JPH107611A - Pentanuclear novolak compounds and uses thereof - Google Patents
Pentanuclear novolak compounds and uses thereofInfo
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- JPH107611A JPH107611A JP15971196A JP15971196A JPH107611A JP H107611 A JPH107611 A JP H107611A JP 15971196 A JP15971196 A JP 15971196A JP 15971196 A JP15971196 A JP 15971196A JP H107611 A JPH107611 A JP H107611A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストなどの感光剤として、またはその前
駆体として有用な化合物を提供し、その感光剤を用いて
レジスト性能の向上を図る。
【解決手段】 式(I)で示される5核体ノボラック化
合物が提供される。
式中、R1 〜R10はそれぞれ独立に、水素、水酸基また
は炭素数1〜6のアルキルを表す。この化合物は、2,
4−ビス(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−5
−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノールと、
式(I)の両末端のベンゼン環に相当する芳香族化合物
とを反応させることにより製造できる。また、これをキ
ノンジアジドスルホン酸エステル化して、感光剤とする
ことができる。この感光剤は、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と混合して、レジスト組成物となる。PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound useful as a photosensitive agent such as a resist or as a precursor thereof, and to improve resist performance by using the photosensitive agent. SOLUTION: A pentanuclear novolak compound represented by the formula (I) is provided. In the formula, R 1 to R 10 each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or alkyl having 1 to 6 carbon atoms. This compound has 2,
4-bis (2-hydroxy-3-hydroxymethyl-5
-Methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol;
It can be produced by reacting an aromatic compound corresponding to a benzene ring at both ends of the formula (I). Further, this can be converted to a quinonediazidesulfonic acid ester to obtain a photosensitive agent. This photosensitive agent is mixed with an alkali-soluble novolak resin to form a resist composition.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な5核体ノボ
ラック化合物およびそれの感光剤分野への適用に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel pentanuclear novolak compound and its application to the field of photosensitizers.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、フェノール性水酸基を有する化
合物をキノンジアジドスルホン酸エステル化し、半導体
微細加工用のレジスト組成物における感光剤として用い
ることは公知である。すなわち、キノンジアジド基を有
する化合物とノボラック樹脂を含む組成物を金属などの
基体上に塗布し、これに300〜500nmの光を照射す
ると、キノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生
じ、アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶の状態になる
ことを利用して、かかる組成物はポジ型レジストとして
用いられる。こうしたポジ型レジストは、解像力に優れ
るという特長を有することから、半導体用の各種集積回
路の製作に利用されている。2. Description of the Related Art It is generally known that a compound having a phenolic hydroxyl group is converted into a quinonediazide sulfonic acid ester and used as a photosensitive agent in a resist composition for semiconductor fine processing. That is, when a composition containing a compound having a quinonediazide group and a novolak resin is applied to a substrate such as a metal and irradiated with light of 300 to 500 nm, the quinonediazide group is decomposed to generate a carboxyl group, and the alkali-insoluble state is obtained. The composition is used as a positive resist by utilizing the fact that it becomes an alkali-soluble state. Such a positive resist has a feature of being excellent in resolving power, and is therefore used for manufacturing various integrated circuits for semiconductors.
【0003】そして、半導体産業における集積回路は近
年、高集積化に伴い、微細化の一途をたどっており、今
やサブミクロンのパターン形成が要求されるに至ってい
る。こうした要求に応えるためには、リソグラフィープ
ロセスが集積回路製造時の重要な地位を占めており、ポ
ジ型レジストについても、一層優れた解像度(高いγ
値)が求められるようになっている。[0003] In recent years, integrated circuits in the semiconductor industry have been steadily miniaturized with high integration, and submicron pattern formation is now required. In order to meet such demands, lithography processes have become an important position in the production of integrated circuits, and even for positive resists, higher resolution (higher γ
Value) is required.
【0004】キノンジアジド化合物およびノボラック樹
脂を含有するレジスト材料については、各成分の組み合
わせについて従来から数多くの提案がなされている。例
えば特開平 1-189644 号公報(= USP 5,153,096) には、
フェノール性水酸基を少なくとも2個有するトリフェニ
ルメタン系の化合物をキノンジアジドスルホン酸エステ
ル化したものを、感光剤として用いることが記載されて
いる。しかしながらこうした公知の感光剤を用いても、
現在の超高集積回路作成のための微細加工用、いわゆる
サブミクロンリソグラフィー用のレジストとしては限界
があった。そこで、感度、解像度、耐熱性等のレジスト
性能を向上させるための種々の検討が行われている。With respect to resist materials containing a quinonediazide compound and a novolak resin, many proposals have been made on combinations of the components. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-189644 (= USP 5,153,096) states that
It discloses that a triphenylmethane-based compound having at least two phenolic hydroxyl groups converted to quinonediazidesulfonic acid is used as a photosensitizer. However, even if such a known photosensitive agent is used,
There is a limit as a resist for fine processing for forming a current ultra-high integrated circuit, that is, for so-called submicron lithography. Therefore, various studies have been made to improve resist performance such as sensitivity, resolution, and heat resistance.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、レジ
スト組成物の感光剤成分となりうる感光性の化合物を提
供し、またその前駆体となりうる新規な5核体ノボラッ
ク化合物を製造し、提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photosensitive compound which can be used as a sensitizer component of a resist composition, and to produce and provide a novel pentanuclear novolak compound which can be used as a precursor thereof. Is to do.
【0006】本発明の別の目的は、上記の感光性化合物
を用いて、高感度、高解像力、良好なプロファイル、良
好なフォーカス許容性、少ない現像残渣など、諸性能の
バランスがとれたレジスト組成物を提供することにあ
る。[0006] Another object of the present invention is to provide a resist composition using the above-mentioned photosensitive compound, which balances various properties such as high sensitivity, high resolution, good profile, good focus tolerance and little development residue. To provide things.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
行った結果、特定構造の5核体ノボラック化合物を見出
し、そして、この化合物をキノンジアジドスルホン酸エ
ステル化したものを感光剤として用いることにより、上
記の目的が達成されることを見出し、本発明を完成し
た。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have found a pentanuclear novolak compound having a specific structure, and have used a compound obtained by esterifying this compound with quinonediazide sulfonic acid as a photosensitizer. As a result, the above object was achieved, and the present invention was completed.
【0008】すなわち本発明は、次式(I)で示される
5核体ノボラック化合物を提供するものである。That is, the present invention provides a pentanuclear novolak compound represented by the following formula (I).
【0009】 [0009]
【0010】式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R
6 、R7 、R8 、R9 およびR10はそれぞれ独立に、水
素、水酸基または炭素数1〜6のアルキルを表す。Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R
6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or alkyl having 1 to 6 carbon atoms.
【0011】式(I)の5核体ノボラック化合物は、
2,4−ビス(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル
−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール
を原料として、これに、前記式(I)の化合物を生成す
るのに必要な芳香族化合物を縮合させることにより、製
造できる。ここで、式(I)の化合物を生成するのに必
要な芳香族化合物とは、次式(II)および(III) で示さ
れるものである。The pentanuclear novolak compound of the formula (I) is
Starting from 2,4-bis (2-hydroxy-3-hydroxymethyl-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol, the aromatic compound necessary for producing the compound of the above formula (I) is added. It can be produced by condensing a compound. Here, the aromatic compounds required to produce the compound of the formula (I) are those represented by the following formulas (II) and (III).
【0012】 [0012]
【0013】式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R
6 、R7 、R8 、R9 およびR10は前記の意味を表す。
式(II)および式(III) の芳香族化合物として、それぞ
れ別のものを用いることにより、式(I)における両末
端が異なる化合物を製造することができ、式(II)また
は式(III) で示されるただ1種の化合物を用いれば、式
(I)における両末端が同じになった化合物を製造する
ことができる。Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R
6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 represent the same meaning as described above.
By using different aromatic compounds of the formulas (II) and (III), compounds having different terminals at the both ends in the formula (I) can be produced, and the compounds of the formula (II) or the formula (III) By using only one compound represented by the formula (I), a compound having the same terminal at both ends in the formula (I) can be produced.
【0014】式(I)の5核体ノボラック化合物は、そ
れをキノンジアジドスルホニルハライドと反応させ、水
酸基の少なくとも一部をキノンジアジドスルホン酸エス
テル化して、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を含有する
レジスト組成物などの感光剤とするのに有用である。そ
こで本発明はまた、式(I)で示される5核体ノボラッ
ク化合物の水酸基の少なくとも一つがキノンジアジドス
ルホン酸エステル化されている化合物を提供し、このエ
ステルを有効成分とする感光剤を提供し、さらには、か
かる感光剤をアルカリ可溶性ノボラック樹脂とともに含
有するレジスト組成物をも提供する。The pentanuclear novolak compound of the formula (I) is reacted with quinonediazidosulfonyl halide to convert at least a part of the hydroxyl groups into quinonediazidesulfonic acid ester to form a photosensitive composition such as a resist composition containing an alkali-soluble novolak resin. Useful as an agent. Accordingly, the present invention also provides a compound in which at least one of the hydroxyl groups of the pentanuclear novolak compound represented by the formula (I) is quinonediazidesulfonic acid esterified, and a photosensitizer containing this ester as an active ingredient. Further, the present invention also provides a resist composition containing such a photosensitive agent together with an alkali-soluble novolak resin.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、式(I)で示される5核体
ノボラック化合物を、簡単のため「5核体ノボラック
(I)」と、その原料となる2,4−ビス(2−ヒドロ
キシ−3−ヒドロキシメチル−5−メチルベンジル)−
3,6−ジメチルフェノールを、簡単のため「3核体ジ
メチロール」と、また5核体ノボラック(I)中の水酸
基のうち少なくも一つがキノンジアジドスルホン酸エス
テル化された化合物を、簡単のため「エステル(I)」
と、それぞれ呼ぶことがある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a pentanuclear novolak compound represented by the formula (I) will be referred to as a "pentanuclear novolak (I)" for simplicity and 2,4-bis (2-hydroxy -3-hydroxymethyl-5-methylbenzyl)-
For the sake of simplicity, 3,6-dimethylphenol is referred to as "trinuclear dimethylol", and a compound in which at least one of the hydroxyl groups in the pentanuclear novolak (I) is quinonediazidesulfonic acid ester is used for simplicity. Ester (I) "
May be called respectively.
【0016】エステル(I)は、近ないし中程度の紫外
線や、エキシマーレーザーなどを含む遠紫外線のような
放射線に感応する感光剤として有用である。また、5核
体ノボラック(I)は、かかる感光剤の前駆体として有
用である。The ester (I) is useful as a photosensitive agent that is sensitive to radiation such as near to medium ultraviolet rays and far ultraviolet rays including excimer lasers. In addition, pentanuclear novolak (I) is useful as a precursor of such a photosensitive agent.
【0017】式(I)において、R1 、R2 、R3 、R
4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9およびR10はそれぞ
れ独立に、水素、水酸基または炭素数1〜6のアルキル
であり、ここでアルキルの例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチルなどが挙げられる。 5核体ノボ
ラック(I)のなかでは、R1 、R2 、R3 、R4 およ
びR5 の少なくとも一つが水酸基であり、そしてR6 、
R7 、R8 、R9 およびR10の少なくとも一つが水酸基
である化合物が有利に製造される。In the formula (I), R 1 , R 2 , R 3 , R
4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently hydrogen, a hydroxyl group or an alkyl having 1 to 6 carbons, and examples of the alkyl include methyl, ethyl, Propyl, butyl and the like. In the pentanuclear novolak (I), at least one of R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is a hydroxyl group, and R 6 ,
Compounds in which at least one of R 7 , R 8 , R 9 and R 10 is a hydroxyl group are advantageously prepared.
【0018】5核体ノボラック(I)は、例えば、前記
3核体ジメチロールを式(II)および式(III) の芳香族
化合物と反応させることにより、製造することができ
る。この反応の原料となる3核体ジメチロールは、2,
4−ビス(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−
3,6−ジメチルフェノールとホルムアルデヒドとを、
アルカリ触媒の存在下で反応させることにより、製造で
きる。また、2,4−ビス(2−ヒドロキシ−5−メチ
ルベンジル)−3,6−ジメチルフェノールは、例え
ば、2,5−キシレノールにホルムアルデヒドを反応さ
せて2,4−ビス(ヒドロキシメチル)−3,6−ジメ
チルフェノールとし、これをさらにパラクレゾールと縮
合させることにより、製造できる。2,4−ビス(2−
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチル
フェノールの製造までは、常法に従って行うことができ
る。以下、この化合物から出発して、3核体ジメチロー
ル、さらには化合物(I)、そしてエステル(I)へと
導く反応を、順次説明していく。The pentanuclear novolak (I) can be produced, for example, by reacting the trinuclear dimethylol with the aromatic compounds of the formulas (II) and (III). The trinuclear dimethylol used as a raw material for this reaction is 2,
4-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl)-
3,6-dimethylphenol and formaldehyde,
It can be produced by reacting in the presence of an alkali catalyst. Further, 2,4-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol is prepared by, for example, reacting 2,5-xylenol with formaldehyde to give 2,4-bis (hydroxymethyl) -3. , 6-dimethylphenol, which can be further condensed with paracresol. 2,4-bis (2-
Up to the production of (hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol, it can be carried out according to a conventional method. Hereinafter, starting from this compound, the reaction leading to the trinuclear dimethylol, further to the compound (I), and to the ester (I) will be described sequentially.
【0019】2,4−ビス(2−ヒドロキシ−5−メチ
ルベンジル)−3,6−ジメチルフェノールとホルムア
ルデヒドの反応により3核体ジメチロールを製造するに
あたり、両反応原料は、通常1:2〜10、好ましくは
1:4〜8のモル比で用いられる。 この反応はアルカ
リ触媒の存在下で行われ、ここで用いるアルカリ触媒
は、無機塩基および有機塩基のいずれでもよいが、特に
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムなどの無機塩基が好ましく、なかでも水酸
化ナトリウムが好ましい。アルカリ触媒は、2,4−ビ
ス(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−
ジメチルフェノールに対して、通常0.5〜8モル倍、好
ましくは1〜5モル倍の範囲で使用される。In the production of trinuclear dimethylol by the reaction of 2,4-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol with formaldehyde, both reaction raw materials are usually 1: 2 to 10 , Preferably in a molar ratio of 1: 4 to 8. This reaction is carried out in the presence of an alkali catalyst, and the alkali catalyst used here may be any of an inorganic base and an organic base, and particularly, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
An inorganic base such as potassium carbonate is preferred, and sodium hydroxide is particularly preferred. The alkali catalyst is 2,4-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-
It is used in an amount of usually 0.5 to 8 times, preferably 1 to 5 times the molar amount of dimethylphenol.
【0020】この反応は、一般に溶媒中で行われる。反
応溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
水、メタノールなどの極性溶媒が好ましく、なかでも、
テトラヒドロフランと水の混合溶媒が好ましく使用され
る。反応溶媒は、2,4−ビス(2−ヒドロキシ−5−
メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノールに対し
て、好ましくは2〜30重量倍の範囲で使用される。テ
トラヒドロフランと水の混合溶媒を用いる場合は、水に
対してテトラヒドロフランの量が0.05〜1重量倍、さ
らには0.1〜0.5重量倍の範囲となるようにするのが好
ましい。This reaction is generally performed in a solvent. As a reaction solvent, tetrahydrofuran, dioxane,
Water, polar solvents such as methanol are preferred, and among them,
A mixed solvent of tetrahydrofuran and water is preferably used. The reaction solvent was 2,4-bis (2-hydroxy-5-
Methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol is used preferably in a range of 2 to 30 times by weight. When a mixed solvent of tetrahydrofuran and water is used, the amount of tetrahydrofuran is preferably adjusted to 0.05 to 1 times by weight, more preferably 0.1 to 0.5 times by weight with respect to water.
