれ状電極の電極指に高周波電圧を印加
すると、圧電効果により基板表面近傍に周期的な歪みが
生ずる。弾性表面波の波長λが、すだれ状電極の電極周
期２ｄに一致する周波数ｆ0 （＝Ｖ／２ｄ，Ｖ：表面波
速度）で各電極指から励起された表面波が同相に加わる
ので、送受間の感度が最も高くなる。When a high-frequency voltage is applied to the electrode fingers of the interdigital transducer, a periodic distortion occurs near the substrate surface due to the piezoelectric effect. Since the surface wave excited from each electrode finger is added in phase at the frequency f 0 (= V / 2d, V: surface wave velocity) at which the wavelength λ of the surface acoustic wave coincides with the electrode period 2d of the interdigital transducer, The highest sensitivity is obtained.
【０００４】このように、弾性表面波デバイスにおいて
は、この電極の間隔（電極周期）によって共振周波数ｆ
0 が定まるのであるが、この弾性表面デバイスの共振周
波数を可変とできれば、可変型の共振器型発振器やフィ
ルタ等を構成する上できわめて有効である。As described above, in the surface acoustic wave device, the resonance frequency f is determined by the distance between the electrodes (electrode period).
Although 0 is determined, if the resonance frequency of the elastic surface device can be made variable, it is extremely effective in configuring a variable resonator type oscillator, a filter, and the like.
【０００５】複数種類の共振周波数を有する弾性表面波
発振器として、特開平２−２２６８０６号公報には、同
一の圧電体基板上に共振周波数の異なる複数の弾性表面
波共振器を構成し、電子的な切り替えスイッチを用いて
１つの弾性表面波共振器を選択するようにしたものが記
載されている。As a surface acoustic wave oscillator having a plurality of kinds of resonance frequencies, Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 2-226806 discloses that a plurality of surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies are formed on the same piezoelectric substrate. A configuration in which one changeover switch is used to select one surface acoustic wave resonator is described.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】かかる特開平２−２２
６８０６号公報のものでは、必要とする種類数の弾性表
面波共振器を同一の圧電体基板上に設ける必要があり、
弾性表面波共振器の数が多くなるほど、発振器のサイズ
が大きくなってしまう。The problem to be solved by the present invention is disclosed in JP-A-2-22.
No. 6,806, it is necessary to provide a required number of surface acoustic wave resonators on the same piezoelectric substrate.
As the number of surface acoustic wave resonators increases, the size of the oscillator increases.
【０００７】本発明は、サイズを大きくすることなく多
数の共振周波数を選択することができる弾性表面波デバ
イスを提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device capable of selecting a number of resonance frequencies without increasing the size.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波デバ
イスは、基板上に下部電極及び強誘電体薄膜がこの順に
積層状に形成され、該強誘電体薄膜上に複数の細幅の第
１の上部電極が平行に設けられ、該第１の上部電極の間
にそれぞれ細幅の第２の上部電極が設けられ、これら第
１及び第２の上部電極よりなり、各上部電極に対し正又
は負の電圧を切り替えて印加できる電圧印加装置を備え
てなるものである。なお、基板が導電性の場合は、基板
自体を下部電極として用いても良い。In the surface acoustic wave device according to the present invention, a lower electrode and a ferroelectric thin film are formed on a substrate in this order in a laminated shape, and a plurality of narrow first and second thin films are formed on the ferroelectric thin film. One upper electrode is provided in parallel, a second upper electrode having a narrow width is provided between the first upper electrodes, and the upper electrode is composed of the first and second upper electrodes. Alternatively, a voltage application device capable of switching and applying a negative voltage is provided. If the substrate is conductive, the substrate itself may be used as the lower electrode.
【０００９】かかる弾性表面波デバイスにおいては、あ
る上部電極と下部電極との間に電圧を印加すると、該上
部電極と下部電極との間の強誘電体薄膜が分極する。こ
の分極方向は、この印加電圧の正負により任意に選択で
きる。In such a surface acoustic wave device, when a voltage is applied between a certain upper electrode and a lower electrode, the ferroelectric thin film between the upper electrode and the lower electrode is polarized. This polarization direction can be arbitrarily selected depending on whether the applied voltage is positive or negative.
【００１０】この電圧印加を解除しても、残留分極によ
り強誘電体薄膜の分極がそのまま残留する。Even when the voltage application is released, the polarization of the ferroelectric thin film remains as it is due to the residual polarization.
