JPH1076138A - ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 - Google Patents
ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法Info
- Publication number
- JPH1076138A JPH1076138A JP8253836A JP25383696A JPH1076138A JP H1076138 A JPH1076138 A JP H1076138A JP 8253836 A JP8253836 A JP 8253836A JP 25383696 A JP25383696 A JP 25383696A JP H1076138 A JPH1076138 A JP H1076138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- halogen
- gas
- exhaust gas
- gas containing
- results
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
- B01D53/685—Halogens or halogen compounds by treating the gases with solids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ハロゲンガス及び／又はハロゲン化水素ガス
（ハロゲン化酸性ガス）等のハロゲン系化合物を含有す
る排ガスを単体金属と接触させることを特徴とする、ハ
ロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法。 【効果】 排ガスから上記した如き酸性ガスやハロゲン
ガス等のハロゲン系化合物を効果的に除去することがで
きる。
（ハロゲン化酸性ガス）等のハロゲン系化合物を含有す
る排ガスを単体金属と接触させることを特徴とする、ハ
ロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法。 【効果】 排ガスから上記した如き酸性ガスやハロゲン
ガス等のハロゲン系化合物を効果的に除去することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハロゲン系化合物（例
えば、ハロゲンガス又はハロゲン化水素等のハロゲン化
酸性ガス）を含有する排ガスの処理方法に関し、特に半
導体工程におけるドライエッチング工程等から排出され
るハロゲン系化合物を含有する排ガスを除去して無害化
する方法に関するものである。
えば、ハロゲンガス又はハロゲン化水素等のハロゲン化
酸性ガス）を含有する排ガスの処理方法に関し、特に半
導体工程におけるドライエッチング工程等から排出され
るハロゲン系化合物を含有する排ガスを除去して無害化
する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体工業においては、半導体製造工程
の中で多種類の腐蝕性ガスが使用されているが、これら
は毒性も高く、環境への汚染が懸念されている。具体的
には、ドライエッチング工程から排出される排ガス中に
はハロゲン系ガスが含まれるが、これらは人体に有害で
ある。また、これらは腐蝕性のガスで、特に、系内に存
在する水分と共に真空系の機器を腐蝕させるという問題
がある。従って、これらのガスの除去システムの確立が
急務とされている。
の中で多種類の腐蝕性ガスが使用されているが、これら
は毒性も高く、環境への汚染が懸念されている。具体的
には、ドライエッチング工程から排出される排ガス中に
はハロゲン系ガスが含まれるが、これらは人体に有害で
ある。また、これらは腐蝕性のガスで、特に、系内に存
在する水分と共に真空系の機器を腐蝕させるという問題
がある。従って、これらのガスの除去システムの確立が
急務とされている。
【０００３】従来から、こうしたハロゲン系ガスの除去
方法として種々の方法が提案されてきている。例えば、
特開平６−１９８１２８号、特開平６−４７２３３号、
特開平４−９４７２３号等に示されている方法がある
が、これらの方法においてハロゲン系ガスの除去に次の
処理剤 (1)〜(5) を使用することが提案されている。
方法として種々の方法が提案されてきている。例えば、
特開平６−１９８１２８号、特開平６−４７２３３号、
特開平４−９４７２３号等に示されている方法がある
が、これらの方法においてハロゲン系ガスの除去に次の
処理剤 (1)〜(5) を使用することが提案されている。
【０００４】(1) 金属酸化物（各種金属の酸化物） (2) 活性炭、又は活性炭に薬剤を担持したもの（活性炭
にアルカリ金属の酸化物等を担持した吸着剤） (3) アルカリ（Ｃａ（ＯＨ）2 、Ｍｇ（ＯＨ）2 、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ等） (4) 酸化剤（ＫＭｎＯ4 等） (5) 以上の組み合わせ
にアルカリ金属の酸化物等を担持した吸着剤） (3) アルカリ（Ｃａ（ＯＨ）2 、Ｍｇ（ＯＨ）2 、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ等） (4) 酸化剤（ＫＭｎＯ4 等） (5) 以上の組み合わせ
【０００５】ドライエッチング工程から排出されるハロ
ゲン系ガスはその性状から、 ハロゲンガス（Ｆ2 、Ｃｌ2 、Ｂｒ2) ハロゲン化水素ガス（酸性ガス）（ＨＦ、ＨＣｌ、Ｈ
Ｂｒ） その他 に大別される。実際の排ガス中では、これらが単独で排
出されることは稀であり、複数のガスが混在している。
ゲン系ガスはその性状から、 ハロゲンガス（Ｆ2 、Ｃｌ2 、Ｂｒ2) ハロゲン化水素ガス（酸性ガス）（ＨＦ、ＨＣｌ、Ｈ