【0021】この反応は、通常10〜60℃程度の範囲
の温度で行われる。反応原料の仕込みにあたっては、
2,4−ビス(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)
−3,6−ジメチルフェノール、アルカリ触媒および溶
媒の混合物中へ、ホルムアルデヒドを添加していく方法
が好ましい。反応終了後は、例えば、酸で中和して結晶
を析出させ、濾過するなどの方法により、3核体ジメチ
ロールが得られる。This reaction is usually carried out at a temperature in the range of about 10 to 60 ° C. In preparing the reactants,
2,4-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl)
A preferred method is to add formaldehyde to a mixture of -3,6-dimethylphenol, an alkali catalyst and a solvent. After completion of the reaction, for example, trinuclear dimethylol is obtained by a method such as neutralization with an acid to precipitate crystals and filtration.
【0022】3核体ジメチロールは、式(II)および/
または式(III) で示される芳香族化合物と反応させて、
5核体ノボラック(I)へと導かれる。この際、前述し
たように、式(II)および/または式(III) で示される
1種または2種の化合物を用いることにより、式(I)
における両末端が同じか、または異なる化合物を製造で
きる。 3核体ジメチロールとの反応により5核体ノボ
ラック(I)を生成するのに必要な芳香族化合物とし
て、式(II)の化合物だけを用いた場合は、次式(Ia)
で示される5核体ノボラック化合物が得られる。The trinuclear dimethylol has the formula (II) and / or
Or by reacting with an aromatic compound represented by the formula (III),
It is led to a pentanuclear novolak (I). At this time, as described above, by using one or two compounds represented by the formula (II) and / or the formula (III), the compound represented by the formula (I)
The compounds having the same or different terminals at both ends can be produced. When only a compound of the formula (II) is used as an aromatic compound required to produce a pentanuclear novolak (I) by reaction with a trinuclear dimethylol, the following formula (Ia)
A pentanuclear novolak compound represented by the following formula is obtained.
【0023】 [0023]
【0024】式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5
は前記の意味を表す。式(Ia)のなかでも、R1 、
R2 、R3 、R4 およびR5 の一つが水酸基であり、残
る四つがすべて水素であるか、または残る四つのうち一
つもしくは二つがメチル、残る二つまたは三つが水素で
ある化合物が、原料事情などから有利に製造される。と
りわけ、式(Ia)において、R1 およびR4 がメチルで
あり、R3 が水酸基であり、残りのR2 およびR5 が水
素である化合物は、それをキノンジアジドスルホン酸エ
ステル化したときの感光剤としての性能にも優れるの
で、好ましい。Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5
Represents the above-mentioned meaning. In the formula (Ia), R 1 ,
A compound in which one of R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is a hydroxyl group and the remaining four are all hydrogen, or one or two of the remaining four are methyl and the remaining two or three are hydrogen , And is advantageously produced from raw material circumstances. In particular, in the formula (Ia), a compound in which R 1 and R 4 are methyl, R 3 is a hydroxyl group, and the remaining R 2 and R 5 are hydrogen is a compound obtained by subjecting the compound to quinonediazide sulfonic acid esterification. It is preferable because it has excellent performance as an agent.
【0025】3核体ジメチロールと式(II)および/ま
たは式(III) で示される芳香族化合物との反応におい
て、式(II)および/または式(III) の芳香族化合物
は、3核体ジメチロールに対し、一般的には2〜50の
モル比、好ましくは4〜20のモル比で用いられる。こ
の際、酸触媒を存在させるのが好ましい。酸触媒は、塩
酸や硫酸のような無機酸、ギ酸や酢酸、プロピオン酸、
パラトルエンスルホン酸のような有機酸のいずれでもよ
いが、なかでも塩酸や硫酸のような鉱酸またはパラトル
エンスルホン酸が好ましく、とりわけパラトルエンスル
ホン酸が好ましく用いられる。酸触媒は、3核体ジメチ
ロールに対し、通常1当量以下、好ましくは0.1〜0.5
当量の範囲で用いられる。In the reaction of the trinuclear dimethylol with the aromatic compound of the formula (II) and / or the formula (III), the aromatic compound of the formula (II) and / or the formula (III) It is generally used in a molar ratio of 2 to 50, preferably 4 to 20 with respect to dimethylol. At this time, it is preferable to use an acid catalyst. Acid catalysts include inorganic acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid, formic acid, acetic acid, propionic acid,
Any organic acid such as p-toluenesulfonic acid may be used. Among them, mineral acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid or p-toluenesulfonic acid are preferable, and p-toluenesulfonic acid is particularly preferably used. The acid catalyst is generally used in an amount of 1 equivalent or less, preferably 0.1 to 0.5, based on the trinuclear dimethylol.
Used in the range of equivalents.
【0026】この反応は溶媒中で行うのが好ましく、
この場合の反応溶媒は、アルコール類、水、芳香族溶媒
などであることができる。アルコール類としては、低級
アルコール類、例えばメタノール、エタノール、プロパ
ノール、ブタノールなどが挙げられ、なかでもメタノー
ルが好ましく用いられる。また芳香族溶媒としては、例
えばベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水
素類が挙げられ、なかでもトルエンが好ましく用いられ
る。反応溶媒は、式(II)および式(III) で示される芳
香族化合物の合計量を基準に、一般的には0.5〜5重量
倍の範囲で、好ましくは1〜3重量倍の範囲で使用され
る。反応は、通常10℃から沸点までの範囲、好ましく
は15〜60℃の範囲の温度で行われる。この反応は、
通常大気圧下で進行する。This reaction is preferably carried out in a solvent,
In this case, the reaction solvent can be an alcohol, water, an aromatic solvent, or the like. Examples of the alcohol include lower alcohols such as methanol, ethanol, propanol, and butanol, and among them, methanol is preferably used. Examples of the aromatic solvent include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene, and among them, toluene is preferably used. The reaction solvent is used in an amount of generally 0.5 to 5 times by weight, preferably 1 to 3 times by weight, based on the total amount of the aromatic compounds represented by the formulas (II) and (III). Used in. The reaction is usually carried out at a temperature in the range from 10 ° C to the boiling point, preferably in the range from 15 to 60 ° C. This reaction is
Usually proceeds under atmospheric pressure.
【0027】以上のような反応によって、または必要に
より適宜の後処理を行って得られた5核体ノボラック
(I)を含む溶液からは、濃縮、晶析など、任意の操作
を施すことにより、5核体ノボラック(I)を取り出す
ことができる。また、芳香族溶媒中、室温付近で反応を
行った場合は、反応の進行とともに、それより高い温度
で反応を行った場合は、反応終了後室温付近まで冷却す
ることにより、5核体ノボラック(I)の結晶が析出し
てくるので、この結晶を取り出すことにより、粗生成物
が得られ、その後任意の精製手段を施すことができる。
取り出しまたは精製手段としては、例えば、芳香族溶媒
からの晶析などが採用できる。ここで用いる晶析溶媒
は、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化
水素であることができ、反応に用いたものと同じであっ
ても異なってもよい。The pentanuclear novolak (I) -containing solution obtained by the above-described reaction or by performing appropriate post-treatment if necessary is subjected to any operation such as concentration and crystallization by subjecting the solution to a desired operation. The pentanuclear novolak (I) can be taken out. When the reaction is carried out at around room temperature in an aromatic solvent, as the reaction proceeds, when the reaction is carried out at a higher temperature, it is cooled to around room temperature after completion of the reaction, so that the pentanuclear novolak ( Since the crystal of I) is precipitated, a crude product is obtained by taking out the crystal, and thereafter, any purification means can be applied.