【００１１】各上部電極と下部電極との間の分極を行う
ことにより、弾性表面波デバイスの共振周波数が定ま
り、この弾性表面波デバイスを共振子又はフィルタとし
て用いることができる。By performing polarization between each upper electrode and lower electrode, the resonance frequency of the surface acoustic wave device is determined, and this surface acoustic wave device can be used as a resonator or a filter.
【００１２】なお、強誘電体薄膜の膜厚は、第１の上部
電極と第２の上部電極との間の幅よりも小さいことが好
ましい。The thickness of the ferroelectric thin film is preferably smaller than the width between the first upper electrode and the second upper electrode.
【００１３】こうすることにより、上部電極と下部電極
との間の強誘電体薄膜を確実に薄膜厚さ方向に分極させ
ることができる。By doing so, the ferroelectric thin film between the upper electrode and the lower electrode can be surely polarized in the thickness direction of the thin film.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】図１（ａ）は実施の形態に係る弾
性表面波デバイスの平面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1A is a plan view of a surface acoustic wave device according to an embodiment, and FIG.
It is sectional drawing which follows the BB line of (a).
【００１５】長方形状の非導電性の基板１の上面に下部
電極２が形成され、その上に強誘電体薄膜３が形成され
ている。A lower electrode 2 is formed on an upper surface of a non-conductive substrate 1 having a rectangular shape, and a ferroelectric thin film 3 is formed thereon.
【００１６】この基板１の長手方向の中央に細幅の第１
の上部電極４１が形成され、第１の上部電極４１同士の
間に細幅の第２の上部電極４２が形成されている。各上
部電極４１，４２は基板１の短辺と平行方向に延在して
いる。上部電極４１，４２は等間隔に設けられている。
強誘電体薄膜３の膜厚は、上部電極４１，４２同士の間
隔Ｐよりも小さい。At the center of the substrate 1 in the longitudinal direction, a narrow first
Are formed, and a narrow second upper electrode 42 is formed between the first upper electrodes 41. Each of the upper electrodes 41 and 42 extends in a direction parallel to the short side of the substrate 1. The upper electrodes 41 and 42 are provided at equal intervals.
The thickness of the ferroelectric thin film 3 is smaller than the distance P between the upper electrodes 41 and 42.
【００１７】上部電極４１，４２よりなる上部電極群中
央にしてその両側にそれぞれ反射器５が設けられてい
る。この反射器５は、上部電極４１，４２と平行な複数
の反射部５ａと、この反射部５ａ同士をつなぐ橋絡部５
ｂとからなる。反射部５ａ同士の配列ピッチは、上部電
極４１，４２……の配列ピッチと等しくなっている。Reflectors 5 are provided on both sides of the center of an upper electrode group consisting of upper electrodes 41 and 42, respectively. The reflector 5 includes a plurality of reflectors 5a parallel to the upper electrodes 41 and 42, and a bridge 5 connecting the reflectors 5a to each other.
b. The arrangement pitch of the reflecting portions 5a is equal to the arrangement pitch of the upper electrodes 41, 42,....
【００１８】各上部電極４１はコンデンサ６１を介して
端子１１に接続されている。また、各上部電極４１は、
コイル７１及び切替スイッチ８１を介して電池９又は１
０に接続可能とされている。なお、電池９は正極が上部
電極４１に接続され、電池１０は負極が上部電極４１に
接続される。Each upper electrode 41 is connected to the terminal 11 via a capacitor 61. Also, each upper electrode 41 is
Battery 9 or 1 via coil 71 and switch 81
0 can be connected. The battery 9 has a positive electrode connected to the upper electrode 41, and the battery 10 has a negative electrode connected to the upper electrode 41.
【００１９】各上部電極４２もコンデンサ６２を介して
端子１２に接続されている。また、各上部電極４２は、
コイル７２及び切替スイッチ８２を介して電池９又は１
０に接続可能とされている。なお、電池９は正極が上部
電極４２に接続され、電池１０は負極が上部電極４２に
接続される。Each upper electrode 42 is also connected to the terminal 12 via a capacitor 62. Also, each upper electrode 42
Battery 9 or 1 via coil 72 and changeover switch 82
0 can be connected. The battery 9 has a positive electrode connected to the upper electrode 42, and the battery 10 has a negative electrode connected to the upper electrode 42.
