JPH1079402A - 半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部接続端子の個数を減らすことなくチップ
サイズの縮小化を図ることができる半導体パッケージを
提供する。 【解決手段】 複数の電極パッド３が形成された半導体
チップ２と、リードパターン６上に絶縁フィルム７を積
層してなり、そのフィルム外形寸法がチップ外形寸法よ
りも大きく設定されるとともに、チップ周縁部に沿った
フィルム開口部８を有し、かつフィルム開口部８よりも
内側を第１の配線領域５ａ、外側を第２の配線領域５ｂ
としてなる配線フィルム５と、第１，第２の配線領域５
ａ，５ｂにわたって形成された複数の外部接続端子９
と、第１，第２の配線領域５ａ，５ｂからフィルム開口
部８に延出し、その延出端が電極パッド３に接続された
複数のリード１０と、半導体チップ２を囲む状態で設け
られた外形リング１１と、半導体チップ２と外形リング
１１との間に充填された封止樹脂１２とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なリードフレ
ームに半導体チップを接合して超多ピン構造とした半導
体パッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半田ボール等の外部接続端子を備
えた有機基板を介してプリント配線板等に実装できる半
導体パッケージとして図７に示すものがある。図７にお
いては、有機材料を用いた２乃至６層程度の多層有機配
線基板５０に対し、その基板表面に半導体チップ５１が
マウントされている。そしてこの半導体チップ５１の電
極パッドと多層有機配線基板５０の表面に形成された配
線膜５２とが金線５３等を用いたワイヤボンディングに
よって接続されている。

【０００３】多層有機配線基板５０の裏面には、スルー
ホール５４を介して表面の配線膜５２と電気的に接続さ
れた半田ボール（外部接続端子）５５が設けられてお
り、この半田ボール５５がソルダーレジスト膜５６の開
口より外部に臨んでいる。また、半導体チップ５１は金
線５３とともに封止樹脂５７にて封止されている。

【０００４】上記構成からなる半導体パッケージ５８で
は、裏面に形成されている半田ボール５５をプリント配
線板５９に接続するようにしている。また多層有機配線
基板５０は、半田ボール５５が多数格子状に配設されて
いることからボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と称され
ることが多く、この多層有機配線基板５０を用いた半導
体パッケージ５８をＢＧＡパッケージと称している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体パッケージ５８においては、ワイヤボンディン
グを行って半導体チップ５１の電極パッドと多層有機配
線基板５０の配線膜５２とを接続しているため、配線ピ
ッチを縮小化するには限界があった。また、これ以外の
例えばＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）と称さ
れる半導体パッケージでも、絶縁性のフィルムベース上
に貼り付けた銅箔をエッチングしてリードパターンを形
成するため、サイドエッチングによるリード痩せ等の制
約があって多ピン化には限界があった。

【０００６】そこで本出願人は、新規なリードフレーム
と半導体チップとを接合して超多ピン構造とした半導体
パッケージを既に提唱している。図８は超多ピン構造の
半導体パッケージの一例を示しており、以下にその製造
手順について簡単に説明する。先ず、リードフレームの
製造にあたっては、図９（ａ）に示すように、三層構造
の金属ベース６１を用意する。この金属ベース６１は、
銅又は銅合金からなる基板（以下、銅基板という）６２
の表面にアウミニウム膜６３を形成し、その上にニッケ
ル膜６４を形成したものである。次に、図９（ｂ）に示
すように、金属ベース６１の表面に電解銅メッキによっ
て複数のリードパターン６５を形成する。次に、図９
（ｃ）に示すように、リードフレームのチップ毎の外形
を規定するためのスリット６６を形成する。次に、図９
（ｄ）に示すように、リードパターン６５の上に絶縁フ
ィルム６７を積層し、これによってリードパターン６５
及び絶縁フィルム６７からなる配線フィルム６８を形成
する。この配線フィルム６８からは、上記リードパター
ン６５に対応して複数のリード６９が延出したかたちと
なる。

【０００７】次に、図１０（ａ）に示すように、絶縁フ
ィルム６７によって被覆されたリードパターン６５上
に、電解メッキにて外部接続端子７０を形成する。次
に、図１０（ｂ）〜（ｃ）に示すように、外形リング７
１部分を残すようにして、金属ベース６１の銅基板６
２、アルミニウム膜６３及びニッケル膜６４を、それぞ
れ選択エッチングによって順次除去し、これによって各
リードパターン６５（リード６９を含む）を分離、独立
させる。次に、図１０（ｄ）に示すように、配線フィル
ム６７から延出した各々のリード６９の先端にバンプ７
２を形成する。以上で、半導体チップを組付ける前のリ
ードフレーム７３が完成する。

【０００８】その後、上記リードフレーム７３に半導体
チップを組付けるにあたっては、図１１（ａ）に示すよ
うに、配線フィルム６８の裏面側に接着シート７４を介
して半導体チップ７５を位置決め固定する。次に、図１
１（ｂ）に示すように、各々のリード６９の先端部をバ
ンプ７２を介して半導体チップ７５の電極パッド７６に
接続する。次に、図１１（ｃ）に示すように、半導体チ
ップ７５と外形リング７１との間に封止樹脂７７を注入
し、これを硬化させることで周辺部品を一体化する。最
後は、図１１（ｄ）に示すように、外形リング７１の外
周縁を境に不要部分を切除することにより、図８に示し
た超多ピン構造の半導体パッケージ７８が完成する。

【０００９】この半導体パッケージ７８においては、リ
ードフレーム７３の製造段階で、金属ベース６１上に電
解銅メッキにてリードパターン６８を形成し、さらにそ
のリードパターン６５上に電解メッキにて外部接続端子
７０を形成することから、それまでの限界を超えた多ピ
ン構造が実現されている。また、金属ベース６１を選択
的にエッチングして外形リング７１部分を残し、この外
形リング７１にてパッケージ外形を構成していることか
ら、パッケージ外形と外部接続端子７０との位置精度が
保証され、これによってパッケージ実装時のアライメン
トも容易に行えるようになっている。さらに、パッケー
ジサイズをチップサイズと同等レベルに留めた、いわゆ
るＣＳＰ（チップサイズパッケージ）構造も実現されて
いる。

【００１０】ところが上述した半導体パッケージ７８の
場合、半導体チップ７５上に接着シート７４を介して配
線フィルム６５を実装し、その配線フィルム６５上に外
部接続端子７０を形成した構成となっているため、以下
のような不都合があった。すなわち、外部接続端子７０
の配置ピッチを限界レベルまで狭めた場合、配線フィル
ム６５上に設けることができる外部接続端子７０の個数
は半導体チップ７５のサイズに制限されることになる。
そのため、チップサイズの縮小化を図るには外部接続端
子７０の個数を減らさざるを得なくなり、結果として多
ピン化に逆行してしまう。

【００１１】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、外部接続端子の
個数を減らすことなくチップサイズの縮小化を図ること
ができる半導体パッケージを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、チップ表面の周縁部に複
数の電極パッドが形成された半導体チップと、この半導
体チップの表面側に配置形成されるとともに、リードパ
ターン上に絶縁フィルムを積層した構造をなし、そのフ
ィルム外形寸法が半導体チップの外形寸法よりも大きく
設定されるとともに、半導体チップの周縁部に沿ったフ
ィルム開口部を有し、かつ該フィルム開口部よりも内側
を第１の配線領域とし該フィルム開口部よりも外側を第
２の配線領域としてなる配線フィルムと、上記第１の配
線領域から第２の配線領域にわたって配線フィルム上に
突出形成された複数の外部接続端子と、上記第１の配線
領域及び第２の配線領域からそれぞれフィルム開口部に
延出するとともに、その延出端が半導体チップの電極パ
ッドに接続された複数のリードと、上記半導体チップを
囲む状態で設けられた外形リングと、上記半導体チップ
と外形リングとの間に充填された封止樹脂とを備えた構
成となっている。

【００１３】上記構成からなる半導体パッケージでは、
配線フィルムの配線領域が、半導体チップ上に配置され
る第１の配線領域に加えてチップ周辺部に配置される第
２の配線領域まで拡大し、これら第１，第２の配線領域
にわたって外部接続端子が形成されることから、配線フ
ィルム上での外部接続端子の個数がチップサイズに制限
されることがなくなる。そのため、外部接続端子の個数
を減らすことなくチップサイズを縮小化することが可能
となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明に係
る半導体パッケージの一実施形態を示す側断面図であ
り、図２はその要部底面図である。図示した半導体パッ
ケージ１の構成では、半導体チップ２の表面（図１では
チップ下面）にその周縁部にわたって複数の電極パッド
３が形成されている。また、半導体チップ２の表面側
（パッド形成面側）には、接着シート４を介して配線フ
ィルム５が配置形成されている。この配線フィルム５
は、リードパターン６上に絶縁フィルム７を積層した構
造をなすもので、そのフィルム外形寸法が半導体チップ
２の外形寸法よりも大きく設定されている。また配線フ
ィルム５には、チップ周縁部に沿ったかたちでフィルム
開口部８が設けられている。このフィルム開口部８は、
後述するリードの先端を半導体チップ２の電極パッド３
に接続するための、いわゆるボンドホールとなるもの
で、半導体チップ２上でのパッド配列に倣ってスリット
状に明けられている。

【００１５】なお、接着シート４は、例えば厚さ１５０
μｍ程度の熱可塑性ポリイミド接着シート又はポリオレ
フィン系接着シートからなるもので、半導体チップ２と
配線フィルム５とを接着する以外にも、半導体チップ２
のパッド形成領域の内側に存在する、素子形成領域を保
護する緩衝材としての役目も兼ねている。

【００１６】ここで、上述した配線フィルム５において
は、上記フィルム開口部８を境にして、それよりも内側
を第１の配線領域５ａとし、それよりも外側を第２の配
線領域５ｂとしている。これら第１の配線領域５ａと第
２の配線領域５ｂとは、各フィルム開口部８の突き合わ
せ部分で互いに連結されている。すなわち、図２に示す
ように、各フィルム開口部８の突き合わせ部分は絶縁フ
ィルム７の一部７ａで吊られ、さらにその吊り部分には
これを補強するための吊りリード６ａが架け渡されてい
る。また配線フィルム５上には、第１の配線領域５ａか
ら第２の配線領域５ｂにわたって複数の外部接続端子９
が形成されている。個々の外部接続端子９は、上述した
リードパターン６の終端（ランド）に位置して、例えば
ボール状に突出形成されている。ちなみに、上述した吊
りリード６ａの両端にも外部接続端子９と同一構造をな
すダミーのボール状突部９ａが設けられ、このボール状
突部９ａのリベット作用によって吊りリード６ａの両端
部が絶縁フィルム７に留め付けられている。

【００１７】さらに、第１の配線領域５ａ及び第２の配
線領域５ｂからは、それぞれ上記フィルム開口部８に向
けて複数のリード１０が延出している。これらのリード
１０は、第１，第２の配線領域５ａ，５ｂに形成された
リードパターン６に対応したもので、第１の配線領域５
ａからはパッケージ外方に向けてリード１０が延出し、
第２の配線領域５ｂからはパッケージ内方に向けてリー
ド１０が延出している。そして各々のリード１０の延出
端（先端）は、半導体チップ２上に形成された電極パッ
ド３にそれぞれ接続されている。ちなみに、各フィルム
開口部８の適所には、上述のリード１０とは別に、回路
結線に関与しないダミーとしての支持リード１０ａ（図
２）が架け渡されている。この支持リード１０ａは、上
述した吊りリード６ａと同様に、第１の配線領域５ａと
第２の配線領域５ｂとを連結支持するためのものであ
る。

【００１８】一方、半導体チップ２の外側には、これを
囲む状態で外径リング１１が設けられている。この外形
リング１１は、配線フィルム５（第２の配線領域５ｂ）
の周縁部に沿ってリング状に形成され、これによって半
導体パッケージ１としての外形を構成している。さら
に、半導体チップ２と外径リング１１との間には、エポ
キシ系又はシリコーン系の封止樹脂１２が充填され、こ
の封止樹脂１２によって周辺部品が一体的に固定されて
いる。

【００１９】ちなみに、配線フィルム５の第２の配線領
域５ｂには、上記接着シート４と同質の接着シート４ａ
が貼り付けられている。この接着シート４ａは、図示せ
ぬプリント基板へのパッケージ実装に際して、実装時及
び実装後における環境ストレス（主に熱ストレス）を緩
和するためのもので、これについては環境ストレスに対
する封止樹脂１２の柔軟性等を考慮して適宜設けるよう
にすればよい。

【００２０】続いて、本実施形態における半導体パッケ
ージ１の一連の製造手順につき、図３〜図５を参照しつ
つ説明する。先ず、リードフレームの製造にあたって
は、図３（ａ）に示すように、三層構造の積層板からな
る金属ベース２１を用意する。この金属ベース２１は、
厚さ１５０μｍ程度の銅又は銅合金からなる基板（以
下、銅基板という）２２の表面に、例えば蒸着によって
厚さ４．５μｍ程度のアルミニウム膜２３を形成し、さ
らに厚さ１〜２μｍ程度のニッケル膜２４を形成したも
のである。

【００２１】このうち、銅基板２２は、それ自身がリー
ドとならず、最終的には外形リング部分（後述）を除い
て切除されるものであるが、非常に微細なリードパター
ンを形成するにあたって必要不可欠なものである。アル
ミニウム膜２３は、その後の工程で銅基板２２をエッチ
ングするときに金属ベース２１の表面側がエッチングさ
れないようにするためのエッチングストップ膜に相当す
るものである。ニッケル膜２４は、金属ベース２１の面
上にリードパターンを形成するための電解メッキの下
地、つまりメッキ下地膜に相当するものである。

【００２２】なお、金属ベース２１としては、アルミニ
ウム膜２３とニッケル膜２４との間に、双方の密着性を
高めるべく、例えば厚さ０．５μｍ程度のクロム膜を密
着膜として形成するようにしてもよい。また、メッキ下
地膜としては、ニッケル膜２４の代わりに銅の薄膜を形
成するようにしてもよい。

【００２３】次に、図３（ｂ）に示すように、金属ベー
ス２１の表面、即ちニッケル膜４の表面に選択メッキ法
により例えば厚さ２０〜３０μｍの銅からなる複数のリ
ードパターン６を形成する。ここでの選択メッキは、金
属ベース２１の表面を図示せぬレジストパターンにより
選択的に覆い、このレジストパターンをマスクとして電
解銅メッキすることにより行われる。その際、レジスト
パターンをマスクとしたリードパターン６の形成領域
は、後述する半導体チップ２の接合領域よりも大きく設
定される。なお、リードパターン６の形成にあたって
は、先の図２に示した吊りリード６ａ及び支持リード１
０ａも同時に形成される。

【００２４】次に、図３（ｃ）に示すように、電解銅メ
ッキにより形成したリードパターン６上に、例えば厚さ
２５μｍ程度のポリイミドフィルムからなる絶縁フィル
ム７を積層し、これによってリードパターン６及び絶縁
フィルム７からなる配線フィルム５を形成する。このと
き周知のフォトリソグラフィ技術を利用して絶縁フィル
ム７をパターニングすることで、後述する外部接続端子
９をメッキ形成するための小孔とともに、リードボンド
用のフィルム開口部８を形成する。この時点で配線フィ
ルム５は第１の配線領域５ａと第２の配線領域５ｂとに
分けられ、また各々の領域５ａ，５ｂからフィルム開口
部８に向けて複数のリード１０が延出したかたちとな
る。次に、図３（ｄ）に示すように、金属ベース２１に
対して両面から選択エッチングすることにより、リード
フレームのチップ毎の外形を規定するためのスリット２
５や、製造をやり易くするための孔（不図示）を形成す
る。

【００２５】続いて、図４（ａ）に示すように、絶縁フ
ィルム７によって被覆されたリードパターン６の終端
に、その絶縁フィルム７をマスクとしてボール状の外部
接続端子９を形成する。この外部接続端子９は、絶縁フ
ィルム７上に露出するリードパターン６の終端に、例え
ば、電解メッキ法によって９０μｍ程度のニッケルコア
を形成し、そのコア表面に０．１μｍの金メッキ処理を
施すか、或いは電解メッキ法によって８０μｍ程度のニ
ッケルコアを形成し、そのコア表面に２０μｍ程度の半
田メッキを施すことで得られる。

【００２６】続いて、図４（ｂ）に示すように、外形リ
ング１１部分を残すようにして金属ベース２１の銅基板
２２を選択エッチングにより除去する。このエッチング
に際しては、アルミニウム膜２３がエッチングストッパ
ーとして作用し、銅基板２２のみが除去される。次に、
図４（ｃ）に示すように、金属ベース２１のアルミニウ
ム膜２３を選択エッチングにて除去し、さらにニッケル
膜２４を選択エッチングにより除去して各リードパター
ン６（リード１０を含む）を分離、独立させる。次い
で、図４（ｄ）に示すように、配線フィルム５の第１，
第２の配線領域５ａ，５ｂから延出した各リード１０の
先端に、例えばスパッタ法又は蒸着法によってアルミニ
ウムからなるバンプ２６を形成する。以上で、半導体チ
ップを組付ける前のリードフレーム２７が完成する。

【００２７】その後、上記リードフレーム２７に半導体
チップを組付けるにあたっては、図５（ａ）に示すよう
に、配線フィルム５（第１の配線領域５ａ）の裏面側に
接着シート４を介して半導体チップ２を位置決め固定す
る。このとき、配線フィルム５の第１の配線領域５ａが
半導体チップ２上に配置され、第２の配線領域５ｂがチ
ップ周辺部に配置される。また、第１，第２の配線領域
５ａ，５ｂから延出した各リード１０の先端（バンプ２
６）が半導体チップ２上の電極パッド３に対向した状態
となる。次に、図５（ｂ）に示すように、各々のリード
１０の先端をバンプ２６を介して半導体チップ２の電極
パッド３にシングルポイントボンディングによって接続
する。このシングルポイントボンディングは、配線フィ
ルム５のフィルム開口部８を介して行われる。次いで、
図５（ｃ）に示すように、半導体チップ２と外形リング
１１との間にエポキシ系又はシリコーン系の封止樹脂１
２をポッティングにより注入し、これを硬化させること
で周辺部品を一体化する。最後は、図５（ｄ）に示すよ
うに、外形リング１１の外周縁を境に不要部分を切除す
ることにより、図１に示した半導体パッケージ１が完成
する。

【００２８】このように本実施形態の半導体パッケージ
１においては、配線フィルム５の配線領域を、半導体チ
ップ２上に配置される第１の配線領域５ａに加えてチッ
プ周辺部に配置される第２の配線領域５ｂまで拡大し、
各々の配線領域５ａ，５ｂにわたって外部接続端子９を
形成するようにしたので、外部接続端子９の個数がチッ
プサイズに制限されることがなくなる。したがって、外
部接続端子９の個数を減らすことなく半導体チップ２の
サイズを縮小化することができる。

【００２９】なお、第２の配線領域５ｂにおける外部接
続端子９の配列については所望の端子個数に合わせて任
意に設定できるものの、そこでの端子配列が多くなる
と、その分だけ第２の配線領域５ｂも拡大することにな
るため、フィルムの撓みやうねりが顕著になって外部接
続端子９の高さが不揃いになることも懸念される。以下
に、そうした懸念を解消するためになされた本発明の他
の実施形態について説明する。

【００３０】図６は本発明に係る半導体パッケージの他
の実施形態を示す側断面図である。図示した半導体パッ
ケージ１においては、その特徴部分として、配線フィル
ム５の第２の配線領域５ｂに接着シート４ａを介して補
強板１３が貼り付けられている。この補強板１３は、例
えばアルミニウム等の金属材料からなるもので、半導体
チップ２と外形リング１１との間に組み込まれている。
また、補強板１３の裏面（図中上面）とチップ裏面とが
面一になるように、接着シート４，４ａの厚さが同一に
設定されかつ半導体チップ２と補強板１３の厚さが同一
に設定されている。そして、半導体チップ２と外形リン
グ１１との間で、補強板１３の内側及び外側に封止樹脂
１２が充填されている。

【００３１】この半導体パッケージ１では、チップ周辺
部に位置する第２の配線領域５ｂが補強板１３によって
支持されるため、第２の配線領域５ｂにおけるフィルム
の撓みやうねりが抑えられる。したがって、第２の配線
領域５ｂでの端子配列が多くなっても、配線フィルム５
上での外部接続端子９の高さを均一に保持することがで
きる。また、補強板１３の裏面とチップ裏面とが面一に
なるようにしたので、パッケージ組立に際しては、同一
の基準平面に半導体チップ２と補強板１３を載置し、そ
の上方から接着シート４，４ａを介して配線フィルム５
を貼り付けるといった簡単な作業で、配線フィルム５上
での外部接続端子９の高さを均一かつ高精度に揃えるこ
とが可能となる。

【００３２】なお、本発明は、上述のように電解銅メッ
キにてリードパターンを形成したものに限らず、ポリイ
ミド等の絶縁フィルム上に銅箔を貼り付け、これをエッ
チングしてリードパターンを形成したものにも同様に適
用することができる。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、配
線フィルムの配線領域（外部接続端子の形成領域）を、
半導体チップ上に配置される第１の配線領域に加えてチ
ップ周辺部に配置される第２の配線領域まで拡大するよ
うにしたので、外部接続端子の個数を減らすことなくチ
ップサイズを縮小化することができる。これにより、今
後の半導体チップの超小型化にも十分に対応することが
可能となる。またそれと同時に、半導体チップのサイズ
を大きくしなくても外部接続端子の個数を増やすことが
できるため、更なる多ピン化を図るうえでも有効であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの一実施形態を
示す側断面図である。

【図２】本発明に係る半導体パッケージの一実施形態を
示す要部底面図である。

【図３】実施形態におけるリードフレームの製造工程図
（その１）である。

【図４】実施形態におけるリードフレームの製造工程図
（その２）である。

【図５】実施形態における半導体パッケージの製造工程
図である。

【図６】本発明に係る半導体パッケージの他の実施形態
を示す側断面図である。

【図７】従来のＢＧＡパッケージを示す側断面図であ
る。

【図８】超多ピン構造の半導体パッケージの一例を示す
側断面図である。

【図９】超多ピン構造のためのリードフレームの製造工
程図（その１）である。

【図１０】超多ピン構造のためのリードフレームの製造
工程図（その２）である。

【図１１】超多ピン構造のための半導体パッケージの製
造工程図である。

【符号の説明】

１ 半導体パッケージ ２ 半導体チップ ３ 電
極パッド ５ 配線フィルム ５ａ 第１の配線領域 ５ｂ
第２の配線領域 ６ リードパターン ７ 絶縁フィルム ８ フィ
ルム開口部 ９ 外部接続端子 １０ リード １１ 外形リン
グ １２ 封止樹脂 １３ 補強板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チップ表面の周縁部に複数の電極パッド
   が形成された半導体チップと、 前記半導体チップの表面側に配置形成されるとともに、
   リードパターン上に絶縁フィルムを積層した構造をな
   し、そのフィルム外形寸法が前記半導体チップの外形寸
   法よりも大きく設定されるとともに、前記半導体チップ
   の周縁部に沿ったフィルム開口部を有し、かつ該フィル
   ム開口部よりも内側を第１の配線領域とし該フィルム開
   口部よりも外側を第２の配線領域としてなる配線フィル
   ムと、 前記第１の配線領域から前記第２の配線領域にわたって
   前記配線フィルム上に突出形成された複数の外部接続端
   子と、 前記第１の配線領域及び前記第２の配線領域からそれぞ
   れ前記フィルム開口部に延出するとともに、その延出端
   が前記半導体チップの電極パッドに接続された複数のリ
   ードと、 前記半導体チップを囲む状態で設けられた外形リング
   と、 前記半導体チップと前記外形リングとの間に充填された
   封止樹脂とを備えたことを特徴とする半導体パッケー
   ジ。
2. 【請求項２】 前記半導体チップと前記外形リングとの
   間に位置して前記配線フィルムの第２の配線領域に補強
   板を接合してなることを特徴とする請求項１記載の半導
   体パッケージ。