As an extraction or purification means, for example, crystallization from an aromatic solvent can be employed. The crystallization solvent used here can be an aromatic hydrocarbon such as benzene, toluene and xylene, which may be the same or different from those used in the reaction.
【0028】5核体ノボラック(I)は、例えば、半導
体製造用レジスト組成物におけるアルカリ可溶性低分子
量添加剤として用いることができ、また例えば、キノン
ジアジドスルホン酸エステル化して、半導体製造用レジ
スト組成物における感光剤とすることもできる。このよ
うに、半導体製造用レジスト組成物に5核体ノボラック
(I)を適用する場合は、反応後の粗生成物を水への溶
解度が9g/100g以下である溶媒に溶解したあと、
水洗分液することにより、金属分を低減させておくのが
好ましい。ここで水への溶解度が9g/100g以下と
は、20℃の水100gに溶ける最大量が9g以下であ
ることを意味する。またここで用いる溶媒は、20℃に
おいて、5核体ノボラック(I)の溶解度が1g/10
0g以上であるのが好ましい。かかる溶媒としては、酢
酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸イソアミルのような酢
酸エステル類、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノ
ンのようなケトン類などが挙げられ、なかでも酢酸エチ
ルが好ましく用いられる。こうして金属分の低減化を図
った溶液は、さらに芳香族溶媒を加えて、目的物を晶析
させることができる。ここで用いる芳香族溶媒は、反応
に用いたものと同じであっても異なってもよいが、好ま
しくはトルエンが用いられる。The pentanuclear novolak (I) can be used, for example, as an alkali-soluble low molecular weight additive in a resist composition for semiconductor production. For example, quinonediazide sulfonic acid esterification is applied to the resist composition for semiconductor production. It can also be a photosensitive agent. As described above, when pentanuclear novolak (I) is applied to a resist composition for semiconductor production, a crude product after the reaction is dissolved in a solvent having a solubility in water of 9 g / 100 g or less.
It is preferable to reduce the metal content by washing and separating. Here, that the solubility in water is 9 g / 100 g or less means that the maximum amount soluble in 100 g of water at 20 ° C. is 9 g or less. The solvent used here has a solubility of pentanuclear novolak (I) at 20 ° C. of 1 g / 10
It is preferably 0 g or more. Examples of such a solvent include acetates such as ethyl acetate, n-butyl acetate and isoamyl acetate, ketones such as methyl isobutyl ketone and 2-heptanone, and among them, ethyl acetate is preferably used. The solution in which the metal content is reduced in this way can be further crystallized with an aromatic solvent by adding the aromatic solvent. The aromatic solvent used here may be the same as or different from that used in the reaction, but toluene is preferably used.
【0029】かくして得られる5核体ノボラック(I)
をキノンジアジドスルホン酸エステル化して、感光剤と
する場合、エステル化にあたっては、1,2−キノンジ
アジド骨格を有する各種のスルホン酸誘導体、例えば
1,2−キノンジアジドスルホニルハライドを用いるこ
とができるが、好ましくは、1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−または−5−スルホニルハライドが用いられ
る。また、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ニルハライドと1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホニルハライドの混合物を用いることもできる。エス
テル化反応において、キノンジアジドスルホニルハライ
ドは、5核体ノボラック(I)に対し、通常、1.2以
上、5核体ノボラック(I)中の水酸基の数までのモル
比、好ましくは1.4〜5のモル比、さらに好ましくは
1.4〜4のモル比で用いられる。The pentanuclear novolak (I) thus obtained
When quinonediazide sulfonic acid ester is converted to a photosensitizer, various sulfonic acid derivatives having a 1,2-quinonediazide skeleton, for example, 1,2-quinonediazidosulfonyl halide can be used in the esterification. , 1,2-Naphthoquinonediazide-4- or -5-sulfonyl halide is used. Further, a mixture of 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl halide and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl halide can also be used. In the esterification reaction, the quinonediazidosulfonyl halide is usually used in a molar ratio of pentanuclear novolak (I) of at least 1.2 to the number of hydroxyl groups in the pentanuclear novolak (I), preferably 1.4 to 1.5. It is used in a molar ratio of 5, more preferably in a molar ratio of 1.4 to 4.
【0030】この反応は通常、脱ハロゲン化水素剤の存
在下で行われる。脱ハロゲン化水素剤としては、一般的
に塩基性の化合物、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウムのような無機塩基、エチルアミン、エタノー
ルアミン、ジエチルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジ
エチルアニリンのようなアミン類が挙げられる。脱ハロ
ゲン化水素剤は、キノンジアジドスルホニルハライドに
対し、通常1.05〜1.5のモル比、好ましくは1.05〜
1.2、さらに好ましくは1.1〜1.2のモル比で用いられ
る。This reaction is usually carried out in the presence of a dehydrohalogenating agent. Examples of the dehydrohalogenating agent include generally basic compounds such as sodium carbonate, inorganic bases such as sodium hydrogencarbonate, ethylamine, ethanolamine, diethylamine, diethanolamine, triethylamine, N, N-dimethylaniline, N, N-dimethylaniline, and the like. Examples include amines such as N-diethylaniline. The dehydrohalogenating agent is generally used in a molar ratio of 1.05 to 1.5, preferably 1.05 to 1.5, based on quinonediazidosulfonyl halide.
It is used in a molar ratio of 1.2, more preferably 1.1 to 1.2.
【0031】エステル化反応は通常、溶媒中で行われ
る。反応溶媒としては、エーテル類、ラクトン類、脂肪
族ケトン類などが挙げられ、なかでも、ジオキソラン、
1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、γ−ブチロ
ラクトン、アセトン、2−ヘプタノンなどが好ましい。
これらをそれぞれ単独で、または2種類以上組み合わせ
て用いることができるが、とりわけ1,4−ジオキサン
が好ましい。 反応溶媒は、5核体ノボラック(I)と
キノンジアジドスルホニルハライドの合計量を基準に、
通常は2〜6重量倍の範囲で、好ましくは3〜5重量倍
の範囲で使用される。このエステル化反応は、常圧下、
常温付近で十分に進行し、一般的には20〜30℃の範
囲の温度が採用され、2〜10時間程度行われる。The esterification reaction is usually performed in a solvent. Examples of the reaction solvent include ethers, lactones, and aliphatic ketones, among which dioxolane,
Preferred are 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, γ-butyrolactone, acetone, 2-heptanone and the like.
These can be used alone or in combination of two or more, and 1,4-dioxane is particularly preferable. The reaction solvent is based on the total amount of pentanuclear novolak (I) and quinonediazidosulfonyl halide,
Usually, it is used in the range of 2 to 6 times by weight, preferably in the range of 3 to 5 times by weight. This esterification reaction is carried out under normal pressure,
It proceeds sufficiently at around normal temperature, and generally, a temperature in the range of 20 to 30 ° C. is adopted, and the reaction is performed for about 2 to 10 hours.
【0032】反応終了後は、酢酸のような酸で中和し、
固形物を濾過したあと、濾液を薄い酸水溶液、例えば
0.1〜2重量%程度の濃度の酢酸水溶液と混合すれば、
目的物であるエステル(I)が析出してくる。これを濾
過、洗浄および乾燥することにより、エステル(I)を
取り出すことができる。After completion of the reaction, the reaction is neutralized with an acid such as acetic acid,
After filtering the solid, the filtrate is mixed with a dilute aqueous acid solution, for example, an aqueous acetic acid solution having a concentration of about 0.1 to 2% by weight.
Ester (I), which is the target substance, precipitates. By filtering, washing and drying this, the ester (I) can be taken out.
【0033】こうしてエステル化された化合物は、近な
いし中程度の紫外線や、エキシマーレーザーなどを含む
遠紫外線のような放射線に感応する感光剤として、有利
に使用することができる。この感光剤は、アルカリ可溶
性ノボラック樹脂と組み合わせて、ポジ型レジスト組成
物とした場合に、高い効果を発揮する。The thus esterified compound can be advantageously used as a photosensitive agent which is sensitive to radiation such as near to medium ultraviolet rays and far ultraviolet rays including excimer lasers. This photosensitizer exhibits a high effect when combined with an alkali-soluble novolak resin to form a positive resist composition.
【0034】また、必要に応じて他のフェノール系化合
物の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルを併用
することもできる。併用されるキノンジアジドスルホン
酸エステルの具体例としては、例えば特開平 5-204148
号公報に記載の化合物、特開平 5-323597 号公報(= USP
5,407,778) に記載の化合物、特開平 6-167805 号公報
(= USP 5,407,779) に記載の化合物、特開平 8-99952号
公報(= EP-A-695,740)に記載の化合物などが挙げられ
る。本発明においては、こうした他のキノンジアジドス
ルホン酸エステルを用いる場合はそれをも含めて、感光
剤は、レジスト組成物中の全固形分の量を基準に、10
〜50重量%の範囲で含有するのが好ましい。If necessary, 1,2-quinonediazidesulfonic acid ester of another phenolic compound can be used in combination. Specific examples of the quinonediazidesulfonic acid ester used in combination include, for example, JP-A-5-204148.
Compounds described in JP-A-5-323597 (= USP
5,407,778), JP-A-6-167805
(= USP 5,407,779) and the compounds described in JP-A-8-99952 (= EP-A-695,740). In the present invention, when such other quinonediazidesulfonic acid ester is used, the sensitizer including the quinonediazidesulfonic acid ester is used in an amount of 10% based on the total solid content in the resist composition.
It is preferable to contain it in the range of 5050% by weight.
【0035】レジスト組成物を構成するアルカリ可溶性
ノボラック樹脂は、フェノール性水酸基を少なくとも1
個有する化合物とアルデヒドとを、酸触媒の存在下に縮
合させて得られるものであって、その種類は特に限定さ
れず、レジスト分野で用いられる各種のものであること
ができる。ノボラック樹脂の原料となるフェノール系化
合物としては、メタクレゾール、パラクレゾール、オル
トクレゾール、2,5−キシレノール、3,5−キシレ
ノール、3,4−キシレノール、2,3,5−トリメチ
ルフェノール、2−t−ブチル−5−メチルフェノー
ル、t−ブチルハイドロキノンなどが挙げられる。また
ノボラック樹脂のもう一方の原料であるアルデヒドとし
ては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズア
ルデヒド、グリオキサール、サリチルアルデヒドなどが
挙げられる。特にホルムアルデヒドは約37重量%の水
溶液として工業的に量産されており、好適に用いられ
る。The alkali-soluble novolak resin constituting the resist composition has at least one phenolic hydroxyl group.
The compound is obtained by condensing a compound having one and an aldehyde in the presence of an acid catalyst, and the type thereof is not particularly limited, and may be various types used in the field of resist. Examples of the phenolic compound as a raw material of the novolak resin include meta-cresol, para-cresol, ortho-cresol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, t-butyl-5-methylphenol, t-butylhydroquinone and the like. Aldehyde, which is another raw material of the novolak resin, includes formaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, glyoxal, salicylaldehyde and the like. Particularly, formaldehyde is industrially mass-produced as an aqueous solution of about 37% by weight and is preferably used.
【0036】こうしたフェノール系化合物の1種または
2種以上と、アルデヒドの1種または2種以上とを、酸
触媒の存在下に縮合させることにより、ノボラック樹脂
が得られる。触媒としては、有機酸、無機酸、二価金属
塩などが用いられ、具体例としては、シュウ酸、酢酸、
パラトルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、リン酸、酢酸亜
鉛などが挙げられる。縮合反応は常法に従って行うこと
ができ、例えば、60〜120℃の範囲の温度で2〜3
0時間程度行われる。また、反応はバルクで行っても、
適当な溶媒中で行ってもよい。A novolak resin is obtained by condensing one or more of such phenolic compounds and one or more of aldehydes in the presence of an acid catalyst. As the catalyst, organic acids, inorganic acids, divalent metal salts and the like are used. Specific examples include oxalic acid, acetic acid,
Examples include p-toluenesulfonic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and zinc acetate. The condensation reaction can be carried out according to a conventional method, for example, at a temperature in the range of 60 to 120 ° C and 2 to 3 times.
It is performed for about 0 hours. Also, even if the reaction is performed in bulk,
It may be performed in a suitable solvent.
【0037】得られるノボラック樹脂は、レジストの現
像残渣を少なくするなどの目的で例えば分別等の操作を
施して、そのゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)
(UV254nmの検出器を使用)によるパターンにおい
て、ポリスチレン換算分子量で900以下の成分の面積
比が、未反応のフェノール系化合物のパターン面積を除
く全パターン面積に対して25%以下、さらには20%
以下となるようにしておくのが好ましい。分別を行う場
合は、ノボラック樹脂を、良溶媒、例えば、メタノール
やエタノールのようなアルコール類、アセトンやメチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン
類、エチルセロソルブのようなグリコールエーテル類、
エチルセロソルブアセテートのようなグリコールエーテ
ルエステル類、テトラヒドロフランのような環状エーテ
ル類などに溶解し、この溶液を水中に注いで高分子量成
分を沈殿させる方法、あるいはこの溶液を、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタンのような貧溶媒と混合して分液する
方法などが採用できる。The obtained novolak resin is subjected to an operation such as separation for the purpose of reducing the development residue of the resist and the like, and the gel permeation chromatography (GPC)
In a pattern obtained by using a UV254 nm detector, the area ratio of components having a molecular weight of 900 or less in terms of polystyrene is 25% or less, and more preferably 20%, based on the total pattern area excluding the pattern area of the unreacted phenolic compound.
It is preferable to make the following. When performing separation, a novolak resin is converted into a good solvent, for example, alcohols such as methanol or ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, ketones such as methyl isobutyl ketone, glycol ethers such as ethyl cellosolve,
A method of dissolving glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, cyclic ethers such as tetrahydrofuran and the like, and pouring this solution into water to precipitate high molecular weight components, or pentane,
A method of mixing with a poor solvent such as hexane or heptane to carry out liquid separation can be employed.
【0038】こうした分別操作を施して高分子量成分を
多くしたノボラック樹脂に、分子量900以下のアルカ
リ可溶性フェノール系化合物を加えることも有効であ
る。ここで用いる分子量900以下のアルカリ可溶性フ
ェノール系化合物としては、分子構造中にフェノール性
水酸基を少なくとも2個有するものが好ましく、例えば
特開平 2-275955 号公報(= EP-A-358,871)や特開平 2-2
560 号公報に記載のものなどが挙げられる。分子量90
0以下のアルカリ可溶性フェノール系化合物を用いる場
合は、レジスト組成物中の全固形分の量を基準として、
3〜40重量%の範囲で含有させるのが好ましい。It is also effective to add an alkali-soluble phenolic compound having a molecular weight of 900 or less to the novolak resin having a high molecular weight component by performing such a separation operation. As the alkali-soluble phenolic compound having a molecular weight of 900 or less, a compound having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecular structure is preferable. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-275955 (= EP-A-358,871) and 2-2
No. 560, for example. Molecular weight 90
When using an alkali-soluble phenolic compound of 0 or less, based on the total solid content in the resist composition,
It is preferable to contain it in the range of 3 to 40% by weight.