【００２０】このように構成された弾性表面波デバイス
においては、各上部電極４１，４２に正又は負のいずれ
の電圧をも印加しうる。この弾性表面波デバイスを発振
させると、上部電極群で発生した振動が各反射器５で反
射され、定在波が形成されることにより共振が生じる。
この共振周波数は上部電極４１，４２に印加する電圧に
よって定まる。In the surface acoustic wave device configured as described above, a positive or negative voltage can be applied to each of the upper electrodes 41 and 42. When this surface acoustic wave device is oscillated, the vibration generated in the upper electrode group is reflected by each reflector 5 and a standing wave is formed to cause resonance.
This resonance frequency is determined by the voltage applied to the upper electrodes 41 and 42.
【００２１】すべての上部電極４１，４２に正の電圧を
印加した下記Ｎｏ．１の場合（又はすべての上部電極４
１，４２に負の電圧を印加した場合）の共振周波数をｆ
とすると、上部電極４１に正の電圧を印加し上部電極４
２に負の電圧を印加した下記Ｎｏ．２の共振周波数は２
ｆとなる。さらに上部電極４１，４２への電圧印加の組
み合わせを変えることにより次のように共振周波数を変
えることができる。 Ｎｏ．１ ＋＋＋＋＋＋＋の場合 ｆ Ｎｏ．２ ＋−＋−＋−＋の場合 ２ｆ Ｎｏ．３ ＋＋−−＋＋−の場合 ｆ／２ Ｎｏ．４ ＋＋＋−−−＋＋＋−−−の場合 ｆ／３ なお、Ｎ≧２（Ｎ：上部電極の同極の数）のとき、Ｎ個
の＋とＮ個の−とを交互に配置した組み合わせにおいて
は、共振周波数はｆ／Ｎとなる。When a positive voltage was applied to all the upper electrodes 41 and 42, 1 (or all upper electrodes 4
(When a negative voltage is applied to 1, 42)
Then, a positive voltage is applied to the upper electrode 41 and the upper electrode 4
No. 2 where a negative voltage was applied to The resonance frequency of 2 is 2
f. Further, by changing the combination of voltage application to the upper electrodes 41 and 42, the resonance frequency can be changed as follows. No. 1 In case of ++++++++ f No. 2 + − + − + − + 2f No. 3 In case of ++ −− ++ − f / 2 No. 4 In the case of +++ −−− ++++ −−− f / 3, when N ≧ 2 (N: the number of the same polarity of the upper electrode), in a combination in which N + and N− are alternately arranged. Means that the resonance frequency is f / N.
【００２２】各上部電極４１，４２に電池９，１０によ
って電圧を印加した後、電池９，１０を切り離しても、
強誘電体薄膜３の分極は残留するので上記の特性が維持
される。もちろん、その後、逆の電圧を維持することに
より分極を反転させ、別の共振周波数を得ることもでき
る。After a voltage is applied to each of the upper electrodes 41 and 42 by the batteries 9 and 10, even if the batteries 9 and 10 are disconnected,
Since the polarization of the ferroelectric thin film 3 remains, the above characteristics are maintained. Of course, thereafter, the polarization can be reversed by maintaining the opposite voltage to obtain another resonance frequency.
【００２３】上記実施の形態では基板１が非導電性とな
っているが、導電性基板の場合には、絶縁層を形成して
から下部電極を形成しても良く、基板を下部電極として
そのまま用いても良い。In the above-described embodiment, the substrate 1 is non-conductive. However, in the case of a conductive substrate, the lower electrode may be formed after forming the insulating layer, or the substrate may be used as the lower electrode as it is. May be used.
【００２４】本発明では、基板の材質としては、シリコ
ン，ＧａＡｓ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＭｇＯ，サファイアなど
を用いることができる。強誘電体薄膜としては、ＰＺＴ
などが好適である。電極材料としてはＡｌなどを用いる
ことができる。In the present invention, as the material of the substrate, silicon, GaAs, SrTiO 3 , MgO, sapphire, or the like can be used. PZT as ferroelectric thin film
And the like are preferred. Al or the like can be used as an electrode material.
【００２５】[0025]
【実施例】４ｉｎｃｈのシリコン基板上にゾル・ゲル法
により厚さ１μｍのＰＺＴ薄膜を形成した。その後、Ｐ
ＺＴ薄膜上に線幅及び間隔４μｍとなるように厚さ０．
１μｍのＡｌ電極４１，４２を図１のパターンとなるよ
うに形成した。また、反射部同士が同じ線幅及び間隔と
なるように反射器５を形成した。電池９，１０は３０Ｖ
とした。EXAMPLE A PZT thin film having a thickness of 1 μm was formed on a 4-inch silicon substrate by a sol-gel method. Then, P
On the ZT thin film, a thickness of 0.