Ｂｒ） その他 に大別される。実際の排ガス中では、これらが単独で排
出されることは稀であり、複数のガスが混在している。
【０００６】これらのハロゲン系ガスのうち、とが
特に問題である。これらは人体や環境に対して有害であ
るため、排ガスの完全処理が望まれることは当然である
が、それに加え、腐蝕性のガスであるため、系内に存在
する水分と共に真空系の機器（ドライポンプ、回転ポン
プの金属部分、金属配管等）を腐蝕させるという問題が
ある。
特に問題である。これらは人体や環境に対して有害であ
るため、排ガスの完全処理が望まれることは当然である
が、それに加え、腐蝕性のガスであるため、系内に存在
する水分と共に真空系の機器（ドライポンプ、回転ポン
プの金属部分、金属配管等）を腐蝕させるという問題が
ある。
【０００７】系内の腐蝕が生じれば、真空系の安定性が
損なわれ、半導体製造時の条件設定が困難となるし、腐
蝕した部分の交換にはかなりの費用がかかる。
損なわれ、半導体製造時の条件設定が困難となるし、腐
蝕した部分の交換にはかなりの費用がかかる。
【０００８】従来から提案されてきた除害剤（処理剤）
として、例えば金属酸化物（一例として、Ｆｅ2 Ｏ3 を
挙げる。）を用いた場合には、金属酸化物が酸性ガスと
反応し、 Ｆｅ2 Ｏ3 ＋ ６ＨＣｌ → ２ＦｅＣｌ3 ＋ ３
Ｈ2 Ｏ のように水を発生する。
として、例えば金属酸化物（一例として、Ｆｅ2 Ｏ3 を
挙げる。）を用いた場合には、金属酸化物が酸性ガスと
反応し、 Ｆｅ2 Ｏ3 ＋ ６ＨＣｌ → ２ＦｅＣｌ3 ＋ ３
Ｈ2 Ｏ のように水を発生する。
【０００９】上記した通り、水は系内を腐蝕させる要因
となるので好ましくない。また、金属酸化物と同様に、
アルカリや酸化剤も酸性ガスと反応して水を放出するの
で、これも好ましくない。一方、活性炭では、酸性ガス
を処理しきれない。
となるので好ましくない。また、金属酸化物と同様に、
アルカリや酸化剤も酸性ガスと反応して水を放出するの
で、これも好ましくない。一方、活性炭では、酸性ガス
を処理しきれない。
【００１０】従って、酸性ガスやハロゲンと反応若しく
は吸着（物理吸着、反応吸着）しても水を放出しない除
去システムを真空系に付与する必要があるが、従来技術
にはそうした要求に応えるものが存在しない。
は吸着（物理吸着、反応吸着）しても水を放出しない除
去システムを真空系に付与する必要があるが、従来技術
にはそうした要求に応えるものが存在しない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、排ガ
スから上記した如き酸性ガスやハロゲンガス等のハロゲ
ン系化合物を効果的に除去する方法を提供することにあ
る。
スから上記した如き酸性ガスやハロゲンガス等のハロゲ
ン系化合物を効果的に除去する方法を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ハロゲ
ンガス及び／又はハロゲン化水素ガス（ハロゲン化酸性
ガス）等のハロゲン系化合物を含有する排ガスを単体金
属と接触させることを特徴とする、ハロゲン系化合物を
含有する排ガスの処理方法に係るものである。
ンガス及び／又はハロゲン化水素ガス（ハロゲン化酸性
ガス）等のハロゲン系化合物を含有する排ガスを単体金
属と接触させることを特徴とする、ハロゲン系化合物を
含有する排ガスの処理方法に係るものである。
【００１３】本発明の処理方法によれば、排ガスの処理
剤として単体金属を使用しているので、この単体金属と
ハロゲン系化合物が例えば次式のように反応し、腐蝕性
のある有害なハロゲン系化合物を除去できるのみなら
ず、反応によって水を生成することもなく、系内の腐蝕
を有効に防止することができる。
剤として単体金属を使用しているので、この単体金属と
ハロゲン系化合物が例えば次式のように反応し、腐蝕性
のある有害なハロゲン系化合物を除去できるのみなら
ず、反応によって水を生成することもなく、系内の腐蝕
を有効に防止することができる。
【００１４】 ２Ｆｅ ＋ ６ＨＣｌ → ２ＦｅＣｌ3 ＋ ３Ｈ2 ２Ｆｅ ＋ ３Ｃｌ2 → ２ＦｅＣｌ3
【００１５】本発明の処理方法において、上記単体金属
としては、スズ、鉛、亜鉛、ジルコニウム、鉄、ニッケ
ル、モリブデン、マンガン、タンタル及びコバルトから
なる群より選択される少なくとも１種を使用することが
望ましい。
としては、スズ、鉛、亜鉛、ジルコニウム、鉄、ニッケ
ル、モリブデン、マンガン、タンタル及びコバルトから
なる群より選択される少なくとも１種を使用することが
望ましい。
【００１６】また、ハロゲン系化合物を含有する排ガス
を単体金属と20〜300 ℃（望ましくは 100〜300 ℃）で
接触させることが反応の促進にとって有利である。
を単体金属と20〜300 ℃（望ましくは 100〜300 ℃）で
接触させることが反応の促進にとって有利である。
【００１７】なお、使用可能な上記単体金属の形状は、
粒状、棒状、板状等であって操作性が良ければ特に限定
されない。これらの金属の粒度は排ガス通過時に通気抵
抗が上昇しない範囲であれば、接触面積をできるだけ大
きくとれる形状が望ましい。また、これらの金属は１種
類単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
粒状、棒状、板状等であって操作性が良ければ特に限定
されない。これらの金属の粒度は排ガス通過時に通気抵
抗が上昇しない範囲であれば、接触面積をできるだけ大
きくとれる形状が望ましい。また、これらの金属は１種
類単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
【００１８】実際に排ガスと接触せしめる手段として
は、充填塔にガスの負荷量に応じて上記単体金属を充填
し、ガスを導入して接触させればよい。