【0039】レジスト液の調製は、感光剤およびノボラ
ック樹脂、あるいは必要に応じてさらに分子量900以
下のアルカリ可溶性フェノール系化合物を、溶剤に混合
溶解することにより行われる。ここで用いる溶剤は、適
当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発したあとに均一で平滑
な塗膜を与えるものが好ましい。このような溶剤として
は、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートやエチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテートのようなグリコールエーテルエステル
類、ピルビン酸エチルや酢酸n−アミル、乳酸エチルの
ようなエステル類、2−ヘプタノンやシクロヘキサノン
のようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エ
ステル類、その他、特開平 2-220056 号公報に記載のも
の、特開平 4-362645 号公報に記載のもの、特開平 4-3
67863 号公報に記載のものなどが挙げられる。溶剤とし
ては、それぞれの化合物を単独で、または2種類以上混
合して用いることができる。The resist solution is prepared by mixing and dissolving a photosensitive agent and a novolak resin or, if necessary, an alkali-soluble phenol compound having a molecular weight of 900 or less in a solvent. The solvent used here preferably has an appropriate drying rate and gives a uniform and smooth coating film after the solvent evaporates. Examples of such a solvent include glycol ether esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, esters such as ethyl pyruvate, n-amyl acetate and ethyl lactate, and 2-heptanone. And ketones such as cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; others described in JP-A-2-220056; those described in JP-A-4-362645;
No. 67863, and the like. As the solvent, each compound can be used alone or in combination of two or more.
【0040】こうして得られるレジスト液ないしレジス
ト組成物は、必要に応じてさらに、ノボラック樹脂以外
の樹脂や染料などを、添加物として少量含有することも
できる。The resist solution or the resist composition thus obtained may further contain a small amount of an additive such as a resin other than the novolak resin and a dye, if necessary.
【0041】[0041]
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらによって限定されるものではない。例中、含有量な
いし使用量を表す%および部は、特にことわらないかぎ
り重量基準である。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited by these. In the examples, percentages and parts representing contents or amounts used are by weight unless otherwise specified.
【0042】参考例1: 2,4−ビス(2−ヒドロキ
シ−3−ヒドロキシメチル−5−メチルベンジル)−
3,6−ジメチルフェノールの製造Reference Example 1: 2,4-bis (2-hydroxy-3-hydroxymethyl-5-methylbenzyl)-
Production of 3,6-dimethylphenol
【0043】四つ口フラスコに、2,4−ビス(2−ヒ
ドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフ
ェノール54.4部、水酸化ナトリウム21.6部、水90
0部およびテトラヒドロフラン100部を仕込んで溶解
し、40℃に調温した。そこへ37%ホルマリン73.0
部を滴下し、同温度で6時間攪拌した。反応終了後、酢
酸36.0部で中和し、25℃に冷却した。析出した結晶
を濾過し、イオン交換水1000部で洗浄した。得られ
た濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥して、2,4−ビス
(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−5−メチル
ベンジル)−3,6−ジメチルフェノール55.8部を得
た。In a four-necked flask, 54.4 parts of 2,4-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol, 21.6 parts of sodium hydroxide, and 90 parts of water were added.
0 parts and 100 parts of tetrahydrofuran were charged and dissolved, and the temperature was adjusted to 40 ° C. There 37% formalin 73.0
The mixture was added dropwise and stirred at the same temperature for 6 hours. After completion of the reaction, the mixture was neutralized with 36.0 parts of acetic acid and cooled to 25 ° C. The precipitated crystals were filtered and washed with 1000 parts of ion-exchanged water. The obtained filtrate was dried under reduced pressure at 45 ° C. overnight to give 2,4-bis
55.8 parts of (2-hydroxy-3-hydroxymethyl-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol were obtained.
【0044】実施例1: (1) 2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロ
キシ−2,5−ジメチルベンジル)−5−メチルベンジ
ル〕−3,6−ジメチルフェノールの製造Example 1: (1) Production of 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol
【0045】四つ口フラスコに、 パラトルエンスルホ
ン酸3.8部、2,5−キシレノール122.2部およびト
ルエン244部を仕込んで、40℃に調温した。そこ
へ、参考例1で得られた2,4−ビス(2−ヒドロキシ
−3−ヒドロキシメチル−5−メチルベンジル)−3,
6−ジメチルフェノール42.3部を仕込み、その後同温
度でさらに3時間攪拌した。反応終了後、20℃まで冷
却して濾過し、トルエン400部で洗浄した。得られた
濾過物を、トルエン400部と酢酸エチル600部の混
合液に60℃で仕込んで溶解させ、さらにイオン交換水
400部を仕込んで攪拌し、分液した。次にイオン交換
水400部での洗浄を4回行ったあと、オイル層を濃縮
した。濃縮マスにトルエン400部を加えて20℃まで
冷却し、濾過後、トルエン200部で洗浄した。得られ
た濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥して、2,4−ビス
〔2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシ−2,5−ジ
メチルベンジル)−5−メチルベンジル〕−3,6−ジ
メチルフェノールを22.4部得た。A four-necked flask was charged with 3.8 parts of p-toluenesulfonic acid, 122.2 parts of 2,5-xylenol and 244 parts of toluene, and the temperature was adjusted to 40 ° C. There, 2,4-bis (2-hydroxy-3-hydroxymethyl-5-methylbenzyl) -3, obtained in Reference Example 1,
42.3 parts of 6-dimethylphenol were charged, and the mixture was further stirred at the same temperature for 3 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to 20 ° C., filtered, and washed with 400 parts of toluene. The obtained filtrate was dissolved in a mixed solution of 400 parts of toluene and 600 parts of ethyl acetate at 60 ° C., and 400 parts of ion-exchanged water was further stirred and separated. Next, washing with 400 parts of ion-exchanged water was performed four times, and then the oil layer was concentrated. 400 parts of toluene was added to the concentrated mass, which was cooled to 20 ° C., filtered, and washed with 200 parts of toluene. The obtained filtrate was dried under reduced pressure at 45 ° C for 24 hours, to give 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-. 22.4 parts of dimethylphenol were obtained.
【0046】質量分析: MS 6301 H−NMR(ジメチルスルホキシド) δ(ppm) :1.8
9 (s, 3H); 1.93 (s, 3H); 1.96 (s, 3H);1.99 (s, 3
H); 2.01 (s, 3H); 2.05 (s, 3H);2.06 (s, 3H); 2.15
(s, 3H); 3.73 (s, 4H);3.78 (s, 2H); 3.94 (s, 2H);
6.21 (s, 1H);6.27 (s, 1H); 6.30 (s, 1H); 6.33 (s,
1H);6.57 (s, 2H); 6.69 (s, 1H); 6.71 (s, 1H);6.72
(s, 1H); 8.10 (s, 1H); 8.11 (s, 1H);8.26 (s, 1H);
8.88 (s, 2H).Mass spectrometry: MS 630 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide) δ (ppm): 1.8
9 (s, 3H); 1.93 (s, 3H); 1.96 (s, 3H); 1.99 (s, 3
H); 2.01 (s, 3H); 2.05 (s, 3H); 2.06 (s, 3H); 2.15
(s, 3H); 3.73 (s, 4H); 3.78 (s, 2H); 3.94 (s, 2H);
6.21 (s, 1H); 6.27 (s, 1H); 6.30 (s, 1H); 6.33 (s,
1H); 6.57 (s, 2H); 6.69 (s, 1H); 6.71 (s, 1H); 6.72
(s, 1H); 8.10 (s, 1H); 8.11 (s, 1H); 8.26 (s, 1H);
8.88 (s, 2H).
【0047】(2) キノンジアジドスルホン酸エステル化(2) Quinonediazidesulfonic acid esterification
【0048】四つ口フラスコに、2,4−ビス〔2−ヒ
ドロキシ−3−(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベ
ンジル)−5−メチルベンジル〕−3,6−ジメチルフ
ェノールを6.3部、 1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニルクロライドを5.4部、および1,4−ジ
オキサンを58.5部仕込み、25℃に調温した。そこに
トリエチルアミン2.4部を滴下し、その後3時間反応さ
せた。反応終了後、酢酸0.6部で中和し、濾過した。そ
の濾液を1%酢酸水溶液1000部と混合し、1時間攪
拌後濾過し、イオン交換水で洗浄した。得られた濾過物
を45℃で一昼夜減圧乾燥して、感光剤10.4部を得
た。これを感光剤aとする。In a four-necked flask, 6.3 of 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol was added. Part, 1,2-naphthoquinonediazide-
5.4 parts of 5-sulfonyl chloride and 58.5 parts of 1,4-dioxane were charged and the temperature was adjusted to 25 ° C. Thereto, 2.4 parts of triethylamine was added dropwise, followed by a reaction for 3 hours. After completion of the reaction, the mixture was neutralized with 0.6 parts of acetic acid and filtered. The filtrate was mixed with 1000 parts of a 1% aqueous acetic acid solution, stirred for 1 hour, filtered, and washed with ion-exchanged water. The obtained filtrate was dried under reduced pressure at 45 ° C for 24 hours to obtain 10.4 parts of a photosensitizer. This is designated as photosensitive agent a.
【0049】主成分の分析値 質量分析: MS 1094Analytical value of main component Mass spectrometry: MS 1094
【0050】実施例2: (1) 2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロ
キシ−5−メチルベンジル)−5−メチルベンジル〕−
3,6−ジメチルフェノールの製造Example 2: (1) 2,4-bis [2-hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -5-methylbenzyl]-
Production of 3,6-dimethylphenol
【0051】2,5−キシレノール122.2部に代え
て、パラクレゾール108.1部を用いた以外は、実施例
1の(1) と同様の操作を行い、2,4−ビス〔2−ヒド
ロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)
−5−メチルベンジル〕−3,6−ジメチルフェノール
を22.3部得た。The same operation as in (1) of Example 1 was carried out, except that 108.1 parts of paracresol was used instead of 122.2 parts of 2,5-xylenol, and 2,4-bis [2- Hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl)
-5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol was obtained in an amount of 22.3 parts.
【0052】質量分析: MS 602Mass spectrometry: MS 602
【0053】(2) キノンジアジドスルホン酸エステル化(2) Quinonediazidesulfonic acid esterification
【0054】2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−5−メチ
ルベンジル〕−3,6−ジメチルフェノール6.3部に代
え、2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロ
キシ−5−メチルベンジル)−5−メチルベンジル〕−
3,6−ジメチルフェノールを6.0部用いて、1,4−
ジオキサンの量を57部とした以外は、実施例1の(2)
と同様の操作を行い、感光剤10.3部を得た。これを感
光剤bとする。2,4-bis [2-hydroxy-3- (4
-Hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol was replaced by 2,4-bis [2-hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methyl). Benzyl) -5-methylbenzyl]-
Using 6.0 parts of 3,6-dimethylphenol,
Except that the amount of dioxane was changed to 57 parts, (2) of Example 1 was used.
By the same operation as described above, 10.3 parts of a photosensitizer was obtained. This is designated as photosensitive agent b.
【0055】主成分の分析値 質量分析: MS 1066Analytical value of main component Mass spectrometry: MS 1066
【0056】実施例3: (1) 2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロ
キシベンジル)−5−メチルベンジル〕−3,6−ジメ
チルフェノールの製造Example 3 (1) Production of 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxybenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol
【0057】2,5−キシレノール122.2部に代え
て、フェノール94.1部を用い、トルエンの量を188
部とした以外は、実施例1の(1) と同様の操作を行い、
2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシ
ベンジル)−5−メチルベンジル〕−3,6−ジメチル
フェノールを17.3部得た。Instead of 122.2 parts of 2,5-xylenol, 94.1 parts of phenol were used and the amount of toluene was 188.
The same operation as in (1) of Example 1 was performed except that
There were obtained 17.3 parts of 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxybenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol.
【0058】質量分析: MS 574Mass spectrometry: MS 574
【0059】(2) キノンジアジドスルホン酸エステル化(2) Quinonediazidesulfonic acid esterification
【0060】2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−5−メチ
ルベンジル〕−3,6−ジメチルフェノール6.3部に代
え、2,4−ビス〔2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロ
キシベンジル)−5−メチルベンジル〕−3,6−ジメ
チルフェノールを5.7部用いて、1,4−ジオキサンの
量を55.5部とした以外は、実施例1の(2) と同様の操
作を行い、感光剤9.9部を得た。これを感光剤cとす
る。2,4-bis [2-hydroxy-3- (4
-Hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol in place of 6.3 parts, and 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4-hydroxybenzyl) -5 -Methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol was used, and the same operation as in (2) of Example 1 was carried out except that the amount of 1,4-dioxane was changed to 55.5 parts. 9.9 parts of a photosensitizer were obtained. This is designated as photosensitive agent c.
【0061】主成分の分析値 質量分析: MS 1038Analytical value of main component Mass spectrometry: MS 1038
【0062】参考例2: ノボラック樹脂の製造Reference Example 2: Production of novolak resin
【0063】四つ口フラスコに、メタクレゾール14
8.5部、パラクレゾール121.5部、メチルイソブチル
ケトン252部、10%シュウ酸水溶液37.0部および
90%酢酸水溶液84.8部を仕込み、100℃の油浴で
加熱攪拌しながら、37%ホルマリン129.5部を40
分かけて滴下し、その後さらに15時間反応させた。次
に水洗、脱水して、ノボラック樹脂を42.3%含有する
メチルイソブチルケトン溶液466部を得た。GPCに
よるポリスチレン換算重量平均分子量は4300であっ
た。In a four-necked flask, meta-cresol 14 was added.
8.5 parts, 121.5 parts of paracresol, 252 parts of methyl isobutyl ketone, 37.0 parts of a 10% oxalic acid aqueous solution and 84.8 parts of a 90% acetic acid aqueous solution were charged, and heated and stirred in a 100 ° C. oil bath. 129.5 parts of 37% formalin 40
The mixture was added dropwise over a period of minutes, and then reacted for another 15 hours. Next, it was washed with water and dehydrated to obtain 466 parts of a methyl isobutyl ketone solution containing 42.3% of a novolak resin. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 4,300.
【0064】この溶液450部を底抜きセパラブルフラ
スコに仕込み、さらにメチルイソブチルケトン909.6
部およびn−ヘプタン996.1部を加えて、60℃で3
0分間攪拌したあと、静置し、分液した。分液で得られ
た下層のマスに、2−ヘプタノンを380部加え、メチ
ルイソブチルケトンおよびn−ヘプタンをエバポレータ
ーにより除去して、ノボラック樹脂の2−ヘプタノン溶
液を得た。GPCによるポリスチレン換算重量平均分子
量は9000であり、ポリスチレン換算分子量で900
以下の範囲の面積比は、全パターン面積に対して14%
であった。450 parts of this solution was charged into a separable flask with a bottom, and 909.6 of methyl isobutyl ketone were further added.
And 996.1 parts of n-heptane at 60 ° C.
After stirring for 0 minutes, the mixture was allowed to stand and separated. 380 parts of 2-heptanone was added to the lower layer mass obtained by liquid separation, and methyl isobutyl ketone and n-heptane were removed by an evaporator to obtain a 2-heptanone solution of a novolak resin. The weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC is 9,000, and the molecular weight in terms of polystyrene is 900.
