JPH1076458A - 薄板の鏡面研磨装置 - Google Patents
薄板の鏡面研磨装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
薄板上における研磨圧力の分布を均一化し、これにより
研磨代を一定にし、もって高平坦度の研磨を可能にす
る、薄板の鏡面研磨装置を提供する。 【解決手段】 回転可能な押圧部材に設けられた薄板保
持部に薄板を保持し、この薄板を前記押圧部材により研
磨手段に押し付けて研磨するように構成された、薄板の
鏡面研磨装置において、前記薄板を保持する面を柔軟性
のある弾性膜で構成すると共に、この弾性膜をスペーサ
と押さえ板で挟持した状態で前記押圧部材またはその取
付部品に取り付けて、前記スペーサによって前記弾性膜
の張り具合を調整する一方で、前記薄膜に流体供給手段
によって背圧を加えることによって、前記薄膜に保持さ
れた前記薄板の前記研磨手段への押付け圧を調整するよ
うにしたことを特徴とする。
Description
係り、特に半導体ウェーハ(以下「ウェーハ」という)
を高平坦度に鏡面研磨するのに用いる薄板の鏡面研磨装
置に関するものである。
おいては、近年のデバイスの高集積化に伴い、デバイス
のデザインルールは狭くなり、ホトリソグラフィ工程に
おけるステッパの焦点深度も浅くなってきている。この
ため、ウェーハの鏡面研磨工程でのウェーハに対する平
坦性の要求も高くなってきている。
においては機械的研磨と化学的研磨とを組み合わせたメ
カノケミカルポリッシング法が用いられている。このメ
カノケミカルポリッシング法においては、例えば、回転
可能な押圧部材に設けられた保持部下面にワックスでウ
ェーハを貼付け、このウェーハを、主面に研磨手段であ
る研磨布(不織布)を貼付けた定盤面(研磨手段)に押
しつけて摺擦することで研磨するワックス法が用いられ
ている。しかし、このワックス法では、ワックスを保持
部下面に均一に塗ることが難しい上に、ウェーハと保持
面の間への異物の混入によりディンプルの発生がさけら
れず、ウェーハの平坦性の向上にも限界があった。一
方、前記保持部下面に、スポンジ状のバッキングパッド
を介してウェーハを保持させ、前記ワックス法とほぼ同
様な手法にて研磨するワックスレス法も用いられてい
る。しかし、このワックスレス法では、スポンジ状に構
成された保持面の孔部に研磨材等が詰まり、弾性率など
が部分的に変化し、ウェーハの平坦度が著しく悪化して
しまうという問題点を有していた。一方、このウェーハ
の平坦度の悪化を防止するためには、頻繁にバッキング
パッドを交換することを余儀なくされる。
め、特開平5−69310号公報に示すように弾性膜保
持法を用いた鏡面研磨装置が提案されている。この鏡面
研磨装置は、図4に示すように、ウェーハWの保持面に
柔軟性のある弾性膜91を用いている。この弾性膜91
の材質としては、シリコーンゴム等の合成ゴムや、繊維
(布)で強化されたゴムまたはビニールのシート等が用
いられる。そして、この鏡面研磨装置では、弾性膜91
をリング状のホルダ(胴部)92に均一の張力で張り付
け、前記弾性膜91の、上記ウェーハWを保持している
面と反対側の面(背面)に対して、前記ウェーハWの押
しつけ圧調整用の流体を給排する流体給排装置(図示せ
ず)を設けている。そしてまた、ホルダ92の外周に
は、図5に示すように、リング94が上下に移動自在に
装着され、このリング94に薄い弾性膜91が接着また
は挟み付けることによって取り付けられ、このリング9
4をねじ95で昇降調整することによって、薄い弾性膜
91を均一な張力で張り付けるようにしている。なお、
図4において符号96は定盤の主面に貼付けた研磨布を
示している。
面研磨装置によれば、下記のような問題があった。ウェ
ーハWの研磨代を一様にするためには、弾性膜91の張
り具合が重要である。前記弾性膜保持法を用いた鏡面研
磨装置では、弾性膜91の張り具合を調整できるよう
に、リング94をねじ95で昇降調整するようにしてい
るが、ねじ95の締結具合によってリング94の位置を
適切に調整するのは難しい上に、ホルダ92の外周に位
置するねじ95の締結具合を揃えるというのは至難の技
である。そのため、ウェーハWの保持面を構成する弾性
膜91の張り具合を均一にすることができなかった。ま
た、前記鏡面研磨装置では、ホルダ92の外周面とリン
グ94の内周面はそれぞれ直径が均一となっているた
め、ホルダ92の外周面とリング94の内周面との間に
隙間が出来易く気密性(または水密性)が悪いという問
題もあった。かかる問題は、半導体ウェーハに限らず、
薄板の鏡面研磨一般に生じる。
されたもので、弾性膜の張り具合を均一にでき、ひいて
は、薄板上における研磨圧力の分布を均一化し、これに
より研磨代を一定にし、もって高平坦度の研磨を可能に
する、薄板の鏡面研磨装置を提供することを目的とす
る。
装置は、回転可能な押圧部材に設けられた薄板保持部に
薄板を保持し、この薄板を前記押圧部材により研磨手段
に押し付けて研磨するように構成された、薄板の鏡面研
磨装置において、前記薄板を保持する面を柔軟性のある
弾性膜で構成すると共に、この弾性膜をスペーサと押さ
え板で挟持した状態で前記押圧部材またはその取付部品
に取り付けて、前記スペーサによって前記弾性膜の張り
具合を調整する一方で、前記薄膜に流体供給手段によっ
て背圧を加えることによって、前記薄膜に保持された前
記薄板の前記研磨手段への押付け圧を調整するようにし
たことを特徴とする。この鏡面研磨装置によれば、スペ
ーサの厚さによって、弾性膜の張り具合を調整でき、し
かも、弾性膜の張り具合を薄板保持面内で均一にするこ
とができるので、薄板を均一に鏡面研磨することができ
ることになる。
記載の鏡面研磨装置において、前記押圧部材は回転可能
なシャフトと、このシャフトの下側に取り付けられたホ
ルダとを備え、このホルダの外周面には前記研磨手段か
ら離反する方向に向けて拡開するようにテーパが付けら
れており、このテーパ部の先には外向きの取付フランジ
が設けられ、一方、前記スペーサおよび前記押さえ板は
リング状に構成されて前記取付フランジにボルト止めさ
れるように構成されていると共に、前記取付フランジに
は、前記ホルダの外周面に前記弾性膜を圧接するための
リング状の押さえ部材が取り付けられるようになってい
ることを特徴とする。この鏡面研磨装置によれば、ホル
ダの外周面に前記弾性膜を圧接するためのリング状の押
さえ部材が取り付けられているので、当該部分で流体漏
れが防止され、適切な圧力でもって薄板を研磨手段に押
し付けることが可能となる。
る薄板の鏡面研磨装置の実施形態を説明する。図1は、
この鏡面研磨装置の押圧部材およびその周辺部品の左半
部を切り欠いて示す正面図、図2は押圧部材およびその
周辺部品の分解斜視図である。
おり、この押圧部材1は、鏡面研磨装置の本体(図示せ
ず)に回転可能に支持されたシャフト2を有している。
このシャフト2の下側には、皿型状のホルダ3がボルト
止めされている。
いる。そして、この凹部3aを閉塞するように弾性膜1
0が取り付けられ、その閉塞された空間が流体溜めとな
っている。前記凹部3a内には、シャフト2およびホル
ダ3の中央に穿設した流体流路4が開口している。この
流体流路4は流体給排装置(図示せず)に連通されてお
り、この流体流路4を通じて凹部3aに対して流体が給
排されるようになっている。
けて拡開するようにテーパが付けられている。また、ホ
ルダ3にはテーパ部の上に取付フランジ5が設けられて
いる。そして、この取付フランジ5には、スペーサ6
と、このスペーサ6との間で前記弾性膜10の端部を挟
持するための挟持板8とが、ボルトによって、取り付け
られるようになっている。
に外側からゆるく嵌合できるようにリング状に構成され
ている。このスペーサ6は、弾性膜10の張り具合を調
整するためのものであり、張り具合を調整するため種々
の厚さのものが用意される。一方、挟持板8もスペーサ
6と同じようにリング状に構成され、ホルダ3の外周部
に外側からゆるく嵌合できるようになっている。この挟
持板8と前記スペーサ6とは、図3に示すように、弾性
膜10を挟んだ状態で、ボルト15によって、ホルダ3
の取付フランジ5に取り付けられる。このような構造と
するため、スペーサ6および挟持板8の対応部分にねじ
孔を設けると共に、弾性膜10にも孔を設けている。な
お、図1において符号16はOリングを示している。
さえリング11が取り付けられている。この押さえリン
グ11の内周面には、ホルダ3の外周面と同じ大きさの
テーパが付けられている。また、押さえリング11上面
の外周部分には、その押さえリング11の外周に沿って
等間隔に起立部11aが計8個設けられている。そし
て、押さえリング11は、この起立部11aの所で、ボ
ルト11bによって取付フランジ5に取り付けられる。
グ状のテンプレート12が取り付けられる。このテンプ
レート12は、ホルダ3の底の凹部3aを画成する壁の
下側に位置するように弾性膜10に取り付けられる。こ
のテンプレート12は、研磨後のウェーハWの厚さを規
制するために用いられる。
説明する。まず、スペーサ6と挟持板8とを、弾性膜1
0を挟んだ状態で、ボルト15によって、ホルダ3の取
付フランジ5に取り付ける。この際、スペーサ6とし
て、弾性膜10が所望の張りとなるような厚さのものを
選択する。次いで、ホルダ3の取付フランジ5に、ボル
ト11bによって、押さえリング11を取り付ける。さ
らに、所定の厚さのテンプレート12を弾性膜10の下
側に接着する。次に、弾性膜10のテンプレート12に
区画される部分にウェーハWを密着させる。このウェー
ハWの密着は、例えばウェーハWの上面を水で濡らして
おき、その濡れた面を弾性膜10に密着させることによ
って行われる。次いで、流体給排装置によって凹部3a
内の圧力を所定の圧力とすると共に、シャフト2を下方
に動作させて、ウェーハWを定盤20の研磨布21に押
し付ける。そして、研磨剤を供給しつつ定盤20を回転
させて、シャフト2の供回りによりウェーハWを回転さ
せることにより、ウェーハWを鏡面研磨する。
ば、スペーサ6の厚さによって、弾性膜10の張り具合
を調整でき、しかも、弾性膜10の張り具合を均一にす
ることができるので、ウェーハWを均一に鏡面研磨する
ことができることになる。また、ホルダ3の外周面に弾
性膜10を圧接するためのリング状の押さえ部材が取り
付けられているので、当該部分で流体漏れが防止され、
適切な圧力でもってウェーハWを研磨布21に押し付け
ることが可能となる。
が、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において種々の変形が可
能であることはいうまでもない。
薄板を保持し、その薄板を前記押圧部材により研磨手段
に押し付けて当該研磨手段によって研磨するように構成
された、薄板の鏡面研磨装置において、前記薄板を保持
する面を柔軟性のある弾性膜で構成すると共に、この弾
性膜をスペーサと押さえ板で挟持した状態で前記押圧部
材またはその添付部品に取り付けて、前記スペーサによ
って前記弾性膜の張り具合を調整する一方で、前記薄膜
の背後に流体供給手段によって背圧を加えることによっ
て、前記薄板の前記研磨手段への押付け圧を調整するよ
うにしたので、スペーサの厚さによって、弾性膜の張り
具合を調整でき、しかも、弾性膜の張り具合を均一にす
ることができるので、薄板を均一に鏡面研磨することが
できることになる。
の押圧部材およびその周辺を示す図である。
ある。
面図である。
を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 回転可能な押圧部材に設けられた薄板保
持部に薄板を保持し、この薄板を前記押圧部材により研
磨手段に押し付けて研磨するように構成された、薄板の
鏡面研磨装置において、前記薄板を保持する面を柔軟性
のある弾性膜で構成すると共に、この弾性膜をスペーサ
と押さえ板で挟持した状態で前記押圧部材またはその取
付部品に取り付けて、前記スペーサによって前記弾性膜