1 μm Al electrodes 41 and 42 were formed so as to have the pattern shown in FIG. The reflector 5 was formed such that the reflection portions had the same line width and interval. Battery 9 and 10 are 30V
And
【００２６】このように構成された弾性表面波デバイス
において、各上部電極４１，４２に正の電圧を印加し、
次いで電圧印加を解除した後、発振させたところ、２０
０ＭＨｚで発振した。いずれの場合も設定コード通りの
信号波形が出力された。電圧印加を上記Ｎｏ．２とする
ことにより共振周波数は４００ＭＨｚとなり、電圧印加
を上記Ｎｏ．３とすることにより共振周波数は１００Ｍ
Ｈｚとなり、電圧印加を上記Ｎｏ．４とすることにより
共振周波数は６６ＭＨｚとなった。In the surface acoustic wave device thus configured, a positive voltage is applied to each of the upper electrodes 41, 42,
Next, after the voltage application was released, the oscillation was performed.
Oscillated at 0 MHz. In each case, the signal waveform according to the setting code was output. Apply the voltage to the above No. 2, the resonance frequency becomes 400 MHz. 3, the resonance frequency becomes 100M
Hz. By setting it to 4, the resonance frequency became 66 MHz.
【００２７】基板をＭｇＯとし、下部電極を厚さ０．２
μｍのＰｔ層にて形成した。その他は上記と同様にして
弾性表面波デバイスを製造した。このデバイスも上記と
同じ共振周波数を有していた。The substrate is made of MgO and the lower electrode is
It was formed with a Pt layer of μm. Otherwise, a surface acoustic wave device was manufactured in the same manner as described above. This device also had the same resonance frequency as above.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上の通り、本発明によると、共振周波
数の選択が可能であり、しかもこの共振周波数設定のた
めの電圧印加を解除しても作動する弾性表面波デバイス
が提供される。この弾性表面波デバイスは、多数の共振
周波数を設定することができる。As described above, according to the present invention, there is provided a surface acoustic wave device capable of selecting a resonance frequency and operating even when the voltage application for setting the resonance frequency is canceled. This surface acoustic wave device can set many resonance frequencies.
【００２９】この弾性表面波デバイスは、共振周波数設
定後は電圧印加装置と切り離して弾性表面波デバイス単
体として作動させることができ、小型軽量なものとな
る。After setting the resonance frequency, this surface acoustic wave device can be operated as a single surface acoustic wave device by separating it from the voltage application device, and is small and lightweight.
【図１】実施の形態に係る弾性表面波デバイスの構成を
示すものであり、（ａ）図は平面図、（ｂ）図は（ａ）
図のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。FIGS. 1A and 1B show a configuration of a surface acoustic wave device according to an embodiment, wherein FIG. 1A is a plan view and FIG.
It is sectional drawing which follows the BB line of the figure.
１ 基板 ２ 下部電極 ３ 強誘電体薄膜 ４１ 第１の上部電極 ４２ 第２の上部電極 ５ 反射器 ６１，６２ コンデンサ ７１，７２ 端子 ８ 切替スイッチ ９，１０ 電池 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower electrode 3 Ferroelectric thin film 41 1st upper electrode 42 2nd upper electrode 5 Reflector 61,62 Capacitor 71,72 Terminal 8 Changeover switch 9,10 Battery
Claims (6)
の順に積層状に形成され、 該強誘電体薄膜上に複数の細幅の第１の上部電極が平行
に設けられ、 該第１の上部電極の間にそれぞれ細幅の第２の上部電極
が設けられ、 各上部電極に対し正又は負の電圧を切り替えて印加でき
る電圧印加装置を備えてなる弾性表面波デバイス。1. A lower electrode and a ferroelectric thin film are formed in this order on a substrate in a laminated state, and a plurality of narrow first upper electrodes are provided in parallel on the ferroelectric thin film. A surface acoustic wave device comprising: a second upper electrode having a narrow width provided between the upper electrodes; and a voltage application device capable of selectively applying a positive or negative voltage to each upper electrode.