は、充填塔にガスの負荷量に応じて上記単体金属を充填
し、ガスを導入して接触させればよい。
【００１９】半導体製造のドライエッチング時において
排ガスを除去するための具体的な位置については、 ａ）真空ポンプとリアクターの間 ｂ）真空ポンプと排ガスの放出口の間 ｃ）油回転ポンプを使用する場合は、真空ポンプ油中の
溶存ガスを除去するためにポンプ油を循環して上記の如
き充填塔を経由させる。 等が考えられる。ａ）、ｃ）は真空ポンプを腐蝕から守
り、ｂ）は排ガスの環境への放出を防ぐ観点で設けるも
のである。
排ガスを除去するための具体的な位置については、 ａ）真空ポンプとリアクターの間 ｂ）真空ポンプと排ガスの放出口の間 ｃ）油回転ポンプを使用する場合は、真空ポンプ油中の
溶存ガスを除去するためにポンプ油を循環して上記の如
き充填塔を経由させる。 等が考えられる。ａ）、ｃ）は真空ポンプを腐蝕から守
り、ｂ）は排ガスの環境への放出を防ぐ観点で設けるも
のである。
【００２０】また、排ガスの除去剤（処理剤）として、
上記した単体金属と活性炭との併用も可能である。
上記した単体金属と活性炭との併用も可能である。
【００２１】
【発明の作用効果】本発明の処理方法によれば、排ガス
の処理剤として単体金属を使用しているので、この単体
金属とハロゲン系化合物が例えば上記式のように反応
し、腐蝕性のある有害なハロゲン系化合物を除去できる
のみならず、反応によって水を生成することもなく、系
内の腐蝕を有効に防止することができる。
の処理剤として単体金属を使用しているので、この単体
金属とハロゲン系化合物が例えば上記式のように反応
し、腐蝕性のある有害なハロゲン系化合物を除去できる
のみならず、反応によって水を生成することもなく、系
内の腐蝕を有効に防止することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。
はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２３】実施例１ 外側から加熱が可能な50mmφのＳＵＳ製充填塔に、層高
10cmとなるようにスズ（粒状、２〜３mmφ）を充填し
た。20℃の温度の下、充填塔へ、窒素で希釈したハロゲ
ン系ガスを１Ｌ／分の流速で２時間流入した（ハロゲン
系ガス濃度はいずれも１％とした）。そして、充填塔か
らの出口ガスを以下のように分析した。
10cmとなるようにスズ（粒状、２〜３mmφ）を充填し
た。20℃の温度の下、充填塔へ、窒素で希釈したハロゲ
ン系ガスを１Ｌ／分の流速で２時間流入した（ハロゲン
系ガス濃度はいずれも１％とした）。そして、充填塔か
らの出口ガスを以下のように分析した。
【００２４】ハロゲン系ガスとしてハロゲン（Ｆ2 、Ｃ
ｌ2 、Ｂｒ2 ）を使用した時は、出口ガス全量をＫＩの
水溶液中にバブリングし、発生したＩ2 をハイポで滴定
することにより、処理しきれなかったハロゲン量（未処
理率）を下記式によって計算した。結果を下記の表１に
示す（表中の数字は未処理率（％）を示す：以下、同
様）。
ｌ2 、Ｂｒ2 ）を使用した時は、出口ガス全量をＫＩの
水溶液中にバブリングし、発生したＩ2 をハイポで滴定
することにより、処理しきれなかったハロゲン量（未処
理率）を下記式によって計算した。結果を下記の表１に
示す（表中の数字は未処理率（％）を示す：以下、同
様）。
【００２５】ハロゲン系ガスとして酸（ＨＦ、ＨＣｌ、
ＨＢｒ）を使用した時は、出口ガス全量をアンモニアの
水溶液中にバブリングし、中和後にイオンクロマトグラ
フィーで分析することにより、処理しきれなかった酸量
（未処理率）を下記式によって計算した。結果を下記の
表１に示す。
ＨＢｒ）を使用した時は、出口ガス全量をアンモニアの
水溶液中にバブリングし、中和後にイオンクロマトグラ
フィーで分析することにより、処理しきれなかった酸量
（未処理率）を下記式によって計算した。結果を下記の
表１に示す。
【００２６】未処理率（％）＝｛（処理しきれなかった
ハロゲン系ガス量）÷（流入したハロゲン系ガス量）｝
×100
ハロゲン系ガス量）÷（流入したハロゲン系ガス量）｝
×100
【００２７】また、同様な実験を、充填塔を 100℃、 2
00℃、 300℃に加熱して行った。その結果も下記の表１
に示す。
00℃、 300℃に加熱して行った。その結果も下記の表１
に示す。
【００２８】 （表中の数値は未処理率：％）
【００２９】この結果から、本発明に基づけば、ハロゲ
ン系ガスを効果的に除去できることが分かる。特に、フ
ッ素系では反応温度を高めることが有利である。
ン系ガスを効果的に除去できることが分かる。特に、フ
ッ素系では反応温度を高めることが有利である。
【００３０】実施例２ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
にジルコニウム（スポンジ、２〜５mmφ）を充填した。
それ以外は実施例１と同様の反応を行った。その結果を
下記の表２に示す。
にジルコニウム（スポンジ、２〜５mmφ）を充填した。
それ以外は実施例１と同様の反応を行った。その結果を
下記の表２に示す。
【００３１】 （表中の数値は未処理率：％）
【００３２】この結果も、本発明に基づく方法によっ
て、フッ素系ガスを昇温状態で有効に除去できることを
示している。
て、フッ素系ガスを昇温状態で有効に除去できることを
示している。
【００３３】実施例３ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
に鉛（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外は実施
例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表３に示
す。
に鉛（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外は実施
例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表３に示
す。
【００３４】 （表中の数値は未処理率：％）
【００３５】この結果から、フッ素は20℃以上でも十分
に除去でき、ＨＦは高温下で、Ｃｌ2 は更に高温にする
と十分に除去できることが分かる。
に除去でき、ＨＦは高温下で、Ｃｌ2 は更に高温にする
と十分に除去できることが分かる。
【００３６】実施例４ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
に亜鉛（粒状、３〜７mmφ）を充填した。それ以外は実
施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表４に
示す。
に亜鉛（粒状、３〜７mmφ）を充填した。それ以外は実
施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表４に
示す。
【００３７】 （表中の数値は未処理率：％）
【００３８】この結果では、ハロゲンガスは高温で除去
可能であるが、ＨＦはそれより低温でも十分に除去でき
る。
可能であるが、ＨＦはそれより低温でも十分に除去でき
る。
【００３９】実施例５ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
に鉄（粒状、２〜３mmφ）を充填した。それ以外は実施
例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表５に示
す。
に鉄（粒状、２〜３mmφ）を充填した。それ以外は実施
例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表５に示
す。
【００４０】 （表中の数値は未処理率：％）
【００４１】この結果も、実施例４と同様の傾向を示し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【００４２】実施例６ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
にモリブデン（粒状）を充填した。それ以外は実施例１
と同様の反応を行った。その結果を下記の表６に示す。
にモリブデン（粒状）を充填した。それ以外は実施例１
と同様の反応を行った。その結果を下記の表６に示す。
【００４３】 （表中の数値は未処理率：％）
【００４４】この結果から、フッ素の除去は昇温下で十
分に行えることが分かる。
分に行えることが分かる。
【００４５】実施例７ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
にニッケル（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外
は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表
７に示す。
にニッケル（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外
は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表
７に示す。
【００４６】 （表中の数値は未処理率：％）
【００４７】この結果から、ＨＦの除去は昇温下で十分
に行えることが分かる。
に行えることが分かる。
【００４８】実施例８ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
にマンガン（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外
は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表
８に示す。
にマンガン（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外
は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表
８に示す。
【００４９】 （表中の数値は未処理率：％）
【００５０】この例でも、ＨＦの除去を昇温下で十分に
行うことができる。
行うことができる。
【００５１】実施例９ 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
にタンタル（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外
は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表
９に示す。
にタンタル（粒状、２〜５mmφ）を充填した。それ以外
は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記の表
９に示す。
【００５２】 （表中の数値は未処理率：％）
【００５３】この例では、ハロゲン系ガスはいずれも高
温で十分に除去できる。
温で十分に除去できる。
【００５４】実施例10 実施例１と同じＳＵＳ製充填塔に、層高10cmとなるよう
にコバルト（粒状、小粒10mmφ以下）を充填した。それ
以外は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記
の表10に示す。
にコバルト（粒状、小粒10mmφ以下）を充填した。それ
以外は実施例１と同様の反応を行った。その結果を下記
の表10に示す。
【００５５】 （表中の数値は未処理率：％）
【００５６】この例の場合、ＨＦよりもＣｌ2 の方がよ
り高温で除去されることが分かる。
り高温で除去されることが分かる。
【００５７】以上の実施例１〜10においては、いずれ
も、処理ガス出口部分には腐蝕はみられなかった。
も、処理ガス出口部分には腐蝕はみられなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本多 良隆 大阪府摂津市西一津屋１の１ ダイキン工 業株式会社淀川製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 ハロゲン系化合物を含有する排ガスを単
体金属と接触させることを特徴とする、ハロゲン系化合
物を含有する排ガスの処理方法。 - 【請求項２】 単体金属として、スズ、鉛、亜鉛、ジル
コニウム、鉄、ニッケル、モリブデン、マンガン、タン
タル及びコバルトからなる群より選択される少なくとも
１種を使用する、請求項１に記載した処理方法。 - 【請求項３】 ハロゲン系化合物を含有する排ガスを単
体金属と20〜300 ℃で接触させる、請求項１に記載した
処理方法。 - 【請求項４】 ハロゲンガス及び／又はハロゲン化酸性
ガスを除去する、請求項１に記載した処理方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25383696A JP4037475B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 |
| US09/254,186 US6767513B1 (en) | 1996-04-09 | 1997-09-01 | Method of treating exhaust gases containing halogen based compound |
| PCT/JP1997/003050 WO1998009715A1 (fr) | 1996-09-04 | 1997-09-01 | Procede de traitement de gaz d'echappement contenant un compose a base d'halogenes |
| DE69734784T DE69734784T2 (de) | 1996-09-04 | 1997-09-01 | Verfahren zur behandlung von abgasen mit halogen enthaltender verbindung |
| EP97937860A EP0963779B1 (en) | 1996-09-04 | 1997-09-01 | Method of treating exhaust gases containing halogen based compound |
| TW086112728A TW408031B (en) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | The method of treating the exhaust gases containing halogen gases and/or hydrogen fluoride (HF) gas |
| KR1019997001812A KR100299627B1 (ko) | 1996-09-04 | 1999-03-04 | 할로겐계 화합물을 함유하는 배기가스의 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25383696A JP4037475B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1076138A true JPH1076138A (ja) | 1998-03-24 |
| JP4037475B2 JP4037475B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=17256816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25383696A Expired - Lifetime JP4037475B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-09-04 | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6767513B1 (ja) |
| EP (1) | EP0963779B1 (ja) |
| JP (1) | JP4037475B2 (ja) |
| KR (1) | KR100299627B1 (ja) |
| DE (1) | DE69734784T2 (ja) |
| TW (1) | TW408031B (ja) |
| WO (1) | WO1998009715A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002326076A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃棄物の処理方法、同処理装置 |
| JP2002326077A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃棄物処理方法、同処理装置 |
| JP2012507394A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | フッ化物イオン洗浄方法 |
| JP2012507629A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | フッ化物イオン洗浄のシステム及び装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2727766C (en) * | 2008-07-07 | 2013-10-08 | Osum Oil Sands Corp. | Carbon removal from an integrated thermal recovery process |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4157374A (en) * | 1977-02-03 | 1979-06-05 | Aluminum Company Of America | Disposal of waste gases from production of aluminum chloride |
| JPS56108532A (en) * | 1980-02-04 | 1981-08-28 | Hitachi Ltd | Iodine adsorbing material and preparation thereof |
| US4594231A (en) * | 1983-09-22 | 1986-06-10 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Method for removal of poisonous gases |
| GB8813270D0 (en) * | 1988-06-04 | 1988-07-06 | Plasma Products Ltd | Dry exhaust gas conditioning |
| FI85419C (fi) * | 1989-05-18 | 1992-04-10 | Ahlstroem Oy | Behandling av gaser som innehaoller halogenfoereningar. |
| EP0528982B1 (en) * | 1990-05-14 | 1996-08-28 | The University of Akron | Process for the destruction of halogenated organics |
| JPH04156919A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Ebara Res Co Ltd | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 |
| WO1992019366A1 (fr) * | 1991-04-30 | 1992-11-12 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Procede de decomposition par oxydation d'un compose d'halogene organique |
| FI88364C (fi) * | 1991-08-09 | 1993-05-10 | Ahlstroem Oy | Foerfarande foer behandling av halogenfoereningar innehaollande process- eller roekgaser |
| JPH06134256A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-17 | Japan Pionics Co Ltd | 有害ガスの浄化方法 |
| US5417948A (en) * | 1992-11-09 | 1995-05-23 | Japan Pionics Co., Ltd. | Process for cleaning harmful gas |
| JPH06296710A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-25 | Japan Atom Energy Res Inst | 有害有機塩素化合物から塩素を除去することによって無害化する方法 |
| JPH07155542A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-20 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの除害方法 |
| JPH07155541A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-20 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの除害方法 |
| JPH07171339A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Central Glass Co Ltd | Ｎｆ▲３▼の処理方法 |
| TW369434B (en) * | 1994-02-03 | 1999-09-11 | Mitsui Chemicals Inc | Exhaust gas treating agent and a method of treating exhaust gas using the agent |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP25383696A patent/JP4037475B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-09-01 WO PCT/JP1997/003050 patent/WO1998009715A1/ja not_active Ceased