の張り具合を調整する一方で、前記薄膜に流体供給手段
によって背圧を加えることによって、前記薄膜に保持さ
れた前記薄板の前記研磨手段への押付け圧を調整するよ
うにしたことを特徴とする薄板の鏡面研磨装置。 - 【請求項2】 前記押圧部材は回転可能なシャフトと、
このシャフトの下側に取り付けられたホルダとを備え、
このホルダの外周面には前記研磨手段から離反する方向
に向けて拡開するようにテーパが付けられており、この
テーパ部の先には取付フランジが設けられ、一方、前記
スペーサおよび前記押さえ板はリング状に構成されて前
記取付フランジにボルト止めされるように構成されてい
ると共に、前記取付フランジには、前記ホルダの外周面
に前記弾性膜を圧接するためのリング状の押さえ部材が
取り付けられるようになっていることを特徴とする請求
項1記載の薄板の鏡面研磨装置。
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Publications (2)
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ID=16970271
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP23439196A Expired - Fee Related JP3663767B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 薄板の鏡面研磨装置 |
Country Status (4)
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| EP (1) | EP0827811A1 (ja) |
| JP (1) | JP3663767B2 (ja) |
| MY (1) | MY121995A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
| JPH10156705A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
| TW434095B (en) * | 1997-08-11 | 2001-05-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| JPH11226865A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-08-24 | Speedfam Co Ltd | キャリア及びcmp装置 |
| FR2778129B1 (fr) * | 1998-05-04 | 2000-07-21 | St Microelectronics Sa | Disque support de membrane d'une machine de polissage et procede de fonctionnement d'une telle machine |
| US6251215B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
| US6210255B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
| US6159079A (en) * | 1998-09-08 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
| US6244942B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure |
| US6277014B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing |
| US6165058A (en) * | 1998-12-09 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
| US6422927B1 (en) | 1998-12-30 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
| US6162116A (en) * | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
| US6431968B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a compressible film |
| US6358121B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring |
| US6241593B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressurizable bladder |
| US6494774B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressure transfer mechanism |
| US6855043B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a modified flexible membrane |
| KR100346111B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2002-08-01 | 삼성전자 주식회사 | 광도파로 칩 연마용 홀더 장치 |
| US6663466B2 (en) | 1999-11-17 | 2003-12-16 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detector |
| US6361419B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable edge pressure |