れ、 該強誘電体薄膜上に複数の細幅の第１の上部電極が平行
に設けられ、 該第１の上部電極の間にそれぞれ細幅の第２の上部電極
が設けられ、 各上部電極に対し正又は負の電圧を切り替えて印加でき
る電圧印加装置を備えてなる弾性表面波デバイス。2. A ferroelectric thin film is formed on a conductive substrate, a plurality of narrow first upper electrodes are provided in parallel on the ferroelectric thin film, and between the first upper electrodes. The surface acoustic wave device further includes a voltage applying device that is provided with a narrow second upper electrode, and is capable of selectively applying a positive or negative voltage to each upper electrode.
厚は前記第１の上部電極と第２の上部電極との間の幅よ
りも小さいことを特徴とする弾性表面波デバイス。3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a film thickness of the ferroelectric is smaller than a width between the first upper electrode and the second upper electrode.
て、前記第１及び第２の上部電極よりなる上部電極群の
電極配列方向の両側に弾性波の反射器が設けられている
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。4. The elastic wave reflector according to claim 1, wherein an elastic wave reflector is provided on both sides of the upper electrode group including the first and second upper electrodes in the electrode arrangement direction. Characteristic surface acoustic wave device.
の弾性表面波デバイスを利用した共振子。5. A resonator using the surface acoustic wave device according to claim 1.
の弾性表面波デバイスを利用したフィルタ。6. A filter using the surface acoustic wave device according to claim 1.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22864696A JPH1075149A (en) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | Surface acoustic wave device, resonator and filter |
| DE1997112496 DE19712496A1 (en) | 1996-03-26 | 1997-03-25 | Piezoelectric thin-film component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22864696A JPH1075149A (en) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | Surface acoustic wave device, resonator and filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075149A true JPH1075149A (en) | 1998-03-17 |
Family
ID=16879605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22864696A Withdrawn JPH1075149A (en) | 1996-03-26 | 1996-08-29 | Surface acoustic wave device, resonator and filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075149A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6870446B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency filter |
| KR100520335B1 (en) * | 2002-03-29 | 2005-10-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | Voltage controlled oscillator |
| KR100537128B1 (en) * | 2001-09-21 | 2005-12-19 | 가부시끼가이샤 도시바 | Piezoelectric thin film resonator and frequency variable resonator using the resonator |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP22864696A patent/JPH1075149A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6870446B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency filter |
| KR100537128B1 (en) * | 2001-09-21 | 2005-12-19 | 가부시끼가이샤 도시바 | Piezoelectric thin film resonator and frequency variable resonator using the resonator |
| KR100541895B1 (en) * | 2001-09-21 | 2006-01-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | High frequency filter |
| KR100520335B1 (en) * | 2002-03-29 | 2005-10-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | Voltage controlled oscillator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4410823A (en) | Surface acoustic wave device employing reflectors | |
| JP2790177B2 (en) | Electrostrictive resonance element | |
| JP3229336B2 (en) | Acoustic piezoelectric crystals with micromachined surfaces | |
| EP0064506B2 (en) | Improvements in or relating to methods of producing devices comprising metallised regions on dielectric substrates | |
| JPS60126907A (en) | Single response composite piezoelectric oscillating element | |
| GB2083695A (en) | Ultrasonic transducer | |
| Nakamura et al. | Piezoelectric transformers using LiNbO3 single crystals | |
| JPH07263998A (en) | End face reflecting surface wave resonator | |
| NL1010853C2 (en) | Piezoelectric resonator adapted to generate a harmonic wave in a vibration mode varying in thickness. | |
| JP3677384B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH1093379A (en) | Piezoelectric resonator and electronic component using it | |
| JPH1075149A (en) | Surface acoustic wave device, resonator and filter | |
| JPH0396005A (en) | Piezoelectric thin film resonator | |
| US20240097643A1 (en) | Piezoelectric bulk wave device and method for manufacturing the same | |
| JPS6261170B2 (en) | ||
| JP3147834B2 (en) | Manufacturing method of piezoelectric resonator | |
| US20230246626A1 (en) | Electrode-defined unsuspended acoustic resonator | |
| JP2644241B2 (en) | Piezoelectric multilayer film and method of manufacturing the same | |
| US6842087B2 (en) | Three-terminal filter using area flexural vibration mode | |
| JPS58687B2 (en) | Electrical power supply | |
| JPH10215140A (en) | Piezoelectric resonator and electronic component using the resonator | |
| JP2000077967A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPS59213A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP3271538B2 (en) | Piezoelectric resonator and electronic component using the same | |
| JP2002044785A (en) | Piezoelectric vibrator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |