JPH107906A

JPH107906A - ポリアミド酸系ワニス、このワニスを用いて作られた液晶配向膜、およびこの配向膜を用いた液晶表示素子

Info

Publication number: JPH107906A
Application number: JP18113996A
Authority: JP
Inventors: Itsuo Shimizu; 五男雄清水; Haruo Kato; 春雄加藤; Shizuo Murata; 鎮男村田
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1996-06-21
Filing date: 1996-06-21
Publication date: 1998-01-13

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、電気特性に優れ、着色が少なく、
透明性に優れたポリイミド膜の得られる新規なポリアミ
ド酸系ワニス、このワニスを用いて作られた液晶配向
膜、およびこの配向膜を用いた液晶表示素子を提供する
ものである。【解決手段】本発明の骨子はポリイミドあるいはポリ
イミド前駆体であるポリアミド酸のジアミン成分とし
て、ビス（アミノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタンを用いることにある。このようなジアミンを用い
たポリアミド酸、ポリイミド、あるいは部分的にイミド
化したポリアミド酸ポリマ−を含有するワニスを用いる
ことにより、電気特性に優れ、着色が少なく、透明性に
優れたポリイミド膜を得る出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶配向膜、カラ
ーフィルター基材等に好適な新規なポリイミド、このポ
リイミドの前駆体であるポリアミド酸、及び部分的にイ
ミド化したポリアミド酸を含有するワニス、このワニス
を用いて作成した液晶配向膜、及びこの液晶配向膜を有
する液晶表示素子に関するものである。

【０００２】

【背景技術】液晶表示装置は、低電圧駆動、低消費電
圧、薄型構造、軽量等の特徴を有し、多くの分野で使用
されている。近年では、各画素ごとに能動素子を付加し
たアクテイブマトリックス型表示装置が開発され、能動
素子としてはＭＩＭ（金属−絶縁相−金属）素子、ＴＦ
Ｔ（電界効果型薄膜トランジスタ−）素子等が用いられ
るようになってきた。これらの表示装置に共通する問題
として、同一画面を長時間表示した後に他の画面に移る
と、前の画面が残像として残る現象があり、高品位の液
晶表示装置を得るためには、この残像現象を解消する事
が重要である。特に、ＴＦＴ素子においては、素子の特
性上、印加電圧のＤＣ成分を除去することが出来ないの
で、単純マトリックス型の表示装置よりも残像が目立ち
易く、問題となっている。又、ＴＦＴ素子では、画面の
ちらつきを防止するために高い電圧保持率が要求され
る。液晶表示素子の配向膜材料としては、現在その殆ど
がポリイミド系のポリマ−が用いられている。その代表
的なポリマ−としては、特開昭５１−６５９６０に記載
が見られるイミド結合により構成されるポリイミド、ア
ミド結合とイミド結合により構成されるポリアミドイミ
ド、およびエステル結合とイミド結合により構成される
ポリエステルイミドが例示できる。これらのポリマー
内、ジアミン成分に芳香族系ジアミンを用いたポリイミ
ド配向膜は、電圧保持率が小さく、残留電荷が大きいと
いう欠点を有する。さらに、ポリイミド膜を液晶配向膜
として使用する場合、通常ポリイミド膜の表面をラビン
グする配向処理を行うが、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン化合物との組み合わせによっては、配向処理時
に基板からポリイミド膜が剥がれてしまうという問題が
ある。また、ポリイミドには配向膜以外に保護膜、絶縁
膜、カラ−フィルタ−基材等の用途がある。これらの用
途では、無着色のポリイミドが好まれるが、一般にポリ
イミドは黄色に着色しやすいという問題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、電圧保持率が高く、かつ残留電荷の小さな液晶表示
素子を与える配向膜を提供することにあり、本発明の他
の目的は着色の少ないポリイミドを提供する事でる。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明らは上記の目的を
達成するため鋭意研究を重ねた結果、テトラカルボン酸
二無水物とジアミンとを縮合させてポリイミドを製造す
るに際し、ジアミンとして一般式（１）で表されるビス
（アミノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンを
主成分とするジアミンをを用いることにより所期の目的
が達せられることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。

【０００５】

【化２】

【０００６】本発明では、ポリイミドの原料に用いるテ
トラカルボン酸二無水物には格別の制限はなく、従来公
知の各種のポリアミドの製造に使用される、芳香族系テ
トラカルボン酸二無水物、脂肪族系テトラカルボン酸二
無水物、脂環式テトラカルボン酸二無水物、骨格構造中
に脂環式構造と芳香族構造とを有するテトラカルボン酸
二無水物、骨格構造中に脂肪族構造と脂環式構造とを有
するテトラカルボン酸二無水物、骨格構造中に芳香族構
造と脂肪族構造とを有するテトラカルボン酸二無水物等
がいずれも使用出来る。また、これらのテトラカルボン
酸二無水物は、ハロゲン、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、水酸基等の置換基を有するものであってもよ
く、環構造は複素環であっても良い。さらに、これらの
酸二無水物は、単一の化合物を使用してもよく、複数の
化合物を併用する事もできる。テトラカルボン酸二無水
物として下記の化合物を例示する。

【０００７】ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３、
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，
２，５，６−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，６，７−ナフタリンテトラカルボン酸二無水
物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサンテト
ラカルボン酸二無水物、シクロオクタンテトラカルボン
酸二無水物、ビシクロオクタンテトラカルボン酸二無水
物、ビシクロ［２．２．２］−オクト−７−エン２，
３，５，６−二無水物、２，３，５−トリカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物、３，５，６−トリカルボキ
シノルボルナン−２−酢酸無水物、テトラヒドロフラン
テトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二
無水物。さらに、下記のような複合環系のテトラカルボ
ン酸二無水物、及びシロキサン構造を有するテトラカル
ボン酸二無水物を使用することができる。

【０００８】

【化３】

【０００９】本願発明において、ビス（アミノメチル）
−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンを主成分とするジア
ミンとは、ジアミンがビス（アミノメチル）−ビシクロ
［２．２．１］ヘプタンのみからなる場合、及びビス
（アミノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンと
他のジアミンとを併用する場合を意味する。本願発明で
ジアミンの主成分として用いる、一般式（１）で表され
るビス（アミノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプ
タンジアミンを具体的に示せば、２、５−ビス（アミノ
メチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２、６−
ビス（アミノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ
ン、２、３−ビス（アミノメチル）−ビシクロ［２．
２．１］ヘプタン、である。これらのジアミンは、それ
ぞれ単独で使用することができるが、混合物として使用
することもできる。本発明では、本発明の効果を損なわ
ない限りにおいて、上記のビス（アミノメチル）−ビシ
クロ［２．２．１］ヘプタンに他のジアミンの１種以上
を併用することができる。そのような他のジアミンの例
を以下に記載するが、これに限定されるものではない。

【００１０】エチレンジアミンプロピレンジアミン１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］−４−メチルシクロヘキサン、
１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４ーエチルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−ｎプロピル
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−ｎブチルシクロヘキサン、
１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−ｎペンチルシクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−ｎヘ
キシルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−ｎヘプチルシクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−ｎオクチルシクロヘキサン、

【００１１】２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ペンタン、２，
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘ
キサン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］ヘプタン、２，２−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］オクタン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ノナン、２，２−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］デカ
ン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］ドデカン、１，１−ビス［４−（４ーアミノベン
ジル）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４ーアミノベンジル）フェニル］−４−メチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス［４−（４ーアミノベンジル）
フェニル］ー４ーエチルシクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（４ーアミノベンジル）フェニル］−４−ｎプロ
ピルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４ーアミノ
ベンジル）フェニル］−４−ｎブチルシクロヘキサン、
１，１−ビス［４−（４ーアミノベンジル）フェニル］
−４−ｎペンチルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４ーアミノベンジル）フェニル］−４−ｎヘキシルシ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４ーアミノベンジ
ル）フェニル］−４−ｎヘプチルシクロヘキサン、１，
１−ビス［４−（４ーアミノベンジル）フェニル］−４
−ｎオクチルシクロヘキサン、

【００１２】１，１−ビス［４−（４ーアミノベンジ
ル）フェニル］メタン、４，４’−ジアミノフェニルエ
ーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタ４，４’−
ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、４，４’−ジ（メタ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルスルホン、４，４’−（パラ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン、オルト−フェニレン
ジアミン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フ
ェニレンジアミン、ベンジジン、２，２’−
ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾ
フェノン、４，４’−ジアミノジフェニル−２，２−プ
ロパン、１，５−ジアミノナフタレン、１，８−ジ
アミノナフタレン、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサメチルプロパン、

【００１３】１，４−ジアミノシクロヘキサン、
１，４−ジアミノジシクロヘキサン、４，４’−ジアミ
ノジシクロヘキシルメタン、４，４’−ジアミノジシク
ロヘキシルプロパン、２，３−ジアミノビシクロ［２．
２．１］ヘプタン、２，５−ジアミノビシクロ［２．
２．１］ヘプタン、２，６−ジアミノビシクロ［２．
２．１］ヘプタン、２，７−ジアミノビシクロ［２．
２．１］ヘプタン、さらに、下記の一般式で示される様
なシロキサン系ジアミンを例示する。

【００１４】

【化４】

【００１５】（式中、Ｒはフェニレン基またはアルキレ
ン基を表し、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を表
し、ｍは正の整数を表す。）。また、ポリマ−と基板との接着性を向上させる目的で、
パラアミノフェニルトリメトキシシラン等のシロキサン
系モノアミンを併用する事も可能である。

【００１６】上記のテトラカルボン酸二無水物、ビス
（アミノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、
及び必要に応じて他のジアミンを、非プロトン性極性溶
媒中で縮合反応させてポリイミド前駆体を得る。そのよ
うな溶剤として、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、
Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、γ−
ブチルラクトン、を例示することができる。全テトラカ
ルボン酸二無水物と全ジアミンとの使用割合は、酸とア
ミンがほぼ当量となるようにすることが好ましいが、数
％以下であれば酸を過剰に使用することもできる。重合
反応は、通常ポリイミド前駆体の製造に利用される条件
に準じて行えば良く、反応温度を６０℃以下好ましくは
３０℃に制御しながら、１〜１０時間反応させる。この
ようにして得られたポリイミド前駆体溶液は、ポリアミ
ド酸を主成分とし、これにポリイミド、および部分的に
イミド化したポリアミド酸を含有する。

【００１７】本発明においては、上記のポリイミド前駆
体溶液に前記の各種の溶剤を適宜添加して粘度を調節す
ることにより、本発明のワニスとして使用することがで
きる。また、ガラス基板への塗布性を改良する目的で、
ブチルセロソルブ、エチルカルビト−ル、トリエ
チレングリコ−ルモノメチルエ−テル、テトラエチレン
グリコ−ルモノアルキルエ−テル、プロピレングリコ−
ルモノブチルエ−テル、プロピレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジプロピレングリコ−ルモノブチルエ−テ
ル３−メトキシ，３−メチルブタノ−ルシクロヘキサノンブチロラクトン乳酸エチル、乳酸ブチル、マロン酸ジエチル、マロン酸
ジブチルシクロヘキサノン等の溶剤を添加することができる。

【００１８】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を説
明する。セルの作成：ＩＴＯ電極付基板に、スピンナ−（１００
０ｒｐｍにて１０秒間回転）を用いてワニスを塗布し、
８０℃にて５分間乾燥した後、２００℃にて９０分間焼
成した。ワニス塗布面をラビング装置にてラビングして
配向処理し、塗膜面を内側にしてギャップ７μｍのアン
チパラレルセルを作成した。このセルに液晶（ＴＦＴ用
液晶：ＦＢ−０１：チッソ（株）製）を注入し、注入口
を封止した後、１２０℃で５０分間アイソトロピック処
理し、室温まで放冷した。配向性の評価：上記のようにして作成したセルを基板の
上下に偏光板を配して、目視にて配向性を観察した。

【００１９】電気特性の評価：（１）残留電荷；液晶セルに２５ｍＶ、１ＫＨＺの交流
を印加し、これに周波数０．００３６ＨＺの直流の三角
波（以下、単にＤＣ電圧と呼ぶ）を重畳させ、ＤＣ電圧
を−１０Ｖから＋１０Ｖの範囲で掃引し、セルの電気容
量の変化測定する。掃引の行きと帰りで生じるセルの電
気容量のヒステリシスの幅（電圧差）を残留電荷とし
た。その具体的な算出方法は図１に示し、計算は次式に
よって算出した。残留電荷＝（｜α1−α2｜＋｜α3−α4｜）／２（２）電圧保持率；図２に示した回路で測定した。パル
ス幅６９μs、周波数６０Ｈｚ、波高±４．５Ｖの矩形
波（Ｖｓ）のゲート信号をソース電極に印加し、発生す
るドレイン電圧の変化をオシロスコ−プでで読み取る。
ソ−スに正の信号が印加された後次に負の矩形波が印可
されるまでの間、ドレイン電圧（Ｖｄ）は正の値を示
し、負の信号が印加された時点で負の値に反転する。セ
ルの電圧保持率が１００％であれば、Ｖｄは図３に点線
で示したように一定の値を保つが、電圧保持率が小さい
場合には実線で示したように徐々に減少する。測定した
Ｖｄの積分値（＝斜線部分）と電圧が全く減少しない場
合の積分値との相対値（％）を電圧保持率として表示し
た。着色：分光光度計を用い、セル厚１０ｍｍで、ポリマー
濃度１６重量％のワニスの可視領域の透過率を測定し、
４００ｎｍにおける透過率（％）の値を表１に示した。

【００２０】実施例１１）母液１の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、２，５（２，
６）−ビス（アミノメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン２．０１５９ｇのＮ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）２６．２５０ｇ溶液に、ピロメリット酸２．８９９
０ｇを加え、室温で８時間撹拌した後、パラアミノフェ
ニルトリメトキシシラン０．０８５０ｇを添加し、さら
に室温で２時間反応させて、ポリマ−含量１６重量％の
母液１を得た。ＧＰＣによれば、こうして得られた母液
１のポリマーの重量平均分子量は約６．３万であった。２）ワニス１の調合母液１の０．９３８ｇにＮＭＰ１．５６３ｇ及びＢＣ
２．５００ｇを加えて、下記の組成のワニス１を調合し
た。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）試験結果このワニス１を用いて作成したセルでは、液晶は均一に
配向している事が確認された。このセルの残留電荷及び
電圧保持率の試験結果を表１に示す。

【００２１】実施例２１）母液２の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、２，５（２，
６）−ビス（アミノメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン３．４０６５ｇのＮＭＰ４２．０００ｇ溶液に、
ブタンテトラカルボン酸二無水物４．４４９８ｇを加
え、室温で８時間攪拌して反応させた後、パラアミノフ
ェニルトリメトキシシラン０．１４３７ｇを添加し、さ
らに室温で２時間反応させて、ポリマ−含量１６％の母
液２を得た。ＧＰＣによれば、こうして得られた母液２
のポリマーの重量平均分子量は約６．９万であった。２）ワニス２の調合母液２にＮＭＰ及びＢＣを加えて、下記の組成のワニス
２を調合した。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）試験結果このワニス２を用いて作成したセルでは、液晶は均一に
配向している事が確認された。このセルの残留電荷及び
電圧保持率の試験結果を表１に示す。

【００２２】実施例３１）母液３の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、２，５（２，
６）−ビス（アミノメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン２．２８４０ｇのＮＭＰ２８．０００ｇ溶液に、
シクロブタン酸二無水物２．９５００ｇを加え、室温で
８時間攪拌して反応させた後、パラアミノフェニルトリ
メトキシシラン０．１４３７ｇを添加し、さらに室温で
２時間反応させて、ポリマ−含量１６％の母液３を得
た。ＧＰＣによれば、こうして得られた母液３のポリマ
ーの重量平均分子量は約８．５万であった。２）ワニス３の調合母液３にＮＭＰ及びＢＣを加えて、下記の組成のワニス
３を調合した。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）試験結果このワニス３を用いて作成したセルでは、液晶は均一に
配向している事が確認された。このセルの残留電荷及び
電圧保持率の試験結果を表１に示す。

【００２３】比較例１１）母液４の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
５．１４０７ｇのＮＭＰ４２．０００ｇ溶液にピロメリ
ット酸２．７７７８ｇをを加え、室温で８時間攪拌して
反応させた後、パラアミノフェニルトリメトキシシラン
を０．０８１５ｇを添加し、さらに室温で２時間反応さ
せて、ポリマ−含量１６％の母液４を得た。ＧＰＣによ
れば、こうして得られた母液４のポリマーの重量平均分
子量は約８．９万であった。２）ワニス４の調合母液４にＮＭＰ及びＢＣを加えて、下記の組成のワニス
４を調合した。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）試験結果このワニス４を用いて作成したセルでは、液晶は均一に
配向した。このセルの残留電荷及び電圧保持率の試験結
果を表１に示す。

【００２４】比較例２１）母液５の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
５．１８５８ｇのＮＭＰを４２．０００ｇ溶液に、ブタ
ン酸二無水物２．６０６１ｇ加え、室温で８時間攪拌し
て反応させた後、パラアミノフェニルトリメトキシシラ
ンを０．０８２２ｇを添加し、さらに室温で２時間反応
させて、ポリマ−含量１６％の母液５を得た。ＧＰＣに
よれば、こうして得られた母液５のポリマーの重量平均
分子量は約９．８万であった。２）ワニス５の調合母液５にＮＭＰ及びＢＣを加えて、下記の組成のワニス
５を調合した。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）試験結果このワニス５を用いて作成したセルでは、液晶は均一に
配向した。このセルの残留電荷及び電圧保持率の試験結
果を表１に示す。

【００２５】比較例３１）母液６の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、４，４’−ジ
アミノフェニルエ−テル３．７３７８ｇのＮＭＰ４２．
０００ｇ溶液に、ピロメリット酸４．１４０８ｇを加
え、室温で８時間攪拌して反応させた後、パラアミノフ
ェニルトリメトキシシラン０．１２１５ｇを添加し、さ
らに室温で２時間反応させて、ポリマ−含量１６％の母
液６を得た。ＧＰＣによれば、こうして得られた母液６
のポリマーの重量平均分子量は約１０．５万であった。２）ワニス６の調合母液６にＮＭＰ及びＢＣを加えて、下記の組成のワニス
６を調合した。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）試験結果このワニス６を用いて作成したセルでは、液晶は均一に
配向した。このセルの残留電荷及び電圧保持率の試験結
果を表１に示す。

【００２６】比較例４１）母液７の製造セパラブルフラスコ内、窒素雰囲気下で、ジアミンにビ
シクロ［２．２．１］ヘプタン−２、５−ジアミン５．
６９００ｇのＮＭＰ８４．１１１ｇ溶液に、ピロメリッ
ト酸１０．０１１０ｇを加えて、室温で８時間攪拌して
反応させた後、パラアミノフェニルトリメトキシシラン
０．２９４０ｇを添加し、さらに室温で２時間反応させ
て、ポリマ−含量１６％の母液７を得た。こうして得ら
れた該ワニスのＧＰＣによる重量平均分子量は約８．５
万であった。２）ワニス７の調合母液７にＮＭＰ及びＢＣを加えて、下記の組成のワニス
７を調合した。ポリマ−濃度３．０％ＮＭＰ４７．０％ブチルセロソルブ５０．０％３）セルの作成実施例１と同様に基板にワニス７を塗布し、焼成した
後、ラビング処理を行ったが、ラビング時にポリイミド
膜が基板から剥がれたため、セルの電気特性を評価する
事が出来なかった。本発明のワニスで使用するポリアミ
ドでは、原料のジアミンの−ＣＨ2−ＮＨ2基の−ＣＨ2
−部分が、ラビングという外力に対して有利に作用して
いるものと思われる。

【００２７】

【表１】

【００２８】

【発明の効果】本発明のワニスを用いて作成した液晶配
向膜は、ポリアミドのジアミン成分にビス（アミノメチ
ル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンを用いることに
より、電圧保持率が高くかつ残留電荷が非常に小さな液
晶表示素子を作成することができた。これは、とりわけ
電気特性の面で要求が厳しいＴＦＴ表示素子用の配向膜
として好適である。また、本発明のワニスを用いるによ
り、無色透明なポリイミド膜が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】残留電荷の測定方法を示す図。

【図２】電圧保持率の測定方法を示す図。

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【手続補正書】

【提出日】平成８年８月２７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】残留電荷の測定方法を示す図。

【図２】電圧保持率の測定方法を示す図。

【図３】電圧保持率の測定方法を示す図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】テトラカルボン酸二無水物とジアミンと
を縮合せせて得られるポリアミド酸、部分的にイミド化
したポリアミド酸、及びポリイミドを含有するワニスで
あって、ジアミンが一般式（１）で表されるビス（アミ
ノメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンを主成分
とするジアミンであることを特徴とするワニス。【化１】
【請求項２】テトラカルボン酸二無水物が芳香族系テ
トラカルボン酸二無水物である請求項１に記載のワニ
ス。
【請求項３】テトラカルボン酸二無水物が脂肪族（脂
環式も含む）系テトラカルボン酸二無水物である請求項
１に記載のワニス。
【請求項４】テトラカルボン酸二無水物がシロキサン
系テトラカルボン酸二無水物である請求項１に記載のワ
ニス。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載のワ
ニスを用いて作成した液晶配向膜。
【請求項６】請求項５記載の液晶配向膜を有する液晶
表示素子。