| US6450868B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multi-part flexible membrane |
| US6722965B2 (en) | 2000-07-11 | 2004-04-20 | Applied Materials Inc. | Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area |
| US6857945B1 (en) | 2000-07-25 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber carrier head with a flexible membrane |
| US7198561B2 (en) * | 2000-07-25 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Flexible membrane for multi-chamber carrier head |
| US20040005842A1 (en) * | 2000-07-25 | 2004-01-08 | Chen Hung Chih | Carrier head with flexible membrane |
| US6890249B1 (en) | 2001-12-27 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with edge load retaining ring |
| US6872130B1 (en) | 2001-12-28 | 2005-03-29 | Applied Materials Inc. | Carrier head with non-contact retainer |
| US6841057B2 (en) * | 2002-03-13 | 2005-01-11 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for substrate polishing |
| US7001245B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-02-21 | Applied Materials Inc. | Substrate carrier with a textured membrane |
| US7255771B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone carrier head with flexible membrane |
| US7101272B2 (en) * | 2005-01-15 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for thermal drift compensation |
| US7494404B2 (en) * | 2006-02-17 | 2009-02-24 | Chien-Min Sung | Tools for polishing and associated methods |
| US7241206B1 (en) | 2006-02-17 | 2007-07-10 | Chien-Min Sung | Tools for polishing and associated methods |
| US7651384B2 (en) * | 2007-01-09 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method and system for point of use recycling of ECMP fluids |
| CN103252711B (zh) * | 2008-03-25 | 2016-06-29 | 应用材料公司 | 改良的承载头薄膜 |
| KR101607099B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2016-03-29 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마 헤드 및 연마 장치 |
| US10160093B2 (en) | 2008-12-12 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane roughness to control polishing rate |
| CN117124231A (zh) * | 2023-09-11 | 2023-11-28 | 重庆水轮机厂有限责任公司 | 一种水轮机镜板研磨修复工具 |
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| JPH0569310A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | ウエーハの鏡面研磨装置 |
| US5230184A (en) * | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
| US5205082A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
| US5624299A (en) * | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
| US5423716A (en) * | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
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