The area ratio in the following range is 14% with respect to the entire pattern area.
Met.
【0065】適用例:Example of application:
【0066】表1に示す感光剤、参考例2で得たノボラ
ック樹脂の2−ヘプタノン溶液を固形分換算で15部、
添加剤としての1,3−ビス〔1−(2,4−ジヒドロ
キシフェニル)−1−メチルエチル〕ベンゼンを3.9
部、および2−ヘプタノンを用い、2−ヘプタノンが合
計で50部となるように混合し、溶解した。この液を孔
径0.2μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジ
スト液を調製した。The photosensitive agent shown in Table 1 and the 2-heptanone solution of the novolak resin obtained in Reference Example 2 were converted to a solid content of 15 parts,
1,3-bis [1- (2,4-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene as an additive was added to 3.9.
Parts and 2-heptanone were mixed and dissolved so that the total amount of 2-heptanone was 50 parts. This solution was filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist solution.
【0067】常法により洗浄したシリコンウェハーに、
回転塗布機を用いて、上記レジスト液を乾燥後の膜厚が
1.1μm となるように塗布し、ホットプレートにて90
℃で1分間ベークした。次いで、365nm(i線)の露
光波長を有する縮小投影露光器〔(株)ニコン製品、"N
SR 1755I 7A"、NA=0.5〕を用い、露光量を段階的に変化
させて露光した。これを、現像液"SOPD"〔住友化学工業
(株)製品〕で1分間現像して、ポジ型パターンを得
た。それぞれのポジ型パターンについて、以下のように
して評価し、結果を表1に示した。On a silicon wafer cleaned by a conventional method,
Using a spin coater, apply the above resist solution so that the film thickness after drying becomes 1.1 μm, and apply 90 μm on a hot plate.
Bake at ℃ for 1 minute. Next, a reduction projection exposure device having an exposure wavelength of 365 nm (i-line) [Nikon Corporation, "N
Using SR 1755I 7A ", NA = 0.5], the exposure amount was changed stepwise. This was developed for 1 minute with a developing solution" SOPD "(manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.). Each positive pattern was evaluated as follows, and the results are shown in Table 1.
【0068】実効感度: 0.50μm のラインアンドス
ペースパターンが1:1になる露光量で表示した。Effective sensitivity: Display was performed at an exposure amount at which a 0.5 μm line and space pattern became 1: 1.
【0069】解像度: ラインアンドスペースパターン
が1:1になる露光量(実効感度)で膜減りなく分離す
るラインアンドスペースパターンの寸法を、走査型電子
顕微鏡で測定した。Resolution: The dimensions of the line-and-space pattern separated at the exposure (effective sensitivity) at which the line-and-space pattern becomes 1: 1 without film loss were measured with a scanning electron microscope.
【0070】γ値: 露光量の対数に対する規格化膜厚
(=残膜厚/初期膜厚)をプロットし、その傾きθを求
め、tan θをγ値とした。Γ value: The normalized film thickness (= remaining film thickness / initial film thickness) with respect to the logarithm of the exposure amount is plotted, the slope θ is obtained, and tan θ is defined as the γ value.
【0071】スカム: 走査型電子顕微鏡でスカム(現
像残渣)の有無を観察した。Scum: The presence or absence of scum (development residue) was observed with a scanning electron microscope.
【0072】またそれぞれのポジ型パターンのうち、実
効感度における0.45μm ラインアンドスペースパター
ンのプロファイル(断面形状)を走査型電子顕微鏡で観
察したところ、いずれのパターンも垂直に切れていた。When the profile (cross-sectional shape) of the 0.45 μm line-and-space pattern in the effective sensitivity of each positive pattern was observed with a scanning electron microscope, all the patterns were cut vertically.
【0073】[0073]
【表1】 [Table 1]
【0074】(表1の脚注)* 感光剤x: 1,2,3−トリヒドロキシ−4−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)ベンゼンと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロラ
イドとのモル比1:4の縮合物(Footnote to Table 1) * Photosensitive agent x: 1,2,3-trihydroxy-4- (4
-Hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) benzene and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride in a molar ratio of 1: 4
【0075】[0075]
【発明の効果】本発明による式(I)で示される5核体
ノボラック化合物は、半導体製造用レジスト組成物にお
ける感光剤の原料またはアルカリ可溶性低分子量添加剤
として有用である。また、この5核体ノボラック化合物
のキノンジアジドスルホン酸エステルを感光剤として含
むレジスト組成物は、半導体微細加工用として、感度お
よび解像力に優れ、また現像残渣がないなど、レジスト
諸性能のバランスがとれたものとなる。The pentanuclear novolak compound represented by the formula (I) according to the present invention is useful as a raw material of a photosensitive agent or an alkali-soluble low molecular weight additive in a resist composition for semiconductor production. In addition, the resist composition containing the quinonediazidosulfonic acid ester of the pentanuclear novolak compound as a photosensitizer has excellent sensitivity and resolution and good balance of various resist properties such as no development residue for semiconductor fine processing. It will be.
Claims (8)
R8 、R9 およびR10はそれぞれ独立に、水素、水酸基
または炭素数1〜6のアルキルを表す)で示される5核
体ノボラック化合物。(1) Formula (I) (Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 ,
R 8 , R 9 and R 10 each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or an alkyl having 1 to 6 carbon atoms).
くとも一つが水酸基であり、そしてR6 、R7 、R8 、
R9 およびR10の少なくとも一つが水酸基である請求項
1記載の化合物。2. At least one of R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is a hydroxyl group, and R 6 , R 7 , R 8 ,
The compound according to claim 1, wherein at least one of R 9 and R 10 is a hydroxyl group.
に記載の意味を表す)で示される請求項1記載の化合
物。3. The formula (Ia) Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are
The compound according to claim 1, wherein the compound has the meaning described in (1).
が水酸基であり、残る四つがすべて水素であるか、また
は残る四つのうち一つもしくは二つがメチル、残る二つ
または三つが水素である請求項3記載の化合物。4. One of R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is a hydroxyl group and the remaining four are all hydrogen, or one or two of the remaining four are methyl and the remaining two are methyl. Or the compound of claim 3, wherein three are hydrogen.
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−5−メチ
ルベンジル〕−3,6−ジメチルフェノールである請求
項4記載の化合物。(5) 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4
-Hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -5-methylbenzyl] -3,6-dimethylphenol.
ボラック化合物の水酸基の少なくとも一つがキノンジア
ジドスルホン酸エステル化されている化合物。6. A compound in which at least one of the hydroxyl groups of the pentanuclear novolak compound according to claim 1 is esterified with quinonediazidesulfonic acid.
光剤。7. A photosensitive agent comprising the compound according to claim 6 as an active ingredient.
項7記載の感光剤を含有することを特徴とするレジスト
組成物。8. A resist composition comprising an alkali-soluble novolak resin and the photosensitive agent according to claim 7.
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|---|---|---|---|
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| JPH107611A true JPH107611A (en) | 1998-01-13 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4713632A (en) * | 1983-06-03 | 1987-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator |
| JP2009221194A (en) * | 2008-02-22 | 2009-10-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Polyhydric phenol derivative with photoacid generating group bonded thereto, method of preparing the same, and chemical-amplification type resist composition comprising the same for electron beam or for euv |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15971196A patent/JP3959755B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4713632A (en) * | 1983-06-03 | 1987-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator |
| JP2009221194A (en) * | 2008-02-22 | 2009-10-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Polyhydric phenol derivative with photoacid generating group bonded thereto, method of preparing the same, and chemical-amplification type resist composition comprising the same for electron beam or for euv |
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