- 1997-09-01 EP EP97937860A patent/EP0963779B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-01 US US09/254,186 patent/US6767513B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-01 DE DE69734784T patent/DE69734784T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-04 TW TW086112728A patent/TW408031B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-04 KR KR1019997001812A patent/KR100299627B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002326076A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃棄物の処理方法、同処理装置 |
| JP2002326077A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃棄物処理方法、同処理装置 |
| JP2012507394A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | フッ化物イオン洗浄方法 |
| JP2012507629A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | フッ化物イオン洗浄のシステム及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4037475B2 (ja) | 2008-01-23 |
| WO1998009715A1 (fr) | 1998-03-12 |
| KR100299627B1 (ko) | 2001-09-13 |
| EP0963779A4 (ja) | 1999-12-15 |
| EP0963779B1 (en) | 2005-11-30 |
| KR20010029467A (ko) | 2001-04-06 |
| EP0963779A1 (en) | 1999-12-15 |
| DE69734784D1 (de) | 2006-01-05 |
| TW408031B (en) | 2000-10-11 |
| DE69734784T2 (de) | 2006-08-24 |
| US6767513B1 (en) | 2004-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04156919A (ja) | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 | |
| JP3986597B2 (ja) | 三フッ化窒素含有ガスの処理方法及びそのための処理剤 | |
| JPH1076138A (ja) | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 | |
| KR0173468B1 (ko) | ClF3를 함유한 폐가스 처리방법 | |
| JP3490751B2 (ja) | 気体状フッ化物の分解方法 | |
| TWI302476B (en) | Cleaning agent of treating acid gas and method for cleaning with the cleaning agent | |
| JP3260825B2 (ja) | 有害ガスの浄化方法 | |
| JP6908820B2 (ja) | ギ酸の処理方法及びギ酸の処理装置 | |
| JPS58224135A (ja) | 廃水中の水銀を回収する方法 | |
| JPH06198128A (ja) | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 | |
| JP2003071290A (ja) | 特殊ガス除去用除害剤及び特殊ガスの除去方法 | |
| JPH03181316A (ja) | Ｎｆ↓３の除害方法 | |
| JP3004204B2 (ja) | プラズマｃｖｍ排ガスの精製回収方法 | |
| JP2009011977A (ja) | 除害塔におけるリンの安定化方法 | |
| WO2004050217A1 (ja) | ベントガスの除害方法 | |
| JPH062213B2 (ja) | ハロゲン系廃ガスの乾式処理剤 | |
| JP2013086088A (ja) | ハロゲン化物粒子を含むガスの除害方法 | |
| JP2005169370A (ja) | 硫化水素を含有するガスの脱硫化水素処理剤および処理方法および処理装置 | |
| JP3269565B2 (ja) | 三弗化窒素含有排ガスの処理方法 | |
| JPH06238124A (ja) | 有害気体の除害方法 | |
| CN120359077A (zh) | 排气处理方法和排气处理装置 | |
| JP4276333B2 (ja) | 排ガスの浄化方法 | |
| JP2003275736A (ja) | 有機ハロゲン化合物の無害化処理方法 | |
| JPS6135830A (ja) | ３フツ化窒素含有排ガスの処理方法 | |
| JP2728926B2 (ja) | 窒素弗化物含有排ガスの処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070919 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071018 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071101 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |