JPH1079301A - チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 - Google Patents
チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造Info
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- JPH1079301A JPH1079301A JP8235320A JP23532096A JPH1079301A JP H1079301 A JPH1079301 A JP H1079301A JP 8235320 A JP8235320 A JP 8235320A JP 23532096 A JP23532096 A JP 23532096A JP H1079301 A JPH1079301 A JP H1079301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で量産性に優れた省工程により、しかも
ヒューズ部における溶断性を十分なチップ型ヒューズ抵
抗器を提供すること。ヒューズ部と抵抗部からなる抵抗
膜を単一材料とし、そのためにヒューズ部を抵抗部より
も、厚さを溶断特性を良好にする範囲で、薄肉にした。 【解決手段】 チップ型ヒューズ抵抗器の、ヒューズ部
と抵抗部とからなる抵抗膜を単一のルテニウム系材料と
し、しかもこのルテイウム系材料の下の絶縁基板上にグ
レーズ層を形成したことを特徴とする。また、上記チッ
プ型抵抗器における電極構造を、下からルテニウム系材
料層、Ａｇ電極膜、およびスズ−鉛合金膜としたことを
特徴とする。
ヒューズ部における溶断性を十分なチップ型ヒューズ抵
抗器を提供すること。ヒューズ部と抵抗部からなる抵抗
膜を単一材料とし、そのためにヒューズ部を抵抗部より
も、厚さを溶断特性を良好にする範囲で、薄肉にした。 【解決手段】 チップ型ヒューズ抵抗器の、ヒューズ部
と抵抗部とからなる抵抗膜を単一のルテニウム系材料と
し、しかもこのルテイウム系材料の下の絶縁基板上にグ
レーズ層を形成したことを特徴とする。また、上記チッ
プ型抵抗器における電極構造を、下からルテニウム系材
料層、Ａｇ電極膜、およびスズ−鉛合金膜としたことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップ型ヒューズ抵
抗器、特にそのヒューズ性を有する抵抗膜の材料と、チ
ップ型ヒューズ抵抗器の電極構造に関する。
抗器、特にそのヒューズ性を有する抵抗膜の材料と、チ
ップ型ヒューズ抵抗器の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】いままで、ヒューズ部と抵抗部を異種の
材料で分離してなるチップ型ヒューズ抵抗器があり、ま
たヒューズ部を有しない単なるチップ型抵抗器の抵抗膜
に酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）系のペーストを均一の厚
さで印刷・焼成して用いたものがある。
材料で分離してなるチップ型ヒューズ抵抗器があり、ま
たヒューズ部を有しない単なるチップ型抵抗器の抵抗膜
に酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）系のペーストを均一の厚
さで印刷・焼成して用いたものがある。
【０００３】上記後者のチップ型抵抗器における、単な
る抵抗膜のみからなる酸化ルテニウムは、電極との関係
で、電極がＡｕやＡｇ−Ｐｔ系、Ａｇ−Ｐｄ系の場合に
その拡散を防止し、抵抗の特性の劣化を防止するといっ
た単なるチップ型抵抗器では意味があったが、ヒューズ
部を有するチップ型抵抗器の場合にはヒューズ部の過負
荷による発炎、発火、炸裂等が生じ、そのために集積回
路基板上の他の部品へのダメージを及ぼすというチップ
型ヒューズ抵抗器の問題点を解決したものではない。特
に、このヒューズ部の発炎、発火、炸裂は、近年の電子
機器の回路の小型化にともなって上記ダメージはより深
刻であり、集積回路の低価格化とも相俟って上記問題点
を増幅している。
る抵抗膜のみからなる酸化ルテニウムは、電極との関係
で、電極がＡｕやＡｇ−Ｐｔ系、Ａｇ−Ｐｄ系の場合に
その拡散を防止し、抵抗の特性の劣化を防止するといっ
た単なるチップ型抵抗器では意味があったが、ヒューズ
部を有するチップ型抵抗器の場合にはヒューズ部の過負
荷による発炎、発火、炸裂等が生じ、そのために集積回
路基板上の他の部品へのダメージを及ぼすというチップ
型ヒューズ抵抗器の問題点を解決したものではない。特
に、このヒューズ部の発炎、発火、炸裂は、近年の電子
機器の回路の小型化にともなって上記ダメージはより深
刻であり、集積回路の低価格化とも相俟って上記問題点
を増幅している。
【０００４】また、上記前者の場合における異種の材料
で分離したチップ型ヒューズ抵抗器として酸化ルテニウ
ムを採用したものもあるが、これはヒューズ抵抗器の厚
膜抵抗部にのみ使用したもので、溶断するヒューズ部と
しては従来通り金、銀、白金、ロジウム、パラジウム等
の金属有機ペーストを薄膜溶断部として異種材料を各別
に機能されたもので、酸化ルテニウムにより溶断性をも
たせたものではない。したがって、この従来構造はヒュ
ーズ部における熱集中による溶断機能を金属有機ペース
トに持たせて、発炎を防止し、厚膜抵抗部は酸化ルテニ
ウムを用いたものである。作り方としては、厚膜抵抗部
をスクリーン印刷法により、薄膜ヒューズ部をスクリー
ン印刷法及び／又はフォトエッチング法といった別々の
工程で製作するためにコスト高は避けられず、上記低価
格化に沿わないだけでなく、高い抵抗値に対応できない
といった問題点を残している。
で分離したチップ型ヒューズ抵抗器として酸化ルテニウ
ムを採用したものもあるが、これはヒューズ抵抗器の厚
膜抵抗部にのみ使用したもので、溶断するヒューズ部と
しては従来通り金、銀、白金、ロジウム、パラジウム等
の金属有機ペーストを薄膜溶断部として異種材料を各別
に機能されたもので、酸化ルテニウムにより溶断性をも
たせたものではない。したがって、この従来構造はヒュ
ーズ部における熱集中による溶断機能を金属有機ペース
トに持たせて、発炎を防止し、厚膜抵抗部は酸化ルテニ
ウムを用いたものである。作り方としては、厚膜抵抗部
をスクリーン印刷法により、薄膜ヒューズ部をスクリー
ン印刷法及び／又はフォトエッチング法といった別々の
工程で製作するためにコスト高は避けられず、上記低価
格化に沿わないだけでなく、高い抵抗値に対応できない
といった問題点を残している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】それでは安価な酸化ル
テニウムだけでヒューズ部と抵抗部とからなるヒューズ
器を作ってみてはどうかという考えもあるが、酸化ルテ
ニウムのみでは速断といった溶断特性は向上しないとい
うヒューズとしての根本的な欠点がある。
テニウムだけでヒューズ部と抵抗部とからなるヒューズ
器を作ってみてはどうかという考えもあるが、酸化ルテ
ニウムのみでは速断といった溶断特性は向上しないとい
うヒューズとしての根本的な欠点がある。
【０００６】一方、溶断特性のよい上記金、銀などの金
属有機ペーストのみを用いると抵抗値を高くすることが
困難となり、特に保護膜が有機物の樹脂である場合に発
炎が多発することになる。
属有機ペーストのみを用いると抵抗値を高くすることが
困難となり、特に保護膜が有機物の樹脂である場合に発
炎が多発することになる。
【０００７】そこで、本発明のチップ型ヒューズ抵抗器
の目的はヒューズ部と抵抗部をともに一種類の材料によ
り、製造工程の簡易化を図り、かつ一種類にした場合の
金属有機ペーストに較べてヒューズ部における溶断性の
悪いところを絶縁基板上に熱伝導性の低い材料層を形成
することで補い、さらに保護膜をガラス膜としたことに
よって、発炎などを防止して量産性の向上を図ることに
よって市場ニーズにあった安価なチップ型ヒューズ抵抗
器を提供せんとする。
の目的はヒューズ部と抵抗部をともに一種類の材料によ
り、製造工程の簡易化を図り、かつ一種類にした場合の
金属有機ペーストに較べてヒューズ部における溶断性の
悪いところを絶縁基板上に熱伝導性の低い材料層を形成
することで補い、さらに保護膜をガラス膜としたことに
よって、発炎などを防止して量産性の向上を図ることに
よって市場ニーズにあった安価なチップ型ヒューズ抵抗
器を提供せんとする。
【０００８】また、本発明の他の目的は、上記目的の基
で抵抗膜をルテニウム系材料一種類とし、このルテニウ
ムの溶断性の悪いところを絶縁基板上のヒューズ部と抵
抗部の厚さを異ならせることで補い、しかもルテニウム
系材料を用いることによる溶断特性（速断性と抵抗値を
高くする）を良好にした。
で抵抗膜をルテニウム系材料一種類とし、このルテニウ
ムの溶断性の悪いところを絶縁基板上のヒューズ部と抵
抗部の厚さを異ならせることで補い、しかもルテニウム
系材料を用いることによる溶断特性（速断性と抵抗値を
高くする）を良好にした。
【０００９】本発明のその他の目的は、ヒューズ部の熱
集中による保護膜における発炎などを防止せんとする。
集中による保護膜における発炎などを防止せんとする。
【００１０】本発明の別の目的は、熱伝導率を低くした
グレーズ層を絶縁基板面上に、ルテニウム系材料で層状
に形成することによって、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，金，白金
合金ペーストなどの電極との密着性を良好にすると共
に、電極上のめっきつけ性を良好にしたチップ型ヒュー
ズ抵抗器を提供する。
グレーズ層を絶縁基板面上に、ルテニウム系材料で層状
に形成することによって、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，金，白金
合金ペーストなどの電極との密着性を良好にすると共
に、電極上のめっきつけ性を良好にしたチップ型ヒュー
ズ抵抗器を提供する。
【００１１】また、本発明のさらに別の目的は、ヒュー
ズ抵抗器の電極の層構造を、絶縁基板上のグレーズ層上
にＡｇ系電極層を形成すると互いの密着力が悪いという
欠点が生じるため、これらの間にルテニウム系材料の層
を介在することで解消し、しかもグレーズ層上にルテニ
ウム系を抵抗膜と同じように絶縁基板全面に施している
ので、電極部における新たなる工程が必要なく生産が向
上できるということも考慮した。
ズ抵抗器の電極の層構造を、絶縁基板上のグレーズ層上
にＡｇ系電極層を形成すると互いの密着力が悪いという
欠点が生じるため、これらの間にルテニウム系材料の層
を介在することで解消し、しかもグレーズ層上にルテニ
ウム系を抵抗膜と同じように絶縁基板全面に施している
ので、電極部における新たなる工程が必要なく生産が向
上できるということも考慮した。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的に鑑
みてなされたものであり、その要旨は絶縁基板と、保護
膜と、これらの間に挾まれたヒューズ部と抵抗部を備え
たヒューズ性を有する抵抗膜と、抵抗膜の両端に位置す
る電極と、を備えたチップ型ヒューズ抵抗器であって、
前記絶縁基板上にグレース層を形成するとともに、その
上の前記抵抗膜が薄膜のヒューズ部と厚膜の抵抗部をル
テニウム系材料とし、かつ前記保護膜をガラス膜とした
ことを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器にある。
みてなされたものであり、その要旨は絶縁基板と、保護
膜と、これらの間に挾まれたヒューズ部と抵抗部を備え
たヒューズ性を有する抵抗膜と、抵抗膜の両端に位置す
る電極と、を備えたチップ型ヒューズ抵抗器であって、
前記絶縁基板上にグレース層を形成するとともに、その
上の前記抵抗膜が薄膜のヒューズ部と厚膜の抵抗部をル
テニウム系材料とし、かつ前記保護膜をガラス膜とした
ことを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器にある。
【００１３】ここで、絶縁基板としては片面／又は両面
にスリットを入れたアルミナセラミック、ムライトや窒
化アルミなどが用いられる。
にスリットを入れたアルミナセラミック、ムライトや窒
化アルミなどが用いられる。
【００１４】上記保護膜にはエポキシ系やフェノール系
など従来から使用されている合成樹脂ではなく、ＣａＯ
−ＢａＯ−ＳｉＯ2系やＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の
ガラス膜を用いる。
など従来から使用されている合成樹脂ではなく、ＣａＯ
−ＢａＯ−ＳｉＯ2系やＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の
ガラス膜を用いる。
【００１５】また、ヒューズ性を有する抵抗膜としては
速断性かつ抵抗値を上げたという理由からルテニウム酸
鉛やルテニウム酸ビスマスなどのルテニウム系材料の各
一種類を用いるが、当然溶断するヒューズ部を抵抗部よ
り狭幅及び／又は抵抗部より膜厚を薄くする。ヒューズ
部と抵抗部の幅を略同じとすると、前者の膜厚を３μｍ
〜１０μｍ（３μｍ以下だと定格電流が確保できず、１
０μｍ以上だと溶断といったヒューズ機能が得られにく
い）といった場合に後者の膜厚はそれより５μｍ〜１５
μｍ厚くすることで良好な溶断特性が得られる。この場
合、５μｍ以下だと耐久性が悪く、１０μｍ以上だと速
断性が劣る。
速断性かつ抵抗値を上げたという理由からルテニウム酸
鉛やルテニウム酸ビスマスなどのルテニウム系材料の各
一種類を用いるが、当然溶断するヒューズ部を抵抗部よ
り狭幅及び／又は抵抗部より膜厚を薄くする。ヒューズ
部と抵抗部の幅を略同じとすると、前者の膜厚を３μｍ
〜１０μｍ（３μｍ以下だと定格電流が確保できず、１
０μｍ以上だと溶断といったヒューズ機能が得られにく
い）といった場合に後者の膜厚はそれより５μｍ〜１５
μｍ厚くすることで良好な溶断特性が得られる。この場
合、５μｍ以下だと耐久性が悪く、１０μｍ以上だと速
断性が劣る。
【００１６】上記グルーズ層は、ＣａＯ，ＳｉＯ2また
はこれらの混合物が考えられる。
はこれらの混合物が考えられる。
【００１７】さらに、ルテニウム系材料としては、ルチ
ル構造の酸化ルテニウムの他にパイロクロア構造のルテ
ニウム酸鉛などがある。
ル構造の酸化ルテニウムの他にパイロクロア構造のルテ
ニウム酸鉛などがある。
【００１８】本発明の別の要旨としては、絶縁基板と、
保護膜と、これらの間に挾まれたヒューズ部と抵抗部を
有するヒューズ性を有する抵抗膜と、抵抗膜の両端に位
置する電極と、を備えたチップ型ヒューズ抵抗器にあっ
て、前記電極が、絶縁基板のグレーズ層上にルテニウム
系材料を、その上にＡｇ系膜、さらにその最上層にスズ
−鉛合金などのめっきの層を形成したものであることを
特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器の電極構造がある。
保護膜と、これらの間に挾まれたヒューズ部と抵抗部を
有するヒューズ性を有する抵抗膜と、抵抗膜の両端に位
置する電極と、を備えたチップ型ヒューズ抵抗器にあっ
て、前記電極が、絶縁基板のグレーズ層上にルテニウム
系材料を、その上にＡｇ系膜、さらにその最上層にスズ
−鉛合金などのめっきの層を形成したものであることを
特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器の電極構造がある。
【００１９】ここでＡｇ系膜には、Ａｇ単体の他にＡｇ
−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどがある。
−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどがある。
【００２０】
【作用】絶縁基板上にグレーズ層を形成することで熱伝
導率を低下させてヒューズ部に熱が集中するようにする
ためにその上層をルテニウム材料単独で使用しても抵抗
値をあげ、しかも溶断特性の優れたチップ型ヒューズ抵
抗器が得られる。また、ルテニウム系材料がグレーズ層
と接することによりヒューズ部が発熱しても、ルテニウ
ム系材料の上方層の保護膜をガラス膜としたことで発煙
や発火を防止する。ルテニウム系材料でヒューズ部を作
る場合、その溶断特性から３μｍ〜１０μｍが好ましい
が、残留抵抗を大きくするためにはヒューズ部の膜厚を
抵抗部のそれより５〜１５μｍ薄くすることが好まし
い。ここで５μｍ未満にすると通電によりヒューズが切
断し、５μｍ超によると速断性が劣る。
導率を低下させてヒューズ部に熱が集中するようにする
ためにその上層をルテニウム材料単独で使用しても抵抗
値をあげ、しかも溶断特性の優れたチップ型ヒューズ抵
抗器が得られる。また、ルテニウム系材料がグレーズ層
と接することによりヒューズ部が発熱しても、ルテニウ
ム系材料の上方層の保護膜をガラス膜としたことで発煙
や発火を防止する。ルテニウム系材料でヒューズ部を作
る場合、その溶断特性から３μｍ〜１０μｍが好ましい
が、残留抵抗を大きくするためにはヒューズ部の膜厚を
抵抗部のそれより５〜１５μｍ薄くすることが好まし
い。ここで５μｍ未満にすると通電によりヒューズが切
断し、５μｍ超によると速断性が劣る。
【００２１】また、絶縁基板上の電極構造を下からグレ
ーズ層、ルテニウム系材料層、およびＡｇ系厚膜にする
ことでグレーズ層に対する電極としての密着力を良好に
するという作用が得られる。特に、グレーズ層とルテニ
ウム系材料層を接し、ルテニウム層上にＡｇ系厚膜を接
合することで両者の密着力と、Ａｇ系膜上のめっきづけ
性が向上する。
ーズ層、ルテニウム系材料層、およびＡｇ系厚膜にする
ことでグレーズ層に対する電極としての密着力を良好に
するという作用が得られる。特に、グレーズ層とルテニ
ウム系材料層を接し、ルテニウム層上にＡｇ系厚膜を接
合することで両者の密着力と、Ａｇ系膜上のめっきづけ
性が向上する。
【００２２】
【実施例】以下に本発明の好ましい実施例を添付図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２３】図１は本発明であるチップ型ヒューズ抵抗
の斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
の斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００２４】本発明にかかるチップ型ヒューズ抵抗器
は、アルミナ絶縁基板１上の全面にグレーズ膜２として
のＳｉＯ2系ガラス膜がスクリーン印刷によって印刷さ
れ、焼成されている。
は、アルミナ絶縁基板１上の全面にグレーズ膜２として
のＳｉＯ2系ガラス膜がスクリーン印刷によって印刷さ
れ、焼成されている。
【００２５】グレーズ膜２の上面には、抵抗膜としての
酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）が両側部５，６を残して帯
状に形成し、該膜中央部のヒューズ部４と両端の電極部
７に該当する箇所を厚さ３μｍ〜１０μｍと薄くし、こ
れらの間の抵抗部８をさらに５μｍ〜１５μｍ厚く形成
する。この抵抗部８にはトリミング跡９がある。
酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）が両側部５，６を残して帯
状に形成し、該膜中央部のヒューズ部４と両端の電極部
７に該当する箇所を厚さ３μｍ〜１０μｍと薄くし、こ
れらの間の抵抗部８をさらに５μｍ〜１５μｍ厚く形成
する。この抵抗部８にはトリミング跡９がある。
【００２６】そして、上記抵抗膜３の両端にある電極部
７の上に基板の側面に至るまでＡｇ電極１０が積層さ
れ、この電極１０の一部と上記により露出した抵抗膜３
の全面を保護膜ガラス１１としてのＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−
ＳｉＯ2で被覆している。
７の上に基板の側面に至るまでＡｇ電極１０が積層さ
れ、この電極１０の一部と上記により露出した抵抗膜３
の全面を保護膜ガラス１１としてのＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−
ＳｉＯ2で被覆している。
【００２７】さらに、アルミナ基板１の両端部には浸漬
あるいは塗布ローラなどによって上記保護膜ガラス１１
との間に上記Ａｇ電極１０を一部露出させて端面電極１
２を形成する。
あるいは塗布ローラなどによって上記保護膜ガラス１１
との間に上記Ａｇ電極１０を一部露出させて端面電極１
２を形成する。
【００２８】また、端面電極１２の全面と上記一部露出
したＡｇ電極１０を被ってニッケル及びスズ−鉛合金の
めっき膜が被覆される。
したＡｇ電極１０を被ってニッケル及びスズ−鉛合金の
めっき膜が被覆される。
【００２９】上記構成から成る本発明のチップ型ヒュー
ズ抵抗器の製造手順を図３によって説明する。
ズ抵抗器の製造手順を図３によって説明する。
【００３０】まず、アルミナ基板１の上にＳｉＯ2系ガ
ラスペーストをスクリーン印刷により印刷する（Ｓ
１）。そして、この印刷したものを焼成してグレーズ膜
２を形成する（Ｓ２）。
ラスペーストをスクリーン印刷により印刷する（Ｓ
１）。そして、この印刷したものを焼成してグレーズ膜
２を形成する（Ｓ２）。
【００３１】つぎに、ＳｉＯ2系グレーズ膜２上に酸化
ルテニウム３をスクリーン印刷するが、その形態は中央
の膜厚を薄くした膜部（ヒューズ部）４と両端の膜厚が
薄い膜部（Ａｇ電極載置部）１０と、これら膜厚が薄い
膜部に対して厚肉にした抵抗部８とを凹凸状に形成した
ものとする（Ｓ３）。この凹凸は、技術的にはスクリー
ン目を変えて塗布量を異にする一度のスクリーン印刷で
もできるが、複数回の積層印刷にすることも可能であ
る。そして、この印刷したものを焼成する（Ｓ４）。
ルテニウム３をスクリーン印刷するが、その形態は中央
の膜厚を薄くした膜部（ヒューズ部）４と両端の膜厚が
薄い膜部（Ａｇ電極載置部）１０と、これら膜厚が薄い
膜部に対して厚肉にした抵抗部８とを凹凸状に形成した
ものとする（Ｓ３）。この凹凸は、技術的にはスクリー
ン目を変えて塗布量を異にする一度のスクリーン印刷で
もできるが、複数回の積層印刷にすることも可能であ
る。そして、この印刷したものを焼成する（Ｓ４）。
【００３２】さらに、上記酸化ルテニウムの両端の膜厚
が薄い膜部７上にＡｇ電極１０を印刷し（Ｓ５）焼成す
る（Ｓ６）。
が薄い膜部７上にＡｇ電極１０を印刷し（Ｓ５）焼成す
る（Ｓ６）。
【００３３】このようにして、上記電極１０を形成した
後に酸化ルテニウムの抵抗膜３にある抵抗部８にトリミ
ング９を施こす（Ｓ７）。
後に酸化ルテニウムの抵抗膜３にある抵抗部８にトリミ
ング９を施こす（Ｓ７）。
【００３４】抵抗膜３と電極１０の一部の上にホウケイ
酸鉛系の保護ガラスを印刷し（Ｓ８）、焼成する（Ｓ
９）。
酸鉛系の保護ガラスを印刷し（Ｓ８）、焼成する（Ｓ
９）。
【００３５】その後、多数のチップ型ヒューズ抵抗器の
絶縁基板を縦にクラッキングし（Ｓ１０）、クラッキン
グした端面にロールや浸漬法で端面電極１２を塗布など
印刷してから（Ｓ１１）、焼成し（Ｓ１２）、さらに横
にクラッキングして１個別のヒューズ抵抗器のチップと
し（Ｓ１３）、これら多数のチップにめっき膜を施こし
（Ｓ１４）、最後に品質検査をして完成する（Ｓ１
５）。
絶縁基板を縦にクラッキングし（Ｓ１０）、クラッキン
グした端面にロールや浸漬法で端面電極１２を塗布など
印刷してから（Ｓ１１）、焼成し（Ｓ１２）、さらに横
にクラッキングして１個別のヒューズ抵抗器のチップと
し（Ｓ１３）、これら多数のチップにめっき膜を施こし
（Ｓ１４）、最後に品質検査をして完成する（Ｓ１
５）。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、絶
縁基板上にグレーズ層を形成し、その上に抵抗膜として
薄肉又は／及び狭幅のヒューズ部とヒューズ部より厚肉
または／及び広幅の抵抗部を単一材料のルテニウム系材
料を一度に施こしたので、製造工程が簡略化するだけで
なく、高価な金や銀の有機ペーストを用いることがない
ので安価で量産性に優れたチップ型ヒューズ抵抗器が得
られる。
縁基板上にグレーズ層を形成し、その上に抵抗膜として
薄肉又は／及び狭幅のヒューズ部とヒューズ部より厚肉
または／及び広幅の抵抗部を単一材料のルテニウム系材
料を一度に施こしたので、製造工程が簡略化するだけで
なく、高価な金や銀の有機ペーストを用いることがない
ので安価で量産性に優れたチップ型ヒューズ抵抗器が得
られる。
【００３７】また、ヒューズ部をルテニウム系材料とす
るだけでは溶断特性が良くないところから、これを良く
するために絶縁基板上にグレーズ層を設けてからルテニ
ウム系材料を層状に形成した。
るだけでは溶断特性が良くないところから、これを良く
するために絶縁基板上にグレーズ層を設けてからルテニ
ウム系材料を層状に形成した。
【００３８】さらに、ルテニウムのヒューズ部が高熱に
なっても保護膜をガラス層としたことにより発炎や発火
を阻止することもできる。
なっても保護膜をガラス層としたことにより発炎や発火
を阻止することもできる。
【００３９】ルテニウムを用いたヒューズ部の膜厚を３
μｍ〜１０μｍとすることで速断性を良くし、この膜厚
よりもさらに５μｍ〜１５μｍ厚くした抵抗部をもうけ
ることでヒューズ全体の残留抵抗を大きくし、性能をア
ップした。
μｍ〜１０μｍとすることで速断性を良くし、この膜厚
よりもさらに５μｍ〜１５μｍ厚くした抵抗部をもうけ
ることでヒューズ全体の残留抵抗を大きくし、性能をア
ップした。
【００４０】さらにまた、本発明であるチップ型ヒュー
ズ抵抗器の電極構造を下層にルテニウム系材料、その上
をＡｇ系膜、さらにその最上層にスズ−鉛合金めっき膜
からの層にしたので、電極の信頼性（密着力）が良くな
るという効果を奏する。
ズ抵抗器の電極構造を下層にルテニウム系材料、その上
をＡｇ系膜、さらにその最上層にスズ−鉛合金めっき膜
からの層にしたので、電極の信頼性（密着力）が良くな
るという効果を奏する。
【図１】本発明であるチップ型ヒューズ抵抗器とその電
極構造を示す斜視図である。
極構造を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】図１のチップ型抵抗器の製造手順を示すフロー
チャートである。
チャートである。
１ アルミナ基板 ２ グレーズ膜 ３ 抵抗膜（ルテニウム） ４ 抵抗膜のヒューズ部 ７ 抵抗膜の両端部 ８ 抵抗膜の抵抗部 ９ トリミング（跡） １０ 電極（Ａｇ） １１ 保護膜ガラス １２ 端面電極 １３ めっき膜（スズ−鉛合金）
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板と、保護膜と、これらの間に挾
まれたヒューズ部と抵抗部を備えたヒューズ性を有する
抵抗膜と、抵抗膜の両端に位置する電極と、を備えたチ
ップ型ヒューズ抵抗器であって、前記絶縁基板上にグレ
ース層を形成するとともに、その上の前記抵抗膜のヒュ
ーズ部と抵抗部を前者を後者より薄膜及び／又は狭幅の
ルテニウム系材料とし、かつ前記保護膜をガラス膜とし
たことを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項２】 前記抵抗膜のヒューズ部の膜厚を３μｍ
〜１０μｍとし、これより抵抗部の膜厚を５μｍ〜１５
μｍ厚くしたことを特徴とする請求項１に記載のチップ
型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項３】 絶縁基板と、保護膜と、これらの間に挾
まれたヒューズ部と抵抗部を備えたヒューズ性を有する
抵抗膜と、抵抗膜の両端に位置する電極と、を備えたチ
ップ型ヒューズ抵抗器にあって、前記電極が、前記絶縁
基板のグレース層上のルテニウム系材料、その上にＡｇ
系膜、さらにその上めっき膜を形成したものであること
を特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235320A JP2984914B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235320A JP2984914B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079301A true JPH1079301A (ja) | 1998-03-24 |
| JP2984914B2 JP2984914B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=16984368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8235320A Expired - Lifetime JP2984914B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984914B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014124921A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Canon Inc | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2014124920A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Canon Inc | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP8235320A patent/JP2984914B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014124921A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Canon Inc | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2014124920A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Canon Inc | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2984914B2 (ja) | 1999-11-29 |
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